JP2001257449A

JP2001257449A - 配線基板と配線基板の製造方法

Info

Publication number: JP2001257449A
Application number: JP2000052686A
Authority: JP
Inventors: Satoru Kuramochi; 悟倉持
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 2000-01-06
Filing date: 2000-02-29
Publication date: 2001-09-21

Abstract

(57)【要約】【課題】ベース基材上に設けられた第１の絶縁層上に
めっき形成された配線層を設けた配線基板で、配線部の
密着性の良い配線基板で、マイグレーションの問題を解
決した配線基板を提供する。【解決手段】ベース基材上に設けられた第１の絶縁層
上に直接ないし接着層を介して、めっき形成された配線
層を設けた配線基板であって、配線層は、第１の絶縁層
側から、無電解ニッケル層を下引き層とし、該下引き層
上に、少なくとも電解銅層を主材とした電解めっき層を
積層したものであり、第１の絶縁層は、処理ないし使用
の温度範囲において、熱膨張係数が１５ｐｐｍ〜２０ｐ
ｐｍの範囲である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ベース基材上に設
けられた絶縁層上に直接ないし接着層を介して、めっき
形成された配線層を設けた配線基板で、配線部の密着性
が良く、マイグレーションの問題を解決できる配線基板
と、その製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、磁気ディスク装置に使用され、デ
ィスクヘ書き込み、ないしディスクから読み取りを行う
磁気ヘッドを支持する磁気ヘッドサスペンションは、図
７に示すように、ロードビーム６１０、マウントプレー
ト６５０、およびジンパルサスペンション６２０と、ジ
ンバルサスペンション６１０の先端に磁気ヘッド（図示
していない）を搭載するスライダ６４０とから構成され
ている。ロードビーム６１０は磁気ヘッドを搭載したス
ライダ６４０に所定の荷重を与えるために十分に高い剛
性を有し、ジンバルサスペンション６２０は、磁気ヘッ
ドを搭載したスライダ６４０がディスク面のうねりに追
従するために必要な十分に低い剛性を有する。この磁気
ヘッドサスペンション６００は、全体で磁気ヘッドを搭
載したスライダ６４０に押しつけ荷重を与えるもので、
磁気ディスク装置においては、ディスクが停止中はスラ
イダとディスクが接触状態になり、ディスクが回転する
ことによりスライダとディスク間に発生する浮力と、磁
気ヘッドサスペンションによる押しつけ荷重とがつりあ
う位置でスライダが浮上する。この状態で、磁気ヘッド
により書き込み、読み取りが行われる。スライダ６４０
に形成された電極と磁気ディスク装置のリード／ライト
（Ｒｅｅｄ／Ｗｒｉｔｅ）回路との電気的接続は、磁気
ヘッドサスペンション上に引回し配置されたチューブ被
膜導線を介して行われている。そして、チューブ被膜導
線６３０は固定用爪６３１でロービームおよびマウント
プレートに固定されている。

【０００３】近年、磁気ディスク装置の小型化、薄型化
が進んで、ディスク間隔が狭くなり、これにより、スラ
イダや磁気ヘッドサスペンションの小型化、薄型化も進
められてきた。しかし、図７に示す従来の磁気ヘッドサ
スペンションにおいては、磁気ヘッドサスペンション６
４０の小型化、薄型化に伴い、チューブ被膜導線が、ス
ライダや磁気ヘッドサスペンションに対して、相対的に
大きくなりチューブ被膜導線６３０の剛性による負荷が
スライダのディスク面へのうねりへの追従特性を低下さ
せたり、ディスク面にチューブ被膜導線６３０が接触し
て断線するという問題が生じていた。

【０００４】一方、スライダ６４０に搭載される磁気ヘ
ッドの構造については、一体機械加工でコイル手巻きで
あるモノシリック構造から、分割機械加工でコイル手巻
きであるコンポジットへと変化し、現在では、薄膜法に
より、書き込み、読み取りのコイル形成を行うインダク
ティブが主流となっている。さらに、磁気ディスク装置
の記憶容量の増大の要請に応えて、高密度の磁気ヘッド
であるＭＲ（ＭａｇｎｅｔｒｏＲｅｓｉｓｔｉｖｅ）
ヘッドの使用が進んでいる。しかし、このＭＲヘッドは
読み取り専用であり、スライダにはＭＲヘッドに加えて
書き込み専用の薄膜ヘッドを搭載する必要があるため、
スライダに搭載された磁気ヘッドと磁気ディスク装置内
の電気回路とを接続するためのリード線は、従来の２本
から４本必要となる。この結果、上記チューブ被膜導線
の剛性によるディスク面へのうねりへの追従特性の低下
の問題や、チューブ被膜導線が接触して断線の問題を更
に大きなものとしている。

【０００５】このような問題に対応する方法としては、
チューブ被膜導線の代わりに、絶縁性樹脂によって複数
の導体を被膜した可撓性のフィルムを使用して、磁気コ
アと磁気ヘッドサスペンションの電気的接続を行い、且
つ上記可撓性のフィルムにより所望の減衰作用が得られ
る磁気ヘッドサスペンションが、特開平１−１６２２１
２号公報に開示されている。また、チューブ被膜導線の
代わりにロードビームあるいはシンバルサスペンション
に絶縁層を形成し、この絶縁層上に電気導電路を形成し
た、スライダに余計な負荷がかからず、ディスク面のう
ねりに対して優れた追従性を備え、磁気ヘッドサスペン
ションの振動を抑制できる磁気ヘッドサスペンション
が、特開平６−１２４５５８号公報に開示されている。

【０００６】しかし、上記のＭＲヘッドにてピックアッ
プされた微小なセンス電流を減衰や遅延を伴うことなく
ドライブの電子回路まで信号を伝送する為には、ジンバ
ルサスペンション上に形成された電気伝導路となる信号
配線の負荷インピーダンス設計が上記スライダのディス
ク面への追従性と合わせて重要度を増しつつある。配線
が有する負荷インピーダンスは、配線−グランドの距離
及び対向面積と、配線−グランド間に介在する絶縁層の
誘電率によって決定される容量成分に起因することが多
く、負荷容量が大きい場合、ジンバルサスペンション上
の電気伝導路を信号が通過する際に遅延をもたらすこと
となるが、サスペンションを構成する材料は、スライダ
のディスク面への追従性を有したバネを性を有する特性
が必要であることから、ステンレスを始めとする鉄系の
材料が主に用いられているため、ステンレスとステンレ
ス上に絶縁物を介して存在する電気伝導路とが負荷容量
形成の基となるコンデンサを形成してしまう。この為、
負荷容量形成の面からは、絶縁層を厚くすることが必要
で、電気伝導路自体の微細化形成に加え、ジンバルサス
ペンション自体のバネ性を下げずして絶縁層を厚くしな
ければならないといった制約がある。

