JP4149715B2 - パターン作成方法及びフォトマスク - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はパターン作成方法及びフォトマスクに係り、詳しくはフォトマスクのスクライブ領域に形成するプロセスパターンのレイアウトデータを作成する際に使用して好適なパターン作成方法及びフォトマスクに関する。
【０００２】
半導体装置（ＬＳＩ）の製造においては、基礎的なプロセス技術としてフォトリソグラフィが欠かせない。フォトリソグラフィは、ウェハ基板上に種々の素子や配線等のパターンを微細加工する技術であり、あらかじめウェハ基板上にフォトレジストを塗布した後、フォトマスクを使用して露光を行う。この露光処理によって非加工領域にのみフォトレジストを残し、例えば該レジストをマスクとして加工領域をエッチングにより選択的に除去する。このような製造プロセスにおいて、ウェハ基板上のスクライブ領域には種々のプロセスパターンと回路動作を確認するためのモニタ回路等が形成され、それらの配置個数は近年のプロセステクノロジの進歩に伴って増加の一途を辿っている。このため、フォトマスクの製作に際してプロセスパターンのレイアウトデータを効率的に作成することが必要になっている。
【０００３】
【従来の技術】
ＬＳＩの製造プロセスにおいて、ウェハ基板上に同一回路の多数の半導体チップを形成するには、フォトリソグラフィを利用して、ウェハ基板に対し回路パターンの転写、現像、エッチングが繰り返し行われる。
【０００４】
回路パターンの転写は、露光装置（ステッパ装置）を使用してフォトマスクに形成されているパターンをウェハ基板に対し繰り返し縮小投影することで行われる。そして、複数の半導体チップが形成されたウェハ基板は、各チップ間に形成されるスクライブ領域に沿ってダイシングされる。
【０００５】
このようなＬＳＩの製造プロセスにおいて、ウェハ基板のスクライブ領域には種々のプロセスパターン及びモニタ回路が形成される。
プロセスパターンは、フォトマスクとウェハ基板との位置合わせを行うためのアライメントパターン、転写結果を測定するための位置ずれ検査パターン、エッチング／ＣＭＰ（化学的機械的研磨）等のプロセス毎のチップ状態を確認するためのモニタパターンを含む。
【０００６】
半導体装置の製造ラインには、安定稼動等の目的から複数のメーカのステッパ装置が設けられている。このため、プロセスパターンは各ステッパ装置に応じて異なり、複数のステッパ装置に対応可能としたフォトマスクを形成するには、スクライブ領域に複数種類のプロセスパターンを形成する必要がある。これは、フォトマスクを複数のステッパ装置にて共用することで、フォトマスクを作成するコストの削減及び作成時間の短縮を図るためである。
【０００７】
モニタ回路は、チップ内に形成される種々の機能素子の動作を確認するための回路であり、ウェハプロセスの終了後にチップ内の回路を電気的にモニタリングするために形成される。
【０００８】
チップ内に形成された回路の動作を確認するには、チップ内の回路動作の試験を行うことが望ましいが、その試験パターンが複雑で試験コストが上昇する。そこで、モニタ回路内にチップ内の回路を簡略化した回路を形成し、その回路の動作試験を行うことでチップ内の回路の動作を類推している。このため、チップ内の回路動作を確実にモニタリングするためには、スクライブ領域に複数種類のモニタ回路を形成する必要がある。
【０００９】
このように、ウェハ基板上のスクライブ領域には種々のプロセスパターンとともにモニタ回路が形成される。従って、フォトマスクの作成にあたって、ＬＳＩ製造用のプロセスパターンのレイアウトデータ（フレームデータともいう）を作成する際は、スクライブ領域内に形成するプロセスパターンとモニタ回路の配置場所が重複しないように、該モニタ回路の配置場所を考慮する必要がある。
【００１０】
従来、プロセスパターンのレイアウトデータは、メインデバイスのチップサイズ及び面付け数に応じて製作されるフォトマスクのスクライブ領域内に、形成する各種プロセスパターンを示すマーク（アライメントマーク、位置ずれ検査マーク、モニタマーク等）を配置して作成する。
【００１１】
プロセスパターンは、ウェハプロセス工程、試験工程、アッセンブリ工程（主にダイシング）等の各種工程での利用方法（位置合わせ、検査、測定等）に合わせてパターン毎に配置条件が定められている。そして、この配置条件及びフォトマスク上の面付け数を考慮して作成した種々の配置モデルに基づいてプロセスパターンの選択及び配置が行われる。
【００１２】
図１４は、プロセスパターンのレイアウトデータを作成する従来のパターン作成装置によるパターン作成処理を示すフローチャートである。
レイアウトデータの作成にあたっては、上述した配置条件及びフォトマスクの面付け構成を予め想定してプロセスパターンの配置位置をパターン化した複数の配置モデルが作成され（ステップＳ１０１）、該作成した種々の配置モデルを集めた配置モデルライブラリ１００が作成される。配置モデルライブラリ１００は、パターン作成装置の記憶装置に記憶される。尚、通常、この配置モデル作成処理（ステップＳ１０１）は、主に製造プロセスのデザインルールに対応して新たなデザインルールでのレイアウトデータを作成する際に実施される。
【００１３】
まず、パターン作成装置は、プロセスパターンの配置を行うために必要な処理条件を入力する（ステップＳ１０１）。このとき入力する処理条件には、例えばチップサイズ、面付け数、プロセスパターンの配置条件等が含まれる。
【００１４】
次に、その処理条件に応じたプロセスパターンの配置モデルを予め作成された配置モデルライブラリ１００から選択する（ステップＳ１０２）。
詳述すると、パターン作成装置は、配置モデルライブラリ１００に登録されている配置モデルの中に上記処理条件に適合する配置モデルが存在するか否かを判断する（ステップＳ１０３）。
【００１５】
その結果、処理条件に適合する配置モデルが存在する場合は、その配置モデルからスクライブ領域内でのプロセスパターンの配置位置を表す座標値を算出し（ステップＳ１０４）、その座標値に従って作成したプロセスパターンのレイアウトデータを出力する（ステップＳ１０５）。
【００１６】
