JP5023653B2 - 露光用マスク、電子装置の製造方法、及び露光用マスクの検査方法 - Google Patents

露光用マスク、電子装置の製造方法、及び露光用マスクの検査方法 Download PDF

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Description

本発明は、露光用マスク、電子装置の製造方法、及び露光用マスクの検査方法に関する。
LSI等の半導体装置の製造工程では、微細なデバイスパターンを形成するために、ステッパ等の露光装置を用いてレチクル(露光用マスク)に形成されたマスクパターンを半導体ウエハ上に縮小投影することが行われる。
レチクルのマスクパターンはLSIのデバイスパターンに対応して形成されるが、マスクパターンが歪んでいたりすると、半導体ウエハに所定の形のマスクパターンを投影することができない。
そのため、通常は、レチクルを製造した後に、レチクルに形成された検査マークを光学的に検査することにより、マスクパターンが所定の精度で形成されているかどうかを検査する。
図1は、このような検査マークが設けられた従来例に係るレチクルの全体平面図である。
そのレチクル1は、石英基板等の透明基板2の上に、4つのチップに対応した4つのマスクパターン6を有する。また、これらのマスクパターン6を囲うようにして遮光帯3が形成され、その遮光帯3の内側の領域が、1回の露光で半導体ウエハに投影されるショット領域となる。なお、遮光帯3は、その外側の領域から露光光がまわり込むことでフォトレジストが不必要に感光するのを防止するために設けられる。
そして、この遮光帯3の外側の領域に、上記したマスクパターン6が設計通りの位置に形成されているかどうかを検査するためのL字型の検査マーク5が形成されると共に、露光装置とレチクル1との位置合わせに使用される十字型のアライメントマーク4が形成される。
なお、上記の各要素3〜6は、いずれもクロム膜等の遮光膜をパターニングして形成されたものである。
ところが、このような構造のレチクル1では、遮光帯3の外側の領域に検査マーク5を形成したにも関わらず、露光の際に検査マーク5が回折して半導体ウエハに映ってしまうという現象が発生する。このような現象は、照明系フレアと呼ばれ、半導体ウエハのデバイスパターンに欠陥が発生する一因となる。
このような照明系フレアを防止するため、検査マーク5をマスクパターン6の中に形成することも考えられる。
しかし、検査をし易くするために検査マーク5は或る程度大きく形成しなければならないので、このようにマスクパターン6の中に検査マーク5を形成すると、検査マーク5の分だけチップサイズが大きくなるという不都合が生じる。
しかも、マスクパターン6の中に検査マーク5を形成すると、検査マーク5に対応したダミーパターンが半導体ウエハに形成され、そのダミーパターンによってデバイスパターンの分布の粗密が乱されてしまう。
図2〜図5は、半導体装置において、金属配線等のデバイスパターンの分布に課せられる条件について説明するための平面図である。
図2の例では、半導体ウエハ10の上に形成されているデバイスパターン11が、その分布の粗密が面内で一定になるように形成されている。このような分布が理想的なデバイスパターン11の分布である。
これに対し、図3〜図5では、点線で示した領域Aにおいて分布が疎になったり(図3)、分布が密になったり(図4)、或いは周囲のデバイスパターン11と形状の異なるパターンが挿入されている(図5)。このような不均一な粗密でデバイスパターン11が分布していると、このデバイスパターン11の上に形成される層間絶縁膜の表面の高さが、疎な部分で低くなったり、密な部分で高くなったりして、層間絶縁膜に段差が発生する。
そのような段差の発生を抑えるためにも、マスクパターン6の中に検査マーク4を形成せず、面内におけるデバイスパターン11の粗密をなるべく一定にする必要がある。このような制約は、ゲート電極のように微細な加工を必要とする層(クリティカル層)において特に厳しい。
一方、特許文献1では、半導体ウエハに位置合わせ用のマークを形成するためにレチクルのスクライブ領域にアライメントマークを設けると共に、このアライメントマークと対向する部分のスクライブ領域に保護パターンを設けることにより、最初の露光でアライメントマークが投影された部分を次の露光において保護パターンで遮光し、アライメントマークに対応するマークを半導体ウエハに残すようにしている。
