KR20110106144A - 포토마스크 및 그 제조방법 - Google Patents

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KR20110106144A
KR20110106144A KR1020100025393A KR20100025393A KR20110106144A KR 20110106144 A KR20110106144 A KR 20110106144A KR 1020100025393 A KR1020100025393 A KR 1020100025393A KR 20100025393 A KR20100025393 A KR 20100025393A KR 20110106144 A KR20110106144 A KR 20110106144A
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Abstract

패턴이 밀집된 셀 영역과 주변 영역의 패턴 밀도의 차이에 따른 케미컬 플레어 현상을 방지할 수 있는 포토마스크를 개시한다. 본 발명에 따른 포토마스크는, 웨이퍼 상으로 전사되어 회로 패턴을 구현하기 위한 메인 패턴들이 다수 개 배열된 제1 마스크 영역, 제1 마스크 영역의 외곽에 위치하며, 메인 패턴의 해상력을 향상시키기 위한 보조 패턴이 배치된 제2 마스크 영역, 및 제2 마스크 영역의 외곽에 위치하며, 노광 마진을 향상시키기 위한 노광 더미 패턴이 배치된 제3 마스크 영역을 포함한다.

Description

포토마스크 및 그 제조방법{Photomask and method for fabricating photomask}
본 발명은 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로, 특히 케미컬 플레어(chemical flare)를 방지할 수 있는 포토마스크 및 그 제조방법에 관한 것이다.
포토리소그래피(photolithography) 공정은 반도체 제조공정 중의 하나로서 반도체기판 상에 원하는 패턴을 형성하는 기술이다. 포토리소그래피 공정은 포토레지스트 도포, 정렬/노광(Alignment/Exposure) 및 현상 공정(Development)으로 이루어진다. 특히, 포토리소그래피 공정은 포토레지스트가 빛에 의해 분자 구조가 변경되고, 노광된 부분과 노광되지 않은 부분의 용해도가 달라지는 현상을 이용한다. 포토레지스트를 선택적으로 노광하여 패턴을 전사하기 위해 마스크가 이용된다.
반도체 소자의 최소 선폭을 나타내는 디자인 룰(design rule)이 축소되고 패턴의 밀집도가 증가함에 따라, 설계시의 레이아웃과는 다른 패턴의 형상 및 라인 폭의 변동이 발생한다. 그러한 원인 중의 하나가 플레어(flare)인데, 일반적으로 플레어(flare)는 포토리소그래피 시스템 중 노광 장치에 장착되는 프로젝션 렌즈 등의 결함으로 인하여 포토리소그래피 공정에서 오노광이 발생하는 현상을 말한다.
플레어 현상의 하나로 케미컬 플레어(chemical flare)가 있는데, 케미컬 플레어는 패턴이 밀집된 영역과 패턴이 없거나 적은 영역의 경계 지점에서 주로 발생한다. 즉, 노광 환경이 급격하게 변하는 영역에서 노광에 따른 산(acid)의 이동이 발생하고, 이러한 산의 이동에 의해 산의 농도가 변화되어 비정상적인 패턴이 형성되는 것이다.
도 1a 내지 도 1c는 웨이퍼가 낮은 노광 면적 비(exposed area ratio)를 가지는 경우의 케미컬 플레어를 설명하기 위한 단면도들이다.
도 1a를 참조하면, 포토레지스트(110)가 도포된 웨이퍼(100) 상부에 패턴(130)이 형성된 다크 톤(dark tone) 마스크(120)가 구비된다. 노광을 위하여 마스크(120)에 평행광이 조사되면, 평행광은 포토레지스트(110)의 표면에 입사된다. 광은 크롬(Cr) 차광막으로 이루어진 마스크 패턴(130)을 투과하지 못하며, 차광막이 도포되지 않은 영역을 통해 포토레지스트(110)에 입사된다. 노광된 포토레지스트(110)에서는 감광제(sensitizer)가 분해되고 산(acid)이 형성된다. 감광제가 분해된 영역의 포토레지스트(110)는 현상액에 잘 녹는 성질을 가지게 된다. 광이 입사된 제1 영역(140)에서는 산이 형성되고, 광의 입사가 차단된 제2 영역(150)에서는 산이 형성되지 않는다. 또한, 제1 영역(140)은 광의 입사가 차단되는 제2 영역(150)에 비해 작은 면적을 가진다.
