JP2005333028A - 配線回路基板 - Google Patents

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Abstract

【課題】 信頼性の高い導体パターンが形成され、精度よく電子部品を実装することのできる、配線回路基板を提供すること。
【解決手段】 表面光沢度が１５０〜５００％の金属支持層２の上に、ヘイズ値が２０〜５０％となるように絶縁層３を形成し、その絶縁層３の上に導体パターン４を形成することにより、ＴＡＢ用テープキャリア１を得る。このＴＡＢ用テープキャリア１では、金属支持層２の表面光沢度が５００％以下に設定されているので、導体パターン４の形状の良否を光学的に精度よく検査することができる。また、金属支持層２の表面光沢度が１５０％以上に設定され、絶縁層３のヘイズ値が２０〜５０％に設定されているので、電子部品２１を位置決めするのための光を、この絶縁層３において、良好に透過させることができる。その結果、精度よく電子部品２１を実装することができる。
【選択図】 図６

Description

本発明は、配線回路基板、詳しくは、ＴＡＢ用テープキャリアなどに用いられる配線回路基板に関する。
ＴＡＢ用テープキャリアなどの配線回路基板では、銅箔などの金属支持層を、補強層として有している。このような配線回路基板は、まず、金属支持層の上に、絶縁層を形成し、その絶縁層の上に導体パターンを形成し、その後、金属支持層を、補強が必要な部分を残してエッチング除去することにより、製造されている（例えば、特許文献１、図２参照。）
そして、上記の製造においては、通常、金属支持層を除去する前に、導体パターンの形状の良否を、光学的に検査するようにしており、より具体的には、例えば、図８に示すように、導体パターン４１を含む絶縁層３２の表面に光（実線矢印で示す。）を照射して、導体パターン４１で反射した光を検知することにより、その形状の良否を判定している。
特開２０００−３４０６１７号公報
しかるに、近年における導体パターンのファインピッチ化に伴なって、良否判定の検査精度を向上させる必要がある。一方、この検査においては、金属支持層３３からの反射光（図８において、鎖線矢印で示す。）が、検査の誤判定を招く場合があり、検査精度の向上を図るには、このような誤判定を防止する必要がある。
また、近年における電子部品の小型化に伴なって、電子部品の実装において、精度のよい位置合わせが要求されている。
本発明の目的は、信頼性の高い導体パターンが形成され、精度よく電子部品を実装することのできる、配線回路基板を提供することにある。
上記の目的を達成するため、本発明の配線回路基板は、表面光沢度が１５０〜５００％の金属支持層と、前記金属支持層の上に形成された絶縁層と、前記絶縁層の上に形成された導体パターンとを備えていることを特徴としている。
また、本発明の配線回路基板は、ヘイズ値が２０〜５０％の絶縁層と、前記絶縁層の上に形成された導体パターンとを備えていることを特徴としている。
本発明の配線回路基板では、金属支持層の表面光沢度が５００％以下に設定されているので、導体パターンの形状の良否を光学的に検査するときには、その金属支持層からの反射光を拡散させることができる。そのため、検査の誤判定を低減して、検査精度の向上を図ることができる。その結果、信頼性の高い導体パターンが形成された配線回路基板を提供することができる。
また、本発明の配線回路基板では、金属支持層の表面光沢度が１５０％以上に設定されているので、この金属支持層の開口から露出する絶縁層のヘイズ値が、過度に高くなることを防止することができる。そのため、電子部品を位置決めするのための光を、この絶縁層において、良好に透過させることができる。その結果、精度よく電子部品を実装することができる。
さらに、本発明の配線回路基板では、ヘイズ値が２０〜５０％の絶縁層を備えているので、電子部品を位置決めするのための光を、この絶縁層において、良好に透過させることができる。その結果、精度よく電子部品を実装することができる。
図１は、本発明の配線回路基板の一実施形態としてのＴＡＢ用テープキャリアを示す部分平面図、図２は、図１に示すＴＡＢ用テープキャリアの部分拡大平面図、図３は、図１に示すＴＡＢ用テープキャリアの部分背面図、図４および図５は、図１に示すＴＡＢ用テープキャリアを製造するための製造工程図である。
