JP6787693B2 - 配線回路基板の製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、配線回路基板の製造方法に関する。
配線回路基板の製造方法として、絶縁層を用意し、その後、絶縁層の上に配線パターンを設ける方法が知られている。
例えば、絶縁層に第1の厚みを有する第1の部分と第1の厚みよりも小さい第2の厚みを有する第2の部分とを形成する工程と、絶縁層の第1の部分上および第2の部分上に延びるように配線パターンを形成する工程とを備える回路付きサスペンション基板の製造方法が提案されている(例えば、特許文献1参照。)。
特許文献1に記載される製造方法では、配線パターンを形成する工程において、第1の部分の上面と境界面との境界線が第1の方向に延び、配線パターンの側辺が第1の方向に交差する第2の方向に延び、第2の方向が第1の方向に対して60度以上90度以下の角度をなすように、絶縁層の上面に配線パターンを形成している。
第1の部分の上面と第2の部分の上面との間に境界面が形成されるため、フォトリソグラフィ技術により絶縁層上に配線パターンを形成する工程において、境界面で露光光の反射が発生し、反射光が他の領域に間接的に照射される。しかし、特許文献1に記載の方法によれば、露光光は、境界面で配線パターンが延びる方向に近い方向に反射されるため、反射光が本来の露光光のパターンにほとんど影響を与えない。それにより、フォトリソグラフィ技術により形成される配線パターンに断線または短絡を防止している。
特開2014−127216号公報
近年、配線回路基板を小型化する場合には、配線パターンを高密度で配置する場合がある。そのような場合には、特許文献1のように、配線パターンを、第2の方向が第1の方向に対して60度以上90度以下の角度をなすように、形成することができない場合がある。その場合には、配線パターン間の短絡を防止することができないという不具合がある。
本発明の目的は、第1配線および第2配線を高密度で設けながら、それらの短絡を防止することのできる配線回路基板の製造方法を提供することにある。
本発明(1)は、絶縁層と、互いに間隔を隔てて隣り合う第1配線および第2配線とを備える配線回路基板の製造方法であり、斜面を有する前記絶縁層を設ける工程(1)と、金属薄膜を、前記斜面を含む前記絶縁層の表面に設ける工程(2)と、フォトレジストを前記金属薄膜の表面に設ける工程(3)と、フォトマスクを、前記フォトレジストにおいて前記第1配線に対応する第1露光部分と、前記フォトレジストにおいて前記第2配線に対応する第2露光部分とが露光されるように、配置して、前記フォトレジストを、前記フォトマスクを介して露光する工程(4)と、前記フォトレジストの前記第1露光部分および前記第2露光部分を除去して、前記第1露光部分および前記第2露光部分に対応する前記金属薄膜を露出させる工程(5)と、前記第1配線および前記第2配線を、前記金属薄膜の表面に設ける工程(6)とを備え、前記斜面は、平面視略円弧形状を有し、前記工程(4)において、前記フォトレジストの前記第2露光部分は、前記斜面に対向する対向部分を有し、前記工程(4)において、前記円弧に対応する前記金属薄膜において反射した反射光は、前記円弧に沿う仮想円の中心に対応する前記フォトレジストに集光し、前記工程(4)において、下記条件A〜Cを満足するように、前記フォトマスクを配置する、配線回路基板の製造方法を含む。
条件A:前記第1露光部分の少なくとも一部、および、前記第2露光部分の少なくとも一部は、平面視で前記仮想円と重複する。
条件B:前記第1露光部分を露光せず、前記第2露光部分を露光する仮定1と、前記第1露光部分を露光し、前記第2露光部分における前記対向部分以外の部分を露光せず、前記第2露光部分における対向部分を露光する仮定2とのいずれかの仮定において、前記フォトレジストは、工程(4)における前記反射光の集光に起因し、工程(5)で除去される集光部分を有する。
条件C:前記仮定1では、前記集光部分が、前記平面視で前記仮想円と重複する前記第2露光部分と間隔が隔てられ、前記仮定2では、前記集光部分が、前記平面視で前記仮想円と重複する前記第1露光部分と間隔が隔てられる。
この方法によれば、工程(4)において、条件Aを満足するので、工程(6)で設けられる第1配線の少なくとも一部、および、第2配線の少なくとも一部は、平面視において、斜面の仮想円と重複する。そのため、第1配線および第2配線を高密度で配置することができる。
一方、条件Bにおいて、第1露光部分24を露光せず、第2露光部分25を露光する仮定1を満足すると、図6の仮想線で示すように、斜面13により生じる反射光B’に起因する集光部分16を生じる。かかる集光部分16は、第1配線21および第2配線22を高密度で配置するときに、仮想線で示す第2露光分25と連結し易くなる。さらに、条件Bにおいて、第1露光部分24を露光し、第2露光部分25における斜面対向部48以外の部分を露光せず、第2露光部分25における第2露光部分25を露光する仮定2を満足すると、図13の仮想線で示すように、集光部分16を生じる。かかる集光部分16は、第1配線21および第2配線22を高密度で配置するときに、仮想線で示す第1露光部分24と連結し易くなる。そうすると、図28Cおよび図29に示すように、工程(6)において、集光部分16に対応する短絡部分55が、第1配線21および第2配線22と接続して、それらが短絡するという不具合を生じる。
しかし、本発明は、条件Cの仮定1を満足するので、図6および図7Aに示すように、条件Bの仮定1を満足したとしても、集光部分16は、平面視で仮想円15と重複する第2露光部分25と間隔が隔てられる。そのため、工程(6)において、図7Cおよび図8に示すように、集光部分16に対応する孤立導体部17は、第2露光部分25に対応する第2配線22と間隔が隔てられる。そのため、孤立導体部17に起因する第2配線22の短絡を防止することができる。
あるいは、本発明は、条件Cの仮定2を満足するので、図13および図14Aに示すように、条件Bの仮定2を満足したとしても、集光部分16は、平面視で仮想円15と重複する第1露光部分24と間隔が隔てられる。そのため、工程(6)において、図14Cおよび図15に示すように、集光部分16に対応する孤立導体部17は、第1露光部分24に対応する第1配線21と間隔が隔てられる。そのため、孤立導体部17に起因する第1配線21の短絡を防止することができる。
その結果、第1配線および第2配線を高密度で設けながら、それらの短絡を防止することのできる配線回路基板を得ることができる。
本発明(2)は、絶縁層と、互いに間隔を隔てて隣り合う第1配線および第2配線とを備える配線回路基板の製造方法であり、斜面を有する前記絶縁層を設ける工程(1)と、導体層を、前記斜面を含む前記絶縁層の表面に設ける工程(2)と、フォトレジストを前記導体層の表面に設ける工程(3)と、フォトマスクを、前記フォトレジストにおいて前記第1配線に対応する第1露光部分と、前記フォトレジストにおいて前記第2配線に対応する第2露光部分とが露光されるように配置して、前記フォトレジストを、前記フォトマスクを介して露光する工程(4)と、前記フォトレジストにおいて前記第1露光部分および前記第2露光部分以外の部分を除去して、前記導体層を前記部分から露出させる工程(5)と、前記部分から露出する前記導体層を除去して、前記第1配線および前記第2配線を形成する工程(6)とを備え、前記斜面は、平面視略円弧形状を有し、前記工程(4)において、前記フォトレジストの前記第2露光部分は、前記斜面に対向する対向部分を有し、前記工程(4)において、前記円弧に対応する前記導体層において反射した反射光は、前記円弧に沿う仮想円の中心に対応する前記フォトレジストに集光し、前記工程(4)において、下記条件A〜Cを満足するように、前記フォトマスクを配置する、配線回路基板の製造方法を含む。
条件A:前記第1露光部分の少なくとも一部、および、前記第2露光部分の少なくとも一部は、平面視で前記仮想円と重複する。
条件B:前記第1露光部分を露光せず、前記第2露光部分を露光する仮定1と、前記第1露光部分を露光し、前記第2露光部分における前記対向部分以外の部分を露光せず、前記第2露光部分における対向部分を露光する仮定2とのいずれかの仮定において、前記フォトレジストは、工程(4)における前記反射光の集光に起因し、工程(5)で除去される集光部分を有する。
条件C:前記仮定1では、前記集光部分が、前記平面視で前記仮想円と重複する前記第2露光部分と間隔が隔てられ、前記仮定2では、前記集光部分が、前記平面視で前記仮想円と重複する前記第1露光部分と間隔が隔てられる。
この方法によれば、工程(4)において、条件Aを満足するので、工程(6)で設けられる第1配線の少なくとも一部、および、第2配線の少なくとも一部は、平面視において、斜面の仮想円と重複する。そのため、第1配線および第2配線を高密度で配置することができる。
一方、条件Bにおいて、第1露光部分24を露光せず、第2露光部分25を露光する仮定1を満足すると、図6の仮想線で示すように、斜面13により生じる反射光B’に起因する集光部分16を生じる。かかる集光部分16は、第1配線21および第2配線22を高密度で配置するときに、仮想線で示す第2露光分25と連結し易くなる。さらに、条件Bにおいて、第1露光部分24を露光し、第2露光部分25における斜面対向部48以外の部分を露光せず、第2露光部分25における第2露光部分25を露光する仮定2を満足すると、図13の仮想線で示すように、集光部分16を生じる。かかる集光部分16は、第1配線21および第2配線22を高密度で配置するときに、仮想線で示す第1露光部分24と連結し易くなる。そうすると、図28Cおよび図29に示すように、工程(6)において、集光部分16に対応する短絡部分55が、第1配線21および第2配線22と接続して、それらが短絡するという不具合を生じる。
しかし、本発明は、条件Cの仮定1を満足するので、図6および図7Aに示すように、条件Bの仮定1を満足したとしても、集光部分16は、平面視で仮想円15と重複する第2露光部分25と間隔が隔てられる。そのため、工程(6)において、図7Cおよび図8に示すように、集光部分16に対応する孤立導体部17は、第2露光部分25に対応する第2配線22と間隔が隔てられる。そのため、孤立導体部17に起因する第2配線22の短絡を防止することができる。
あるいは、本発明は、条件Cの仮定2を満足するので、図13および図14Aに示すように、条件Bの仮定2を満足したとしても、集光部分16は、平面視で仮想円15と重複する第1露光部分24と間隔が隔てられる。そのため、工程(6)において、図14Cおよび図15に示すように、集光部分16に対応する孤立導体部17は、第1露光部分24に対応する第1配線21と間隔が隔てられる。そのため、孤立導体部17に起因する第1配線21の短絡を防止することができる。
その結果、第1配線および第2配線を高密度で設けながら、それらの短絡を防止することのできる配線回路基板を得ることができる。
本発明(3)は、前記工程(4)において、前記第1露光部分、および、前記第2露光部分のいずれか一方は、前記集光部分の全部を含む。
本発明によれば、第1露光部分、および、第2露光部分のいずれか一方は、仮定において設けられる集光部分の全部を含むので、工程(6)において、集光部分に起因する導体部の形成を防止することができる。そのため、かかる導体部分に起因する第1配線および第2配線間の短絡をより確実に防止することができる。
