JP2009188379A - 配線回路基板 - Google Patents

Abstract

【課題】平坦で、かつ、薄型化を図りつつ、第１配線および第２配線におけるインピーダンスを安定させることのできる配線回路基板を提供すること。
【解決手段】金属支持基板２の上にベース絶縁層３を形成し、ベース絶縁層３の上に、第１配線４を、厚みが１μｍ以下で形成し、ベース絶縁層３の上に、第１配線４を被覆するように中間絶縁層５を、第１配線４の厚みＴ１の３倍以上の厚みＴ２で形成し、中間絶縁層５の上に、第１配線４と厚み方向において対向配置される第２配線６を形成する。
【選択図】図１

Description

本発明は、配線回路基板、詳しくは、回路付サスペンション基板やフレキシブル配線回路基板、あるいは、多層配線回路基板などの配線回路基板に関する。

近年、配線の高密度化に対応すべく、回路付サスペンション基板やフレキシブル配線回路基板などの配線回路基板では、配線の構造として、一方の配線と他方の配線とを絶縁層を厚み方向に挟んで対向配置するダブルデッカー構造が知られている。
例えば、導体層のクロストークの発生を抑制すべく、絶縁層の第２層（下側絶縁層）と、その上に形成される第２の導体（下側導体）と、これらを被覆する絶縁層の第１層（上側絶縁層）と、その上に、第２の導体と厚み方向に対向配置されるように形成される第１の導体（上側導体）とを備えるディスク用サスペンションが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
特開２００４−１３３９８８号公報（図９）

しかし、特許文献１で提案されるディスク用サスペンションでは、下側導体の厚みが、上側絶縁層の厚みに対して比較的厚く（具体的には、約半分の厚みで）形成されている。
そのため、下側導体の幅方向両端部において、上側絶縁層に、下側導体に対応する大きな段差を生じやすい。その結果、ディスク用サスペンションにおいて凹凸を生じるという不具合がある。

また、かかる凹凸の発生を防止するためには、上側絶縁層の厚みを厚くすればよいが、上側絶縁層の厚みを厚くすると、ディスク用サスペンションの厚みが厚くなり、薄型化を図ることができないという不具合がある。
また、ダブルデッカー構造において、かかる段差が形成された上側絶縁層の上に、下側導体と厚み方向において対向するように、上側導体を形成すると、段差に起因して上側導体の位置ずれを生じ、上側導体の配置の精度が低下するおそれがある。その結果、下側導体および上側導体におけるインピーダンスが不安定になるという不具合がある。

本発明の目的は、平坦で、かつ、薄型化を図りつつ、第１配線および第２配線におけるインピーダンスを安定させることのできる配線回路基板を提供することにある。

上記の目的を達成するため、本発明の配線回路基板は、第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上に形成される第１配線と、前記第１絶縁層の上に、前記第１配線を被覆するように形成される第２絶縁層と、前記第２絶縁層の上に、前記第１配線と厚み方向において対向配置されるように形成される第２配線とを備え、前記第１配線の厚みは、１μｍ以下で、かつ、前記第２絶縁層の厚みの３分の１以下であることを特徴としている。

この配線回路基板では、第１配線の厚みが、１μｍ以下で、かつ、第２絶縁層の厚みの３分の１以下であるので、第２絶縁層は、厚みが厚く形成されることなく、平坦に形成される。そのため、配線回路基板において、平坦で、かつ、薄型化を図ることができる。
また、第２配線は、平坦な第２絶縁層の上に形成されるので、第２配線の配置の精度を向上させることができる。その結果、第１配線および第２配線のインピーダンスを確実に安定させることができる。

また、本発明の配線回路基板では、前記第１配線は、間隔を隔てて並行するように複数設けられ、各前記第１配線間の間隔が、各前記第１配線の幅より長いことが好適である。
各第１配線間の間隔が、各第１配線の幅より長い場合には、第２絶縁層において段差を生じやすいところ、この配線回路基板では、第１配線の厚みが上記した特定の厚みであり、かつ、第１配線の厚みと第２絶縁層の厚みとが上記した特定の関係であるため、第２絶縁層における段差の発生を防止して、第２絶縁層を平坦に形成することができる。

