JP4510066B2 - 配線回路基板の製造方法および検査方法 - Google Patents
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Description
本発明は、配線回路基板の製造方法および検査方法、詳しくは、ＣＯＦ基板、フレキシブル配線回路基板などの配線回路基板の製造方法および検査方法に関する。
ＣＯＦ基板、フレキシブル配線回路基板などの配線回路基板は、ベース絶縁層と、その上に形成される導体パターンと、ベース絶縁層の上に導体パターンを被覆するように形成されるカバー絶縁層とを備えている。このような配線回路基板は、各種の電気機器や電子機器の分野において、広く用いられている。
かかる配線回路基板では、例えば、配線回路基板に光線を照射して、その反射光または透過光を測定することにより、異物や、導体パターンまたはカバー絶縁層の位置ずれなどを検知して、配線回路基板の不良を検知することが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
特開２００５−２８３５８３号公報
かかる配線回路基板では、例えば、配線回路基板に光線を照射して、その反射光または透過光を測定することにより、異物や、導体パターンまたはカバー絶縁層の位置ずれなどを検知して、配線回路基板の不良を検知することが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
しかし、上記した特許文献１で提案される配線回路基板において、カバー絶縁層が比較的薄い厚み（例えば、５μｍ以下）で形成される場合には、導体パターンに基づく反射光によって、かかる導体パターンを異物であると誤って判断して検知（誤検知）するおそれがある。
また、導体パターンが、サブトラクティブ法により形成される場合には、エッチングレジストから露出する導体層のオーバーエッチングにより、導体パターンの表面がやや湾曲するように丸く形成される場合がある。その場合には、検査における光線の照射量を増大させる必要があるため、上記と同様に誤検知のおそれがある。
また、導体パターンが、サブトラクティブ法により形成される場合には、エッチングレジストから露出する導体層のオーバーエッチングにより、導体パターンの表面がやや湾曲するように丸く形成される場合がある。その場合には、検査における光線の照射量を増大させる必要があるため、上記と同様に誤検知のおそれがある。
本発明の目的は、異物の検査や、導体パターンあるいは絶縁層の検査において、誤検知を防止することのできる、配線回路基板の製造方法および検査方法を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明の配線回路基板の製造方法は、導体パターンと、前記導体パターンを被覆し、６００〜６８０ｎｍの波長に対する透過率が３０％以下であり、かつ、５００〜５８０ｎｍの波長に対する透過率が５５％以上であり、顔料が、０．２重量％以上２．５重量％以下の配合割合で配合された絶縁層とを備える配線回路基板を用意する工程、６００〜６８０ｎｍの波長の光線を前記配線回路基板の上方から前記絶縁層に向けて照射することにより、前記絶縁層の表面における異物の有無を検査する異物検査工程、および、５００〜５８０ｎｍの波長の光線を前記配線回路基板の上方から前記絶縁層に向けて照射することにより、前記導体パターンのパターン形状を検査する工程を備えることを特徴としている。
また、本発明の配線回路基板の製造方法では、前記異物検査工程では、異物の有無の検査とともに、前記絶縁層の形状を検査することを特徴としている。
また、本発明の配線回路基板の製造方法では、前記異物検査工程では、異物の有無の検査とともに、前記絶縁層の形状を検査することを特徴としている。
また、本発明の配線回路基板の検査方法は、導体パターンと、前記導体パターンを被覆し、６００〜６８０ｎｍの波長に対する透過率が３０％以下であり、かつ、５００〜５８０ｎｍの波長に対する透過率が５５％以上であり、顔料が、０．２重量％以上２．５重量％以下の配合割合で配合された絶縁層とを備える配線回路基板の前記絶縁層の表面における異物の有無を、６００〜６８０ｎｍの波長の光線を前記配線回路基板の上方から前記絶縁層に向けて照射することにより、検査する異物検査工程、および、前記導体パターンのパターン形状を、５００〜５８０ｎｍの波長の光線を前記配線回路基板の上方から前記絶縁層に向けて照射することにより、検査する工程を備えていることを特徴としている。