【０００７】上記、特開平１−１６２２１２号公報や特
開平１−１６２２１２号公報に開示された磁気ヘッドサ
スペンションでは、これに対応できない。また、上記、
特開平１−１６２２１２号公報や特開平１−１６２２１
２号公報に開示された磁気ヘッドサスペンションでは、
ステンレス（ＳＵＳ３０４）等の金属薄板からなるロー
ドビームやジンバルサスペンションの一方の面のほぼ全
域に絶縁樹脂からなる絶縁層が固着形成されているの
で、金属薄板と絶縁性樹脂の熱膨張係数の違いから熱変
形が生じると絶縁層からジンバルサスペンションへの応
力負荷がかかり、磁気ディスク面のうねりに対するスラ
イダの追従性に悪影響を与えるという問題がある。

【０００８】更に、ディスクへのアクセスがシーケンシ
ャルであるような高精細な画像をコンピュータ処理する
場合、シーク時間や回転待ち等のアクセス時間以上にデ
ィスクコントローラ間及びコントローラーホスト間のデ
ータ転送速度が律速となり、画像処理のトータル性能を
落としてしまうケースを生じ始めてきている。これらシ
ーケンシャルな大容量データを高速にデータ転送するこ
とを目的に、昨今ではディスクコントローラ間で４０〜
６０Ｍビット／秒が主流となってきており、さらに現在
では、１００Ｍビット／秒程度のものまで実用化される
段階にある。即ち、スライダからピックアップされた微
小なセンス電流を減衰させることなくサスペンション配
線で伝達できるものが求められるようになってきた。

【０００９】このような中、最近では、ジンバルサスペ
ンションの配線は、図６に示すようにして、絶縁層を、
めっき形成された配線層に沿った形状に、且つその幅を
できるだけ狭くしてして形成されている。以下、図６に
示すジンバルサスペンションへの配線形成方法を簡単に
説明しておく。先ず、ステンレス材をベース基材とし、
ベース基材５１０上に、直接、感光性ポリイミド層を塗
布し、所定の形状に製版加工して、絶縁層５２０を形成
する。（図６（ａ））次いで、絶縁層５２０を覆うように、全面に、スパッタ
により、後続する電解めっきの給電層となる銅層５３２
を薄く形成し（図６（ｂ））、更に、フォトリソグラフ
ィー法により、スパッタ形成された銅層上に、配線部を
形成する領域を開口した耐めっき性のレジストを形成
し、これを電解めっき用のめっきマスクとする。（図６
（ｃ））次いで、スパッタ形成された銅層を給電層として、電解
銅めっきを行ない、めっき用マスクの開口から露出した
スパッタ形成された銅層上に、配線層となる電解銅めっ
き層を形成する。（図６（ｄ））次いで、レジストを除去し（図６（ｅ））、必要に応じ
洗浄処理を施した後、全面にソフトエッチングを行な
い、配線層部以外のスパッタ形成された銅層を除去し、
配線層部を形成するソフトエッチング工程とを行い、絶
縁層５２０上に配線を形成する。（図６（ｆ））

【００１０】しかし、このようにして作製された配線に
は、配線部の密着性不良の発生が多く問題となってい
た。また、銅層を用いて配線としているためマイグレー
ションが起こり、電気特性の面でも問題となっていた。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】上記のように、磁気ヘ
ッドサスペンションの、磁気ヘッドを搭載するスライダ
部のジンバルサスペンションの配線には、密着性不良の
問題や、マイグレーションの問題があり、その対応が求
められていた。本発明は、これに対応するもので、ベー
ス基材上に設けられた第１の絶縁層上にめっき形成され
た配線層を設けた配線基板で、配線部の密着性の良い配
線基板で、マイグレーションの問題を解決した配線基板
を提供しようとするものである。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明配線基板はベース
基材上に設けられた第１の絶縁層上に直接ないし接着層
を介して、めっき形成された配線層を設けた配線基板で
あって、配線層は、第１の絶縁層側から、無電解ニッケ
ル層を下引き層とし、該下引き層上に、少なくとも電解
銅層を主材とした電解めっき層を積層したものであり、
第１の絶縁層は、処理ないし使用の温度範囲において、
熱膨張係数が１５ｐｐｍ〜２０ｐｐｍの範囲であること
を特徴とするものである。そして、上記において、第１
の絶縁層は、接着層を介して配線層をその上に設け、ベ
ース基材上に直接形成されているものであることを特徴
とするものである。あるいは、上記において、第１の絶
縁層は、接着層を介して配線層をその上に設け、且つ、
ベース基材上に接着層を介して配設されているものであ
ることを特徴とするものである。そしてまた、上記にお
いて、接着層は、熱可塑型の樹脂層で、そのガラス転移
温度Ｔｇは、処理ないし使用の温度範囲の最高温度Ｔｍ
よりも高い、４００℃以下の温度であることを特徴とす
るものである。また、上記において、第１の絶縁層は、
感光性ポリイミド層を製版加工したものであることを特
徴とするものである。あるいはまた、上記において、第
１の絶縁層は、ウエットエッチング可能なポリイミドフ
ィルムないしポリイミド樹脂であることを特徴とするも
のである。また、上記において、その上に配線層を設け
る、第１の絶縁層の配線層側の面あるいは接着層の配線
層側の面は、中心線平均粗さＲａ［μｍ］（ＪＩＳ規格
Ｂ−０６０１に規定される）が、０. １μｍ〜０. ５μ
ｍの範囲であることを特徴とするものである。また、上
記において、ベース基材がステンレス基板であることを
特徴とするものである。また、上記において、配線基板
が、磁気ヘッドサスペンションの、磁気ヘッドを搭載す
るスライダ部のジンバルサスペンションであることを特
徴とするものである。

