JP4799902B2 - 配線回路基板および配線回路基板の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、配線回路基板および配線回路基板の製造方法に関し、詳しくは、回路付サスペンション基板として好適に用いられる配線回路基板、および、その配線回路基板の製造方法に関する。

電子・電気機器などに用いられる配線回路基板は、通常、ベース絶縁層と、ベース絶縁層の上に配線回路パターンとして形成された導体パターンと、ベース絶縁層の上に導体パターンを被覆するように形成されたカバー絶縁層と、カバー絶縁層から、その表面が露出する導体パターンからなる端子部とを備えている。
このような端子部として、近年、電子・電気機器の高密度化および小型化に対応するため、ベース絶縁層およびカバー絶縁層から、その表面および裏面が露出するフライングリードが形成されることが知られている。このフライングリードは、例えば、ボンディングツールなどを用いて、超音波振動を加えることにより、外部端子と接続される。

また、ハードディスクドライブに用いられる回路付サスペンション基板には、外部端子と接続するためのフライングリードと、磁気ヘッドが搭載される磁気ヘッド搭載部とが設けられている。磁気ヘッド搭載部は、カバー絶縁層から導体パターンの表面が露出するように形成されており、この磁気ヘッド搭載部に、磁気ディスクに対して読み取りおよび書き込みが可能な磁気ヘッドが搭載されている。

しかるに、上記したフライングリードでは、ベース絶縁層およびカバー絶縁層から、その表面および裏面が露出しているので、物理的強度が低く、外部端子と接続するときの超音波振動などにより、フライングリードに応力が集中して、断線しやすいという不具合がある。
このようなフライングリードにおける断線を防ぐために、例えば、支持基板、支持基板の上に形成されたベース絶縁層、ベース絶縁層の上に形成された導体パターン、ベース絶縁層の上に導体パターンを被覆するように形成されたカバー絶縁層、および、導体パターンの同一位置においてベース絶縁層とカバー絶縁層とが開口されることにより、ベース絶縁層およびカバー絶縁層から、その表面および裏面が露出する導体パターンからなる端子部を備える回路付サスペンション基板において、端子部の端縁部と導体パターンとが交差する交差部分において、導体パターンが延びる方向と実質的に直交する幅方向に広がる幅広部が形成された回路付サスペンション基板が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
特開２００３−３１９１５号公報

しかし、特許文献１に記載の回路付サスペンション基板においても、この端子部は、幅広部が形成されているものの、ベース絶縁層およびカバー絶縁層から、その表面および裏面が露出しているため、厚み方向における物理的強度は低く、そのため、端子部における断線を確実に防ぐには不十分である。
一方、導体パターンの厚みを厚くすれば、厚み方向における物理的強度が高くなり、端子部における断線を防止することができるが、磁気ヘッド搭載部の厚みも厚くなるため、磁気ヘッド搭載部における柔軟性が低下する。そうすると、このような回路付サスペンション基板では、その磁気ヘッド搭載部に搭載された磁気ヘッドを、磁気ディスクに対して確実に追従させることが困難となる。

本発明の目的は、簡易な構成により、フライングリードからなる第１端子部の断線を有効に防止しながら、第２端子部における優れた追従性を確保することのできる、配線回路基板、および、その配線回路基板の製造方法を提供することにある。

本発明の配線回路基板は、第２開口部が形成される第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上に、長手方向に延びる配線回路パターンとして形成される銅からなる導体基部、および、その上に積層される銅からなる導体積層部から一体的に形成されており、前記導体基部および前記導体積層部から形成される第１端子部、および、前記導体基部から形成される第２端子部を備える前記導体層と、前記第２開口部と同一位置に開口される第１開口部、および、第４開口部が形成されるように、前記第１絶縁層の上に、前記導体基部、および、前記導体積層部の長手方向両端部を被覆するように形成される第２絶縁層とを備え、前記第１端子部は、前記第２絶縁層の前記第１開口部内に形成される金属めっき層に被覆される、前記導体積層部における長手方向両端部より長手方向内側の部分と、前記第１絶縁層の前記第２開口部内に形成される金属めっき層に被覆される前記導体基部とからなり、前記第２端子部は、前記第２絶縁層の前記第４開口部内に形成される金属めっき層に、その表面のみが被覆される前記導体基部からなり、前記第１端子部の厚みが、前記第２端子部の厚みよりも、厚いことを特徴としている。

また、本発明の配線回路基板では、前記第１端子部の厚みは、前記第２端子部の厚みよりも、３〜１２μｍ厚いことが好適である。
また、本発明の配線回路基板では、前記配線回路基板が、回路付サスペンション基板であることが好適である。
また、本発明の配線回路基板の製造方法は、第１絶縁層を用意する工程、前記第１絶縁層の上に、配線回路パターンの反転パターンで第１めっきレジストを形成する工程、前記第１めっきレジストから露出する前記第１絶縁層の上に導体基部を配線回路パターンで銅から形成する工程、前記導体基部の上に、第１端子部を形成する部分が開口されるように、第２めっきレジストを形成する工程、前記第２めっきレジストから露出する前記導体層の上に、前記第１端子部を形成するための導体積層部を銅から形成して、前記導体基部の上に前記導体積層部が一体的に積層された導体層を形成する工程、前記第２めっきレジストおよび前記第１めっきレジストを除去する工程、前記第１絶縁層の上に、前記第１端子部を形成する部分と第２端子部を形成する部分とが開口するように、前記導体層を被覆する第２絶縁層を形成する工程、および、前記第１絶縁層における前記第１端子部を形成する部分を開口する工程を備えていることを特徴としている。

また、本発明の配線回路基板の製造方法は、第１絶縁層を用意する工程、前記第１絶縁層の上に、配線回路パターンの反転パターンでめっきレジストを形成する工程、前記めっきレジストから露出する前記第１絶縁層の上に導体層を配線回路パターンで銅から形成する工程、前記導体層の上に、第１端子部を形成する部分を被覆するエッチングレジストを形成する工程、前記エッチングレジストから露出する前記導体層を、厚さ方向途中までエッチングして、前記導体層において、エッチングされた部分を導体基部とし、エッチングされなかった部分を導体積層部とする工程、前記めっきレジストおよび前記エッチングレジストを除去する工程、前記第１絶縁層の上に、前記第１端子部を形成する部分と第２端子部を形成する部分とが開口するように、前記導体層を被覆する第２絶縁層を形成する工程、および、前記第１絶縁層における前記第１端子部を形成する部分を開口する工程
を備えていることを特徴としている。

