JP2008282995A - 配線回路基板 - Google Patents

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Abstract

【課題】導体パターンの伝送損失を低減させることができながら、実装部品に対する操作性を向上させることのできる配線回路基板を提供すること。
【解決手段】回路付サスペンション基板１において、金属支持基板２の上に、第２ベース絶縁層３、第１金属薄膜６、金属箔４、第２金属薄膜７、第１ベース絶縁層５、第３金属薄膜９、導体パターン８、第４金属薄膜１０およびカバー絶縁層１１を順次形成する。これとともに、金属箔４を、金属支持基板２のジンバル部１８の切欠部１９において、各配線１７と厚み方向において対向しないように、かつ、切欠部１９を除く部分の回路付サスペンション基板１において、各配線１７と厚み方向において対向するように、形成する。
【選択図】図３

Description

本発明は、配線回路基板、詳しくは、回路付サスペンション基板などの配線回路基板に関する。
ハードディスクドライブに用いられる回路付サスペンション基板は、磁気ヘッドを支持するサスペンション基板に、配線回路パターンが絶縁層を介して形成されている配線回路基板である。この回路付サスペンション基板は、磁気ヘッドと磁気ディスクとが相対的に走行するときの空気流に抗して、磁気ディスクとの間に微小な間隔を保持して、磁気ヘッドの良好な浮上姿勢を得ることができるので、近年、広く普及しつつある。
このような回路付サスペンション基板には、通常、その先端部において、磁気ヘッドを搭載するスライダーを搭載するためのタング部と、そのタング部の幅方向両側に配置され、配線回路パターンが形成されるアウトリガー部とを備えるジンバル部が形成されている。そして、磁気ディスクに対するスライダーの浮上姿勢（角度）を精密に調整するには、このアウトリガー部の剛性が重要な要因となっている。
一方、近年、データの高密度化の観点から、このような回路付サスペンション基板では、信号の高周波数化が必要になるところ、高周波数化を図ると、導体パターンにおいて伝送損失が大きくなる。
そのため、例えば、サスペンションの上に、下部導体と、絶縁層と、記録側線路および再生側線路からなる導体とを順次積層して、導体の伝送損失を低減させることが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
特開２００５−１１３８７号公報（図３〜図７）
しかるに、近年、スライダーの小型化に伴なって、磁気ディスクに対するスライダーの浮上姿勢（角度）を、より精密に調整することが求められている。
しかし、特許文献１の提案のように、下部導体を導体に沿って設けると、アウトリガー部の剛性が大きくなり、スライダーの浮上姿勢（角度）を精密に調整することが困難となる。
本発明の目的は、導体パターンの伝送損失を低減させることができながら、実装部品に対する操作性を向上させることのできる配線回路基板を提供することにある。
上記の目的を達成するため、本発明の配線回路基板は、金属支持基板と、前記金属支持基板の上に形成される金属箔と、前記金属支持基板の上に、前記金属箔を被覆するように形成される第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上に形成され、複数の配線を有する導体パターンとを備え、前記金属箔は、各前記配線の長手方向に沿って、各前記配線の一部と厚み方向において対向しないように、かつ、各前記配線の残部と厚み方向において対向するように、配置されていることを特徴としている。
また、本発明の配線回路基板では、前記金属支持基板には、各前記配線の前記一部と厚み方向において対向する開口部が形成されていることが好適である。
また、本発明の配線回路基板では、前記配線回路基板が、回路付サスペンション基板であることが好適である。
また、本発明の配線回路基板では、前記金属支持基板には、各前記配線の前記一部と厚み方向において対向し、平面視略Ｕ字状の開口部が形成されており、前記開口部に挟まれ、磁気ヘッドが搭載されるタング部と、前記開口部の外側に配置されるアウトリガー部とを備えていることが好適である。
また、本発明の配線回路基板では、前記金属箔は、各前記配線と対向する面積が、各前記配線の面積１００％に対して、７０％以上であることが好適である。
また、本発明の配線回路基板では、さらに、前記金属箔と前記金属支持基板との間に介在される第１金属薄膜を備えていることが好適である。
また、本発明の配線回路基板では、さらに、前記第１金属薄膜と前記金属支持基板との間に介在される第２絶縁層を備えていることが好適である。
本発明の配線回路基板によれば、金属箔が各配線の残部と厚み方向において対向するので、簡易な層構成により、導体パターンの伝送損失を低減させることができる。
一方、金属箔は、各配線の一部と厚み方向において対向しないので、各配線の一部と対応する部分の剛性を小さくすることができる。そのため、かかる部分の近傍に実装部品を実装すれば、実装部品に対する優れた操作性を確保することができる。
その結果、伝送損失の低減を図りつつ、優れた操作性を確保することができる。
図１は、本発明の配線回路基板の一実施形態としての回路付サスペンション基板の平面図を示し、図２は、図１に示す回路付サスペンション基板における先端部の拡大図であり、(ａ)は要部平面図、（ｂ）は要部背面図を示し、図３は、図２に示す先端部の断面図であり、（ａ）はＡ−Ａ線断面図、（ｂ）はＢ−Ｂ線断面図、（ｃ）はＣ−Ｃ線断面図を示す。なお、図１において、金属支持基板２に対する導体パターン８の相対配置を明確に示すために、後述する第２ベース絶縁層３、第１ベース絶縁層５およびカバー絶縁層１１は省略されている。