【００１３】また、本発明の配線基板の製造方法は、ベ
ース基板上に設けられた第１の絶縁層上に直接ないし接
着層を介して、めっき形成された配線層を設けた配線基
板で、配線層は、第１の絶縁層側から、無電解ニッケル
層を下引き層とし、該下引き層上に、少なくとも電解銅
層を主材とした電解めっき層を積層したものである配線
基板を、製造するための、配線基板の製造方法であっ
て、順に、（ａ）ベース基板上に、所定の形状に第１の
絶縁層を形成する第１の絶縁層形成工程と、（ｂ）第１
の絶縁層を覆うように、無電解めっきにより、無電解ニ
ッケル層からなる無電解めっき層を形成する無電解めっ
き工程と、（ｃ）フォトリソグラフィー法により、無電
解めっき層上に、配線部を形成する領域を開口した耐め
っき性のレジストを形成し、これを電解めっき用のめっ
きマスクとするマスキング工程と、（ｄ）無電解めっき
層を給電層として、電解めっきを行ない、めっき用マス
クの開口から露出した無電解めっき層上に、配線層とな
る電解めっき層を形成する電解めっき工程と、（ｅ）レ
ジストを除去し、必要に応じ洗浄処理を施した後、全面
にソフトエッチングを行ない、配線層部以外の無電解め
っき層を除去し、配線層部を形成するソフトエッチング
工程とを行うことを特徴とするものである。そして、上
記において、第１の絶縁層形成工程が、ベース基板上
に、感光性ポリイミド層を塗布し、所定の形状に製版加
工して、第１の絶縁層を形成するものであることを特徴
とするものである。あるいは、上記において、第１の絶
縁層形成工程が、第１の絶縁層形成工程が、耐エッチン
グマスクを絶縁層上に直接ないし接着層を介して形成
し、ウエットエッチングにより、絶縁層を選択エッチン
グするものであることを特徴とするものである。また、
上記における第１の絶縁層形成工程において、第１の絶
縁層の表面部を所定の粗面を有する基材にて圧接し、基
材の粗面形状に絶縁層表面を粗面化することを特徴とす
るものである。また、上記において、無電解めっき工程
は、予め、無電解めっきを施す第１の絶縁層表面を、物
理的に研磨、あるいは化学的に研磨するものであること
を特徴とするものである。また、上記において、ベース
基材がステンレス基板であることを特徴とするものであ
る。また、上記において、配線基板が、磁気ヘッドサス
ペンションの、磁気ヘッドを搭載するスライダ部のジン
バルサスペンションであることを特徴とするものであ
る。

【００１４】

【作用】本発明の配線基板は、このような構成にするこ
とにより、ベース基材上に設けられた第１の絶縁層上に
めっき形成された配線層を設けた配線基板で、配線部の
密着性の良く、マイグレーションの問題を解決した配線
基板の提供を可能とするものである。具体的には、ベー
ス基材上に設けられた第１の絶縁層上に直接ないし接着
層を介して、めっき形成された配線層を設けた配線基板
であって、配線層は、第１の絶縁層側から、無電解ニッ
ケル層を下引き層とし、該下引き層上に、少なくとも電
解銅層を主材とした電解めっき層を積層したものであ
り、第１の絶縁層は、処理ないし使用の温度範囲におい
て、熱膨張係数が１５ｐｐｍ〜２０ｐｐｍの範囲である
ことにより、これを達成している。即ち、第１の絶縁層
は、配線形成後の処理ないし使用の温度範囲において、
熱膨張係数が１５ｐｐｍ〜２０ｐｐｍの範囲であること
により、電解銅層を主材とした配線層（１７ｐｐｍ程
度）の温度変化による伸縮に充分対応でき、結果、配線
部の密着性を良い状態で維持できるものとしており、無
電解ニッケル層を下引き層とすることにより、マイグレ
ーションの問題を解決している。

【００１５】また、第１の絶縁層は、接着層を介して配
線層をその上に設け、ベース基材上に直接形成されてい
るものであることにより、接着層により配線層を絶縁層
に強固に固着でき、配線層の密着不良（剥がれ等）を無
くすことができる。また、第１の絶縁層は、接着層を介
して配線層をその上に設け、且つ、ベース基材上に接着
層を介して配設されているものであることにより、配線
層の密着不良（剥がれ）、第１の絶縁層のソリの発生を
無くすことができる。更に、接着層は、熱可塑型の樹脂
層で、接着層のガラス転移温度Ｔｇは、処理ないし使用
の温度範囲の最高温度Ｔｍよりも高い、４００℃以下の
温度であることにより、実用レベルで、配線の密着不良
防止、絶縁層のソリ防止を確実なものとしている。

【００１６】第１の絶縁層としては、例えば、耐熱性の
面や、アウトガスの面から、ポリイミド樹脂が挙げら
れ、その製造面からは、感光性ポリイミド層を製版加工
したものが好ましい。また、コスト、耐熱性、力学特性
の面からは、第１の絶縁層として、ウエットエッチング
可能なポリイミドフィルムないしポリイミド樹脂を用い
る。

【００１７】また、その上に配線層を設ける、第１の絶
縁層の配線層側の面あるいは接着層の配線層側の面は、
中心線平均粗さＲａ［μｍ］（ＪＩＳ規格Ｂ−０６０１
に規定される）が、０. １μｍ〜０. ５μｍの範囲であ
ることにより、更に、配線層を密着性良いものとでき
る。

【００１８】また、ベース基材がステンレス基板である
ことにより、ベース基材の温度変化による伸縮を配線層
に合わせることにより、第１の絶縁層の熱膨張係数とも
近く、第１の絶縁層のソリ発生や配線層の密着不良を無
くすことができる。

【００１９】特に、ベース基材が、磁気ヘッドサスペン
ションの、磁気ヘッドを搭載するスライダ部のジンバル
サスペンションである場合には、有効である。

【００２０】本発明の配線基板の製造方法は、このよう
な構成にすることにより、ベース基材上に設けられた第
１の絶縁層上にめっき形成された配線層を設けた配線基
板で、配線部の密着性の良い配線基板、更には、マイグ
レーションの問題を解決した配線基板の製造方法の提供
を可能とするものである。

【００２１】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を挙げ、図に
基づいて説明する。図１は本発明の配線基板の実施の形
態の第１の例の断面図で、図２は本発明の配線基板の実
施の形態の第２の例の断面図で、図３は本発明の配線基
板の実施の形態の第３の例の断面図で、図４は本発明の
配線基板の製造方法の実施の形態の第１の例の工程断面
図で、図５は絶縁層表面への所定の粗面形成を説明する
ための断面図で、図８は本発明の配線基板の製造方法の
実施の形態の第３の例の工程断面図である。図１〜図
５、図８中、１１０はベース基材、１２０、１２０Ａは
絶縁層、１２５は所定の粗面、１３０は配線層、１３１
は電解めっき層、１３２は無電解めっき層（下引き
層）、１４０、１４５は接着層、１６０はレジスト、１
６５は開口、１８０はベース基板、１８０Ａは転写版、
１８５は所定の粗面、１９０は耐エッチングマスクであ
る。