また、本発明の配線回路基板の製造方法は、第１絶縁層の上に銅からなる導体層が形成された二層基材を用意する工程、前記導体層の上に、配線回路パターンで第１エッチングレジストを形成する工程、前記第１エッチングレジストから露出する前記導体層を、配線回路パターンにエッチングする工程、前記第１エッチングレジストを除去する工程、前記導体層の上に、第１端子部を形成する部分を被覆する第２エッチングレジストを形成する工程、前記第２エッチングレジストから露出する前記導体層を、厚さ方向途中までエッチングして、前記導体層において、エッチングされた部分を導体基部とし、エッチングされなかった部分を導体積層部とする工程、前記第２エッチングレジストを除去する工程、
前記第１絶縁層の上に、前記第１端子部を形成する部分と第２端子部を形成する部分とが開口するように、前記導体層を被覆する第２絶縁層を形成する工程、および、前記第１絶縁層における前記第１端子部を形成する部分を開口する工程を備えていることを特徴としている。

本発明の配線回路基板によれば、第１端子部の厚みが、第２端子部の厚みよりも厚いので、第１端子部における物理的強度が高く、そのため、第１端子部における断線を有効に防止することができる。また、第２端子部の厚みが、第１端子部の厚みよりも薄いので、第２端子部における柔軟性が高く、そのため、第２端子部における優れた追従性を確保することができる。その結果、配線回路基板における接続信頼性を向上させることができる。

また、本発明の配線回路基板の製造方法によれば、簡易な構成により、確実に上記した配線回路基板を製造することができる。

図１は、本発明の配線回路基板の一実施形態である回路付サスペンション基板を示す要部平面図であり、図２は、図１のＡ−Ａ’線断面図であり、図３は、図１のＢ−Ｂ’線断面図である。
この回路付サスペンション基板１は、ハードディスクドライブに装着され、磁気ヘッドを搭載して、その磁気ヘッドを磁気ディスクと対向するように支持するものであり、図２に示すように、金属支持基板２、金属支持基板２の上に形成された第１絶縁層としてのベース絶縁層３、ベース絶縁層３の上に配線回路パターンとして形成された導体層４、および、ベース絶縁層３の上に導体層４を被覆するように形成された第２絶縁層としてのカバー絶縁層５を備えている。

金属支持基板２は、図１に示すように、長手方向に延びる平面視矩形薄板形状をなし、可撓性の金属箔や金属薄板から形成されている。また、金属支持基板２は、その厚みが、例えば、１０〜６０μｍ、好ましくは、１５〜３０μｍである。
ベース絶縁層３は、図２に示すように、金属支持基板２の表面全面に積層されるように、形成されている。また、ベース絶縁層３は、その厚みが、例えば、１〜３０μｍ、好ましくは、２〜２０μｍである。

導体層４は、導体基部６と、その導体基部６の上に積層される導体積層部７とから一体的に形成されている。
導体基部６は、図１の点線に示すように、ベース絶縁層３の上に、複数の配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄからなる配線回路パターンとして形成されている。各配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄは、金属支持基板２の長手方向（以下、単に長手方向という。）に沿って延び、互いに幅方向（長手方向と直交する方向、以下同じ。）において間隔を隔てて並列配置されている。

また、導体積層部７は、各配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄにおいて、後述する外部端子部８を形成する部分に形成されている。より具体的には、図２に示すように、各配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄの長手方向一方側端部近傍において、各配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄの上に、その長手方向に沿う所定の長さで、それぞれ形成されている。また、各配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄの上に形成される導体積層部７は、図３に示すように、各配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄの幅方向中央において、各配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄの幅よりも幅狭に形成されている。これによって、各配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄにおいて、導体積層部７が形成されている部分は、その断面形状が、凸形状に形成されている。

また、導体基部６は、その厚みが、例えば、３〜２０μｍ、好ましくは、５〜１５μｍである。また、導体積層部７は、その厚みが、例えば、１〜１５μｍ、好ましくは、３〜１２μｍである。また、各配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄの幅は、例えば、５０〜５００μｍ、好ましくは、８０〜３００μｍであり、各配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄの上に形成される導体積層部７の幅は、例えば、５０〜５００μｍ、好ましくは、８０〜３００μｍである。

カバー絶縁層５は、ベース絶縁層３の上に、導体層４を被覆するように形成されており、図１に示すように、ベース絶縁層３の周端部が露出するように、ベース絶縁層３よりもやや小さい相似形状であって、長手方向に延びる平面視矩形薄板形状に形成されている。
また、カバー絶縁層５は、その厚みが、例えば、１〜２０μｍ、好ましくは、２〜８μｍである。

また、この回路付サスペンション基板１には、第１端子部として外部端子部８が形成されるとともに、第２端子部として磁気ヘッド搭載部９が形成されている。
外部端子部８は、図２に示すように、この回路付サスペンション基板１の長手方向一端部に配置され、導体層４の同一位置において、金属支持基板２、ベース絶縁層３およびカバー絶縁層５が開口されることにより、金属支持基板２、ベース絶縁層３およびカバー絶縁層５から、その表面および裏面が露出する導体層４から形成されている。

より具体的には、カバー絶縁層５には、導体基部６と導体積層部７とが一体的に形成されている部分において、厚み方向を貫通する第１開口部１０が形成されている。この第１開口部１０は、図１に示すように、すべての配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄを含むように開口されており、図２に示すように、各導体積層部７の長手方向両端部がわずかに被覆され、その長手方向内側の各導体積層部７の長手方向大部分が露出するように、カバー絶縁層５を幅方向に沿って横切る帯状に形成されている。これによって、第１開口部１０は、図１に示すように、カバー絶縁層５の長手方向途中に介在され、カバー絶縁層５を長手方向において分断するように形成される。

また、ベース絶縁層３には、導体基部６と導体積層部７とが一体的に形成されている部分において、厚み方向を貫通する第２開口部１１が形成されている。この第２開口部１１は、すべての配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄを含むように開口されており、ベース絶縁層３における導体層４を挟んで第１開口部１０と対向する位置において、その長手方向長さが第１開口部１０と同じ長さであり、その幅方向長さが第１開口部１０よりもやや幅広である底面視略矩形状に形成されている。