도 1b를 참조하면, 노광 공정이 수행된 웨이퍼(100)에 대해 노광 후 베이크(Post Exposure Bake; PEB) 공정이 수행된다. 노광 후 베이크(PEB) 공정은 노광이 과다하게 진행된 영역과 노광이 미흡하게 진행된 영역에 대해 감광제를 확산시켜서 패턴의 측벽이 수직에 가까운 프로파일을 가지도록 하기 위해 실시된다.
도 1c를 참조하면, 노광 후 베이크(PEB) 공정이 수행된 웨이퍼(100)에 대해 현상 공정을 수행한다. 현상 공정은 노광된 제1 영역(140)을 현상액을 이용하여 제거하는 공정이다. 현상액은 주로 알칼리성을 가지며, 노광에 의해 형성된 산을 제거함에 따라 노광된 포토레지스트가 제거되어 포토레지스트 패턴이 형성된다. 이 과정에서, 제1 영역(140)의 노광된 포토레지스트의 표면에서 감광제가 분해되면서 산(acid)이 방출된다. 제1 영역(140)의 경우 노광된 포토레지스트에서 방출된 산(acid)이 노광되지 현상액의 알칼리 성분에 의해 중화되지만, 제1 영역(140)과 제2 영역(150)의 경계지역에서는 제1 영역(140)의 중심부에 비해 낮은 산(acid)의 농도를 가지게 된다.
만일 도 1b에 도시된 바와 영역(140)의 에지 부위에서 산(acid) 농도의 불균일이 발생하는 경우, 제1 영역(140)의 에지 부위는 현상액에 의해 제거되지 않고 제1 영역(140)의 중심부 및 하부는 현상액에 의해 용이하게 제거된다. 따라서, 현상 공정에 의해 형성된 패턴은 상부가 좌우로 신장된 T자 형상을 가지게 되거나 패턴의 크기가 달라지게 된다. 이러한 현상은 패턴이 없거나 패턴 밀도가 낮은 제2 영역(150)에 근접한 패턴일수록 심화된다. 이는 제2 영역(150)에 근접한 제1 영역(140)이 제2 영역(150)에 비해 높은 산(acid) 농도를 가지며, 이러한 농도 구배에 의해 산의 확산이나 증발이 촉진되기 때문이다.
도 2a 내지 도 2c는 웨이퍼(200)가 높은 노광 면적 비(exposed area ratio)를 가지는 경우의 케미컬 플레어를 설명하기 위한 단면도들로서, 웨이퍼(200)가 높은 노광면적비를 가지고, 이에 따라 발생하는 현상을 제외하고는 도 1a 내지 도 1c에 개시된 내용과 동일하다.
도 2a를 참조하면, 평행광이 마스크(220)에 조사되고, 마스크 패턴(230)이 형성된 영역 이외의 영역을 통과한 광은 웨이퍼(200) 위에 도포된 포토레지스트(210)에 입사된다. 제1 영역(240)에서 광이 입사되지 않는 영역에는 감광제의 분해 및 산(acid)의 형성이 발생하지 않으며 광이 전부 입사되는 제2 영역(250)에서는 감광제가 분해되고 산이 형성된다. 또한, 제1 영역(240)은 제2 영역(250)보다 적은 면적을 가진다.
도 2b를 참조하면, 노광이 수행된 웨이퍼(200)에 대해 노광 후 베이크(PEB)가 수행된다. 노광 후 베이크(PEB) 과정에서 포토레지스트의 제2 영역(250)의 에지 부위에 형성된 산은 제1 영역(240)의 표면 부위로 확산된다. 이는 제2 영역(250)의 표면 부위의 산 농도가 제1 영역(240)의 표면 부위의 산 농도가 높아 제1 영역(240)과 제2 영역(250)의 경계에서 농도 구배가 발생하기 때문이다. 또한, 제1 영역(240)에서 제2 영역(250)에 근접할수록 산의 확산량은 많아진다.