しかしながら、このようにスクライブ領域にマークが残ると、ダイシングにより半導体チップを切り出す際にマークからバリが発生し、このバリが付着した半導体チップが不良になるという問題がある。
なお、このようなアライメントマークについては、特許文献2にも開示されている。
特開平5−341499号公報 特開平3−018012号公報
本発明の目的は、デバイスパターンの粗密に影響を与えず、且つ、不良チップの発生を防止することが可能な露光用マスク、電子装置の製造方法、及び露光用マスクの検査方法を提供することにある。
本発明の一観点によれば、透明基板と、矩形状のショット領域を囲うように前記透明基板の上に形成された遮光帯と、前記ショット領域を縁取る外周スクライブ領域の内側に形成されたマスクパターンと、前記外周スクライブ領域の第1の辺に形成された検査マークとを有し、前記外周スクライブ領域のうち前記第1の辺に対向する第2の辺に、ショット間隔に相当する距離だけ前記検査マークを仮想的に平行移動したときに、平行移動後の該検査マークに対応する部分の前記外周スクライブ領域が露光光を透過し、前記検査マークは矩形状の仮想枠の内側に配され、該仮想枠の中心を軸にして前記検査マークを180°回転してなるマークを、前記第2の辺に平行移動して検査マークとして設ける露光用マスクが提供される。
また、本発明の別の観点によれば、基板の上に膜を形成する工程と、前記膜の上にフォトレジストを塗布する工程と、矩形状のショット領域を縁取る外周スクライブ領域と、前記外周スクライブ領域の第1の辺に形成された検査マークを有する露光用マスクを用いて第1の露光を行う工程と、前記第1の露光において前記第1の辺が露光された領域に、前記外周スクライブ領域のうち前記第1の辺と対向する第2の辺が露光されるように、前記基板を移動させて第2の露光を行う工程とを有し、前記第1の露光において前記検査マークが投影された領域には、第2の露光において露光光が入射され、前記露光用マスクとして、ショット間隔に相当する距離だけ前記検査マークを前記第2の辺に仮想的に平行移動したときに、平行移動後の該検査マークに対応する部分の前記外周スクライブ領域が露光光を透過するマスクを使用し、前記検査マークは矩形状の仮想枠の内側に配され、該仮想枠の中心を軸にして前記検査マークを180°回転してなるマークを、前記第2の辺に平行移動して検査マークとして設ける電子装置の製造方法が提供される。
更に、本発明の他の観点によれば、露光用マスクが備える透明基板において、矩形状のショット領域を縁取る外周スクライブ領域の第1の辺に形成された複数の検査マークの位置座標を求めるステップと、前記位置座標を基にして、前記外周スクライブ領域の内側の前記透明基板上に形成されたマスクパターンが、設計された位置に配されているかどうかを評価するステップとを有し、前記露光用マスクが、前記ショット領域を囲うように前記透明基板の上に形成された遮光帯を有すると共に、前記外周スクライブ領域のうち前記第1の辺に対向する第2の辺に、ショット間隔に相当する距離だけ前記検査マークを仮想的に平行移動したときに、平行移動後の該検査マークに対応する部分の前記外周スクライブ領域が露光光を透過し、前記検査マークは矩形状の仮想枠の内側に配され、該仮想枠の中心を軸にして前記検査マークを180°回転してなるマークを、前記第2の辺に平行移動して検査マークとして設ける露光用マスクの検査方法が提供される。
次に、本発明の作用について説明する。
本発明では、外周スクライブ領域の第1の辺に対向する第2の辺に、ショット間隔に相当する距離だけ検査マークを仮想的に平行移動したときに、平行移動後の該検査マークに対応する部分の外周スクライブ領域が露光光を透過する露光用マスクを用いる。
このような露光用マスクによれば、外周スクライブ領域に相当する部分のフォトレジストが二重露光されるように露光を行うことで、検査マークに対応したフォトレジストの未感光部を消去でき、外周スクライブ領域におけるフォトレジストの全ての部分を感光させることが可能となる。
これにより、フォトレジストを現像することで外周スクライブ領域にフォトレジストが残らなくなり、外周スクライブ領域における膜をエッチングにより完全に除去できる。
その結果、外周スクライブ領域に沿って基板をダイシングしても、外周スクライブ領域に残存する膜に起因したバリが発生せず、基板に再付着したバリによってチップが不良になるのを防止できる。
しかも、検査マークは外周スクライブ領域に設けられるので、外周スクライブ領域の内側に形成されたマスクパターンの粗密が検査マークによって影響を受けることは無く、マスクパターンに対応したデバイスパターンを所定の粗密で基板上に形成することができる。