また、金属支持層２には、導体基部６と導体積層部７とが一体的に形成されている部分において、厚み方向を貫通する第３開口部１２が形成されている。この第３開口部１１は、すべての配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄを含むように開口されており、図２に示すように、第２開口部１１と同一位置に同一形状で形成されている。
そして、カバー絶縁層５の第１開口部１０からは、各導体積層部７の表面が露出し、ベース絶縁層３の第２開口部１１および金属支持層２の第３開口部１２からは、導体基部６の裏面が露出し、この露出する導体基部６および導体積層部７（導体層４）が、外部端子部８とされている。

外部端子部８は、図３に示すように、その表面が、カバー絶縁層５の第１開口部１０から露出し、その裏面が、ベース絶縁層３の第２開口部１１および金属支持層２の第３開口部１２から露出し、互いに幅方向に間隔を隔てて並列配置されるフライングリードとして形成されている。
外部端子部８は、その厚み（導体基部６および導体積層部７の合計の厚み）が、例えば、６〜２５μｍ、好ましくは、７〜１５μｍである。また、その長手方向の長さが、例えば、１００〜２０００μｍ、好ましくは、５００〜１２００μｍである。

また、外部端子部８には、その外周面（表面、裏面および両側面）に、金属めっき層１３が形成されている。金属めっき層１３は、その厚みが、例えば、１〜５μｍである。
磁気ヘッド搭載部９は、図２に示すように、この回路付サスペンション基板１の長手方向他端部に配置され、カバー絶縁層５が開口されることにより、そのカバー絶縁層５から、その表面が露出する導体層４から形成されている。

より具体的には、カバー絶縁層５には、導体層４の長手方向他端部近傍と対向するように、厚み方向を貫通する第４開口部１４が形成されている。この第４開口部１４は、図１に示すように、各配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄごとに対向してそれぞれ開口され、導体基部６の表面がそれぞれ露出するように、平面視矩形状に形成されている。
そして、カバー絶縁層５の各第４開口部１４からは、導体基部６の表面が露出し、この露出する導体基部６が、磁気ヘッド搭載部９とされている。

磁気ヘッド搭載部９は、その表面のみが、カバー絶縁層５の第４開口部１４から露出する端子部として形成されている。
磁気ヘッド搭載部９は、導体基部６のみからなり、その厚みが、上記した導体基部６の厚みと同一であり、導体基部６および導体積層部７からなる外部端子部８の厚みよりも薄く形成されている。より具体的には、磁気ヘッド搭載部９の厚みは、外部端子部８の厚みよりも、３〜１２μｍ薄く、好ましくは、５〜１０μｍ薄く形成されている。

また、磁気ヘッド搭載部９にも、その表面に、金属めっき層１３が形成されている。金属めっき層１３は、その厚みが、例えば、０．２〜５μｍである。
次に、本発明の配線回路基板の製造方法の第１実施形態を、図１に示す回路付サスペンション基板１の製造方法として、図４を参照して説明する。なお、この図４は、図２に対応する断面として示している。

この方法では、まず、図４（ａ）に示すように、金属支持基板２を用意する。金属支持基板２には、例えば、ステンレス、４２アロイなどが用いられ、好ましくは、ステンレスが用いられる。
次いで、この方法では、図４（ｂ）に示すように、金属支持基板２の上に、ベース絶縁層３を形成する。ベース絶縁層３には、例えば、ポリイミド、ポリアミドイミド、アクリル、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニル、フッ素樹脂などの合成樹脂が用いられ、好ましくは、感光性合成樹脂が用いられ、さらに好ましくは、感光性ポリイミドが用いられる。

例えば、感光性ポリイミドを用いて、金属支持基板２の上に、ベース絶縁層３を形成する場合には、まず、感光性ポリイミド樹脂前駆体のワニス（感光性ポリアミック酸樹脂溶液）を、金属支持基板２の表面全面に均一に塗布し、乾燥して皮膜を形成する。次いで、この皮膜を、必要により露光および現像し、その後、これを加熱して硬化することにより、金属支持基板２の上に、ベース絶縁層３を形成する。

なお、ベース絶縁層３は、予め加工されたドライフィルムを、接着剤層などを介して金属支持基板２の上に貼着して、形成することもできる。
次いで、この方法では、図４（ｃ）に示すように、ベース絶縁層３の表面全面に、金属薄膜１５を形成する。金属薄膜１５には、例えば、クロム、金、銀、白金、ニッケル、チタン、ケイ素、マンガン、ジルコニウム、およびそれらの合金、またはそれらの酸化物などが用いられる。金属薄膜１５の形成は、めっきや真空蒸着法などが用いられ、好ましくは、真空蒸着法、とりわけ、スパッタ蒸着法が用いられる。より具体的には、例えば、ベース絶縁層３の表面全面に、クロム薄膜と銅薄膜とをスパッタ蒸着法によって順次形成する。なお、金属薄膜１５は、厚みが、例えば、１００〜３０００Å、好ましくは、２００〜２０００Åである。

次いで、図４（ｄ）に示すように、金属薄膜１５の上に、上記した配線回路パターンの反転パターンで第１めっきレジスト１６を形成する。
第１めっきレジスト１６は、特に制限されないが、例えば、ドライフィルムレジストを、金属薄膜１５の表面全面に積層した後、露光および現像することにより、配線回路パターンの反転パターンとして形成する。

次いで、この方法では、図４（ｅ）に示すように、第１めっきレジスト１６から露出する金属薄膜１５の表面に、導体基部６を、上記した各配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄからなる配線回路パターンで形成する。
導体基部６には、銅が用いられる。また、導体基部６の形成は、無電解めっき、電解めっきなどのめっきが用いられ、好ましくは、電解めっきが用いられる。

より具体的には、金属薄膜１５の表面における第１めっきレジスト１６が形成されていない部分に、電解銅めっきにより、銅からなる導体基部６を、配線回路パターンとして形成する。
次いで、この方法では、図４（ｆ）に示すように、導体基部６の上に、外部端子部８を形成する部分が開口されるように、第２めっきレジスト１７を形成する。

第２めっきレジスト１７は、特に制限されないが、例えば、第１めっきレジスト１６と同様のドライフィルムレジストを、第１めっきレジスト１６および導体基部６の表面全面に積層した後、露光および現像することにより、外部端子部８を形成する部分を開口するパターンとして形成する。
次いで、この方法では、図４（ｇ）に示すように、第２めっきレジスト１７から露出する導体基部６の表面に、外部端子部８を形成するための導体積層部７をさらに形成する。

