JP5829100B2 - 配線回路基板 - Google Patents

Description

本発明は、配線回路基板、詳しくは、回路付サスペンション基板やフレキシブル配線回路基板などの配線回路基板に関する。

従来、導体パターンの信号配線の伝送損失を低減させるために、例えば、絶縁層と、それに被覆される導体層と、導体層と間隔を隔てて配置されるグランド層とを備える配線回路基板が提案されている（例えば、下記特許文献１の図８および図１０参照。）。

特許文献１の配線回路基板では、絶縁層は、第２絶縁層と、その上に形成される第３絶縁層とを備えるとともに、グランド層は、第２絶縁層の下に形成される下部グランド層と、それに接触する側部グランド層と、第３絶縁層の上に、側部グランド層に連続して形成される上部グランド層とを備えている。

特許文献１の配線回路基板では、第２絶縁層および第３絶縁層に第１開口部および第２開口部が互いに連通するように同一形状でそれぞれ形成されており、第１開口部および第２開口部に側部グランド層が充填されている。

特開２００８−９１６３４号公報

しかし、特許文献１の第１開口部および第２開口部が厚み方向に沿って面一に形成されているので、側部グランド層と、第１開口部および第２開口部との接触面積が小さい。そのため、側部グランド層の第２絶縁層および第３絶縁層に対する密着性が低く、そのため、グランド層の信頼性を十分に向上させることができない場合がある。

本発明の目的は、グランド層の第１絶縁層または第２絶縁層に対する密着性を向上させることのできる配線回路基板を提供することにある。

上記目的を達成するために、本発明の配線回路基板は、金属支持層と、前記金属支持層の上に形成される第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上に形成される導体層と、前記第１絶縁層の上に、前記導体層を被覆するように形成される第２絶縁層と、前記第２絶縁層の上に形成されるグランド層とを備え、前記第１絶縁層には、厚み方向を貫通する第１開口部が形成され、前記第２絶縁層には、前記厚み方向を貫通して、前記第１開口部に対応する第２開口部が形成されており、前記第１開口部は、前記厚み方向に投影したときに、前記第２開口部に囲まれており、前記グランド層が、前記第２開口部を介して、前記第１開口部内に、前記金属支持層の上面に接触するように充填されているか、あるいは、前記第１開口部は、前記厚み方向に投影したときに、前記第２開口部を囲んでおり、前記第２絶縁層は、前記第１開口部の周端部に充填され、前記グランド層が、前記第２開口部内に、前記金属支持層の上面に接触するように充填されていることを特徴としている。

また、本発明の配線回路基板では、前記第１絶縁層における前記第１開口部の周側面が、厚み方向に対して傾斜して形成され、および／または、前記第２絶縁層における前記第２開口部の周側面が、厚み方向に対して傾斜して形成されていることが好適である。

また、本発明の配線回路基板では、前記第１絶縁層および／または前記第２絶縁層は、感光性樹脂から形成されていることが好適である。

また、本発明の配線回路基板では、前記第１絶縁層および／または前記第２絶縁層は、前記感光性樹脂をフォトマスクを介して露光することにより、形成されていることが好適である。

本発明の配線回路基板では、第１開口部は、厚み方向に投影したときに、第２開口部に囲まれており、第２開口部内に、第１絶縁層の段差部が形成される。そのため、グランド層は、第２開口部を介して、第１開口部内に、金属支持層の上面に接触するように充填されると、第１絶縁層の段差部に接触して密着することができるので、第１開口部および第２開口部における第１絶縁層に対する密着性を向上させることができる。

あるいは、第１開口部は、厚み方向に投影したときに、第２開口部を囲んでおり、第２絶縁層が、第１開口部の周端部に充填されるので、第１開口部内において、第２絶縁層の段差部が形成される。そのため、グランド層は、第２開口部内に、金属支持層の上面に接触するように充填されると、第２絶縁層の段差部に接触して密着することができるので、第１開口部および第２開口部における第２絶縁層に対する密着性を向上させることができる。

その結果、グランド層の第１絶縁層または第２絶縁層に対する密着性を向上させることにより、グランド接続の信頼性を向上させることができる。

図１は、本発明の配線回路基板の一実施形態としての回路付サスペンション基板の斜視図である。 図２は、図１に示す回路付サスペンション基板の後端部の拡大平面図である。 図３は、図２のＡ−Ａ１点鎖屈曲線に沿う拡大断面図である。 図４は、図２のＢ−Ｂ線に沿う拡大断面図である。 図５は、図２のＣ−Ｃ線に沿う拡大断面図である。 図６は、図２のＤ−Ｄ線に沿う拡大断面図である。 図７は、図３に示す回路付サスペンション基板の製造方法を説明するための工程図であって、（ａ）は、金属支持層を用意する工程、（ｂ）は、第１ベース皮膜を形成する工程、（ｃ）は、第１ベース絶縁層を形成する工程、（ｄ）は、導体層を形成する工程を示す。 図８は、図７に引き続き、図３に示す回路付サスペンション基板の製造方法を説明するための工程図であって、（ｅ）は、第２ベース皮膜を形成する工程、（ｆ）は、第２ベース絶縁層を形成する工程、（ｇ）は、グランド層を形成する工程、（ｈ）は、カバー絶縁層を形成する工程を示す。 図９は、本発明の配線回路基板の他の実施形態としての回路付サスペンション基板の支持側グランド端子（支持側グランド端子を露出させる態様）の拡大断面図である。 図１０は、本発明の配線回路基板の他の実施形態としての回路付サスペンション基板の支持側グランド端子（第２グランド開口部が第１グランド開口部に囲まれる態様）の拡大断面図である。 図１１は、比較例１の回路付サスペンション基板の支持側グランド端子（第２グランド開口部および第１グランド開口部が同一径に形成される態様）の拡大断面図である。 図１２は、比較例１の回路付サスペンション基板の支持側グランド端子（第２グランド開口部および第１グランド開口部が同一径に形成されるととともに、それらが位置ずれする態様）であり、（ａ）は、断面図（ｂ）は、拡大平面図である。

