KR101090468B1 - 컨택홀 형성을 위한 포토마스크 및 이를 이용한 컨택홀 형성방법 - Google Patents

컨택홀 형성을 위한 포토마스크 및 이를 이용한 컨택홀 형성방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 컨택홀 형성을 위한 포토마스크는, 형성하고자 하는 컨택홀들의 위치에 대응되도록 가로방향 및 세로방향을 따라 상호 이격되도록 배치되는 제1 영역들과 제1 영역들을 제외한 나머지 제2 영역을 갖는 투광기판과, 그리고 투광기판 위에서 제2 영역 내에 배치되되, 제1 영역들 중 상호 인접한 네 개의 제1 영역들의 인접한 모서리에 중첩되면서 인접한 제1 영역들의 측면 사이의 공간을 노출시키는 차광막패턴을 구비한다.
컨택홀, 포토마스크, 브리지

Description

컨택홀 형성을 위한 포토마스크 및 이를 이용한 컨택홀 형성방법{Photomask for forming contact hole and method of forming the contact hole using the same}
본 발명은 반도체소자의 제조방법에 관한 것으로서, 특히 컨택홀 형성을 위한 포토마스크 및 이를 이용한 컨택홀 형성방법에 관한 것이다.
최근 반도체소자의 집적도가 점점 증가함에 따라, 반도체소자의 배선 등을 위해 형성하는 컨택홀의 크기가 점점 작아지고 있으며, 컨택홀들 사이의 간격 또한 점점 작아지고 있다. 그러나 이와 같은 컨택홀 형성을 위한 포토리소그라피 기술의 발전에는 한계가 있으며, 이에 따라 포토리소그라피 기술의 한계를 극복하고자 여러가지 방법들이 제안된 바 있으며, 현재도 이에 대한 연구 및 개발이 지속적으로 이루어지고 있는 실정이다.
도 1은 종래의 컨택홀 형성을 위한 포토마스크의 일 예를 나타내 보인 평면도이다. 그리고 도 2는 도 1의 포토마스크를 이용하여 형성한 컨택홀의 일 예를 나타내 보인 평면도이다.
먼저 도 1에 나타낸 바와 같이, 종래의 포토마스크(100)는 형성하고자 하는 컨택홀에 대응되는 컨택홀영역(110)을 갖는다. 이와 같은 컨택홀영역(110)은 노광시 광이 투과되는 영역으로서, 투광기판의 노출면으로 이루어진다. 통상적으로 컨택홀의 개수는 복수개이므로 컨택홀영역(110) 또한 복수개가 형성된다. 이와 같은 복수개의 컨택홀영역(110)들은 가로방향인 X방향을 따라 상호 일정 간격 이격되는 동시에 세로방향인 Y방향을 따라서도 상호 일정 간격 이격된다. 컨택홀영역(110)을 제외한 나머지 영역에는 차광막패턴(120)이 배치되어 노광시 이 영역에서 광이 포토마스크를 투과하는 것을 억제한다. 이와 같은 포토마스크(100)를 이용하여 기판상의 포토레지스트막에 대한 노광 및 현상을 수행하게 되면, 도 2에 나타낸 바와 같이, 노광이 이루어진 부분의 포토레지스트막이 제거되어 컨택홀에 대응되는 개구부(220)를 갖는 포토레지스트막패턴(210)을 형성할 수 있게 된다.