図１において、この回路付サスペンション基板１は、ハードディスクドライブの磁気ヘッド（図示せず）が実装される金属支持基板２に、磁気ヘッドとリード・ライト基板（図示せず）とを接続するための導体パターン８が一体的に形成されている。
導体パターン８は、後述するが、磁気ヘッドの接続端子に接続するための磁気ヘッド側接続端子部１５と、リード・ライト基板の接続端子に接続するための外部側接続端子部１６と、磁気ヘッド側接続端子部１５および外部側接続端子部１６（以下、これらを単に「端子部２３」と総称する場合がある。）を接続するための複数の配線１７とを一体的に備えている。
金属支持基板２は、長手方向に延びる平面視略クランク形状に形成されている。金属支持基板２の長手方向一端部（以下、先端部という。）には、磁気ヘッド側接続端子部１５が設けられている。また、金属支持基板２の長手方向他端部（以下、後端部という。）には、外部側接続端子部１６が設けられている。
そして、この回路付サスペンション基板１は、図３（ｃ）に示すように、金属支持基板２と、金属支持基板２の上に形成される第２絶縁層としての第２ベース絶縁層３と、第２ベース絶縁層３の上に形成される第１金属薄膜６とを備えている。また、回路付サスペンション基板１は、第１金属薄膜６の上に形成される金属箔４と、第２ベース絶縁層３の上に、金属箔４を被覆するように形成される第２金属薄膜７と、第２ベース絶縁層３の上に、第２金属薄膜７を被覆するように形成される第１絶縁層としての第１ベース絶縁層５とを備えている。また、回路付サスペンション基板１は、第１ベース絶縁層５の上に形成される第３金属薄膜９と、第３金属薄膜９の上に形成される導体パターン８と、第１ベース絶縁層５の上に、導体パターン８を被覆するように形成される第４金属薄膜１０とを備えている。また、回路付サスペンション基板１は、第１ベース絶縁層５の上に、第４金属薄膜１０を被覆するように形成されるカバー絶縁層１１を備えている。
金属支持基板２は、金属箔や金属薄板から形成されている。また、金属支持基板２の長さおよび幅は、その目的および用途に応じて、適宜選択される。
第２ベース絶縁層３は、金属支持基板２の表面に、導体パターン８に対応する部分に形成されており、長手方向に連続して形成されている。また、第２ベース絶縁層３は、図２に示すように、長手方向途中において、幅方向両側において互いに間隔を隔てて長手方向に沿って２本配置されている。また、第２ベース絶縁層３は、回路付サスペンション基板１の先端部および後端部（図２において図示せず）においては、幅方向両側の各第２ベース絶縁層３が連続するように、幅方向に沿って形成されている。
第２ベース絶縁層３の幅は、適宜選択され、長手方向途中に配置される各第２ベース絶縁層３の幅Ｗ１が、例えば、０．０３〜５ｍｍ、好ましくは、０．１〜３ｍｍである。
第１金属薄膜６は、図３（ｃ）に示すように、第２ベース絶縁層３の表面において、金属箔４が形成されている部分と厚み方向において対向するパターンとして形成されている。また、第１金属薄膜６は、金属箔４と第２ベース絶縁層３との間に介在している。
金属箔４は、第２ベース絶縁層３の上であって、第１金属薄膜６の表面に、導体パターン８が形成されている部分と厚み方向において対向するパターンとして形成されている。より具体的には、金属箔４は、第１金属薄膜６の上面全面に形成されている。
また、金属箔４は、第２ベース絶縁層３よりも幅狭となるように形成されており、長手方向途中に配置される各金属箔４の幅Ｗ２は、例えば、０．０２〜４．９９ｍｍ、好ましくは、０．０９〜２．９９ｍｍである。
第２金属薄膜７は、金属箔４の表面に、金属箔４を被覆するように形成されている。より具体的には、第２金属薄膜７は、金属箔４の上面および側面と、第１金属薄膜６の側面とに、これらを被覆するように、形成されている。また、この第２金属薄膜７は、金属箔４および第１金属薄膜６と、第１ベース絶縁層５との間に介在している。
第１ベース絶縁層５は、第２ベース絶縁層３の上に、第２金属薄膜７を被覆するように形成されている。より具体的には、第１ベース絶縁層５は、幅方向において、第２金属薄膜７の側面および上面を被覆するように、第２ベース絶縁層３の上面全面に形成されている。長手方向途中に配置される第１ベース絶縁層５の幅は、例えば、第２ベース絶縁層３の幅Ｗ１と同一または相異なっていてもよく、例えば、０．０３〜５ｍｍ、好ましくは、０．１〜３ｍｍである。
第３金属薄膜９は、第１ベース絶縁層５の表面に、導体パターン８が形成されている部分と厚み方向において対向するパターンとして形成されている。また、この第３金属薄膜９は、第１ベース絶縁層５と導体パターン８との間に介在している。
導体パターン８は、第１ベース絶縁層５の上であって、第３金属薄膜９の表面に配置されている。導体パターン８は、図１に示すように、長手方向途中において、長手方向に沿って並行状に設けられる複数（例えば、４本）の配線１７ａ、１７ｂ、１７ｃおよび１７ｄと各配線１７に接続される端子部２３とからなる配線回路パターンとして形成されている。
導体パターン８では、配線１７ａ、１７ｂ、１７ｃおよび１７ｄが、幅方向一方側から幅方向他方側に向かって順次並列配置されている。さらに、図２（ａ）に示すように、配線１７ａおよび１７ｂと、配線１７ｃおよび１７ｄとは、それぞれ、各第２ベース絶縁層３に対応するように、１対毎に設けられている。