本発明によれば、検査マークに対応したフォトレジストの未感光部を二重露光により消去するので、外周スクライブ領域にフォトレジストが残存せず、外周スクライブ領域の膜をエッチングにより除去することが可能となる。これにより、外周スクライブ領域に残存した膜に起因するバリがダイシングのときに発生せず、不良チップの数を低減できる。
以下に、本発明の実施の形態について、添付図面を参照しながら詳細に説明する。
レチクルについて
図6は、本実施形態に係るレチクル(露光用マスク)の平面図である。
このレチクル21は、石英等の透明基板22の上に、クロム膜等の遮光膜をパターニングしてなる遮光帯23を有する。遮光帯23は、矩形状のショット領域Rsを囲うように形成されていると共に、透明基板22の縁の近くにまで形成されている。
このように遮光帯23の幅Wを限界まで広めることにより、遮光帯23の外側の領域を通った露光光に起因するフレア現象を防止できる。その幅Wは特に限定されないが、例えば12〜16mm程度である。
但し、透明基板22の縁を遮光帯23によって完全に覆ってしまうと、透明基板20の側面から遮光帯23が剥がれ易くなるので、透明基板22の縁から後退して遮光帯23を形成するのが好ましい。その後退距離Δは、例えば、後述の検査マーク25の幅よりも狭く設定するのが好ましい。
また、遮光帯23には三箇所に開口23aが形成されており、この開口23aの内側の領域に十字型のアライメントマーク24が形成されている。露光装置にレチクル21をセットする際、このアライメントマーク24を目印にして露光装置とレチクル21とが位置合わせされる。
ショット領域Rsには四つの半導体チップに対応したマスクパターン26が形成される。このマスクパターン26も、遮光帯23と同様にクロム膜をパターニングして形成されたものである。
ここで、ショット領域Rsを縁取り、且つ各マスクパターン26を内包する領域は、外周スクライブ領域Roと呼ばれる。一方、各マスクパターン26の間の領域はインナースクライブ領域Riと呼ばれる。
本実施形態では、この外周スクライブ領域Roに、マスクパターン26が設計通りの位置に形成されているかどうかを検査するための検査マーク25が設けられる。
なお、検査マーク25の平面形状は特に限定されず、図示のような十字型に代えてL字型を採用してもよい。
図7は、その検査マーク25の配置方法を説明するための模式図である。
検査マーク25は、外周スクライブ領域Roのそれぞれの辺31〜34に5〜10個ずつ設けられ、四つの辺を合わせた検査マーク25の個数は20〜40個である。
これらの検査マーク25は、ショット領域Rsを挟んで互いに向かい合わないように形成される。
例えば、辺31の位置A1にある検査マーク25をショット間隔に相当する距離、すなわちショット領域Rsの幅Tから外周スクライブ領域Roの幅tを引いた距離T−tだけX軸方向に仮想的に平行移動したとき、平行移動後の検査マーク25に対応する位置A2に検査マーク25は存在しない。同様に、辺32の位置B1にある検査マーク25をY軸方向に仮想的に平行移動しても、位置B2に検査マーク25は存在しない。
このような配置をすることで、外周スクライブ領域Roにおける位置A2、B2には露光光を遮るパターンが存在せず、これらの位置における外周スクライブ領域Roは露光光を通すことになる。
なお、各検査マーク25同士の間隔は、上記の規則に従って配置される限り、等ピッチでもよいしランダムであってもよい。更に、外周スクライブ領域Roの四つの全ての辺31〜34について検査マーク25を設ける必要もなく、一つの辺、若しくは隣接する二つの辺にのみ検査マーク25を設けてもよい。
図8〜図11は、このような配置を実現するための検査マーク25の拡大平面図である。
図8の例では、辺31の検査マーク25を内包する矩形状の仮想枠35を設ける。なお、仮想枠35は、検査マーク25を設計する段階において便宜上設定されるものであって、実際のレチクルに形成されるわけではない。また、仮想枠35の内側には一つの検査マーク25のみが配されることとし、複数個の検査マーク25は仮想枠35内に配されない。
そして、この仮想枠35の中心Cを軸にして検査マーク25を180°だけ回転してなるマークを、辺31の対辺33に平行移動して検査マーク25として設ける。
このとき、仮想枠35内の上半分又は下半分の領域に検査マーク25が配されていれば、辺31、33において検査マーク25同士が互いに対向することがない。
