KR20090072672A - 오버레이 버니어용 노광 마스크 및 이를 이용한 오버레이버니어 형성 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 오버레이 버니어 및 그 형성 방법에 관한 것으로, 오버레이 버니어 형성 시 모 버니어에 의해 오픈된 스페이스(Space) 상에 자 버니어를 형성함으로써, 자 버니어의 단차가 확보되도록 하여 오버레이 리딩 시 오버레이 정확도(Overlay Accuracy)를 향상시키는 기술을 개시한다.
Description
본 발명은 오버레이 버니어용 노광 마스크 및 이를 이용한 오버레이 버니어 형성 방법에 관한 것이다. 특히, 더블 패터닝 공정을 적용한 오버레이 버니어 형성 방법에 관한 것이다.
반도체 소자를 제조함에 있어서 콘택홀을 포함한 각종 도전 패턴들은 포토리소그라피 공정을 통해 형성하는 것이 일반적이다. 이러한 포토리소그라피 공정은 피식각층 상에 감광막을 도포하는 공정과 상기 감광막을 포토마스크를 이용해서 노광하는 공정 및 상기 노광된 감광막을 현상하는 공정을 포함하며, 이렇게 형성된 감광막 패턴을 이용해서 피식각층을 식각 함으로써 콘택홀을 포함한 각종 도전 패턴들을 형성하게 된다.
이때 상기 노광 공정을 수행하기 위해서는 웨이퍼와 포토마스크 간의 정확한 정렬이 필요하다. 이것은 다층 구조의 반도체 소자를 제조함에 있어 상하부층들 간의 오버레이 정확도 (Overlay Accuracy)가 크게 요구되기 때문이다.
이에, 통상의 반도체 제조 공정에서는 상하부층들 간의 오버레이 정확도를 확보하기 위해 오버레이 버니어를 삽입시키고 있다.
상기 오버레이 버니어는 포토마스크를 정확한 위치에 정렬시키기 위해 웨이퍼에 형성시키는 일종의 패턴으로서, 셀 영역에 영향을 주지 않는 스크라이브 레인 (Scribe Lane)에 형성되며, 이전 공정 단계에서 셀 영역에서의 실제 패턴과 동시에 형성된다.
따라서, 각 공정 단계에서의 웨이퍼와 포토마스크 간의 정렬은 이전 공정 단계에서 형성된 정렬 마크를 근거로 하여 진행된다.
최근 디자인 룰이 축소됨에 따라 패턴을 구현하기 위한 기술 또한 다양하게 발전되고 있다. 현재 개발중인 40nm 이하에서는 기존과 같이 1장의 레티클로는 다이렉트 패터닝(Direct Patterning)이 불가능하다.
따라서, 기존에 1장의 레티클로 패터닝 하던 것을 2장 또는 3장의 레티클을 사용하여 원하는 패턴을 구현하는 기술들을 개발하고 있으며, DPT(Double Patterning Technology), SPT(Spacer Patterning Technology) 등이 대표적인 기술들이다.
도 1a 내지 도 1f는 DPT 공정 중 하나인 단순화된 더블 패터닝 공정(Simplified Double Patterning)을 도시한 것이다.
도 1a 및 도 1b를 참조하면, 반도체 기판(100) 상부에 피식각층(105), 하드마스크층(110) 및 제 1 감광막(120)을 순차적으로 형성한다.
다음에, 제 1 감광막(120)을 패터닝하여 일정 피치를 가지는 제 1 감광막 패 턴(120a)을 형성한다.
도 1c 및 도 1d를 참조하면, 제 1 감광막 패턴(120a)을 하드닝(Hardening)시킨 후 상기 하드닝된 제 1 감광막 패턴(120a)을 포함하는 전체 상부에 제 2 감광막(130)을 형성한다.
도 1e를 참조하면, 제 2 감광막(130)을 패터닝하여 상기 하드닝된 제 1 감광막 패턴(120a) 사이에 제 1 감광막 패턴(120a)과 교번으로 제 2 감광막 패턴(130a)을 형성한다.
이때, 제 1 감광막 패턴(120a)은 하드닝되었으므로, 제 2 감광막 패턴(130a) 형성을 위한 현상 공정 시 제거되지 않는다.