本発明によれば、第1配線および第2配線を高密度で設けながら、それらの短絡を防止することのできる配線回路基板を得ることができる。
図1は、本発明の配線回路基板の製造方法の第1実施形態で得られる配線回路基板における下線部の円弧部の拡大平面図を示す。また、図1は、工程(4)において配置されるフォトマスクにおける透光部分も括弧書きで示す。さらに、図1は、工程(4)においてフォトレジストに生成される第1露光部分および第2露光部分も括弧書きで示す。 図2は、図1に示す下配線の幅方向(A−A線)に沿い、円弧部を横断する断面図を示す。 図3A〜図3Dは、図2に示す配線回路基板の製造方法の製造工程図の一部を示し、図3Aが、ベース絶縁層を用意する工程(i)、図3Bが、下側導体パターンを設ける工程(ii)、図3Cが、中間絶縁層を設ける工程(1)、図3Dが、金属薄膜を設ける工程(2)を示す。 図4E〜図4Gは、図3Dに引き続き、図2に示す配線回路基板の製造方法の工程図の一部を示し、図4Eが、フォトレジストを設ける工程(3)、図4Fが、フォトレジストを露光する工程(4)、図4Gが、第1露光部分および第2露光部分を除去する工程(5)を示す。 図5H〜図5Kは、図4Gに引き続き、図2に示す配線回路基板の製造方法の工程図の一部を示し、図5Hが、上側導体パターンを設ける工程(6)、図5Iが、フォトレジストを除去する工程(iii)、図5Jが、フォトレジストに対応する金属薄膜を除去する工程(iv)、図5Kが、カバー絶縁層を設ける工程(v)を示す。 図6は、第1実施形態に対応する仮定1であって、工程(4)のフォトマスクの第2透光部分の拡大平面図を示す。 図7A〜図7Cは、仮定1における製造工程図の一部であり、図7Aが、第1露光部分を露光しないように、第2露光部分を露光する工程(4)、図7Bが、フォトレジストを現像する工程(5)、図7Cが、電解めっきする工程(6)を示す。 図8は、仮定1により得られる配線回路基板の拡大平面図を示す。 図9は、図1に示す第1実施形態の配線回路基板の変形例(第1配線および第2配線が、平面視略直線形状を有する態様)の拡大平面図を示す。 図10は、本発明の配線回路基板の製造方法の第2実施形態で得られる配線回路基板における下線部の円弧部の拡大平面図を示す。また、図10は、工程(4)において配置されるフォトマスクにおける透光部分も括弧書きで示す。さらに、図10は、工程(4)においてフォトレジストに生成される第1露光部分および第2露光部分も括弧書きで示す。 図11は、図10に示す下配線の幅方向(A−A線)に沿い、円弧部を横断する断面図を示す。 図12A〜図12Cは、図11に示す配線回路基板1の製造方法の製造工程図の一部を示し、図12Aが、フォトレジストを露光する工程(4)、図12Bが、第1露光部分および第2露光部分を除去する工程(5)、図12Cが、第1配線および第2配線を設ける工程(6)を示す。 図13は、第2実施形態に対応する仮定1であって、工程(4)のフォトマスクの第1透光部分、および、斜面対向部に対応する第2透光部分の拡大平面図を示す。 図14A〜図14Cは、仮定2における製造工程図の一部であり、図14Aが、斜面対向部以外の第2露光部分を露光しないように、斜面対向部および第1露光部分を露光する工程(4)、図14Bが、フォトレジストを現像する工程(5)、図14Cが、電解めっきする工程(6)を示す。 図15は、仮定2により得られる配線回路基板の拡大平面図を示す。 図16は、図10に示す第2実施形態の配線回路基板の変形例(第1配線および第2配線が、平面視略直線形状を有する態様)の拡大平面図を示す。 図17は、本発明の配線回路基板の製造方法の第3実施形態で得られる配線回路基板における下線部の円弧部の拡大平面図を示す。また、図1は、工程(4)において配置されるフォトマスクにおける透光部分も括弧書きで示す。さらに、図1は、工程(4)においてフォトレジストに生成される第1露光部分および第2露光部分も括弧書きで示す。 図18は、図17に示す下配線の幅方向(A−A線)に沿い、円弧部を横断する断面図を示す。 図19A〜図19Cは、図18に示す配線回路基板の製造方法の製造工程図の一部を示し、図19Aが、フォトレジストを露光する工程(4)、図19Bが、第2集光部分、第1露光部分および第2露光部分を除去する工程(5)、図19Cが、第2孤立導体部、第1配線および第2配線を設ける工程(6)を示す。 図20は、図17に示す第3実施形態の配線回路基板の変形例(第1配線および第2配線が、平面視略直線形状を有する態様)の拡大平面図を示す。 図21は、本発明の配線回路基板の製造方法の第4実施形態で得られる配線回路基板における下線部の円弧部の拡大平面図を示す。また、図21は、工程(4)において配置されるフォトマスクにおける透光部分も括弧書きで示す。さらに、図21は、工程(4)においてフォトレジストに生成される第1露光部分および第2露光部分も括弧書きで示す。 図22は、本発明の配線回路基板の製造方法の第5実施形態で得られる配線回路基板における下線部の円弧部の拡大平面図を示す。また、図22は、工程(4)において配置されるフォトマスクにおける透光部分も括弧書きで示す。さらに、図22は、工程(4)においてフォトレジストに生成される第1露光部分および第2露光部分も括弧書きで示す。 図23A〜図23Dは、本発明の配線回路基板の製造方法の第6実施形態の工程図の一部を示し、図23Aが、ベース絶縁層を用意する工程(i)、図23Bが、下側導体パターンを設ける工程(ii)、図23Cが、中間絶縁層を設ける工程(1)、図23Dが、導体層を設ける工程(2)を示す。 図24E〜図24Gは、図23Dに引き続き、本発明の配線回路基板の製造方法の第6実施形態の工程図の一部を示し、図24Eが、フォトレジストを設ける工程(3)、図24Fが、フォトレジストを露光する工程(4)、図24Gが、導体層を第1露光部分および第2露光部分から露出させる工程(5)を示す。 図25H〜図25Jは、図24Gに引き続き、本発明の配線回路基板の製造方法の第6実施形態の工程図の一部を示し、図25Hが、第1露光部分および第2露光部分から露出する導体層を除去する工程(6)、図25Iが、第1露光部分および第2露光部分を除去する工程(iii)、図25Jが、カバー絶縁層を設ける工程(v)を示す。 図26は、第1〜6実施形態により得られる配線回路基板の変形例(下側導体パターンおよび中間絶縁層が設けられない態様)の断面図を示す。 図27は、比較例1または2における工程(4)のフォトマスクの透光部分の拡大平面図を示す。 図28A〜図28Cは、ポジ型のフォトレジスト、および、電解めっきを利用して、上側導体パターンを設ける比較例1の部分工程図であり、図28Aが、第1露光部分および第2露光部分を露光する工程(4)図28Bが、集光部分、第1露光部分および第2露光部分を除去する工程(5)、図28Cが、短絡部分、第1配線および第2配線を設ける工程(6)を示す。 比較例1または比較例2により得られる配線回路基板の拡大平面図を示す。 図30A〜図30Cは、ネガ型のフォトレジスト、および、エッチングを利用して、上側導体パターンを設ける比較例2の部分工程図であり、図30Aが、第1露光部分および第2露光部分を露光する工程(4)図30Bが、集光部分、第1露光部分および第2露光部分を残存させる工程(5)、図30Cが、短絡部分、第1配線および第2配線を設ける工程(6)を示す。
本発明の配線回路基板の製造方法により得られる配線回路基板は、導体パターンを単数層あるいは複数層有しており、その層構成は、特に限定されない。また、配線回路基板は、金属支持基板を備える回路付サスペンション基板や、金属支持基板を備えないフレキシブル配線回路基板を含む。
<第1実施形態>
以下、本発明の第1実施形態である配線回路基板の製造方法およびそれにより得られる配線回路基板を、図1〜図8を参照して説明する。
図1において、下配線が延びる方向を、長手方向(第1方向)とする。紙面下側に向かう側を、長手方向一方側(第1方向一方側)とし、紙面上側に向かう側を、長手方向他方(第1方向他方側)とする。
図1において、長手方向に直交する方向を、下配線の幅方向(第1方向に直交する第2方向)とする。紙面左側に向かう側を、幅方向一方側(第2方向一方側)とし、紙面右側に向かう側を、幅方向他方側(第2方向他方側)とする。
図1において、紙面紙厚方向を、上下方向(第1方向および第2方向に直交する第3方向、厚み方向)とする。紙面手前側を、上側(第3方向一方側、厚み方向一方側)とし、紙面奥側を、下側(第3方向他方側、厚み方向他方側)とする。
方向は、図1に示す方向を基準とし、具体的には、各図に記載の方向矢印従う。
また、図1および図8において、後述する下側導体パターン3および上側導体パターン5の相対位置を明確に示すため、後述するベース絶縁層2、中間絶縁層4およびカバー絶縁層6を省略している。但し、中間絶縁層4における幅方向一方側の斜面12のみを、点ハッチングで示している。
さらに、図1および図8において、後述する下配線9および第2配線22の相対位置を明確に示すため、下配線9の外形線を太線で示している。
1.配線回路基板
配線回路基板1は、長手方向に延びる略平板(シート)形状を有する。図2に示すように、この配線回路基板1は、ベース絶縁層2と、ベース絶縁層2の上に配置される下側導体パターン3と、ベース絶縁層2の上に配置され、下側導体パターン3を被覆する絶縁層の一例としての中間絶縁層4と、中間絶縁層4の上に配置される上側導体パターン5と、中間絶縁層4の上に配置され、上側導体パターン5を被覆するカバー絶縁層6とを備える。
1−1.ベース絶縁層
ベース絶縁層2は、配線回路基板1の最下層である。ベース絶縁層2は、長手方向に延びる略平板(シート)形状を有する。ベース絶縁層2は、絶縁材料からなる。絶縁材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテル樹脂、ニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの合成樹脂が挙げられ、好ましくは、ポリイミド樹脂が挙げられる。ベース絶縁層2の厚みは、例えば、1μm以上、好ましくは、3μm以上、例えば、25μm以下、好ましくは、15μm以下である。
1−2.下側導体パターン
下側導体パターン3は、下側導体パターン3および上側導体パターン5のうち、下側に位置する導体パターンである。下側導体パターン3は、中間絶縁層4の下側に位置する導体パターンである。また、下側導体パターン3は、ベース絶縁層2の上面に位置する。下側導体パターン3は、下配線9と、下配線9の長手方向両端に連続する第1端子(図示せず)とを一体的に有する。
図1に示すように、下配線9は、その一部において、平面視略L字形状を有する。具体的には、下配線9は、平面視円弧形状を有する円弧部37と、円弧部37の長手方向両端に連続する2つの直線部38とを一体的に有する。
円弧部37は、円弧部37における長手方向中央部が長手方向両端部に対して幅方向他方側に突出する平面視略円弧形状を有する。円弧部37は、長手方向他方側に向かうに従って、幅方向一方側に湾曲する。円弧部37に沿う仮想円(詳しくは、円弧部37の幅方向中心に沿う仮想の曲率円)の半径(曲率半径)R1は、例えば、5μm以上、好ましくは、15μm以上であり、また、例えば、300μm以下、好ましくは、100μm以下である。円弧部37の中心角α1は、特に限定されず、例えば、0度超過、好ましくは、30度以上、より好ましくは、45度以上であり、また、例えば、90度未満、好ましくは、75度以下である。