なお、図8の例では、各辺31、33に平行となるように仮想枠35の長辺を配したが、これに代えて、図9に示すように、仮想枠35の短辺が各辺31、33と平行になるようにしてもよい。
同様に、図10の例でも、向かい合う辺32、34のそれぞれに、中心Cを軸にして一方の辺における検査マーク25を回転したものを他方の辺に設けることで、各辺32、34における検査マーク25が互いに対向しないようにする。
更に、図11に示すように、仮想枠35の短辺が各辺32、34と平行になるように仮想枠35と検査マーク25とを配してもよい。
露光方法について
次に、上記したレチクル22を用いた電子装置の製造方法について説明する。
図12〜図15は、本実施形態に係る電子装置の製造方法について説明するための平面図である。
まず、図12に示すように、シリコン基板40の上に、パターニングの対象となる膜41を形成する。その膜41は、例えば配線用のアルミニウム膜でありスパッタ法で形成される。そして、この膜41の上に、スピンコート法によりポジ型のフォトレジスト42を塗布する。
次に、図13に示すように、ステッパ等の不図示の露光装置のステージ上にシリコン基板40を載せた後、その露光装置に備えられたレチクル22のショット領域Rsに露光光を透過させて、複数のチップ領域Rcを包含する領域におけるフォトレジスト42を1ショットで露光する。なお、用いる露光光は特に限定されないが、例えばKrFレーザ光が使用される。
この露光では、レチクル22の検査マーク25とマスクパターン26とがフォトレジスト42に投影され、ショット領域Rsにおいてこれらが投影されなかった部分のフォトレジスト42が感光する。一方、検査マーク25とマスクパターン26が投影された部分のフォトレジスト42はそれぞれ第1の未感光部42a及び第2の未感光部42bとなる。
ここで、図6を参照して説明したように、レチクル21の遮光帯23を透明基板22の縁の近くにまで形成したので、遮光帯23の外側の領域を通った露光光によって照明系フレアが発生するのを防止でき、フレア起因してフォトレジスト42が不必要に感光するのを抑制することが可能となる。
次いで、図14に示すように、ショット間隔だけ露光装置のステージを移動させた後、再び1ショットでフォトレジスト42を露光して、検査マーク25とマスクパターン26に相当する部分のフォトレジスト42をそれぞれ第1の未感光部42a及び第2の未感光部42bとする。
ここで、図14に示した領域Dでは、前の露光と今回の露光のそれぞれの外周スクライブ領域Roが重なるので、フォトレジスト42が二重露光されることになる。
そして、図7を参照して説明したように、対辺にある検査マーク25同士が対向しないように各検査マーク25を配置したので、前の露光で形成された第1の未感光部42aが今回の露光で感光して消去され、二重露光された外周スクライブ領域Roに相当する部分のフォトレジスト42には未感光部は残らない。
このようにして、本実施形態では、外周スクライブ領域Roの一辺に相当する部分のフォトレジスト42が二重露光されるように露光の度にシリコン基板40を移動させながら、マスクパターン26(図6参照)をフォトレジスト42に投影していくことにより、複数のチップ領域Rcにおけるフォトレジスト42を次々と露光していく。
図15は、このようにして全てのチップ領域Rcに対する露光を終了した後の拡大平面図である。
これに示されるように、外周スクライブ領域Roに相当する部分のフォトレジスト42を二重露光したことで、検査マーク25に対応した第1の未感光部42aは全て消去される。
図16は、露光を終了した後のシリコン基板40の全体平面図である。
同図に示されるように、チップを取り出すことができないシリコン基板40の周縁部分では、ショット領域Rsが基板40の外側にはみ出るようにダミーショットと呼ばれる露光が行われる。このようなダミーショットをすることで、シリコン基板40の周縁部分においても外周スクライブ領域Roが二重露光され、シリコン基板40の全ての領域で検査マーク25に対応した第1の未感光部42aを消去することが可能となる。
これ以降の工程について、図17〜図20を参照して説明する。
上記のようにスピンコートにより塗布されたフォトレジスト42は、シリコン基板40の周縁部分において他の部分よりも厚く、この状態で現像すると周縁部分にフォトレジストの残渣が発生する恐れがある。