また、本発明の配線回路基板の検査方法では、前記異物検査工程では、異物の有無の検査とともに、前記絶縁層の形状を検査することを特徴としている。
また、本発明の配線回路基板の検査方法では、前記異物検査工程では、異物の有無の検査とともに、前記絶縁層の形状を検査することを特徴としている。
本発明の配線回路基板の製造方法および検査方法によれば、絶縁層が、特定波長に対する透過率が特定値以下であるので、異物の検査において、導体パターンを異物であると誤検知することを防止することができる。また、絶縁層の検査において、絶縁層の形状を正しく認識して、絶縁層の形状不良などを正確に検知することができる。
本発明の配線回路基板の製造方法および検査方法によれば、絶縁層が、特定波長に対する透過率が特定値以上であるので、導体パターンの検査において、導体パターンの形状を正しく認識して、導体パターンの欠陥の有無などを正確に判定することができる。
本発明の配線回路基板の製造方法および検査方法によれば、絶縁層が、特定波長に対する透過率が特定値以上であるので、導体パターンの検査において、導体パターンの形状を正しく認識して、導体パターンの欠陥の有無などを正確に判定することができる。
図１は、本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態により得られる配線回路基板の平面図、図２は、図１に示す配線回路基板の幅方向（長手方向に直交する方向）に沿う断面図、図３は、図１に示す配線回路基板の長手方向に沿う部分断面図を示す。なお、図１において、後述する金属薄膜４は、導体パターン３の相対配置を明確にするために、省略されている。
図１において、この配線回路基板１は、長手方向に延びる平帯状に形成されるフレキシブル配線回路基板である。また、配線回路基板１は、図２および図３に示すように、ベース絶縁層２と、ベース絶縁層２の上に形成される導体パターン３と、ベース絶縁層２の上に、導体パターン３を被覆するように形成される絶縁層としてのカバー絶縁層５とを備えている。
図１において、この配線回路基板１は、長手方向に延びる平帯状に形成されるフレキシブル配線回路基板である。また、配線回路基板１は、図２および図３に示すように、ベース絶縁層２と、ベース絶縁層２の上に形成される導体パターン３と、ベース絶縁層２の上に、導体パターン３を被覆するように形成される絶縁層としてのカバー絶縁層５とを備えている。
ベース絶縁層２を形成する絶縁材料としては、例えば、ポリイミド、ポリアミドイミド、アクリル、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニルなどの合成樹脂が用いられる。好ましくは、耐熱性、耐薬品性などの観点から、ポリイミドが用いられる。
ベース絶縁層２は、長手方向に延びる配線回路基板１の外形形状に対応して、平帯状に形成されている。また、ベース絶縁層２の厚みは、例えば、５〜５０μｍ、好ましくは、１０〜４０μｍである。
ベース絶縁層２は、長手方向に延びる配線回路基板１の外形形状に対応して、平帯状に形成されている。また、ベース絶縁層２の厚みは、例えば、５〜５０μｍ、好ましくは、１０〜４０μｍである。
導体パターン３を形成する導体材料としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などの導体材料が用いられる。好ましくは、電気抵抗の観点から、銅が用いられる。
導体パターン３は、図１および図３に示すように、長手方向に沿って延び、幅方向において互いに間隔を隔てて並列配置される配線６と、各配線６の長手方向両端部に配置される端子部７とを一体的に備えている。また、各配線６は、カバー絶縁層５に被覆される一方で、各端子部７は、カバー絶縁層５から露出している。また、導体パターン３は、図２に示すように、幅方向に沿う断面において、略矩形状に形成されている。