2つの直線部38は、それらの延長線が交差するように、配置されている。2つの直線部38のうち、長手方向一方側に位置する直線部38は、平面視において(「厚み方向に投影する投影面において」と同義、以下同様。)、円弧部37の長手方向一端縁から、長手方向一方側に延びる。長手方向他方側に位置する直線部38は、平面視において、円弧部37の長手方向他端縁から、長手方向他方側に延びる。
図2に示すように、下配線9は、断面視略矩形状を有する。下配線9は、上端部の幅方向両端縁のそれぞれに2つの稜線部20のそれぞれを有する。
下側導体パターン3の厚みは、例えば、1μm以上、好ましくは、3μm以上であり、例えば、20μm以下、好ましくは、12μm以下である。下配線9の幅W1(直線部38の幅W1、および、円弧部37の幅W1)は、例えば、5μm以上、好ましくは、8μm以上であり、例えば、200μm以下、好ましくは、100μm以下である。
1−3.中間絶縁層
中間絶縁層4は、ベース絶縁層2、中間絶縁層4およびカバー絶縁層6のうち、中間に位置する層であって、ベース絶縁層2およびカバー絶縁層6に挟まれる層である。中間絶縁層4は、ベース絶縁層2の上面に、下側導体パターン3の側面および上面を被覆するように、配置されている。なお、図示しないが、中間絶縁層4は、下側導体パターン3の第1端子(図示せず)を露出している。
中間絶縁層4は、第1平面10と、第2平面11と、斜面12とを含む上面を有する。
第1平面10は、下側導体パターン3と重ならないベース絶縁層2の上側に間隔を隔てて対向配置されている。第1平面10は、面方向(ベース絶縁層2の上面に沿う方向、つまり、長手方向および幅方向に沿う方向)に平行する面である。
第2平面11は、下配線9の上面に対応する。具体的には、第2平面11は、下配線9の上面の上側に間隔を隔てて対向配置されている。第2平面11は、次に説明する2つの斜面12の上端部を連結する。第2平面11は、第1平面10と平行する。
斜面12は、下配線9に対応する。斜面12は、第1平面10および第2平面11に連続する。斜面12は、面方向に対して傾斜する面である。具体的には、斜面12は、下配線9の2つの稜線部20に対応して設けられている。斜面12は、第1平面10から上方に向かうに従って幅方向内側に傾斜(隆起)した後、第2平面11の幅方向両端部に至る面である。
斜面12と第1平面10とのなす角度β’の補角β、すなわち、斜面12の第1平面10に対する斜度βは、例えば、5度以上、好ましくは、20度以上であり、また、例えば、90度未満、好ましくは、60度以下である。
図1の点ハッチングで示すように、幅方向一方側に位置する斜面12は、2つの直線部38のそれぞれに対応する2つの絶縁斜面直線部14のそれぞれと、円弧部37に対応する絶縁斜面円弧部13とを連続して有する。
2つの絶縁斜面直線部14のそれぞれは、平面視において、2つの直線部38のそれぞれの幅方向一方側の稜線部20(図2参照)の直線形状と同一の直線形状を有する。
絶縁斜面円弧部13は、平面視において、円弧部37の円弧形状に相似する円弧形状を有する。絶縁斜面円弧部13に沿う仮想円15(図1における仮想線、詳しくは、絶縁斜面円弧部13の幅方向中心に沿う仮想円15)の半径R2は、例えば、5μm以上、好ましくは、15μm以上であり、また、例えば、300μm以下、好ましくは、100μm以下である。
1−4.上側導体パターン
図2に示すように、上側導体パターン5は、下側導体パターン3および上側導体パターン5のうち、上側に位置する導体パターンである。上側導体パターン5は、中間絶縁層4の上面に位置する。上側導体パターン5は、幅方向において互いに間隔を隔てて隣り合う第1配線21および第2配線22と、第1配線21および第2配線22のそれぞれの長手方向両端に連続する第2端子(図示せず)とを有する。
1−4.1. 第1配線
図1に示すように、第1配線21は、上側導体パターン5において、幅方向一方側に位置する配線である。第1配線21は、平面視において、下配線9の幅方向一方側に間隔を隔てて位置している。第1配線21は、その一部において、下配線9と同一の平面視略L字形状を有する。具体的には、下配線9は、第1配線曲り部41と、第1配線曲り部41の長手方向両端に連続する2つの第1配線直線部42とを一体的に有する。
第1配線曲り部41は、長手方向他方側に向かって、幅方向一方側に湾曲する。第1配線曲り部41は、平面視において、下配線9の円弧部37の幅方向一方側に間隔を隔てられている。
また、第1配線曲り部41は、絶縁斜面円弧部13に対応して設けられている。具体的には、第1配線曲り部41は、平面視において、絶縁斜面円弧部13の幅方向一方側に間隔を隔てられている。また、第1配線曲り部41は、絶縁斜面円弧部13に沿う仮想円15と重複する。詳しくは、第1配線曲り部41は、平面視において、上記した仮想円15に包含されている。
さらには、第1配線曲り部41は、平面視において、上記した仮想円15の中心Cを包含する。具体的には、第1配線曲り部41の幅方向中央部が、平面視において、中心Cと重複する。
2つの第1配線直線部42は、それらの延長線が交差するように、配置されている。2つの第1配線直線部42のそれぞれは、下配線9における2つの直線部38のそれぞれの幅方向一方側に間隔を隔てて位置している。2つの第1配線直線部42のそれぞれは、2つの直線部38のそれぞれに対して、平面視において平行する。長手方向一方側に位置する第1配線直線部42は、平面視において、第1配線曲り部41の長手方向一端部から、長手方向一方側に延びる。長手方向他方側に位置する第1配線直線部42は、平面視において、第1配線曲り部41の長手方向他端部から、長手方向他方側に延びる。
また、長手方向一方側に位置する第1配線直線部42の長手方向他端部と、長手方向他方側に位置する第1配線直線部42の長手方向一端部とは、第1配線曲り部41とともに、絶縁斜面円弧部13に沿う仮想円15と重複する。詳しくは、長手方向一方側に位置する第1配線直線部42の長手方向他端部と、長手方向他方側に位置する第1配線直線部42の長手方向一端部とは、上記した仮想円15に包含されている。
第1配線21の幅W2(第1配線直線部42の幅W2、および、第1配線曲り部41の幅W2)は、例えば、5μm以上、好ましくは、8μm以上であり、例えば、200μm以下、好ましくは、100μm以下である。第1配線21と下配線9との幅方向における間隔S1(第1配線直線部42と直線部38との間隔S1、および、第1配線曲り部41と円弧部37との間隔S1)は、例えば、20μm以上、好ましくは、30μm以上であり、また、例えば、300μm以下、好ましくは、150μm以下である。
1−4.2. 第2配線
第2配線22は、上側導体パターン5において、幅方向他方側に位置する配線である。第2配線22は、平面視において、第1配線21の幅方向他方側に間隔を隔てて位置している(隣り合っている)。また、第2配線22は、第1配線21と独立している。つまり、第2配線22は、第1配線21と絶縁されている。第2配線22は、その一部において、平面視略L字形状を有する。
また、第2配線22は、平面視において、下配線9と重複する。具体的には、第2配線22は、平面視において、下配線9の幅方向一端部および中央部を包含する。
また、第2配線22は、平面視において、絶縁斜面湾曲部13および絶縁斜面直線部14と重複する。具体的には、第2配線22は、絶縁斜面湾曲部13および絶縁斜面直線部14を包含する。
第2配線22は、第2配線曲り部43と、第2配線曲り部43の長手方向両端に連続する2つの第2配線直線部44とを一体的に有する。
図1および図2に示すように、第2配線曲り部43は、第1配線曲り部41に対応する。第2配線曲り部43は、第1配線曲り部41の幅方向他方側に間隔を隔てて位置している。
第2配線曲り部43は、長手方向において、2つの第2配線直線部44の間に位置する。具体的には、第2配線曲り部43は、長手方向一方側に位置する第2配線直線部44の長手方向後端縁と、長手方向他方側に位置する第2配線直線部44の長手方向一端縁とに連続しており、それらを長手方向において連結する。
第2配線曲り部43は、下配線9の円弧部37にも対応する。具体的には、第2配線曲り部43は、平面視において、円弧部37を包含する。
さらに、第2配線曲り部43は、平面視において、絶縁斜面円弧部13の全部を包含する。
第2配線曲り部43の平面視形状は、円弧部37の平面視形状と相似する。具体的には、第2配線曲り部43は、平面視において、円弧部37より幅広な略円弧形状を有する。第2配線曲り部43の幅W3の、円弧部37の幅W1に対する比(幅W3/幅W1)は、例えば、1以上、好ましくは、1.2以上、より好ましくは、1.5以上であり、また、例えば、5以下である。具体的には、第2配線曲り部43の幅W3は、例えば、5μm以上、好ましくは、8μm以上であり、また、例えば、100μm以下、好ましくは、50μm以下である。
第2配線曲り部43の幅方向一端部は、仮想円15(の一部をなす扇形部分)と重複する。
2つの第2配線直線部44のそれぞれは、2つの第1配線直線部42のそれぞれに対応する。
また、2つの第2配線直線部44のそれぞれは、下配線9の2つの直線部38のそれぞれに対応する。具体的には、2つの第2配線直線部44のそれぞれは、平面視において、2つの直線部38のそれぞれの幅方向一端部および中央部を包含する。
また、2つの第2配線直線部44のそれぞれは、平面視において、2つの絶縁斜面直線部14のそれぞれを包含する。
長手方向一方側に位置する第2配線直線部44の長手方向他端部と、長手方向他方側に位置する第2配線直線部44の長手方向一端部とは、平面視において、仮想円15と重複する。具体的には、長手方向一方側に位置する第2配線直線部44の長手方向他端部の幅方向一端部および中央部と、長手方向他方側に位置する第2配線直線部44の長手方向一端部の幅方向一端部および中央部とは、平面視において、仮想円15に包含されている。
第2配線22との第1配線21との間隔S2(第2配線曲り部43と第1配線曲り部41との間隔S2、および、第2配線直線部44と第1配線直線部42との間隔S2)は、例えば、5μm以上、好ましくは、10μm以上であり、また、例えば、200μm以下、好ましくは、100μm以下である。
第2配線曲り部43の幅方向一端縁と円弧部37の幅方向一端との間隔S3は、第1配線曲り部41と円弧部37との間隔S1に比べて、狭い。具体的には、間隔S3の間隔S1に対する比(S3/S1)が、例えば、1未満、好ましくは、0.1以下、より好ましくは、0.05以下であり、また、例えば、0以上、好ましくは、0超過、より好ましくは、0.001以上である。詳しくは、第2配線曲り部43の幅方向一端縁と円弧部37の幅方向一端との間隔S3は、例えば、1μm以上、好ましくは、15μm以上であり、また、例えば、100μm以下、好ましくは、50μm以下である。
上側導体パターン5の厚みは、例えば、1μm以上、好ましくは、3μm以上であり、例えば、20μm以下、好ましくは、12μm以下である。
