JP4322286B2 - 半導体装置製造用レチクルセット - Google Patents
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露光すべき基板の表面上に、1ショットで露光する複数の区画が画定され、各区画の外周近傍領域が、当該区画に隣接する区画の外周近傍領域と重なり、この重なり部分がスクライブラインに相当する該基板の一つの層を露光するための第1及び第2のレチクルであって、
相互に隣接する第1の区画と第2の区画のうち該第1の区画を露光する時に、前記第1及び第2のレチクルの各々のマーク領域が該第1の区画と第2の区画との重なったスクライブラインに対応し、該第2の区画を露光するときに、前記第1及び第2のレチクルの各々のマージン領域が該第1の区画と第2の区画との重なったスクライブラインに対応し、
前記第2のレチクルのマーク領域内に第5のマークが配置されており、
前記第1のレチクルのマーク領域のうち、前記基板上の前記第5のマークの転写されるパターンを内包する領域に対応する部分が、露光光の一部を透過させる部分透過領域とされている前記第1及び第2のレチクルを含み、
前記第1の区画及び第2の区画の各々が、前記第1のレチクル及び第2のレチクルの両方で露光される半導体装置製造用レチクルセットが提供される。
露光すべき基板の表面上に、1ショットで露光する複数の区画が画定され、各区画の外周近傍領域が、当該区画に隣接する区画の外周近傍領域と重なり、この重なり部分がスクライブラインに相当する該基板の一つの層を露光するための第1及び第2のレチクルであって、
相互に隣接する第1の区画と第2の区画のうち該第1の区画を露光する時に、前記第1及び第2のレチクルの各々のマーク領域が該第1の区画と第2の区画との重なったスクライブラインに対応し、該第2の区画を露光するときに、前記第1及び第2のレチクルの各々のマージン領域が該第1の区画と第2の区画との重なったスクライブラインに対応し、
前記第2のレチクルのマーク領域内に第7のマークが配置されており、
前記第1のレチクルのマージン領域のうち、前記基板上の前記第7のマークの転写されるパターンを内包する領域に対応する部分が、部分透過領域とされている前記第1及び第2のレチクルを含み、
前記第1の区画及び第2の区画の各々が、前記第1のレチクル及び第2のレチクルの両方で露光される半導体装置製造用レチクルセットが提供される。
第2のレチクルのマージン領域を透過した光でレジスト膜が露光されることにより、露光量の底上げが行われる。このため、第2のレチクルの第8のマークを解像するのに十分な露光量を得ることができる。
(付記1) 表面上に第1の領域と第2の領域とが画定された基板の該表面上に形成されたレジスト膜の前記第1の領域上の部分を、第1のレチクル内の、転写すべきパターンの形成された領域を透過した第1の強度の光で露光する第1の露光工程と、
前記基板の前記第2の領域上のレジスト膜を、前記第1の強度よりも弱い第2の強度の光で露光する第2の露光工程と、
前記レジスト膜の前記第1の領域内及び前記第2の領域内を、第2のレチクルの、転写すべきパターンの形成された領域を透過し、前記第1の強度よりも弱い第3の強度をもった光で露光する第3の露光工程と、
露光された前記レジスト膜を現像する工程と
を有する半導体装置の製造方法。
(付記2) 前記第2の露光工程における前記第2の領域上の前記レジスト膜の露光量は、前記現像工程で該レジスト膜が現像されない程度の露光量であり、前記第3の露光工程における露光量も、前記現像工程で該レジスト膜が現像されない程度の露光量であり、前記第2の領域内において、前記第2の露光工程における露光量と前記第3の露光工程における露光量との和は、前記現像工程で現像されるのに十分な露光量である付記1に記載の半導体装置の製造方法。
(付記3) 前記第2の露光工程において、前記第1の露光工程で前記第1の領域上の前記レジスト膜に光を照射すると同時に、前記第1のレチクルの、前記第2の領域に対応する部分透過領域を透過して強度の弱められた光を、前記第2の領域上の前記レジスト膜に照射する付記1または2に記載の半導体装置の製造方法。
(付記4) 前記基板の前記第2の領域内に第1のマークが形成されており、前記第2のレチクルの、前記第2の領域に対応する領域内に第2のマークが形成されており、