このＴＡＢ用テープキャリア１は、例えば、図５（ｊ）に示すように、長手方向に連続して延びるテープ状の金属支持層２と、その金属支持層２の上に形成された絶縁層３と、その絶縁層３の上に形成された導体パターン４とを備えている。
また、このＴＡＢ用テープキャリア１では、図１に示すように、絶縁層３に、金属支持層２の長手方向（ＴＡＢ用テープキャリア１の長手方向と同じ。以下、長手方向という場合がある。）において互いに所定間隔を隔てて、導体パターン形成部５が複数設けられている。
各導体パターン形成部５は、図２に示すように、平面視略矩形状をなし、その中央部には、電子部品２１（図７参照）を実装するための平面視略矩形状の実装部１０が設けられている。
導体パターン４は、各導体パターン形成部５において、実装部１０の長手方向両側に形成されている。すなわち、この導体パターン４は、互いに所定間隔を隔てて配置される複数の配線６からなり、各配線６は、インナリード７、アウタリード８および中継リード９を連続して一体的に備えている。
各インナリード７は、実装部１０内に臨み、長手方向に沿って延び、互いに所定間隔を隔ててＴＡＢ用テープキャリア１の幅方向において並列するように配置されている。各インナリード７のピッチ（すなわち、１つのインナリード７の幅と、２つのインナリード７間の幅（間隔）との合計の長さ）ＩＰが、６０μｍ以下、好ましくは、５０μｍ以下で、通常、１０μｍ以上に設定されている。このように、各インナリード７のピッチＩＰを、６０μｍ以下に設定することにより、高密度配線を実現することができる。
また、各インナリード７の幅は、５〜５０μｍ、好ましくは、１０〜４０μｍ、２つのインナリード７間の幅（間隔）は、５〜５０μｍ、好ましくは、１０〜４０μｍに設定されている。
各アウタリード８は、各導体パターン形成部５における長手方向両端部において、長手方向に沿って延び、互いに所定間隔を隔てて幅方向において並列するように配置されている。各アウタリード８のピッチ（すなわち、１つのアウタリード８の幅と、２つのアウタリード８間の幅（間隔）との合計の長さ）ＯＰは、各インナリード７のピッチＩＰに対して、例えば、１００〜１０００％程度に設定されている。すなわち、各アウタリード８のピッチＯＰは、各インナリード７のピッチＩＰに対して、広幅に設定されているか、あるいは、同幅に設定されている。
各中継リード９は、各インナリード７と各アウタリード８とが連続するように、各インナリード７と各アウタリード８とを中継しており、ピッチの狭い各インナリード７側からピッチの広い各アウタリード８側に向かって、長手方向において、放射状に広がるように配置されている。
また、各中継リード９が配置される領域には、絶縁層３の上に、各中継リード９を被覆するように、ソルダレジストなどの被覆層１１が設けられている。すなわち、被覆層１１は、各パターン形成部５において、実装部１０を囲むようにして、略矩形枠状に形成されており、すべての中継リード９を被覆するように設けられている。
なお、インナリード７およびアウタリード８は、図示しないが、好ましくは、ニッケルめっき層や金めっき層によって適宜被覆されている。
また、このＴＡＢ用テープキャリア１には、金属支持層２に、図３に示すように、各導体パターン形成部５の裏面に対応して、背面視矩形状の開口部１６が形成されている。
また、このＴＡＢ用テープキャリア１には、このＴＡＢ用テープキャリア１を搬送するための搬送部１２が形成されている。搬送部１２は、図１に示すように、ＴＡＢ用テープキャリア１の幅方向両側縁部において、長手方向に沿って設けられている。各搬送部１２には、このＴＡＢ用テープキャリア１を搬送するために、スプロケットなどと噛み合わせるための複数の送り孔１３が、それぞれ幅方向において対向するように形成されている。各送り孔１３は、ＴＡＢ用テープキャリア１の長手方向において、等間隔毎に、ＴＡＢ用テープキャリア１を貫通する（金属支持層２および絶縁層３を貫通する）ように穿孔されている。なお、各送り孔１３は、例えば、１．９８１×１．９８１ｍｍの角孔形状に穿孔され、各送り孔１３の間隔は、例えば、４．７５ｍｍに設定されている。
次に、このＴＡＢ用テープキャリア１の製造方法について説明する。