各端子部２３は、図１に示すように、幅方向に沿って配列配置されており、幅広の角ランドとして形成されている。磁気ヘッド側接続端子部１５には、各配線１７の先端が接続されており、外部側接続端子部１６には、各配線１７の後端が接続されている。
各配線１７の幅は、例えば、１０〜１５０μｍ、好ましくは、２０〜１００μｍである。配線１７ａおよび１７ｂ間の間隔と、配線１７ｃおよび１７ｄ間の間隔とは、例えば、１０〜２００μｍ、好ましくは、２０〜１５０μｍである。また、配線１７ｂおよび１７ｃ間の間隔は、長手方向途中において、例えば、１０〜１０００μｍ、好ましくは、１５〜５００μｍである。各配線１７の長さＬ１は、適宜選択され、例えば、５〜２００ｍｍ、好ましくは、１０〜１００ｍｍである。
第４金属薄膜１０は、図３（ｃ）に示すように、導体パターン８の表面に、導体パターン８を被覆するように形成されている。より具体的には、第４金属薄膜１０は、各配線１７の上面および側面と、第３金属薄膜９の側面とに、これらを被覆するように、形成されている。また、この第４金属薄膜１０は、導体パターン８および第３金属薄膜９と、カバー絶縁層１１との間に介在している。また、第４金属薄膜１０は、図示しないが、端子部２３が露出するように、形成されている。
カバー絶縁層１１は、第１ベース絶縁層５の上に、第４金属薄膜１０を被覆するように形成されている。より具体的には、カバー絶縁層１１は、第４金属薄膜１０の側面および上面を被覆するように、第１ベース絶縁層５の上面全面に形成されている。なお、カバー絶縁層１１は、図２（ａ）が参照されるように、端子部２３が露出するように、形成されている。
そして、この回路付サスペンション基板１の先端部には、図２に示すように、ジンバル部１８が設けられている。
ジンバル部１８には、厚み方向を貫通する開口部としての切欠部１９が形成されている。切欠部１９は、ジンバル部１８の長手方向途中で幅方向略中央に形成され、平面視において先側に向かって開く略Ｕ字状に形成されている。
また、ジンバル部１８には、切欠部１９に幅方向において挟まれるタング部２０と、切欠部１９の幅方向両外側に配置されるアウトリガー部２１と、タング部２０およびアウトリガー部２１の先側に配置される端子形成部１２とが設けられている。
ジンバル部１８の寸法は、適宜選択され、図２（ｂ）が参照されるように、タング部２０の幅方向両外側における切欠部１９の各幅Ｗ３が、例えば、０．０５〜２ｍｍ、好ましくは、０．１〜１ｍｍであり、長さＬ３が、例えば、０．１〜１０ｍｍ、好ましくは、１〜７ｍｍである。また、タング部２０の後側における切欠部１９の幅（幅方向長さ）Ｗ４が、例えば、０．１〜１０ｍｍ、好ましくは、０．５〜７ｍｍであり、長さ（長手方向長さ）Ｌ４が、例えば、０．０５〜９ｍｍ、好ましくは、０．５〜６ｍｍである。また、アウトリガー部２１の幅Ｗ５が、例えば、０．０３〜３ｍｍ、好ましくは、１〜２．５ｍｍである。また、端子形成部１２の長さは、例えば、０．１〜１０ｍｍ、好ましくは、１〜７ｍｍである。
タング部２０は、端子形成部１２から後側に向かって延びる平面視略矩形状に形成されている。また、タング部２０は、図２（ａ）の仮想線で示すように、磁気ヘッドが搭載されるスライダー（図示せず）が搭載される搭載部２２を備えている。搭載部２２は、スライダーを搭載するための領域であって、タング部２０の長手方向中央および幅方向中央に配置され、平面視略矩形状に形成されている。また、タング部２０は、図３（ｂ）に示すように、金属支持基板２のみから形成されている。
アウトリガー部２１は、図２に示すように、長手方向に沿って延びる平面視略平帯形状に形成されており、ジンバル部１８の後端部および先端部の間に架設されている。また、アウトリガー部２１は、ジンバル部１８の後端部および先端部に対して幅方向両外側に張り出すように屈曲して形成されている。また、アウトリガー部２１は、図３（ｂ）に示すように、金属支持基板２のみから形成されている。
端子形成部１２は、図２に示すように、タング部２０の先側およびアウトリガー部２１の先側にこれらと連続して形成されている。端子形成部１２は、ジンバル部１８の幅方向にわたって配置され、平面視略矩形状に形成されている。また、端子形成部１２は、図３（ａ）に示すように、金属支持基板２、第２ベース絶縁層３、第１金属薄膜６、金属箔４、第２金属薄膜７、第１ベース絶縁層５、第３金属薄膜９、導体パターン８、第４金属薄膜１０およびカバー絶縁層１１から形成されている。
第２ベース絶縁層３は、ジンバル部１８の後端部において、図２（ａ）および図３（ａ）に示すように、長手方向途中に配置される各第２ベース絶縁層３の先端からそれぞれ連続して形成されている。また、各第２ベース絶縁層３は、図２に示すように、タング部２０の幅方向両外側における切欠部１９を通過するように、長手方向途中の第２ベース絶縁層３から、端子形成部１２に向かって直線状に延びるように形成されている。
そして、各第２ベース絶縁層３は、端子形成部１２に至り、端子形成部１２においては、端子形成部１２の幅方向に沿って、平面視略矩形状に形成されている。
金属箔４は、図２の１点鎖線で示すように、ジンバル部１８の後端部において、長手方向途中に配置される各金属箔４の先端からそれぞれ連続して形成されており、長手方向途中の金属箔４から切欠部１９の後端縁のやや後側まで延びるように形成されている。そして、金属箔４は、切欠部１９において形成されておらず、端子形成部１２において、形成されている。つまり、金属箔４は、切欠部１９によって、長手方向に沿って、分断されている。また、金属箔４は、端子形成部１２において、磁気ヘッド側接続端子部１５および各配線１７に厚み方向において対向するように形成されており、端子形成部１２の幅方向に沿って形成されている。