前記現像工程の後に、前記第2のマークの転写されたパターンと、前記第1のマークとの位置ずれ量を検出する工程を含む付記3に記載の半導体装置の製造方法。
(付記5) 前記第1のレチクルの、前記第2の領域に対応する領域に、露光光の一部を吸収し、一部を透過させる部分透過膜が形成されている付記4に記載の半導体装置の製造方法。
(付記6) 前記第1のレチクルの、前記第2の領域に対応する領域が、遮光領域内に、前記第2の位置合わせ用パターンよりも微細な透過パターンを配置することによって構成されている付記4に記載の半導体装置の製造方法。
(付記7) 前記第1のレチクルの、前記第2の領域に対応する領域内に第3のマークが形成されており、前記第2のレチクルの、前記第2の領域に対応する領域内に第4のマークが形成されており、
前記現像工程の後に、前記第3のマークの転写されたパターンと、前記第4のマークの転写されたパターンとの位置ずれ量を検出する工程を含む付記3に記載の半導体装置の製造方法。
(付記8) 前記第1のレチクルの、前記第2の領域に対応する領域が、露光光の一部を吸収し一部を透過させる部分透過膜の形成された領域内に、前記第3のマークが配置された構成とされている付記7に記載の半導体装置の製造方法。
(付記9) 前記第3のマークの外周が遮光領域と透過領域との境界によって画定され、該第3のマークの内部は、微細な透過領域と遮光領域とが配置された構成とされている付記7に記載の半導体装置の製造方法。
(付記10) 前記第1及び第2のレチクルが縮小投影露光用のレチクルであり、前記基板の表面上に、1ショットで露光される複数の区画が画定され、各区画の外周近傍領域が、当該区画に隣接する区画の外周近傍領域と重なり、この重なり部分が前記第2の領域に相当し、相互に隣接する第1の区画と第2の区画のうち該第1の区画を露光する時に、前記第1及び第2のレチクルの各々のマーク領域が該第1の区画と第2の区画との重なった前記第2の領域に対応し、該第2の区画を露光するときに、前記第1及び第2のレチクルの各々のマージン領域が該第1の区画と第2の区画との重なった前記第2の領域に対応し、前記第3のマークが、前記第1のレチクルのマーク領域内に配置され、前記第4のマークが、前記第2のレチクルのマーク領域内に配置され、前記第1のレチクルのマージン領域のうち、前記第4のマークの転写されたパターンを含む領域に対応する部分が部分透過領域とされている付記7に記載の半導体装置の製造方法。
(付記11) 前記第3のマークが、前記第1のレチクルのマーク領域内に設けられた部分透過領域内に配置されている付記10に記載の半導体装置の製造方法。
(付記12) 前記第1及び第2のレチクルが縮小投影露光用のレチクルであり、前記基板の表面上に、1ショットで露光される複数の区画が画定され、各区画の外周近傍領域が、当該区画に隣接する区画の外周近傍領域と重なり、この重なり部分が前記第2の領域に相当し、相互に隣接する第1の区画と第2の区画のうち該第1の区画を露光する時に、前記第1及び第2のレチクルの各々のマーク領域が該第1の区画と第2の区画との重なった前記第2の領域に対応し、該第2の区画を露光するときに、前記第1及び第2のレチクルの各々のマージン領域が該第1の区画と第2の区画との重なった前記第2の領域に対応し、前記第2のマークが、前記第2のレチクルのマーク領域内に配置され、前記第1のレチクルの前記部分透過領域が該第1のレチクルのマーク領域内に配置されている付記4に記載の半導体装置の製造方法。
(付記13) 前記第1及び第2のレチクルが縮小投影露光用のレチクルであり、前記基板の表面上に、1ショットで露光する複数の区画が画定され、各区画の外周近傍領域が、当該区画に隣接する区画の外周近傍領域と重なり、この重なり部分が前記第2の領域に相当し、相互に隣接する第1の区画と第2の区画のうち該第1の区画を露光する時に、前記第1及び第2のレチクルの各々のマーク領域が該第1の区画と第2の区画との重なった前記第2の領域に対応し、該第2の区画を露光するときに、前記第1及び第2のレチクルの各々のマージン領域が該第1の区画と第2の区画との重なった前記第2の領域に対応し、前記第2のマークが、前記第2のレチクルのマーク領域内に配置され、前記第1のレチクルの前記部分透過領域が該第1のレチクルのマージン領域内に配置されている付記4に記載の半導体装置の製造方法。