また、本発明の配線回路基板では、前記第１配線は、物理蒸着法により形成されていることが好適である。
この配線回路基板では、第１配線は、物理蒸着法により形成されているので、第１配線を、上記した特定の厚みで形成することができる。
また、本発明の配線回路基板では、さらに、前記第２絶縁層の上に、前記第２配線を被覆するように形成される少なくとも１つの絶縁層およびその絶縁層の上に形成される少なくとも１つの配線を備え、前記配線が、前記第２配線と厚み方向において対向配置されていることが好適である。

絶縁層および配線をさらに形成することによって、配線回路基板を多層化する場合には、絶縁層において、段差を生じやすいところ、この配線回路基板では、第１配線の厚みが上記した特定の厚みであり、かつ、第１配線の厚みと第２絶縁層の厚みとが上記した特定の関係であるため、絶縁層における段差の発生を防止して、絶縁層を平坦に形成することができる。

本発明の配線回路基板によれば、平坦で、かつ、薄型化を図りつつ、第１配線および第２配線のインピーダンスを確実に安定させることができる。

図１は、本発明の配線回路基板の一実施形態を示す要部断面図、図２〜４は、図１に示す配線回路基板の製造方法を示す工程図である。
図１において、この配線回路基板１は、ハードディスクドライブに搭載される回路付サスペンション基板であって、長手方向に延びる金属支持基板２と、金属支持基板２の上に形成される第１絶縁層としてのベース絶縁層３とを備えている。また、配線回路基板１は、ベース絶縁層３の上に形成される第１配線４と、ベース絶縁層３の上に、第１配線４を被覆するように形成される第２絶縁層としての中間絶縁層５と、中間絶縁層５の上に形成される第２配線６と、中間絶縁層５の上に、第２配線６を被覆するように形成される絶縁層としてのカバー絶縁層７とを備えている。

金属支持基板２は、平板状の金属箔や金属薄板からなる。金属支持基板２の厚みは、例えば、１０〜３０μｍ、好ましくは、１５〜２５μｍである。
ベース絶縁層３は、金属支持基板２の表面に形成されている。より具体的には、ベース絶縁層３は、幅方向（長手方向に直交する方向）において、金属支持基板２の上面全面に形成されている。ベース絶縁層３の厚みは、例えば、６〜１５μｍ、好ましくは、８〜１２μｍである。

第１配線４は、ベース絶縁層３の表面に形成されており、長手方向に沿って延びるように、幅方向に間隔を隔てて並行するように複数（例えば、２本）設けられている。また、各第１配線４は、断面視略扁平矩形状に形成されている。なお、各第１配線４の長手方向両端部には、図示しない第１端子部が設けられている。これら第１配線４および第１端子部は、配線回路パターンとして連続して形成されている。

そして、各第１配線４は、後述する第２配線６とともに、リード配線およびライト配線に対応してそれぞれ設けられており、より具体的には、第１配線４は、第１リード配線４Ｒと第１ライト配線４Ｗとを備えている。第１リード配線４Ｒは、幅方向一方側（図１における左側）に配置されるとともに、第１ライト配線４Ｗは、幅方向他方側（図１における右側）に第１リード配線４Ｒと間隔を隔てて配置されている。

また、第１配線４の厚み（図１においてＴ１で示される。）は、１μｍ以下であり、かつ、後述する中間絶縁層５の厚みの３分の１以下である。
すなわち、第１配線４の厚みＴ１は、中間絶縁層５の厚み（ベース絶縁層３の表面からカバー絶縁層７の下面までの厚みであって、図１においてＴ２で示される。）を１００％とした場合には、３３．３％以下であり、好ましくは、１０％以下であり、さらに好ましくは、５％以下、とりわけ好ましくは、１％以下であり、通常、０．５％以上に設定される。より具体的には、第１配線４の厚みＴ１は、好ましくは、１μｍ以下、さらに好ましくは、０．５μｍ以下、とりわけ好ましくは、０．１μｍ以下であり、通常、０．０５μｍ以上である。

また、各第１配線４の幅（幅方向長さであり、図１においてＷ１で示される。）は、好ましくは、各第１配線４間の間隔（幅方向の間隔であって、第１リード配線４Ｒおよび第１ライト配線４Ｗ間の間隔。図１においてＷ２で示される。）より短く、換言すれば、各第１配線４間の間隔Ｗ２は、好ましくは、各第１配線４の幅Ｗ１より長く設定されている。