一方、処理条件に適合する配置モデルが存在しない場合は、それに類似する配置モデル（類似モデル）を配置モデルライブラリ１００から抽出する（ステップＳ１０６）。そして、その類似モデルに基づいて作成したレイアウトデータの確認を行い（ステップＳ１０７）、配置位置の修正を行う（ステップＳ１０８）。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、従来のパターン作成処理において、上記配置モデルライブラリ１００に登録されている複数の配置モデルは、レイアウトデータ作成時における種々の処理条件（チップサイズ、面付け構成、プロセスパターンの配置条件等）を想定して手作業で作成されている。従って、レイアウトデータ作成時に利用可能とする配置モデルをより多く作成するために膨大な時間を要していた。
【００１８】
特に、近年のプロセステクノロジの進歩は著しく、スクライブ領域に形成されるプロセスパターンの配置数は大幅に増加されている。このため、レイアウトデータ作成の処理条件に適合する配置モデルを全て作成することができなくなっていた。配置モデルが作成されていない処理条件に対応するレイアウトデータを作成する場合には、スクライブ領域を有効に利用してプロセスパターンの配置を行うことができない。
【００１９】
また、同様にしてスクライブ領域に形成されるモニタ回路の配置数も大幅に増加されていることにより、互いの配置場所の重複を防止しながらプロセスパターンの配置を行うことが非常に困難であった。このため、配置モデルを利用したパターン作成装置による自動配置が成功しない場合には配置修正を手作業で行う必要が生じ、結果としてレイアウトデータの作成時間が長くなっていた。
【００２０】
このような人手によるプロセスパターンの配置修正では、パターン重複等のミスが発生し易いことや、本来は必要としない処理までが行われてしまう可能性があるために、適切なパターン配置を行うことができなかった。
【００２１】
本発明は上記問題点を解消するためになされたものであって、その目的は適切なパターン配置を行いながら効率的にレイアウトデータを作成することのできるパターン作成方法及びフォトマスクを提供することにある。
【００２２】
【課題を解決するための手段】
請求項１，８に記載の発明によれば、スクライブ領域に形成するパターンのレイアウトデータは、プロセスパターンの配置位置をパターン化した複数の配置モデルから成るライブラリデータに基づいて前記スクライブ領域に配置するパターンを選択し、その選択したパターンを配置制約条件及び配置重要度に基づいて設定した配置順序に従って配置される。従って、多数のプロセスパターンの配置モデルを作成する必要がないため、工数を削減して効率的にレイアウトデータを作成することが可能となり、レイアウトデータ作成処理を短縮することができる。延いてはフォトマスクの製造データを短期間で作成できる。また、配置順序に従って順次配置されるため、プロセスパターンの配置を適切に行うことができる。
【００２３】
さらに、前記選択した全てのパターンを前記スクライブ領域に配置できたか否かを判断し、未配置のパターンが存在する場合に既配置のパターンの配置位置に対して前記未配置のパターンの埋め込み処理を行う。これにより、スクライブ領域を有効に利用してパターン配置を行うことが可能である。また、本来実施する必要のない過剰なスペックダウン処理が行われることが防止される。
【００２４】
また、前記埋め込み処理では、前記既配置のパターンを移動させて作り出した配置領域に前記未配置のパターンを配置する。
請求項２，３に記載の発明によれば、前記埋め込み処理では、複数のパターンから構成されるパターンを分割して作り出した配置領域に前記未配置のパターンを配置する。
【００２５】
請求項４に記載の発明によれば、前記選択した全てのパターンを前記スクライブ領域に配置できたか否かを判断し、未配置のパターンが存在する場合に該未配置のパターンに関する配置制約条件及びパターンサイズの少なくともいずれか１つを変更するスペックダウン処理を行う。
【００２６】
請求項５に記載の発明によれば、前記スペックダウン処理を前記配置制約条件及び配置重要度に基づいて設定した優先順位に従って行うようにした。
請求項６に記載の発明によれば、前記スクライブ領域に形成するパターンのレイアウトデータは、ショットまたぎ状態でのパターン間の配置間隔が、パターン間で保持すべき最小間隔を保持して配置されるように作成される。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を具体化した一実施形態を図１〜図１３に従って説明する。
図１は、プロセスパターンのレイアウトデータを作成する本実施形態のパターン作成装置１１の概略構成図である。
【００２８】
パターン作成装置１１は、一般的なＣＡＤ(Computer Aided Design) 装置であり、処理装置１２と、それに接続された入力装置１３、表示装置１４、第１〜第４記憶装置１５〜１８とを備える。
【００２９】
入力装置１３は、キーボードおよびマウス装置（図示略）を含み、プログラムの起動、ユーザからの要求や指示，パラメータの入力等に用いられる。
表示装置１４は、ＣＲＴ，ＬＣＤ，ＰＤＰ等のモニタ及びプリンタ（図示略）等の出力装置を含み、レイアウトデータ作成処理結果の表示、パラメータ入力画面等の表示に用いられる。
【００３０】
第１〜第４記憶装置１５〜１８は、通常、磁気ディスク装置、光ディスク装置及び光磁気ディスク装置（図示略）を含み、これらは各記憶装置１５〜１８に格納されるデータの種類、状態等に応じて適宜用いられる。尚、図１は第１〜第４記憶装置１５〜１８を機能的に分割して示しており、分割しない状態、又は複数の記憶装置にデータを分割して格納する構成としてもよい。
【００３１】
第１記憶装置１５には、後述するレイアウトデータ作成処理を実行するためのプログラムデータ（以下、プログラム）１５ａが格納されている。プログラム１５ａは、記録媒体１９により提供される。処理装置１２は、入力装置１３による指示に応答して図示しないドライブ装置を駆動し、記録媒体１９に記録されたプログラム１５ａを第１記憶装置１５にロードし、それを逐次実行する。これにより、処理装置１２は、プロセスパターンのレイアウトデータ作成のために必要な処理を実現する。尚、処理装置１２が記録媒体１９に記録されたプログラム１５ａを直接実行する構成としてもよい。
【００３２】
