JP2009117424A - 配線回路基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】異物を精度良く検査できながら、配線回路基板が過度に加熱されることを防止することのできる、配線回路基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】ベース絶縁層2を用意し、配線6をベース絶縁層2の上に形成し、カバー絶縁層5を、ベース絶縁層2の上に配線6を被覆するように形成し、波長が700nmを超過し、950nm未満の光を、カバー絶縁層5へ照射して、そのカバー絶縁層5からの反射光により、異物11を検査する。これにより、異物11がカバー絶縁層5に存在する場合には、配線6および異物11において反射する反射光、または、異物11がカバー絶縁層5に存在しない場合には、配線6において反射する反射光により、異物11の有無を精度よく検査することができる。同時に、光の波長が700nmを超過し、950nm未満であるため、配線回路基板1が過度に加熱されることを防止することができる。
【選択図】図2
【解決手段】ベース絶縁層2を用意し、配線6をベース絶縁層2の上に形成し、カバー絶縁層5を、ベース絶縁層2の上に配線6を被覆するように形成し、波長が700nmを超過し、950nm未満の光を、カバー絶縁層5へ照射して、そのカバー絶縁層5からの反射光により、異物11を検査する。これにより、異物11がカバー絶縁層5に存在する場合には、配線6および異物11において反射する反射光、または、異物11がカバー絶縁層5に存在しない場合には、配線6において反射する反射光により、異物11の有無を精度よく検査することができる。同時に、光の波長が700nmを超過し、950nm未満であるため、配線回路基板1が過度に加熱されることを防止することができる。
【選択図】図2
Description
本発明は、配線回路基板の製造方法、詳しくは、COF基板、フレキシブル配線回路基板などの配線回路基板の製造方法に関する。
COF基板、フレキシブル配線回路基板などの配線回路基板は、ベース絶縁層と、その上に形成される配線と、配線を被覆するカバー絶縁層とを備えている。かかる配線回路基板の製造方法において、カバー絶縁層内に、金属異物などが混入すると、配線間の短絡を生じるため、このような金属異物の有無を検査する必要がある。
例えば、基材に、導体パターンと、レジスト印刷およびシルク印刷とが積層されたプリント基板に、波長2.8〜3.4μmまたは3.5〜4.6μmの赤外光を照射して、レジスト印刷およびシルク印刷を透過し、異物において反射される反射光により異物を検査する検査方法が提案されている(例えば、特許文献1参照。)。
国際公開2004/023122号明細書
例えば、基材に、導体パターンと、レジスト印刷およびシルク印刷とが積層されたプリント基板に、波長2.8〜3.4μmまたは3.5〜4.6μmの赤外光を照射して、レジスト印刷およびシルク印刷を透過し、異物において反射される反射光により異物を検査する検査方法が提案されている(例えば、特許文献1参照。)。
しかし、上記した特許文献1で提案される検査方法では、プリント基板が、上記した範囲の波長の赤外光によって過度に加熱されるため、とりわけ、柔軟かつ薄型で形成されるプリント基板では、うねりや反りなどの変形を生じ易くなる。また、上記した特許文献1で提案される検査方法では、赤外光の光源としてLEDを使用できず、そのため、赤外光の指向性の不良、光量の不安定化および光源の短寿命化を招くなどの不具合もある。
本発明の目的は、異物を精度良く検査できながら、配線回路基板が過度に加熱されることを防止することのできる、配線回路基板の製造方法を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明の配線回路基板の製造方法は、ベース絶縁層を用意する工程と、前記ベース絶縁層の上に、配線を形成する工程と、前記ベース絶縁層の上に、前記配線を被覆するようにカバー絶縁層を形成する工程と、波長が700nmを超過し、950nm未満の光を、前記カバー絶縁層へ照射して、前記カバー絶縁層からの反射光により、異物を検査する工程とを備えていることを特徴としている。
また、本発明の配線回路基板の製造方法では、前記光の波長が、750nmを超過し、900nm未満であることが好適である。
また、本発明の配線回路基板の製造方法では、前記異物が、銅、錫およびステンレスからなる群から選択される少なくとも1種の金属材料からなることが好適である。
また、本発明の配線回路基板の製造方法では、前記異物が、銅、錫およびステンレスからなる群から選択される少なくとも1種の金属材料からなることが好適である。
本発明の配線回路基板の製造方法によれば、波長が700nmを超過し、950nm未満の光をカバー絶縁層へ照射して、カバー絶縁層からの反射光、つまり、異物がカバー絶縁層に存在する場合には、配線および異物において反射する反射光、または、異物がカバー絶縁層に存在しない場合には、配線において反射する反射光により、異物の有無を精度よく検査することができる。
同時に、この検査において、光の波長が700nmを超過し、950nm未満であるため、配線回路基板が過度に加熱されることを防止することができる。そのため、配線回路基板における変形を有効に防止することができる。