【００２２】本発明の配線基板の実施の形態の例を、図
を基に説明する。図１に示す第１の例は、ベース基材１
１０上に直接設けられた絶縁層１２０上に直接、めっき
形成された配線層１３０を設けた配線基板であって、配
線層１３０は、絶縁層１２０側から、無電解ニッケル層
１３２を下引き層とし、該下引き層上に、少なくとも電
解銅層を主材とした電解めっき層１３１を積層したもの
である。そして、絶縁層１２０は、処理ないし使用の温
度範囲において、熱膨張係数が１５ｐｐｍ〜２０ｐｐｍ
の範囲である。電解めっき層１３１は、通常、導電性の
面、コストの面からめっき銅を単層とするが、これに限
定はされない。他の金属めっき層と主材となるめっき銅
を多層に形成したものでも良い。絶縁層１２０は、絶縁
性を確保でき、耐熱性が使用に耐えるもので、処理性の
良いものが好ましく、例えばポリイミド樹脂が挙げられ
る。通常、処理性からは、感光性ポリイミド層を製版加
工したものが用いられる。

【００２３】図２に示す第２の例は、ベース基材上に直
接設けられた第１の絶縁層１２０上に、接着層１４０を
介して、めっき形成された配線層１３０を設けた配線基
板であって、配線層１３０は、第１の例と同様、第１の
絶縁層側から、無電解ニッケル層１３２を下引き層と
し、該下引き層上に、少なくとも電解銅層を主材とした
電解めっき層１３１を積層したものである。絶縁層１
２０は、第１の例の場合と同様、処理ないし使用の温度
範囲において、熱膨張係数が１５ｐｐｍ〜２０ｐｐｍの
範囲である。接着層１４０としては、例えば、熱可塑型
の樹脂層で、ガラス転移温度Ｔｇは、配線形成後の処理
ないし使用の温度範囲の最高温度Ｔｍよりも高い、４０
０℃以下の温度であるものを挙げることができる。電解
めっき層１３１、絶縁層１２０は、第１の例の場合と同
様のものが使用できる。

【００２４】図３に示す第３の例は、ベース基材上に接
着層１４５を介して、設けられた第１の絶縁層１２０上
に、接着層１４０を介して、めっき形成された配線層１
３０を設けた配線基板であって、配線層１３０は、第１
の例と同様、第１の絶縁層側から、無電解ニッケル層１
３２を下引き層とし、該下引き層上に、少なくとも電解
銅層を主材とした電解めっき層１３１を積層したもので
ある。絶縁層１２０は、第１の例の場合と同様、処理な
いし使用の温度範囲において、熱膨張係数が１５ｐｐｍ
〜２０ｐｐｍの範囲である。接着層、１４０、１４５と
しては、例えば、熱可塑型の樹脂層で、ガラス転移温度
Ｔｇは、（配線形成後の）処理ないし使用の温度範囲の
最高温度Ｔｍよりも高い、４００℃以下の温度であるも
のを挙げることができる。電解めっき層１３１、絶縁層
１２０は、第１の例の場合と同様のものが使用できる。

【００２５】上記第１の例の絶縁層１２０の配線層１３
０側の表面、第２の例、第３の例の接着層１４０の配線
層１３０側の表面には所定の粗面を設けていないが、こ
れらの変形例として、それぞれ、第１の例の絶縁層１２
０あるいは第２の例、第３の例の接着層１４０の配線部
１３０側の表面に所定の粗面を形成したものが挙げられ
る。絶縁層１２０あるいは接着層１４０の配線部１３０
側の表面の所定の粗面は、配線層１３０の絶縁層１２０
あるいは接着層１４０への接着を良くするためのもの
で、絶縁層１２０の配線層１３０側、接着層１４０の配
線層１３０側は、中心線平均粗さＲａ［μｍ］（ＪＩＳ
規格Ｂ−０６０１に規定される）が、０. １μｍ〜０.
５μｍの範囲であることが、接着性の面から好ましい。

【００２６】絶縁層１２０あるいは接着層１４０の配線
部１３０側の表面の中心線平均粗さＲａ［μｍ］につい
ては、以下のようにして決めた。厚さ１００μｍのステ
ンレス材（ＳＵＳ３０４ＴＡ、新日本製鉄社製）上に樹
脂層（熱可塑性ポリイミド層、ポリイミドワニス（セン
トラル硝子社製ＦＰ３０１０）を厚さ１０μｍ程度に塗
布し、乾燥ないし硬化させた後、樹脂層の表面を、各所
定値の中心線平均粗さＲａ［μｍ］（ＪＩＳ規格Ｂー０
６０１）に、ウェットブラスト（後述する実施例４で記
載）により粗面化し、後述する実施例１等のめっき方法
により、粗面化された面上に１００μｍのラインアンド
スペースの配線をめっき形成し、各値の中心線平均粗さ
Ｒａ［μｍ］に対しての、１００μｍのラインアンドス
ペースの配線のピール強度［ｇｆ／１００μｍ］を調
べ、この結果に基づき決めたものである。図９は、その
結果を図示したものである。図９より、中心線平均粗さ
Ｒａが０. １μｍ以上で、ピール強度が安定して高いこ
とが分かる。一方、樹脂層の中心線平均粗さＲａが０.
５μｍより大きくなると、樹脂層上に形成するレジスト
の製版解像性が落ち、めっき形成の面からはめっき表面
が凹凸になり好ましくない剥離の問題が発生し易い。こ
れより、総合的に、その上に配線層を形成する樹脂層の
配線層側の中心線平均粗さＲａとしては、０. １μｍ以
上で、且つ、０. ５μｍ以下であることが適当と判断さ
れる。