導体パターン３は、図１および図３に示すように、長手方向に沿って延び、幅方向において互いに間隔を隔てて並列配置される配線６と、各配線６の長手方向両端部に配置される端子部７とを一体的に備えている。また、各配線６は、カバー絶縁層５に被覆される一方で、各端子部７は、カバー絶縁層５から露出している。また、導体パターン３は、図２に示すように、幅方向に沿う断面において、略矩形状に形成されている。
導体パターン３の厚みは、例えば、３〜３０μｍ、好ましくは、５〜２０μｍである。また、各配線６および各端子部７間の幅（幅方向長さ）は、同一または相異なっていてもよく、例えば、５〜５００μｍ、好ましくは、１５〜２００μｍであり、各配線６間の間隔（幅方向における間隔）および各端子部７間の間隔は、同一または相異なっていてもよく、例えば、５〜２００μｍ、好ましくは、５〜１００μｍである。
カバー絶縁層５は、配線６を被覆してこれを電気的に封止する。カバー絶縁層５を形成する絶縁材料としては、上記したベース絶縁層２を形成する絶縁材料と同様の絶縁材料や、さらに、ソルダーレジストなどの樹脂材料が用いられる。また、上記した絶縁材料には、顔料などが配合されている。
顔料は、後述するカバー絶縁層５の検査を容易にするために配合され、例えば、有機顔料が用いられる。有機顔料としては、例えば、緑色顔料、青色顔料、黄色顔料、赤色顔料などが用いられ、好ましくは、緑色顔料が用いられる。緑色顔料としては、フタロシアニン・グリーンやアイオジン・グリーンなどが用いられる。また、緑色顔料としては、例えば、青色顔料と黄色顔料との混合顔料が用いられ、例えば、フタロシアニンブルーと、ジスアゾイエローとの混合顔料が用いられる。また、これら顔料は、単独使用または併用することができる。
顔料は、後述するカバー絶縁層５の検査を容易にするために配合され、例えば、有機顔料が用いられる。有機顔料としては、例えば、緑色顔料、青色顔料、黄色顔料、赤色顔料などが用いられ、好ましくは、緑色顔料が用いられる。緑色顔料としては、フタロシアニン・グリーンやアイオジン・グリーンなどが用いられる。また、緑色顔料としては、例えば、青色顔料と黄色顔料との混合顔料が用いられ、例えば、フタロシアニンブルーと、ジスアゾイエローとの混合顔料が用いられる。また、これら顔料は、単独使用または併用することができる。
顔料の含有割合は、カバー絶縁層５において、０．２重量％以上、好ましくは、０．４重量％以上であり、また、２．５重量％以下、好ましくは、１．５重量％以下である。顔料（例えば、緑色顔料）の配合割合が上記した範囲内であれば、後述するカバー絶縁層５の６００〜６８０ｎｍの波長および／または５００〜５８０ｎｍの波長に対する透過率を所定の範囲に設定することができる。
カバー絶縁層５において、ベース絶縁層２の表面に、配線６を被覆し、かつ、端子部７を露出するように、形成されている。より具体的には、カバー絶縁層５は、図１および図３に示すように、ベース絶縁層２より長手方向がやや短くなる平帯状に形成されている。
また、カバー絶縁層５は、６００〜６８０ｎｍの波長に対する透過率は、３０％以下、好ましくは、２５％以下、さらに好ましくは、２０％以下であり、通常、１０％以上である。６００〜６８０ｎｍの波長に対する透過率が３０％以下であれば、６００〜６８０ｎｍの波長の光線を用いる異物検査において、導体パターンの誤検知を防止することができる。あるいは、６００〜６８０ｎｍの波長の光線を用いるカバー絶縁層５の形状認識検査（後述）において、カバー絶縁層５の形状を正しく認識することができる。
また、カバー絶縁層５は、６００〜６８０ｎｍの波長に対する透過率は、３０％以下、好ましくは、２５％以下、さらに好ましくは、２０％以下であり、通常、１０％以上である。６００〜６８０ｎｍの波長に対する透過率が３０％以下であれば、６００〜６８０ｎｍの波長の光線を用いる異物検査において、導体パターンの誤検知を防止することができる。あるいは、６００〜６８０ｎｍの波長の光線を用いるカバー絶縁層５の形状認識検査（後述）において、カバー絶縁層５の形状を正しく認識することができる。
また、カバー絶縁層５は、５００〜５８０ｎｍの波長に対する透過率は、５５％以上、好ましくは、６５％以上、さらに好ましくは、７０％以上であり、通常、９５％以下である。５００〜５８０ｎｍの波長に対する透過率が５５％以上であれば、５００〜５８０ｎｍの波長の光線を用いる導体パターン３の形状認識検査において、導体パターン３の形状を正しく認識することができる。