すなわち、各第１配線４の幅Ｗ１は、各第１配線４間の間隔Ｗ２を１００％とした場合には、例えば、２５〜２５０％であり、好ましくは、６０％以上１００未満である。具体的には、各第１配線４の幅Ｗ１は、例えば、８〜２５μｍ、好ましくは、１５〜２０μｍであり、また、各第１配線４間の間隔Ｗ２は、例えば、１０〜３０μｍ、好ましくは、２０〜２５μｍである。

通常、各第１配線４間の間隔Ｗ２が、各第１配線４の幅Ｗ１より長い場合には、中間絶縁層５において各第１配線４に対応する段差を生じやすいところ、この配線回路基板１では、第１配線４の厚みＴ１が上記した特定の厚みであり、かつ、第１配線４の厚みＴ１と中間絶縁層５の厚みＴ２とが上記した特定の関係であるため、かかる段差の発生を防止して、中間絶縁層５を平坦に形成することができる。

中間絶縁層５は、第１配線４およびベース絶縁層３の表面を被覆している。より具体的には、中間絶縁層５は、幅方向において、第１配線４を含むベース絶縁層３の上面全面に形成されている。
中間絶縁層５の厚みＴ２は、第１配線４の厚みＴ１が中間絶縁層５の厚みＴ２の３分の１以下となるように設定されている。つまり、中間絶縁層５の厚みＴ２は、第１配線４の厚みＴ１の３倍以上の厚みとなるように設定されている。より具体的には、中間絶縁層５の厚みＴ２は、例えば、１〜１０μｍ、好ましくは、２〜８μｍ、さらに好ましくは、３〜７μｍ、とりわけ好ましくは、４〜６μｍである。

第２配線６は、中間絶縁層５の表面に形成されており、第１配線４に対応するように設けられている。すなわち、第２配線６は、長手方向に沿って延びるように、幅方向に間隔を隔てて並行するように複数（例えば、２本）設けられ、各第１配線４と厚み方向上方において対向配置されている。また、各第２配線６は、断面視略扁平矩形状に形成されている。なお、各第２配線６の長手方向両端部には、図示しない第２端子部が設けられている。これら第２配線６および第２端子部は、配線回路パターンとして連続して形成されている。

そして、各第２配線６は、各第１配線４とともに、リード配線およびライト配線に対応してそれぞれ設けられており、より具体的には、第２配線６は、第２リード配線６Ｒと第２ライト配線６Ｗとを備えている。第２リード配線６Ｒは、幅方向一方側（図１における左側）に配置されるとともに、第２ライト配線６Ｗが、幅方向他方側（図１における右側）に第２リード配線６Ｒと間隔を隔てて配置されている。

これにより、第２リード配線６Ｒは、第１リード配線４Ｒと厚み方向上方に対向配置されるとともに、第２ライト配線６Ｗは、第１ライト配線４Ｗと厚み方向上方に対向配置されている。
第２配線６の厚みは、特に制限されず、例えば、第１配線４の厚みＴ１と同様の厚みに設定されている。また、各第２配線６の幅および各第２配線６間の間隔は、例えば、第１配線４の幅Ｗ１および第１配線４間の間隔と同様の幅および間隔と同様にそれぞれ設定されている。

カバー絶縁層７は、第２配線６および中間絶縁層５の表面を被覆している。より具体的には、カバー絶縁層７は、幅方向において、第２配線６を含む中間絶縁層５の上面全面に形成されている。
カバー絶縁層７の厚みは、特に制限されず、例えば、中間絶縁層５の厚みＴ２と同様の厚みに設定されている。

なお、この配線回路基板１には、図示しないが、必要により、第１配線４の表面に形成される第１金属薄膜と、第２配線６の表面に形成される第２金属薄膜とが設けられている。図示しない第１金属薄膜および第２金属薄膜は、例えば、ニッケルなどの金属材料からなり、その厚みは、例えば、０．０１〜０．１μｍである。
次に、この配線回路基板１の製造方法について、図２〜４を参照して、説明する。

まず、この方法では、図２（ａ）に示すように、金属支持基板２を用意する。金属支持基板２を形成する金属材料としては、例えば、ステンレス、４２アロイなどが用いられ、好ましくは、ステンレス（例えば、ＡＩＳＩ（米国鉄鋼協会）の規格に基づく、ＳＵＳ３０４など）などが用いられる。
次いで、この方法では、図２（ｂ）に示すように、ベース絶縁層３を、金属支持基板２の上に形成する。