(付記14) 前記第1及び第2のレチクルが縮小投影露光用のレチクルであり、前記基板の表面上に、1ショットで露光する複数の区画が画定され、各区画の外周近傍領域が、当該区画に隣接する区画の外周近傍領域と重なり、この重なり部分が前記第2の領域に相当し、相互に隣接する第1の区画と第2の区画のうち該第1の区画を露光する時に、前記第1及び第2のレチクルの各々のマーク領域が該第1の区画と第2の区画との重なった前記第2の領域に対応し、該第2の区画を露光するときに、前記第1及び第2のレチクルの各々のマージン領域が該第1の区画と第2の区画との重なった前記第2の領域に対応し、前記第2のレチクルのマーク領域内に第3のマークが形成されており、前記第2のレチクルのマージン領域のうち、前記第3のマークが転写された前記基板の表面上のパターンを内包する領域に対応する部分が露光光を透過させる透過領域とされており、
前記第2の露光工程において、前記第2のレチクルのマージン領域内の前記透過領域を透過した光で、前記第2の領域上のレジスト膜を露光する付記2に記載の半導体装置の製造方法。
(付記15) 露光すべき基板の表面上に、1ショットで露光する複数の区画が画定され、各区画の外周近傍領域が、当該区画に隣接する区画の外周近傍領域と重なり、この重なり部分がスクライブラインに相当する該基板の一つの層を露光するための第1及び第2のレチクルであって、
相互に隣接する第1の区画と第2の区画のうち該第1の区画を露光する時に、前記第1及び第2のレチクルの各々のマーク領域が該第1の区画と第2の区画との重なったスクライブラインに対応し、該第2の区画を露光するときに、前記第1及び第2のレチクルの各々のマージン領域が該第1の区画と第2の区画との重なったスクライブラインに対応し、
前記第2のレチクルのマーク領域内に第5のマークが配置されており、
前記第1のレチクルのマーク領域のうち、前記基板上の前記第5のマークの転写されるパターンを内包する領域に対応する部分が、露光光の一部を透過させる部分透過領域とされている前記第1及び第2のレチクルを含む半導体装置製造用レチクルセット。
(付記16) 前記第1のレチクルのマージン領域のうち、前記基板上の前記第5のマークの転写されるパターンを内包する領域に対応する部分が遮光されている付記15に記載の半導体装置製造用レチクルセット。
(付記17) 前記第1のレチクルのマーク領域内の前記部分透過領域内に、前記第5のマークの転写されたパターンとの位置ずれを検査するためのパターンを転写する第6のマークが形成されている付記15または16に記載の半導体装置製造用レチクルセット。
(付記18) 露光すべき基板の表面上に、1ショットで露光する複数の区画が画定され、各区画の外周近傍領域が、当該区画に隣接する区画の外周近傍領域と重なり、この重なり部分がスクライブラインに相当する該基板の一つの層を露光するための第1及び第2のレチクルであって、
相互に隣接する第1の区画と第2の区画のうち該第1の区画を露光する時に、前記第1及び第2のレチクルの各々のマーク領域が該第1の区画と第2の区画との重なったスクライブラインに対応し、該第2の区画を露光するときに、前記第1及び第2のレチクルの各々のマージン領域が該第1の区画と第2の区画との重なったスクライブラインに対応し、
前記第2のレチクルのマーク領域内に第7のマークが配置されており、
前記第1のレチクルのマージン領域のうち、前記基板上の前記第7のマークの転写されるパターンを内包する領域に対応する部分が、部分透過領域とされている前記第1及び第2のレチクルを含む半導体装置製造用レチクルセット。
(付記19) 露光すべきレジスト膜が表面上に形成された基板の該表面上に、1ショットで露光する複数の区画が画定され、各区画の外周近傍領域が、当該区画に隣接する区画の外周近傍領域と重なり、この重なり部分がスクライブラインに相当する該基板の一つの層を露光するための第1及び第2のレチクルであって、
相互に隣接する第1の区画と第2の区画のうち該第1の区画を露光する時に、前記第1及び第2のレチクルの各々のマーク領域が該第1の区画と第2の区画との重なったスクライブラインに対応し、該第2の区画を露光するときに、前記第1及び第2のレチクルの各々のマージン領域が該第1の区画と第2の区画との重なったスクライブラインに対応し、