1−5.カバー絶縁層
カバー絶縁層6は、配線回路基板1の最上層である。カバー絶縁層6は、中間絶縁層4の上面に、上側導体パターン5の側面および上面を被覆するように、配置されている。なお、図示しないが、カバー絶縁層6は、上側導体パターン5の第2端子(図示せず)を露出している。カバー絶縁層6は、ベース絶縁層2で例示した絶縁材料からなる。カバー絶縁層6の厚みは、例えば、1μm以上、好ましくは、3μm以上であり、例えば、40μm以下、好ましくは、10μm以下である。
2.配線回路基板の製造方法
配線回路基板1の製造方法は、ベース絶縁層2を用意する工程(i)(図3A参照)と、下側導体パターン3をベース絶縁層2の上面に設ける工程(ii)(図3B参照)と、中間絶縁層4を、下側導体パターン3を被覆するように、ベース絶縁層2の上面に設ける工程(1)(図3C参照)と、金属薄膜7を中間絶縁層4の上面に設ける工程(2)(図3D参照)とを備える。
また、配線回路基板1の製造方法は、フォトレジスト23を金属薄膜7の上面に設ける工程(3)(図4E参照)と、フォトレジスト23を、フォトマスク28を介して露光する工程(4)(図4F参照)と、フォトレジスト23において、第1配線21に対応する第1露光部分24と、第2配線22に対応する第2露光部分25を除去して、第1露光部分24および第2露光部分25に対応する金属薄膜7を露出させる工程(5)(図4G参照)とを備える。
さらに、配線回路基板1の製造方法は、上側導体パターン5を、フォトレジスト23から露出する金属薄膜7の上面に設ける工程(6)(図5H参照)と、フォトレジスト23を除去する工程(iii)(図5I参照)と、フォトレジスト23に対応する金属薄膜7を除去する工程(iv)(図5J参照)と、カバー絶縁層6を、上側導体パターン5を被覆するように、中間絶縁層4の上面に設ける工程(v)(図5K参照)とを備える。
配線回路基板1の製造方法では、工程(i)〜工程(ii)と、工程(1)〜工程(6)と、工程(iii)〜工程(v)とが順次実施される。以下、各工程を詳述する。
2−1.工程(i)
図3Aに示すように、工程(i)では、ベース絶縁層2を用意する。
2−2.工程(ii)
図3Bに示すように、工程(ii)では、下側導体パターン3をベース絶縁層2の上面に、アディティブ法、サブトラクティブ法などによって、設ける。
2−3.工程(1)
図3Cに示すように、工程(1)では、中間絶縁層4を、下側導体パターン3を被覆するように、ベース絶縁層2の上面に設ける。
中間絶縁層4をベース絶縁層2の上に設けるには、例えば、感光性の絶縁材料のワニスをベース絶縁層2の上面に塗布し、露光および現像し、その後、必要により加熱する。あるいは、図示しない第1端子を露出するパターンに予め形成された中間絶縁層4を、図示しない接着剤を介して、ベース絶縁層2の上に接着する。
このとき、下側導体パターン3に対応する中間絶縁層4の上面には、斜面12および第2平面11が形成される。また、下側導体パターン3から離れた中間絶縁層4の上面には、第1平面10が形成される。
これにより、第1平面10、第2平面11および斜面12を上面に有する中間絶縁層4を設ける。
2−4.工程(2)
図3Dに示すように、工程(2)では、金属薄膜7を中間絶縁層4の上面に設ける。
金属薄膜7は、工程(6)(後述、図5H参照)におけるアディティブ法の種膜(給電層)として役することができる。また、金属薄膜7は、アディティブ法で上側導体パターン5が得られたときには、上側導体パターン5と一体化することができる層である(図2参照)。
金属薄膜7を、例えば、中間絶縁層4の上面(第1平面10、斜面12および第2平面11を含む上面)全面に設ける。
金属薄膜7は、金属材料からなる。金属材料としては、例えば、銅、クロム、ニッケルおよびそれらの合金が挙げられ、好ましくは、銅、クロムが挙げられる。金属薄膜7は、単層および複層(図3Dにおいて図示されず)のいずれの層からなっていてもよい。好ましくは、金属薄膜7は、第1薄膜(具体的には、クロム薄膜)と、その上に設けられる第2薄膜(銅薄膜)との2層からなる。
また、金属薄膜7は、中間絶縁層4の上面に追従している。
そのため、金属薄膜7において、中間絶縁層4の第1平面10および第2平面11のそれぞれに対応する部分の上面が、第1平面10および第2平面11のそれぞれに平行し、つまり、面方向に沿っている。
一方、金属薄膜7において、斜面12に対応する部分の上面が、中間絶縁層4の斜面12に平行し、つまり、面方向に対して傾斜している。
金属薄膜7の厚みは、例えば、10nm以上、好ましくは、30nm以上であり、また、例えば、300nmnm以下、好ましくは、200nm以下である。また、金属薄膜7が、第1薄膜および第2薄膜の2層からなる場合には、第1薄膜の厚みが、例えば、10nm以上、100nm以下であり、第2薄膜の厚みが、例えば、50nm以上、200nm以下である。
金属薄膜7を中間絶縁層4の上面に設けるには、例えば、スパッタリング法、めっき法などが用いられ、好ましくは、スパッタリング法が用いられる。
金属薄膜7の、波長400nmの光に対する、入射角45度における表面反射率は、例えば、60%以上、好ましくは、70%以上、より好ましくは、80%以上であり、また、例えば、99%以下である。表面反射率は、例えば、JIS Z8741(1997年)により記載される方法に準拠して、算出される。金属薄膜7の表面反射率が上記した下限を下回る場合には、後述する反射光B’(図4F参照)が生成せず、本発明の課題が成立しない場合がある。
2−5.工程(3)
図4Eに示すように、工程(3)では、フォトレジスト23を金属薄膜7の上に設ける。
フォトレジスト23は、ポジ型のフォトレジスト(ポジティブフォトレジスト)である。ポジ型のフォトレジストは、露光時に光が(所定の光量以上で)照射された箇所が、その後の現像で除去される一方、露光時に光が遮光された箇所(照射されなかった箇所、詳しくは、所定の光量に達しなかった箇所)が、その後の現像で残るレジストである。フォトレジスト23は、例えば、ドライフィルムレジスト(DFR)を含んでいる。また、フォトレジスト23は、図5Hに示すように、工程(6)におけるめっきにおいてめっきレジストとして役することができる。
また、フォトレジスト23は、工程(4)(図4F参照)における光(例えば、紫外線など)を部分的に透過することができ、具体的には、フォトレジスト23の紫外線に対する透過率が、例えば、10%以上、好ましくは、20%以上であり、また、例えば、60%以下、好ましくは、50%以下である。
上記したフォトレジスト23を、金属薄膜7の上面全面に配置する。
その際、ドライフィルムレジストを、例えば、平板などを用いて、押圧する(押し付ける)。そのため、フォトレジスト23の上面は、平坦面となる。
フォトレジスト23の厚みは、例えば、10μm以上であり、また、例えば、50μm以下、好ましくは、30μm以下である。
2−6.工程(4)
図4Fに示すように、工程(4)では、まず、フォトマスク28を配置し、次いで、フォトレジスト23を、フォトマスク28を介して露光する。
フォトマスク28は、遮光部分29および透光部分30を有する。
遮光部分29は、フォトマスク28の上側に位置する光源(図示せず)から照射される光を遮光する。これにより、遮光部分29に対応するフォトレジスト23は、遮光される。
図4Fおよび図4Gに示すように、遮光部分29は、平面視において、工程(5)後のフォトレジスト23と同一パターンを有する。さらに、遮光部分29は、図4Fおよび図5Hに示すように、平面視において、工程(6)で設けられる第1配線21および第2配線22の逆(反転)パターンを有する。
透光部分30は、光源から照射される光を透過させ、それによって、光をフォトレジスト23に至るように、構成されている。
図1、図4Fおよび図4Gに示すように、透光部分30は、工程(5)後のフォトレジスト23の開口部8と同一パターンを有する。さらに、図1、図4Fおよび図5Hに示すように、透光部分30は、平面視において、工程(6)で設けられる第1配線21および第2配線22と同一パターンを有する。透光部分30は、平面視において、第1配線21と同一パターンである第1透光部分51と、第2配線22と同一パターンである第2透光部分52とを、独立して有する。
工程(4)では、フォトマスク28を、フォトレジスト23の上側に配置する。また、フォトマスク28を、フォトレジスト23において、第1透光部分51および第2透光部分52のそれぞれを透過する光が第1露光部分24および第2露光部分25のそれぞれを生成するように、位置決めする。
その後、工程(4)では、図4Fの矢印で示すように、フォトレジスト23を、フォトマスク28を介して露光する。
フォトレジスト23を露光するには、フォトマスク28の上方に配置された光源からフォトマスク28に対して光を照射する。光の波長は、例えば、100nm以上、好ましくは、好ましくは、350nm以上であり、また、例えば、800nm以下、好ましくは、450nm以下である。照射(露光)量は、例えば、100mJ/cm以上、800mJ/cm以下である。
第1透光部分51を透過した光Aは、フォトレジスト23において第1露光部分24を生成する。第1露光部分24は、後で設けられる第1配線21(図1および図5H参照)と平面視において同一形状を有する。
詳しくは、図1に示すように、第1配線21における第1配線曲り部41、長手方向一方側に位置する第1配線直線部42の長手方向他端部、および、長手方向他方側に位置する第1配線直線部42の長手方向一端部に対応する第1露光部分24は、平面視において、仮想円15と重複する(条件Aにおける「第1露光部分の一部は、平面視で仮想円と重複する」を満足する一例)。
一方、第2透光部分52を透過した光Bは、フォトレジスト23において第2露光部分25を生成する。第2露光部分25は、後で設けられる第2配線22(図1および図5H参照)と平面視において同一形状を有する。
詳しくは、第2配線22における第2配線曲り部43の幅方向一端部および中央部と、長手方向一方側に位置する第2配線直線部44の長手方向他端部の幅方向一端部および中央部と、長手方向他方側に位置する第2配線直線部44の長手方向一端部の幅方向一端部および中央部とに対応する第2露光部分25は、平面視において、仮想円15と重複する(条件Aにおける「第2露光部分の一部は、平面視で仮想円と重複する」を満足する一例)。
また、図4Fに示すように、第2露光部分25は、絶縁斜面円弧部13に対向する対向部分の一例としての斜面対向部48を含む。
なお、第2透光部分52を透過した光Bの一部は、フォトレジスト23の斜面対向部48を透過し、絶縁斜面円弧部13に対応する金属薄膜7において反射光B’を生成する。
反射光B’は、第1露光部分24において、後述する集光部分16を生成する。つまり、集光部分16は、第1透光部分51を透過した光Aと、絶縁斜面円弧部13に対応する金属薄膜7において生成された反射光B’とによって、十分な光量で露光されて、生成される。
2−7.工程(5)
図4Gに示すように、工程(5)では、フォトレジスト23における第1露光部分24(集光部分16を含む)および第2露光部分25を除去する。
具体的には、まず、必要により、露光後のフォトレジスト23を加熱する(露光後加熱)。