また、カバー絶縁層５の厚みは、例えば、５μｍ以上、好ましくは、７μｍ以上であり、また、例えば、１５μｍ以下、好ましくは、１２μｍ以下である。
カバー絶縁層５の厚みが上記した下限以上であれば、カバー絶縁層５の６００〜６８０ｎｍの波長に対する透過率を上記した範囲（例えば、３０％以下）に設定することができる。一方、カバー絶縁層５の厚みが上記した上限以下であれば、カバー絶縁層５の５００〜５８０ｎｍの波長に対する透過率を上記した範囲（例えば、５５％以上）に設定することができる。
カバー絶縁層５の厚みが上記した下限以上であれば、カバー絶縁層５の６００〜６８０ｎｍの波長に対する透過率を上記した範囲（例えば、３０％以下）に設定することができる。一方、カバー絶縁層５の厚みが上記した上限以下であれば、カバー絶縁層５の５００〜５８０ｎｍの波長に対する透過率を上記した範囲（例えば、５５％以上）に設定することができる。
また、図２および図３に示すように、導体パターン３の表面には、必要により、金属薄膜４が設けられている。すなわち、この場合には、金属薄膜４は、導体パターン３およびカバー絶縁層５の間に介在されている。また、金属薄膜４を形成する金属材料としては、例えば、錫、ニッケル、金、クロム、チタン、ジルコニウム、または、これらの合金などの金属が用いられ、好ましくは、錫が用いられる。金属薄膜４の厚みは、例えば、０．２〜５μｍ、好ましくは、０．５〜２μｍである。
次に、この配線回路基板１の製造方法について、説明する。
まず、この方法では、ベース絶縁層２を用意する。ベース絶縁層２は、予め合成樹脂のフィルムとして用意するか、または、図示しない剥離板（例えば、ステンレスなどの金属製の剥離板）の上に、合成樹脂のワニスを塗布し、乾燥後、必要により硬化させることにより、用意する。あるいは、剥離板の上に、感光性の合成樹脂のワニスを塗布し、乾燥後、露光し、次いで、現像して上記したパターンに加工し、必要により硬化することにより、用意する。
まず、この方法では、ベース絶縁層２を用意する。ベース絶縁層２は、予め合成樹脂のフィルムとして用意するか、または、図示しない剥離板（例えば、ステンレスなどの金属製の剥離板）の上に、合成樹脂のワニスを塗布し、乾燥後、必要により硬化させることにより、用意する。あるいは、剥離板の上に、感光性の合成樹脂のワニスを塗布し、乾燥後、露光し、次いで、現像して上記したパターンに加工し、必要により硬化することにより、用意する。
次いで、この方法では、導体パターン３を、ベース絶縁層２の上に、配線６および端子部７を有する配線回路パターンで形成する。導体パターン３は、例えば、サブトラクティブ法やアディティブ法などの公知のパターンニング法によって形成する。
次いで、この方法では、金属薄膜４を、配線６を含む導体パターン３の表面に形成する。金属薄膜４は、例えば、無電解めっきなどのめっきにより、積層する。
次いで、この方法では、金属薄膜４を、配線６を含む導体パターン３の表面に形成する。金属薄膜４は、例えば、無電解めっきなどのめっきにより、積層する。
次いで、この方法では、カバー絶縁層５を、ベース絶縁層２の上に、金属薄膜４を被覆するように、上記したパターンで形成する。
カバー絶縁層５を形成するには、例えば、顔料を含む樹脂溶液の塗布、あるいは、顔料を含んでいる樹脂フィルムの貼着などの公知の方法により形成される。
カバー絶縁層５を形成するには、例えば、顔料を含む樹脂溶液の塗布、あるいは、顔料を含んでいる樹脂フィルムの貼着などの公知の方法により形成される。
樹脂溶液の塗布では、まず、上記した合成樹脂の溶液と、顔料とを配合することにより、樹脂溶液（ワニス）を調製する。ワニスを形成するための溶媒としては、合成樹脂および顔料を分散（溶解）できれば、特に制限されず、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）、カルビトールアセテートなどの有機溶媒が用いられる。合成樹脂の溶液において、合成樹脂の配合割合は、合成樹脂の溶液１００重量部に対して、例えば、３８〜４２重量部である。また、ワニスにおける顔料の配合割合は、上記したカバー絶縁層５における顔料の含有割合に対応するように設定される。