図１は、本発明の配線回路基板の一実施形態としての回路付サスペンション基板の斜視図、図２は、図１に示す回路付サスペンション基板の後端部の拡大平面図、図３は、図２のＡ−Ａ１点鎖屈曲線に沿う拡大断面図、図４は、図２のＢ−Ｂ線に沿う拡大断面図、図５は、図２のＣ−Ｃ線に沿う拡大断面図、図６は、図２のＤ−Ｄ線に沿う拡大断面図を示す。図７は、図３に示す回路付サスペンション基板の製造方法を説明するための工程図であって、図７（ａ）は、金属支持層を用意する工程、図７（ｂ）は、第１ベース皮膜を形成する工程、図７（ｃ）は、第１ベース絶縁層を形成する工程、図７（ｄ）は、導体層を形成する工程を示す。図８は、図７に引き続き、図３に示す回路付サスペンション基板の製造方法を説明するための工程図であって、図８（ｅ）は、第２ベース皮膜を形成する工程、図８（ｆ）は、第２ベース絶縁層を形成する工程、図８（ｇ）は、グランド層を形成する工程、図８（ｈ）は、カバー絶縁層を形成する工程を示す。

なお、図２において、後述する導体層４およびグランド層６の相対配置を明確に示すために、カバー絶縁層７を省略している。

図１において、回路付サスペンション基板１は、磁気ヘッド（図示せず）を実装するとともに、磁気ヘッドにライト信号を送信、および、磁気ヘッドからリード信号を受信するリード・ライト基板（図示せず）に接続されて、ハードディスクドライブ（図示せず）に搭載される。この回路付サスペンション基板１は、長手方向（先後方向）に延びる金属支持層２と、金属支持層２によって支持される導体層４およびグランド層６が一体的に形成されている。

金属支持層２は、平板状の金属箔や金属薄板からなり、先端部（長手方向一端部）において、磁気ヘッドが実装されるジンバル２６が形成されている。

導体層４は、磁気ヘッドと、リード・ライト基板とを電気的に接続する。

導体層４およびグランド層６は、１対の信号・グランド配線（配線対３０）として設けられる。回路付サスペンション基板１では、配線対３０が２組設けられている。すなわち、配線対３０は、後述する配線形成部１０（図２参照）において、回路付サスペンション基板１の左右方向（長手方向に直交する方向、幅方向）両側にそれぞれ設けられている。

右側の配線対（右側の配線対）３０Ａ、および、左側の配線対（左側の配線対）３０Ｂにおいて、導体層４は、磁気ヘッドの端子に接続するためのヘッド側信号端子１３と、リード・ライト基板の端子（図示せず）に接続するための外部側信号端子９と、ヘッド側信号端子１３および外部側信号端子９を接続するための信号配線８とを一体的にそれぞれ備えている。

また、右側の配線対３０Ａ、および、左側の配線対３０Ｂにおいて、グランド層６は、磁気ヘッドの端子に接続するためのヘッド側グランド端子５２と、金属支持層２に接続するための支持側グランド端子５９と、ヘッド側グランド端子５２および支持側グランド端子５９を接続するためのグランド配線５８とを一体的に備えている。

また、回路付サスペンション基板１は、図４に示すように、金属支持層２と、金属支持層２の上に形成される絶縁層としての第１ベース絶縁層３と、第１ベース絶縁層３の上に形成される導体層４と、第１ベース絶縁層３の上に、導体層４を被覆するように形成される第２絶縁層としての第２ベース絶縁層５と、第２ベース絶縁層５の上に形成されるグランド層６とを備えている。また、回路付サスペンション基板１は、第２ベース絶縁層５の上に、グランド層６を被覆するように形成されるカバー絶縁層７を備えている。

次に、回路付サスペンション基板１の後端部について、図２〜図６を参照して詳述する。なお、以降の説明では、右側の配線対３０Ａおよび左側の配線対３０Ｂのうち、右側の配線対３０Ａのみを例示して説明するが、左側の配線対３０Ｂについては、右側の配線対３０Ａの説明と同様であり、その説明を省略する。

図２において、回路付サスペンション基板１の後端部には、配線形成部１０と、端子形成部１２と、配線形成部１０および端子形成部１２の間に連続して形成される中間部１１とが一体的に設けられている。

配線形成部１０では、図４に示すように、金属支持層２の上に、第１ベース絶縁層３が形成されている。第１ベース絶縁層３は、金属支持層２の上面に、信号配線８に対応するように、積層されている。

第１ベース絶縁層３の上には、信号配線８が形成されている。信号配線８は、図１に示すように、回路付サスペンション基板１の先端部に向かって直線状に延びるように形成されている。

第１ベース絶縁層３の上には、図４に示すように、第２ベース絶縁層５が、信号配線８を被覆するように積層されている。

第２ベース絶縁層５の上には、グランド配線５８が、信号配線８と厚み方向（上下方向）に投影したときに、重複するように形成されている。

第２ベース絶縁層５の上には、カバー絶縁層７が、グランド配線５８を被覆するように積層されている。

配線形成部１０は、右側の配線対３０Ａ、すなわち、信号配線８およびグランド配線５８が厚み方向において重複する部分に対応する領域として形成されている。

中間部１１は、図２に示すように、配線形成部１０と次に説明する端子形成部１２とを連結する中間領域として形成されている。

中間部１１において、図５に示すように、金属支持層２の上に第１ベース絶縁層３が形成されている。第１ベース絶縁層３は、金属支持層２の上面に積層されている。中間部１１の第１ベース絶縁層３は、配線形成部１０の第１ベース絶縁層３（図４参照）から連続して形成されている。

第１ベース絶縁層３の上には、信号配線８が形成されている。信号配線８は、図１に示すように、中間部１１において、その途中が左側へ屈曲する平面視略Ｌ字形状に形成されている。

第１ベース絶縁層３の上には、図５に示すように、信号配線８を被覆する第２ベース絶縁層５が積層されている。第２ベース絶縁層５は、信号配線８およびグランド配線５８に対応するように設けられており、より具体的には、信号配線８の上面および側面と、信号配線８の周囲の第１ベース絶縁層３の上面とに、平面視略Ｌ字形状（図２参照）に形成されている。