導体積層部７には、導体基部６と同様の金属が用いられる。導体積層部７の形成は、導体基部６の形成と同様に、めっき、好ましくは、電解めっきが用いられる。より具体的には、導体基部６の表面における第２めっきレジスト１７が形成されていない部分に、電解銅めっきにより、銅からなる導体積層部７を形成する。
これによって、導体基部６の上に導体積層部７が一体的に積層された導体層４が形成される。

次いで、この方法では、図４（ｈ）に示すように、第２めっきレジスト１７および第１めっきレジスト１６、および、導体層４から露出する金属薄膜１５を順次除去する。
第２めっきレジスト１７および第１めっきレジスト１６の除去は、例えば、プラズマやレーザによるドライエッチングや、アルカリ溶液を用いるウェットエッチングなどの公知のエッチング法または剥離が用いられる。

また、金属薄膜１５の除去は、例えば、プラズマやレーザによるドライエッチングや、塩化第二鉄水溶液を用いるウェットエッチングなどの公知のエッチング法が用いられる。
次いで、この方法では、図４（ｉ）に示すように、ベース絶縁層３の上に、第１開口部１０および第４開口部１４が形成されるように、導体層４を被覆するカバー絶縁層５を形成する。カバー絶縁層５には、ベース絶縁層３と同様の材料が用いられ、好ましくは、感光性ポリイミドが用いられる。

例えば、感光性ポリイミドを用いて、ベース絶縁層３の上に、カバー絶縁層５を形成する場合には、まず、感光性ポリアミック酸樹脂溶液を、ベース絶縁層３および導体層４の表面全面に塗布し、乾燥して皮膜を形成する。次いで、この皮膜を、公知のフォト加工において、フォトマスクを介して、露光および現像し、第１開口部１０および第４開口部１４が開口するパターンとして形成する。その後、これを加熱して硬化する。

なお、感光性合成樹脂を用いない場合には、例えば、ベース絶縁層３の上に、導体層４を被覆するように、予め加工されたドライフィルムを、必要により接着剤層を介して貼着して、その貼着の前後において、ドライフィルムに、第１開口部１０および第４開口部１４を、例えば、ドリル加工やレーザ加工により穿孔する。
カバー絶縁層５の第４開口部１４が形成されることにより、その第４開口部１４から表面が露出する導体層４が、磁気ヘッド搭載部９とされる。

次いで、この方法では、図４（ｊ）に示すように、金属支持基板２に第３開口部１２を形成する。第３開口部１２の形成は、ドライエッチングやウェットエッチングなどの公知のエッチング法、ドリル加工やレーザ加工が用いられる。
例えば、ウェットエッチングでは、まず、第３開口部１２を形成する部分を除く金属支持基板２の裏面と、ベース絶縁層３およびカバー絶縁層５の表面とに、エッチングレジストを形成する。エッチングレジストは、ドライフィルムフォトレジストなどを用いて、露光および現像する公知のフォト加工により形成する。その後、エッチングレジストから露出する金属支持基板２をエッチングする。金属支持基板２のエッチングは、例えば、エッチング液として、塩化第二鉄水溶液を用いて、浸漬法またはスプレー法によって、ウェットエッチングする。その後、エッチングレジストを、公知のエッチング法または剥離により除去する。

次いで、この方法では、図４（ｋ）に示すように、ベース絶縁層３に第２開口部１１を形成する。第２開口部１１の形成は、ドライエッチングやウェットエッチングなどの公知のエッチング法、ドリル加工やレーザ加工が用いられる。
例えば、ウェットエッチングでは、まず、第２開口部１１を形成する部分を除く金属支持基板２の裏面と、ベース絶縁層３およびカバー絶縁層５の表面とに、エッチングレジストを形成する。エッチングレジストは、ドライフィルムフォトレジストなどを用いて、露光および現像する公知のフォト加工により形成する。その後、エッチングレジストから露出するベース絶縁層３をエッチングする。ベース絶縁層３のエッチングは、例えば、エッチング液として、アルカリ水溶液を用いて、浸漬法またはスプレー法によって、ウェットエッチングする。その後、エッチングレジストを、公知のエッチング法または剥離により除去する。

これによって、カバー絶縁層５の第１開口部１０から表面が露出し、ベース絶縁層３の第２開口部１１および金属支持層２の第３開口部１２から裏面が露出する導体層４が、外部端子部８とされる。
次いで、この方法では、図４（ｌ）に示すように、外部端子部８の外周面と、磁気ヘッド搭載部９の表面とに、金属めっき層１３を形成する。

金属めっき層１３には、金やニッケルなどの金属が用いられる。金属めっき層１３の形成は、無電解めっきや電解めっきが用いられる。好ましくは、電解金めっきにより、金からなる金属めっき層１３を形成する。
そして、このようにして得られた回路付サスペンション基板１では、外部端子部８が、その両面が露出するフライングリードとして形成されているが、導体基部６および導体積層部７から厚く形成されているので、厚み方向における物理的強度が高く、そのため、外部端子部８における断線を確実に防止することができる。しかも、磁気ヘッド搭載部９が、導体基部６のみから薄く形成されているので、磁気ヘッド搭載部９における柔軟性が高く、そのため、磁気ヘッド搭載部９に搭載された磁気ヘッドを、磁気ディスクに対して確実に追従させることができる。その結果、回路付サスペンション基板１における接続信頼性を向上させることができる。

また、図４に示す回路付サスペンション基板１の製造方法によれば、導体層４を、アディティブ法により２段階で形成するので、導体層４を形成するためのめっき量を低減しつつ、簡易な構成により、確実に上記した回路付サスペンション基板１を製造することができる。
次に、本発明の配線回路基板の製造方法の第２実施形態を、図１に示す回路付サスペンション基板１の製造方法として、図５を参照して説明する。なお、図５は、図２に対応する断面として示しており、図４と同一の工程については、その詳細な説明は省略する。

この方法では、まず、図５（ａ）に示すように、金属支持基板２を用意する。金属支持基板２には、上記と同様の金属が用いられる。
次いで、この方法では、図５（ｂ）に示すように、金属支持基板２の上に、上記と同様の材料および方法により、ベース絶縁層３を形成する。
次いで、この方法では、図５（ｃ）に示すように、ベース絶縁層３の表面全面に、上記と同様の金属および方法により、金属薄膜１５を形成する。