次いで、ワニスをベース絶縁層２および金属薄膜４の上に塗布して、カバー皮膜を形成する。ワニスの塗布では、例えば、スクリーン印刷などの塗布方法が用いられる。その後、形成されたカバー皮膜を、例えば、１００〜１５０℃で、例えば、３０〜９０分間加熱して乾燥して、カバー皮膜を形成する。
また、樹脂溶液に、さらに、感光剤を含有させて、フォト加工により、上記したパターンでカバー絶縁層５を形成することもできる。
また、樹脂溶液に、さらに、感光剤を含有させて、フォト加工により、上記したパターンでカバー絶縁層５を形成することもできる。
フォト加工によりカバー絶縁層５を形成するには、例えば、キャスティングなどの塗布方法により、顔料および感光剤を含むワニス（感光性の合成樹脂および顔料のワニス）を、金属薄膜４を含むベース絶縁層２の表面全面に塗布して乾燥させて、カバー皮膜を形成する。次いで、カバー皮膜を、フォトマスクを介して、露光後、現像して、パターンに加工して、必要により硬化させることにより、カバー絶縁層５を形成することもできる。
樹脂フィルムの貼着では、上記したパターンに予め形成した絶縁材料（顔料を含む）のフィルムを、公知の接着剤を介して、ベース絶縁層２および金属薄膜４の上に積層する。
これにより、カバー絶縁層５を形成して、そして、配線回路基板１を形成する。
次に、本発明の配線回路基板の検査方法の一実施形態である配線回路基板１の検査について、図４および図５を参照して、説明する。
これにより、カバー絶縁層５を形成して、そして、配線回路基板１を形成する。
次に、本発明の配線回路基板の検査方法の一実施形態である配線回路基板１の検査について、図４および図５を参照して、説明する。
この配線回路基板１の検査は、光学的検査により、製造後の配線回路基板１または製造途中の配線回路基板１に対して、実施される。
具体的には、光学的検査における光線は、６００〜６８０ｎｍの波長の光線が用いられる。光線の波長が上記した範囲内であれば、顔料（例えば、緑色顔料）を含むカバー絶縁層５が形成されている場合に、導体パターン３の誤検知の防止およびカバー絶縁層５の正常な認識を達成することができる。なお、かかる光線は、例えば、単波長として用いたり、また、２種以上の異なる複波長として用いたり、あるいは、上記した範囲内の連続波長として用いることができる。
具体的には、光学的検査における光線は、６００〜６８０ｎｍの波長の光線が用いられる。光線の波長が上記した範囲内であれば、顔料（例えば、緑色顔料）を含むカバー絶縁層５が形成されている場合に、導体パターン３の誤検知の防止およびカバー絶縁層５の正常な認識を達成することができる。なお、かかる光線は、例えば、単波長として用いたり、また、２種以上の異なる複波長として用いたり、あるいは、上記した範囲内の連続波長として用いることができる。
そして、この検査は、図４に示すように、製造途中の配線回路基板１または製造後の配線回路基板１において、導体パターン３およびカバー絶縁層５の上方に、上記した波長の光線を照射できる図示しない発光部および図示しない受光部を備える図示しないセンサ装置を、導体パターン３を含むカバー絶縁層５に対向配置する。
次に、発光部から配線６を含むカバー絶縁層５に向けて光線（６００〜６８０ｎｍ）を照射し、カバー絶縁層５の上面で反射される反射光（実線）、あるいは、カバー絶縁層５の上面に残存する異物１１（破線）の表面で反射される反射光（実線）を検知する。これにより、カバー絶縁層５の上面における異物１１の有無を正確に判定することができる。
次に、発光部から配線６を含むカバー絶縁層５に向けて光線（６００〜６８０ｎｍ）を照射し、カバー絶縁層５の上面で反射される反射光（実線）、あるいは、カバー絶縁層５の上面に残存する異物１１（破線）の表面で反射される反射光（実線）を検知する。これにより、カバー絶縁層５の上面における異物１１の有無を正確に判定することができる。
異物１１としては、配線回路基板１の製造に由来する、導体パターン３、金属薄膜４または剥離板などの金属異物が挙げられ、具体的には、銅、錫、ステンレスなどが、それぞれ挙げられる。
具体的には、異物１１の検査において、予め後述する導体パターン３の検査において取得される導体パターン３のパターンデータに基づいて、異物１１による反射光を、本来の導体パターン３のパターンデータには存在しないパターンデータとして取得した場合には、異物１１がカバー絶縁層５に存在すると判定する。一方、予め取得される導体パターン３のパターンデータと、本来の導体パターン３のパターンデータとに相違がない場合には、異物１１がカバー絶縁層５に存在しないと判定する。