この方法では、まず、図４（ａ）に示すように、金属支持層２を用意する。金属支持層２には、ステンレス箔、銅箔、銅合金箔などが用いられる。また、その厚さは、例えば、３〜１００μｍ、好ましくは、５〜３０μｍ、さらに好ましくは、８〜２０μｍである。また、その幅は、例えば、１００〜１０００ｍｍ、好ましくは、１５０〜４００ｍｍである。
また、金属支持層２は、表面光沢度が、１５０〜５００％、好ましくは、１５０〜３００％のものが用意される。表面光沢度が１５０％未満であると、後述するように、電子部品２１を実装するときの位置合わせが困難となる。また、５００％を超えると、後述する導体パターン４の形状の検査において、誤判定が生じやすくなる。
表面光沢度は、ＪＩＳ Ｚ ８７４１に準拠して求めることができ、通常の光沢度計によって測定することができる。
また、金属支持層２の表面光沢度は、例えば、金属支持層２の製造時の圧延工程において、上記の範囲に調整することができ、また、表面光沢度の高い金属支持層２に対しては、薬液などによる粗面化処理により、上記の範囲に調整することができる。
なお、図４および図５においては、１列のＴＡＢ用テープキャリア１について示しているが、通常は、金属支持層２の幅方向に複数列のＴＡＢ用テープキャリア１を同時に作製した後、１列ごとにスリットする。
例えば、幅２５０ｍｍのステンレス箔では、幅４８ｍｍのＴＡＢ用テープキャリア１を４列、幅３００ｍｍのステンレス箔では、幅７０ｍｍのＴＡＢ用テープキャリア１を４列同時に作製する。
次いで、図４（ｂ）に示すように、その金属支持層２の上に絶縁層２を形成する。絶縁層２を形成する絶縁体としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの合成樹脂が用いられ、好ましくは、ポリイミド樹脂が用いられる。
そして、金属支持層２の上に絶縁層２を形成するには、例えば、樹脂溶液を金属支持層２の上に塗布し、乾燥後に加熱硬化させる。樹脂溶液は、上記した樹脂を、有機溶媒などに溶解して調製できる。樹脂溶液としては、例えば、ポリイミドの前駆体であるポリアミック酸樹脂の溶液などが用いられる。また、樹脂の塗布は、ドクターブレード法、スピンコート法などの公知の塗布方法が用いられる。そして、適宜加熱により乾燥させた後、例えば、２００〜６００℃で加熱硬化させることにより、金属支持層２の上に、可撓性を有する樹脂フィルムからなる絶縁層２を形成する。
また、絶縁層２は、予めフィルム状に形成された樹脂フィルムを、接着剤を介して金属支持層２に貼着することにより、形成することもできる。
さらに、絶縁層２は、例えば、感光性ポリアミック酸樹脂などの感光性樹脂の溶液を、金属支持層２の上に塗布し、露光および現像することにより、所定のパターンとして形成することもできる。
このようにして形成される絶縁層２の厚みは、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、３０μｍ以下、さらに好ましくは、１５μｍ以下、通常、３μｍ以上である。
次いで、この方法では、この絶縁層２の表面に、導体パターン７を、上記した配線回路パターンとして形成する。導体パターン４を形成するための導体としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などが用いられる。好ましくは、銅が用いられる。また、導体パターン４の形成は、特に制限されることなく、絶縁層２の表面に、導体パターン４を、例えば、サブトラクティブ法、アディティブ法などの公知のパターンニング法によって形成する。導体パターン４をファインピッチで形成できる観点から、これらパターンニング法のうちでは、好ましくは、図４（ｃ）〜図５（ｈ）に示すように、アディティブ法が用いられる。
すなわち、アディティブ法では、まず、図４（ｃ）に示すように、絶縁層２の全面に、種膜１４となる導体の薄膜を形成する。種膜１４の形成は、真空蒸着法、好ましくは、スパッタ蒸着法が用いられる。また、種膜１４となる導体は、好ましくは、クロムや銅などが用いられる。より具体的には、例えば、絶縁層２の全面に、クロム薄膜と銅薄膜とをスパッタ蒸着法によって、順次に形成する。なお、種膜１４の形成においては、例えば、クロム薄膜の厚さが、１００〜６００Å、銅薄膜の厚さが、５００〜２０００Åとなるように設定する。
次いで、この方法では、図４（ｄ）に示すように、ＴＡＢ用テープキャリア１の幅方向両側縁部において、長手方向に沿って、上記した複数の送り孔１３を、金属支持層２、絶縁層２および種膜１４の厚さ方向を貫通するように穿孔する。送り孔１３の穿孔は、例えば、ドリル穿孔、レーザ加工、パンチング加工、エッチングなどの公知の加工方法が用いられる。好ましくは、パンチング加工が用いられる。