続いて、フォトレジスト23を現像液によって現像する。これによって、フォトレジスト23において第1露光部分24および第2露光部分25以外の部分を残しつつ、第1露光部分24および第2露光部分25のみを除去する。つまり、フォトレジスト23において、第1露光部分24および第2露光部分25に対応する開口部8を形成する。開口部8は、フォトレジスト23を厚み方向に貫通する。
これによって、第1露光部分24および第2露光部分25に対応する金属薄膜7を、開口部8から露出させる。
その後、必要により、フォトレジスト23を加熱により硬化させる。
2−8.工程(6)
図5Hに示すように、工程(6)では、まず、上側導体パターン5を、フォトレジスト23の開口部8から露出する金属薄膜7の上面に設ける。
上側導体パターン5を金属薄膜7の上面に設けるには、金属薄膜7から給電する電解めっきが用いられる。
この際、フォトレジスト23は、めっきレジストとして利用される。また、金属薄膜7は、給電層として利用される。
これにより、上側導体パターン5を、互いに隣り合って独立する第1配線21および第2配線22を有するパターンで、形成する。
2−9.工程(iii)
図5Iに示すように、工程(iii)では、フォトレジスト23を除去する。
具体的には、フォトレジスト23を、例えば、ウェットエッチングにより除去する。
2−10.工程(iv)
図5Jに示すように、工程(iv)では、フォトレジスト23(図5H)に対応する金属薄膜7を除去する。
具体的には、フォトレジスト23の下に位置していた金属薄膜7を、例えば、剥離により除去する。
2−11.工程(v)
図5Kに示すように、工程(v)では、カバー絶縁層6を、上側導体パターン5の第1配線21および第2配線22を被覆し、第2端子(図示せず)を露出するパターンで、設ける。カバー絶縁層6を、中間絶縁層4と同様の方法により、設ける。
これにより、ベース絶縁層2と、下側導体パターン3と、中間絶縁層4と、金属薄膜7および上側導体パターン5と、カバー絶縁層6とを備える配線回路基板1を得る。
なお、この配線回路基板1では、金属薄膜7が上側導体パターン5と一体化、具体的には、金属薄膜7が上側導体パターン5の一部として取り込まれていてもよい。その際には、図2に示すように、金属薄膜7が上側導体パターン5と判然と区別されない場合がある。
また、このような配線回路基板1の用途は、特に限定されず、例えば、ハードディスクドライブに搭載され、金属支持基板40(ベース絶縁層2の下面に配置される金属支持基板40、図2の仮想線参照。)を備える回路付サスペンション基板や、金属支持基板を備えず、可撓性を有するフレキシブル配線回路基板などの、各種配線回路基板として用いられる。とくに、この配線回路基板1は、高密度配線(導体パターン)が必要とされる回路付サスペンション基板であって、円弧部37、第1配線曲り部41および第2配線曲り部43をヘッド搭載領域に有する回路付サスペンション基板に好適に用いられる。
3.第1実施形態に対応する仮定1
第1実施形態に対応する仮定1として、第1実施形態の第1露光部分24を露光しない工程(4)を備える配線回路基板1の製造方法を、図6〜図8を参照しながら検討する。
3−1.仮定1における工程(4)
図6および図7Aに示すように、工程(4)で配置されるフォトマスク28では、透光部分30は、第1透光部分51(図1および図4F参照)を有さず、第2透光部分52を有する。好ましくは、透光部分30は、第2透光部分52のみからなる。つまり、この仮定1では、第1実施形態において第1透光部分51であった部分(第1配線21の形成を予定していたパターン)が、遮光部分29に含まれる。
図7Aの矢印で示すように、この仮定1の工程(4)では、上記したフォトマスク28を介して、フォトレジスト23を露光すると、第1実施形態と同様に、第2透光部分52を透過した光Bは、フォトレジスト23において第2露光部分25を生成する。
さらに、斜面対向部48を通過した光Bは、絶縁斜面円弧部13に対応する金属薄膜7において反射光B’を生成する。かかる反射光B’は、断面視において、フォトレジスト23を上方斜め幅方向一方側に向かって透過しながら、フォトレジスト23における集光部分16に至る。
さらに、図6の矢印で示すように、絶縁斜面円弧部13に対応する金属薄膜7(図7A)において生成した反射光B’は、平面視において、絶縁斜面円弧部13に沿う仮想円15の中心Cに向かって、集光する。つまり、平面視において、絶縁斜面円弧部13に対応する金属薄膜7が凹レンズのようになって、反射光B’が中心Cに点状に集光する。そのため、中心Cおよびその近傍を含む集光部分16における光量が相対的に高くなる。具体的には、集光部分16における光量が、工程(5)において、集光部分16が除去されることができる限界光量以上の光量となる。限界光量は、集光部分16において、それ以上の光量が照射されると集光部分16が除去され(図7B参照)、それに満たない光量が照射されると集光部分16が残存する境界値である。
集光部分16は、平面視において、絶縁斜面円弧部13に沿う仮想円15の中心Cを中心とする平面視略円形状を有する。集光部分16の円の直径は、フォトレジスト23に対して照射される光の光量、斜面12の斜度β、絶縁斜面円弧部13の曲率半径などによって適宜設定され、例えば、2μm以上、好ましくは、5μm以上であり、また、例えば、50μm以下、好ましくは、20μm以下である。
また、図6に示すように、集光部分16は、平面視において、仮想円15と重複する第2露光部分25と、間隔が隔てられている。具体的には、集光部分16は、平面視において、第2露光部分25において第2配線曲り部43(図1参照)に対応する露光部分と、間隔が隔てられている。
一方、集光部分16に対応する遮光部分29(集光部分16の上側に配置される遮光部分29)は、光A(第1実施形態では、第1透光部分51を透過した光A)を遮光する。そのため、集光部分16には、上方からの光が直接露光しない。
つまり、集光部分16は、絶縁斜面円弧部13に対応する金属薄膜7(図7A)において生成した反射光B’の集光のみに起因して、生成される。
3−2.仮定1における工程(5)
図7Bに示すように、工程(5)では、露光後のフォトレジスト23を現像する。
すると、第2露光部分25および集光部分16(図7A参照)が除去される。フォトレジスト23には、第2露光部分25に対応する開口部8、および、集光部分16に対応する集光開口部47が形成される。
3−3.仮定1における工程(6)
例えば、図7Cおよび図8に示すように、金属薄膜7から給電する電解めっきを実施する。これにより、開口部8から露出する金属薄膜7の上に、第2配線22が形成される。これと同時に、集光開口部47から露出する金属薄膜7の上に、孤立導体部17が形成される。
孤立導体部17は、平面視において、集光部分16(図1参照)と同一形状を有する。
また、この孤立導体部17は、第2配線22(第2配線曲り部43を含む)と、幅方向に間隔が隔てられる。孤立導体部17は、第2配線22と絶縁されている。
この仮定1では、図8に示すように、第1露光部分24を露光しない工程(4)(図7A参照)を備える製造方法によって、孤立導体部17を形成する。
一方、第1実施形態では、図1に示すように、第1露光部分24を露光する工程(5)(図4F参照)を備える製造方法によって、平面視において、孤立導体部17を包含する平面視形状を有する第1配線21(第1配線曲り部41)を形成する。この第1配線21は、第2配線22と絶縁されている。
4.第1実施形態の作用効果
そして、この第1実施形態では、工程(4)において、条件Aを満足する。具体的には、第1配線21における第1配線曲り部41、長手方向一方側に位置する直線部38の長手方向他端部、および、長手方向他方側に位置する直線部38の長手方向一端部と、第2配線における第2配線曲り部43、長手方向一方側の第2配線直線部44の長手方向一端部、および、長手方向他方側の第2配線直線部44の長手方向他端部とは、平面視において、絶縁斜面円弧部13に沿う仮想円15と重複する。そのため、第1配線21および第2配線22を高密度で配置することができる。
一方、条件Bにおいて、第1露光部分24を露光せず、第2露光部分25を露光する仮定1を満足すると、図6の仮想線で示すように、斜面13により生じる反射光B’に起因する集光部分16を生じる。かかる集光部分16は、第1配線21および第2配線22を高密度で配置するときに、仮想線で示す第2露光分25と連結し易くなる。そうすると、図28Cおよび図29に示すように、工程(6)において、集光部分16に対応する短絡部分55が、第1配線21および第2配線22と接続して、それらが短絡するという不具合を生じる。
しかし、本発明は、条件Cの仮定1を満足するので、図6および図7Aに示すように、条件Bの仮定1を満足したとしても、集光部分16は、平面視で仮想円15と重複する第2露光部分25と間隔が隔てられる。そのため、工程(6)において、図7Cおよび図8に示すように、集光部分16に対応する孤立導体部17は、第2露光部分25に対応する第2配線22と間隔が隔てられる。そのため、孤立導体部17に起因する第2配線22の短絡を防止することができる。
その結果、第1配線21および第2配線22を高密度で設けながら、それらの短絡を防止することのできる配線回路基板1を得ることができる。
さらに、この第1実施形態であれば、図1に示すように、第1露光部分24は、仮定1において設けられる集光部分16(図1の仮想線参照)の全部を含む。そのため、第1配線21は、孤立導体部17の全部を含む。そのため、孤立導体部17に起因する第1配線21および第2配線22の短絡をより確実に防止することができる。
<第1実施形態の変形例>
変形例において、第1実施形態と同様の部材および製造工程については、第1実施形態と同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
第1実施形態では、図1に示すように、第1配線21および第2配線22のそれぞれは、その一部において、平面視略L字形状(湾曲形状)を有する。しかし、第1配線21および第2配線22の平面視形状は、上記に限定されない。
図9に示すように、例えば、この変形例では、第1配線21および第2配線22のそれぞれは、その一部において、平面視略直線形状を有する。
第1配線21の延びる方向の中央部は、絶縁斜面円弧部13に沿う仮想円15と重複する。なお、工程(4)において生成され、第1配線21に対応する第1露光部分24は、平面視において、仮定1の工程(4)において生成される集光部分16を含むパターンを有する。
第2配線22は、絶縁斜面円弧部13に沿う仮想円15と重複する。また、第2配線22の延びる方向中央部の幅方向一端部は、平面視において、絶縁斜面円弧部13と重複する。
この変形例によっても、第1実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
<第2実施形態>
第2実施形態において、第1実施形態と同様の部材および製造工程については、第1実施形態同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
第1実施形態では、図6および図7Bに示すように、仮定1の工程(4)において生成される集光部分16が、第2露光部分25と間隔を隔てられる。
しかし、第2実施形態では、図13および図14Aに示すように、仮定2の工程(4)において生成される集光部分16が、第1露光部分24と間隔を隔てられる。