そこで、本実施形態では、このような残渣の発生を防止するために、図17に示すように、露光を終えたシリコン基板40を回転させながら、レーザ光源60から出たレーザ光61をシリコン基板40の周縁部に照射し、レーザ光61を照射された部分のフォトレジスト42を完全に感光さて周縁感光部42cを形成する。
この後に、図18の全体平面図に示すように、フォトレジスト42を現像してレジストパターン42dを形成する。上記のようにシリコン基板40の周縁部にレーザ光を照射したことで、現像によって周縁部40aのフォトレジスト42が完全に除去されるので、フォトレジスト42の残渣が発生せず、シリコン基板40に再付着するレジスト残渣によってデバイスパターンに欠陥が発生するのを抑止できる。
次に、レジストパターン42dをエッチングマスクにして膜41(図18では不図示)をドライエッチングした後、レジストパターン42dを除去する。これにより、図19に示すように、エッチングされずに残存する膜41がデバイスパターン41aとなる。
既述のように、本実施形態では、検査マーク25に相当する第1の未感光部42aが二重露光によって消去されるので、シリコン基板40の外周スクライブ領域Roにはレジストパターンが残存せず、検査マーク25に対応した膜41の残膜は外周スクライブ領域Roに形成されない。
しかも、検査マーク25が外周スクライブ領域Roに設けられるので、外周スクライブ領域Roの内側に形成されたマスクパターン26の粗密が検査マーク25によって影響を受けることは無く、マスクパターン25に対応したデバイスパターン41aを所定の粗密でシリコン基板40上に形成することができる。
続いて、図20に示すように、ダイシングソー70を用いて外周スクライブ領域Roとインナースクライブ領域Riに沿ってシリコン基板40をダイシングし、チップ領域毎にシリコン基板40を個片化して半導体チップを取り出す。
このとき、上記のように膜41の残膜が外周スクライブ領域Roに無いので、ダイシングソー70が残膜を切断することがなく、残膜に起因したバリが発生しなくなる。その結果、シリコン基板40にバリが再付着することで起きる半導体チップの不良を防止でき、半導体チップの歩留まりを向上させることが可能となる。
以上により、本実施形態に係る電子装置の製造方法の主要工程が終了したことになる。
上記した本実施形態では、図6に示したように、外周スクライブ領域Roに形成された検査マーク25が、対向する辺において互いに向き合わないように配される。
そのため、図14のように外周スクライブ領域Roに相当する部分のフォトレジスト42が二重露光されるように露光を行うことで、検査マーク25に対応した第1の未感光部42aを消去でき、外周スクライブ領域Roにおけるフォトレジスト42の全ての部分を感光させることが可能となる。
これにより、フォトレジスト42を現像することで外周スクライブ領域Roにレジストが残らず、外周スクライブ領域Roにおける膜41をエッチングにより完全に除去でき、膜41に起因したバリがダイシングの際に発生せず、シリコン基板40に再付着したバリによって半導体チップが不良になるのを防止できる。
なお、上記では、ダイシングの対象となる基板としてシリコン基板40を用いたが、これに代えて、液晶表示装置や磁気記録媒体において使用される石英基板を用いてもよい。
検査方法について
次に、上記のレチクル22の検査方法について、図21及び図22を参照しながら説明する。
図21は本実施形態に係るレチクルの検査方法のフローチャートであり、図22はこの検査方法について説明するための平面図である。
この検査では、以下のようにして、マスクパターン26が設計通りの位置に配置されているかどうかが評価される。
検査を行うには、図22に示すように、市販のレチクル検査装置を用いて、検査マーク25にレーザ光を照射してその反射光を測定することにより、各検査マーク25の基準位置Pの座標を求める(ステップS1)。図22の例では、左右の列の検査マーク25のX座標をそれぞれXA〜XD、Xa〜Xdで表している。また、上下の行の検査マーク25の座標をそれぞれ(XI,YI)〜(XL,YL)、(Xi,Yi)〜(Xl,Yl)で表している。
なお、検査マーク25の基準点Pの取り方は特に限定されない。
図23は、その基準点Pの位置の一例を示す図であり、この例では、十字型の検査マーク25の中心点を基準点Pとしている。
これに代えて、図24のように、検査マーク25をL字型に形成し、その屈曲点を基準点Pとしてもよい。
次いで、このようにして得られた検査マーク25の座標を基にして、以下のように(i)X方向の収縮率ΔX、(ii)Y方向の収縮率ΔY、及び(iii)直交度ΔOを求める(ステップS2)。