次いで、図５（ｄ）に示すように、ベース絶縁層３の上に、配線回路パターンの反転パターンでめっきレジスト１８を形成する。
めっきレジスト１８は、第１の実施形態の第１めっきレジスト１６の形成と同様の形成方法により、配線回路パターンの反転パターンとして形成する。
なお、めっきレジスト１８は、上記と同様の方法でよいが、導体基部６および導体積層部７を形成するための厚みで形成される。

次いで、この方法では、図５（ｅ）に示すように、めっきレジスト１８から露出する金属薄膜１５の上に導体層４を、上記と同様の金属および方法により、配線回路パターンで形成する。
次いで、この方法では、図５（ｆ）に示すように、導体層４における導体積層部７を形成する部分を被覆するように、エッチングレジスト１９を形成する。エッチングレジスト１９の形成は、上記と同様に、ドライフィルムフォトレジストなどを用いて、露光および現像する公知のフォト加工が用いられる。

次いで、この方法では、図５（ｇ）に示すように、エッチングレジスト１９から露出する導体層４を、厚さ方向途中までエッチングする。
導体層４のエッチングは、例えば、ドライエッチングやウェットエッチングなどの公知のエッチング法が用いられる。このエッチングにより、導体層４において、エッチングされた部分が導体基部６となり、エッチングレジスト１９の被覆により、エッチングされなかった部分が導体積層部７となる。

次いで、この方法では、図５（ｈ）に示すように、上記と同様の方法により、エッチングレジスト１９、めっきレジスト１８、および、導体層４から露出する金属薄膜１５を順次除去する。
次いで、この方法では、図５（ｉ）に示すように、ベース絶縁層３の上に、上記と同様の材料および方法により、第１開口部１０および第４開口部１４が形成されるように、導体層４を被覆するカバー絶縁層５を形成する。

なお、カバー絶縁層５の第４開口部１４が形成されることにより、その第４開口部１４から表面が露出する導体層４が、磁気ヘッド搭載部９とされる。
次いで、この方法では、図５（ｊ）に示すように、金属支持基板２に第３開口部１２を、上記と同様の方法により形成し、次いで、図５（ｋ）に示すように、ベース絶縁層３に第２開口部１１を、上記と同様の方法により形成する。

これによって、カバー絶縁層５の第１開口部１０から表面が露出し、ベース絶縁層３の第２開口部１１および金属支持層２の第３開口部１２から裏面が露出する導体層４が、外部端子部８とされる。
次いで、この方法では、図５（ｌ）に示すように、外部端子部８の外周面と、磁気ヘッド搭載部９の表面とに、上記と同様の金属および方法により、金属めっき層１３を形成し、回路付サスペンション基板１を得る。

図５に示す回路付サスペンション基板１の製造方法によれば、まず、導体層４を、アディティブ法により形成した後、サブトラクティブ法（エッチング）により、導体基部６および導体積層部７を形成するので、何度もめっきする手間を省略することができながら、簡易な構成により、確実に上記した回路付サスペンション基板１を製造することができる。

なお、上記の説明では、本発明の配線回路基板を、回路付サスペンション基板を例示して説明したが、本発明の配線回路基板は、回路付サスペンション基板に限らず、通常のフレキシブル配線回路基板として形成することもできる。
次に、本発明の配線回路基板の製造方法の第３実施形態を、フレキシブル配線回路基板の製造方法として、図６を参照して説明する。なお、図６の説明において、図４または図５と同一の工程については、その詳細な説明は省略する。

また、図６においては、上記した外部端子部８に代替して、フライングリードからなる第１端子部８が形成され、上記した磁気ヘッド搭載部９に代替して、カバー絶縁層５の第４開口部１４から露出する第２端子部９が形成される。
この方法では、まず、図６（ａ）に示すように、ベース絶縁層３の上に導体層４が形成された二層基材を用意する。

ベース絶縁層３には、上記した合成樹脂フィルムが用いられ、導体層４には、上記した金属が用いられている。このような二層基材は、例えば、市販の銅張積層板などを用いることができる。
次いで、この方法では、図６（ｂ）に示すように、二層基材の導体層４の上に、配線回路パターンで第１エッチングレジスト２０を形成する。

第１エッチングレジスト２０の形成は、ドライフィルムフォトレジストなどを用いて、露光および現像する公知のフォト加工により形成する。これによって、導体層４における配線回路パターンの形成部分が、第１エッチングレジスト２０によって被覆される。
次いで、この方法では、図６（ｃ）に示すように、第１エッチングレジスト２０から露出する導体層４をエッチングして、導体層４を配線回路パターンに形成する。

導体層４のエッチングは、特に制限されないが、例えば、ドライエッチングまたはウェットエッチングなどの公知のエッチング法が用いられる。より具体的には、エッチング液として、塩化第二鉄水溶液を用いて、浸漬法またはスプレー法によって、ウェットエッチングする。
次いで、この方法では、図６（ｄ）に示すように、第１エッチングレジスト２０を除去する。第１エッチングレジスト２０の除去は、例えば、ドライエッチングやウェットエッチングなどの公知のエッチング法または剥離が用いられる。

次いで、この方法では、図６（ｅ）に示すように、導体層４における導体積層部７を形成する部分を被覆するように、第２エッチングレジスト２１を形成する。第２エッチングレジスト２１の形成は、上記と同様に、ドライフィルムフォトレジストなどを用いて、露光および現像する公知のフォト加工が用いられる。
次いで、この方法では、図６（ｆ）に示すように、第２エッチングレジスト２１から露出する導体層４を、厚さ方向途中までエッチングする。

導体層４のエッチングは、例えば、ドライエッチングやウェットエッチングなどの公知のエッチング法が用いられる。このエッチングにより、導体層４において、エッチングされた部分が導体基部６となり、第２エッチングレジスト２１の被覆により、エッチングされなかった部分が導体積層部７となる。
次いで、この方法では、図６（ｇ）に示すように、上記と同様の方法により、第２エッチングレジスト２１を除去する。

次いで、この方法では、図６（ｈ）に示すように、ベース絶縁層３の上に、上記と同様の材料および方法により、第１開口部１０および第４開口部１４が形成されるように、導体層４を被覆するカバー絶縁層５を形成する。
なお、カバー絶縁層５の第４開口部１４が形成されることにより、その第４開口部１４から表面が露出する導体層４が、第２端子部９とされる。

