JP4588622B2 - 配線回路基板の製造方法 - Google Patents
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Description
このような回路付サスペンション基板では、金属支持基板がステンレスで形成されていることから、導体パターンにおいて伝送損失が大きくなる。
そのため、伝送損失を低減させるために、ステンレスからなるサスペンションの上に、銅または銅を主成分とする銅合金からなる下部導体を形成し、その下部導体の上に、絶縁層、記録側導体および再生側導体を順次形成することが提案されている(例えば、特許文献1参照。)。
しかるに、位置決めマークは光学的に検知されることから、位置決めマークを正確に検知するためには、位置決めマークの表面と位置決めマークの周囲の表面との間には、光学的に識別可能なコントラストが必要とされる。
図1において、この配線回路基板1は、ハードディスクドライブに搭載される回路付サスペンション基板であって、長手方向に延びる金属支持基板2の上に、第1金属薄膜3が形成され、その第1金属薄膜3の上に、グラウンド層4および位置決めマーク層5が形成され、そのグラウンド層4および位置決めマーク層5の上に、第2金属薄膜6が形成され、その第2金属薄膜6の上に、ベース絶縁層7が形成されており、そのベース絶縁層7の上に、導体パターン8が形成され、さらに必要に応じて、導体パターン8の上にカバー絶縁層9が形成されている。
また、第1金属薄膜3は、金属支持基板2の表面(上面)において、少なくともグラウンド層4および位置決めマーク層5が形成されている部分に対向するように、パターンとして形成されている。第1金属薄膜3を形成する金属としては、例えば、クロム、金、銀、白金、ニッケル、チタン、ケイ素、マンガン、ジルコニウム、およびそれらの合金、またはそれらの酸化物などが用いられる。また、その厚みは、例えば、0.01〜1μm、好ましくは、0.1〜1μmである。
また、グラウンド層4は、第1金属薄膜3の表面(上面)において、少なくとも導体パターン8が形成されている部分に対向するように、パターンとして形成されている。グラウンド層4を形成する金属としては、銅が好ましく用いられる。また、その厚みは、例えば、0.5〜5μmであり、好ましくは、2〜5μmである。
図1に示す配線回路基板1は、例えば、図3および図4に示す方法によって製造することができる。
そして、図3(b)に示すように、レジスト10を、上記したグラウンド層4および位置決めマーク層5のそれぞれのパターンと反転するパターンで形成する。レジスト10の形成は、例えば、ドライフィルムレジストを用いて露光および現像する、公知の方法が用いられる。
そして、図3(d)に示すように、レジスト10から露出するグラウンド層4および位置決めマーク層5のそれぞれの表面(上面)に、無電解めっき、好ましくは、無電解ニッケルめっきにより、第2金属薄膜6を形成する。
そして、図3(f)に示すように、第1金属薄膜3の表面全体に、第2金属薄膜6の表面、グラウンド層4および位置決めマーク層5のそれぞれの側面を被覆するように、ベース絶縁層7を形成する。
なお、ネガ型でパターンを形成する場合には、第1金属薄膜3におけるベース絶縁層7を形成しない部分には、遮光部分13aが対向し、第1金属薄膜3におけるベース絶縁層7を形成する部分には、光全透過部分13bが対向するように、露光マスク13を皮膜12に対して対向配置する。
次いで、図4(c)に示すように、露光された皮膜12を、必要により所定温度に加熱した後、現像する。照射された皮膜12の露光部分は、例えば、150℃以上200℃以下で加熱することにより、次の現像において不溶化(ネガ型)する。
この現像により、皮膜12は、露光マスク13の遮光部分13aが対向していた周縁部が溶解して、第1金属薄膜3の周縁部が露出されるような、パターンに形成される。
次に、図3(g)に示すように、導体パターン8を、アディティブ法やサブトラクティブ法などの公知のパターンニング法により、上記した配線回路パターンに形成する。
なお、カバー絶縁層9は、感光性の合成樹脂を露光および現像することにより、パターンとして形成することもできる。さらに、カバー絶縁層9の形成は、上記の方法に特に制限されず、例えば、予め合成樹脂をフィルムに形成して、そのフィルムを、導体パターン8を被覆するように、ベース絶縁層7の表面に、公知の接着剤層を介して貼着することもできる。
また、図1に示す配線回路基板1は、図示しないが、例えば、以下に示す方法によって製造することもできる。
次いで、第1金属薄膜3の表面に、グラウンド層4および位置決めマーク層5の表面全体(上面および側面)を被覆するように、第2金属薄膜6を形成する。