1.配線回路基板
図10および図11に示すように、配線回路基板1において、第2配線22の第2配線曲り部43は、絶縁斜面円弧部13に沿う仮想円15の中心Cを包含する。
第2配線22の幅方向他端縁は、平面視において、下配線9の幅方向一端縁および他端縁と重複しない。
2.配線回路基板の製造方法
第2実施形態の配線回路基板の製造方法は、第1実施形態の配線回路基板の製造方法に準じる。
第2実施形態の製造方法において、図12Aに示される工程(4)は、第1実施形態の図4Fに示される工程(4)に対応する。
第2実施形態の製造方法において、図12Bに示される工程(5)は、第1実施形態の図4Gに示される工程(5)に対応する。
第2実施形態の製造方法において、図12Cに示される工程(6)は、第1実施形態の図5Hに示される工程(6)に対応する。
3.第2実施形態に対応する仮定2
第2実施形態に対応する仮定2として、第2実施形態の第2露光部分25における斜面対向部48を露光しない工程(4)を備える配線回路基板1の製造方法を、図13〜図15を参照しながら検討する。
3−1.仮定2における工程(4)
図13および図14Aに示すように、工程(4)で配置されるフォトマスク28では、第2透光部分52は、フォトレジスト23に斜面対向部48を生成できるパターンを有する。すなわち、第2透光部分52は、絶縁斜面円弧部13と同一の平面視形状を有する。また、第2実施形態において図12Aに示すように第2透光部分52において光Bを透過した部分が、仮定2では、遮光部分29となる。
図14Aの矢印で示すように、この仮定2では、図14Aに示すように、フォトマスク28を介して、フォトレジスト23を露光すると、第2透光部分52を透過した光Bは、フォトレジスト23において斜面対向部48のみを生成する。
斜面対向部48に対応する金属薄膜7において、反射光B’が生成される。その後、反射光B’は、集光部分16に至る。さらに、図13の矢印で示すように、反射光B’は、上記した中心Cに向かって、集光する。
ただし、第1透光部分51と、斜面対向部48に対応する第2透光部分52との間の遮光部分29は、集光部分16に対応するフォトレジスト23(第1実施形態では、第1露光部分24(図12A参照)となっていた部分)を遮光する。そのため、集光部分16には、上方からの光が直接露光しない。
つまり、集光部分16は、絶縁斜面円弧部13に対応する金属薄膜7(図7A)において生成した反射光B’の集光のみに起因して、生成される。
一方、第1透光部分51を透過した光Aは、第1露光部分24を生成する。
そして、図13および図14Aに示すように、集光部分16は、仮想円15と重複する第1露光部分24と、間隔が隔てられている。具体的には、集光部分16は、平面視において、第1露光部分24において第1配線曲り部41(図10参照)に対応する露光部分と、間隔が隔てられている。
3−2.仮定2における工程(5)
図14Bに示すように、工程(5)では、露光後のフォトレジスト23を現像する。
すると、第1露光部分24、斜面対向部48および集光部分16(図14A参照)が除去される。フォトレジスト23には、第1露光部分24、および、斜面対向部48に対応する開口部8と、集光部分16に対応する集光開口部47とが、形成される。
3−3.仮定2における工程(6)
例えば、図14Cおよび図15に示すように、金属薄膜7から給電する電解めっきを実施する。これにより、第1配線21が形成される。これと同時に、孤立導体部17が形成される。なお、斜面対向部48に対応して、斜面対向部48と平面視において、同一形状の、第2配線22の一部も形成される。
孤立導体部17は、平面視において、集光部分16(図14A参照)と同一形状を有する。孤立導体部17は、第1配線21に対して幅方向に間隔が隔てられている。
この孤立導体部17は、第1配線21(第1配線曲り部41を含む)と、幅方向に間隔が隔てられる。孤立導体部17は、第1配線21と絶縁されている。
この仮定2では、フォトレジスト23における斜面対向部48を露光しない工程(4)(図14A参照)を備える製造方法によって、孤立導体部17を形成する。
一方、第2実施形態では、図10に示すように、斜面対向部48を露光する工程(5)(図4F参照)を備える製造方法によって、平面視において、孤立導体部17を包含する平面視形状を有する第1配線21(第1配線曲り部41)を形成する。この第2配線22は、第1配線21と絶縁されている。
4.第2実施形態の作用効果
第2実施形態によれば、工程(4)において、条件Aを満足するので、工程(6)で設けられる第1配線21の少なくとも一部は、平面視において、絶縁斜面円弧部13の仮想円15と重複する。そのため、第1配線21および第2配線22を高密度で配置することができる。
一方、条件Bにおいて、第1露光部分24を露光し、第2露光部分25における斜面対向部48以外の部分を露光せず、第2露光部分25における第2露光部分25を露光する仮定2を満足すると、図13の仮想線で示すように、集光部分16を生じる。かかる集光部分16は、第1配線21および第2配線22を高密度で配置するときに、仮想線で示す第1露光部分24と連結し易くなる。そうすると、図28Cおよび図29に示すように、工程(6)において、集光部分16に対応する短絡部分55が、第1配線21および第2配線22と接続して、それらが短絡するという不具合を生じる。
しかし、この第2実施形態では、条件Cの仮定2を満足するので、図13および図14Aに示すように、条件Bの仮定2を満足したとしても、集光部分16は、平面視で仮想円15と重複する第1露光部分24と間隔が隔てられる。そのため、工程(6)において、図14Cおよび図15に示すように、集光部分16に対応する孤立導体部17は、第1露光部分24に対応する第1配線21と間隔が隔てられる。そのため、孤立導体部17に起因する第1配線21の短絡を防止することができる。
その結果、第1配線21および第2配線22を高密度で設けながら、それらの短絡を防止することのできる配線回路基板1を得ることができる。
また、この第2実施形態であれば、図10に示すように、第2露光部分25は、仮定2において設けられる集光部分16(図10の仮想線参照)の全部を含む。そのため、工程(6)において、集光部分16に起因する突出部分49の形成を防止することができる。その結果、孤立導体部17に起因する第1配線21および第2配線22の短絡をより確実に防止することができる。
さらに、この第1実施形態であれば、図10に示すように、第2露光部分25は、仮定1において設けられる集光部分16(図1の仮想線参照)の全部を含む。そのため、第2配線22は、孤立導体部17の全部を含む。そのため、孤立導体部17に起因する第1配線21および第2配線22の短絡をより確実に防止することができる。
<第2実施形態の変形例>
変形例において、第2実施形態と同様の部材および製造工程については、第2実施形態と同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
第2実施形態では、図10に示すように、第1配線21および第2配線22のそれぞれは、その一部において、平面視略L字形状(湾曲形状)を有する。しかし、第1配線21および第2配線22の平面視形状は、上記に限定されない。
図16に示すように、例えば、この変形例では、第1配線21および第2配線22のそれぞれは、その一部において、平面視略直線形状を有する。
工程(4)において生成され、第2配線22に対応する第2露光部分25は、平面視において、仮定2の工程(4)において生成される集光部分16を含むパターンを有する。
この変形例によっても、第2実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
<第3実施形態>
第3実施形態において、第1および第2実施形態と同様の部材および製造工程については、第1および第2実施形態と同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
第1実施形態の製造方法では、仮定1において、図7Aに示すように、工程(4)で第1露光部分24を露光せず、第2露光部分25を露光する場合には、その後、図6および図7Bに示すように、工程(5)で集光部分16を生成する。
また、第2実施形態の製造方法では、仮定2において、図14Aに示すように、工程(4)で、斜面対向部48の周囲のフォトレジスト23を露光せず、第1露光部分24および斜面対向部48のみを露光する場合には、その後、図13および図14Bに示すように、工程(5)で集光部分16を生成する。
しかし、第3実施形態では、図17および図19Aに示すように、フォトレジスト23の一部を露光しない上記した仮定1または仮定2を検討することなく、フォトレジスト23に集光部分16を生成する。
1.配線回路基板
図17および図18に示すように、上側導体パターン5は、第1配線21および第2配線22に加えて、孤立導体部17を備える。
孤立導体部17は、第1配線曲り部41および第2配線曲り部43の間に位置する。具体的には、孤立導体部17は、第1配線曲り部41の幅方向他端縁に対して、幅方向他方側に位置し、かつ、第2配線曲り部43の幅方向一端縁に対して、幅方向一方側に位置する。
孤立導体部17は、平面視において、絶縁斜面円弧部13に沿う仮想円15の中心Cを中心とする略円形状を有する。孤立導体部17の直径L1は、工程(4)においてフォトレジスト23に対して照射される光の光量、斜面12の斜度β、絶縁斜面円弧部13の曲率半径などによって適宜設定され、例えば、2μm以上、好ましくは、5μm以上であり、また、例えば、50μm以下、好ましくは、20μm以下である。
この孤立導体部17は、本来、上側導体パターン5において不必要なパターンである。しかし、孤立導体部17は、第1配線21または第2配線22に対する平面視における接触がないため、上側導体パターン5においてその存在が許容される導体部である。
2.配線回路基板の製造方法
第3実施形態の配線回路基板の製造方法は、第1および第2実施形態の配線回路基板の製造方法に準じる。
第3実施形態の製造方法において、図19Aに示される工程(4)は、第1実施形態の図4Fに示される工程(4)に対応する。
第3実施形態の製造方法において、図19Bに示される工程(5)は、第1実施形態の図4Gに示される工程(5)に対応する。
第3実施形態の製造方法において、図19Cに示される工程(6)は、第1実施形態の図5Hに示される工程(6)に対応する。
2−1.工程(4)
図19Aに示すように、工程(4)では、まず、フォトマスク28を配置し、次いで、フォトレジスト23を、フォトマスク28を介して露光する。
第1透光部分51を透過した光Aは、フォトレジスト23において第1露光部分24を生成する。第1露光部分24は、工程(6)で設けられる第1配線21(図17および図19C参照)と平面視において同一形状を有する。
また、第2透光部分52を透過した光Bは、フォトレジスト23において第2露光部分25を生成する。第2露光部分25は、工程(6)で設けられる第2配線22(図17および図19C参照)と平面視において同一形状を有する。
さらに、第2透光部分52を透過した光Bの一部は、フォトレジスト23の斜面対向部48を透過し、絶縁斜面円弧部13に対応する金属薄膜7において反射光B’を生成する。