(i)X方向の収縮率
X方向の収縮率ΔXは次式により算出される
ΔX=[[(Xa+Xb+Xc+Xd)−(XA+XB+XC+XD)]/4−PX]×1000000/PX (ppm)
ここで、PXは、二つの検査マーク25の各基準点P同士のX方向の設計距離であって、例えば118mm程度の値である。
この式で得られた収縮率ΔXは、レチクル21がX方向に全体的にどの程度収縮しているかを評価するための一つの指標であって、その値がゼロのとき、レチクル21はX方向に収縮していないと評価される。
(ii)Y方向の収縮率
Y方向の収縮率ΔYは次式により算出される
ΔX=[[(Yi+Yj+Yk+Yl)−(YI+YJ+YK+YL)]/4−PY]×1000000/PY (ppm)
ここで、PYは、二つの検査マーク25の各基準点P同士のY方向の設計距離であって、例えば138mm程度の値である。
この式で得られた収縮率ΔYは、レチクル21がY方向に全体的にどの程度収縮しているかを評価するための一つの指標であって、その値がゼロのとき、レチクル21はY方向に収縮していないと評価される。
(iii)直交度
直交度ΔOとは、各検査マーク25の並びがどの程度傾いているかを示す指標であり、次式により算出される
ΔO=[[(Xi+Xj+Xk+Xl)−(XI+XJ+XK+XL)]/4]×1000000/PY (ppm)
ΔOがゼロのとき、X方向に配列された検査マーク25の並びと、Y方向に配列された検査マーク25の並びとが、設計通りに直交していると評価される。
そして、ステップS2では、これらの指標ΔX、ΔY、ΔOを基にして、マスクパターン26が設計通りの位置に配置されているかどうかが検査される。
例えば、ΔXやΔYがゼロではない場合は、マスクパターン26がX方向又はY方向に収縮していると評価することができる。また、ΔOがゼロでない場合には、マスクパターン26のX方向の並び、又はY方向の並びが傾いていると評価することができる。
以下に、本発明の特徴について付記する。
(付記1) 透明基板と、
矩形状のショット領域を囲うように前記透明基板の上に形成された遮光帯と、
前記ショット領域を縁取る外周スクライブ領域の内側に形成されたマスクパターンと、
前記外周スクライブ領域の第1の辺に形成された検査マークとを有し、
前記外周スクライブ領域のうち前記第1の辺に対向する第2の辺に、ショット間隔に相当する距離だけ前記検査マークを仮想的に平行移動したときに、平行移動後の該検査マークに対応する部分の前記外周スクライブ領域が露光光を透過することを特徴とする露光用マスク。
(付記2) 前記遮光帯は、前記検査マークの幅よりも狭い距離だけ前記透明基板の縁から後退して形成されたことを特徴とする付記1に記載の露光用マスク。
(付記3) 前記遮光帯に開口が形成され、該開口の内側の領域における前記透明基板に、露光装置に対するアライメントマークが形成されたことを特徴とする付記1に記載の露光用マスク。
(付記4) 前記検査マークは矩形状の仮想枠の内側に配され、該仮想枠の中心を軸にして前記検査マークを180°回転してなるマークを、前記第2の辺に平行移動して検査マークとして設けることを特徴とする付記1に記載の露光用マスク。
(付記5) 前記検査マークは、前記仮想枠内の半分の領域のみに配されることを特徴とする付記4に記載の露光用マスク。
(付記6) 基板の上に膜を形成する工程と、
前記膜の上にフォトレジストを塗布する工程と、
矩形状のショット領域を縁取る外周スクライブ領域と、前記外周スクライブ領域の第1の辺に形成された検査マークを有する露光用マスクを用いて第1の露光を行う工程と、
前記第1の露光において前記第1の辺が露光された領域に、前記外周スクライブ領域のうち前記第1の辺と対向する第2の辺が露光されるように、前記基板を移動させて第2の露光を行う工程とを有し、
前記第1の露光において前記検査マークが投影された領域には、第2の露光において露光光が入射されることを特徴とする電子装置の製造方法。
(付記7) 前記露光用マスクとして、ショット間隔に相当する距離だけ前記検査マークを前記第2の辺に仮想的に平行移動したときに、平行移動後の該検査マークに対応する部分の前記外周スクライブ領域が露光光を透過するマスクを使用することを特徴とする付記6に記載の電子装置の製造方法。
(付記8) 前記ショット領域は、遮光帯によって囲われていることを特徴とする付記6に記載の電子装置の製造方法。
(付記9) 前記第2の露光の後に、前記フォトレジストを現像してレジストパターンにする工程と、