図1は、本発明の配線回路基板の製造方法により製造される配線回路基板の一実施形態の幅方向(長手方向に直交する方向)に沿う断面図、図2は、本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態の工程図、図3は、図2の実施形態を実施するための製造装置の概略構成図、図4は、後述する検査工程を実施するための検査装置の概略構成図である。
図1において、この配線回路基板1は、長手方向に延びる平帯シート形状に形成されるフレキシブル配線回路基板であって、ベース絶縁層2と、ベース絶縁層2の上に形成される導体パターン3と、ベース絶縁層2の上に、導体パターン3を被覆するように形成されるカバー絶縁層5とを備えている。
図1において、この配線回路基板1は、長手方向に延びる平帯シート形状に形成されるフレキシブル配線回路基板であって、ベース絶縁層2と、ベース絶縁層2の上に形成される導体パターン3と、ベース絶縁層2の上に、導体パターン3を被覆するように形成されるカバー絶縁層5とを備えている。
ベース絶縁層2を形成する絶縁材料としては、例えば、ポリイミド、ポリアミドイミド、アクリル、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニルなどの合成樹脂が用いられる。好ましくは、耐熱性や、光に対する反射特性などの観点から、ポリイミドが用いられる。
ベース絶縁層2は、長手方向に延びる配線回路基板1の外形形状に対応して、平帯シート形状に形成されている。また、ベース絶縁層2の厚みは、例えば、5〜50μm、好ましくは、10〜40μmである。
導体パターン3を形成する導体材料としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などの導体材料が用いられる。好ましくは、電気抵抗や、光に対する反射特性の観点から、銅が用いられる。
導体パターン3を形成する導体材料としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などの導体材料が用いられる。好ましくは、電気抵抗や、光に対する反射特性の観点から、銅が用いられる。
導体パターン3は、長手方向に沿って延び、幅方向において互いに間隔を隔てて並列配置される配線6と、各配線6の長手方向両端部に配置される図示しない端子部とを一体的に備えている。また、各配線6は、カバー絶縁層5に被覆される一方で、図示しない各端子部は、カバー絶縁層5から露出している。また、導体パターン3は、断面(幅方向断面)視略矩形状に形成されている。
導体パターン3の厚みは、例えば、3〜30μm、好ましくは、5〜20μmである。また、各配線6および各端子部間の幅(幅方向長さ)は、同一または相異なっていてもよく、例えば、5〜500μm、好ましくは、15〜200μmであり、各配線6間の間隔(幅方向における間隔)および各端子部間の間隔は、同一または相異なっていてもよく、例えば、5〜200μm、好ましくは、5〜100μmである。
カバー絶縁層5は、配線6を被覆してこれを電気的に封止する。カバー絶縁層5を形成する絶縁材料としては、上記したベース絶縁層2を形成する絶縁材料と同様の絶縁材料や、さらに、ソルダーレジストなどの絶縁材料が用いられる。好ましくは、絶縁材料として、光に対する透過特性の観点から、ソルダーレジストやポリイミドが用いられる。また、上記した絶縁材料には、好ましくは、顔料などが配合されている。
顔料は、後述する異物11の検査を容易にするために必要により配合され、例えば、有機顔料が用いられる。有機顔料としては、例えば、緑色顔料、青色顔料、黄色顔料、赤色顔料などが用いられ、好ましくは、緑色顔料が用いられる。緑色顔料としては、フタロシアニン・グリーンやアイオジン・グリーンなどが用いられる。また、緑色顔料としては、例えば、青色顔料と黄色顔料との混合顔料が用いられ、例えば、フタロシアニンブルーと、ジスアゾイエローとの混合顔料が用いられる。また、これら顔料は、単独使用または併用することができる。
顔料の含有割合は、カバー絶縁層5において、例えば、0.2〜5重量%、好ましくは、0.5〜1.5重量%である。顔料(例えば、緑色顔料)の配合割合が上記した範囲内であれば、後述するカバー絶縁層5の700nmを超過し、950nm未満の波長の光に対する透過率を所定の範囲に設定することができる。
カバー絶縁層5は、ベース絶縁層2の表面に、配線6を被覆し、かつ、端子部を露出するように、形成されている。
カバー絶縁層5は、ベース絶縁層2の表面に、配線6を被覆し、かつ、端子部を露出するように、形成されている。
また、カバー絶縁層5は、700nmを超過し、950nm未満の波長の光に対する透過率が、例えば、30〜100%、好ましくは、65〜100%である。とりわけ、750nmを超過し、900nm未満の波長の光に対する透過率が、例えば、45〜100%、好ましくは、65〜100%である。さらには、825〜875nmの波長の光に対する透過率が、例えば、70〜75%である。上記した特定波長の光に対する透過率が上記範囲内であれば、異物11を安定して検査することができる。
また、カバー絶縁層5の厚みは、例えば、10〜50μm、好ましくは、14〜20μmである。
カバー絶縁層5の厚みが上記範囲内であれば、カバー絶縁層5の特定波長の光に対する透過率を上記範囲に設定することができる。