ベース絶縁層３を形成する絶縁材料としては、例えば、ポリイミド、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニルなどの合成樹脂が用いられる。これらのうち、好ましくは、感光性の合成樹脂が用いられ、さらに好ましくは、感光性ポリイミドが用いられる。
ベース絶縁層３を形成するには、例えば、上記した合成樹脂の溶液（ワニス）を金属支持基板２の上面全面に均一に塗布した後、乾燥し、次いで、必要に応じて、加熱することによって硬化させる。

また、ベース絶縁層３は、感光性の合成樹脂の溶液（ワニス）を塗布し、乾燥後、露光および現像し、必要により硬化させることにより、パターンとして形成することもできる。さらに、ベース絶縁層３の形成は、上記の方法に制限されず、例えば、予め合成樹脂をフィルムに形成して、そのフィルムを、金属支持基板２の表面に、公知の接着剤層を介して貼着することもできる。

次いで、この方法では、図２（ｃ）に示すように、第１配線４および図示しない第１端子部をベース絶縁層３の上に、上記したパターンで形成する。
第１配線４および第１端子部を形成する材料としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはそれらの合金などの金属材料が用いられる。これらのうち、好ましくは、銅が用いられる。

第１配線４および第１端子部を形成するには、例えば、サブトラクティブ法、アディティブ法などの公知のパターンニング法が用いられる。好ましくは、サブトラクティブ法が用いられる。
第１配線４および第１端子部をサブトラクティブ法により形成するには、まず、図３（ａ）に示すように、第１導体層２０を、ベース絶縁層３の上面全面に形成する。

第１導体層２０を形成する方法としては、例えば、物理蒸着法（ＰＶＤ法）、例えば、無電解めっきなどのめっき、例えば、予め導体をフィルムに形成して、そのフィルムを、ベース絶縁層３の上面全面に必要により接着剤層を介して貼着する方法など、各種成膜方法が用いられる。これら成膜方法は、単独使用または併用することができる。
好ましくは、物理蒸着法が用いられる。物理蒸着法であれば、後の工程で第１配線４および第１端子部に形成される第１導体層２０を、上記した特定の厚みで容易に形成することができる。

物理蒸着法としては、例えば、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法などが用いられる。好ましくは、スパッタリング法が用いられる。
次いで、この方法では、図３（ｂ）に示すように、第１導体層２０の上に、第１配線４および第１端子部の配線回路パターンと同一パターンの第１エッチングレジスト２１を形成する。第１エッチングレジスト２１は、例えば、ドライフィルムフォトレジストを第１導体層２０の表面全面に積層し、次いで、露光および現像する公知の方法により形成する。

次いで、この方法では、図３（ｃ）に示すように、第１エッチングレジスト２１から露出する第１導体層２０を、エッチングする。エッチングは、例えば、エッチング液として塩化第二鉄水溶液などを用いて、浸漬法またはスプレー法によって、ウエットエッチングする。
その後、この方法では、図３（ｄ）に示すように、第１エッチングレジスト２１を、エッチングまたは剥離によって、除去する。

これによって、第１配線４および第１端子部をサブトラクティブ法により形成することができる。
なお、第１配線４および第１端子部をアディティブ法により形成するには、図示しないが、例えば、まず、ベース絶縁層３の上面全面に、銅、クロム、ニッケルおよびそれらの合金などからなる、種膜を、スパッタリング法により形成する。種膜の厚みは、２０〜５００ｎｍ、好ましくは、５０〜３００ｎｍである。次いで、種膜の表面に、ドライフィルムレジストを設けて、これを露光および現像して、第１配線４および第１端子部と逆パターンのめっきレジストを形成する。次いで、めっきにより、めっきレジストから露出する種膜の表面に、第１配線４および第１端子部を配線回路パターンとして形成し、次いで、めっきレジストおよびめっきレジストが形成されていた部分の種膜を除去する。

これにより、図２（ｃ）に示すように、第１配線４および第１端子部を上記したパターンで形成する。
その後、この方法では、図示しないが、必要により、第１配線４の表面に第１金属薄膜を形成する。第１金属薄膜を形成する方法としては、例えば、めっき、好ましくは、無電解めっきなどが用いられる。