그런데 이와 같이 포토레지스트막패턴(210)의 개구부(220) 형상은 설계시 의도하였던 형상인 원형이 아닌 각진 형태, 예컨대 마름모 형태로 만들어진다는 문제가 발생한다. 이를 방지하기 위하여 컨택홀의 크기를 작게 하면 개구부(220) 자체가 만들어지지 않는 문제가 발생한다. 따라서 최근에는 가로 방향의 스트라이프 패턴을 이용한 1차 노광과 세로 방향의 스트라이프 패턴을 이용한 2차 노광을 순차적으로 수행하여 교차하는 부분에 컨택홀이 형성되도록 하는 이중 노광 방법도 제안되고 있지만, 이중 노광 방법은 컨택홀 형성을 위한 포토마스크의 개수가 2개로 늘어남에 따라 비용 및 공정시간이 증가하며, 더욱이 2개의 포토마스크를 노광설비 내에서 정확하게 정렬시키기가 어렵다는 단점이 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 미세한 컨택홀을 설계시 의도한 형상과 동일하게 형성할 수 있도록 하는 컨택홀 형성을 위한 포토마스크를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는, 상기 포토마스크를 이용한 컨택홀 형성방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 포토마스크는, 형성하고자 하는 컨택홀들의 위치에 대응되도록 가로방향 및 세로방향을 따라 상호 이격되도록 배치되는 제1 영역들과 제1 영역들을 제외한 나머지 제2 영역을 갖는 투광기판과, 그리고 투광기판 위에서 제2 영역 내에 배치되되, 제1 영역들 중 상호 인접한 네 개의 제1 영역들의 인접한 모서리에 중첩되면서 인접한 제1 영역들의 측면 사이의 공간을 노출시키는 차광막패턴을 구비한다.
일 예에서, 제1 영역 및 제2 영역 중 적어도 어느 하나는 사각 형태를 갖는다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 컨택홀 형성방법은, 기판 위에 포토레지스트막을 형성하는 단계와, 형성하고자 하는 컨택홀들의 위치에 대응되도록 가로방향 및 세로방향을 따라 상호 이격되도록 배치되는 제1 영역들과 제1 영역들을 제외한 나머지 제2 영역을 갖는 투광기판과, 그리고 투광기판 위에서 제2 영역 내에 배치 되되, 제1 영역들 중 상호 인접한 네 개의 제1 영역들의 인접한 모서리에 중첩되면서 인접한 제1 영역들의 측면 사이의 공간을 노출시키는 차광막패턴을 구비하는 포토마스크를 사용하여 포토레지스트막에 대한 노광을 수행하되, 제1 영역들의 측면 사이의 노출공간에서 브리지가 유발되도록 하는 단계와, 그리고 노광이 이루어진 포토레지스트막에 대한 현상공정을 수행하여 포토레지스트막패턴을 형성하는 단계를 포함한다.
일 예에서, 브리지가 유발되도록 하는 단계는 노광에너지를 조절하여 수행한다.
일 예에서, 포토레지스트막은 포지티브형 포토레지스트막으로 형성한다.
일 예에서, 현상공정을 수행한 후에 포토레지스트막패턴에 대해 리플로우 공정을 수행하는 단계를 더 포함할 수도 있다.
본 발명에 따르면, 컨택홀영역의 모서리 부분에 광차단막을 형성하고 컨택홀영역의 측면에 인접한 공간에는 브리지를 유발시킴으로써 설계시 의도한 바와 같은 원형의 컨택홀을 형성할 수 있다는 이점이 제공된다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 컨택홀 형성을 위한 포토마스크를 나타내 보인 평면도들이다. 특히 도 3b는 도 3a에서 광차단막패턴(230)을 제외한 나머지를 나타내 보인 평면도이다.
도 3a 및 도 3b를 참조하면, 본 실시예에 따른 포토마스크(300)는, 제1 영 역(310) 및 제2 영역(320)을 갖는 투광기판(300)을 포함한다. 투광기판(300)의 제1 영역(310)은 형성하고자 하는 컨택홀에 대응하는 컨택홀영역으로서 사각형과 같이 각진 형태를 갖는다. 그리고 제2 영역(320)은 제1 영역(310)을 제외한 나머지 영역이다. 제1 영역(310)은 복수개가 배치되며, 각 제1 영역(310)은 가로방향인 X방향과 세로방향인 Y방향을 따라 인접한 다른 제1 영역(310)과 일정 간격 이격되도록 배치된다. 제1 영역(310)은 투광기판(330)이 노출되는 부분으로서 노광시 광이 투과되는 영역이다. 반면에 제2 영역(320)은 투광기판(330)이 노출되는 부분과 투광기판(330) 위에 광차단막패턴(340)이 배치되는 부분을 포함한다.