記録媒体１９としては、メモリカード，フレキシブルディスク，光ディスク(CD-ROM,DVD-ROM,… )，光磁気ディスク(MO,MD,…)等（図示略）、任意のコンピュータ読み取り可能な記録媒体を使用することができる。尚、記録媒体１９には、通信媒体を介してアップロード又はダウンロードされたプログラム１５ａを記録した媒体，ディスク装置や、処理装置１２によって直接実行可能なプログラム１５ａを記録した記録媒体も含む。
【００３３】
第２記憶装置１６には、プロセス仕様データ１６ａが格納されている。このプロセス仕様データ１６ａには、ＬＳＩ製造時に使用するフォトマスク作成用のレイアウトデータを作成するために必要な種々の処理条件が格納されている。具体的には、処理条件は、プロセスパターンの配置を行うために必要な情報であり、例えばウェハ基板上に形成するチップサイズ、フォトマスクの面付け構成（面付け数）、プロセスパターンの選択条件等が格納されている。
【００３４】
第３記憶装置１７には、それぞれライブラリ化されたセル形状データ１７ａ、セル属性データ１７ｂ及び配置制約条件データ１７ｃが格納されている。
セル形状データ１７ａには、デザインルールに応じて形成されたプロセスパターンがレイアウトデータ作成用にセル化されて格納されている。各セルは、１つのプロセスパターンで構成される単独セル又は複数のプロセスパターンから構成される群セルであり、それらはプロセスパターンの種類に応じたマークで表される。
【００３５】
詳しくは、プロセスパターンは、フォトマスクとウェハ基板との位置合わせを行うアライメントパターン、転写結果を測定する位置ずれ検査パターン、エッチング／ＣＭＰ等のプロセス状態を確認するモニタパターンを含み、それらはアライメントマーク、位置ずれ検査マーク、モニタマークとして識別可能なマークで表される。
【００３６】
セル属性データ１７ｂには、セル属性を示す情報が格納されている。セル属性は、スクライブ領域における各セルの配置属性（セルの大きさや他セルとの配置間隔等）及び後述する配置重要度やスペックダウン処理等に関するパラメータを含む。
【００３７】
配置制約条件データ１７ｃには、スクライブ領域における各セルの配置制約条件を示す情報が格納されている。具体的には、配置制約条件は、スクライブ領域にてセルを配置する軸及び軸内での配置場所等のパラメータを含み、該パラメータ毎に配置制約条件が設定される。
【００３８】
第４記憶装置１８には、前記プロセス仕様データ１６ａ及びライブラリとしてのセル形状データ１７ａ、セル属性データ１７ｂ、配置制約条件データ１７ｃに基づいて作成されたプロセスパターンのレイアウトデータ１８ａが格納されている。処理装置１２は、プログラム１５ａを実行してパターン作成処理を行い、作成したレイアウトデータ１８ａを第４記憶装置１８に格納する。
【００３９】
図２は、パターン作成装置１１による、プロセスパターンのレイアウトデータ作成処理（以下、パターン作成処理）を示すフローチャートである。
レイアウトデータの作成にあたっては、上述のセル形状データ１７ａ、セル属性データ１７ｂ、配置制約条件データ１７ｃのライブラリが作成され（ステップＳ１０）、各ライブラリはパターン作成装置１１の第３記憶装置１７に格納される。尚、通常、このライブラリ作成処理（ステップＳ１０）は、主にチップサイズ、面付け数、製造プロセスのデザインルールの変更に対応して新たなレイアウトデータを作成する際に実施される。
【００４０】
先ず、パターン作成装置１１の処理装置１２は、第２記憶装置１６に格納されたプロセス仕様データ１６ａから、プロセスパターンの配置を行うために必要な処理条件（チップサイズ、面付け構成、パターン選択条件等）を読み込む（ステップＳ１１）。
【００４１】
次に、処理装置１２は、第３記憶装置１７に格納されているライブラリから、前記処理条件に応じて選択したセル形状データ１７ａ、セル属性データ１７ｂ及び配置制約条件データ１７ｃを読み込む（ステップＳ１２）。つまり、このステップＳ１２では、スクライブ領域に配置するセルとそのセルのセル属性及び配置制約条件が取り込まれる。
【００４２】
処理装置１２は、前記ステップＳ１１及びＳ１２にて入力した処理条件及びライブラリ内の各種データに基づいて、プロセスパターンを配置するスクライブ領域内の設定を行う（ステップＳ１３）。このステップＳ１３では、スクライブ領域内にプロセスパターンとともに配置される動作確認用のモニタ回路等とのパターン重複を防止するために、該スクライブ領域内におけるプロセスパターンの配置禁止領域の設定等も行われる。
【００４３】
次に、処理装置１２は、スクライブ領域内に配置するセルについて配置プライオリティ（配置順序）の設定を行う。配置プライオリティは、セル属性データ１７ｂ及び配置制約条件データ１７ｃの各パラメータ、具体的には後述する配置重要度や配置制約条件に基づいて決定される。
【００４４】
次に、処理装置１２は、この配置プライオリティに従ってスクライブ領域にセルを配置する（ステップＳ１５）。
このステップＳ１５における初期配置について詳述すると、処理装置１２は、配置プライオリティに従ってセルを順次配置し、且つ、配置を行うたびにセルの配置位置の確認を行う。この処理では、前記配置制約条件や後述する露光装置でのショットをまたぐ状態での配置条件に反していないか否かの確認、更には上記プロセスパターンの配置禁止領域にセルが配置されていないか否かの確認も行われる。このように、処理装置１２は、セルの配置毎にその配置位置を確認し、その結果、各条件のうちいずれか１つでも反している場合にはそのセルの配置プライオリティを最下位に変更し、その他のセルについてのみ配置を行う。つまり、条件に反するセルについては初期配置では配置が行われない。
【００４５】
そして、処理装置１２は、この初期配置の結果、パターンの重複があるか否か、つまり初期配置によってセルが全て配置できたか否かを判断する（ステップＳ１６）。
【００４６】
このとき、パターンの重複がない場合には、処理装置１２は初期配置によって作成したレイアウトデータを出力する（ステップＳ２３）。逆に、パターンの重複がある場合には、処理装置１２は埋め込み処理を行う（ステップＳ１７）。
【００４７】
埋め込み処理は、一旦配置することができたセル（以下、既配置セル）について、セルの移動やセルの分割（群セルのみ）を行うことで、配置できなかったセル（以下、未配置セル）の配置領域をスクライブ領域内に作り出し、未配置セルの配置を行う処理である。また、埋め込み処理は、一旦配置されたセルの移動や分割を行うことで、スクライブ領域を有効に利用してパターン配置する際にも行われる。このような埋め込み処理（セルの移動、分割）は、配置制約条件に基づいて行われる。