도 2c를 참조하면, 노광 후 베이크(PEB)가 수행된 웨이퍼(200)에 대해 현상 공정을 실시한다. 알칼리성을 가지는 현상액에 의해 노광된 포토레지스트는 제거되고 제1 영역(240)에는 다수의 패턴이 형성된다. 그러나, 도 2b에 도시된 바와 같이 제2 영역(250)에 근접한 패턴들은 산의 확산에 의해 패턴의 중심부보다 얇은 두께를 가진 형상을 가지게 된다. 이러한 패턴 상부의 라운딩(rounding) 현상은 제2 영역(250)에 근접한 패턴일수록 심화된다.
이러한 케미컬 플레어 현상은 패턴의 불균일을 유발하여 정확한 패턴의 형성을 방해한다.
본 발명이 해결하려는 과제는 패턴이 밀집된 셀 영역과 주변 영역의 패턴 밀도의 차이에 따른 케미컬 플레어 현상을 방지할 수 있는 포토마스크를 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하려는 다른 과제는 패턴 밀도의 차이에 따른 케미컬 플레어 형상을 방지할 수 있는 포토마스크의 제조방법을 제공하는 데 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 포토마스크는, 웨이퍼 상으로 전사되어 회로 패턴을 구현하기 위한 메인 패턴들이 다수 개 배열된 제1 마스크 영역, 상기 제1 마스크 영역의 외곽에 위치하며, 상기 메인 패턴의 해상력을 향상시키기 위한 보조 패턴이 배치된 제2 마스크 영역, 및 상기 제2 마스크 영역의 외곽에 위치하며, 노광 마진을 향상시키기 위한 노광 더미 패턴이 배치된 제3 마스크 영역을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 보조 패턴은 웨이퍼 상에 전사되지 않을 정도의 크기의 패턴인 것이 바람직하다.
상기 노광 더미 패턴은 상기 보조 패턴보다 큰 크기의 패턴인 것이 바람직하다.
상기 노광 더미 패턴은 조명계와 반대 방향으로 배열되어 실제 웨이퍼 상으로 전사되지 않는 패턴인 것이 바람직하다.
상기 노광 더미 패턴은 라인/스페이스 타입, 사선 타입, 교차선 타입 또는 홀 타입의 패턴일 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 포토마스크의 제조방법은, 웨이퍼 상으로 전사할 목표 패턴의 레이아웃을 설계하는 단계, 상기 목표 패턴의 외곽에 노광 마진을 향상시키기 위한 노광 더미 패턴을 배치하면서 상기 목표 패턴의 레이아웃에 대해 광 근접효과 보정(OPC)을 수행하는 단계, 광 근접효과 보정이 수행된 레이아웃이 목표 패턴에 부합하는지를 검증하는 단계, 상기 광 근접효과 보정이 수행된 레이아웃이 목표 패턴에 부합할 경우 광 근접효과 보정을 풀 칩(full chip)에 반영하는 단계, 풀 칩(full chip)에 노광 더미 패턴이 필요할 경우 룰 생성 및 디자인 룰 체크를 수행하는 단계, 및 광 근접효과 보정된 레이아웃을 이용하여 마스크를 제작하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 광 근접효과 보정(OPC)을 수행하는 단계에서, 메인 패턴의 외곽에는 보조 패턴을, 상기 보조 패턴의 외곽에 노광 더미 패턴을 배치할 수 있다.
상기 보조 패턴은 웨이퍼 상에 전사되지 않을 정도의 크기의 패턴인 것이 바람직하다.
상기 노광 더미 패턴은 상기 보조 패턴보다 큰 크기의 패턴인 것이 바람직하다.
상기 노광 더미 패턴은 실제 웨이퍼 상으로 전사되지 않도록 조명계와 반대 방향으로 배열할 수 있다.
상기 노광 더미 패턴은 라인/스페이스 타입, 사선 타입, 교차선 타입 또는 홀 타입의 패턴일 수 있다.
도 1a 내지 도 1c는 웨이퍼가 낮은 노광 면적 비(exposed area ratio)를 가지는 경우의 케미컬 플레어를 설명하기 위한 단면도들이다.
도 2a 내지 도 2c는 웨이퍼(200)가 높은 노광 면적 비(exposed area ratio)를 가지는 경우의 케미컬 플레어를 설명하기 위한 단면도들이다.
도 3은 케미컬 플레어를 방지할 수 있는 본 발명의 포토마스크를 설명하기 위한 레이아웃도이다.