【００２７】次に、本発明の配線基板の製造方法の実施
の形態の第１の例を簡単に説明する。第１の例は、図１
に示す第１の例の配線基板の製造方法の１例である。先
ず、ベース基板１１０（図４（ａ））上に、感光性ポリ
イミド層１２０Ａを塗布し（図４（ｂ））、作製する配
線形状に合わせて所定の形状に製版加工して、第１の絶
縁層１２０を形成する。（図４（ｃ））絶縁層１２０が、処理ないし使用の温度範囲において、
熱膨張係数が１５ｐｐｍ〜２０ｐｐｍとなる、感光性ポ
リイミド層１２０Ａ層を用いる。次いで、絶縁層１２０
を覆うように、無電解めっきにより、無電解ニッケル層
からなる無電解めっき層１３２を形成する。（図４
（ｄ））次いで、フォトリソグラフィー法により、無電解めっき
層１３２上に、配線部を形成する領域を開口した耐めっ
き性のレジスト１６０を形成し、これを電解めっき用の
めっきマスクとする。（図４（ｅ））レジスト１６０としては、所定の解像性があり、耐めっ
き性のもので、処理性の良いものが好ましい。次に、無
電解めっき層を給電層として、電解めっきを行ない、め
っき用マスク（レジスト１６０）の開口１６５から露出
した無電解めっき層１３２上に、配線層となる電解めっ
き層１３１を形成する。（図４（ｆ））電解めっき層１３１としては、通常、めっき銅単層とす
るが、これに限定はされない。次いで、レジスト１６０
を除去し、必要に応じ洗浄処理を施した後、全面にソフ
トエッチングを行ない、配線層部以外の無電解めっき層
１３２を除去し、配線層部１３０を形成するソフトエッ
チング工程を行う。（図４（ｈ））これにより、図１に示す配線基板を製造できる。

【００２８】次に、本発明の配線基板の製造方法の実施
の形態の第２の例を簡単に説明する。第２の例は、第１
の例の配線基板の製造方法と同様にして、ベース基板１
８０の所定の粗面形成されている面１８５上に、作製す
る配線形状に合わせて所定の形状に製版加工して、絶縁
層１２０を形成して転写版１８０Ａを作製する。（図５
（ａ））ベース基板１８０上への所定の粗面の形成は、所定の研
磨砂を用いたサウンドブラスト、ウエットブラストによ
る物理的研磨、あるいは化学的研磨による。次いで、転
写版１８０Ａに形成された絶縁層１２０側をベース基板
１１０の一面に合わせ圧着し（図５（ｂ））、ベース基
板１８０を剥がし、ベース基板１１０上に絶縁層１２０
を転写形成する。（図５（ｃ））このようにして、ベース基板１１０上に、その配線層形
成側の面を所定の粗面化面とし、絶縁層１２０を形成す
る。この後、第１の例のようにして、絶縁層１２０上に
配線層を形成して、図１に示す第１の例の配線基板と同
じく、ベース基材１１０上に直接設けられた絶縁層１２
０上に直接、めっき形成された配線層１３０を設ける。
これにより、配線層形成側の面に所定の粗面を設けた絶
縁層１２０を有する配線基板を形成できる。

【００２９】第２の例の配線基板の製造方法の変形例と
しては、第１の例のように、ベース基板１１０上に、作
製する配線層に合わせ絶縁層１２０を形成した後、絶縁
層１２０表面を、物理的に研磨、あるいは化学的に研磨
して、所定の粗面に形成し、更に、第１の例のようにし
て、絶縁層１２０上に配線層を形成して、図１に示す第
１の例の配線基板と同じく、ベース基材１１０上に直接
設けられた絶縁層１２０上に直接、めっき形成された配
線層１３０を設ける方法が挙げられる。これにより、第
２の例の配線基板の製造方法と同様、配線層形成側の面
に所定の粗面を設けた絶縁層１２０を有する配線基板を
形成できる。

【００３０】また、図２に示す配線基板のように接着層
１４０を設けるには、例えば、第１の例、第２の例のよ
うにして、ベース基板１１０上に絶縁層１２０を形成し
た後、絶縁層１２０の配線形成面側に、接着層をスクリ
ーン印刷やディスペンス法により塗布しておく。

【００３１】また、図３に示す配線基板のように接着層
１４５を設けるには、例えば、転写版（図５ａ）の１８
０Ａに相当）の絶縁層１２０のベース基板１１０と接す
る側の面に、接着層をスクリーン印刷やディスペンス法
により塗布した後、ベース基板１１０上に絶縁層を、第
５図の方法のようにして転写形成し、更に、絶縁層１２
０の配線層を形成する側の面上に、接着層１４０をスク
リーン印刷やディスペンス法により塗布しておく。

【００３２】次に、本発明の配線基板の製造方法の実施
の形態の第３の例を、図８に基づいて簡単に説明する。
第３の例は、図３に示す第３の例の配線基板の製造方法
の１例である。先ず、ベース基板１１０（図８（ａ））
上全面に、接着層１４５を形成する。（図８（ｂ））熱可塑性ポリイミドを溶剤で希釈し、スピンナーで所定
の厚みに塗布し、乾燥して、形成あるいは、スクリーン
印刷等により、形成しても良い。次いで、接着層１４５
上に、絶縁層１２０を形成する。（図８（ｃ））通常は、ポリイミドフィルムをラミネート形成する方法
が採られるが、これに限定はされない。次いで、絶縁層
１２０上に、接着層１４５の形成と同様にして、接着層
１４０を形成する。（図８（ｄ））

【００３３】次いで、接着層１４０上に、接着層１４
０、絶縁層１２０、接着層１４５を所定の形状にウェッ
トエッチングするための、耐エッチング性のマスク１９
０を形成し、（図８（ｅ））、ウェットエッチングによ
り、接着層１４０、絶縁層１２０、接着層１４５を所定
形状にエッチングする。（図８（ｆ））耐エッチング性のマスク１９０としては、耐エッチング
性のレジスト層や、レジスト層により選択エッチング形
成された耐エッチング性の金属層、あるいは、これらを
積層したものを用いても良い。

【００３４】不要な耐エッチング性のマスク１９０を除
去した後、第１の方法と同様にして、接着層１４０上
に、配線層１３０をめっき形成する。（図８（ｇ））通常、この後、無電解めっきを行う際の、触媒を除去す
る触媒除去処理を行う。触媒除去処理は、所定の処理液
を用いて行うが、ウェットブラスト処理により代えるこ
ともある。このようにして、図３に示す第３の例の配線
基板を作製することができる。

【００３５】

【実施例】（実施例１）実施例１は、図４に示す第１の
例の配線基板の製造方法を行い、図１に示す配線基板
で、ステンレス基材をベース基材１１０とした磁気ヘッ
ドサスペンションの、磁気ヘッドを搭載するスライダ部
のジンバルサスペンション用の配線基板を作製した例
で、図１、図４に基づいて説明する。厚さ２０μｍとす
るステンレス板（ＳＵＳ３０４ＴＡ、新日本製鉄社製）
をベース基材１１０として（図４（ａ））、その一面に
東レ社製の感光性ポリイミドＵＲ５４００を用い、感光
性ポリイミド１２０Ａ層を厚さ２０μｍに、スピンナー
により塗布し（図４（ｂ））、形成する配線層の形状に
合わせ、所定のパタン版を用いて密着露光し、現像し
て、Ｎ₂中で３５０℃、１時間の熱処理を行い、パター
ン幅６０〜５００μｍ、厚さ１０μｍに絶縁層１２０を
形成した。（図４（ｃ））尚、絶縁層１２０は、２０℃〜２６０℃の温度範囲で、
１６ｐｐｍの熱膨張係数を有するものである。