より具体的には、金属箔４は、端子形成部１２において、各配線１７と厚み方向に対向配置されるＵ字部１３と、Ｕ字部１３の幅方向中央から後側に向かって連続して延び、磁気ヘッド側接続端子部１５と厚み方向に対向配置される延出部１４とを、一体的に備えている。Ｕ字部１３は、平面視において、後側に向かって開く略Ｕ字状に形成されている。
また、延出部１４は、平面視略矩形状に形成されている。
金属箔４が分断される長さ（図２（ｂ）参照）Ｄは、例えば、１．０〜２０ｍｍ、好ましくは、１．１〜１０．１ｍｍである。
これにより、金属箔４は、その全長、すなわち、各配線１７に沿う長さの合計が、各配線１７の長さ１００％に対して、例えば、７０％以上、好ましくは、８０％以上、通常、９５％以下に設定されている。換言すれば、各配線１７と厚み方向に対向する金属箔４の面積が、各配線１７の面積１００％に対して、例えば、７０％以上、好ましくは、８０％以上、通常、９５％以下に設定されている。なお、金属箔４の面積が上記した範囲に満たないと、導体パターン８の伝送損失を低減させることが困難となる場合がある。
第１金属薄膜６および第２金属薄膜７は、図３（ａ）に示すように、ジンバル部１８の後端部において、回路付サスペンション基板１の長手方向途中に配置される第１金属薄膜６および第２金属薄膜７から連続してそれぞれ形成されている。第１金属薄膜６は、切欠部１９を除くジンバル部１８において、第２ベース絶縁層３の上面に、金属箔４のパターンで形成されている。第２金属薄膜７は、ジンバル部１８において、金属箔４の表面に形成されている。
第１ベース絶縁層５は、ジンバル部１８の後端部において、回路付サスペンション基板１の長手方向途中に配置される各第１ベース絶縁層５の先端からそれぞれ連続して形成されている。また、各第１ベース絶縁層５は、図２に示すように、タング部２０の幅方向両外側における切欠部１９を通過するように、長手方向途中の第１ベース絶縁層５の先端から、ジンバル部１８の先側に向かって直線状に延びるように形成されている。そして、各第１ベース絶縁層５は、端子形成部１２に至り、端子形成部１２においては、ジンバル部１８の幅方向に沿って、平面視略矩形状に形成されている。
つまり、第１ベース絶縁層５は、図３（ａ）に示すように、ジンバル部１８の後端部および端子形成部１２において、第２金属薄膜７の側面および上面を被覆するように、第２ベース絶縁層３の上面全面に形成されている。また、第１ベース絶縁層５は、切欠部１９において、第２ベース絶縁層３の上面全面に形成されている。
導体パターン８は、図２の破線で示すように、ジンバル部１８の後端部においては、各配線１７が、回路付サスペンション基板１の長手方向途中の各配線１７の先端から連続して形成されるとともに、磁気ヘッド側接続端子部１５が、端子形成部１２に形成されている。
各配線１７は、ジンバル部１８の後端部における各配線１７から、端子形成部１２に向かって、タング部２０の幅方向両外側における切欠部１９を長手方向に沿って通過するように直線状に延びている。そして、各配線１７は、端子形成部１２に至り、端子形成部１２においては、各配線１７が幅方向内側に一旦屈曲して、さらに、後側に向かって屈曲して、その後、磁気ヘッド側接続端子部１５の先端部に連続するように、引き回されている。
第３金属薄膜９および第４金属薄膜１０は、図３（ａ）に示すように、ジンバル部１８において、回路付サスペンション基板１の長手方向途中に配置される第３金属薄膜９および第４金属薄膜１０から連続してそれぞれ形成されている。また、第３金属薄膜９は、ジンバル部１８において、第１ベース絶縁層５の上面に、導体パターン８の配線回路パターンで形成されている。また、第４金属薄膜１０は、各配線１７の表面に形成されている。
カバー絶縁層１１は、図２に示すように、ジンバル部１８の後端部において、回路付サスペンション基板１の長手方向途中に配置される各カバー絶縁層１１の先端からそれぞれ連続して形成されている。また、各カバー絶縁層１１は、タング部２０の幅方向両外側における切欠部１９を通過するように、長手方向途中の第１ベース絶縁層５の先端から、ジンバル部１８の先側に向かって直線状に延びるように形成されている。
そして、各カバー絶縁層１１は、端子形成部１２に至り、端子形成部１２においては、後側に向かって開く平面視略Ｕ字状に形成されている。これにより、カバー絶縁層１１は、磁気ヘッド側接続端子部１５を露出させている。
図４〜図６は、図３に示す回路付サスペンション基板の製造方法を示す製造工程図であって、図３（ａ）に対応する断面図である。
次いで、この回路付サスペンション基板１の製造方法について、図４〜図６を参照して説明する。
まず、この方法では、図４（ａ）に示すように、金属支持基板２を用意する。
金属支持基板２を形成する金属としては、例えば、ステンレス、４２アロイなどが用いられ、好ましくは、ステンレスが用いられる。金属支持基板２の厚みは、例えば、１５〜３０μｍ、好ましくは、２０〜２５μｍである。
次いで、この方法では、図４（ｂ）に示すように、第２ベース絶縁層３を金属支持基板２の上に形成する。
第２ベース絶縁層３を形成する絶縁体としては、例えば、ポリイミド、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニルなどの合成樹脂が用いられる。これらのうち、好ましくは、感光性の合成樹脂が用いられ、さらに好ましくは、感光性ポリイミドが用いられる。
第２ベース絶縁層３を形成するには、金属支持基板２の上に、例えば、感光性の合成樹脂を塗布し、乾燥後、上記したパターンで露光および現像し、必要により硬化させる。