【００４８】
処理装置１２は、この埋め込み処理の結果、パターンの重複があるか否か、つまり埋め込み処理によって未配置セルが全て配置できたか否かを判断する（ステップＳ１８）。
【００４９】
このとき、パターンの重複がない場合には、処理装置１２は埋め込み処理によって作成したレイアウトデータを出力する（ステップＳ２３）。逆に、パターンの重複がある場合には、処理装置１２はスペックダウン処理を行う（ステップＳ１９）。
【００５０】
スペックダウン処理は、埋め込み処理によっても配置することができなかったセルを予め設定された優先順位に従って条件の異なる他のセルに置き換えて配置する、あるいはセルの配置位置を優先順位に従って配置制約条件の異なる他の配置位置に変更する処理である。具体的には、スペックダウン処理は、装置及び工程の選択の自由度が低いセルに変更する、あるいは位置合わせ精度を必要十分とする配置位置に変更する処理である。
【００５１】
従って、スペックダウン処理に関するセルの優先順位は、全ての装置（露光装置）や工程で使用できるパターン形状又は配置位置、あるいは位置合わせ精度が最も高くなるパターン形状又は配置位置を持つセルが最も高い優先順位に設定される。逆に、特定の露光装置や工程に限定して使用可能である場合、あるいは位置合わせ精度が低い場合には優先順位は低く設定される。そして、優先順位は、プロセスパターンの種類（アライメントパターン、位置ずれ検査パターン、モニタパターン）に応じて設定される。
【００５２】
このようにして設定された優先順位に従って、処理装置１２は、優先順位が１つ低いセルに変更する。ちなみに、上記ステップＳ１５での初期配置にて配置される各セルは、優先順位が最も高く設定されたセルである。
【００５３】
処理装置１２は、このスペックダウン処理の結果、パターンの重複があるか否か、つまりスペックダウン処理によって未配置セルが全て配置できたか否かを判断する（ステップＳ２０）。
【００５４】
このとき、パターンの重複がない場合には、処理装置１２はスペックダウン処理によって作成したレイアウトデータを出力する（ステップＳ２３）。逆に、パターンの重複がある場合には、処理装置１２は再度スペックダウン処理を行うための次候補があるか否かを判断する（ステップＳ２１）。
【００５５】
そのステップＳ２１において、次候補となるセル（つまり優先順位がさらに１つ低いセル）がない場合には、処理装置１２はレイアウトデータ作成処理を中断する（ステップＳ２２）。逆に、次候補となるセルがある場合には、処理装置１２は、前記ステップＳ１９に戻って再度スペックダウン処理を行う。
【００５６】
処理装置１２は、その２度目のスペックダウン処理の結果、パターンの重複があるか否かを再度判断し、前記同様にして重複がない場合にはそのレイアウトデータを出力し、逆に重複がある場合には再度スペックダウン処理のための次候補があるか否かを判断する。
【００５７】
そして、処理装置１２は、パターンの重複が存在しなくなるまでスペックダウン処理を繰り返し行うことでレイアウトデータを作成する、もしくはパターンの重複が未だ存在するがスペックダウン処理のための次候補がなくなった場合には処理を中断する。尚、処理装置１２は、上述した埋め込み処理後に行う最初のスペックダウン処理にて、該スペックダウン処理の対象となるセルが設定されていない場合には同様にして処理を中断する（図示略）。
【００５８】
図３及び図４は、図２のパターン作成処理にて作成されたレイアウトデータのパターン配置の例である。
図３に示すフォトマスク２１は、例えば面付け数が４（Ｘ＝２，Ｙ＝２で表す）のフォトマスクであり、ウェハ基板上に半導体チップを形成するためのチップ領域２２及びスクライブ領域２３から構成される。スクライブライン２３ａ（図中、一点鎖線）は、ウェハ基板を各チップに分離（ダイシング）するラインを示している。
【００５９】
チップ領域２２には半導体チップ形成用のデバイスパターン（図示略）が形成され、スクライブ領域２３にはプロセスパターン２４、遮光帯２５及びモニタ回路２６がそれらの種類に応じた形状を有するマークでスクライブライン２３ａ上に配置される。
【００６０】
プロセスパターン２４は、アライメントパターン、位置ずれ検査パターン及びモニタパターン等を含み、それらは固有のマークで識別可能に配置される。プロセスパターン２４は上記したようにレイアウトデータ作成時にはセルとして扱われ、原則、各セルは互いに隣接するセル間で最小間隔が保持されて配置される。また、複数のプロセスパターン２４から構成される群セル２４ａ（図中、破線）は、グループ内での配置順序や最小間隔が個別に設定される場合もある。
【００６１】
遮光帯２５は、露光時におけるショット間での多重露光を防止するために形成されるものであり、フォトマスク２１の外周軸（４辺）に配置するプロセスパターン２４の対向辺に配置される。
【００６２】
モニタ回路２６は、ウェハプロセス終了後のウェハ基板上のチップ領域２２に形成される機能素子の動作確認を行うために形成されるものである。このモニタ回路２６の配置領域は、プロセスパターン２４の配置禁止領域である。
【００６３】
図４は、フォトマスクの面付け構成に応じて作成されたレイアウトデータのその他の例であり、フォトマスク３１〜３４の面付け数がそれぞれ１（Ｘ＝１，Ｙ＝１）、２（Ｘ＝２，Ｙ＝１）、６（Ｘ＝３，Ｙ＝２）、１６（Ｘ＝４，Ｙ＝４）の場合のレイアウトデータを示す。尚、同図に示すフォトマスク３１〜３４において、図３で説明したフォトマスク２１と同様な構成部分には同一符号を付している。
【００６４】
図５は、配置制約条件（配置制約条件データ１７ｃ）を示す説明図である。
配置制約条件データ１７ｃは、セル（単独セル又は群セル）の配置制約条件を設定した第１〜第３の軸コード（図中、軸コード１〜３）４１〜４３及び場所コード４４を記憶する領域を含む。
【００６５】
第１〜第３の軸コード４１〜４３はスクライブ領域にてセルを配置する軸を示し、場所コード４４はその軸内における配置場所を示す。これら各コード４１〜４４には種々の配置制約条件が設定されている。従って、各セルの配置制約条件は、第１〜第３の軸コード４１〜４３及び場所コード４４にて設定された配置制約条件のいずれかの組み合わせによって決定される。
【００６６】