そして、グラウンド層4および位置決めマーク層5のそれぞれの上面に形成されている第2金属薄膜6の表面(上面)に、エッチングレジストを形成した後、第1金属薄膜3の表面、グラウンド層4および位置決めマーク層5のそれぞれの側面に形成されている第2金属薄膜6をエッチングにより除去する。
その後、図3(f)〜図3(h)の工程と同様の方法で、配線回路基板1を得る。
図1に示す配線回路基板1は、上記した図示しない方法によっても製造することができるが、図3に示す方法によれば、エッチングレジストを形成・除去する工程を不要とし、製造工程数を低減することができる。
図2に示す配線回路基板1では、図1に示す配線回路基板1において、金属支持基板2の表面において、グラウンド層4および位置決めマーク層5から露出する第1金属薄膜3が除去されている。
図2に示す配線回路基板1において、金属支持基板2の表面において、グラウンド層4および位置決めマーク層5から露出する第1金属薄膜3を除去するには、図3(e)の工程において、レジスト10とともに、レジスト10が形成されていた部分の第1金属薄膜3を、例えば、化学エッチング(ウェットエッチング)などの公知のエッチング法または剥離によって除去する。
このようにして得られる配線回路基板1では、図1および図2に示すように、金属支持基板2の上に、第1金属薄膜3を介してグラウンド層4が積層されている。そのため、金属支持基板2のみでは、金属支持基板2に対向する導体パターン8の伝送損失が大きくなるのに対し、このように、グラウンド層4を金属支持基板2と導体パターン8との間に介在させることにより、導体パターン8の伝送損失を低減することができる。
このように、エッチングにより金属支持基板2に開口部11を形成する場合には、従来の配線回路基板では、金属支持基板2の上に、グラウンド層4および位置決めマーク層5が直接積層されているため、グラウンド層4および位置決めマーク層5もエッチングされる。
実施例1
厚み25μmのステンレスからなる金属支持基板の上に、第1金属薄膜として、厚み0.03μmのクロム薄膜と厚み0.07μmの銅薄膜とをスパッタリングによって順次形成した(図3(a)参照)。そして、グラウンド層および位置決めマーク層のそれぞれのパターンと反転するパターンのめっきレジストを、ドライフィルムレジストを用いて形成した(図3(b)参照)。次いで、めっきレジストから露出する第1金属薄膜の表面全体に、グラウンド層および位置決めマーク層として、厚み4.0μmの銅箔を電解銅めっきにより形成した(図3(c)参照)。そして、めっきレジストから露出するグラウンド層および位置決めマーク層のそれぞれの表面に、第2金属薄膜として、厚み0.1μmのニッケル薄膜を無電解めっきによって形成した(図3(d)参照)。
(イオンマイグレーション現象の評価)
実施例1において得られた回路付サスペンション基板を、温度85℃、湿度85%、電圧6Vの条件下で、1000時間使用した後、グラウンド層および位置決めマーク層としての銅が、ベース絶縁層としてのポリイミド樹脂の表面または内部に移行する、イオンマイグレーション現象の有無を抵抗値により確認した。その結果、実施例1においては、第2金属薄膜がバリア層となり、イオンマイグレーション現象が認められなかった。
(伝送効率評価)
実施例1において得られた回路付サスペンション基板において、出力信号強度(POUT)と入力信号強度(PIN)とを測定し、下記式(1)のように、出力信号強度の入力信号強度に対する比率として、伝送効率を評価した。その結果、実施例1においては、伝送効率が79%であった。
伝送効率(%)=POUT/PIN (1)
2 金属支持基板
3 第1金属薄膜
4 グラウンド層
5 位置決めマーク層
6 第2金属薄膜
7 ベース絶縁層
8 導体パターン
10 レジスト
Claims (2)
- 金属支持基板を用意する工程、
前記金属支持基板の上に、第1金属薄膜を形成する工程、
前記第1金属薄膜の上に、レジストをパターンで形成する工程、
前記レジストから露出する前記第1金属薄膜の上に、グラウンド層および位置決めマーク層を形成する工程、
前記グラウンド層および前記位置決めマーク層の上に、第2金属薄膜を形成した後、前記レジストを除去する工程、
前記第2金属薄膜の上に、絶縁層を形成する工程、
前記絶縁層の上に、導体パターンを形成する工程
を含んでいることを特徴とする、配線回路基板の製造方法。 - 前記グラウンド層および前記位置決めマーク層が、銅からなり、前記第2金属薄膜が、ニッケルからなることを特徴とする、請求項1に記載の配線回路基板の製造方法。
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