前記第1のレチクルには、前記レジスト膜を現像するためのしきい値以上の露光量を与える強度の光で露光するためのパターンが形成されており、前記第2のレチクルには、該しきい値よりも低い露光量を与える強度の光で露光するためのパターンが形成されており、
前記第2のレチクルのマーク領域内に第8のマークが配置されており、マージン領域のうち、前記基板上の前記第8のマークの転写されるパターンを内包する領域に対応する部分が、露光光を透過させる透過領域とされている半導体装置製造用レチクルセット。
(付記20) 前記第1及び第2のレチクルが縮小投影露光用のレチクルであり、前記基板の表面上に、1ショットで露光する複数の区画が画定され、各区画の外周近傍領域が、当該区画に隣接する区画の外周近傍領域と重なり、この重なり部分が前記第2の領域に相当し、相互に隣接する第1の区画と第2の区画のうち該第1の区画を露光する時に、前記第1及び第2のレチクルの各々のマーク領域が該第1の区画と第2の区画との重なった前記第2の領域に対応し、該第2の区画を露光するときに、前記第1及び第2のレチクルの各々のマージン領域が該第1の区画と第2の区画との重なった前記第2の領域に対応し、前記第2のレチクルのマーク領域内に第9のマークが形成されており、前記第2のレチクルのマージン領域のうち、前記第9のマークが転写された前記基板の表面上のパターンを内包する領域に対応する部分が露光光の一部を透過させる部分透過領域とされており、
前記第2の露光工程において、前記第2のレチクルのマージン領域内の前記部分透過領域を透過した光で、前記第2の領域上のレジスト膜を露光する付記2に記載の半導体装置の製造方法。
(付記21) 露光すべきレジスト膜が表面上に形成された基板の該表面上に、1ショットで露光する複数の区画が画定され、各区画の外周近傍領域が、当該区画に隣接する区画の外周近傍領域と重なり、この重なり部分がスクライブラインに相当する該基板の一つの層を露光するための第1及び第2のレチクルであって、
相互に隣接する第1の区画と第2の区画のうち該第1の区画を露光する時に、前記第1及び第2のレチクルの各々のマーク領域が該第1の区画と第2の区画との重なったスクライブラインに対応し、該第2の区画を露光するときに、前記第1及び第2のレチクルの各々のマージン領域が該第1の区画と第2の区画との重なったスクライブラインに対応し、
前記第1のレチクルには、前記レジスト膜を現像するためのしきい値以上の露光量を与える強度の光で露光するためのパターンが形成されており、前記第2のレチクルには、該しきい値よりも低い露光量を与える強度の光で露光するためのパターンが形成されており、
前記第2のレチクルのマーク領域内に第10のマークが配置されており、マージン領域のうち、前記基板上の前記第10のマークの転写されるパターンを内包する領域に対応する部分が、露光光の一部を透過させる部分透過領域とされている半導体装置製造用レチクルセット。
(付記22) 前記第1及び第2のレチクルが縮小投影露光用のレチクルであり、前記基板の表面上に、1ショットで露光される複数の区画が画定され、各区画の外周近傍領域が、当該区画に隣接する区画の外周近傍領域と重なり、この重なり部分が前記第2の領域に相当し、相互に隣接する第1の区画と第2の区画のうち該第1の区画を露光する時に、前記第1及び第2のレチクルの各々のマーク領域が該第1の区画と第2の区画との重なった前記第2の領域に対応し、該第2の区画を露光するときに、前記第1及び第2のレチクルの各々のマージン領域が該第1の区画と第2の区画との重なった前記第2の領域に対応し、前記第2のレチクルのマーク領域内に第11のマークが形成されており、前記第1のレチクルのマージン領域のうち前記第11のマークが転写されたパターンを含む領域に対応する部分、前記第1のレチクルのマーク領域のうち前記第11のマークが転写されたパターンを含む領域に対応する部分、及び前記第2のレチクルのマージン領域のうち前記第11のマークが転写されたパターンを含む領域に対応する部分の少なくとも2つが部分透過領域とされている付記3に記載の半導体装置の製造方法。