具体的には、異物１１の検査において、予め後述する導体パターン３の検査において取得される導体パターン３のパターンデータに基づいて、異物１１による反射光を、本来の導体パターン３のパターンデータには存在しないパターンデータとして取得した場合には、異物１１がカバー絶縁層５に存在すると判定する。一方、予め取得される導体パターン３のパターンデータと、本来の導体パターン３のパターンデータとに相違がない場合には、異物１１がカバー絶縁層５に存在しないと判定する。
とりわけ、カバー絶縁層５は、６００〜６８０ｎｍの波長の光線の透過率が３０％以下であるので、図４の矢印の仮想線で示すように、カバー絶縁層５の上面を通過してその内部を下方に向かって透過して、金属薄膜４の上面で反射し、さらに、カバー絶縁層５の内部を上方に向かって透過して、カバー絶縁層５の上面から上方に通過する透過光は、カバー絶縁層５に十分に吸収されて、光線の強度が十分に低減しているので、これを異物１１として誤検知されることが防止される。
また、これと同時に、図５に示すように、発光部から端子部７およびその近傍のカバー絶縁層５に向けて光線を照射し、カバー絶縁層５の下面（金属薄膜４の上面）で反射される反射光、および、端子部７の上面（の金属薄膜４の上面）で反射される反射光を検知する。これにより、カバー絶縁層５の形状、つまり、カバー絶縁層５の長手方向両端縁の配置を正しく認識して、カバー絶縁層５の形状不良（例えば、端子部７が、カバー絶縁層５に露出されず、カバー絶縁層５に被覆される形状不良）を正確に判定することができる。換言すれば、カバー絶縁層５から露出する端子部７の長手方向に沿う形状を、正確に判定することができる。
また、この光学的検査では、上記した６００〜６８０ｎｍの波長の光線に加えて、異なる波長の光線を用いることもできる。
このような光学的検査における光線として、５００〜５８０ｎｍの波長の光線が用いられる。なお、かかる光線は、例えば、単波長として用いたり、また、２種以上の異なる複波長として用いたり、あるいは、上記した範囲内の連続波長として用いることができる。
このような光学的検査における光線として、５００〜５８０ｎｍの波長の光線が用いられる。なお、かかる光線は、例えば、単波長として用いたり、また、２種以上の異なる複波長として用いたり、あるいは、上記した範囲内の連続波長として用いることができる。
そして、図４に示すように、発光部から配線６を含むカバー絶縁層５に向けて光線（５００〜５８０ｎｍ）を照射し、カバー絶縁層５の下面、すなわち、配線６の表面で、カバー絶縁層５に被覆される金属薄膜４の表面で反射される反射光（破線）、および、カバー絶縁層５に被覆されるベース絶縁層２の表面で反射される反射光（破線）を検知する。これにより、導体パターン３のパターンデータを取得し、導体パターン３のパターン形状を正しく認識して、配線６の欠陥や、配線６間の短絡などを正確に判定することができる。
とりわけ、カバー絶縁層５は、５００〜５８０ｎｍの波長の光線の透過率が５５％以上であるので、金属薄膜４の表面で反射される反射光と、ベース絶縁層２の表面で反射される反射光との強度の相違を容易かつ明確に区別することができ、導体パターン３のパターン形状を正しく認識することができる。
なお、上記した説明では、本発明の配線回路基板を、ベース絶縁層２が支持されていないフレキシブル配線回路基板を例示したが、例えば、図示しないが、ベース絶縁層２の下面が金属支持層により支持され、金属支持層が補強層として設けられたフレキシブル配線回路基板やＣＯＦ基板（ＴＡＢテープキャリアなどを含む）などの各種フレキシブル配線回路基板にも広く適用することができる。
なお、上記した説明では、本発明の配線回路基板を、ベース絶縁層２が支持されていないフレキシブル配線回路基板を例示したが、例えば、図示しないが、ベース絶縁層２の下面が金属支持層により支持され、金属支持層が補強層として設けられたフレキシブル配線回路基板やＣＯＦ基板（ＴＡＢテープキャリアなどを含む）などの各種フレキシブル配線回路基板にも広く適用することができる。