そして、この方法では、図５（ｅ）に示すように、種膜１４の上に、上記した配線回路パターンの反転パターンで、めっきレジスト１５を形成する。めっきレジスト１５は、例えば、ドライフィルムレジストなどを用いて公知の方法により、所定のレジストパターンとして形成する。なお、このめっきレジスト１５は、金属支持層２の全面にも形成する。
次いで、図５（ｆ）に示すように、めっきレジスト１５から露出する種膜１４の上に、電解めっきにより、導体パターン４を上記した配線回路パターンで形成する。電解めっきは、好ましくは、電解銅めっきが用いられる。
そして、図５（ｇ）に示すように、めっきレジスト１５を、例えば、化学エッチング（ウェットエッチング）などの公知のエッチング法または剥離によって除去した後、図５（ｈ）に示すように、導体パターン４から露出する種膜１４を、同じく、化学エッチング（ウェットエッチング）など公知のエッチング法により除去する。
これによって、絶縁層２の上に、導体パターン４が、上記したように、インナリード７、アウタリード８および中継リード９が連続して一体的に形成される配線８の配線回路パターンとして形成される。なお、導体パターン４の厚みは、例えば、３〜５０μｍ、好ましくは、５〜２５μｍである。
そして、この方法では、この段階において、導体パターン４の形状の良否を光学的に検査する。この検査は、図６に示すように、導体パターン４を含む絶縁層３の上方に、光源２２および光センサ２３を備える検査装置２４を対向配置して、光源２２から導体パターン４を含む絶縁層３に向けて光を照射し、導体パターン４で反射した光を、光センサ２３で検知することにより、導体パターン４の形状の良否を判定する。
この検査では、光源２２から照射された光が、絶縁層３を透過して、金属支持層２で反射しても、金属支持層２の表面光沢度が５００％以下に設定されているので、金属支持層２からの反射光を拡散させることができる。そのため、検査の誤判定を低減して、検査精度の向上を図ることができる。
次いで、この方法では、図５（ｉ）に示すように、被覆層１１を、各配線８の中継リード１１が被覆され、かつ、実装部１０を囲む矩形枠状に形成する。被覆層１１は、感光性ソルダレジストなどを用いる公知の方法によって、形成する。
その後、図示しないが、各配線８における露出部分、すなわち、インナリード９およびアウタリード１０を、ニッケルめっき層および金めっき層によって被覆する。ニッケルめっき層および金めっき層は、例えば、ニッケルめっきおよび金めっきにより、それぞれ形成する。
そして、図５（ｊ）に示すように、金属支持層２における導体パターン形成部５に対応する位置に、開口部１６を形成することにより、ＴＡＢ用テープキャリア１を得る。
金属支持層２に開口部１６を形成するには、金属支持層２における導体パターン形成部５に対向する部分を、例えば、ドリル穿孔、パンチ加工、ウエットエッチング（化学エッチング）などの公知の方法によって、開口する。例えば、エッチングするには、開口部１６以外をエッチングレジストによって被覆した後、塩化第二鉄溶液などの公知のエッチング液を用いてエッチングした後、エッチングレジストを除去する。その後、金属支持層２の幅方向に複数列のＴＡＢ用テープキャリア１を作製している場合は、１列ごとにスリットする。
なお、金属支持層２の幅方向に複数列のＴＡＢ用テープキャリア１を同時に作製した後、１列ごとにスリットする場合は、ＴＡＢ用テープキャリア１間のスリット部の金属支持層２は、開口部１６と同時に除去する。
このようにして得られるＴＡＢ用テープキャリア１では、上記したように、金属支持層２の表面光沢度が５００％以下に設定されているので、ファインピッチで形成される導体パターン４の形状の良否が、正確かつ確実に判定される。そのため、信頼性の高い導体パターン４が形成されたＴＡＢ用テープキャリア１として得ることができる。
また、このＴＡＢ用テープキャリア１において、電子部品２１を実装する場合には、例えば、図７に示すように、電子部品２１と、絶縁層３の表面（導体パターン４が形成されている面）とに、位置決めのためのマーク２５および２６をそれぞれ設けて、絶縁層３における開口部１６に対応する下方に、光源２７および光センサ２８を備える位置検知装置２９を対向配置して、光源２７から各マーク２５および２６に向けて光を照射し、各マーク２５および２６で反射した光を、光センサ２８で検知することにより、これらマーク２５および２６を、認識しながら互いに位置合わせするようにしている。