次いで、この方法では、図２（ｄ）に示すように、中間絶縁層５を、ベース絶縁層３の上に、第１配線４を被覆するように、形成する。
中間絶縁層５を形成する絶縁材料としては、上記したベース絶縁層３と同様の絶縁材料が用いられる。
中間絶縁層５を形成するには、例えば、上記した合成樹脂の溶液（ワニス）を、第１配線４を含むベース絶縁層３の上面全面に均一に塗布した後、乾燥し、次いで、必要に応じて、加熱することによって硬化させる。

また、中間絶縁層５は、感光性の合成樹脂の溶液（ワニス）を塗布し、乾燥後、露光および現像し、必要により硬化させることにより、パターンとして形成することもできる。さらに、中間絶縁層５の形成は、上記の方法に制限されず、例えば、予め合成樹脂をフィルムに形成して、そのフィルムを、第１配線４を含むベース絶縁層３の表面に、公知の接着剤層を介して貼着することもできる。

次いで、この方法では、図２（ｅ）に示すように、第２配線６および図示しない第２端子部を、中間絶縁層５の上に、上記したパターンで形成する。
第２配線６および第２端子部を形成する材料としては、上記した第１配線４および第１端子部と同様の材料が用いられる。
第２配線６および第２端子部を形成するには、上記と同様のパターンニング法が用いられ、好ましくは、サブトラクティブ法が用いられる。

第２配線６および第２端子部をサブトラクティブ法により形成するには、まず、図４（ａ）に示すように、第２導体層２２を、中間絶縁層５の上面全面に形成する。第２導体層２２を形成するには、上記した第１導体層２０の形成と同様の方法が用いられる。
次いで、この方法では、図４（ｂ）に示すように、第２導体層２２の上に、第２配線６および第２端子部の配線回路パターンと同一パターンの第２エッチングレジスト２３を形成する。第２エッチングレジスト２３を形成するには、上記した第１エッチングレジスト２１の形成と同様の方法が用いられる。

次いで、この方法では、図４（ｃ）に示すように、第２エッチングレジスト２３から露出する第２導体層２２をエッチングする。第２導体層２２のエッチングは、上記した第１導体層２０のエッチングと同様の方法が用いられる。
次いで、この方法では、図４（ｄ）に示すように、第２エッチングレジスト２３を、第１エッチングレジスト２１と同様の方法によって、除去する。

これによって、第２配線６および第２端子部をサブトラクティブ法により形成することができる。
なお、第２配線６および第２端子部をアディティブ法により形成する場合には、上記したアディティブ法と同様の方法が用いられる。
これにより、図２（ｅ）に示すように、第２配線６および第２端子部を上記したパターンで形成する。

その後、この方法では、図示しないが、必要により、第２金属薄膜を、第２配線６の表面に形成する。第２金属薄膜を形成する方法としては、第１金属薄膜を形成する方法と同様の方法が用いられる。
次いで、この方法では、図２（ｆ）に示すように、カバー絶縁層７を、中間絶縁層５の上に、第２配線６を被覆するように、形成する。

カバー絶縁層７を形成する絶縁材料としては、上記したベース絶縁層３と同様の絶縁材料が用いられる。
カバー絶縁層７を形成するには、例えば、上記した合成樹脂の溶液（ワニス）を、第２配線６を含む中間絶縁層５の上面全面に均一に塗布した後、乾燥し、次いで、必要に応じて、加熱することによって硬化させる。

また、カバー絶縁層７は、感光性の合成樹脂の溶液（ワニス）を塗布し、乾燥後、露光および現像し、必要により硬化させることにより、パターンとして形成することもできる。さらに、カバー絶縁層７の形成は、上記の方法に制限されず、例えば、予め合成樹脂をフィルムに形成して、そのフィルムを、第２配線６を含む中間絶縁層５の表面に、公知の接着剤層を介して貼着することもできる。

その後、必要により、金属支持基板２を所望の形状に外形加工して、配線回路基板１を得る。
このようにして得られる配線回路基板１は、その厚み（各層の合計厚み）が、例えば、１８〜６５μｍ、好ましくは、２７〜６３μｍであって、金属支持基板２を除いた配線回路基板１の厚み（すなわち、ベース絶縁層３、第１配線４、中間絶縁層５、第２配線６およびカバー絶縁層７の合計の厚み）が、例えば、８〜３５μｍ、好ましくは、１２〜２８μｍである。