中間部１１において、第２ベース絶縁層５の上に、グランド配線５８が形成されている。

グランド配線５８は、図２に示すように、中間部１１において、その途中が左側へ屈曲する平面視略Ｌ字形状に形成されている。

すなわち、中間部１１のグランド配線５８において、配線形成部１０のグランド配線５８から直線的に連続する屈曲前部分は、図４に示すように、中間部１１の信号配線８に対して平面視（上下方向に投影したとき）において重なるように配置されている。

一方、中間部１１のグランド配線５８において、端子形成部１２のグランド配線５８と直線的に連続する屈曲後部分は、図５に示すように、中間部１１の信号配線８に対して、平面視において後側に配置されている。

すなわち、中間部１１において、図２に示すように、信号配線８は、グランド配線５８よりも先側で幅方向外側へ屈曲しており、そのため、グランド配線５８は、屈曲前部分の途中まで信号配線８の屈曲前部分すべてと重なり、それ以後の屈曲前部分および屈曲後部分では、信号配線８と重ならないように配置されている。つまり、図５に示すように、グランド配線５８の屈曲後部分は、厚み方向に投影したときに、信号配線８の屈曲後部分の後側に間隔を隔てて並列配置されている。

また、グランド配線５８は、配線形成部１０のグランド配線５８が形成される絶縁層（図４参照）と同一の絶縁層の上、すなわち、第２ベース絶縁層５の上に形成されている。また、グランド配線５８は、次に説明する支持側グランド端子５９に連続するように形成されている。

第２ベース絶縁層５の上には、グランド配線５８を被覆するカバー絶縁層７が形成されている。

端子形成部１２には、図２に示すように、外部側信号端子９および支持側グランド端子５９が形成されており、外部側信号端子９が形成される領域が信号端子形成領域７４とされ、支持側グランド端子５９が形成される領域がグランド端子形成領域７５とされている。

信号端子形成領域７４において、図６に示すように、金属支持層２には、外部側信号端子９に対応する支持開口部７３が形成されている。

支持開口部７３は、金属支持層２の厚み方向を貫通し、図２に示すように、左右方向に長い平面視略矩形状に形成されている。

また、図６に示すように、信号端子形成領域７４において、支持開口部７３の周囲の金属支持層２の上に、第１ベース絶縁層３が形成されている。

第１ベース絶縁層３には、支持開口部７３に連通する第１ベース開口部７６が形成されている。第１ベース開口部７６は、第１ベース絶縁層３の厚み方向を貫通し、平面視において支持開口部７３と同一形状となるように形成されている。

図６に示すように、第１ベース開口部７６の先後方向両側の第１ベース絶縁層３の上に、外部側信号端子９が形成されており、外部側信号端子９は、図２に示すように、第１ベース開口部７６を先後方向に横切るように形成されている。外部側信号端子９は、信号配線８の幅より広幅の角ランドとして形成されている。

外部側信号端子９の下面は、図６に示すように、支持開口部７３および第１ベース開口部７６から露出している。

第１ベース開口部７６の周囲の第１ベース絶縁層３の上に、外部側信号端子９の先後方向両端を被覆するように、第２ベース絶縁層５が形成されている。

第２ベース絶縁層５には、第１ベース開口部７６に連通する第２ベース開口部８３が形成されている。

第２ベース開口部８３は、第２ベース絶縁層５の厚み方向を貫通し、図２に示すように、平面視において第１ベース開口部７６と同一形状となるように形成されている。

また、第２ベース絶縁層５の上に、カバー絶縁層７が形成されている。

カバー絶縁層７には、カバー開口部７７が形成されている。カバー開口部７７は、カバー絶縁層７の厚み方向を貫通し、図２に示すように、平面視において第２ベース開口部８３と同一形状となるように形成されている。

図６に示すように、信号端子形成領域７４において、外部側信号端子９は、下面が支持開口部７３および第１ベース開口部７６から露出し、上面が第２ベース開口部８３およびカバー開口部７７から露出するフライングリードとして形成されている。

グランド端子形成領域７５は、図２に示すように、信号端子形成領域７４の後側に間隔を隔てて並列配置されている。

グランド端子形成領域７５において、図３および図６に示すように、金属支持層２の上に第１ベース絶縁層３が形成されている。

第１ベース絶縁層３には、厚み方向を貫通する第１開口部としての第１グランド開口部７８（図７（ｃ）参照）が形成されている。

第１グランド開口部７８は、図２の破線で示すように、平面視略円形状に形成されている。なお、第１ベース絶縁層３には、図３および図６に示すように、第１グランド開口部７８に臨む部分（具体的には、第１グランド開口部７８の周囲）が第１段差部１５として形成される。

また、第１ベース絶縁層３における第１グランド開口部７８の第１周側面７９は、厚み方向に対して傾斜する傾斜面として形成されている。具体的には、第１周側面７９は、下方に向かうに従って第１グランド開口部７８の平断面積が小さくなる（つまり、縮径する）テーパ状に傾斜している。

第１ベース絶縁層３の上に、第２ベース絶縁層５が形成されている。

第２ベース絶縁層５には、厚み方向を貫通して、第１グランド開口部７８に対応する第２開口部としての第２グランド開口部８０が形成されている。

第２グランド開口部８０は、図２の破線で示すように、厚み方向に投影したときに、第１グランド開口部７８を囲むように形成されている。具体的には、第２グランド開口部８０は、第１グランド開口部７８と中心が共通する平面視略円形状に形成されている。つまり、第２グランド開口部８０は、平面視において、第１グランド開口部７８より大きい相似形状に形成されている。

また、第２ベース絶縁層５において、図３および図６に示すように、第２グランド開口部８０に臨む部分（具体的には、第２グランド開口部８０の周囲）が第２段差部１６として形成とされる。

従って、第１ベース絶縁層３の第１段差部１５と、第２ベース絶縁層５の第２段差部１６とは、径方向内側に向かうに従って、階段状に下降する２段の段差部を形成する。

また、第２ベース絶縁層５における第２グランド開口部８０の第２周側面８１は、厚み方向に対して傾斜する傾斜面として形成されている。具体的には、第２周側面８１は、下方に向かうに従って第２グランド開口部８０の平断面積が小さくなる（つまり、縮径する）テーパ状に傾斜するように形成されている。