次いで、この方法では、図６（ｉ）に示すように、ベース絶縁層３に第２開口部１１を、上記と同様の方法により形成する。
これによって、カバー絶縁層５の第１開口部１０から表面が露出し、ベース絶縁層３の第２開口部１１から裏面が露出する導体層４が、第２端子部８とされる。
次いで、この方法では、図６（ｊ）に示すように、第１端子部８の外周面と、第２端子部９の表面とに、上記と同様の金属および方法により、金属めっき層１３を形成し、フレキシブル配線回路基板を得る。

図６に示すフレキシブル配線回路基板の製造方法によれば、二層基材から、導体層４を、サブトラクティブ法により２段階で形成するので、めっきする手間を省略することができながら、簡易な構成により、確実にフレキシブル配線回路基板を製造することができる。

以下に実施例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例に制限されることはない。
実施例１
厚み２０μｍのステンレス（ＳＵＳ３０４）箔からなる金属支持基板を用意した（図４（ａ）参照）。次いで、金属支持基板の表面全面に、感光性ポリアミック酸樹脂溶液を均一に塗布し、乾燥して皮膜を形成した後、加熱して硬化することにより、厚み１０μｍのポリイミドからなるベース絶縁層を形成した（図４（ｂ）参照）。

次いで、ベース絶縁層の表面全面に、スパッタ蒸着法によって、金属薄膜として、厚み５００Åのクロム薄膜と厚み１０００Åの銅薄膜とを順次形成した（図４（ｃ）参照）。その後、金属薄膜の表面全面に、ドライフィルムレジストを積層した後、露光および現像することにより、配線回路パターンの反転パターンの第１めっきレジストを形成した（図４（ｄ）参照）。その後、金属薄膜の表面における第１めっきレジストが形成されていない部分に、電解銅めっきにより、銅からなる厚み８μｍの導体基部を、上記した配線回路パターンで形成した（図４（ｅ）参照）。

次いで、ドライフィルムレジストを、第１めっきレジストおよび導体基部の表面全面に積層した後、露光および現像することにより、外部端子部を形成する部分を開口するパターンとし、これによって、第２めっきレジストを形成した（図４（ｆ）参照）。その後、導体基部の表面における第２めっきレジストが形成されていない部分に、電解銅めっきにより、銅からなる厚み７μｍの導体積層部を形成した（図４（ｇ）参照）。これによって、導体基部の上に導体積層部を一体的に積層した導体層を形成した。

次いで、第２めっきレジストおよび第１めっきレジストを剥離した後、導体層から露出する金属薄膜を、塩化第二鉄水溶液を用いてエッチングした（図４（ｈ）参照）。
その後、感光性ポリアミック酸樹脂溶液を、ベース絶縁層および導体層の表面全面に塗布し、乾燥して皮膜を形成した後、この皮膜を、フォトマスクを介して露光および現像し、第１開口部および第４開口部が開口するパターンとして形成し、その後、これを加熱して硬化することにより、厚み５μｍのカバー絶縁層を形成した（図４（ｉ）参照）。これによって、第４開口部から露出する導体層を、磁気ヘッド搭載部とした。

次いで、第３開口部を形成する部分を除く金属支持基板の裏面と、ベース絶縁層およびカバー絶縁層の表面とに、ドライフィルムフォトレジストからなるエッチングレジストを、フォト加工により形成した。その後、エッチングレジストから露出する金属支持基板を塩化第二鉄水溶液を用いてエッチングした後、エッチングレジストを剥離することにより、金属支持基板に第３開口部を形成した（図４（ｊ）参照）。

続いて、第２開口部を形成する部分を除く金属支持基板の裏面と、ベース絶縁層およびカバー絶縁層の表面とに、ドライフィルムフォトレジストからなるエッチングレジストを、フォト加工により形成した。その後、エッチングレジストから露出するベース絶縁層をアルカリ水溶液を用いてエッチングした後、エッチングレジストを剥離することにより、ベース絶縁層に第２開口部を形成した（図４（ｋ）参照）。これによって、カバー絶縁層の第１開口部から表面が露出し、ベース絶縁層の第２開口部および金属支持層の第３開口部から裏面が露出する導体層を、外部端子部とした。

次いで、外部端子部の外周面と、磁気ヘッド搭載部の表面とに、電解金めっきにより、厚み２μｍの金からなる金属めっき層を形成することにより、回路付サスペンション基板を得た（図４（ｌ）参照）。
実施例２
厚み２０μｍのステンレス（ＳＵＳ３０４）箔からなる金属支持基板を用意した（図５（ａ）参照）。次いで、金属支持基板の表面全面に、感光性ポリアミック酸樹脂溶液を均一に塗布し、乾燥して皮膜を形成した後、加熱して硬化することにより、厚み１０μｍのポリイミドからなるベース絶縁層を形成した（図５（ｂ）参照）。

次いで、ベース絶縁層の表面全面に、スパッタ蒸着法によって、金属薄膜として、厚み５００Åのクロム薄膜と厚み１０００Åの銅薄膜とを順次形成した（図５（ｃ）参照）。その後、金属薄膜の表面全面に、ドライフィルムレジストを積層した後、露光および現像することにより、配線回路パターンの反転パターンのめっきレジストを形成した（図５（ｄ）参照）。その後、金属薄膜の表面におけるめっきレジストが形成されていない部分に、電解銅めっきにより、銅からなる厚み１５μｍの導体層を、上記した配線回路パターンで形成した（図５（ｅ）参照）。

次いで、導体層における導体積層部を形成する部分を被覆するように、ドライフィルムフォトレジストをフォト加工により積層して、エッチングレジストを形成した（図５（ｆ）参照）。その後、エッチングレジストから露出する導体層を、厚さ方向途中までエッチングした（図５（ｇ）参照）。これによって、導体層において、エッチングされた部分を導体基部とし、エッチングされなかった部分を導体積層部とした。

次いで、エッチングレジストおよびめっきレジストを剥離した後、導体層から露出する金属薄膜を、塩化第二鉄水溶液を用いてエッチングした（図５（ｈ）参照）。
その後、感光性ポリアミック酸樹脂溶液を、ベース絶縁層および導体層の表面全面に塗布し、乾燥して皮膜を形成した後、この皮膜を、フォトマスクを介して露光および現像し、第１開口部および第４開口部が開口するパターンとして形成し、その後、これを加熱して硬化することにより、厚み５μｍのカバー絶縁層を形成した（図５（ｉ）参照）。これによって、第４開口部から露出する導体層を、磁気ヘッド搭載部とした。