도 4a는 노광 더미 패턴이 배치된 마스크의 레이아웃이고, 도 4b는 상기 레이아웃의 마스크를 사입사 조명계를 이용하여 노광 시뮬레이션한 결과를 나타낸 도면이다.
도 5 내지 도 7은 본 발명의 포토마스크에 삽입되는 노광 더미 패턴의 다른 예들을 나타내 보인 레이아웃도이다.
도 8은 본 발명에 따른 포토마스크의 제조방법을 설명하기 위하여 도시한 흐름도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되는 것으로 해석되어서는 안된다.
도 3은 케미컬 플레어를 방지할 수 있는 본 발명의 포토마스크를 설명하기 위한 레이아웃도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 포토마스크는 제1 마스크 영역(310), 제2 마스크 영역(320) 그리고 제3 마스크 영역(330)을 포함한다.
제1 마스크 영역(310)은 다수의 메인 패턴(315)들이 밀집되어 배열되어 있는 영역으로, 웨이퍼의 셀 영역에 반도체 소자의 제조를 위한 라인/스페이스(line/space) 패턴 또는 컨택홀(contact hole) 패턴을 전사한다.
제2 마스크 영역(320)은 메인 패턴들이 배열된 제1 마스크 영역(310)의 외곽에 위치하며, 웨이퍼의 셀 영역으로 전사될 메인 패턴(315)의 패터닝 마진을 개선하기 위한 보조 패턴(assist feature)(325)으로 구성된다. 제2 마스크 영역(320)에 배치된 보조 패턴(325)은 노광 장비의 한계 해상력 이하의 크기로 배치되어 웨이퍼 상에 실제로 전사되지 않는다.
제3 마스크 영역(330)은 제2 마스크 영역(310)의 외곽에 위치하며, 노광 더미 패턴(Exposure Dummy Pattern; EDP)(335)으로 구성된다. 제3 마스크 영역(330)에 배치된 노광 더미 패턴(EDP)(335)은 노광 후 현상 단계에서 충분한 산(acid)을 발생시켜 현상액의 아민(amine)을 중화시키는 역할을 한다. 따라서, 패턴이 밀집되어 배열된 셀 영역과 패턴의 밀도가 낮은 주변회로 영역의 경계지역에서 산과 염기의 농도 차이를 감소시켜 메인 패턴의 왜곡을 감소시키게 된다.
본 발명의 제3 마스크 영역에 배치된 노광 더미 패턴(EDP)(335)은 다이폴(dipole)과 같은 사입사 조명(off-axis illumination) 조건에서 더욱 효과적이다. 먼저 웨이퍼의 셀 영역에 대응하는 제1 마스크 영역(310)에 라인/스페이스(line/space) 타입 또는 홀(hole) 타입의 메인 패턴(315)을 배치한다. 제1 마스크 영역(310)의 외곽에 조명계 방향으로 보조 패턴(325)을 배치하여 패터닝 마진을 개선한 다음, 조명계와 반대 방향으로 노광 더미 패턴(335)을 배치한다. 노광 더미 패턴(335)은 조명계와 반대 방향으로 배치되므로 제3 마스크 영역(330)에서는 0차 광만이 패턴을 통과하게 되어 노광 더미 패턴(335)은 웨이퍼 상으로 실제로 패턴이 전사되지 않게 된다.
노광 더미 패턴(335)이 배치된 제3 마스크 영역에서는 포토레지스트와 0차 광이 반응하여 산(acid)이 발생하고, 이때 발생한 산(acid)이 아민(amine)의 반응 억제제(inhibitor)로 작용하여 케미컬 플레어를 방지하게 된다. 따라서, 노광 더미 패턴에서 발생하는 산의 중화작용 효과를 크게 하기 위해서는 노광 더미 패턴의 크기가 충분히 크게 하는 것이 바람직하나, 제1 마스크 영역(310)에 배치된 메인 패턴의 크기와 같거나 작게 한다. 노광 더미 패턴의 길이는 수 ㎛ 이상으로 크게 하는 것이 좋다.
도 4a는 노광 더미 패턴이 배치된 마스크의 레이아웃이고, 도 4b는 상기 레이아웃의 마스크를 사입사 조명계를 이용하여 노광 시뮬레이션한 결과를 나타낸 도면이다.