第２グランド開口部８０の周囲の第２ベース絶縁層５の上に支持側グランド端子５９が形成されている。

支持側グランド端子５９は、厚み方向に投影したときに、外形が、第１グランド開口部７８および第２グランド開口部８０を含む、略円形状に形成されている。

そして、支持側グランド端子５９の内部は、第２グランド開口部８０を介して、第１グランド開口部７８内に充填されている。

具体的には、支持側グランド端子５９は、第２ベース絶縁層５の第２段差部１６から内側に向かって、第２ベース絶縁層５の第２グランド開口部８０の第２周側面８１に沿って落ち込むように形成され、次いで、第２グランド開口部８０内において、第２グランド開口部８０の内側に形成される第１ベース絶縁層３の第１段差部１５の上面に沿って形成される。続いて、支持側グランド端子５９は、第１ベース絶縁層３の第１グランド開口部７８の第１周側面７９に沿って落ち込むように形成され、その後、第１段差部１５の内側の金属支持層２（第１グランド開口部７８から露出する金属支持層２）の上面に形成されている。

これによって、支持側グランド端子５９は、第１グランド開口部７８内の金属支持層２の上面に接触する。つまり、支持側グランド端子５９は、金属支持層２と電気的に接続される。これによって、グランド層６は、接地（グランド接続）される。

また、第２ベース絶縁層５の上に、支持側グランド端子５９を被覆するように、カバー絶縁層７が形成されている。

また、図１に示すように、回路付サスペンション基板１の先端部において、右側の配線対３０Ａおよび左側の配線対３０Ｂは、ジンバル２６近傍において並列配置されている。つまり、右側の配線対３０Ａのヘッド側信号端子１３およびヘッド側グランド端子５２と、左側の配線対３０Ｂのヘッド側信号端子１３およびヘッド側グランド端子５２とが幅方向に並列配置されており、上記した端子形成部１２および中間部１１と同一構成とされている。

また、回路付サスペンション基板１の中間部（先端部と後端部との間、先後方向途中部）は、後端部における配線形成部１０と同一構成とされている。

次に、この回路付サスペンション基板１の製造方法について、図７および図８を参照して説明する。

まず、この方法では、図７（ａ）に示すように、金属支持層２を用意する。金属支持層２を形成する金属材料としては、例えば、ステンレス、４２アロイなどが用いられ、好ましくは、ステンレス（例えば、ＡＩＳＩ（米国鉄鋼協会）の規格に基づく、ＳＵＳ３０４など）などが用いられる。金属支持層２の厚みは、例えば、１０〜３０μｍ、好ましくは、１５〜２５μｍである。

次いで、この方法では、図７（ｂ）および図７（ｃ）に示すように、第１ベース絶縁層３を金属支持層２の上に、第１グランド開口部７８および第１周側面７９（傾斜面）を有するように形成する。

第１ベース絶縁層３を形成する絶縁材料としては、例えば、ポリイミド、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニルなどの樹脂が用いられる。これらのうち、好ましくは、感光性樹脂が用いられ、さらに好ましくは、感光性ポリイミドが用いられる。

第１ベース絶縁層３を形成するには、例えば、図７（ｂ）に示すように、まず、金属支持層２の上面全面に感光性樹脂の溶液（ワニス）を塗布して乾燥することにより、第１ベース皮膜２０を形成する。

その後、フォトマスクとしての第１階調フォトマスク１４を介して第１ベース皮膜２０を露光する。

第１階調フォトマスク１４は、第１遮光部分１７、第１光半透過部分１８および第１光全透過部分１９からなるマスクパターンを備えている。第１光半透過部分１８は、第１遮光部分１７から第１光全透過部分１９に近接するに従って、光透過率が次第に大きくなるように設定されている。

そして、第１階調フォトマスク１４を第１ベース皮膜２０の上側に配置する。

具体的には、第１光全透過部分１９を、第１ベース絶縁層３（図７（ｃ）参照）を形成する部分に対向させ、第１光半透過部分１８を、第１周側面７９（図７（ｃ）参照）を形成する部分に対向させ、第１遮光部分１７を、第１ベース絶縁層３を形成しない部分（第１グランド開口部７８を含む、図７（ｃ）参照）に対向させる。

その後、第１ベース皮膜２０を、上方から第１階調フォトマスク１４を介して露光する。

その後、現像液により、第１遮光部分１７に対向する部分、つまり、未露光部分を溶解させるとともに、第１光半透過部分１８に対向する部分、つまり、露光の度合が調整された半露光部分を部分的に溶解させて現像して、その後、必要により硬化させる。

これにより、図７（ｄ）に示すように、第１ベース絶縁層３を、第１グランド開口部７８および第１周側面７９を有するパターンで形成する。

このようにして形成される第１ベース絶縁層３の厚みは、例えば、１〜２５μｍ、好ましくは、１〜１０μｍである。

また、第１グランド開口部７８の内径Ｄ１は、例えば、１０〜１００μｍ、好ましくは、１５〜６０μｍである。

第１周側面７９と金属支持層２の上面とのなす角度（傾斜角度）αは、例えば、０．３５〜８５度、好ましくは、０．５〜４５度である。

次いで、この方法では、図７（ｄ）に示すように、導体層４を第１ベース絶縁層３の上に、上記したパターンで形成する。

導体層４を形成する材料としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはそれらの合金などの金属材料が用いられる。これらのうち、好ましくは、銅が用いられる。

導体層４を形成するには、例えば、アディティブ法、サブトラクティブ法などの公知のパターンニング法が用いられる。好ましくは、アディティブ法が用いられる。

アディティブ法では、まず、金属支持層２および第１ベース絶縁層３の上面全面に、図示しない第１金属薄膜（種膜）を形成する。第１金属薄膜としては、銅、クロム、ニッケルおよびそれらの合金などの金属材料が用いられる。第１金属薄膜は、スパッタリング、めっきなどの薄膜形成方法により、形成する。好ましくは、スパッタリングにより第１金属薄膜を形成する。

次いで、第１金属薄膜の表面に、ドライフィルムレジストを設けて、これを露光および現像し、導体層４と逆パターンの図示しないめっきレジストを形成する。次いで、電解めっきにより、めっきレジストから露出する第１金属薄膜の表面に、導体層４を形成し、次いで、めっきレジストおよびめっきレジストが形成されていた部分の第１金属薄膜をエッチングなどにより除去する。