反射光B’は、フォトレジスト23における第1露光部分24および第2露光部分25の間に、集光部分16を生成する。さらに、図17の矢印で示すように、絶縁斜面円弧部13に対応する金属薄膜7(図19A)において生成した反射光B’は、平面視において、絶縁斜面円弧部13に沿う仮想円15の中心Cに向かって、集光する。そのため、中心Cおよびその近傍を含む集光部分16における光量が相対的に高くなる。これにより、集光部分16における光量が、上記した限界光量以上となる。
2−2.工程(5)
図19Bに示すように、工程(5)では、露光後のフォトレジスト23を現像する。
すると、第1露光部分24、第2露光部分25、および、集光部分16が除去される。フォトレジスト23には、第1露光部分24および第2露光部分25に対応する開口部8と、集光部分16に対応する集光開口部47とが、形成される。
2−3.工程(6)
例えば、図17および図19Cに示すように、金属薄膜7から給電する電解めっきを実施する。これにより、開口部8から露出する金属薄膜7の上に、第1配線21および第2配線22のそれぞれが形成される。これと同時に、集光開口部47から露出する金属薄膜7の上に、孤立導体部17が形成される。
孤立導体部17は、平面視において、集光部分16と同一形状を有する。
また、この孤立導体部17は、第1配線21および第2配線22のいずれに対しても、間隔が隔てられている。詳しくは、孤立導体部17は、第1配線曲り部41および第2配線曲り部43の間に位置する。これによって、孤立導体部17は、第1配線21および第2配線22のいずれに対しても、絶縁されている。
4.第3実施形態の作用効果
第3実施形態は、図19Aに示すように、工程(4)において、集光部分が、第1露光部分24および第2露光部分25のいずれに対しても間隔が隔てられる。そのため、図17および図19Cに示すように、工程(6)において、集光部分16に基づく孤立導体部17は、第1配線曲り部41、および、第2配線曲り部43と間隔を隔てられる。そのため、孤立導体部17に起因する第1配線21および第2配線22間の短絡を防止することができる。
第1実施形態および第2実施形態は、孤立導体部17を備える第3実施形態に比べて、好ましい。つまり、孤立導体部17は、配線回路基板1において不必要なパターンであるため、これを備えない第1実施形態および第2実施形態は、第3実施形態に比べて、好ましい。
また、第1配線曲り部41および第2配線曲り部43の間隔S2を小さく設定できる観点でも、第1実施形態および第2実施形態は、第3実施形態に比べて、好ましい。
<第3実施形態の変形例>
変形例において、第3実施形態と同様の部材および製造工程については、第3実施形態と同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
第3実施形態では、図17に示すように、第1配線21および第2配線22のそれぞれは、その一部において、平面視略L字形状(湾曲形状)を有する。しかし、第1配線21および第2配線22の平面視形状は、上記に限定されない。
図20に示すように、例えば、この変形例では、第1配線21および第2配線22のそれぞれは、その一部において、平面視略直線形状を有する。
この変形例によっても、第3実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
<第4実施形態>
第4実施形態において、第1〜第3実施形態と同様の部材および製造工程については、第1〜第3実施形態と同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
第1実施形態では、図1に示すように、集光部分16の全部は、平面視において、第1露光部分24に含まれる。
しかし、第4実施形態では、図21に示すように、集光部分16の一部が、平面視において、第1露光部分24に含まれる。一方、集光部分16の残部が第1露光部分24に含まれない。
第1露光部分24に含まれない集光部分16の残部は、工程(6)において、突出部分49となる。突出部分49は、第1配線曲り部41の幅方向他端縁から幅方向他方側に突出する。
突出部分49の幅方向長さ(突出長さ)L2は、第2配線曲り部43と第1配線曲り部41との間隔S2に対して小さく、具体的には、L2のS2に対する比(L2/S2)は、例えば、0.1以上、好ましくは、0.2以上であり、また、例えば、0.5以下、好ましくは、0.4以下である。詳しくは、L2は、例えば、0.5μm以上、好ましくは、1μm以上であり、また、例えば、100μm以下、好ましくは、20μm以下である。
L2が上記した上限以下であれば、第1配線21および第2配線22の短絡を有効に防止することができる。
なお、突出部分49は、本来、上側導体パターン5において不要なパターンである。しかし、突出部分49は、第2配線22に対する接触(連結)がないため、上側導体パターン5においてその存在が許容される導体部である。
第4実施形態によっても、第1実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
第1実施形態および第4実施形態のうち、好ましくは、第1実施形態である。
第1実施形態であれば、図1に示すように、第1露光部分24は、仮定1において設けられる集光部分16(図1の仮想線参照)の全部を含む。そのため、工程(6)において、集光部分16に起因する突出部分49の形成を防止することができる。そのため、孤立導体部17に起因する第1配線21および第2配線22の短絡をより確実に防止することができる。
一方、第4実施形態は、第1配線21の幅W2は、突出部分49に対応する部分で、広くなる。つまり、突出部分49によって、幅W2が、変動する。
他方、第1実施形態であれば、第1配線21に連続する突出部分49の形成を防止できるので、幅W2の変動に起因する第1配線21における電流の乱れを抑制することができる。そのため、信頼性に優れる配線回路基板1を得ることができる。
<第4実施形態の変形例>
変形例において、第4実施形態と同様の部材および製造工程については、第4実施形態と同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
第5実施形態では、図21に示すように、第1配線21および第2配線22のそれぞれは、その一部において、平面視略L字形状(湾曲形状)を有する。しかし、第1配線21および第2配線22の平面視形状は、上記に限定されない。
例えば、図示しないが、この変形例では、第1配線21および第2配線22のそれぞれは、その一部において、平面視略直線形状を有する。
この変形例によっても、第4実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
<第5実施形態>
第5実施形態において、第1〜第4実施形態と同様の部材および製造工程については、第1〜第4実施形態と同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
第2実施形態では、図10に示すように、集光部分16の全部は、平面視において、第2露光部分25に含まれる。
しかし、第5実施形態では、図22に示すように、集光部分16の一部が、平面視において、第2露光部分25に含まれる一方、残部が第2露光部分25に含まれない。
第1露光部分24に含まれない集光部分16の残部は、工程(6)において、突出部分49となる。突出部分49は、第1配線曲り部41の幅方向他端縁から幅方向他方側に突出する。
突出部分49の幅方向長さ(突出長さ)L2は、第2配線曲り部43と第1配線曲り部41との間隔S2に対して小さく、具体的には、L2のS2に対する比(L2/S2)は、例えば、0.1以上、好ましくは、0.2以上であり、また、例えば、0.5以下、好ましくは、0.4以下である。詳しくは、L2は、例えば、0.5μm以上、好ましくは、1μm以上であり、また、例えば、100μm以下、好ましくは、20μm以下である。
L2が上記した上限以下であれば、第1配線21および第2配線22の短絡を有効に防止することができる。
なお、突出部分49は、本来、上側導体パターン5において不要なパターンである。しかし、突出部分49は、第1配線21に対する接触(連結)がないため、上側導体パターン5においてその存在が許容される導体部である。
第5実施形態によっても、第2実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
第2実施形態および第5実施形態のうち、好ましくは、第2実施形態である。
第2実施形態であれば、図10に示すように、第2露光部分25は、仮定2において設けられる集光部分16(図10の仮想線参照)の全部を含む。そのため、工程(6)において、集光部分16に起因する突出部分49の形成を防止することができる。そのため、孤立導体部17に起因する第1配線21および第2配線22の短絡をより確実に防止することができる。
一方、第5実施形態は、図22に示すように、第2配線22の幅W3は、突出部分49に対応する部分で、広くなる。つまり、突出部分49によって、幅W3が、変動する。
他方、第2実施形態であれば、第2配線22に連続する突出部分49の形成を防止できるので、幅W3の変動に起因する第2配線22における電流の乱れを抑制することができる。そのため、信頼性に優れる配線回路基板1を得ることができる。
<第5実施形態の変形例>
変形例において、第5実施形態と同様の部材および製造工程については、第5実施形態と同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
第5実施形態では、図22に示すように、第1配線21および第2配線22のそれぞれは、その一部において、平面視略L字形状(湾曲形状)を有する。しかし、第1配線21および第2配線22の平面視形状は、上記に限定されない。
例えば、図示しないが、この変形例では、第1配線21および第2配線22のそれぞれは、その一部において、平面視略直線形状を有する。
この変形例によっても、第5実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
<第6実施形態>
第6実施形態において、第1〜第5実施形態と同様の部材および製造工程については、第1〜第5実施形態と同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
第1〜5実施形態では、図3D〜図5Jに示すように、ポジ型のフォトレジスト23を用いて、アディティブ法で、上側導体パターン5を形成している。
しかし、第6実施形態では、図23D〜図25Iに示すように、ネガ型のフォトレジスト23を用いて、サブトラクティブ法で、上側導体パターン5を形成する。
第6実施形態の配線回路基板1の製造方法により得られる配線回路基板1は、第1実施形態の下側導体パターン3および上側導体パターン5と平面視同一形状の下側導体パターン3および上側導体パターン5を備える。
第6実施形態の製造方法は、ベース絶縁層2を用意する工程(i)(図23A参照)と、下側導体パターン3をベース絶縁層2の上面に設ける工程(ii)(図23B参照)と、中間絶縁層4を、下側導体パターン3を被覆するように、ベース絶縁層2の上面に設ける工程(1)(図23C参照)と、導体層33を中間絶縁層4の上面に設ける工程(2)(図23D参照)とを備える。