【００３６】次いで、下記の条件にて無電解ニッケルめ
っきを行ない、絶縁層１２０を覆うように、０. ５μｍ
の厚さに、全面に無電解めっき層１３２を形成した。
（図４（ｄ））センシタイジング；Ｓ−１０Ｘ（上村工業製） 3分アクチベーティング；Ａ−１０Ｘ（上村工業製） 3分無電解めっき；ＮＰＲ−４（上村工業製）１分

【００３７】次いで、東京応化製のレジストＰＭＥＲ−
ＡＲ９００を１５μｍの厚みに塗布し、露光現像によ
り、配線層を作製する領域を開口して、レジスト１６０
を形成した。（図４（ｅ））開口１６５幅は１５〜５００μｍである。

【００３８】次いで、レジスト１６０の開口１６５から
露出した無電解めっき層１３２上に、下記の条件にて、
電解銅めっき層を施し、厚さ１０μｍにめっき銅を形成
した。（図４（ｆ））（電解銅めっき）硫酸銅（５水塩）７０ｇ／ｌ硫酸２００ｇ／ｌ塩酸０. ５ｍｌ／ｌスパースロー２０００光沢剤１０ｍｌ／ｌスパースロー２０００補正剤５ｍｌ／ｌ温度２０℃ 電流密度４Ａ／ｄｍ² 時間１２分

【００３９】次いで、レジスト１６０をアセトンを剥離
液として、剥離除去し、純水洗浄した（図４（ｇ））
後、エバラユージライト社製、無電解Ｎｉ剥離液をエッ
チング液として、全面をソフトエッチングして、配線層
１３０を絶縁層１２０上に形成し、目的とする磁気ヘッ
ドサスペンションの、磁気ヘッドを搭載するスライダ部
のジンバルサスペンション用の配線基板を作製した。
（図４（ｈ）、図１）このようにして、図１に示す配線
基板で、磁気ヘッドを搭載するスライダ部のジンバルサ
スペンション用の配線基板を作製した。

【００４０】（実施例２）実施例２は、実施例１の配線
基板のように、ベース基材上に直接設けられた第１の絶
縁層１２０上に、めっき形成された配線層１３０を設け
た配線基板で、且つ、絶縁層１２０の配線層形成側に所
定の粗面を設けた配線基板で、実施例１と同様、ステン
レス基材をベース基材１１０とした磁気ヘッドサスペン
ションの、磁気ヘッドを搭載するスライダ部のジンバル
サスペンション用の配線基板を作製した例で、図１、図
５に基づいて説明する。厚さ１００μｍとするステンレ
ス板（ＳＵＳ３０４ＴＡ、新日本製鉄社製）をベース基
材１８０として用意し、その一面を中心線平均粗さＲａ
［μｍ］（ＪＩＳ規格Ｂ−０６０１に規定される）が、
０. ３μｍになるように、ウェットブラスト法により研
磨した後、実施例１と同様にして、その一面に東レ社製
の感光性ポリイミドＵＲ５４００を用い、感光性ポリイ
ミド１２０Ａ層を厚さ２０μｍに、スピンナーにより塗
布し、形成する配線層の形状に合わせ、所定のパタン版
を用いて密着露光し、現像して、Ｎ₂中で３５０℃、１
時間の熱処理を行い、パターン幅６０〜５００μｍ、厚
さ１０μｍに絶縁層１２０を形成し、転写版１８０Ａを
作製した。（図５（ａ））尚、絶縁層１２０は、２０℃
〜２６０℃の温度範囲で、１６ｐｐｍの熱膨張係数を有
するものである。

【００４１】次いで、転写版１８０Ａに形成された絶縁
層１２０側を、厚さ２０μｍのステンレス板（ＳＵＳ３
０４ＴＡ、新日本製鉄社製）からなるベース基板１１０
の一面に合わせ圧着し（図５（ｂ））、ベース基板１８
０を剥がし、ベース基板１１０上に絶縁層１２０を転写
形成した。（図５（ｃ））圧着は、以下の条件で行った。圧力：５ｋｇｆ／ｃｍ² 温度：２００℃

【００４２】このようにして、ベース基板１１０上に、
その配線層形成側の面に粗面を設けて、絶縁層１２０を
形成した後、実施例１と同様にして、配線層１３０を絶
縁層１２０上に形成し、目的とする磁気ヘッドサスペン
ションの、磁気ヘッドを搭載するスライダ部のジンバル
サスペンション用の配線基板を作製した。

【００４３】（実施例３）実施例３は、実施例１と同様
に、厚さ２０μｍとするステンレス板（ＳＵＳ３０４Ｔ
Ａ、新日本製鉄社製）をベース基材１１０として（図４
（ａ））、その一面に東レ社製の感光性ポリイミドＵＲ
５４００を用い、感光性ポリイミド１２０Ａ層を厚さ２
０μｍに、スピンナーにより塗布し（図４（ｂ））、形
成する配線層の形状に合わせ、所定のパタン版を用いて
密着露光し、現像して、Ｎ₂中で３５０℃、１時間の熱
処理を行い、パターン幅６０〜５００μｍ、厚さ１０μ
ｍに絶縁層１２０を形成した（図４（ｃ））後、配線を
形成する側の面にスクリーン印刷により、厚さ２μｍに
ポリイミド樹脂（セントラル硝子社製、ＦＰ３０１０）
からなる接着層（図２の１４０に相当）を塗布した。絶
縁層１２０は、２０℃〜２６０℃の温度範囲で、１６ｐ
ｐｍの熱膨張係数を有するものである。また、ポリイミ
ド樹脂（セントラル硝子社製、ＦＰ３０１０）からなる
接着層は、ガラス転移温度を３２０℃とするもので、配
線形成後の、通常の処理温度や使用の温度には充分耐え
るものである。

【００４４】この後、実施例１のようにして、接着層上
に配線層を形成し、目的とする磁気ヘッドサスペンショ
ンの、磁気ヘッドを搭載するスライダ部のジンバルサス
ペンション用の配線基板を作製した。（図２）