このようにして形成される導体層４の厚みは、例えば、３〜５０μｍ、好ましくは、５〜１５μｍである。

また、各信号配線８（図２参照）の幅は、例えば、１０〜３００μｍ、好ましくは、１５〜１５０μｍである。また、各ヘッド側信号端子１３および各外部側信号端子９（図２参照）の幅は、例えば、１０〜１５０００μｍ、好ましくは、３０〜１０００μｍである。

これによって、図１が参照されるように、導体層４は、信号配線８、外部側信号端子９およびヘッド側信号端子１３が一体的に形成される配線回路パターンとして形成される。

次いで、この方法では、図８（ｅ）および図８（ｆ）に示すように、第２ベース絶縁層５を、第１ベース絶縁層３の上に、第２グランド開口部８０および第２周側面８１を有する上記したパターンで形成する。

第２ベース絶縁層５を形成する絶縁材料としては、上記した第１ベース絶縁層３と同様の絶縁材料が用いられる。

第２ベース絶縁層５を形成するには、例えば、図８（ｅ）に示すように、金属支持層２、第１ベース絶縁層３および導体層４およびの上面全面に、感光性樹脂の溶液（ワニス）を塗布して乾燥することにより、第２ベース皮膜２１を形成する。

その後、フォトマスクとしての第２階調フォトマスク２２を介して第２ベース皮膜２１を露光する。

第２階調フォトマスク２２は、第２遮光部分２３、第２光半透過部分２４および第２光全透過部分２５からなるマスクパターンを備えている。第２光半透過部分２４は、第２遮光部分２３から第２光全透過部分２５に近接するに従って、光透過率が次第に大きくなるように設定されている。

そして、第２階調フォトマスク２２を第２ベース皮膜２１の上側に配置する。

具体的には、第２光全透過部分２５を、第２ベース絶縁層５（図８（ｆ）参照）を形成する部分に対向させ、第２光半透過部分２４を、第２周側面７９（図８（ｆ）参照）を形成する部分に対向させ、第２遮光部分２３を、第２ベース絶縁層５を形成しない部分（第２グランド開口部８０（図８（ｆ）参照）、および、第２ベース開口部８３（図２参照）を含む）に対向させる。

その後、第２ベース皮膜２１を、上方から第２階調フォトマスク２２を介して露光する。

その後、現像液により、第２遮光部分２３に対向する部分、つまり、未露光部分を溶解させるとともに、第２光半透過部分２４に対向する部分、つまり、露光の度合が調整された半露光部分を部分的に溶解させて現像して、その後、必要により硬化させる。

これにより、図８（ｆ）に示すように、第２ベース絶縁層５を、第２グランド開口部８０および第２周側面８１を有するパターンで形成する。

このようにして形成される第２ベース絶縁層５の厚みは、例えば、１〜５０μｍ、好ましくは、１．５〜１５μｍである。

また、第２グランド開口部８０の内径Ｄ２は、第１グランド開口部７８の内径Ｄ１に対して、例えば、１００％を超え、好ましくは、１１０〜９００％であり、具体的には、例えば、２０〜２００μｍ、好ましくは、３５〜１００μｍである。

また、第２周側面８１と第１ベース絶縁層３の上面とのなす角度（傾斜角度）βは、例えば、０．３５〜８５度、好ましくは、０．５〜４５度である。

次いで、この方法では、図８（ｇ）に示すように、グランド層６を上記したパターンで形成する。

グランド層６を形成する材料としては、上記した導体層４と同様の材料が用いられる。

グランド層６を形成するには、上記と同様のパターンニング法が用いられ、好ましくは、アディティブ法が用いられる。

アディティブ法では、まず、金属支持層２、第１ベース絶縁層３および第２ベース絶縁層５の上面全面に、図示しない第２金属薄膜（種膜）を形成する。第２金属薄膜としては、上記と同様の金属材料が用いられる。第２金属薄膜は、上記と同様の薄膜形成方法、好ましくは、スパッタリングにより、形成する。

次いで、第２金属薄膜の表面に、ドライフィルムレジストを設けて、これを露光および現像し、グランド層６と逆パターンの図示しないめっきレジストを形成する。次いで、電解めっきにより、めっきレジストから露出する第２金属薄膜の表面に、グランド層６を形成し、次いで、めっきレジストおよびめっきレジストが形成されていた部分の第２金属薄膜をエッチングなどにより除去する。

このようにして形成されるグランド層６の厚みは、例えば、３〜５０μｍ、好ましくは、５〜１５μｍである。また、各グランド配線５８の幅は、信号配線８の幅と同幅または相異なっていてもよく、例えば、１０〜３００μｍ、好ましくは、１５〜１５０μｍである。

各支持側グランド端子５９の外径は、例えば、１００〜１０００μｍ、好ましくは、１５０〜５００μｍである、
各ヘッド側グランド端子５２（図１参照）の幅は、例えば、１０〜１５０００μｍ、好ましくは、３０〜１０００μｍである。

次いで、この方法では、図８（ｈ）に示すように、カバー絶縁層７を、カバー開口部７７（図２参照）を有する上記したパターンで形成する。

カバー絶縁層７を形成する絶縁材料としては、上記した第１ベース絶縁層３と同様の絶縁材料が用いられる。

カバー絶縁層７を形成するには、例えば、金属支持層２、第２ベース絶縁層５およびグランド層６の上面全面に、感光性樹脂の溶液（ワニス）を塗布して乾燥することにより、カバー皮膜（図示せず）を形成する。その後、カバー皮膜を、フォトマスクを介して露光および現像する。

その後、カバー皮膜を必要により硬化させることにより、カバー絶縁層７を、カバー開口部７７を有する上記したパターンとして形成する。

なお、カバー絶縁層７の形成は、上記の方法に制限されず、例えば、予め樹脂をカバー開口部７７が形成されたフィルムに形成して、そのフィルムを、金属支持層２、第２ベース絶縁層５およびグランド層６の上面全面に、公知の接着剤層を介して貼着することもできる。