도 1f를 참조하면, 상기 하드닝된 제 1 감광막 패턴(120a) 및 제 2 감광막 패턴(130a)을 마스크로 하드마스크층(110)을 식각하여 패턴 간의 간격이 미세한 하드마스크 패턴(110a)을 형성한다.
다음에, 상기 하드닝된 제 1 감광막 패턴(120a) 및 제 2 감광막 패턴(130a)을 제거한다.
도 2a 및 도 2b는 오버레이 버니어용 노광 마스크를 도시한 평면도이고, 도 3a 내지 도 3e는 상기 오버레이 버니어용 노광 마스크를 이용하고, 상기 단순화된 더블 패터닝 공정을 적용한 오버레이 버니어 형성 방법을 도시한 것이다.
도 2a를 참조하면, 모 버니어용 노광 마스크(200)를 도시한 것으로, 모 버니어를 정의하는 사각 틀 형태의 투광 패턴(205)이 구비되어 있다.
도 2b를 참조하면, 자 버니어용 노광 마스크(250)를 도시한 것으로, 모 버니 어용 노광 마스크(200)의 투광 패턴(205) 내측에 위치되도록 자 버니어를 정의하는 박스형태의 투광 패턴(255)이 구비되어 있다.
도 3a를 참조하면, 반도체 기판(300) 상부에 피식각층(305), 하드마스크층(310) 및 제 1 감광막(320)을 순차적으로 형성한다.
도 3b 및 도 3c를 참조하면, 상기 '도 2a'의 모 버니어용 노광 마스크를 이용한 노광 및 현상 공정을 수행하여 모 버니어를 정의하는 제 1 감광막 패턴(320a)을 형성한다.
다음에, 제 1 감광막 패턴(320a)을 하드닝시킨다.
도 3d를 참조하면, 상기 하드닝된 제 1 감광막 패턴(320b)을 포함하는 전체 상부에 제 2 감광막(330)을 형성한다.
도 3e를 참조하면, 상기 '도 2b'의 자 버니어용 노광 마스크를 이용한 노광 및 현상 공정을 수행하여 모 버니어 내측의 상기 하드닝된 제 1 감광막 패턴(320b) 상부에 자 버니어를 정의하는 제 2 감광막 패턴(330a)을 형성한다.
이때, 상기 하드닝된 제 1 감광막 패턴(320b)은 제 2 감광막 패턴(330a) 형성을 위한 현상 공정 시 제거되지 않게 된다.
상기와 같이 단순화된 더블 패터닝 공정을 적용하여 오버레이 버니어를 형성하는 경우, 모 버니어를 정의하는 제 1 감광막 패턴 상부에 자 버니어를 정의하는 제 2 감광막 패턴이 형성되므로, 오버레이 리딩 시 같은 물질인 감광막 간에 구분이 정확하게 되지 않으며, 자 버니어를 정의하는 제 2 감광막 패턴에 단차가 거의 형성되지 않으므로 오버레이 리딩 가능한 시그널을 확보할 수 없는 문제점이 있다.