【００４５】（実施例４）実施例４は、図３に示す第３
の例の配線基板で、ステンレス基材をベース基材１１０
とした磁気ヘッドサスペンションの、磁気ヘッドを搭載
するスライダ部のジンバルサスペンション用の配線基板
を作製した例で、図８に基づいて説明する。先ず、厚さ
２０μｍとするステンレス板（ＳＵＳ３０４ＴＡ、新日
本製鉄社製）（図８（ａ））をベース基材として、その
一面に三井化学社製の熱可塑性ポリイミドＰＡＡ−Ａを
２倍にＮＭＰで希釈し、スピンナーで２μｍの厚みにな
るように塗布し、４０℃、３０分、１７０℃、６０分乾
燥した。（図８（ｂ））次いで、ポリイミドフィルムアピカルＮＰＩ（鐘化淵工
業社製）を１７０℃で、熱ロールラミネートした。（図
８（ｃ））次いで、ＰＡＡ−Ａを前述と同様の条件で塗
布、乾燥した後、２５０℃、６０分で硬化処理を行った。（図８（ｄ））次いで、ウェットブラスト処理を行い、中心線平均粗さ
Ｒａ［μｍ］（ＪＩＳ規格Ｂ−０６０１に規定される）
が、０. ３μｍとなるようにした。ウェットブラスト処
理は、マコー株式会社製のウェットブラスト加工装置に
て、アルミナ砥材＃１０００（平均粒径１１. ５μ
ｍ）、砥材濃度２０％、ポンプ圧２ｋｇ／ｃｍ²、処理
速度１０ｍ／ｍｉｎの条件下で行った。次いで、ドライ
フィルムレジストＳＦＰ−ＡＲ２５（新日鉄化学社製）
を７０℃で、ドライラミし、露光、現像を行った。（図
８（ｅ））次いで、１２０℃、１０分ポストベークの後、ポリイミ
ドエッチャント１０％ＫＯＨで７０℃、５分エッチング
し、８０℃の温水で残さをレジストとともに洗い流し
た。このようにして、ステンレス基材（ベース基材１１
０に相当）上に、所定形状に、ＰＡＡ−Ａ（接着層１４
５に相当）、アピカルーＮＰＩ（絶縁層１２０に相
当）、ＰＡＡ−Ａ（接着層１４０に相当）を形成した。
（図８（ｆ））

【００４６】次いで、実施例１と同様にして、アピカル
ーＮＰＩ（絶縁層１２０に相当）上の、ＰＡＡ−Ａ（接
着層１４０に相当）上に、配線層をめっき形成した。
（図８（ｇ））次いで、レジストを剥離し、無電解Ｎｉめっき層をソフ
トエッチングした後、３５℃、１０分、ＲＴＨリムーサ
（アリメックス社製）で、触媒除去処理を行ってから、
３５０℃で硬化して、図３に示す第３の例の配線基板を
形成した。

【００４７】（実施例５）実施例５は、実施例５は、
第４の例と同様、図３に示す第３の例の配線基板で、ス
テンレス基材をベース基材１１０とした磁気ヘッドサス
ペンションの、磁気ヘッドを搭載するスライダ部のジン
バルサスペンション用の配線基板を作製した例である
が、その作製は、第４の例と同様にして、アピカルーＮ
ＰＩ（絶縁層１２０に相当）上の、ＰＡＡ−Ａ（接着層
１４０に相当）上に、配線層をめっき形成し、レジスト
を剥離し、無電解Ｎｉめっき層をソフトエッチングした
後、配線層形成側全面にウェットブラストを施し、これ
により、実施例４の触媒除去処理に代えたものである。
ウェットブラスト処理は、マコー株式会社製のウェット
ブラスト加工装置にて、アルミナ砥材＃１０００（平均
粒径１１. ５μｍ）、砥材濃度２０％、ポンプ圧２ｋｇ
／ｃｍ²、処理速度１０ｍ／ｓｅｃの条件下で行った。
中心線平均粗さＲａ［μｍ］（ＪＩＳ規格Ｂ−０６０１
に規定される）が、０. ２μｍとなるようにした。

【００４８】（実施例６）実施例６も、第４の例と同
様、図３に示す第３の例の配線基板で、ステンレス基材
をベース基材１１０とした磁気ヘッドサスペンション
の、磁気ヘッドを搭載するスライダ部のジンバルサスペ
ンション用の配線基板を作製した例であるが、以下のよ
うにして、作製した。図８に基づいて説明する。先ず、
第４の例と同様にして、ステンレス基材（ベース基材１
１０に相当）上に、ほぼ全面に、ＰＡＡ−Ａ（接着層１
４５に相当）、アピカルーＮＰＩ（絶縁層１２０に相
当）、ＰＡＡ−Ａ（接着層１４０に相当）を形成した。
（図８（ｄ））次いで、１８μｍ厚の電解銅箔（ジャパンエナージイ社
製）を、アピカルーＮＰＩ（絶縁層１２０に相当）上
の、ＰＡＡ−Ａ（接着層１４０に相当）に、２００℃
で、ラミネートし、更にその上にドライフィルムレジス
トを配線層の形状に形成した後、ドライフィルムレジス
トを耐エッチングマスクとして、銅箔をパターンニング
した。（図８（ｅ））次いで、パターンニングされた銅箔を耐エッチングマス
ク１９０として、ステンレス基材（ベース基材１１０に
相当）上のＰＡＡ−Ａ（接着層１４５に相当）、アピカ
ルーＮＰＩ（絶縁層１２０に相当）、ＰＡＡ−Ａ（接着
層１４０に相当）をウェットエッチングして、更にパタ
ーンニングされた銅箔をエッチング除去して、図３に示
すように、ステンレス基材（ベース基材１１０に相当）
上に、所定形状に、ＰＡＡ−Ａ（接着層１４５に相
当）、アピカルーＮＰＩ（絶縁層１２０に相当）、ＰＡ
Ａ−Ａ（接着層１４０に相当）を形成した。（図８
（ｆ））ウェットエッチングにより、ＰＡＡ−Ａ（接着
層１４０に相当）表面の中心線平均粗さＲａ［μｍ］
（ＪＩＳ規格Ｂ−０６０１に規定される）が、０. ２μ
ｍとなるようにした。

【００４９】次いで、実施例４と同様にして、アピカル
ーＮＰＩ（絶縁層１２０に相当）上の、ＰＡＡ−Ａ（接
着層１４０に相当）上に、配線層をめっき形成し、触媒
除去処理を行ってから、３５０℃で硬化して、図３に示
す第３の例の配線基板を形成した。（図８（ｇ））