このようにして形成されるカバー絶縁層７の厚みは、例えば、２〜１０μｍ、好ましくは、３〜６μｍである。

次いで、この方法では、図６に示すように、金属支持層２を開口して支持開口部７３を形成し、続いて、第１ベース絶縁層３を開口して第１ベース開口部７６を形成する。

金属支持層２を開口するには、例えば、化学エッチングなどのウエットエッチングが用いられる。

第１ベース絶縁層３を開口するには、例えば、金属支持層２をマスクとして用いるプラズマエッチングなどのドライエッチングなどが用いられる。

これにより、外部側信号端子９をフライングリードとして形成することができる。

なお、支持開口部７３および第１ベース開口部７６の長さ（長手方向長さ）は、例えば、５０〜１５００μｍである。

その後、必要により、外部側信号端子９の表面に、図示しない金属めっき層を形成する。金属めっき層は、金などの金属材料からなり、例えば、電解めっきや無電解めっきなどのめっきにより形成する。金属めっき層の厚みは、例えば、０．２〜５μｍである。なお、ヘッド側信号端子１３およびヘッド側グランド端子５２の表面についても、金属めっき層が同様に形成される。

その後、金属支持層２を外形加工して、図１に示すように、ジンバル２６を形成することにより、回路付サスペンション基板１を得ることができる。

そして、この回路付サスペンション基板１では、図３が参照されるように、第１グランド開口部７８は、厚み方向に投影したときに、第２グランド開口部８０に囲まれており、第２グランド開口部８０内に、第１ベース絶縁層３の第１段差部１５が形成される。

そのため、支持側グランド端子５９は、第２グランド開口部８０を介して、第１グランド開口部７８内に、金属支持層２の上面に接触するように充填されると、第１ベース絶縁層３の第１段差部１５に接触して密着することができるので、第１グランド開口部７８および第２グランド開口部８０における第１ベース絶縁層３に対する密着性を向上させることができる。

その結果、支持側グランド端子５９の第１ベース絶縁層３に対する密着性を向上させることにより、グランド接続（接地）の信頼性を向上させることができる。

さらに、第１ベース絶縁層３における第１グランド開口部７８の第１周側面７９が、厚み方向に対して傾斜する傾斜面として形成され、かつ、第２ベース絶縁層５における第２グランド開口部８０の第２周側面８１が、厚み方向に対して傾斜する傾斜面として形成されている。

そのため、支持側グランド端子５９の第１周側面７９および第２周側面８１に対する接触面積は、第１周側面７９および第２周側面８１が厚み方向に沿う垂直面として形成される場合（図１１参照）に比べて、増大させることができる。

その結果、支持側グランド端子５９の、第１周側面７９および第２周側面８１に対する密着性をより一層向上させることができる。

しかも、図３の実施形態では、支持側グランド端子５９は、第１ベース絶縁層３および第２ベース絶縁層５における第１段差部１５と第２段差部１６とからなる２段の段差部に密着することができるので、第１ベース絶縁層３および第２ベース絶縁層５に対する密着性をより一層向上させることができる。

なお、図７および図８の実施形態では、第１ベース絶縁層３を、第１階調フォトマスク１４を介して第１ベース皮膜２０を露光することにより形成するとともに、第２ベース絶縁層５を、第２階調フォトマスク２２を介して第２ベース皮膜２１を露光することにより形成している。

しかるに、図１１に示すように、第１グランド開口部７８および第２グランド開口部８０を面一、つまり、同径で形成するには、第１遮光部分１７（図７（ｂ）参照）の寸法と、第２遮光部分２３（図８（ｅ）参照）の寸法とが同一寸法となる。そうすると、第１遮光部分１７の位置に対する第２遮光部分２３の位置がわずかにずれる（位置ずれする）と、図１２に示すように、その後に形成される第１グランド開口部７８が、厚み方向に投影したときに、第２グランド開口部８０に囲まれることなく、第１段差部１５および第２段差部１６が交差する。つまり、第１グランド開口部７８内に、第２段差部１６が侵入して、かかる侵入部分９２が第１グランド開口部７８内の金属支持層２の上面に接触する。そのため、支持側グランド端子５９の、金属支持層２の上面に対する接触面積は、上記した位置ずれによって、低減する。その結果、グランド接続の信頼性を十分に向上させることができない場合がある。

しかしながら、図３の実施形態では、第１グランド開口部７８が、厚み方向に投影したときに、第２グランド開口部８０に囲まれるように、第１遮光部分１７の内径Ｄ１が、第２遮光部分２３の内径Ｄ２より小さく設定されている。

そのため、第１遮光部分１７（図７（ｂ）参照）の位置に対する第２遮光部分２３（図８（ｂ）参照）の位置がわずかにずれ（例えば、１０μｍ程度、位置ずれし）ても、その後に形成される、第１グランド開口部７８が、厚み方向に投影したときに、第２グランド開口部８０に囲まれる。そのため、第１グランド開口部７８内の金属支持層２の上面に対する接触面積は、上記した位置ずれによっても、低減しない。その結果、グランド接続の信頼性を十分に向上させることができる。

図９は、本発明の配線回路基板の他の実施形態としての回路付サスペンション基板の支持側グランド端子（支持側グランド端子を露出させる態様）の拡大断面図、図１０は、本発明の配線回路基板の他の実施形態としての回路付サスペンション基板の支持側グランド端子（第２グランド開口部が第１グランド開口部に囲まれる態様）の拡大断面図である。

なお、上記した各部に対応する部材については、以降の各図面において同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。

図３の実施形態では、グランド端子形成領域７５にカバー絶縁層７を設けているが、これに限定されず、例えば、図９に示すように、カバー絶縁層７を設けることなく、支持側グランド端子５９を露出されることもできる。

図９の実施形態は、図１の実施形態と同種の作用効果を奏することができる。

また、図３の実施形態では、第１グランド開口部７８を、厚み方向に投影したときに、第２グランド開口部８０に囲まれるように形成しているが、例えば、図１０に示すように、上記の逆、つまり、第２グランド開口部８０が、厚み方向に投影したときに、第１グランド開口部７８に囲まれるように、第１ベース絶縁層３および第２ベース絶縁層５を形成することもできる。