しかるに、絶縁層３の裏面には、開口部１６内において、図５（ｊ）に示す開口部１６を形成する工程において除去された金属支持層２が転写され、わずかに残留しているので、金属支持層２の表面光沢度が１５０％未満であると、絶縁層３の開口部１６内のヘイズ値が高くなり、光源２７から照射する光およびマーク２５および２６から反射する光が、絶縁層３を透過しにくくなり、電子部品２１の位置合わせに支障を生じる。
しかし、このＴＡＢ用テープキャリア１では、上記したように、金属支持層２の表面光沢度が１５０％以上に設定されているので、この金属支持層２の開口により開口部１６から露出する絶縁層３のヘイズ値が、過度に高くなることが防止されている。そのため、電子部品２１を位置決めするのための光を、この絶縁層３において、良好に透過させることができる。その結果、精度よく電子部品２１を実装することができる。
また、このような観点から、開口部１６内の絶縁層３のヘイズ値は、２０〜５０％、好ましくは、３０〜４５％に設定される。ヘイズ値は、下記式（１）にて示され、ＪＩＳ Ｋ ７１０５ ５．５に準拠して、例えば、反射・透過率計（村上色彩技術研究所製：ＨＲ−１００型）により、測定することができる。
開口部１６内の絶縁層３のヘイズ値を、２０〜５０％に設定すれば、電子部品２１を位置決めするのための光を、この絶縁層３において、良好に透過させることができる。その結果、精度よく電子部品２１を実装することができる。
ヘイズ値（％）＝Ｔｄ／Ｔｔ ×１００ （１）
Ｔｄ：全光線透過率（％） Ｔｔ：拡散透過率（％）
なお、上記の説明では、本発明の配線回路基板を、ＴＡＢ用テープキャリアを例示して説明したが、本発明の配線回路基板は、これに限定されず、他の配線回路基板にも広く適用することができる。
以下、実施例および比較例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。
なお、以下の実施例では、幅２５０ｍｍのステンレス箔を用いて、幅４８ｍｍのＴＡＢ用テープキャリアを４列同時に作製する操作を、複数回繰り返した。
実施例１
表面光沢度２００％のステンレス箔（ＳＵＳ３０４、厚さ２０μｍ、幅２５０ｍｍ）からなる金属支持層を用意し（図４（ａ）参照）、ポリアミック酸樹脂の溶液を塗布し、乾燥後、加熱硬化させて、厚さ２５μｍのポリイミド樹脂からなる絶縁層を形成した（図４（ｂ）参照）。次いで、絶縁層の表面に、スパッタ蒸着法により、厚さ３００Åのクロム薄膜および厚さ２０００Åの銅薄膜を順次形成することにより、種膜を形成した（図４（ｃ）参照）。
その後、送り孔を、金属支持層、絶縁層および種膜の厚さ方向を貫通するように、パンチング加工により穿孔した後（図４（ｄ）参照）、めっきレジストを、種膜の表面に所定のパターンとして形成するとともに、金属支持層の全面に形成した（図５（ｅ）参照）。
次いで、これを、電解硫酸銅めっき液中に浸漬して、めっきレジストから露出する種膜の上に、２．５Ａ／ｄｍ２で約２０分間電解銅めっきすることにより、厚さ１０μｍの導体パターンを形成した（図５（ｆ）参照）。
なお、この導体パターンは、互いに所定間隔を隔てて配置され、インナリード、アウタリードおよび中継リードが連続して一体的に形成される複数の配線のパターンとして形成された。また、インナリードのピッチが３０μｍ、アウタリードのピッチが１００μｍであった。
次いで、めっきレジストを化学エッチングによって除去した後（図５（ｇ）参照）、導体パターンから露出する種膜を、同じく、化学エッチングにより除去した。（図５（ｈ）参照）。
その後、自動外観検査装置を用いて、光反射法により、導体パターンの形状に基づく、配線間の短絡の有無を検査し、良品と不良品とを判定して選別した。その後、電気的な導通検査により確認検査を実施して、自動外観検査装置による誤判定がないことを確認した。
その後、感光性ソルダレジストを、各配線の中継リードが被覆されるように、導体パターン形成部を囲むようにして形成した後（図５（ｉ）参照）、インナリードおよびアウタリードを、ニッケルめっきおよび金めっきすることにより被覆した。