また、導体パターン3の表面には、必要により、金属薄膜4が設けられている。すなわち、この場合には、金属薄膜4は、導体パターン3およびカバー絶縁層5の間に介在されている。また、金属薄膜4を形成する金属材料としては、例えば、錫、ニッケル、金、クロム、チタン、ジルコニウム、または、これらの合金などが用いられ、好ましくは、錫が用いられる。金属薄膜4の厚みは、例えば、0.2〜5μm、好ましくは、0.5〜2μmである。
カバー絶縁層5の厚みが上記範囲内であれば、カバー絶縁層5の特定波長の光に対する透過率を上記範囲に設定することができる。
また、導体パターン3の表面には、必要により、金属薄膜4が設けられている。すなわち、この場合には、金属薄膜4は、導体パターン3およびカバー絶縁層5の間に介在されている。また、金属薄膜4を形成する金属材料としては、例えば、錫、ニッケル、金、クロム、チタン、ジルコニウム、または、これらの合金などが用いられ、好ましくは、錫が用いられる。金属薄膜4の厚みは、例えば、0.2〜5μm、好ましくは、0.5〜2μmである。
次に、本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態としての配線回路基板1の製造方法について、図2〜図4を参照して、説明する。
この方法では、図3に示すように、例えば、搬送装置13を用いるロール・トゥ・ロール法により配線回路基板1を形成する。搬送装置13は、例えば、互いに間隔を隔てて配置される巻出ロール16および巻取ロール17を備えている。巻出ロール16および巻取ロール17は、例えば、樹脂材料(例えば、ポリエチレン(PE)やポリプロピレン(PP)など)などの絶縁材料から形成されている。
この方法では、図3に示すように、例えば、搬送装置13を用いるロール・トゥ・ロール法により配線回路基板1を形成する。搬送装置13は、例えば、互いに間隔を隔てて配置される巻出ロール16および巻取ロール17を備えている。巻出ロール16および巻取ロール17は、例えば、樹脂材料(例えば、ポリエチレン(PE)やポリプロピレン(PP)など)などの絶縁材料から形成されている。
ロール・トゥ・ロール法では、例えば、後述する各工程(図2(a)〜(d’)ごとに、巻出ロール16にロール状に巻回された長尺状の剥離シート10(またはベース絶縁層2)を、巻取ロール17に向けて巻き出し、巻取ロール17で巻き取るようにロール搬送しており、このロール搬送の途中において、図2に示す各工程を順次実施している。なお、剥離シート10を巻き取った巻取ロール17は、次の工程において、そのまま巻出ロール16として用いることができる。
まず、この方法では、図2(a)に示すように、ベース絶縁層2を用意する。ベース絶縁層2は、仮想線で示す剥離シート10の上に、合成樹脂のワニスを塗布し、乾燥後、必要により硬化させることにより、用意する。また、剥離シート10の上に、感光性の合成樹脂のワニスを塗布し、乾燥後、露光し、次いで、現像して上記したパターンに加工し、必要により硬化することにより、ベース絶縁層2を用意する。あるいは、ベース絶縁層2を、図2(a)の実線に示すように、剥離シート10を用いず、合成樹脂の長尺状のシートとして予め用意する。
なお、剥離シート10は、長手方向に延びる平帯形状に形成されており、剥離シート10を形成する材料としては、例えば、ステンレスなどの金属材料や、例えば、PET、PE、PPなどの樹脂材料が用いられる。好ましくは、補強性の観点から、ステンレスが用いられる。なお、ステンレスとしては、例えば、クロム系やニッケル・クロム系などが挙げられ、具体的には、AISI(米国鉄鋼協会)の規格に基づいて、例えば、SUS301、SUS304、SUS305、SUS309、SUS310、SUS316、SUS317、SUS321、SUS347などが用いられる。剥離シート10の厚みは、例えば、3〜100μm、好ましくは、5〜30μmである。
次いで、この方法では、図2(b)に示すように、導体パターン3を、ベース絶縁層2の上に、配線6および端子部を有する配線回路パターンで形成する。導体パターン3は、例えば、サブトラクティブ法やアディティブ法などの公知のパターンニング法によって形成する。
続いて、この方法では、金属薄膜4を、配線6を含む導体パターン3の表面に形成する。金属薄膜4は、例えば、無電解めっきなどのめっきにより、積層する。
続いて、この方法では、金属薄膜4を、配線6を含む導体パターン3の表面に形成する。金属薄膜4は、例えば、無電解めっきなどのめっきにより、積層する。
次いで、この方法では、図2(c)に示すように、カバー絶縁層5を、ベース絶縁層2の上に、金属薄膜4を被覆するように、上記したパターンで形成する。
カバー絶縁層5を形成するには、例えば、顔料を必要により含む樹脂溶液の塗布、あるいは、顔料を必要により含む樹脂シートの貼着などの公知の方法により形成される。
樹脂溶液の塗布では、まず、上記した合成樹脂の溶液と、顔料とを適宜の割合で配合することにより、樹脂溶液(ワニス)を調製する。
カバー絶縁層5を形成するには、例えば、顔料を必要により含む樹脂溶液の塗布、あるいは、顔料を必要により含む樹脂シートの貼着などの公知の方法により形成される。
樹脂溶液の塗布では、まず、上記した合成樹脂の溶液と、顔料とを適宜の割合で配合することにより、樹脂溶液(ワニス)を調製する。
次いで、ワニスをベース絶縁層2および金属薄膜4の上に塗布して、カバー皮膜を形成する。ワニスの塗布では、例えば、スクリーン印刷、キャスティングなどの塗布方法が用いられる。その後、形成されたカバー皮膜を、例えば、100〜180℃、30〜120分間加熱して乾燥して、カバー皮膜を形成する。