라인/스페이스 타입의 메인 패턴(415)이 배열된 제1 마스크 영역(410)의 외곽에 노광용 더미 패턴(425)을 배치한다. 이때 노광 더미 패턴(425)은 메인 패턴(415)과 동일한 크기로 조명계와 반대 방향으로 배치하여 패터닝 여부만을 확인하였다. 그 결과, 도 4b에 도시된 바와 같이 시뮬레이션 상 노광 더미 패턴의 콘트라스트가 매우 낮아 패터닝은 되지 않음을 알 수 있으며, 노광 더미 패턴의 목적인 케미컬 플레어를 방지할 정도의 더미 노광량은 충분히 달성되었음을 알 수 있다.
도 5 내지 도 7은 본 발명의 포토마스크에 삽입되는 노광 더미 패턴의 다른 예들을 나타내 보인 레이아웃도이다.
도 5 내지 도 7을 참조하면, 본 발명의 마스크 영역은 웨이퍼의 셀 영역으로 전사될 메인 패턴들이 배치된 제1 마스크 영역(510)과, 상기 제1 마스크 영역의 외곽에 위치하며 메인 패턴의 패터닝 마진을 개선하기 위한 보조 패턴이 배치된 제2 마스크 영역(520), 그리고 제2 마스크 영역의 외곽에 위치하며 노광 더미 패턴이 배치된 제3 마스크 영역(530)으로 이루어진다.
메인 패턴(515)은 반도체 소자의 제조를 위하여 웨이퍼의 셀 영역에 전사될 라인/스페이스 패턴 또는 컨택홀 패턴들이다. 보조 패턴(325)은 노광 장비의 한계 해상력 이하의 크기로 배치되어 웨이퍼 상에 실제로 전사되지 않는다. 노광 더미 패턴(535, 536, 537)은 노광 후 현상 단계에서 충분한 산(acid)을 발생시켜 현상액의 아민(amine)을 중화시키는 역할을 한다. 노광 더미 패턴은 도 5에 도시된 것과 같이 사선으로 배치되거나(535), 사선이 교차된 교차형으로 배치되거나(536), 또는 도트(dot) 형으로 배치될 수도 있다(537). 특히, 교차형 노광 더미 패턴(536)의 경우 제3 마스크 영역의 노광량을 더욱 크게 할 수 있다. 상기 노광 더미 패턴들은 메인 패턴과 비슷한 크기로 배치될 수 있기 때문에 최대 마스크 노광 룰(maximum mask writing rule)에서 자유로울 수 있다.
다음은 본 발명에 따른 포토마스크의 제조방법을 첨부 도면을 참조하여 설명한다.
도 8은 본 발명에 따른 포토마스크의 제조방법을 설명하기 위하여 도시한 흐름도이다.
먼저, 패턴 설계 툴(tool)을 이용하여 회로를 구현하기 위한 목표 패턴의 레이아웃을 설계하고(S1), 목표 패턴 레이아웃에 대해 광 근접효과 보정(OPC)을 수행한다(S2). OPC 과정은 실제 노광 과정에서 유발될 수 있는 광 근접효과 등을 고려하여 노광 모델(model)을 구성하고, 경우에 따라서 포토레지스트의 노광 및 현상에 대한 시뮬레이션 모델을 구성하고, 이러한 모델을 이용한 모델 베이스 OPC로 수행될 수 있다. 이때, 목표 패턴 레이아웃에 메인 패턴의 패터닝 마진을 향상시키기 위한 보조 패턴(assist feature)과 노광 더미 패턴을 삽입한다. 보조 패턴은 웨이퍼 상에 실제로 전사되지 않도록 노광 장비의 한계 해상력 이하의 크기로 배치한다. 노광 더미 패턴은 노광 후 현상 단계에서 충분한 산(acid)을 발생시켜 현상액의 아민(amine)을 중화시키는 역할을 하는 것으로, 수직 또는 수평선으로 배치하거나(도 3의 335), 사선으로 배치하거나(도 5의 535), 사선이 교차된 교차형으로 배치하거나(도 6의 536), 또는 도트(dot) 형(도 7의 537)으로 배치할 수도 있다.