(付記23) 前記第1及び第2のレチクルが縮小投影露光用のレチクルであり、前記基板の表面上に、1ショットで露光される複数の区画が画定され、各区画の外周近傍領域が、当該区画に隣接する区画の外周近傍領域と重なり、この重なり部分が前記第2の領域に相当し、相互に隣接する第1の区画と第2の区画のうち該第1の区画を露光する時に、前記第1及び第2のレチクルの各々のマーク領域が該第1の区画と第2の区画との重なった前記第2の領域に対応し、該第2の区画を露光するときに、前記第1及び第2のレチクルの各々のマージン領域が該第1の区画と第2の区画との重なった前記第2の領域に対応し、前記第2のレチクルのマーク領域内に第12のマークが形成されており、前記第1のレチクルのマーク領域のうち前記第12のマークが転写されたパターンを含む領域に対応する部分が部分透過領域とされており、
前記レジスト膜を現像する工程の後、前記第12のマークが転写された主パターンと、該主パターンよりも上層に形成された副パターンとの位置ずれを検査する工程を有する付記1または2に記載の半導体装置の製造方法。
(付記24) 前記第1及び第2のレチクルが縮小投影露光用のレチクルであり、前記基板の表面上に、1ショットで露光される複数の区画が画定され、各区画の外周近傍領域が、当該区画に隣接する区画の外周近傍領域と重なり、この重なり部分が前記第2の領域に相当し、相互に隣接する第1の区画と第2の区画のうち該第1の区画を露光する時に、前記第1及び第2のレチクルの各々のマーク領域が該第1の区画と第2の区画との重なった前記第2の領域に対応し、該第2の区画を露光するときに、前記第1及び第2のレチクルの各々のマージン領域が該第1の区画と第2の区画との重なった前記第2の領域に対応し、前記第2のレチクルのマーク領域内に第13のマークが形成されており、前記第1のレチクルのマージン領域のうち前記第13のマークが転写されたパターンを含む領域に対応する部分が部分透過領域とされており、
前記レジスト膜を現像する工程の後、前記第13のマークが転写された主パターンと、該主パターンよりも上層に形成された副パターンとの位置ずれを検査する工程を有する付記1または2に記載の半導体装置の製造方法。
(付記25) 前記第1及び第2のレチクルが縮小投影露光用のレチクルであり、前記基板の表面上に、1ショットで露光される複数の区画が画定され、各区画の外周近傍領域が、当該区画に隣接する区画の外周近傍領域と重なり、この重なり部分が前記第2の領域に相当し、相互に隣接する第1の区画と第2の区画のうち該第1の区画を露光する時に、前記第1及び第2のレチクルの各々のマーク領域が該第1の区画と第2の区画との重なった前記第2の領域に対応し、該第2の区画を露光するときに、前記第1及び第2のレチクルの各々のマージン領域が該第1の区画と第2の区画との重なった前記第2の領域に対応し、前記第2のレチクルのマーク領域内に第14のマークが形成されており、前記第2のレチクルのマージン領域のうち前記第14のマークが転写されたパターンを含む領域に対応する部分が透過領域とされており、
前記レジスト膜を現像する工程の後、前記第14のマークが転写された主パターンと、該主パターンよりも上層に形成された副パターンとの位置ずれを検査する工程を有する付記1または2に記載の半導体装置の製造方法。
2 外周近傍領域
3 回路パターン領域
5 遮光領域
10 マーク領域
11 マージン領域
12 アライメントマーク領域
13 アライメントマークマージンパターン
14 検査マーク領域
15 検査マークマージンパターン
16 回路パターン領域
20 活性領域
21 ゲート電極
Claims (6)
- 露光すべき基板の表面上に、1ショットで露光する複数の区画が画定され、各区画の外周近傍領域が、当該区画に隣接する区画の外周近傍領域と重なり、この重なり部分がスクライブラインに相当する該基板の一つの層を露光するための第1及び第2のレチクルであって、
相互に隣接する第1の区画と第2の区画のうち該第1の区画を露光する時に、前記第1及び第2のレチクルの各々のマーク領域が該第1の区画と第2の区画との重なったスクライブラインに対応し、該第2の区画を露光するときに、前記第1及び第2のレチクルの各々のマージン領域が該第1の区画と第2の区画との重なったスクライブラインに対応し、
前記第2のレチクルのマーク領域内に第5のマークが配置されており、
前記第1のレチクルのマーク領域のうち、前記基板上の前記第5のマークの転写されるパターンを内包する領域に対応する部分が、露光光の一部を透過させる部分透過領域とされている前記第1及び第2のレチクルを含み、