また、樹脂溶液に、さらに、感光剤を含有させて、フォト加工により、上記したパターンでカバー絶縁層5を形成することもできる。
また、樹脂溶液に、さらに、感光剤を含有させて、フォト加工により、上記したパターンでカバー絶縁層5を形成することもできる。
フォト加工によりカバー絶縁層5を形成するには、例えば、顔料および感光剤を含むワニス(感光性の合成樹脂および顔料のワニス)を、金属薄膜4を含むベース絶縁層2の表面全面に塗布して乾燥させて、カバー皮膜を形成する。次いで、カバー皮膜を、フォトマスクを介して、露光後、現像して、パターンに加工して、必要により硬化させることにより、カバー絶縁層5を形成することができる。
樹脂シートの貼着では、上記したパターンに予め形成した絶縁材料(必要により顔料を含む)のシートを、公知の接着剤を介して、ベース絶縁層2および金属薄膜4の上に積層する。
これにより、カバー絶縁層5を形成することができる。
その後、図2(d)に示すように、剥離シート10を、例えば、エッチング、剥離などにより除去する。
これにより、カバー絶縁層5を形成することができる。
その後、図2(d)に示すように、剥離シート10を、例えば、エッチング、剥離などにより除去する。
これにより、配線回路基板1(異物11の検査前の配線回路基板1)を形成する。
その後、図2(d)および(d’)に示すように、配線回路基板1における異物11を検査する。具体的には、異物11の検査において、図4に示す検査装置12が用いられる。
検査装置12は、巻出ロール16および巻取ロール17の間に配置されている。検査装置12は、巻出ロール16および巻取ロール17間に搬送される配線回路基板1の厚み方向上側に配置される発光部14と、発光部14と厚み方向上側に対向配置される受光部15とを備えている。
その後、図2(d)および(d’)に示すように、配線回路基板1における異物11を検査する。具体的には、異物11の検査において、図4に示す検査装置12が用いられる。
検査装置12は、巻出ロール16および巻取ロール17の間に配置されている。検査装置12は、巻出ロール16および巻取ロール17間に搬送される配線回路基板1の厚み方向上側に配置される発光部14と、発光部14と厚み方向上側に対向配置される受光部15とを備えている。
発光部14は、搬送方向に間隔を隔てて対向配置されている。各発光部14は、配線回路基板1に対向する下面が、光が発光される発光面となり、各発光面から発光される光が各発光部14の中間において配線回路基板1に集光されるように、その集光部分(配線回路基板1の幅方向に沿う集光ライン)を中心として傾斜する線対称で配置されている。
具体的には、各発光部14は、例えば、波長が700nmを超過し、950nm未満の光(好ましくは、750nmを超過し、900nm未満の光、さらに好ましくは、825〜875nmの光)を発光できるランプであって、好ましくは、光源として、上記波長を含む光の波長を照射可能な近赤外LED(発光ダイオード)が用いられる。
具体的には、各発光部14は、例えば、波長が700nmを超過し、950nm未満の光(好ましくは、750nmを超過し、900nm未満の光、さらに好ましくは、825〜875nmの光)を発光できるランプであって、好ましくは、光源として、上記波長を含む光の波長を照射可能な近赤外LED(発光ダイオード)が用いられる。
受光部15は、厚み方向において配線回路基板1の上側に間隔を隔てて配置され、搬送方向において各発光部14間に配置されている。また、受光部15は、その下面が、光が受光される受光面となり、その受光面が集光部分の上側に対向配置されている。
具体的には、受光部15は、例えば、近赤外線カメラ、CCDカメラなどからなり、好ましくは、汎用性の観点から、CCDカメラ、より具体的には、配線回路基板1における搬送方向に直交するライン(集光ライン)を読み取り可能なCCDラインスキャンカメラからなる。
具体的には、受光部15は、例えば、近赤外線カメラ、CCDカメラなどからなり、好ましくは、汎用性の観点から、CCDカメラ、より具体的には、配線回路基板1における搬送方向に直交するライン(集光ライン)を読み取り可能なCCDラインスキャンカメラからなる。
受光支持台18は、搬送される配線回路基板1の下側に配置されている。受光支持台18は、その上面が配線回路基板1の下面と摺動自在に接触しており、これにより、配線回路基板1を支持している。
なお、この検査装置12では、発光部14から照射される光と、受光部15に受光される光とのなす角度θが、例えば、0〜90度、好ましくは、10〜60度に設定されている。また、発光部14の発光面および配線回路基板1の集光部分間の長さが、例えば、5〜30mm、好ましくは、10〜15mmに設定されている。また、配線回路基板1の集光部分および受光部15の受光面間の長さが、例えば、100〜130mmに設定されている。
なお、この検査装置12では、発光部14から照射される光と、受光部15に受光される光とのなす角度θが、例えば、0〜90度、好ましくは、10〜60度に設定されている。また、発光部14の発光面および配線回路基板1の集光部分間の長さが、例えば、5〜30mm、好ましくは、10〜15mmに設定されている。また、配線回路基板1の集光部分および受光部15の受光面間の長さが、例えば、100〜130mmに設定されている。