例えば、上述した図３のフォトマスク２１でのパターン配置例において、群セル２４ａは、第１の軸コード４１が「外周軸に配置」、第２の軸コード４２が「Ｘ軸」、第３の軸コード４３が「下」、場所コード４４が「真中寄せ」、に設定された配置制約条件に従って配置される。
【００６７】
本実施形態において、図５に示す第１の軸コード４１にて設定された「左上コーナ」、「右上コーナ」、「左下コーナ」、「右下コーナ」は、特定のセル（プロセスパターン）の種類に対して設定される配置制約条件である。これらの配置制約条件が設定される場合には、第２及び第３の軸コード４２，４３及び場所コード４４の配置制約条件は「コードなし」に設定される。
【００６８】
また、配置制約条件には、スクライブ領域での配置位置が変更可能なセルに対して配置位置の優先度が設定され、この場合には優先度の高い配置位置から配置が行われる。
【００６９】
詳述すると、例えば、図５に示す第１の軸コード４１が「外周軸を優先配置」に設定されているセルにおいては、スクライブ領域の外周軸に配置されることが最も望ましい。しかしながら、パターンの重複等により外周軸に配置できない場合にはそのセルを内側軸に配置することもできる。このような優先度は、同様にして第２及び第３の軸コード４２，４３及び場所コード４４の配置制約条件に対しても設定される。尚、同図に示す第３の軸コード４３及び場所コード４４にて優先度が設定された配置制約条件は、上段がＸ軸配置時を示し、下段がＹ軸配置時を示す。
【００７０】
このような配置制約条件において、例えば、上記第１の軸コード４１にて設定された「左上コーナ」等の条件は、それのみで配置位置が１個所に限定されるため配置制約が厳しい。逆に、優先度の設定された条件は、配置位置が変更可能であるため配置制約は比較的緩い。上述したセルの埋め込み処理は、この配置制約条件に優先度が設定される場合に、その優先度に従って行われる。
【００７１】
図６は、セル属性（セル属性データ１７ｂ）を示す説明図である。尚、図は、群セルのセル属性データ１７ｂの例を示す。
セル属性データ１７ｂは、各セル（図６では群セル）の配置属性５１を表す複数の項目を記憶する領域、配置重要度５２を記憶する領域及びスペックダウン情報５３を記憶する領域を含む。
【００７２】
配置属性５１は、グループ種類、セル作成軸、セルの大きさ、セルの幅、他セルとのギャップ（ＧＡＰ）、グループ内ギャップ等のパラメータを含む。
グループ種類は、群セルを構成するプロセスパターンの種類を表す。例えば図６に示すセル名「ＡＡＡ１」と「ＡＡＡ２」は同じプロセスパターン構成（「ＡＡＢ」）を有する。セル作成軸は、セルがＸ軸とＹ軸のいずれの軸を基準として作成されたかを示す。セルの大きさ（つまり軸方向の長さ）及びセルの幅は、セルの配置領域長を示す。他セルとのギャップは、互いに隣接するセル間にて保持すべき配置間隔を示し、グループ内ギャップは、群セルを構成する互いのプロセスパターン間にて保持すべき配置間隔を示す。
【００７３】
配置重要度５２は、上記レイアウトデータ作成処理における配置プライオリティの設定及びスペックダウン処理に関する優先順位の設定の際に参照される。つまり、配置プライオリティ及びスペックダウン処理時の優先順位は、この配置重要度５２及び上述した配置制約条件に基づいて決定される（配置重要度５２の高さと配置制約条件の自由度の高さとの兼合いを考慮）。
【００７４】
スペックダウン情報５３には、スペックダウン処理時の第１優先に関する情報と次候補（対象）となるセル名が登録されている。従って、スペックダウン情報５３の対象セル名が登録されていないセル（例えば図６に示すセル名「ＢＢＢ２」）のスペックダウン処理は実行されない。
【００７５】
次に、露光装置によるショット間でのプロセスパターンの配置状態（以下、ショットまたぎ状態）を考慮した配置条件の確認方法を図７及び図８に従って説明する。
【００７６】
図７は、露光処理後のウェハ基板６１であり、このウェハ基板６１にはチップ領域にデバイスパターン（何れも図示略）が形成された複数の半導体チップ６２が形成されている。また、ウェハ基板６１上のスクライブ領域（図示略）には、種々のプロセスパターン６３及びモニタ回路（図示略）が形成されている。尚、ウェハ基板６１に形成された各半導体チップ６２は、スクライブライン６４に沿って分離される。
【００７７】
このようなウェハ基板６１において、スクライブ領域に形成されるプロセスパターン６３は、図示しない露光装置（ステッパ装置）によりフォトマスクに対してウェハ基板６１を１ショットずつ移動させることで形成される。従って、プロセスパターン６３のレイアウトデータをショットまたぎ状態での配置条件を考慮して作成する必要がある。
【００７８】
図８（ａ）は、その露光用のフォトマスク６５におけるレイアウトデータの例を示す図である。このフォトマスク６５は例えば面付け数が４で形成されている。尚、説明の都合上、同図では、図７に示すウェハ基板６１のスクライブ領域に形成される複数のプロセスパターン６３のうち、フォトマスク６５のスクライブ領域にてＸ軸（外周軸）に形成された隣接する２つのプロセスパターン６３ａ，６３ｂを示す。
【００７９】
フォトマスク６５は、４つのチップ領域６６及びスクライブ領域６７を有し、プロセスパターン６３ａ，６３ｂは、そのスクライブ領域６７のスクライブライン（図中、一点鎖線）６７ａ上に形成される。
【００８０】
このフォトマスク６５のレイアウトデータ作成に際して、互いに隣接する２つのプロセスパターン６３ａ，６３ｂの配置間隔ｄｒは少なくとも配置間隔ｄｇ（パターン間で保持すべき最小間隔：図示略）を保持するように配置される。このとき、プロセスパターン６３ａから右端側のスクライブライン６７ａまでの間隔ｄ１及びプロセスパターン６３ｂから左端側のスクライブライン６７ａまでの間隔ｄ２は、それぞれ（ｄｇ／２）以上の間隔を有して設定される。
【００８１】
図８（ｂ）は、そのフォトマスク６５を用いて露光を行った場合を仮定して示す説明図である（図は例として４ショット分を示す）。
同図に示すように、今、左下のショット位置と右下のショット位置でのショットをまたぐ状態にて互いに隣接する２つのプロセスパターン６３ａ，６３ｂは配置間隔ｄｓである。
【００８２】
その際、ショットまたぎ状態におけるプロセスパターン６３ａ，６３ｂの配置間隔ｄｓは（ｄ１＋ｄ２）である（図８（ａ）参照）。従って、ショットまたぎ状態での配置間隔ｄｓは少なくとも配置間隔ｄｇが保持される。このようなショットまたぎ状態での配置条件の確認が上述したレイアウトデータの作成処理（図２参照）にて行われることで、露光後のウェハ基板６１には複数のプロセスパターン６３が配置条件に反しない配置位置で形成される。