また、配線回路基板1の製造方法は、フォトレジスト23を導体層33の上面に設ける工程(3)(図24E参照)と、フォトレジスト23を、フォトマスク28を介して露光する工程(4)(図24F参照)と、フォトレジスト23において、第1配線21に対応する第1露光部分24および第2配線22に対応する第2露光部分25以外の部分を除去して、導体層33を第1露光部分24および第2露光部分25から露出させる工程(5)(図24G参照)とを備える。
さらに、配線回路基板1の製造方法は、第1露光部分24および第2露光部分25から露出する導体層33を除去して、上側導体パターン5を形成する工程(6)(図25H参照)と、第1露光部分24および第2露光部分25を除去する工程(iii)(図25I参照)と、カバー絶縁層6を、上側導体パターン5を被覆するように、中間絶縁層4の上面に設ける工程(v)(図25J参照)とを備える。
1.工程(1)および工程(2)
第6実施形態では、図23Cおよび図23Dに示すように、工程(1)および工程(2)を順次実施する。あるいは、工程(1)および工程(2)を、例えば、同時に実施する。工程(1)および工程(2)を同時に実施する場合には、中間絶縁層4および導体層33が予め積層された2層基材39を、ベース絶縁層2の上面に、下側導体パターン3を被覆するように、設ける。
導体層33は、中間絶縁層4の第1平面10、第2平面11および斜面12を含む上面全面に配置される。導体層33は、中間絶縁層4の上面に沿って、面方向に沿って延びる。導体層33は、上側導体パターン5と同一の導体材料からなる。導体層33の厚みは、上側導体パターン5の厚みと同一である。導体層33の、波長400nmの光に対する、入射角45度における表面反射率は、例えば、60%以上、好ましくは、70%以上、より好ましくは、80%以上であり、また、例えば、99%以下である。表面反射率は、例えば、JIS Z8741(1997年)により記載される方法に準拠して、算出される。導体層33の表面反射率が上記した下限を下回る場合には、後述する仮定における反射光B’が生成せず、本発明の課題が成立しない場合がある。
2.工程(4)
図24Fに示すように、工程(4)において、フォトマスク28を、フォトレジスト23の上側に配置する。
フォトレジスト23は、ネガ型のフォトレジスト(ネガディブフォトレジスト)である。ネガ型のフォトレジストは、露光時に光が(所定の光量以上で)照射された箇所が、その後の現像で残り、一方、露光時に光が遮光された箇所(照射されなかった箇所、詳しくは、所定の光量に達しなかった箇所)が、その後の現像で除去されるレジストである。
その後、図24Fの矢印で示すように、フォトレジスト23を、フォトマスク28を介して露光する。フォトレジスト23は、上記と同様のパターンを有する遮光部分29および透光部分30を有する。
フォトレジスト23を、フォトマスク28を介して露光すると、第1透光部分51を透過した光Aは、フォトレジスト23において第1露光部分24を生成する。第1露光部分24は、第1配線21(図1参照)と平面視において同一形状を有する。
一方、第2透光部分52を透過した光Bは、フォトレジスト23において第2露光部分25を生成する。第2露光部分25は、第2配線22(図1参照)と平面視において同一形状を有する。
また、第2露光部分25は、絶縁斜面円弧部13に対向する対向部分の一例としての斜面対向部48を有する。
なお、第2透光部分52を透過した光Bの一部は、フォトレジスト23の斜面対向部48を透過し、絶縁斜面円弧部13に対応する導体層33において反射光B’を生成する。
反射光B’は、第1配線曲り部41(図1参照)に対応するフォトレジスト23において、集光部分16を生成する。つまり、集光部分16は、第1透光部分51を透過した光Aと、絶縁斜面円弧部13に対応する導体層33において生成された反射光B’とによって、十分な光量で露光されて、第1露光部分24を構成する。
3.工程(5)
図24Gに示すように、工程(5)では、露光後のフォトレジスト23を、例えば、現像液によって現像して、第1露光部分24および第2露光部分25以外の部分を除去して、第1露光部分24および第2露光部分25を残存させる。
4.工程(6)
図25Hに示すように、工程(6)では、第1露光部分24および第2露光部分25(現像後のフォトレジスト23)から露出する導体層33を除去する。
例えば、第1露光部分24および第2露光部分25をエッチングレジストとして用いて、第1露光部分24およびから露出する導体層33をエッチングする。
これにより、第1配線21、第2配線22および第2端子(図示せず)を有する上側導体パターン5を形成する。
5.工程(iii)
図25Iに示すように、工程(iii)では、第1露光部分24および第2露光部分25を、例えば、剥離などによって、除去する。
6.配線回路基板
第6実施形態の製造方法により得られた配線回路基板1は、図25Jに示すように、ベース絶縁層2と、下側導体パターン3と、中間絶縁層4と、上側導体パターン5と、カバー絶縁層6とを備える。また、第6実施形態の配線回路基板1は、第1〜5実施形態の配線回路基板1と異なり、金属薄膜33(図5K参照)を備えない。
一方、第6実施形態の配線回路基板1は、上側導体パターン5および中間絶縁層4の間に、それらを接着する接着剤層(図示せず)を備えていてもよい。
7.第6実施形態の作用効果
第6実施形態によっても、第1実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
なお、第6実施形態と対比される比較例2を図27、図29および図30を参照して説明する。
比較例2では、図27および図30Aに示すように、フォトレジスト23は、工程(4)における反射光B’の集光に起因し、図30Bに示す工程(5)で除去される集光部分50を有する。そして、工程(5)において、第1露光部分24において第1配線曲り部41(図29参照)に対応する部分、および、第2露光部分25において第2配線曲り部43(図29参照)に対応する部分の両方が、集光部分50と接触する。
そして、工程(6)において、集光部分50に対応する導体層33には、第1配線21および第2配線22を連結する短絡部分55が形成される。短絡部分55は、第1配線21および第2配線22を短絡させる。
一方、この第6実施形態では、上記したように、第1配線21および第2配線22の短絡を防止することができる。
8. 第6実施形態の変形例
第6実施形態の製造方法によっても、第2〜第5実施形態に記載される第1配線21および第2配線22と平面視同一形状の第1配線21および第2配線22を有する配線回路基板1を得ることができる。
<第1〜第6実施形態の変形例>
第1〜第6実施形態では、本発明の方法により得られる配線回路基板として配線回路基板1を挙げて説明しているが、これに限定されず、図2の仮想線で示すように、金属支持基板40を備える回路付サスペンション基板とすることもできる。その場合には、回路付サスペンション基板は、金属支持基板40と、ベース絶縁層2と、下側導体パターン3と、中間絶縁層4と、上側導体パターン5と、カバー絶縁層6とを備える。
第1〜第6実施形態で得られる配線回路基板1の中間絶縁層5の斜面12は、下配線9の稜線部20に対応している。しかし、例えば、図示しないが、図26に示すように、斜面12が、下側導体パターン3に対応せず、単に、絶縁層の一例としてのベース絶縁層2が複数の厚みT1およびT2を有することによって、ベース絶縁層2が斜面12を有することもできる。なお、厚みT1は、第1平面10におけるベース絶縁層2の厚みである。一方、厚みT2は、第2平面11におけるベース絶縁層2の厚みである。厚みT2は、厚みT1より厚い。
第1〜第6実施形態では、図2に代表されるように、中間絶縁層4の上面は、第2平面11を有しているが、少なくとも斜面12を有していればよく、図示しないが、例えば、第2平面11を有していなくてもよい。
また、下側導体パターン3は、図1に示すように、下配線9を備えるが、例えば、図示しないが、その他の配線をさらに有することができる。
また、上側導体パターン5は、図1に示すように、第1配線21および第2配線22を備えるが、例えば、図示しないが、その他の配線をさらに有することができる。
1 配線回路基板
2 ベース絶縁層
4 中間絶縁層
7 金属薄膜
13 絶縁斜面円弧部
15 仮想円
16 集光部分
23 フォトレジスト
24 第1露光部分
25 第2露光部分
28 フォトマスク
33 導体層
48 斜面対向部
53 重複集光部

Claims (2)

  1. 絶縁層と、互いに間隔を隔てて隣り合う第1配線および第2配線とを備える配線回路基板の製造方法であり、
    斜面を有する前記絶縁層を設ける工程(1)と、
    金属薄膜を、前記斜面を含む前記絶縁層の表面に設ける工程(2)と、
    フォトレジストを前記金属薄膜の表面に設ける工程(3)と、
    フォトマスクを、前記フォトレジストにおいて前記第1配線に対応する第1露光部分と、前記フォトレジストにおいて前記第2配線に対応する第2露光部分とが露光されるように、配置して、前記フォトレジストを、前記フォトマスクを介して露光する工程(4)と、
    前記フォトレジストの前記第1露光部分および前記第2露光部分を除去して、前記第1露光部分および前記第2露光部分に対応する前記金属薄膜を露出させる工程(5)と、
    前記第1配線および前記第2配線を、前記金属薄膜の表面に設ける工程(6)とを備え、
    前記斜面は、平面視略円弧形状を有し、
    前記工程(4)において、前記フォトレジストの前記第2露光部分は、前記斜面に対向する対向部分を有し、
    前記工程(4)において、前記円弧に対応する前記金属薄膜において反射した反射光は、前記円弧に沿う仮想円の中心に対応する前記フォトレジストに集光し、
    前記工程(4)において、下記条件A〜Cを満足するように、前記フォトマスクを配置し、
    前記第1配線と前記第2配線との間隔が100μm以下であり、
    前記工程(6)で設けられる前記第1配線と前記第2配線との間の短絡が防止されることを特徴とする、配線回路基板の製造方法。
    条件A:前記第1露光部分の少なくとも一部、および、前記第2露光部分の少なくとも一部は、平面視で前記仮想円と重複する。
    条件B:前記第1露光部分を露光せず、前記第2露光部分を露光する仮定1と、前記第1露光部分を露光し、前記第2露光部分における前記対向部分以外の部分を露光せず、前記第2露光部分における対向部分を露光する仮定2とのいずれかの仮定において、前記フォトレジストは、工程(4)における前記反射光の集光に起因し、工程(5)で除去される集光部分を有する。
    条件C:前記仮定1では、前記集光部分が、前記平面視で前記仮想円と重複する前記第2露光部分と間隔が隔てられ、前記仮定2では、前記集光部分が、前記平面視で前記仮想円と重複する前記第1露光部分と間隔が隔てられる。
  2. 前記第1露光部分、および、前記第2露光部分のいずれか一方は、前記集光部分の全部を含む
    ことを特徴とする、請求項に記載の配線回路基板の製造方法。
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