前記第1の区画及び第2の区画の各々が、前記第1のレチクル及び第2のレチクルの両方で露光される半導体装置製造用レチクルセット。 - 前記第1のレチクルのマージン領域のうち、前記基板上の前記第5のマークの転写されるパターンを内包する領域に対応する部分が遮光されている請求項1に記載の半導体装置製造用レチクルセット。
- 前記第1のレチクルのマーク領域内の前記部分透過領域内に、前記第5のマークの転写されたパターンとの位置ずれを検査するためのパターンを転写する第6のマークが形成されている請求項1または2に記載の半導体装置製造用レチクルセット。
- 露光すべき基板の表面上に、1ショットで露光する複数の区画が画定され、各区画の外周近傍領域が、当該区画に隣接する区画の外周近傍領域と重なり、この重なり部分がスクライブラインに相当する該基板の一つの層を露光するための第1及び第2のレチクルであって、
相互に隣接する第1の区画と第2の区画のうち該第1の区画を露光する時に、前記第1及び第2のレチクルの各々のマーク領域が該第1の区画と第2の区画との重なったスクライブラインに対応し、該第2の区画を露光するときに、前記第1及び第2のレチクルの各々のマージン領域が該第1の区画と第2の区画との重なったスクライブラインに対応し、
前記第2のレチクルのマーク領域内に第7のマークが配置されており、
前記第1のレチクルのマージン領域のうち、前記基板上の前記第7のマークの転写されるパターンを内包する領域に対応する部分が、部分透過領域とされている前記第1及び第2のレチクルを含み、
前記第1の区画及び第2の区画の各々が、前記第1のレチクル及び第2のレチクルの両方で露光される半導体装置製造用レチクルセット。 - 露光すべきレジスト膜が表面上に形成された基板の該表面上に、1ショットで露光する複数の区画が画定され、各区画の外周近傍領域が、当該区画に隣接する区画の外周近傍領域と重なり、この重なり部分がスクライブラインに相当する該基板の一つの層を露光するための第1及び第2のレチクルであって、
相互に隣接する第1の区画と第2の区画のうち該第1の区画を露光する時に、前記第1及び第2のレチクルの各々のマーク領域が該第1の区画と第2の区画との重なったスクライブラインに対応し、該第2の区画を露光するときに、前記第1及び第2のレチクルの各々のマージン領域が該第1の区画と第2の区画との重なったスクライブラインに対応し、
前記第1のレチクルには、前記レジスト膜を現像するためのしきい値以上の露光量を与える強度の光で露光するためのパターンが形成されており、前記第2のレチクルには、該しきい値よりも低い露光量を与える強度の光で露光するためのパターンが形成されており、
前記第2のレチクルのマーク領域内に第8のマークが配置されており、マージン領域のうち、前記基板上の前記第8のマークの転写されるパターンを内包する領域に対応する部分が、露光光を透過させる透過領域とされている半導体装置製造用レチクルセット。 - 露光すべきレジスト膜が表面上に形成された基板の該表面上に、1ショットで露光する複数の区画が画定され、各区画の外周近傍領域が、当該区画に隣接する区画の外周近傍領域と重なり、この重なり部分がスクライブラインに相当する該基板の一つの層を露光するための第1及び第2のレチクルであって、
相互に隣接する第1の区画と第2の区画のうち該第1の区画を露光する時に、前記第1及び第2のレチクルの各々のマーク領域が該第1の区画と第2の区画との重なったスクライブラインに対応し、該第2の区画を露光するときに、前記第1及び第2のレチクルの各々のマージン領域が該第1の区画と第2の区画との重なったスクライブラインに対応し、
前記第1のレチクルには、前記レジスト膜を現像するためのしきい値以上の露光量を与える強度の光で露光するためのパターンが形成されており、前記第2のレチクルには、該しきい値よりも低い露光量を与える強度の光で露光するためのパターンが形成されており、
前記第2のレチクルのマーク領域内に第10のマークが配置されており、マージン領域のうち、前記基板上の前記第10のマークの転写されるパターンを内包する領域に対応する部分が、露光光の一部を透過させる部分透過領域とされている半導体装置製造用レチクルセット。
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