【００８３】
次に、埋め込み処理の具体的な処理方法を図９及び図１０に従って説明する。図９は、既配置セル（既配置パターン）を分割して行う埋め込み処理の例を示す説明図である。
【００８４】
図９（ａ）に示すように、初期配置（図２参照）において、スクライブ領域（図示略）にはセル７１〜７４が配置される。ここで、セル７１〜７３は単独セルであり、セル７４は群セルである。群セルの大きさ（軸方向の長さ）は４０００μｍである。また、単独セル７１〜７３は配置間隔が２０００μｍ以上必要であり、単独セル７１〜７３と群セル７４とは配置間隔が５０μｍ以上必要である。
【００８５】
今、初期配置において、群セル７４は、単独セル７１，７２間に配置される。従って、単独セル７１と単独セル７２の配置間隔は４１００μｍであり、単独セル７２と単独セル７３の配置間隔は２０００μｍである。
【００８６】
図９（ｂ）は、このような初期配置に対して埋め込み処理を行った配置例である。
今、埋め込み処理によって群セル７４が２つの群セル７４ａ，７４ｂに分割され、それら群セル７４ａ，７４ｂが単独セル７１，７２間及び単独セル７２，７３間に配置される。これにより、単独セル７１，７２の配置間隔及び単独セル７２，７３の配置間隔はそれぞれ２１００μｍに短縮される。
【００８７】
図１０は、既配置セル（既配置パターン）を移動して行う埋め込み処理の例を示す説明図である。
図１０（ａ）に示すように、初期配置において、スクライブ領域（図示略）にはセル８１〜８５が配置される。これらセル８１〜８５は単独セル又は群セルである。
【００８８】
今、この初期配置にて配置されたセル８１〜８５に対してセル８６，８７の埋め込み処理が行われる。ここで、セル８６，８７間は少なくとも配置間隔ｄ３を保持する必要がある。
【００８９】
先ず、図１０（ｂ）に示すように、セル８１〜８５の配置位置に対してセル８６，８７の配置領域の有無が判断され、その結果、セル８１，８２間の配置領域にセル８６のみが配置される。つまり、セル８７は、セル８６との配置間隔ｄ３を保持できないため、この段階では配置することができない。
【００９０】
次いで、図１０（ｃ）及び図１０（ｄ）に示すように、セル８１〜８５の配置位置に対してセル８７の配置領域の有無が再度判断される。その結果、セル８７の配置領域が確保できないため、（既配置の）セル８１〜８５の移動が行われてセル８７の埋め込み処理が行われる。
【００９１】
その際、セル８１〜８５を移動して行う埋め込み処理は、セル８６，８７の配置間隔ｄ３以上、且つ、移動させなければならない既配置セル数が最少になる個所を選択して行われる。
【００９２】
このとき、図１０（ｅ）に示すように、セル８２のみを移動させる場合が、移動させる既配置セル数が最少であることが判断される。従って、図１０（ｆ）に示すように、セル８２がセル８６との配置間隔（最小間隔）を保持する位置まで同図の左方向（矢印で示す方向）に移動される。このセル８２の移動により、セル８７の配置領域が作り出される。これにより、図１０（ｇ）に示すように、セル８７は、セル８６，８７の配置間隔ｄ３以上を保持してセル８２，８３間に配置される。
【００９３】
次に、スペックダウン処理の具体的な処理方法を図１１〜図１３に従って説明する。
先ず、配置位置に関するスペックダウン処理の例を図１１に従って説明する。
【００９４】
図１１（ａ）〜図１１（ｄ）のうち、図１１（ａ）は、最も優先順位が高く設定された配置位置（以下、第１優先位置）を示し、図１１（ｂ）〜図１１（ｄ）は、順に第２〜第４優先位置を示している。各図中、一点鎖線は、スクライブ領域の外周軸上のスクライブラインを示す。
【００９５】
詳述すると、図１１（ａ）に示す第１優先位置に配置することのできる配置制約条件（図５参照）が設定されたセル（つまりプロセスパターン）９１ａ〜９１ｄはスペックダウン処理における優先順位が最も高く設定される。尚、各セル９１ａ〜９１ｄの配置位置の対向辺には多重露光防止用の遮光帯９１ｅ〜９１ｈが形成される。
【００９６】
以下同様にして、図１１（ｂ）に示す第２優先位置の配置制約条件が設定されたセル９２ａ〜９２ｄは優先順位が２番目に高く設定され、図１１（ｃ）に示す第３優先位置の配置制約条件が設定されたセル９３ａ〜９３ｄは優先順位が３番目に高く設定され、図１１（ｄ）に示す第４優先位置の配置制約条件が設定されたセル９４ａ〜９４ｄは優先順位が最も低く設定される。
【００９７】
このような優先順位は、全ての露光装置や工程で使用できる位置、あるいは位置合わせ精度が最も高くなる位置に配置可能なセルが最も高い優先順位に設定される。そして、使用できる露光装置や工程が限定される、あるいは位置合わせ精度が低下するにしたがって優先順位が低く設定される。例えば、図１１（ｄ）に示す配置位置では、スクライブ領域におけるセルの配置領域が大きくなり、チップ取得数が減少するため、スペックダウン処理におけるセル９４ａ〜９４ｄの優先順位は最も低く設定される。
【００９８】
続いて、パターンサイズに関するスペックダウン処理の例を図１２及び図１３に従って説明する。
図１２は、ウェハプロセスの各工程（例えばバルク工程と配線工程）で使用する露光装置（本実施形態では２つの種類）を示す説明図である。同図に示すように、バルク工程及び配線工程にて使用する露光装置９６，９７（図中、露光装置Ａ，露光装置Ｂ）の使用パターンはＡ→Ａ、Ａ→Ｂ、Ｂ→Ａ、Ｂ→Ｂの４種類である。
【００９９】
このような露光装置９６，９７の使用パターンは、ウェハプロセスの各工程において量産工程、装置稼働率等に応じて適宜選択される。従って、本実施形態においては、バルク工程及び配線工程において露光装置９６，９７の両方に対応可能（つまり露光装置９６，９７の使用パターンが４種類のうちいずれも選択可能）とするプロセスパターンを形成することが望ましい。
【０１００】
図１３は、露光装置９６，９７にて使用するフォトマスクに形成するプロセスパターンの一例を示す説明図である。
セル９８は、露光装置９６にて使用可能なプロセスパターン形状（マーク）を示し、レイアウトデータの作成時に２つのパターン９８ａ，９８ｂのうち少なくともいずれか１つを含むように配置される。一方、セル９９は、露光装置９７にて使用可能なプロセスパターン形状（マーク）を示し、２つのパターン９９ａ，９９ｂのうち少なくともいずれか１つを含むように配置される。