また、第２ベース絶縁層３の形成は、金属支持基板２の上に、上記した合成樹脂の溶液を均一に塗布した後、乾燥し、次いで、必要に応じて、加熱することによって硬化させ、その後、エッチングなどにより上記したパターンに形成することもできる。さらに、第２ベース絶縁層３の形成は、上記の方法に制限されず、例えば、合成樹脂を上記したパターンのフィルムに予め形成して、そのフィルムを、金属支持基板２の表面に、公知の接着剤層を介して貼着することもできる。
このようにして形成される第２ベース絶縁層３の厚みは、例えば、０．５〜５μｍ、好ましくは、１〜３μｍである。
次いで、この方法では、図４（ｃ）に示すように、金属支持基板２を含む第２ベース絶縁層３の上に、第１金属薄膜６を形成する。
第１金属薄膜６を形成する金属としては、例えば、銅、クロム、金、銀、白金、ニッケル、チタン、ケイ素、マンガン、ジルコニウム、およびそれらの合金、またはそれらの酸化物などが用いられる。好ましくは、銅、クロム、ニッケルおよびそれらの合金が用いられる。また、第１金属薄膜６は、複数の層から形成することもできる。
第１金属薄膜６は、例えば、スパッタリング、電解めっきまたは無電解めっきなどにより、形成される。
スパッタリングとしては、例えば、上記した金属をターゲットとするスパッタリングが用いられ、好ましくは、クロムスパッタリングおよび銅スパッタリングが用いられ、これらによりクロム薄膜と銅薄膜とを順次積層する。
電解めっきとしては、例えば、上記した金属のめっき溶液に、図４（ｂ）に示す製造途中の回路付サスペンション基板１を浸漬しながら通電する電解めっきが用いられる。
無電解めっきとしては、例えば、上記した金属のめっき溶液に、図４（ｂ）に示す製造途中の回路付サスペンション基板１を浸漬する無電解めっきが用いられる。
これらのうち、好ましくは、スパッタリングにより、第１金属薄膜６を形成する。
このようにして形成される第１金属薄膜６の厚みは、例えば、０．０１〜１μｍ、好ましくは、０．０１〜０．１μｍである。
次いで、この方法では、図４（ｄ）に示すように、第１金属薄膜６の上に、金属箔４を上記したパターンで形成するとともに、金属箔４から露出する第１金属薄膜６を除去する。
金属箔４を形成するには、第１金属薄膜６の表面に、例えば、アディティブ法、サブトラクティブ法などによって、パターンニングする。
アディティブ法では、まず、第１金属薄膜６の表面に、上記したパターンと逆パターンでめっきレジストを形成した後、めっきレジストから露出する第１金属薄膜６の表面に、電解めっきにより、金属箔４を形成する。その後、めっきレジストおよびそのめっきレジストが積層されていた部分の第１金属薄膜６を除去する。
サブトラクティブ法では、まず、第１金属薄膜６の表面に導体層を形成する。導体層を形成するには、例えば、第１金属薄膜６の表面に、公知の接着剤層を介して導体層を貼着する。次いで、導体層の上に、上記したパターンと同一パターンのエッチングレジストを形成し、このエッチングレジストをレジストとして、導体層をエッチングして金属箔４を形成する。次いで、エッチングレジストから露出する第１金属薄膜６をエッチングして、その後、エッチングレジストを除去する。
これにより、金属箔４を、金属箔４が切欠部１９において長手方向に沿って分断される上記したパターンで形成するとともに、金属箔４から露出する第１金属薄膜６を除去することができる。
このようにして形成される金属箔４の厚みは、例えば、０．１〜５μｍ、好ましくは、１〜５μｍである。
次いで、この方法では、図５（ｅ）に示すように、第２金属薄膜７を、金属箔４の表面（第１金属薄膜６の側面を含む。）に形成する。
第２金属薄膜７を形成する金属としては、例えば、ニッケル、クロム、またはニッケルとクロムとの合金（ニクロム）が用いられる。好ましくは、ニッケルが用いられる。
第２金属薄膜７は、例えば、スパッタリング、電解めっきまたは無電解めっきなどにより、形成される。好ましくは、無電解めっきにより、第２金属薄膜７を形成する。
無電解めっきでは、例えば、上記した金属のめっき溶液、好ましくは、ニッケルのめっき溶液に、図４（ｄ）に示す製造途中の回路付サスペンション基板１を浸漬することにより、ニッケルからなる第２金属薄膜７を形成する。
このようにして形成される第２金属薄膜７の厚みは、例えば、０．０１〜１μｍ、好ましくは、０．０１〜０．１μｍである。
次いで、この方法では、図５（ｆ）に示すように、第１ベース絶縁層５を、第２ベース絶縁層３の上に、第２金属薄膜７を被覆するように形成する。
第１ベース絶縁層５を形成する絶縁体としては、上記した第２ベース絶縁層３と同様の絶縁体が用いられる。好ましくは、感光性の合成樹脂が用いられ、さらに好ましくは、感光性ポリイミドが用いられる。
また、第１ベース絶縁層５を形成するには、第２金属薄膜７を含む第２ベース絶縁層３の上に、例えば、感光性の合成樹脂を塗布し、乾燥後、上記したパターンで露光および現像し、必要により硬化させる。
また、第１ベース絶縁層５の形成は、第２金属薄膜７を含む第２ベース絶縁層３の上に、上記した合成樹脂の溶液を均一に塗布した後、乾燥し、次いで、必要に応じて、加熱することによって硬化させ、その後、エッチングなどにより上記したパターンに形成することもできる。さらに、第１ベース絶縁層５の形成は、上記の方法に制限されず、例えば、合成樹脂を上記したパターンのフィルムに予め形成して、そのフィルムを、第２金属薄膜７を含む第２ベース絶縁層３の表面に、公知の接着剤層を介して貼着することもできる。