次いで、第３開口部を形成する部分を除く金属支持基板の裏面と、ベース絶縁層およびカバー絶縁層の表面とに、ドライフィルムフォトレジストからなるエッチングレジストを、フォト加工により形成した。その後、エッチングレジストから露出する金属支持基板を塩化第二鉄水溶液を用いてエッチングした後、エッチングレジストを剥離することにより、金属支持基板に第３開口部を形成した（図５（ｊ）参照）。

続いて、第２開口部を形成する部分を除く金属支持基板の裏面と、ベース絶縁層およびカバー絶縁層の表面とに、ドライフィルムフォトレジストからなるエッチングレジストを、フォト加工により形成した。その後、エッチングレジストから露出するベース絶縁層をアルカリ水溶液を用いてエッチングした後、エッチングレジストを剥離することにより、ベース絶縁層に第２開口部を形成した（図５（ｋ）参照）。これによって、カバー絶縁層の第１開口部から表面が露出し、ベース絶縁層の第２開口部および金属支持層の第３開口部から裏面が露出する導体層を、外部端子部とした。

次いで、外部端子部の外周面と、磁気ヘッド搭載部の表面とに、電解金めっきにより、厚み２μｍの金からなる金属めっき層を形成することにより、回路付サスペンション基板を得た（図５（ｌ）参照）。
実施例３
厚み１０μｍのポリイミドからなるベース絶縁層の上に、厚み１８μｍの銅箔からなる導体層が形成された二層基材（銅張積層板）を用意し（図６（ａ）参照）、その導体層の上に、ドライフィルムフォトレジストをフォト加工することにより配線回路パターンで第１エッチングレジストを形成した（図６（ｂ）参照）。

その後、第１エッチングレジストから露出する導体層を、塩化第二鉄水溶液を用いてエッチングして、導体層を配線回路パターンに形成した（図６（ｃ）参照）。
次いで、第１エッチングレジストを剥離した後（図６（ｄ）参照）、導体層における導体積層部を形成する部分を被覆するように、ドライフィルムフォトレジストをフォト加工により積層して、第２エッチングレジストを形成した（図６（ｅ）参照）。その後、第２エッチングレジストから露出する導体層を、厚さ方向途中までエッチングした（図６（ｆ）参照）。これによって、導体層において、エッチングされた部分を導体基部とし、エッチングされなかった部分を導体積層部とした。その後、第２エッチングレジストを剥離した（図６（ｇ）参照）。

その後、感光性ポリアミック酸樹脂溶液を、ベース絶縁層および導体層の表面全面に塗布し、乾燥して皮膜を形成した後、この皮膜を、フォトマスクを介して露光および現像し、第１開口部および第４開口部が開口するパターンとして形成し、その後、これを加熱して硬化することにより、厚み５μｍのカバー絶縁層を形成した（図６（ｈ）参照）。これによって、第４開口部から露出する導体層を、第２端子部とした。

続いて、第２開口部を形成する部分を除くベース絶縁層の裏面と、カバー絶縁層の表面とに、ドライフィルムフォトレジストからなるエッチングレジストを、フォト加工により形成した。その後、エッチングレジストから露出するベース絶縁層をアルカリ水溶液を用いてエッチングした後、エッチングレジストを剥離することにより、ベース絶縁層に第２開口部を形成した（図６（ｉ）参照）。これによって、カバー絶縁層の第１開口部から表面が露出し、ベース絶縁層の第２開口部から裏面が露出する導体層を、第２端子部とした。

次いで、第２端子部の外周面と、第１端子部の表面とに、電解金めっきにより、厚み２μｍの金からなる金属めっき層を形成することにより、フレキシブル配線回路基板を得た（図６（ｊ）参照）。

本発明の配線回路基板の一実施形態である回路付サスペンション基板を示す要部平面図である。 図１のＡ−Ａ’線断面図である。 図１のＢ−Ｂ’線断面図である。 本発明の配線回路基板の製造方法の第１実施形態としての回路付サスペンション基板の製造方法を示す製造工程図であって、（ａ）は、金属支持基板を用意する工程、（ｂ）は、金属支持基板の上に、ベース絶縁層を形成する工程、（ｃ）は、ベース絶縁層の表面全面に、金属薄膜を形成する工程、（ｄ）は、金属薄膜の上に、配線回路パターンの反転パターンで第１めっきレジストを形成する工程、（ｅ）は、第１めっきレジストから露出する金属薄膜の表面に、導体基部を配線回路パターンで形成する工程、（ｆ）は、導体基部の上に、外部端子部を形成する部分が開口されるように、第２めっきレジストを形成する工程、（ｇ）は、第２めっきレジストから露出する導体基部の表面に、導体積層部を形成する工程、（ｈ）は、第２めっきレジスト、第１めっきレジストおよび導体層から露出する金属薄膜を順次除去する工程、（ｉ）は、ベース絶縁層の上に、第１開口部および第４開口部が形成されるように、導体層を被覆するカバー絶縁層を形成する工程、（ｊ）は、金属支持基板に第３開口部を形成する工程、（ｋ）は、ベース絶縁層に第２開口部を形成する工程、（ｌ）は、外部端子部の外周面と磁気ヘッド搭載部の表面とに、金属めっき層を形成する工程を示す。 本発明の配線回路基板の製造方法の第２実施形態としての回路付サスペンション基板の製造方法を示す製造工程図であって、（ａ）は、金属支持基板を用意する工程、（ｂ）は、金属支持基板の上に、ベース絶縁層を形成する工程、（ｃ）は、ベース絶縁層の表面全面に、金属薄膜を形成する工程、（ｄ）は、金属薄膜の上に、配線回路パターンの反転パターンでめっきレジストを形成する工程、（ｅ）は、めっきレジストから露出する金属薄膜の表面に、導体層を配線回路パターンで形成する工程、（ｆ）は、導体層における導体積層部を形成する部分を被覆するように、エッチングレジストを形成する工程、（ｇ）は、エッチングレジストから露出する導体層を、厚さ方向途中までエッチングする工程、（ｈ）は、エッチングレジスト、めっきレジストおよび導体層から露出する金属薄膜を順次除去する工程、（ｉ）は、ベース絶縁層の上に、第１開口部および第４開口部が形成されるように、導体層を被覆するカバー絶縁層を形成する工程、（ｊ）は、金属支持基板に第３開口部を形成する工程、（ｋ）は、ベース絶縁層に第２開口部を形成する工程、（ｌ）は、外部端子部の外周面と磁気ヘッド搭載部の表面とに、金属めっき層を形成する工程を示す。 本発明の配線回路基板の製造方法の第３実施形態としてのフレキシブル配線回路基板の製造方法を示す製造工程図であって、（ａ）は、ベース絶縁層の上に導体層が形成された二層基材を用意する工程、（ｂ）は、導体層の上に、配線回路パターンで第１エッチングレジストを形成する工程、（ｃ）は、第１エッチングレジストから露出する導体層をエッチングして、導体層を配線回路パターンに形成する工程、（ｄ）は、第１エッチングレジストを除去する工程、（ｅ）は、導体層における導体積層部を形成する部分を被覆するように、第２エッチングレジストを形成する工程、（ｆ）は、第２エッチングレジストから露出する導体層を、厚さ方向途中までエッチングする工程、（ｇ）は、第２エッチングレジストを除去する工程、（ｈ）は、ベース絶縁層の上に、第１開口部および第４開口部が形成されるように、導体層を被覆するカバー絶縁層を形成する工程、（ｉ）は、ベース絶縁層に第２開口部を形成する工程、（ｊ）は、第１端子部の外周面と第２端子部の表面とに、金属めっき層を形成する工程を示す。