【０１０１】
詳述すると、セル９８において、パターン９８ａはバルク工程にて使用可能なパターンであり、パターン９８ｂは配線工程にて使用可能なパターンである。また、セル９９において、パターン９９ａはバルク工程にて使用可能なパターンであり、パターン９９ｂは配線工程にて使用可能なパターンである。
【０１０２】
このため、セル９８を構成するパターン９８ａ，９８ｂの種類及びセル９９を構成するパターン９９ａ，９９ｂの種類に応じて上記バルク工程及び配線工程で使用可能となる露光装置９６，９７の使用パターン（４種類）の数が異なる。
【０１０３】
例えば、図１３（ａ）に示すセル９８，９９を配置して形成されたフォトマスクでは、バルク工程及び配線工程で露光装置９６，９７のいずれも使用可能である（つまり、各工程で使用可能となる露光装置９６，９７の使用パターン（Ａ→Ａ、Ａ→Ｂ、Ｂ→Ａ、Ｂ→Ｂ）を４種類全て選択可能である）。
【０１０４】
一方、図１３（ｇ）に示すセル９８，９９を配置して形成されたフォトマスクでは、バルク工程にて露光装置９７のみが使用可能であり、配線工程にて露光装置９６のみが使用可能である（つまり各工程で使用可能となる露光装置９６，９７の使用パターンはＢ→Ａのみ）。
【０１０５】
従って、本実施形態では、パターン９８ａ，９８ｂを含むセル９８及びパターン９９ａ，９９ｂを含むセル９９は最も高い優先順位に設定される。逆に、パターン９８ａ，９８ｂのいずれか一方のみ含むセル９８及びパターン９９ａ，９９ｂのいずれか一方のみ含むセル９９は優先順位が低く設定される。
【０１０６】
以上記述したように、本実施の形態によれば、以下の効果を奏する。
（１）プロセスパターンのレイアウトデータ作成処理を実行するパターン作成装置１１には、ライブラリとして作成されたセル形状データ１７ａ、セル属性データ１７ｂ及び配置制約条件データ１７ｃが格納される。パターン作成装置１１は、それらライブラリに格納された各種データからプロセス仕様データ１６ａに適合したプロセスパターンを持つセルを選択してレイアウトデータを作成する。このため、多数のプロセスパターンの配置モデルを作成する必要がないため、工数を削減して効率的にレイアウトデータを作成することが可能となり、レイアウトデータ作成処理のＴＡＴ(Turn Around Time)を短縮することができる。延いてはフォトマスクの製造データを短期間で作成可能である。
【０１０７】
（２）パターン作成処理の初期配置（ステップＳ１５）は、セルの配置重要度及び配置制約条件に基づいて設定した配置プライオリティに従って順次配置されるため、プロセスパターンの配置を適切に行うことができる。
【０１０８】
（３）本実施形態では、スペックダウン処理（ステップＳ１９）に先立って埋め込み処理（ステップＳ１７）が実行される。これにより、スクライブ領域を有効に利用してパターン配置を行うことが可能である。また、本来実施する必要のない過剰なスペックダウン処理が行われることが防止される。
【０１０９】
（４）スペックダウン処理（ステップＳ１７）では、セルの配置重要度及び配置制約条件に基づいて予め設定される優先順位に従って行われるため、配置するプロセスパターンの種類の選択を適切に行うことができる。
【０１１０】
尚、本実施形態は、以下の態様で実施してもよい。
・本実施形態のパターン作成処理（図２）では、原則、ライブラリ作成（ステップＳ１０）をデザインルールに対応して新たなデザインルールでのレイアウトデータを作成する際に実施するようにしたが、適宜作成するようにしてもよい。
【０１１１】
・図３及び図４に示すプロセスパターン２４及びモニタ回路２６の配置位置はそれのみに限定されない。
・図５に示す配置制約条件において、セル（プロセスパターン）の配置場所がスクライブ領域のいずれの個所にも限定されない場合に、第１の軸コード４１にて「コードなし」とする条件を選択可能としてもよい。また、図５に示す各種の配置制約条件はそれのみに限定されない。
【０１１２】
・図５は、第２及び第３の軸コード４２，４３及び場所コード４４に設定する配置制約条件を未記入にすることにより、「コードなし」の設定を行うようにしてもよい。
【０１１３】
・図６に示すセル属性において、配置属性５１を示す各項目はそれのみに限定されない。
・埋め込み処理は、図９に示す既配置セル７４の分割のみによらず、未配置セルの分割により配置領域を作り出して、該分割した未配置セルを配置するようにしてもよい。
【０１１４】
本実施形態の特徴をまとめると以下のようになる。
（付記１） スクライブ領域に形成するパターンのレイアウトデータを作成するパターン作成方法において、
前記パターンの配置制約条件及び配置重要度が登録されたライブラリデータに基づいて前記スクライブ領域に配置するパターンを選択し、その選択したパターンを前記配置制約条件及び配置重要度に基づいて設定した配置順序に従って配置することを特徴とするパターン作成方法。
（付記２） 前記選択した全てのパターンを前記スクライブ領域に配置できたか否かを判断し、未配置のパターンが存在する場合に既配置のパターンの配置位置に対して前記未配置のパターンの埋め込み処理を行うことを特徴とする付記１記載のパターン作成方法。
（付記３） 前記埋め込み処理では、前記既配置のパターンを移動させて作り出した配置領域に前記未配置のパターンを配置することを特徴とする付記２記載のパターン作成方法。
（付記４） 前記埋め込み処理では、複数のパターンから構成される前記既配置のパターンを分割して作り出した配置領域に前記未配置のパターンを配置することを特徴とする付記２又は３記載のパターン作成方法。
（付記５） 前記埋め込み処理では、複数のパターンから構成される前記未配置のパターンを分割して作り出した配置領域に該未配置のパターンを配置することを特徴とする付記２乃至４のいずれか一記載のパターン作成方法。
（付記６） 前記埋め込み処理では、該埋め込みによるパターン間の配置間隔を最小とするように前記既配置のパターンを移動させることを特徴とする付記２乃至５のいずれか一記載のパターン作成方法。
（付記７） 前記選択した全てのパターンを前記スクライブ領域に配置できたか否かを判断し、未配置のパターンが存在する場合に該未配置のパターンに関する配置制約条件及びパターンサイズの少なくともいずれか１つを変更するスペックダウン処理を行うことを特徴とする付記１乃至６のいずれか一記載のパターン作成方法。