そして、この配線回路基板１では、第１配線４の厚みＴ１が、１μｍ以下で、かつ、中間絶縁層５の厚みＴ２の３分の１以下であるので、中間絶縁層５は、厚みが厚く形成されることなく、平坦に形成されている。そのため、配線回路基板１において、平坦で、かつ、薄型化を図ることができる。
また、第２配線６は、平坦な中間絶縁層５の上に形成されるので、第２配線６の配置の精度を向上させることができる。その結果、第１配線４および第２配線６を厚み方向において正確に対向配置されることができ、それらのインピーダンスを確実に安定させることができる。

さらに、第２配線６の厚みが、第１配線４の厚みＴ１と同様の厚みであるので、カバー絶縁層７は、厚みが厚く形成されることなく、平坦に形成される。
なお、上記した説明では、第１配線４を、第１リード配線４Ｒおよび第１ライト配線４Ｗから形成し、第２配線６を、第２リード配線６Ｒおよび第２ライト配線６Ｗから形成したが、これに限定されず、例えば、図示しないが、第１配線４を、リード配線（第１リード配線４Ｒおよび第２リード配線４Ｒ’）のみから形成するとともに、第２配線６を、ライト配線（第１ライト配線４Ｗおよび第２ライト配線４Ｗ’）のみから形成することができる。あるいは、第１配線４を、ライト配線のみから形成するとともに、第２配線６を、リード配線のみから形成することもできる。

また、上記した説明では、本発明の配線回路基板を、金属支持基板２を備える回路付サスペンション基板として例示して説明したが、本発明の配線回路基板は、これに限定されず、例えば、図示しないが、金属支持基板２を備えないフレキシブル配線回路基板として形成することもできる。
図５は、本発明の配線回路基板の他の実施形態である多層配線回路基板（３層の配線回路パターンを備える態様）を示す要部断面図を示す。なお、上記した各部に対応する部材については、図５において同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。

上記した説明では、本発明の配線回路基板を、第１配線４と第２配線６との２層の配線回路パターンを備える配線回路基板として例示したが、本発明の配線回路基板は、これに限定されず、例えば、３層以上の配線回路パターンを備える多層配線回路基板として形成することができる。
具体的には、図５に示すように、本発明の配線回路基板を、カバー絶縁層７の上に第３配線８が形成され、第１配線４と第２配線６と第３配線８との３層の配線回路パターンを備える多層配線回路基板３０として形成する。

多層配線回路基板３０は、多層回路付サスペンションであって、この多層配線回路基板３０には、第３配線８が、長手方向に沿って延びるように、幅方向に間隔を隔てて並行するように複数（例えば、２本）設けられている。また、各第３配線８は、各第２配線６と厚み方向上方において対向配置されている。また、各第３配線８は、断面視略扁平矩形状に形成されている。

また、多層配線回路基板３０は、カバー絶縁層７の上に、第３配線８を被覆するように形成されるビルドアップ層９を備えている。ビルドアップ層９の厚みは、カバー絶縁層７の厚みと同様の厚みに設定されている。
そして、この多層配線回路基板３０では、カバー絶縁層７の上に、第３配線８およびビルドアップ層９が形成されているので、通常、多層配線回路基板においては、ビルドアップ層９において、段差を生じやすいところ、この多層配線回路基板３０では、第１配線４、第２配線６および第３配線８の厚みが上記した特定の厚みであり、かつ、第１配線４の厚みＴ１と中間絶縁層５の厚みＴ２とが上記した特定の関係であるため、ビルドアップ層９における段差の発生を防止して、ビルドアップ層９を平坦に形成することができる。そのため、多層配線回路基板３０を平坦に形成することができる。

以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されることはない。
実施例１
まず、厚み２５μｍのステンレス（ＳＵＳ３０４）箔からなる金属支持基板を用意し（図２（ａ）参照）、次いで、金属支持基板の上面全面に、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを塗布し、乾燥後、露光および現像し、さらに加熱硬化することにより、厚み１０μｍのポリイミドからなるベース絶縁層を形成した（図２（ｂ）参照）。

次いで、ベース絶縁層の上に、サブトラクティブ法により、第１配線および第１端子部を形成した（図２（ｃ）参照）。
サブトラクティブ法では、まず、銅からなる厚み０．１μｍの第１導体層を、ベース絶縁層の上面全面に、スパッタリング法により形成した（図３（ａ）参照）。
次いで、ドライフィルムフォトレジストを第１導体層の表面全面に積層し、次いで、露光および現像することにより、第１導体層の上に、第１配線および第１端子部の配線回路パターンと同一パターンの第１エッチングレジストを形成した（図３（ｂ）参照）。