そして、巻出ロール16に巻回されている配線回路基板1を、検査装置12の受光支持台18と接触するように、巻取ロール17に向けて巻き出しながら、発光部14および受光部15により配線回路基板1における異物11を検査する。
すなわち、図2(d’)に示すように、異物11は、不良品として判定される配線回路基板1のカバー絶縁層5中に存在している。異物11の材料は、配線回路基板1の製造に由来する材料であって、例えば、剥離シート10を形成する材料、ベース絶縁層2を形成する絶縁材料、導体パターン3を形成する導体材料、金属薄膜4を形成する金属材料などの配線回路基板1の材料や、例えば、配線回路基板1の製造装置(搬送装置13)の巻出ロール16および巻取ロール17を形成する樹脂材料などが挙げられる。とりわけ、上記したカバー絶縁層5の機能(配線6に対する封止機能)を損なわせる材料からなる異物11が含まれている場合には、配線回路基板1は確実に不良品であると判定して、その配線回路基板1を除去するかまたはマーク(不良品であることを示す印を付与)する必要がある。そのため、検知すべき異物11を形成する材料としては、とりわけ、剥離シート10を形成する金属材料、導体パターン3を形成する導体材料、金属薄膜4を形成する金属材料が挙げられ、より具体的には、銅、錫、ステンレスなどの金属材料が挙げられる。なお、ステンレスとしては、上記した剥離シート10に用いられる各種ステンレスと同様のものが挙げられる。
すなわち、図2(d’)に示すように、異物11は、不良品として判定される配線回路基板1のカバー絶縁層5中に存在している。異物11の材料は、配線回路基板1の製造に由来する材料であって、例えば、剥離シート10を形成する材料、ベース絶縁層2を形成する絶縁材料、導体パターン3を形成する導体材料、金属薄膜4を形成する金属材料などの配線回路基板1の材料や、例えば、配線回路基板1の製造装置(搬送装置13)の巻出ロール16および巻取ロール17を形成する樹脂材料などが挙げられる。とりわけ、上記したカバー絶縁層5の機能(配線6に対する封止機能)を損なわせる材料からなる異物11が含まれている場合には、配線回路基板1は確実に不良品であると判定して、その配線回路基板1を除去するかまたはマーク(不良品であることを示す印を付与)する必要がある。そのため、検知すべき異物11を形成する材料としては、とりわけ、剥離シート10を形成する金属材料、導体パターン3を形成する導体材料、金属薄膜4を形成する金属材料が挙げられ、より具体的には、銅、錫、ステンレスなどの金属材料が挙げられる。なお、ステンレスとしては、上記した剥離シート10に用いられる各種ステンレスと同様のものが挙げられる。
また、銅、錫およびステンレスは、上記した特定波長における反射率がそれぞれ異なる(後述の実施例にて詳述する図6参照)ので、かかる金属材料からなる異物11の種類を特定することができる。
この異物11の検査では、通常、導体パターン3の検査と同時にまたはそれよりも後に実施される。
この異物11の検査では、通常、導体パターン3の検査と同時にまたはそれよりも後に実施される。
導体パターン3の検査では、図2(d)および図4に示すように、発光部14から、配線6を含むカバー絶縁層5に向けて上記した波長の光を照射する。そして、カバー絶縁層5の表面から入射され、カバー絶縁層5内を透過する光は、配線6の表面、つまり、カバー絶縁層5に被覆される金属薄膜4の表面で反射される反射光、および、ベース絶縁層2の表面、つまり、カバー絶縁層5に被覆されるベース絶縁層2の表面で反射される反射光を、受光部15で検知する。これにより、導体パターン3のパターンデータを取得して、導体パターン3のパターン形状を正しく認識して、配線6の欠陥や、配線6間の短絡などを正確に判定する。
具体的には、異物11の検査では、図2(d’)に示すように、異物11による反射光を、本来の導体パターン3のパターンデータには存在しないパターンデータとして取得した場合には、異物11がカバー絶縁層5に存在すると判定する。一方、図2(d)に示すように、測定において取得された導体パターン3のパターンデータと、本来の導体パターン3のパターンデータとに相違がない場合には、異物11がカバー絶縁層5に存在しないと判定する。
なお、上記波長の光を用いる検査は、通常、常温(25℃)で実施されており、検査後における配線回路基板1の表面(カバー絶縁層5の表面)の温度は、例えば、常温あるいは30℃以下であり、好ましくは、25℃以下である。つまり、異物11の検査の前後における温度上昇の範囲は、例えば、5℃以下である。
また、異物11の検査における搬送装置13の搬送条件は、搬送速度が、例えば、5〜50mm/s、好ましくは、20〜25mm/sに設定されている。
また、異物11の検査における搬送装置13の搬送条件は、搬送速度が、例えば、5〜50mm/s、好ましくは、20〜25mm/sに設定されている。
その後、この方法では、図示しないが、不良品として判定された配線回路基板1を、長尺状のベース絶縁層2から切り離して除去しまたはマークする一方、良品として判定された配線回路基板1を製造することができる。
そして、この配線回路基板1の製造方法によれば、波長が700nmを超過し、950nm未満の光をカバー絶縁層5へ照射して、カバー絶縁層5からの反射光、つまり、異物11がカバー絶縁層5に存在する場合には、配線6および異物11において反射する反射光、または、異物11がカバー絶縁層5に存在しない場合には、配線6において反射する反射光により、異物11の有無を精度よく検査することができる。