実施例１
（Ｎｏ．１〜Ｎｏ．５のフレキシブル配線回路基板の製造）
厚さ３５μｍのポリイミド樹脂のフィルムからなるベース絶縁層を用意した。次に、このベース絶縁層の上に、厚み８μｍの導体パターンを、アディティブ法により、配線および端子部を有する配線回路パターンで形成した。次いで、錫からなる厚み０．５μｍの金属薄膜を、導体パターンの表面に、無電解錫めっきにより形成した。
（Ｎｏ．１〜Ｎｏ．５のフレキシブル配線回路基板の製造）
厚さ３５μｍのポリイミド樹脂のフィルムからなるベース絶縁層を用意した。次に、このベース絶縁層の上に、厚み８μｍの導体パターンを、アディティブ法により、配線および端子部を有する配線回路パターンで形成した。次いで、錫からなる厚み０．５μｍの金属薄膜を、導体パターンの表面に、無電解錫めっきにより形成した。
次いで、カバー絶縁層を、ベース絶縁層の上に、金属薄膜を被覆するように形成した。カバー絶縁層の形成では、まず、アクリル樹脂４０重量部、カルビトールアセテート３５重量部、ＮＭＰ３重量部、さらに、緑色顔料（フタロシアニングリーン、ＵＴＣＯ−０６１、大日精化社製）７．２重量部を配合して、アクリル樹脂のワニスを調製した。次いで、調製したワニスをベース絶縁層および金属薄膜の上に、スクリーン印刷により上記したパターンで塗布した。その後、１５０℃で、３０分間加熱して乾燥して、厚み１０μｍのカバー絶縁層を形成した。なお、このカバー絶縁層における顔料の含有割合は０．５重量％であった。これを、Ｎｏ．１のサンプルとして、フレキシブル配線回路基板を得た（図２および図３参照）。
続いて、Ｎｏ．１のサンプルに準じて、カバー絶縁層の形成において、表１に示すように、ワニスにおける顔料の配合量を変更することにより、Ｎｏ．２〜Ｎｏ．５のフレキシブル配線回路基板をそれぞれ得た。
実施例２
（Ｎｏ．６〜Ｎｏ．１２のフレキシブル配線回路基板の製造）
表２に示すように、ワニスにおける顔料の配合量を変更し、また、カバー絶縁層の厚みを１０μｍから５μｍに変更した以外は、実施例１と同様にして、Ｎｏ．６〜Ｎｏ．１２のフレキシブル配線回路基板を得た。
実施例２
（Ｎｏ．６〜Ｎｏ．１２のフレキシブル配線回路基板の製造）
表２に示すように、ワニスにおける顔料の配合量を変更し、また、カバー絶縁層の厚みを１０μｍから５μｍに変更した以外は、実施例１と同様にして、Ｎｏ．６〜Ｎｏ．１２のフレキシブル配線回路基板を得た。
実施例３
（Ｎｏ．１３〜Ｎｏ．２０のフレキシブル配線回路基板の製造）
カバー絶縁層の形成におけるワニスの調製において、顔料の配合量を４．８重量部に変更して、さらに、カバー絶縁層の厚みを、表３に示すように設定した以外は、実施例１と同様にして、Ｎｏ．１３〜Ｎｏ．２０のフレキシブル配線回路基板を得た。
（Ｎｏ．１３〜Ｎｏ．２０のフレキシブル配線回路基板の製造）
カバー絶縁層の形成におけるワニスの調製において、顔料の配合量を４．８重量部に変更して、さらに、カバー絶縁層の厚みを、表３に示すように設定した以外は、実施例１と同様にして、Ｎｏ．１３〜Ｎｏ．２０のフレキシブル配線回路基板を得た。
（評価）
１） 透過率測定
厚み５０μｍのポリエチレンテレフタレート板に、Ｎｏ．１〜Ｎｏ．２０のフレキシブル配線回路基板のカバー絶縁層と同様のカバー絶縁層を、上記と同様の方法により、それぞれ形成した。次いで、各カバー絶縁層について、波長６４０ｎｍおよび波長５３０ｎｍの透過率を、透過率測定機（Ｐｈｏｔａｌ：ＳＰＥＣＴＲＯ ＭＵＴＬＩ ＣＨＥＭＩＣＡＬ ＰＨＯＴＯ、透過率測定モード、大塚電子社製）にて測定した。その結果を表１〜表３に示す。
２） 異物検査試験
Ｎｏ．１〜Ｎｏ．２０のフレキシブル配線回路基板について、カバー絶縁層の表面に異物が残存しているか否かの異物検査試験を１００回それぞれ実施した。異物検査試験は、発光部（光源）および受光部（ＣＣＤカメラ）を備えるセンサ装置（ＡＶＳ−５５００、アジュハイテク社製）にて、波長６４０ｎｍの光線を用いて実施した。その結果を表１〜表３に示す。なお、表１〜３中の数値は、異物検査試験において、ベース絶縁層の表面に実際に異物がないにもかかわらず、異物を誤検知した（つまり、導体パターンを異物であると誤検知した）割合を示す。
３） 導体パターン形状認識検査