符号の説明

１ 回路付サスペンション基板
２ 金属支持層
３ ベース絶縁層
４ 導体層
５ カバー絶縁層
８ 外部端子部（第１端子部）
９ 磁気ヘッド端子部（第２端子部）
１６ 第１めっきレジスト
１７ 第２めっきレジスト
１８ めっきレジスト
１９ エッチングレジスト
２０ 第１エッチングレジスト
２１ 第２エッチングレジスト

Claims (6)

1. 第２開口部が形成される第１絶縁層と、
   前記第１絶縁層の上に、長手方向に延びる配線回路パターンとして形成される銅からなる導体基部、および、その上に積層される銅からなる導体積層部から一体的に形成されており、前記導体基部および前記導体積層部から形成される第１端子部、および、前記導体基部から形成される第２端子部を備える前記導体層と、
   前記第２開口部と同一位置に開口される第１開口部、および、第４開口部が形成されるように、前記第１絶縁層の上に、前記導体基部、および、前記導体積層部の長手方向両端部を被覆するように形成される第２絶縁層とを備え、
   前記第１端子部は、前記第２絶縁層の前記第１開口部内に形成される金属めっき層に被覆される、前記導体積層部における長手方向両端部より長手方向内側の部分と、前記第１絶縁層の前記第２開口部内に形成される金属めっき層に被覆される前記導体基部とからなり、
   前記第２端子部は、前記第２絶縁層の前記第４開口部内に形成される金属めっき層に、その表面のみが被覆される前記導体基部からなり、
   前記第１端子部の厚みが、前記第２端子部の厚みよりも、厚いことを特徴とする、配線回路基板。
2. 前記第１端子部の厚みは、前記第２端子部の厚みよりも、３〜１２μｍ厚いことを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板。
3. 前記配線回路基板が、回路付サスペンション基板であることを特徴とする、請求項１または２に記載の配線回路基板。
4. 第１絶縁層を用意する工程、
   前記第１絶縁層の上に、配線回路パターンの反転パターンで第１めっきレジストを形成する工程、
   前記第１めっきレジストから露出する前記第１絶縁層の上に導体基部を配線回路パターンで銅から形成する工程、
   前記導体基部の上に、第１端子部を形成する部分が開口されるように、第２めっきレジストを形成する工程、
   前記第２めっきレジストから露出する前記導体層の上に、前記第１端子部を形成するための導体積層部を銅から形成して、前記導体基部の上に前記導体積層部が一体的に積層された導体層を形成する工程、
   前記第２めっきレジストおよび前記第１めっきレジストを除去する工程、
   前記第１絶縁層の上に、前記第１端子部を形成する部分と第２端子部を形成する部分とが開口するように、前記導体層を被覆する第２絶縁層を形成する工程、および、
   前記第１絶縁層における前記第１端子部を形成する部分を開口する工程
   を備えていることを特徴とする、配線回路基板の製造方法。
5. 第１絶縁層を用意する工程、
   前記第１絶縁層の上に、配線回路パターンの反転パターンでめっきレジストを形成する工程、
   前記めっきレジストから露出する前記第１絶縁層の上に導体層を配線回路パターンで銅から形成する工程、
   前記導体層の上に、第１端子部を形成する部分を被覆するエッチングレジストを形成する工程、
   前記エッチングレジストから露出する前記導体層を、厚さ方向途中までエッチングして、前記導体層において、エッチングされた部分を導体基部とし、エッチングされなかった部分を導体積層部とする工程、
   前記めっきレジストおよび前記エッチングレジストを除去する工程、
   前記第１絶縁層の上に、前記第１端子部を形成する部分と第２端子部を形成する部分とが開口するように、前記導体層を被覆する第２絶縁層を形成する工程、および、
   前記第１絶縁層における前記第１端子部を形成する部分を開口する工程
   を備えていることを特徴とする、配線回路基板の製造方法。
6. 第１絶縁層の上に銅からなる導体層が形成された二層基材を用意する工程、
   前記導体層の上に、配線回路パターンで第１エッチングレジストを形成する工程、
   前記第１エッチングレジストから露出する前記導体層を、配線回路パターンにエッチングする工程、
   前記第１エッチングレジストを除去する工程、
   前記導体層の上に、第１端子部を形成する部分を被覆する第２エッチングレジストを形成する工程、
   前記第２エッチングレジストから露出する前記導体層を、厚さ方向途中までエッチングして、前記導体層において、エッチングされた部分を導体基部とし、エッチングされなかった部分を導体積層部とする工程、
   前記第２エッチングレジストを除去する工程、
   前記第１絶縁層の上に、前記第１端子部を形成する部分と第２端子部を形成する部分とが開口するように、前記導体層を被覆する第２絶縁層を形成する工程、および、
   前記第１絶縁層における前記第１端子部を形成する部分を開口する工程
   を備えていることを特徴とする、配線回路基板の製造方法。

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