そして、この配線回路基板1の製造方法によれば、波長が700nmを超過し、950nm未満の光をカバー絶縁層5へ照射して、カバー絶縁層5からの反射光、つまり、異物11がカバー絶縁層5に存在する場合には、配線6および異物11において反射する反射光、または、異物11がカバー絶縁層5に存在しない場合には、配線6において反射する反射光により、異物11の有無を精度よく検査することができる。
同時に、異物11の検査において、光の波長が700nmを超過し、950nm未満であるため、配線回路基板1が過度に加熱されることを防止することができる。そのため、配線回路基板1における熱による変形、すなわち、ベース絶縁層2および/またはカバー絶縁層5の塑性変形による配線回路基板1のうねりや反りを有効に防止することができる。
さらに、検査装置12の発光部14の光源として、LED(近赤外LED)を用いることができるので、照射する光の指向性を向上させて、照射強度(照度)の安定化および光源の長寿命化を達成することができる。
なお、上記した説明では、本発明の配線回路基板の製造方法として、ロール・トゥ・ロール法を例示したが、これに限定されず、例えば、図示しないが、枚葉法などを用いて、各工程をバッチ処理することができる。
なお、上記した説明では、本発明の配線回路基板の製造方法として、ロール・トゥ・ロール法を例示したが、これに限定されず、例えば、図示しないが、枚葉法などを用いて、各工程をバッチ処理することができる。
また、上記した説明では、本発明の配線回路基板の製造方法により得られる配線回路基板として、ベース絶縁層2が支持されていないフレキシブル配線回路基板を例示したが、例えば、図示しないが、ベース絶縁層2の下面が金属支持層により支持され、金属支持層が補強層として設けられたフレキシブル配線回路基板やCOF基板(TABテープキャリアなどを含む)などの各種配線回路基板の製造にも広く適用することができる。
以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されることはない。
実施例1
上記した図3に示す製造装置を用いるロール・トゥ・ロール法によって、以下の工程を順次実施し、フレキシブル配線回路基板を製造した。
実施例1
上記した図3に示す製造装置を用いるロール・トゥ・ロール法によって、以下の工程を順次実施し、フレキシブル配線回路基板を製造した。
すなわち、幅300mm、厚み25μmのステンレス(SUS304)からなる長尺状の剥離シートを用意した。次いで、剥離シートの上に、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを塗布し、乾燥後、フォトマスクを介して露光し、次いで、現像して上記したパターンに加工し、加熱して硬化することにより、ポリイミドからなる厚み35μmのベース絶縁層を形成した(図2(a)参照)。
次いで、このベース絶縁層の上に、厚み8μmの導体パターンを、アディティブ法により、配線および端子部を有する配線回路パターンで形成した。続いて、錫からなる厚み2μmの金属薄膜を、導体パターンの表面に、無電解錫めっきにより形成した(図2(b)参照)。
次いで、金属薄膜およびベース絶縁層の上に、ソルダーレジストのワニス(市販品、型番SN9000−S、日立化成工業社製)をスクリーン印刷により塗布し、乾燥後、露光し、次いで、現像して上記したパターンに加工し、加熱して硬化することにより、ソルダーレジストからなる厚み18μmのカバー絶縁層を形成した(図2(c)参照)。なお、カバー絶縁層における顔料の含有割合は0.8重量%であった。また、カバー絶縁層の形成において、ソルダーレジスト溶液の塗布時に、製造されるフレキシブル配線回路基板300個につき、10個のフレキシブル配線回路基板(カバー絶縁層内)に銅からなる金属異物、別の10個のフレキシブル配線回路基板(カバー絶縁層内)に錫からなる金属異物、
さらに別の10個のフレキシブル配線回路基板(カバー絶縁層内)にステンレス(SUS304)からなる金属異物が混入されるように、ソルダーレジスト溶液の一部に各金属異物をそれぞれ含有させた。
次いで、金属薄膜およびベース絶縁層の上に、ソルダーレジストのワニス(市販品、型番SN9000−S、日立化成工業社製)をスクリーン印刷により塗布し、乾燥後、露光し、次いで、現像して上記したパターンに加工し、加熱して硬化することにより、ソルダーレジストからなる厚み18μmのカバー絶縁層を形成した(図2(c)参照)。なお、カバー絶縁層における顔料の含有割合は0.8重量%であった。また、カバー絶縁層の形成において、ソルダーレジスト溶液の塗布時に、製造されるフレキシブル配線回路基板300個につき、10個のフレキシブル配線回路基板(カバー絶縁層内)に銅からなる金属異物、別の10個のフレキシブル配線回路基板(カバー絶縁層内)に錫からなる金属異物、
さらに別の10個のフレキシブル配線回路基板(カバー絶縁層内)にステンレス(SUS304)からなる金属異物が混入されるように、ソルダーレジスト溶液の一部に各金属異物をそれぞれ含有させた。