Ｎｏ．１〜Ｎｏ．２０のフレキシブル配線回路基板について、導体パターンの形状認識検査を実施した。形状認識検査は、上記と同様のセンサ装置（ＡＶＳ−５５００、アジュハイテク社製）にて、波長５３０ｎｍの光線を用いて実施した。その結果を表１〜表３に示す。なお、表３中の「×」は、形状認識検査において、導体パターンに実際に欠陥を生じていないにもかかわらず、欠陥を誤って検知した（誤検知）ことを示し、「○」は、導体パターンが正常であることを検知したことを示す。その結果を表１〜表３に示す。
１） 透過率測定
厚み５０μｍのポリエチレンテレフタレート板に、Ｎｏ．１〜Ｎｏ．２０のフレキシブル配線回路基板のカバー絶縁層と同様のカバー絶縁層を、上記と同様の方法により、それぞれ形成した。次いで、各カバー絶縁層について、波長６４０ｎｍおよび波長５３０ｎｍの透過率を、透過率測定機（Ｐｈｏｔａｌ：ＳＰＥＣＴＲＯ ＭＵＴＬＩ ＣＨＥＭＩＣＡＬ ＰＨＯＴＯ、透過率測定モード、大塚電子社製）にて測定した。その結果を表１〜表３に示す。
２） 異物検査試験
Ｎｏ．１〜Ｎｏ．２０のフレキシブル配線回路基板について、カバー絶縁層の表面に異物が残存しているか否かの異物検査試験を１００回それぞれ実施した。異物検査試験は、発光部（光源）および受光部（ＣＣＤカメラ）を備えるセンサ装置（ＡＶＳ−５５００、アジュハイテク社製）にて、波長６４０ｎｍの光線を用いて実施した。その結果を表１〜表３に示す。なお、表１〜３中の数値は、異物検査試験において、ベース絶縁層の表面に実際に異物がないにもかかわらず、異物を誤検知した（つまり、導体パターンを異物であると誤検知した）割合を示す。
３） 導体パターン形状認識検査
Ｎｏ．１〜Ｎｏ．２０のフレキシブル配線回路基板について、導体パターンの形状認識検査を実施した。形状認識検査は、上記と同様のセンサ装置（ＡＶＳ−５５００、アジュハイテク社製）にて、波長５３０ｎｍの光線を用いて実施した。その結果を表１〜表３に示す。なお、表３中の「×」は、形状認識検査において、導体パターンに実際に欠陥を生じていないにもかかわらず、欠陥を誤って検知した（誤検知）ことを示し、「○」は、導体パターンが正常であることを検知したことを示す。その結果を表１〜表３に示す。
１ 配線回路基板
３ 導体パターン
５ カバー絶縁層
３ 導体パターン
５ カバー絶縁層
Claims (4)
- 導体パターンと、
前記導体パターンを被覆し、６００〜６８０ｎｍの波長に対する透過率が３０％以下であり、かつ、５００〜５８０ｎｍの波長に対する透過率が５５％以上であり、顔料が、０．２重量％以上２．５重量％以下の配合割合で配合された絶縁層とを備える配線回路基板を用意する工程、
６００〜６８０ｎｍの波長の光線を前記配線回路基板の上方から前記絶縁層に向けて照射することにより、前記絶縁層の表面における異物の有無を検査する異物検査工程、および、
５００〜５８０ｎｍの波長の光線を前記配線回路基板の上方から前記絶縁層に向けて照射することにより、前記導体パターンのパターン形状を検査する工程
を備えることを特徴とする、配線回路基板の製造方法。 - 前記異物検査工程では、異物の有無の検査とともに、前記絶縁層の形状を検査することを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板の製造方法。
- 導体パターンと、
前記導体パターンを被覆し、６００〜６８０ｎｍの波長に対する透過率が３０％以下であり、かつ、５００〜５８０ｎｍの波長に対する透過率が５５％以上であり、顔料が、０．２重量％以上２．５重量％以下の配合割合で配合された絶縁層とを備える配線回路基板の前記絶縁層の表面における異物の有無を、６００〜６８０ｎｍの波長の光線を前記配線回路基板の上方から前記絶縁層に向けて照射することにより、検査する異物検査工程、および、
前記導体パターンのパターン形状を、５００〜５８０ｎｍの波長の光線を前記配線回路基板の上方から前記絶縁層に向けて照射することにより、検査する工程
を備えていることを特徴とする、配線回路基板の検査方法。 - 前記異物検査工程では、異物の有無の検査とともに、前記絶縁層の形状を検査することを特徴とする、請求項３に記載の配線回路基板の検査方法。
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