광차단막패턴(340)은 투광기판(340) 위에서 제2 영역(320) 내의 일부분에 배치된다. 구체적으로 제1 영역(310)들 중 상호 인접한 네 개의 제1 영역(310)들의 인접한 모서리에 중첩되면서 인접한 제1 영역(310)들의 측면 사이의 공간(341-1, 341-2)을 노출시킨다. 구체적으로 하나의 광차단막패턴(340)의 각 모서리는 상호 인접한 4개의 제1 영역(310)의 모서리와 중첩된다. 그리고 상호 인접한 광차단막패턴(340)들의 Y방향으로의 제2 영역(320)의 제1 공간(341-1)은 결국 인접한 제1 영역(310)의 Y 방향으로의 측면 사이의 공간이 되며, 마찬가지로 상호 인접한 광차단막패턴(340)들의 X방향으로의 제2 영역(320)의 제2 공간(341-2)은 결국 인접한 제1 영역(310)의 X 방향으로의 측면 사이의 공간이 된다. 광차단막패턴(340)은 크롬막으로 형성되며, 경우에 따라서 광차단막패턴(340) 대신에 위상반전막패턴이 사용될 수도 있다. 광차단막패턴(340)의 형상도 사각형과 같은 각진 형태를 갖지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 즉 광차단막패턴(340)은 다양한 형태로 형성될 수도 있고, 그 배치 위치 또한 다양하게 변형될 수 있다. 일 예에서, 광차단막패턴(340)의 형태 또는 위치는, 광학근접보정(OPC) 테스트를 통해 인접한 광차단막패턴(340) 사이의 공간에 브리지가 형성되고 컨택홀의 형상이 원하는 형상이 되도록 설정한다.
이와 같은 포토마스크(300)를 이용한 컨택홀 형성방법을 설명하면, 먼저 컨택홀을 형성하고자 하는 대상막을 갖는 기판 위에 포토레지스트막을 형성한다. 포토레지스트막은 노광이 이루어진 부분이 현상에 의해 용해되는 포지티브형 포토레지스트막을 사용하여 형성한다. 다음에 포토레지스트막이 형성된 기판을 노광설비 내에 로딩한 후에 도 3b의 포토마스크(300)을 이용한 노광을 수행한다. 즉 광원으로부터의 광이 포토마스크(300)를 통해 기판 위의 포토레지스트막에 조사되도록 한다. 이때 포토마스크(300)의 광차단막패턴(340)이 있는 영역에서는 광이 투과되지 못하고, 반면에 광차단막패턴(340)이 없는 영역, 즉 투광기판(330)이 노출되는 영역에서는 광이 투과되어 포토레지스트막으로 조사된다.
한편 제1 공간(341-1) 및 제2 공간(341-2)도 투광기판(330)이 노출되어 있는 영역이므로, 정상적으로는 광이 투과되는 영역이다. 그러나 이 영역은 컨택홀이 형성될 영역이 아니므로 이 영역에 대응하는 포토레지스트막의 대응영역이 제거되지 않아야 한다. 따라서 이를 위해 노광시 노광에너지를 적절하게 조절함으로써 제1 공간(341-1) 및 제2 공간(341-2)에서 포토레지스트막의 브리지(bridge)가 발생되도록 한다. 이와 같은 노광을 수행한 후에는 현상을 수행하여 노광이 이루어진 포토레지스트막의 영역들이 제거되도록 함으로써, 컨택홀에 대응되는 개구부를 갖는 포토레지스트막패턴을 형성한다.
포토레지스트막패턴을 형성한 후에는 포토레지스트막패턴에 대한 리플로우(reflow) 공정을 추가적으로 수행할 수 있다. 즉 포토레지스트막패턴에 대해 일정 온도 이상의 열처리를 수행하여 포토레지스트막패턴을 주변으로 플로우시킨다. 이와 같은 리플로우 공정에 의해 제1 공간(341-1) 및 제2 공간(341-2)에서의 브리지(bridge)가 일부 불충분하게 발생되더라도 주변의 포토레지스트막패턴이 플로우되면서 충분한 브리지가 발생되도록 할 수 있다. 이 외에도 포토레지스트막패턴 표면의 평평도를 높일 수 있고, 컨택홀에 대응되는 개구부의 시디(CD; Critical Dimension) 해상도를 증가시킬 수 있으며, 그리고 전체적인 시디 균일도(CD uniformity)를 향상시킬 수 있다.