前記レジストパターンをマスクにして前記膜をエッチングすることによりデバイスパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンを除去する工程と、
前記外周スクライブ領域に沿って前記基板をダイシングすることにより、該基板から複数のチップを切り出す工程とを更に有することを特徴とする付記6に記載の電子装置の製造方法。
(付記10) 前記基板の周縁部に沿って前記フォトレジストに光を照射する工程を更に有することを特徴とする付記6に記載の電子装置の製造方法。
(付記11) 前記第1の露光又は前記第2の露光において、前記基板の外周から前記マスクパターンの投影像がはみ出るように前記フォトレジストを露光することを特徴とする付記6に記載の電子装置の製造方法。
(付記12) 露光用マスクが備える透明基板において、矩形状のショット領域を縁取る外周スクライブ領域の第1の辺に形成された複数の検査マークの位置座標を求めるステップと、
前記位置座標を基にして、前記外周スクライブ領域の内側の前記透明基板上に形成されたマスクパターンが、設計された位置に配されているかどうかを評価するステップとを有し、
前記露光用マスクが、前記ショット領域を囲うように前記透明基板の上に形成された遮光帯を有すると共に、
前記外周スクライブ領域のうち前記第1の辺に対向する第2の辺に、ショット間隔に相当する距離だけ前記検査マークを仮想的に平行移動したときに、平行移動後の該検査マークに対応する部分の前記外周スクライブ領域が露光光を透過することを特徴とする露光用マスクの検査方法。
(付記13) 前記マスクパターンを評価するステップでは、前記マスクパターンの収縮、又は前記マスクパターンの並びの傾きが検査されることを特徴とする付記12に記載の露光用マスクの検査方法。
(付記14) 前記検査マークの前記位置座標として、該検査マークの基準点の位置座標を用いることを特徴とする付記12に記載の露光用マスクの検査方法。
従来例に係るレチクルの全体平面図である。 図2は、ウエハの面内において粗密が一定となるように配されたデバイスパターンの平面図である。 図3は、ウエハの面内において局所的に疎となったデバイスパターンの平面図である。 図4は、ウエハの面内において局所的に密となったデバイスパターンの平面図である。 図3は、ウエハの面内において局所的に異なる形のデバイスパターンが挿入された場合の平面図である。 図6は、本発明の実施の形態に係るレチクルの平面図である。 図7は、本発明の実施の形態において、検査マークの配置方法を説明するための模式図である。 図8は、本発明の実施の形態における検査マークの拡大平面図(その1)である。 図9は、本発明の実施の形態における検査マークの拡大平面図(その2)である。 図10は、本発明の実施の形態における検査マークの拡大平面図(その3)である。 図11は、本発明の実施の形態における検査マークの拡大平面図(その4)である。 図12は、本発明の実施の形態に係る電子装置の製造方法について説明するための平面図(その1)である。 図13は、本発明の実施の形態に係る電子装置の製造方法について説明するための平面図(その2)である。 図14は、本発明の実施の形態に係る電子装置の製造方法について説明するための平面図(その3)である。 図15は、本発明の実施の形態に係る電子装置の製造方法について説明するための平面図(その4)である。 図16は、本発明の実施の形態において、露光を終了した後のシリコン基板の全体平面図である。 図17は、本発明の実施の形態において、シリコン基板の周縁部のフォトレジストを露光する方法について示す斜視図である。 図18は、本発明の実施の形態において、レジストパターンを形成した後のシリコン基板の全体平面図である。 図19は、本発明の実施の形態において、デバイスパターンを形成した後のシリコン基板の拡大平面図である。 図20は、本発明の実施の形態において、ダイシング中のシリコン基板の拡大平面図である。 図21は、本発明の実施の形態に係るレチクルの検査方法のフローチャートである。 図22は、本発明の実施の形態に係るレチクルの検査方法について説明するための平面図である。 図23は、本発明の実施の形態において、検査マークの基準点の位置の例を示す平面図である。 図24は、本発明の実施の形態において、検査マークの基準点の位置の別の例を示す平面図である。
符号の説明