図１０において、第２ベース絶縁層５は、第１ベース絶縁層３の上面に形成され、第１ベース絶縁層３の第１段差部１５から、第１ベース絶縁層３の第１周側面７９に沿って落ち込むように形成され、その後、第１ベース絶縁層３の第１グランド開口部７８内に突出するように形成されている。具体的には、第２ベース絶縁層５の突出部分９３は、第１グランド開口部７８の周端部に充填されている。第２ベース絶縁層５の突出部分９３は、金属支持層２の上面に形成されており、第２段差部１６として形成される。

第２段差部１６は、金属支持層２の上面に接触している。これにより、グランド層６は、接地（グランド接続）される。

次に、図１０に示す回路付サスペンション基板１の製造方法を説明する。

まず、この方法では、図７（ａ）が参照されるように、金属支持層２を用意する。

次いで、この方法では、図７（ｂ）および図７（ｃ）が参照されるように、第１ベース絶縁層３を金属支持層２の上に、第１グランド開口部７８および第１周側面７９を有するように形成する。

第１グランド開口部７８の内径Ｄ１は、例えば、２０〜２００μｍ、好ましくは、３５〜１００μｍである。

次いで、この方法では、図７（ｄ）が参照されるように、導体層４を第１ベース絶縁層３の上に、上記したパターンで形成する。

次いで、この方法では、図８（ｅ）および図８（ｆ）が参照されるように、第２ベース絶縁層５を、金属支持層２および第１ベース絶縁層３の上に、突出部分９３、第２グランド開口部８０および第２周側面８１を有する上記したパターンで形成する。

第２グランド開口部８０の内径Ｄ２は、第１グランド開口部７８の内径Ｄ１に対して、例えば、１００％未満、好ましくは、１０〜９０％であり、具体的には、例えば、１０〜１００μｍ、好ましくは、１５〜６０μｍである。

次いで、この方法では、図８（ｇ）が参照されるように、グランド層６を上記したパターンで形成する。

次いで、この方法では、図２が参照されるように、カバー絶縁層７を上記したパターンで形成する。

次いで、この方法では、図６に示すように、金属支持層２を開口して支持開口部７３を形成し、続いて、第１ベース絶縁層３を開口して第１ベース開口部７６を形成する。

その後、必要により、外部側信号端子９の表面に、図示しない金属めっき層を形成し、続いて、金属支持層２を外形加工して、図１に示すように、ジンバル２６を形成することにより、回路付サスペンション基板１を得る。

図１０の回路付サスペンション基板１では、第１グランド開口部７８は、厚み方向に投影したときに、第２グランド開口部８０を囲んでおり、第２ベース絶縁層５が、第１グランド開口部７８の周端部に充填されるので、第１グランド開口部７８内において、第２ベース絶縁層５の第２段差部１６が形成される。そのため、支持側グランド端子５９は、第２グランド開口部８０内に、金属支持層２の上面に接触するように充填されると、第２ベース絶縁層５の第２段差部１６に接触して密着することができるので、第１グランド開口部７８および第２グランド開口部８０における第２ベース絶縁層５に対する密着性を向上させることができる。

その結果、グランド層６の第２ベース絶縁層５に対する密着性を向上させることにより、グランド接続の信頼性を向上させることができる。

とりわけ、支持側グランド端子５９は、第１ベース絶縁層３に形成されることなく、第２ベース絶縁層５の上面および側面（第２周側面７９を含む）に連続して形成されている。つまり、１つのベース絶縁層の表面に連続して形成されている。

そのため、図１０の支持側グランド端子５９は、２つのベース絶縁層（第１ベース絶縁層３および第２ベース絶縁層５）の表面に形成される図３の支持側グランド端子５９に比べて、第１ベース絶縁層３および第２ベース絶縁層５の界面から剥離することがなく、第２ベース絶縁層５に対する密着性をより一層向上させることができる。

また、上記した実施形態では、本発明の配線回路基板を、金属支持層２を備える回路付サスペンション基板として例示して説明したが、本発明の配線回路基板は、これに限定されず、例えば、図示しないが、金属支持層２を補強層として備えるフレキシブル配線回路基板として形成することもできる。

以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されることはない。

実施例１
（第１グランド開口部が第２グランド開口部に囲まれる態様：図３）
まず、厚み２５μｍのステンレス（ＳＵＳ３０４）箔からなる金属支持層を用意し（図７（ａ）参照）、次いで、金属支持層の上面全面に、感光性ポリアミド酸樹脂のワニスを塗布して乾燥することにより、第１ベース皮膜を形成した（図７（ｂ）参照）。

続いて、上記したマスクパターンを備える第１階調露光フォトマスクを、第１ベース皮膜の上側に配置し、その後、第１階調露光フォトマスクを介して第１ベース皮膜を露光し、続いて、第１ベース皮膜を現像し、さらに加熱硬化した。これにより、厚み５μｍのポリイミドからなる第１ベース絶縁層を形成した（図７（ｃ）参照）。

また、第１ベース絶縁層には、内径（Ｄ１）６０μｍの平面視円形状の第１グランド開口部と、傾斜角度（α）１．１５度の第１周側面（傾斜面）とが形成された。

次いで、ベース絶縁層の上に、アディティブ法により、導体層を形成した。

具体的には、アディティブ法では、金属支持基板および第１ベース絶縁層の上面全面に、第１金属薄膜として厚み０．０３μｍのクロム薄膜と厚み０．０７μｍの銅薄膜とを、クロムスパッタリングと銅スパッタリングとによって順次形成し、次いで、導体層の逆パターンのめっきレジストを、第１金属薄膜の表面に形成した。次いで、めっきレジストから露出する第１金属薄膜の表面に、厚み１０μｍの導体層を、電解銅めっきにより形成した。次いで、めっきレジストおよびめっきレジストが形成されていた部分の第１金属薄膜を、化学エッチングにより除去した（図７（ｄ）参照）。

なお、各信号配線の幅は５０μｍであった。また、各外部側信号端子および各ヘッド側信号端子の幅は２８０μｍであった。

次いで、金属支持基板、第１ベース絶縁層および導体層の上面全面に、感光性ポリアミド酸樹脂のワニスを塗布して、乾燥することにより、第２ベース皮膜を形成した（図８（ｅ）参照）。