【００５０】

【発明の効果】本発明は、上記のように、ベース基材上
に設けられた第１の絶縁層上にめっき形成された配線層
を設けた配線基板で、配線部の密着性の良く、マイグレ
ーションの問題を解決した配線基板の提供を可能とし
た。同時に、そのような配線基板の製造方法の提供を可
能とした。本発明は、具体的には、磁気ヘッドサスペン
ション等の配線の形成に応用できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の配線基板の実施の形態の第１の例の断
面図

【図２】本発明の配線基板の実施の形態の第２の例の断
面図

【図３】本発明の配線基板の実施の形態の第３の例の断
面図

【図４】本発明の配線基板の製造方法の実施の形態の第
１の例の工程断面図

【図５】絶縁層表面への所定の粗面形成を説明するため
の断面図

【図６】従来の、磁気ヘッドを搭載するスライダ部のジ
ンバルサスペンション用の配線基板の作製方法の工程断
面図

【図７】磁気ヘッドを搭載するスライダ部のジンバルサ
スペンション用の配線基板を説明するための図

【図８】本発明の配線基板の製造方法の実施の形態の第
３の例の工程断面図

【図９】中心線平均粗さＲａ［μｍ］と配線のピール強
度［ｇｆ／１００μｍ］を示した図

【符号の説明】

１１０ベース基材１２０、１２０Ａ絶縁層１２５所定の粗面１３０配線層１３１電解めっき層１３２無電解めっき層（下引き層）１４０、１４５接着層１６０レジスト１６５開口１８０ベース基板１８０Ａ転写版１８５所定の粗面１９０耐エッチングマスク

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ベース基材上に設けられた第１の絶縁層
上に直接ないし接着層を介して、めっき形成された配線
層を設けた配線基板であって、配線層は、第１の絶縁層
側から、無電解ニッケル層を下引き層とし、該下引き層
上に、少なくとも電解銅層を主材とした電解めっき層を
積層したものであり、第１の絶縁層は、処理ないし使用
の温度範囲において、熱膨張係数が１５ｐｐｍ〜２０ｐ
ｐｍの範囲であることを特徴とする配線基板。
【請求項２】請求項１において、第１の絶縁層は、接
着層を介して配線層をその上に設け、ベース基材上に直
接形成されているものであることを特徴とする配線基
板。
【請求項３】請求項１において、第１の絶縁層は、接
着層を介して配線層をその上に設け、且つ、ベース基材
上に接着層を介して配設されているものであることを特
徴とする配線基板。
【請求項４】請求項２ないし３において、接着層は、
熱可塑型の樹脂層で、そのガラス転移温度Ｔｇは、処理
ないし使用の温度範囲の最高温度Ｔｍよりも高い、４０
０℃以下の温度であることを特徴とする配線基板。
【請求項５】請求項１ないし４において、第１の絶縁
層は、感光性ポリイミド層を製版加工したものであるこ
とを特徴とする配線基板。
【請求項６】請求項１ないし４において、第１の絶縁
層は、ウエットエッチング可能なポリイミドフィルムな
いしポリイミド樹脂であることを特徴とする配線基板。
【請求項７】請求項１ないし６において、その上に配
線層を設ける、第１の絶縁層の配線層側の面あるいは接
着層の配線層側の面は、中心線平均粗さＲａ［μｍ］
（ＪＩＳ規格Ｂ−０６０１に規定される）が、０. １μ
ｍ〜０. ５μｍの範囲であることを特徴とする配線基
板。
【請求項８】請求項１ないし７において、ベース基材
がステンレス基板であることを特徴とする配線基板。
【請求項９】磁気ヘッドサスペンションの、磁気ヘッ
ドを搭載するスライダ部のジンバルサスペンションであ
ることを特徴とする請求項１ないし８に記載の配線基
板。
【請求項１０】ベース基板上に設けられた第１の絶縁
層上に直接ないし接着層を介して、めっき形成された配
線層を設けた配線基板で、配線層は、第１の絶縁層側か
ら、無電解ニッケル層もを下引き層とし、該下引き層上
に、少なくとも電解銅層を主材とした電解めっき層を積
層したものである配線基板を、製造するための、配線基
板の製造方法であって、順に、（ａ）ベース基板上に、
所定の形状に第１の絶縁層を形成する第１の絶縁層形成
工程と、（ｂ）第１の絶縁層を覆うように、無電解めっ
きにより、無電解ニッケル層からなる無電解めっき層を
形成する無電解めっき工程と、（ｃ）フォトリソグラフ
ィー法により、無電解めっき層上に、配線部を形成する
領域を開口した耐めっき性のレジストを形成し、これを
電解めっき用のめっきマスクとするマスキング工程と、
（ｄ）無電解めっき層を給電層として、電解めっきを行
ない、めっき用マスクの開口から露出した無電解めっき
層上に、配線層となる電解めっき層を形成する電解めっ
き工程と、（ｅ）レジストを除去し、必要に応じ洗浄処
理を施した後、全面にソフトエッチングを行ない、配線
層部以外の無電解めっき層を除去し、配線層部を形成す
るソフトエッチング工程とを行うことを特徴とする配線
基板の製造方法。
【請求項１１】請求項１０において、第１の絶縁層形
成工程が、ベース基板上に、感光性ポリイミド層を塗布
し、所定の形状に製版加工して、第１の絶縁層を形成す
るものであることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１２】請求項１０において、第１の絶縁層形
成工程が、耐エッチングマスクを絶縁層上に直接ないし
接着層を介して形成し、ウエットエッチングにより、絶
縁層を選択エッチングするものであることを特徴とする
配線基板の製造方法。
【請求項１３】請求項１０ないし１２における第１の
絶縁層形成工程において、第１の絶縁層の表面部を所定
の粗面を有する基材にて圧接し、基材の粗面形状に絶縁
層表面を粗面化することを特徴とする配線基板の製造方
法。
【請求項１４】請求項１０ないし１３において、無電
解めっき工程は、予め、無電解めっきを施す第１の絶縁
層表面を、物理的に研磨、あるいは化学的に研磨するも
のであることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１５】請求項１０ないし１４において、ベー
ス基材がステンレス基板であることを特徴とする配線基
板の製造方法。
【請求項１６】配線基板が磁気ヘッドサスペンション
の、磁気ヘッドを搭載するスライダ部のジンバルサスペ
ンションであることを特徴とする、請求項１０ないし１
５に記載の、配線基板の製造方法。