본 발명은 모 버니어 형성 시 상기 모 버니어에 의해 오픈된 스페이스 영역 상에 자 버니어를 형성함으로써, 자 버니어의 단차가 확보되도록 하여 오버레이 리딩 시 오버레이 정확도(Overlay Accuracy)를 향상시키는 반도체 소자의 오버레이 버니어 형성 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 따른 반도체 소자의 오버레이 버니어는
사각 틀 형태의 제 1 차광 패턴 및 상기 제 1 차광 패턴 내측에 박스 형태의 제 2 차광 패턴으로 구성된 모 버니어용 노광 마스크와,
사각 틀 형태의 제 3 차광 패턴으로 구성된 자 버니어용 노광 마스크를 포함하되, 상기 제 3 차광 패턴은 상기 제 1 차광 패턴 및 제 2 차광 패턴 사이에 위치하도록 하는 것을 특징으로 하고,
상기 제 1 차광 패턴 및 제 2 차광 패턴은 이격되어 구비되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 반도체 소자의 오버레이 버니어 형성 방법은
반도체 기판 상부에 피식각층, 하드마스크층 및 제 1 감광막을 형성하는 단계와,
상기 모 버니어용 노광 마스크를 사용한 노광 및 현상 공정으로 모 버니어를 정의하는 제 1 감광막 패턴을 형성하는 단계와,
상기 제 1 감광막 패턴을 하드닝시키는 단계와,
상기 하드닝된 제 1 감광막 패턴을 포함하는 전체 상부에 제 2 감광막을 형성하는 단계와,
상기 자 버니어용 노광 마스크를 사용한 노광 및 현상 공정으로 자 버니어를 정의하는 제 2 감광막 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하고,
상기 제 1 감광막은 10 ~ 40wt%의 실리콘이 함유된 물질로 형성하는 것과,
상기 하드닝시키는 단계는 02플라즈마를 이용하여 진행하는 것과,
상기 제 2 감광막 패턴은 상기 하드닝된 제 1 감광막 패턴과 중첩되지 않도록 형성하는 것과,
상기 제 2 감광막 패턴은 상기 하드닝된 제 1 감광막 패턴 사이에 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 오버레이 버니어용 노광 마스크 및 그 형성 방법은 모 버니어 형성 시 상기 모 버니어에 의해 오픈된 스페이스 영역 상에 자 버니어를 형성함으로써, 자 버니어의 단차가 확보되도록 하여 오버레이 리딩 시 오버레이 정확도(Overlay Accuracy)를 향상시킬 수 있다
아울러 본 발명의 바람직한 실시예는 예시의 목적을 위한 것으로, 당업자라면 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상과 범위를 통해 다양한 수정, 변경, 대체 및 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정 변경 등은 이하의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 대해 상세히 설명하고자 한다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명에 따른 오버레이 버니어용 노광 마스크를 도시한 평면도이다.
도 4a를 참조하면, 모 버니어용 노광 마스크(400)를 도시한 것으로, 사각 틀 형태의 제 1 차광 패턴(410a) 및 제 1 차광 패턴(410a) 내측에 박스 형태의 제 2 차광 패턴(410b)이 구비되어 있다.
도 4b를 참조하면, 자 버니어용 노광 마스크(450)를 도시한 것으로, 자 버니어를 정의하는 사각 틀 형태의 차광 패턴(460)이 구비되되, 차광 패턴(460)은 상기 '도 4a'의 모 버니어용 노광 마스크(400)의 제 1 차광 패턴(410a) 및 제 2 차광 패턴(410b) 사이에 위치되도록 하는 것이 바람직하다.
도 5a 내지 도 5e는 상기 '도 4a' 및 '도 4b'에 도시된 노광 마스크를 이용하여 단순화된 더블 패터닝 공정을 적용한 오버레이 버니어 형성 방법을 도시한 단면도이다.
도 5a 및 도 5b를 참조하면, 반도체 기판(500) 상부에 피식각층(505), 하드마스크층(510) 및 제 1 감광막(520)을 형성한다.
여기서, 제 1 감광막(520)은 10 ~ 40wt%의 실리콘이 함유된 물질로 형성하는 것이 바람직하다.
다음에, 제 1 감광막(520)에 대해 상기 '도 4a'의 모 버니어용 노광 마스크 를 이용한 노광 및 현상 공정을 수행하여 제 1 감광막 패턴(520a)을 형성한다.
도 5c를 참조하면, 제 1 감광막 패턴(520a)을 하드닝시킨다. 여기서, 상기 하드닝 공정은 02 플라즈마 처리 공정을 수행하여 형성하며, 상기 02 플라즈마 처리 공정 시 실리콘이 함유된 제 1 감광막 패턴(520a)은 Si02로 변형되어 하드닝된다.
도 5d를 참조하면, 상기 하드닝된 제 1 감광막 패턴(520b)을 포함하는 전체 상부에 제 2 감광막(530)을 형성한다.
도 5e를 참조하면, 제 2 감광막(530)에 대해 상기 '도 4b'의 자 버니어용 노광 마스크를 이용한 노광 및 현상 공정을 수행하여 자 버니어를 정의하는 제 2 감광막 패턴(530a)을 형성한다.
이때, 제 2 감광막 패턴(530a)은 상기 하드닝된 제 1 감광막 패턴(520b) 및 인접한 제 1 감광막 패턴(520b) 사이에 위치되도록 하는 것이 바람직하며, 상기 하드닝된 제 1 감광막 패턴(520b)과 제 2 감광막 패턴(530a)은 교번으로 형성되도록 한다.