次いで、上記した図4に示すように、発光部(光源:近赤外LED拡散照明)と受光部(CCDラインスキャンカメラ、型番P3−80−12K40、DALSA社製)と受光支持台とを備える検査装置を用いて、カバー絶縁層中の金属異物の有無を検査した(図2(d)および(d’)参照)。検査装置では、発光部から照射される光と、受光部に受光される光とのなす角度が45度であり、発光部の発光面およびフレキシブル配線回路基板の集光部分間の長さは11mmであり、受光部の受光面およびフレキシブル配線回路基板の集光部分間の長さは110mmであった。この異物の検査では、波長800nmの光を用い、温度25℃で実施した。また、搬送装置の搬送速度は23.75mm/sであった。
金属異物の検査における判定結果を表1に示す。
実施例2
金属異物の検査で用いる波長を850nmに変更した以外は、実施例1と同様にして、金属異物を検査した。金属異物の検査における判定結果を表1に示す。
実施例3
金属異物の検査で用いる波長を875nmに変更した以外は、実施例1と同様にして、金属異物を検査した。金属異物の検査における判定結果を表1に示す。
実施例2
金属異物の検査で用いる波長を850nmに変更した以外は、実施例1と同様にして、金属異物を検査した。金属異物の検査における判定結果を表1に示す。
実施例3
金属異物の検査で用いる波長を875nmに変更した以外は、実施例1と同様にして、金属異物を検査した。金属異物の検査における判定結果を表1に示す。
実施例4
金属異物の検査で用いる波長を900nmに変更した以外は、実施例1と同様にして、金属異物を検査した。金属異物の検査における判定結果を表1に示す。
実施例5
金属異物の検査で用いる波長を750nmに変更した以外は、実施例1と同様にして、金属異物を検査した。金属異物の検査における判定結果を表1に示す。
金属異物の検査で用いる波長を900nmに変更した以外は、実施例1と同様にして、金属異物を検査した。金属異物の検査における判定結果を表1に示す。
実施例5
金属異物の検査で用いる波長を750nmに変更した以外は、実施例1と同様にして、金属異物を検査した。金属異物の検査における判定結果を表1に示す。
比較例1
金属異物の検査で用いる波長を950nmに変更した以外は、実施例1と同様にして、金属異物を検査した。金属異物の検査における判定結果を表1に示す。
比較例2
金属異物の検査で用いる波長を1000nmに変更した以外は、実施例1と同様にして、金属異物を検査した。金属異物の検査における判定結果を表1に示す。
金属異物の検査で用いる波長を950nmに変更した以外は、実施例1と同様にして、金属異物を検査した。金属異物の検査における判定結果を表1に示す。
比較例2
金属異物の検査で用いる波長を1000nmに変更した以外は、実施例1と同様にして、金属異物を検査した。金属異物の検査における判定結果を表1に示す。
比較例3
金属異物の検査で用いる波長を2500nmに変更した以外は、実施例1と同様にして、金属異物を検査した。金属異物の検査における判定結果を表1に示す。
比較例4
金属異物の検査で用いる波長を700nmに変更した以外は、実施例1と同様にして、金属異物を検査した。金属異物の検査における判定結果を表1に示す。
金属異物の検査で用いる波長を2500nmに変更した以外は、実施例1と同様にして、金属異物を検査した。金属異物の検査における判定結果を表1に示す。
比較例4
金属異物の検査で用いる波長を700nmに変更した以外は、実施例1と同様にして、金属異物を検査した。金属異物の検査における判定結果を表1に示す。
○・・・フレキシブル配線回路基板300個中、各金属異物における不良品の個数をそれぞれ8または9個と判定した。
△・・・フレキシブル配線回路基板300個中、各金属異物における不良品の個数をそれぞれ4〜7個と判定した。
×・・・フレキシブル配線回路基板300個中、各金属異物における不良品の個数をそれぞれ0〜3個と判定した。
△・・・フレキシブル配線回路基板300個中、各金属異物における不良品の個数をそれぞれ4〜7個と判定した。
×・・・フレキシブル配線回路基板300個中、各金属異物における不良品の個数をそれぞれ0〜3個と判定した。
なお、上記した金属異物の検査において、「検査不能」は、フレキシブル配線回路基板が激しく変形して検査できなかったことを示す。
(評価)
1) 透過率測定
厚み25μmのPET板に、実施例1と同様にして、ソルダーレジストのワニスから、厚み10μmのソルダーレジストからなるフィルムを形成した。また、厚み25μmのポリイミドからなるフィルムを用意した。
(評価)
1) 透過率測定
厚み25μmのPET板に、実施例1と同様にして、ソルダーレジストのワニスから、厚み10μmのソルダーレジストからなるフィルムを形成した。また、厚み25μmのポリイミドからなるフィルムを用意した。
そして、ソルダーレジストおよびポリイミドの透過率を、透過率測定機(UV/VIS/NIR Spectrophotometer V−670、日本分光社製)にてそれぞれ測定した。
ソルダーレジストおよびポリイミドの結果を図5に示す。
2) 反射率測定
厚み80μmの銅箔、厚み200μmの錫箔および厚み10μmのステンレス(SUS304)箔を用意した。
ソルダーレジストおよびポリイミドの結果を図5に示す。
2) 反射率測定
厚み80μmの銅箔、厚み200μmの錫箔および厚み10μmのステンレス(SUS304)箔を用意した。
そして、銅箔、錫箔およびステンレス箔の反射率を、反射率測定機(UV/VIS/NIR Spectrophotometer V−670、日本分光社製)にてそれぞれ測定した。その結果を図6に示す。