次いで、第１エッチングレジストから露出する第１導体層を、硝酸と過酸化水素との混合水溶液を用いて、ウエットエッチングした（図３（ｃ）参照）。
その後、第１エッチングレジストを、エッチングにより除去した（図３（ｄ）参照）。
第１配線の厚みは０．１μｍであり、各第１配線の幅は２０μｍであり、各第１配線間の間隔は２５μｍであった。

その後、無電解めっきにより、第１配線の表面に、ニッケルからなる厚み０．１μｍの第１金属薄膜を形成した。
次いで、第１配線（および第１金属薄膜）を含むベース絶縁層の上面全面に、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを塗布し、乾燥後、露光および現像し、さらに加熱硬化することにより、厚み５μｍのポリイミドからなる中間絶縁層を形成した（図２（ｄ）参照）。

次いで、中間絶縁層の上に、サブトラクティブ法により、第２配線および第２端子部を形成した（図２（ｅ）参照）。
サブトラクティブ法では、まず、銅からなる厚み０．１μｍの第２導体層を、中間絶縁層の上面全面に、スパッタリング法により形成した（図４（ａ）参照）。
次いで、ドライフィルムフォトレジストを第２導体層の表面全面に積層し、次いで、露光および現像することにより、第２導体層の上に、第２配線および第２端子部の配線回路パターンと同一パターンの第２エッチングレジストを形成した（図４（ｂ）参照）。

次いで、第２エッチングレジストから露出する第２導体層を、塩化第二鉄水溶液を用いて、ウエットエッチングした（図４（ｃ）参照）。
その後、第２エッチングレジストを、エッチングにより除去した（図４（ｄ）参照）。
第２配線の厚みは０．１μｍであり、各第２配線の幅は２０μｍであり、各第２配線間の間隔は２５μｍであった。また、第２配線は、厚み方向において第１配線と対向するように配置された。

その後、無電解めっきにより、第２配線の表面に、ニッケルからなる厚み０．１μｍの第２金属薄膜を形成した。
次いで、第２配線（および第２金属薄膜）を含む中間絶縁層の上面全面に、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを塗布し、乾燥後、露光および現像し、さらに加熱硬化することにより、厚み５μｍのポリイミドからなるカバー絶縁層を形成した（図１および図２（ｆ）参照）。その後、金属支持基板をエッチングにより、所望の形状に切り抜き、回路付サスペンション基板を得た。

実施例２
第１配線および第２配線の厚みを１μｍにそれぞれ変更した以外は、実施例１と同様に処理して、回路付サスペンション基板を得た。
実施例３
各第１配線の間隔と、各第１配線の幅とを同じ長さ、すなわち、２５μｍに変更するとともに、各第２配線の間隔と、各第２配線の幅とを同じ長さ、すなわち、２５μｍに変更した以外は、実施例１と同様に処理して、回路付サスペンション基板を得た。

比較例１
第１配線および第２配線の厚みを２μｍにそれぞれ変更した以外は、実施例１と同様に処理して、回路付サスペンション基板を得た。
比較例２
第１配線および第２配線の厚みを１μｍにそれぞれ変更し、また、中間絶縁層およびカバー絶縁層の厚みを２μｍにそれぞれ変更した。つまり、第１配線の厚みを、中間絶縁層の厚みの２分の１に変更するとともに、第２配線の厚みを、カバー絶縁層の厚みの２分の１に変更した。

（評価）
１） 表面観察
実施例１〜３、比較例１および２の回路付サスペンション基板の表面をＳＥＭにて観察した。
その結果、実施例１および２では、表面が平坦であり、また、実施例３では、表面に、やや凹凸が観察されたものの、その表面はほぼ平坦であった。

一方、比較例１および２では、図６に示すように、表面に第１配線および第２配線に起因する凹凸が確認された。
２） 厚み測定
実施例１〜３、比較例１および２の回路付サスペンション基板の厚みをリニアゲージにて測定した。

その結果、実施例１で４５μｍ、実施例２で４７μｍ、実施例３で４５μｍであるのに対し、比較例１で４５μｍ、比較例２で４１μｍであった。
３） ＳＥＭ観察
実施例１〜３、比較例１および２の回路付サスペンション基板を、機械研磨法により幅方向に沿って切断し、その切断面（幅方向断面）をＳＥＭ（電子顕微鏡）にて観察した。