そして、金属支持層における導体パターン形成部およびスリット形成部と対応する位置以外を、エッチングレジストによって被覆した後、塩化第二鉄溶液を用いて、金属支持層をエッチングすることにより、開口部およびＴＡＢ用テープキャリア間のスリット部を形成した（図５（ｊ）参照）。これによって、ＴＡＢ用テープキャリアを得た。得られたＴＡＢ用テープキャリアの絶縁層のヘイズ値は、４０％であった。
続いて、得られたＴＡＢ用テープキャリアに、ＩＣ実装機（インナリードボンディング）を用いて、位置検知装置で光反射法により位置決めしながら、ＩＣチップを実装した。この実装においては、ＩＣチップおよび導体パターンのマークを十分認識することができ、正確な位置にＩＣチップを実装することができた。
実施例２
表面光沢度４５０％のステンレス箔を用いた以外は、実施例１と同様にして、ＴＡＢ用テープキャリアを得た。なお、このＴＡＢ用テープキャリアの、導体パターンの形状の光反射法による検査では、その後の導通検査により、誤判定がないことが確認された。
また、得られたＴＡＢ用テープキャリアの絶縁層のヘイズ値は、２０％であった。得られたＴＡＢ用テープキャリアに、実施例１と同様にして、ＩＣチップを実装したところ、正確な位置にＩＣチップを実装することができた。
比較例１
表面光沢度８００％のステンレス箔を用いた以外は、実施例１と同様にして、ＴＡＢ用テープキャリアを得た。なお、このＴＡＢ用テープキャリアの、導体パターンの形状の光反射法による検査において、良品とされたものの中に、その後の導通検査において、短絡している不良品が混在していることが確認された。
また、得られたＴＡＢ用テープキャリアの絶縁層のヘイズ値は、５％であった。
比較例２
表面光沢度１００％のステンレス箔を用いた以外は、実施例１と同様にして、ＴＡＢ用テープキャリアを得た。なお、このＴＡＢ用テープキャリアの、導体パターンの形状の光反射法による検査では、その後の導通検査により、誤判定がないことが確認された。
また、得られたＴＡＢ用テープキャリアの絶縁層のヘイズ値は、６０％であった。得られたＴＡＢ用テープキャリアに、実施例１と同様にして、ＩＣチップを実装したところ、光反射法では、ＩＣチップおよび導体パターンのマークを十分認識することができず、ＩＣチップの実装において位置ずれが確認された。
本発明の配線回路基板の一実施形態としてのＴＡＢ用テープキャリアを示す部分平面図である。 図１に示すＴＡＢ用テープキャリアの部分拡大平面図である。 図３は、図１に示すＴＡＢ用テープキャリアの部分背面図である。 図１に示すＴＡＢ用テープキャリアを製造するための製造工程図の、図２におけるＡ−Ａ’線断面であって、（ａ）は、金属支持層を用意する工程、（ｂ）は、金属支持層の上に絶縁層を形成する工程、（ｃ）は、絶縁層の全面に種膜を形成する工程、（ｄ）は、送り孔を穿孔する工程を示す。 図４に続いて、図１に示すＴＡＢ用テープキャリアを製造するための製造工程図の、図２におけるＡ−Ａ’線断面であって、（ｅ）は、種膜の上にめっきレジストを形成する工程、（ｆ）は、めっきレジストから露出する種膜に、電解めっきにより、導体パターンを形成する工程、（ｇ）は、めっきレジストを除去する工程、（ｈ）は、導体パターンから露出する種膜を除去する工程、（ｉ）は、被覆層を形成する工程、（ｊ）は、金属支持層における導体パターン形成部に対応する位置に開口部を形成する工程を示す。 図１に示すＴＡＢ用テープキャリアの製造において、導体パターンの形状の良否を光学的に検査する工程を説明するための説明図である。 図１に示すＴＡＢ用テープキャリアに、電子部品を実装するときの位置合わせを説明するための説明図である。 従来のＴＡＢ用テープキャリアの製造において、導体パターンの形状の良否を光学的に検査する工程を説明するための説明図である。
符号の説明
１ ＴＡＢ用テープキャリア
２ 金属支持層
３ 絶縁層
４ 導体パターン

Claims (2)

  1. 表面光沢度が１５０〜５００％の金属支持層と、前記金属支持層の上に形成された絶縁層と、前記絶縁層の上に形成された導体パターンとを備えていることを特徴とする、配線回路基板。
  2. ヘイズ値が２０〜５０％の絶縁層と、前記絶縁層の上に形成された導体パターンとを備えていることを特徴とする、配線回路基板。
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