（付記８） 前記パターンサイズの変更は、同一処理を行う複数の装置に対応するパターン形状を含むパターンから、少なくともいずれか１つの装置に対応したパターン形状を含むパターンに変更する処理であることを特徴とする付記７記載のパターン作成方法。
（付記９） 前記スペックダウン処理を前記配置制約条件及び配置重要度に基づいて設定した優先順位に従って行うようにしたことを特徴とする付記７又は８記載のパターン作成方法。
（付記１０） 前記スペックダウン処理を前記埋め込み処理後に実行するようにしたことを特徴とする付記７乃至９のいずれか一記載のパターン作成方法。
（付記１１） 前記スクライブ領域に形成するパターンのレイアウトデータは、該パターンのショットまたぎ状態での配置条件を満たす配置間隔で作成されることを特徴とする付記１乃至１０のいずれか一記載のパターン作成方法。
（付記１２） 付記１乃至１１のいずれか一記載のパターン作成方法にてスクライブ領域に形成するパターンのレイアウトデータを作成するためのプログラム。
（付記１３） スクライブ領域に形成するパターンのレイアウトデータを作成するパターン作成装置において、
前記パターンの配置制約条件及び配置重要度が登録されたライブラリデータが記憶装置に記憶され、前記ライブラリデータに基づいて前記スクライブ領域に配置するパターンを選択して該選択したパターンの配置順序を前記配置制約条件及び配置重要度に基づいて設定する手段を備えることを特徴とするパターン作成装置。
（付記１４） 前記選択した全てのパターンのうち未配置のパターンを既配置のパターンの配置位置に対して埋め込みする手段を備えることを特徴とする付記１３記載のパターン作成装置。
（付記１５） 前記選択した全てのパターンのうち未配置のパターンに関する配置制約条件及びパターンサイズの少なくともいずれか１つを変更するスペックダウン処理の優先順位を前記配置制約条件及び配置重要度に基づいて設定する手段を備えることを特徴とする付記１３又は１４記載のパターン作成装置。
（付記１６） 前記スクライブ領域に形成するパターンのレイアウトデータを、該パターンのショットまたぎ状態での配置条件を満たす配置間隔で作成する手段を備えることを特徴とする付記１３乃至１５のいずれか一記載のパターン作成装置。
（付記１７） 付記１乃至１１のいずれか一記載のパターン作成方法にて作成されたレイアウトデータを用いて作成したフォトマスク。
【０１１５】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば、適切なパターン配置を行いながら効率的にレイアウトデータを作成することのできるパターン作成方法及びフォトマスクを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本実施形態のパターン作成装置の概略構成図である。
【図２】 パターン作成装置の処理を示すフローチャートである。
【図３】 パターン配置の例を示す概要図である。
【図４】 面付け構成の例を示す概要図である。
【図５】 配置制約条件の例を示す説明図である。
【図６】 セル属性の例を示す説明図である。
【図７】 露光されたウェハ基板を示す説明図である。
【図８】 ショットまたぎ状態での配置条件を示す説明図である。
【図９】 埋め込み処理（既配置パターンの分割）を示す説明図である。
【図１０】 埋め込み処理（既配置パターンの移動）を示す説明図である。
【図１１】 配置位置のスペックダウン処理を示す説明図である。
【図１２】 各工程で使用する露光装置を示す説明図である。
【図１３】 パターンサイズのスペックダウン処理を示す説明図である。
【図１４】 従来のパターン作成処理を示すフローチャートである。
【符号の説明】
Ｓ１７ 埋め込み処理
Ｓ１９ スペックダウン処理
１７ａ〜１７ｃ ライブラリデータとしてのセル形状データ、セル属性データ、配置制約条件データ
１８ａ レイアウトデータ
２４，６３ パターンとしてのプロセスパターン（セル）
５２ 配置重要度

Claims (7)

1. スクライブ領域に形成するパターンのレイアウトデータを作成するパターン作成方法において、
   プロセスパターンの配置位置をパターン化した複数の配置モデルから成るライブラリデータに基づいて前記スクライブ領域に配置するパターンを選択し、その選択したパターンを配置制約条件及び配置重要度に基づいて設定した配置順序に従って配置し、
   前記選択した全てのパターンを前記スクライブ領域に配置できたか否かを判断し、未配置のパターンが存在する場合に既配置のパターンの配置位置に対して前記未配置のパターンの埋め込み処理を行うとともに、
   前記埋め込み処理では、前記既配置のパターンを移動させて作り出した配置領域に前記未配置のパターンを配置することを特徴とするパターン作成方法。
2. 前記埋め込み処理では、複数のパターンから構成される前記既配置のパターンを分割して作り出した配置領域に前記未配置のパターンを配置することを特徴とする請求項１記載のパターン作成方法。
3. 前記埋め込み処理では、複数のパターンから構成される前記未配置のパターンを分割して作り出した配置領域に該未配置のパターンを配置することを特徴とする請求項１又は２記載のパターン作成方法。
4. 前記選択した全てのパターンを前記スクライブ領域に配置できたか否かを判断し、未配置のパターンが存在する場合に該未配置のパターンに関する配置制約条件及びパターンサイズの少なくともいずれか１つを変更するスペックダウン処理を行うことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項記載のパターン作成方法。
5. 前記スペックダウン処理を前記配置制約条件及び配置重要度に基づいて設定した優先順位に従って行うようにしたことを特徴とする請求項４記載のパターン作成方法。
6. 前記スクライブ領域に形成するパターンのレイアウトデータは、該パターンのショットまたぎ状態でのパターン間の配置間隔が、パターン間で保持すべき最小間隔を保持して配置されるように作成されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項記載のパターン作成方法。
7. 請求項１乃至６のいずれか一項記載のパターン作成方法にて作成されたレイアウトデータを用いて作成されたフォトマスク。

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