도 1a 내지 도 1f는 단순화된 더블 패터닝 공정을 도시한 단면도.
도 2a 및 도 2b는 종래 기술에 따른 오버레이 버니어용 노광 마스크를 도시한 평면도.
도 3a 내지도 3e는 종래 기술에 따른 오버레이 버니어 형성 방법을 도시한 단면도.
도 4a 및 도 4b는 본 발명에 따른 오버레이 버니어용 노광 마스크를 도시한 평면도.
도 5a 내지 도 5e는 본 발명에 따른 오버레이 버니어용 노광 마스크를 도시한 단면도.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 >
400 : 모 버니어용 노광 마스크 410a : 제 1 차광 패턴
410b : 제 2 차광 패턴 450 : 자 버니어용 노광 마스크
460 : 제 3 차광 패턴 500 : 반도체 기판
505 : 피식각층 510 : 하드마스크층
520 : 제 1 감광막 520a : 제 1 감광막 패턴
520b : 하드닝된 제 1 감광막 패턴
530 : 제 2 감광막 530a : 제 2 감광막 패턴
Claims (7)
- 사각 틀 형태의 제 1 차광 패턴 및 상기 제 1 차광 패턴 내측에 박스 형태의 제 2 차광 패턴으로 구성된 모 버니어용 노광 마스크; 및사각 틀 형태의 제 3 차광 패턴으로 구성된 자 버니어용 노광 마스크를 포함하되, 상기 제 3 차광 패턴은 상기 제 1 차광 패턴 및 제 2 차광 패턴 사이에 위치하도록 하는 것을 특징으로 하는 오버레이 버니어용 노광 마스크.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 차광 패턴 및 제 2 차광 패턴은 이격되어 구비되는 것을 특징으로 하는 오버레이 버니어용 노광 마스크.
- 반도체 기판 상부에 피식각층, 하드마스크층 및 제 1 감광막을 형성하는 단계;상기 청구항 1의 모 버니어용 노광 마스크를 사용한 노광 및 현상 공정으로 모 버니어를 정의하는 제 1 감광막 패턴을 형성하는 단계;상기 제 1 감광막 패턴을 하드닝시키는 단계;상기 하드닝된 제 1 감광막 패턴을 포함하는 전체 상부에 제 2 감광막을 형성하는 단계; 및상기 청구항 1의 자 버니어용 노광 마스크를 사용한 노광 및 현상 공정으로 자 버니어를 정의하는 제 2 감광막 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 오버레이 버니어 형성 방법.
- 제 3 항에 있어서,상기 제 1 감광막은 10 ~ 40wt%의 실리콘이 함유된 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 오버레이 버니어 형성 방법.
- 제 3 항에 있어서,상기 하드닝시키는 단계는 02플라즈마를 이용하여 진행하는 것을 특징으로 하는 오버레이 버니어 형성 방법.
- 제 3 항에 있어서,상기 제 2 감광막 패턴은 상기 하드닝된 제 1 감광막 패턴과 중첩되지 않도록 형성하는 것을 특징으로 하는 오버레이 버니어 형성 방법.
- 제 3 항에 있어서,상기 제 2 감광막 패턴은 상기 하드닝된 제 1 감광막 패턴 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 오버레이 버니어 형성 방법.
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|---|---|---|---|
| KR1020070140861A KR20090072672A (ko) | 2007-12-28 | 2007-12-28 | 오버레이 버니어용 노광 마스크 및 이를 이용한 오버레이버니어 형성 방법 |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8502355B2 (en) | 2010-12-09 | 2013-08-06 | SK Hynix Inc. | Overlay vernier mask pattern, formation method thereof, semiconductor device including overlay vernier pattern, and formation method thereof |
| CN105954985A (zh) * | 2016-06-30 | 2016-09-21 | 上海华力微电子有限公司 | 测量光刻工艺套刻精度的方法及掩膜版 |
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2007
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| US8502355B2 (en) | 2010-12-09 | 2013-08-06 | SK Hynix Inc. | Overlay vernier mask pattern, formation method thereof, semiconductor device including overlay vernier pattern, and formation method thereof |
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