3) CCDカメラ応答性測定
波長400〜1000nmの波長の光を、CCDラインスキャンカメラの受光面に照射することにより、CCDラインスキャンカメラの応答性(感度特性)を測定した。その結果を図7に示す。
4) 温度測定
各実施例および各比較例において、金属異物の検査直後におけるカバー絶縁層の表面温度を熱電対にて測定した。その結果を表1に示す。
5) 変形検査
各実施例および各比較例において製造されたフレキシブル配線回路基板について、変形の状態を目視にて観察した。その結果を表1に示す。
3) CCDカメラ応答性測定
波長400〜1000nmの波長の光を、CCDラインスキャンカメラの受光面に照射することにより、CCDラインスキャンカメラの応答性(感度特性)を測定した。その結果を図7に示す。
4) 温度測定
各実施例および各比較例において、金属異物の検査直後におけるカバー絶縁層の表面温度を熱電対にて測定した。その結果を表1に示す。
5) 変形検査
各実施例および各比較例において製造されたフレキシブル配線回路基板について、変形の状態を目視にて観察した。その結果を表1に示す。
表1における変形検査の欄の略号を、以下で説明する。
◎・・・うねりや反りが確認されなかった。
○・・・うねりや反りがほとんど確認されなかった。
△・・・わずかなうねりや反りを確認した。
×・・・大きなうねりおよび反りを確認した。
◎・・・うねりや反りが確認されなかった。
○・・・うねりや反りがほとんど確認されなかった。
△・・・わずかなうねりや反りを確認した。
×・・・大きなうねりおよび反りを確認した。
(考察)
1) 透過率
図5から分かるように、金属異物の検査において、波長が700nmを超過し、950nm未満の光を用いれば、カバー絶縁層を形成する絶縁材料であるソルダーレジストおよびポリイミドに対して、一定(約25%を超過する範囲)の透過率を得ることができる。そのため、かかる光を、カバー絶縁層へ照射して、カバー絶縁層からの反射光により、金属異物を確実に検査できることが分かる。一方、波長が700nm以下であれば、上記したすべての絶縁材料に対する透過率が過度に低いので、金属異物を確実に検査できないことが分かる。
1) 透過率
図5から分かるように、金属異物の検査において、波長が700nmを超過し、950nm未満の光を用いれば、カバー絶縁層を形成する絶縁材料であるソルダーレジストおよびポリイミドに対して、一定(約25%を超過する範囲)の透過率を得ることができる。そのため、かかる光を、カバー絶縁層へ照射して、カバー絶縁層からの反射光により、金属異物を確実に検査できることが分かる。一方、波長が700nm以下であれば、上記したすべての絶縁材料に対する透過率が過度に低いので、金属異物を確実に検査できないことが分かる。
とりわけ、750nmを超過し、900nm未満の範囲では、透過率が高い値で、しかも、その範囲における波長の変化に対する透過率が安定しており、金属異物の検査をより一層確実に検査できることが分かる。
2) 反射率
図6から分かるように、金属異物の検査において、波長が700nmを超過し、950nm未満の光を用いれば、金属異物を形成する金属材料である、銅、錫およびステンレに対して、ある一定以上の高い反射率を得ることができる。そのため、かかる光を、金属異物において反射させ、その反射光により、金属異物を確実に検査できることが分かる。
3) CCDカメラの感度特性
図7から分かるように、CCDラインスキャンカメラを検査装置の受光部として用いれば、一定(5DN/(nJ/cm2)以上)の高い応答性を得ることができる。そのため、かかる光を金属異物において反射させ、その反射光により、金属異物を確実に検査できることが分かる。
2) 反射率
図6から分かるように、金属異物の検査において、波長が700nmを超過し、950nm未満の光を用いれば、金属異物を形成する金属材料である、銅、錫およびステンレに対して、ある一定以上の高い反射率を得ることができる。そのため、かかる光を、金属異物において反射させ、その反射光により、金属異物を確実に検査できることが分かる。
3) CCDカメラの感度特性
図7から分かるように、CCDラインスキャンカメラを検査装置の受光部として用いれば、一定(5DN/(nJ/cm2)以上)の高い応答性を得ることができる。そのため、かかる光を金属異物において反射させ、その反射光により、金属異物を確実に検査できることが分かる。
1 配線回路基板
2 ベース絶縁層
5 カバー絶縁層
6 配線
11 異物
2 ベース絶縁層
5 カバー絶縁層
6 配線
11 異物
Claims (3)
- ベース絶縁層を用意する工程と、
前記ベース絶縁層の上に、配線を形成する工程と、
前記ベース絶縁層の上に、前記配線を被覆するようにカバー絶縁層を形成する工程と、
波長が700nmを超過し、950nm未満の光を、前記カバー絶縁層へ照射して、前記カバー絶縁層からの反射光により、異物を検査する工程と
を備えていることを特徴とする、配線回路基板の製造方法。 - 前記光の波長が、750nmを超過し、900nm未満であることを特徴とする、請求項1に記載の配線回路基板の製造方法。
- 前記異物が、銅、錫およびステンレスからなる群から選択される少なくとも1種の金属材料からなることを特徴とする、請求項1または2に記載の配線回路基板の製造方法。
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