このようにして形成される第１ベース絶縁層５の厚みは、例えば、１〜１０μｍ、好ましくは、５〜１０μｍである。
次いで、この方法では、図５（ｇ）に示すように、第１ベース絶縁層５の上に、第３金属薄膜９および導体パターン８を、上記した配線回路パターンで順次形成する。
第３金属薄膜９および導体パターン８を形成するには、まず、第１ベース絶縁層５の上に第３金属薄膜９を形成し、その後、導体パターン８を上記したパターンで形成するとともに、導体パターン８から露出する第３金属薄膜９を除去する。
第３金属薄膜９を形成する金属としては、上記した第１金属薄膜６と同様の金属が用いられる。好ましくは、銅、クロム、ニッケルが用いられる。また、第３金属薄膜９は、複数の層から形成することもできる。
第３金属薄膜９は、第１金属薄膜６を形成する方法と同様の方法により形成する。好ましくは、クロムスパッタリングおよび銅スパッタリングにより、クロム薄膜と銅薄膜とを順次積層することにより、形成する。このようにして形成される第３金属薄膜９の厚みは、例えば、０．０１〜１μｍ、好ましくは、０．０１〜０．１μｍである。
導体パターン８を形成するには、第３金属薄膜９の表面に、例えば、アディティブ法、サブトラクティブ法などによって、パターンニングする。
アディティブ法では、まず、第３金属薄膜９の表面に、上記した配線回路パターンと逆パターンでめっきレジストを形成した後、めっきレジストから露出する第１金属薄膜６の表面に、電解めっきにより、導体パターン８を形成する。その後、めっきレジストおよびそのめっきレジストが積層されていた部分の第３金属薄膜９を除去する。
サブトラクティブ法では、まず、第３金属薄膜９の表面に導体層を形成する。導体層を形成するには、例えば、第３金属薄膜９の表面に、公知の接着剤層を介して導体層を貼着する。次いで、導体層の上に、上記した配線回路パターンと同一パターンのエッチングレジストを形成し、このエッチングレジストをレジストとして、導体層をエッチングして導体パターン８を形成する。次いで、エッチングレジストから露出する第３金属薄膜９をエッチングして、その後、エッチングレジストを除去する。
このようにして形成される導体パターン８の厚みは、例えば、５〜２０μｍ、好ましくは、７〜１５μｍである。
次いで、この方法では、図６（ｈ）に示すように、第４金属薄膜１０を、導体パターン８の表面（第３金属薄膜９の側面を含む。）に形成する。
第４金属薄膜１０を形成する金属としては、第２金属薄膜７と同様の金属が用いられ、好ましくは、ニッケルが用いられる。
第４金属薄膜１０は、第２金属薄膜７を形成する方法と同様の方法により形成する。好ましくは、ニッケルのめっき溶液に、図５（ｇ）に示す製造途中の回路付サスペンション基板１を浸漬する無電解ニッケルめっきにより、ニッケルからなる第４金属薄膜１０を形成する。
このようにして形成される第４金属薄膜１０の厚みは、例えば、０．０１〜１μｍ、好ましくは、０．０１〜０．１μｍである。
次いで、この方法では、図６（ｉ）に示すように、カバー絶縁層１１を、第１ベース絶縁層５の上に、第４金属薄膜１０を被覆するように形成する。
カバー絶縁層１１を形成する絶縁体としては、上記した第２ベース絶縁層３と同様の絶縁体が用いられる。好ましくは、感光性の合成樹脂が用いられ、さらに好ましくは、感光性ポリイミドが用いられる。
カバー絶縁層１１を形成するには、第４金属薄膜１０を含む第１ベース絶縁層５の上に、例えば、感光性の合成樹脂を塗布し、乾燥後、上記したパターンで露光および現像し、必要により硬化させる。
また、カバー絶縁層１１の形成は、第４金属薄膜１０を含む第１ベース絶縁層５の上に、上記した合成樹脂の溶液を均一に塗布した後、乾燥し、次いで、必要に応じて、加熱することによって硬化させ、その後、エッチングなどにより上記したパターンに形成することもできる。さらに、カバー絶縁層１１の形成は、上記の方法に制限されず、例えば、合成樹脂を上記したパターンのフィルムに予め形成して、そのフィルムを、第４金属薄膜１０を含む第１ベース絶縁層５の表面に、公知の接着剤層を介して貼着することもできる。
このようにして形成されるカバー絶縁層１１の厚みは、例えば、２〜１０μｍ、好ましくは、３〜６μｍである。
その後、図示しないが、端子部２３の上面に形成されている第４金属薄膜１０を、エッチングなどにより除去する。
次いで、この方法では、図６（ｊ）に示すように、金属支持基板２を、例えば、エッチング、穿孔、レーザー加工などにより外形加工するとともに、切欠部１９を形成して、ジンバル部１８を備える回路付サスペンション基板１を得る。
そして、この回路付サスペンション基板１では、金属箔４が、切欠部１９を除いた部分における各配線１７と厚み方向において対向している。そのため、簡易な層構成により、導体パターン８の伝送損失を低減させることができる。
一方、切欠部１９においては、金属箔４は、各配線１７と厚み方向において対向しないので、切欠部１９における第２ベース絶縁層３、第１ベース絶縁層５、各配線１７およびカバー絶縁層１１の剛性を小さくして、柔軟性を確保することができる。そのため、搭載部２２に、磁気ヘッドが搭載されるスライダーを搭載すれば、磁気ディスクに対するスライダーの浮上姿勢（角度）を、精密に調整することができる。とりわけ、小型のスライダーを搭載する場合であっても、スライダーの浮上姿勢（角度）を、精密に調整することができる。
その結果、導体パターン８の伝送損失の低減を図りつつ、スライダーの浮上姿勢を精密に調整することができる。