その結果、実施例１〜３では、第２配線の位置ずれを生じず、平面視において第２配線と第１配線とが厚み方向において同一位置に配置されていることを確認した。
一方、比較例１および２では、図６に示すように、第２配線の位置ずれ（つまり、本来の形成位置（仮想線）から、実際の形成位置（実線）にずれる位置ずれ）を生じていることを確認した。

また、比較例１および２では、図６に示すように、中間絶縁層およびカバー絶縁層において段差（１０）を生じていた。
４） 特性インピーダンス
実施例１〜３、比較例１および２の回路付サスペンション基板において、第１配線および第２配線の特性インピーダンスの変動幅を、ＴＤＲ（Ｔｉｍｅ Ｄｏｍａｉｎ Ｒｅｆｌｅｃｔｏｍｅｔｒｙ）にて測定した。

その結果、実施例１〜３の特性インピーダンスの変動幅は５Ωであるのに対し、比較例１および２の特性インピーダンスの変動幅は１５Ωであった。
実施例１〜３、比較例１および２の回路付サスペンションにおける、第１配線の厚み、中間絶縁層の厚み、各第１配線間の間隔、各第１配線の幅および評価の結果を、表１にそれぞれ示す。

本発明の配線回路基板の一実施形態を示す要部断面図を示す。 図１に示す配線回路基板の製造方法を示す工程図であって、（ａ）は、金属支持基板を用意する工程、（ｂ）は、ベース絶縁層を、金属支持基板の上に形成する工程、（ｃ）は、第１配線を、ベース絶縁層の上に形成する工程、（ｄ）は、中間絶縁層を、ベース絶縁層の上に形成する工程、（ｅ）は、第２配線を、中間絶縁層の上に形成する工程、（ｆ）は、カバー絶縁層を、中間絶縁層の上に形成する工程を示す。 図２に示す回路付サスペンション基板の製造方法において、（ｃ）第１配線を、ベース絶縁層の上に形成する工程、を説明するための他の工程図であって、（ａ）は、第１導体層を、ベース絶縁層の上面全面に形成する工程、（ｂ）は、第１エッチングレジストを、第１導体層の上に形成する工程、（ｃ）は、第１エッチングレジストから露出する第１導体層をエッチングする工程、（ｄ）は、第１エッチングレジストを除去する工程を示す。 図２に示す回路付サスペンション基板の製造方法において、（ｅ）第２配線を、中間絶縁層の上に形成する工程、を説明するための他の工程図であって、（ａ）は、第２導体層を、中間絶縁層の上面全面に形成する工程、（ｂ）は、第２エッチングレジストを、第２導体層の上に形成する工程、（ｃ）は、第２エッチングレジストから露出する第２導体層をエッチングする工程、（ｄ）は、第２エッチングレジストを除去する工程を示す。 本発明の配線回路基板の他の実施形態である多層配線回路基板（３層の配線回路パターンを備える態様）を示す要部断面図を示す。 比較例１および２の回路付サスペンションの要部断面図を示す。

符号の説明

１ 配線回路基板
３ ベース絶縁層
４ 第１配線
５ 中間絶縁層
６ 第２配線
７ カバー絶縁層
８ 第３配線
９ ビルドアップ層
３０ 多層配線回路基板

Claims (4)

1. 第１絶縁層と、
   前記第１絶縁層の上に形成される第１配線と、
   前記第１絶縁層の上に、前記第１配線を被覆するように形成される第２絶縁層と、
   前記第２絶縁層の上に、前記第１配線と厚み方向において対向配置されるように形成される第２配線とを備え、
   前記第１配線の厚みは、１μｍ以下で、かつ、前記第２絶縁層の厚みの３分の１以下であることを特徴とする、配線回路基板。
2. 前記第１配線は、間隔を隔てて並行するように複数設けられ、
   各前記第１配線間の間隔が、各前記第１配線の幅より長いことを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板。
3. 前記第１配線は、物理蒸着法により形成されていることを特徴とする、請求項１または２に記載の配線回路基板。
4. さらに、前記第２絶縁層の上に、前記第２配線を被覆するように形成される少なくとも１つの絶縁層およびその絶縁層の上に形成される少なくとも１つの配線を備え、
   前記配線が、前記第２配線と厚み方向において対向配置されていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の配線回路基板。

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