続いて、上記したマスクパターンを備える第２階調フォトマスクを、第２ベース皮膜の上側に配置し、その後、第２階調露光フォトマスクを介して第２ベース皮膜を露光し、続いて、第２ベース皮膜を現像し、さらに加熱硬化した。これにより、厚み５μｍのポリイミドからなる第２ベース絶縁層を形成した（図８（ｆ）参照）。

第２ベース絶縁層には、第１グランド開口部を囲む、内径（Ｄ２）１００μｍの平面視円形状の第２グランド開口部と、傾斜角度（β）１．１５度の第２周側面（傾斜面）とが形成された。また、第２ベース絶縁層には、外部側信号端子の上面を露出する第２ベース開口部が形成された（図２参照）。

次いで、グランド層を、アディティブ法により形成した。

アディティブ法では、金属支持基板、第１ベース絶縁層および第２ベース絶縁層の上面全面に、第２金属薄膜として厚み０．０３μｍのクロム薄膜と厚み０．０７μｍの銅薄膜とを、クロムスパッタリングと銅スパッタリングとによって順次形成し、次いで、グランド層の逆パターンのめっきレジストを、第２金属薄膜の表面に形成した。次いで、めっきレジストから露出する第２金属薄膜の表面に、厚み１０μｍのグランド層を、電解銅めっきにより形成した。次いで、めっきレジストおよびめっきレジストが形成されていた部分の第２金属薄膜を、化学エッチングにより除去した（図８（ｇ）参照）。

支持側グランド端子は、第２グランド開口部を含む外径１６０μｍの円形状に形成されており、その中央が、第１グランド開口部内に、金属支持層の上面に接触するように充填されていた（図３参照）。

次いで、金属支持層、第２ベース絶縁層およびグランド層の上面全面に、感光性ポリアミド酸樹脂のワニスを塗布し、乾燥後、露光および現像し、さらに加熱硬化することにより、カバー開口部が形成されるパターンで、厚み５μｍのポリイミドからなるカバー絶縁層を形成した（図８（ｈ）参照）。

次いで、金属支持層を、化学エッチングにより開口して支持開口部を形成し（図１参照）、続いて、第１ベース絶縁層を、プラズマエッチングにより開口してベース開口部を形成することにより、外部側信号端子をフライングリードとした。

その後、金属支持層を外形加工して、ジンバルを形成することにより、回路付サスペンション基板を得た（図１参照）。

実施例２
（第２グランド開口部が第１グランド開口部に囲まれる態様：図１０）
第１ベース絶縁層の形成において、第１グランド開口部の内径（Ｄ１）を１００μｍに変更し、第２ベース絶縁層の形成において、第２グランド開口部の内径（Ｄ２）を６０μｍに変更するとともに、第２グランド開口部を、第１グランド開口部に囲まれるように、形成した以外は、実施例１と同様にして、回路付サスペンション基板を得た（図１参照）。

比較例１
第２ベース絶縁層の形成において、第２グランド開口部の内径（Ｄ２）を６０μｍに変更した、つまり、第１グランド開口部の内径（Ｄ１）と第２グランド開口部の内径（Ｄ２）とを同径（６０μｍ）とし、それらが互いに重複するように形成した以外は、実施例１と同様にして、回路付サスペンション基板を得た（図１１参照）。

（評価）
（密着性）
実施例１、２および比較例１の支持側グランド端子の第１ベース絶縁層および第２ベース絶縁層に対する密着性を以下のようにして評価した。

すなわち、熱衝撃試験による導通抵抗値変化率を確認することにより、密着性を評価した。

その結果、実施例１および２の支持側グランド端子は、比較例１の支持側グランド端子に比べて、第１ベース絶縁層および第２ベース絶縁層に対する密着性が向上していることが確認された。

１ 回路付サスペンション基板
２ 金属支持層
３ 第１ベース絶縁層
４ 導体層
５ 第２ベース絶縁層
６ グランド層
１４ 第１階調フォトマスク
２２ 第２階調フォトマスク
７８ 第１グランド開口部
７９ 第１周側面
８０ 第２グランド開口部
８１ 第２周側面

Claims (5)

1. 金属支持層と、
   前記金属支持層の上に形成される第１絶縁層と、
   前記第１絶縁層の上に形成される導体層と、
   前記第１絶縁層の上に、前記導体層を被覆するように形成される第２絶縁層と、
   前記第２絶縁層の上に形成されるグランド層と
   を備え、
   前記第１絶縁層には、厚み方向を略円形に貫通する第１開口部が形成され、
   前記第２絶縁層には、前記厚み方向を略円形に貫通して、前記第１開口部に対応する第２開口部が形成されており、
   前記第１開口部は、前記厚み方向に投影したときに、前記第２開口部に囲まれており、前記グランド層が、前記第２開口部を介して、前記第１開口部内に、前記金属支持層の上面に接触するように充填されている
   ことを特徴とする、配線回路基板。
2. 金属支持層と、
   前記金属支持層の上に形成される第１絶縁層と、
   前記第１絶縁層の上に形成される導体層と、
   前記第１絶縁層の上に、前記導体層を被覆するように形成される第２絶縁層と、
   前記第２絶縁層の上に形成されるグランド層と
   を備え、
   前記第１絶縁層には、厚み方向を貫通する第１開口部が形成され、
   前記第２絶縁層には、前記厚み方向を貫通して、前記第１開口部に対応する第２開口部が形成されており、
   前記第１開口部は、前記厚み方向に投影したときに、前記第２開口部を囲んでおり、前記第２絶縁層は、前記第１開口部の周端部に充填され、前記グランド層が、前記第２開口部内に、前記金属支持層の上面に接触するように充填されている
   ことを特徴とする、配線回路基板。
3. 前記第１絶縁層における前記第１開口部の周側面が、厚み方向に対して傾斜して形成され、および／または、
   前記第２絶縁層における前記第２開口部の周側面が、厚み方向に対して傾斜して形成されている
   ことを特徴とする、請求項１または２に記載の配線回路基板。
4. 前記第１絶縁層および／または前記第２絶縁層は、感光性樹脂から形成されている
   ことを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の配線回路基板。
5. 前記第１絶縁層および／または前記第２絶縁層は、前記感光性樹脂をフォトマスクを介して露光することにより、形成されている
   ことを特徴とする、請求項４に記載の配線回路基板。

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