도 4는 도 3b의 포토마스크를 이용하여 형성된 컨택홀의 일 예를 나타내 보인 평면도이다.
도 4를 참조하면, 본 실시예에 따른 포토마스크(300)를 사용하여 노광 및 현상을 수행한 결과 원형의 형상을 갖는 개구부(420)가 형성된 포토레지스트막패턴이 형성되는 것을 알 수 있다. 특히 세로 방향으로의 상호 인접한 개구부(420)들 사이의 공간(431)과 가로 방향으로의 상호 인접한 개구부(420)들 사이의 공간(432)에는 비록 노광이 이루어지지만, 브리지를 발생시키는 노광에너지 조건으로 노광을 수행하였으므로, 현상을 수행한 후에도 이 공간(431, 432)에는 개구부가 만들어지지 않는다. 이와 같은 개구부(420)를 갖는 포토레지스트막패턴(410)을 형성한 후에는, 통상의 식각공정을 수행함으로써 하부의 대상막에 컨택홀을 형성할 수 있다.
도 1은 종래의 컨택홀 형성을 위한 포토마스크의 일 예를 나타내 보인 평면도이다.
도 2는 도 1의 포토마스크를 이용하여 형성한 컨택홀의 일 예를 나타내 보인 평면도이다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 컨택홀 형성을 위한 포토마스크를 나타내 보인 평면도들이다.
도 4는 도 3b의 포토마스크를 이용하여 형성된 컨택홀의 일 예를 나타내 보인 평면도이다.

Claims (6)

  1. 기판에 전사하고자 하는 컨택홀 영역들로서 가로방향 및 세로방향을 따라 상호 이격되도록 배치되는 제1 영역들과 상기 제1 영역들을 제외한 나머지 제2 영역을 갖는 투광기판; 및
    상기 투광기판 위에서 상기 제2 영역 내에 배치되되, 상기 제1 영역들 중 상호 인접한 네 개의 제1 영역들의 인접한 모서리에 중첩되면서 상기 인접한 제1 영역들의 측면 사이의 공간을 노출시키는 차광막패턴을 구비하는 컨택홀 형성을 위한 포토마스크.
  2. 청구항 2은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제1항에 있어서,
    상기 제1 영역 및 제2 영역 중 적어도 어느 하나는 사각 형태를 갖는 포토마스크.
  3. 기판 위에 포토레지스트막을 형성하는 단계;
    상기 기판에 전사하고자 하는 컨택홀 영역들로서 가로방향 및 세로방향을 따라 상호 이격되도록 배치되는 제1 영역들과 상기 제1 영역들을 제외한 나머지 제2 영역을 갖는 투광기판과, 상기 투광기판 위에서 상기 제2 영역 내에 배치되되, 상기 제1 영역들 중 상호 인접한 네 개의 제1 영역들의 인접한 모서리에 중첩되면서 상기 인접한 제1 영역들의 측면 사이의 공간을 노출시키는 차광막패턴을 구비하는 포토마스크를 사용하여 상기 포토레지스트막에 대한 노광을 수행하되, 상기 제1 영역들의 측면 사이의 노출공간에서 브리지가 유발되도록 하는 단계; 및
    상기 노광이 이루어진 포토레지스트막에 대한 현상공정을 수행하여 포토레지스트막패턴을 형성하는 단계를 포함하는 컨택홀 형성방법.
  4. 청구항 4은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제3항에 있어서,
    상기 브리지가 유발되도록 하는 단계는 노광에너지를 조절하여 수행하는 컨택홀 형성방법.
  5. 청구항 5은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제3항에 있어서,
    상기 포토레지스트막은 포지티브형 포토레지스트막으로 형성하는 컨택홀 형성방법.
  6. 청구항 6은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제3항에 있어서,
    상기 현상공정을 수행한 후에 상기 포토레지스트막패턴에 대해 리플로우 공정을 수행하는 단계를 더 포함하는 컨택홀 형성방법.
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