광 근접효과 보정(OPC)을 수행한 다음에는, OPC 작업이 이루어진 레이아웃에 대해 검증(verification)하는 OPC 검증 과정을 수행한다(S3). OPC 검증 과정은 레이아웃이 설계 시 적용된 디자인 룰에 적합하지, 또는 실제 노광 과정에 적용될 때 패턴 불량이 유발되지 않는지의 여부를 확인하는 과정이다. OPC 검증 과정은 실제 노광 과정을 시뮬레이션한 모델을 이용하여 OPC된 레이아웃을 노광 전사 시뮬레이션시키고, 시뮬레이션을 통해 얻어진 결과와 목표 패턴의 레이아웃을 비교하여 시뮬레이션 결과가 목표 패턴의 레이아웃에 부합하는지 여부를 확인하는 방법으로 이루어진다. 또한, 이 과정에서 노광 더미 패턴이 메인 패턴의 패터닝에 영향을 미치는지 여부를 확인한다.
OPC 검증 결과가 목표 패턴 레이아웃에 부합하는 경우 OPC 결과를 풀 칩(full chip)에 반영하고(S4), 풀 칩에 노광 더미 패턴이 필요한지 확인하여(S5) 필요하지 않다고 판단되면 그대로 마스크 제작을 실시한다(S7). 풀 칩에 노광 더미 패턴이 필요하다고 판단된 경우 메인 칩(main chip) 및 프레임(frame) 내부에 룰(rule)로 자동 생성되도록 한 다음 디자인 룰 체크(Design Rule Check; DRC)를 통해 오류가 없는지 확인하고 마스크 제작을 실시한다(S6, S7).
이상 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 변형이 가능함은 당연하다.

Claims (11)

  1. 웨이퍼 상으로 전사되어 회로 패턴을 구현하기 위한 메인 패턴들이 다수 개 배열된 제1 마스크 영역;
    상기 제1 마스크 영역의 외곽에 위치하며, 상기 메인 패턴의 해상력을 향상시키기 위한 보조 패턴이 배치된 제2 마스크 영역; 및
    상기 제2 마스크 영역의 외곽에 위치하며, 노광 마진을 향상시키기 위한 노광 더미 패턴이 배치된 제3 마스크 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 보조 패턴은 웨이퍼 상에 전사되지 않을 정도의 크기의 패턴인 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 노광 더미 패턴은 상기 보조 패턴보다 큰 크기의 패턴인 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 노광 더미 패턴은 조명계와 반대 방향으로 배열되어 실제 웨이퍼 상으로 전사되지 않는 패턴인 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 노광 더미 패턴은 라인/스페이스 타입, 사선 타입, 교차선 타입 또는 홀 타입의 패턴인 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  6. 웨이퍼 상으로 전사할 목표 패턴의 레이아웃을 설계하는 단계;
    상기 목표 패턴의 외곽에 노광 마진을 향상시키기 위한 노광 더미 패턴을 배치하면서 상기 목표 패턴의 레이아웃에 대해 광 근접효과 보정(OPC)을 수행하는 단계;
    광 근접효과 보정이 수행된 레이아웃이 목표 패턴에 부합하는지를 검증하는 단계;
    상기 광 근접효과 보정이 수행된 레이아웃이 목표 패턴에 부합할 경우 광 근접효과 보정을 풀 칩(full chip)에 반영하는 단계;
    풀 칩(full chip)에 노광 더미 패턴이 필요할 경우 룰 생성 및 디자인 룰 체크를 수행하는 단계; 및
    광 근접효과 보정된 레이아웃을 이용하여 마스크를 제작하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제조방법.
  7. 제6항에 있어서,
    광 근접효과 보정(OPC)을 수행하는 단계에서,
    메인 패턴의 외곽에는 보조 패턴을, 상기 보조 패턴의 외곽에 노광 더미 패턴을 배치하는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제조방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 보조 패턴은 웨이퍼 상에 전사되지 않을 정도의 크기의 패턴인 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제조방법.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 노광 더미 패턴은 상기 보조 패턴보다 큰 크기의 패턴인 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제조방법.
  10. 제6항에 있어서,
    상기 노광 더미 패턴은 실제 웨이퍼 상으로 전사되지 않도록 조명계와 반대 방향으로 배열하는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제조방법.
  11. 제6항에 있어서,
    상기 노광 더미 패턴은 라인/스페이스 타입, 사선 타입, 교차선 타입 또는 홀 타입의 패턴인 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제조방법.
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