また、第２ベース絶縁層３は、切欠部１９を除いた部分において、第１金属薄膜６と金属支持基板２との間に介在している。そのため、簡易な層構成により、導体パターン８の伝送損失を低減させることができる。これとともに、第１金属薄膜６と金属支持基板２との密着性を十分に図ることができ、優れた長期信頼性を確保することができる。
また、第１金属薄膜６は、切欠部１９を除いた部分において、金属箔４と第２ベース絶縁層３との間に介在しているので、簡易な層構成により、伝送損失を低減させることができる。これとともに、金属箔４と第２ベース絶縁層３との密着性を十分に図ることができ、優れた長期信頼性を確保することができる。
つまり、この回路付サスペンション基板１の切欠部１９を除いた部分では、金属支持基板２と金属箔４との間に、第２ベース絶縁層３および第１金属薄膜６が順次形成されているので、簡易な層構成により、伝送損失を低減させることができる。これとともに、金属支持基板２と金属箔４との密着性を十分に図ることができ、優れた長期信頼性を確保することができる。
なお、上記の説明では、本発明の配線回路基板を、金属支持基板２を備える回路付サスペンション基板１として例示して説明したが、本発明の配線回路基板は、これに限定されない。例えば、本発明の配線回路基板を、金属支持基板２を補強層として備えるフレキシブル配線回路基板などの他の配線回路基板にも広く適用することができる。
また、上記の説明では、ジンバル部１８に切欠部１９を形成したが、切欠部１９を形成することなく、ジンバル部１８を、長手方向および幅方向において連続する平板状に形成することもできる。
好ましくは、ジンバル部１８に切欠部１９を形成し、上記したこれら各層を、切欠部１９を通過するように配置する。このように配置することにより、切欠部１９における各層の剛性をより一層を小さくすることができる。
また、上記の説明では、本発明の配線回路基板を、第２ベース絶縁層３および第１金属薄膜６を備える回路付サスペンション基板１として例示して説明したが、本発明の配線回路基板は、これに限定されず、例えば、第２ベース絶縁層３および／または第１金属薄膜６を備えない回路付サスペンション基板にも適用することができる。
以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されることはない。
実施例１
まず、厚み２５μｍのステンレスからなる金属支持基板を用意し（図４（ａ）参照）、金属支持基板の表面に、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを塗布し、乾燥後、露光および現像し、さらに加熱硬化することにより、厚み１０μｍのポリイミドからなる第２ベース絶縁層を、上記したパターンで形成した（図４（ｂ）参照）。
次いで、金属支持基板を含む第２ベース絶縁層の表面に、第１金属薄膜として厚み０．０３μｍのクロム薄膜と厚み０．０７μｍの銅薄膜とを、クロムスパッタリングと銅スパッタリングとによって順次形成した（図４（ｃ）参照）。
次いで、金属箔のパターンと逆パターンのめっきレジストを、第１金属薄膜の表面に、形成し、その後、めっきレジストから露出する第１金属薄膜の表面に、金属箔として厚み４．０μｍの銅箔を、電解銅めっきにより形成した。次いで、めっきレジストおよびめっきレジストが形成されていた部分の第１金属薄膜を、化学エッチングにより除去した（図４（ｄ）参照）。なお、金属箔は、長手方向において分断されており、その分断長さは、２０ｍｍであった。
次いで、金属箔の表面（第１金属薄膜の側面を含む。）に、第２金属薄膜として厚み０．１μｍのニッケル薄膜を、無電解ニッケルめっきによって、形成した（図５（ｅ）参照）。
次いで、第２金属薄膜を含む第２ベース絶縁層の全面に、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを塗布し、乾燥後、露光および現像し、さらに加熱硬化することにより、厚み１０μｍのポリイミドからなる第１ベース絶縁層を、上記したパターンで形成した（図５（ｆ）参照）。
次いで、第１ベース絶縁層の上に、アディティブ法により、種膜となる第３金属薄膜および導体パターンを、順次形成した。
アディティブ法では、第１ベース絶縁層の全面に、第３金属薄膜として厚み０．０３μｍのクロム薄膜と厚み０．０７μｍの銅薄膜とを、クロムスパッタリングと銅スパッタリングとによって順次形成した。次いで、導体パターンの逆パターンのめっきレジストを、第３金属薄膜の表面に形成した。次いで、めっきレジストから露出する第３金属薄膜の表面に、複数の配線および端子部を一体的に備える厚み１０μｍの導体パターンを、電解銅めっきにより形成した。次いで、めっきレジストおよびめっきレジストが形成されていた部分の第３金属薄膜を、化学エッチングにより除去した（図５（ｇ）参照）。
なお、各配線の長さは、１００ｍｍであった。また、この各配線と厚み方向に対向する金属箔の面積は、各配線の面積１００％に対して、８０％となった。
次いで、導体パターンの表面（第３金属薄膜の側面を含む。）に、第４金属薄膜として厚み０．１μｍのニッケル薄膜を、無電解ニッケルめっきによって形成した（図６（ｈ）参照）。
次いで、第４金属薄膜を含む第１ベース絶縁層の全面に、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを塗布し、乾燥後、露光および現像し、さらに加熱硬化することにより、厚み５μｍのポリイミドからなるカバー絶縁層を、上記したパターンで形成した（図６（ｉ）参照）。その後、端子部の上面に形成された第４金属薄膜を、エッチングにより除去した。