1、21…レチクル、2、22…透明基板、3、23…遮光帯、23a…開口、4、24…アライメントマーク、5、25…検査マーク、6、26…マスクパターン、10…半導体ウエハ、11…デバイスパターン、31〜34…辺、35…仮想枠、40…シリコン基板、40a…周縁部、41…膜、41a…デバイスパターン、42…フォトレジスト、42a、42b…第1、第2未感光部、42d…レジストパターン、Ro…外周スクライブ領域、Ri…インナースクライブ領域、Rc…チップ領域、C…中心、P…基準点。

Claims (8)

  1. 透明基板と、
    矩形状のショット領域を囲うように前記透明基板の上に形成された遮光帯と、
    前記ショット領域を縁取る外周スクライブ領域の内側に形成されたマスクパターンと、
    前記外周スクライブ領域の第1の辺に形成された検査マークとを有し、
    前記外周スクライブ領域のうち前記第1の辺に対向する第2の辺に、ショット間隔に相当する距離だけ前記検査マークを仮想的に平行移動したときに、平行移動後の該検査マークに対応する部分の前記外周スクライブ領域が露光光を透過し、
    前記検査マークは矩形状の仮想枠の内側に配され、該仮想枠の中心を軸にして前記検査マークを180°回転してなるマークを、前記第2の辺に平行移動して検査マークとして設けることを特徴とする露光用マスク。
  2. 前記遮光帯は、前記検査マークの幅よりも狭い距離だけ前記透明基板の縁から後退して形成されたことを特徴とする請求項1に記載の露光用マスク。
  3. 前記検査マークは、前記仮想枠内の半分の領域のみに配されることを特徴とする請求項1に記載の露光用マスク。
  4. 基板の上に膜を形成する工程と、
    前記膜の上にフォトレジストを塗布する工程と、
    矩形状のショット領域を縁取る外周スクライブ領域と、前記外周スクライブ領域の第1の辺に形成された検査マークを有する露光用マスクを用いて第1の露光を行う工程と、
    前記第1の露光において前記第1の辺が露光された領域に、前記外周スクライブ領域のうち前記第1の辺と対向する第2の辺が露光されるように、前記基板を移動させて第2の露光を行う工程とを有し、
    前記第1の露光において前記検査マークが投影された領域には、第2の露光において露光光が入射され
    前記露光用マスクとして、ショット間隔に相当する距離だけ前記検査マークを前記第2の辺に仮想的に平行移動したときに、平行移動後の該検査マークに対応する部分の前記外周スクライブ領域が露光光を透過するマスクを使用し、
    前記検査マークは矩形状の仮想枠の内側に配され、該仮想枠の中心を軸にして前記検査マークを180°回転してなるマークを、前記第2の辺に平行移動して検査マークとして設けることを特徴とする電子装置の製造方法。
  5. 前記第2の露光の後に、前記フォトレジストを現像してレジストパターンにする工程と、
    前記レジストパターンをマスクにして前記膜をエッチングすることによりデバイスパターンを形成する工程と、
    前記レジストパターンを除去する工程と、
    前記外周スクライブ領域に沿って前記基板をダイシングすることにより、該基板から複数のチップを切り出す工程とを更に有することを特徴とする請求項4に記載の電子装置の製造方法。
  6. 前記基板の周縁部に沿って前記フォトレジストに光を照射する工程を更に有することを特徴とする請求項4に記載の電子装置の製造方法。
  7. 前記ショット領域は、遮光帯によって囲われていることを特徴とする請求項4に記載の電子装置の製造方法。
  8. 露光用マスクが備える透明基板において、矩形状のショット領域を縁取る外周スクライブ領域の第1の辺に形成された複数の検査マークの位置座標を求めるステップと、
    前記位置座標を基にして、前記外周スクライブ領域の内側の前記透明基板上に形成されたマスクパターンが、設計された位置に配されているかどうかを評価するステップとを有し、
    前記露光用マスクが、前記ショット領域を囲うように前記透明基板の上に形成された遮光帯を有すると共に、
    前記外周スクライブ領域のうち前記第1の辺に対向する第2の辺に、ショット間隔に相当する距離だけ前記検査マークを仮想的に平行移動したときに、平行移動後の該検査マークに対応する部分の前記外周スクライブ領域が露光光を透過し、
    前記検査マークは矩形状の仮想枠の内側に配され、該仮想枠の中心を軸にして前記検査マークを180°回転してなるマークを、前記第2の辺に平行移動して検査マークとして設けることを特徴とする露光用マスクの検査方法。
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