次いで、金属支持基板をエッチングして、切欠部が形成されたジンバル部を備える回路付サスペンション基板を得た（図６（ｊ）参照）。なお、金属箔は、切欠部において分断されるように形成された。
実施例２
金属箔の分断長さを３０ｍｍに変更した以外は、実施例１と同様にして、回路付サスペンション基板を得た。なお、各配線と厚み方向に対向する金属箔の面積は、各配線の面積１００％に対して、７０％であった。
実施例３
金属箔の分断長さを４０ｍｍに変更した以外は、実施例１と同様にして、回路付サスペンション基板を得た。なお、各配線と厚み方向に対向する金属箔の面積は、各配線の面積１００％に対して、６０％であった。
比較例１
ジンバル部において、金属箔と第１金属薄膜および第２金属薄膜とを長手方向に沿って連続して形成した以外は、実施例１と同様にして、回路付サスペンション基板を得た。
（評価）
（１） 伝送効率
各実施例および比較例において得られた回路付サスペンション基板において、出力信号強度（ＰOUT）と入力信号強度（ＰIN）とを測定し、下記式（１）のように、出力信号強度の入力信号強度に対する比率として、伝送効率を評価した。その結果を表１に示す。
伝送効率（％）＝ＰOUT／ＰIN・・・ （１）
（２） 角度制御
各実施例および比較例において得られた回路付サスペンション基板に、スライダーを搭載し、そのスライダーに磁気ヘッドを搭載した。そして、この回路付サスペンション基板をハードディスクドライブに実装して、磁気ディスクに対する磁気ヘッドの角度の制御を、三次元測長機により、評価した。その結果を表１に示す。
Figure 2008282995
なお、表１中、角度制御の評価の略号を以下に説明する。
○： 設計通りに、磁気ヘッドの角度を制御することができた
×： 設計通りに、磁気ヘッドの角度を制御することができなかった
本発明の配線回路基板の一実施形態としての回路付サスペンション基板の平面図を示す。 図１に示す回路付サスペンション基板における先端部の拡大図であり、(ａ)は要部平面図、（ｂ）は要部背面図を示す。 図２に示す先端部の断面図であり、（ａ）はＡ−Ａ線断面図、（ｂ）はＢ−Ｂ線断面図、（ｃ）はＣ−Ｃ線断面図を示す。 図３に示す回路付サスペンション基板の製造方法を示す製造工程図であり、図３（ａ）に対応する断面図であって、（ａ）は、金属支持基板を用意する工程、（ｂ）は、金属支持基板の上に、第２ベース絶縁層を形成する工程、（ｃ）は、第２ベース絶縁層の上に、第１金属薄膜を形成する工程、（ｄ）は、第１金属薄膜の上に、金属箔を形成するとともに、金属箔から露出する第１金属薄膜を除去する工程を示す。 図４に続いて、図３に示す回路付サスペンション基板の製造方法を示す製造工程図であり、図３（ａ）に対応する断面図であって、（ｅ）は、第２金属薄膜を、金属箔の表面に形成する工程、（ｆ）は、第２ベース絶縁層の上に、第１ベース絶縁層を形成する工程、（ｇ）は、第１ベース絶縁層の上に、第３金属薄膜および導体パターンを順次形成する工程を示す。 図５に続いて、図３に示す回路付サスペンション基板の製造方法を示す製造工程図であり、図３（ａ）に対応する断面図であって、（ｈ）は、第４金属薄膜を、導体パターンの表面に形成する工程、（ｉ）は、カバー絶縁層を、第１ベース絶縁層の上に形成する工程、（ｊ）は、金属支持基板を外形加工して、切欠部を形成する工程を示す。
符号の説明
１ 回路付サスペンション基板
２ 金属支持基板
３ 第２ベース絶縁層
４ 金属箔
５ 第１ベース絶縁層
６ 第１金属薄膜
８ 導体パターン
１７ 配線
１９ 切欠部
２０ タング部
２１ アウトリガー部

Claims (7)

  1. 金属支持基板と、
    前記金属支持基板の上に形成される金属箔と、
    前記金属支持基板の上に、前記金属箔を被覆するように形成される第１絶縁層と、
    前記第１絶縁層の上に形成され、複数の配線を有する導体パターンとを備え、
    前記金属箔は、各前記配線の長手方向に沿って、各前記配線の一部と厚み方向において対向しないように、かつ、各前記配線の残部と厚み方向において対向するように、配置されていることを特徴とする、配線回路基板。
  2. 前記金属支持基板には、各前記配線の前記一部と厚み方向において対向する開口部が形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板。
  3. 前記配線回路基板が、回路付サスペンション基板であることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板。
  4. 前記金属支持基板には、各前記配線の前記一部と厚み方向において対向し、平面視略Ｕ字状の開口部が形成されており、
    前記開口部に挟まれ、磁気ヘッドが搭載されるタング部と、前記開口部の外側に配置されるアウトリガー部とを備えていることを特徴とする、請求項３に記載の配線回路基板。
  5. 前記金属箔は、各前記配線と対向する面積が、各前記配線の面積１００％に対して、７０％以上であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の配線回路基板。
  6. さらに、前記金属箔と前記金属支持基板との間に介在される第１金属薄膜を備えていることを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の配線回路基板。
  7. さらに、前記第１金属薄膜と前記金属支持基板との間に介在される第２絶縁層を備えていることを特徴とする、請求項６に記載の配線回路基板。
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