JP2006040414A

JP2006040414A - 配線回路基板

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Publication number: JP2006040414A
Application number: JP2004219217A
Authority: JP
Inventors: Kyoya Oyabu; 恭也大薮; Yasuto Funada; 靖人船田; Hitonori Kanekawa; 仁紀金川; Tetsuya Osawa; 徹也大澤
Original assignee: Nitto Denko Corp
Current assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 2004-07-27
Filing date: 2004-07-27
Publication date: 2006-02-09
Also published as: CN1741136B; DE602005017333D1; EP1622434B1; CN1741136A; US7471519B2; EP1622434A1; US20060023435A1

Abstract

【課題】特性インピーダンスの不整合を防止して、磁気ヘッドからの電気信号を、制御基板部に効率的に伝達することのできる、配線回路基板を提供すること。
【解決手段】配線回路基板１を、磁気ヘッド１５を支持するためのサスペンション基板部２と、磁気ヘッド１５を動作させるための制御基板部３とを連続して一体的に形成する。より具体的には、共通のベース絶縁層９の上に、サスペンション基板部２においては、磁気ヘッド１５に接続される第１導体層１０と、制御基板部３においては、プリアンプＩＣ１２に接続される第２導体層１１とを同一材料から同時に形成し、さらに、第１導体層１０および第２導体層１１を被覆する共通のカバー絶縁層１３を、共通のベース絶縁層９の上に形成する。この配線回路基板１では、サスペンション基板部２と制御基板部３との境界で、第１導体層１０と第２導体層１１との接続点を不要とすることができる。
【選択図】図１

Description

本発明は、配線回路基板、詳しくは、ハードディスクドライブに用いられる配線回路基板に関する。

ハードディスクドライブには、図４に示すように、磁気ヘッド５１（図５参照）が搭載される回路付サスペンション基板５２と、その回路付サスペンション基板５２に接続され、磁気ヘッド５１を動作させるための制御回路基板５３とが設けられている。
回路付サスペンション基板５２は、図５に示すように、ステンレス箔などの金属基板５４の上に、ベース絶縁層５５、配線回路パターンからなる導体層５６およびカバー絶縁層５７が順次積層されている。

回路付サスペンション基板５２の長手方向一端部には、磁気ヘッドを搭載するための磁気ヘッド端子部５８が設けられている。磁気ヘッド端子部５８は、その一端部において、カバー絶縁層５７を開口して、導体層５６を露出させることにより形成されている。そして、一端部には、磁気ヘッド５１が搭載され、磁気ヘッド端子部５８には、めっき層５９を介して磁気ヘッド５１が接続されている。

回路付サスペンション基板５２の長手方向他端部には、制御回路基板５３と接続するための制御回路基板端子部６０が設けられている。制御回路基板端子部６０は、その他端部において、ベース絶縁層５５を開口して、導体層５６を露出させることにより形成されている。そして、他端部には、制御回路基板５３の一端部が対向配置され、制御回路基板端子部６０には、めっき層６１を介して、次に述べるサスペンション基板端子部６２が接続されている。

制御回路基板５３は、ベース絶縁層６３、配線回路パターンからなる導体層６４およびカバー絶縁層６５が順次積層されている。なお、後述するプリアンプ端子部６８および外部端子部６６に対応する部分には、ベース絶縁層６３における導体層６４が積層されている反対側に補強層７１および７２が積層されている。
制御回路基板５３の長手方向一端部には、上記した制御回路基板端子部６０と接続するためのサスペンション基板端子部６２が設けられている。サスペンション基板端子部６２は、その一端部において、カバー絶縁層６５を開口して、導体層６４を露出させることにより形成されている。そして、一端部には、回路付サスペンション基板５２の他端部が対向配置され、サスペンション基板端子部６２には、めっき層６１を介して、制御回路基板端子部６０が接続されている。

制御回路基板５３の長手方向他端部には、各種制御デバイスと接続するための外部端子部６６が設けられている。外部端子部６６は、その他端部において、カバー絶縁層６５を開口して、導体層６４を露出させることにより形成されている。そして、他端部には、図示しない各種制御デバイスが対向配置され、外部端子部６６には、めっき層７０を介して、各種制御デバイスが接続されている。

制御回路基板５３の長手方向一端部近傍には、プリアンプＩＣ６７と接続するためのプリアンプ端子部６８が設けられている。プリアンプ端子部６８は、その一端部近傍において、カバー絶縁層６５を開口して、導体層６４を露出させることにより形成されている。そして、一端部近傍には、プリアンプＩＣ６７が搭載され、プリアンプ端子部６８には、めっき層６９を介して、プリアンプＩＣ６７が接続されている。

そして、磁気ヘッド５１から出力される電気信号は、磁気ヘッド５１から回路付サスペンション基板５２の導体層５６を介して、制御回路基板端子部６０およびサスペンション基板端子部６２で中継された後、制御回路基板５３の導体層６４に伝達され、プリアンプＩＣ６７で増幅された後に、外部端子部６６から各種制御デバイスに出力される。
また、サスペンション基板と、制御回路基板との間に、中継フレキシブル配線回路基板を介在させることも知られている（例えば、特許文献１参照。）。
特開２００２−２２２５７８号公報

しかるに、近年における配線回路パターンの高密度化、微細配線化、さらには、電気信号の高周波数化に伴なって、回路付サスペンション基板から制御回路基板への電気信号の伝達において、特性インピーダンスの制御が重要となってきている。
しかし、制御回路基板端子部６０およびサスペンション基板端子部６２での接続点では、電気抵抗が大きく変化して、特性インピーダンスの不整合を生じる。

本発明の目的は、特性インピーダンスの不整合を防止して、磁気ヘッドからの電気信号を、制御基板部に効率的に伝達することのできる、配線回路基板を提供することにある。

上記の目的を達成するため、本発明の配線回路基板は、磁気ヘッドに接続される第１導体層を有し、前記磁気ヘッドを支持するためのサスペンション基板部と、プリアンプに接続される第２導体層を有し、磁気ヘッドを動作させるための制御基板部とを備え、前記サスペンション基板部と前記制御基板部とが、連続して一体的に形成されており、前記第１導体層と前記第２導体層とが、同一材料から形成されていることを特徴としている。

また、本発明の配線回路基板では、前記第１導体層が前記プリアンプに接続されることにより、前記第１導体層と前記第２導体層とが、前記プリアンプを介して電気的に接続されることが好適である。
また、本発明の配線回路基板では、前記サスペンション基板部および前記制御基板部は、前記サスペンション基板部においては、前記第１導体層がその上に形成され、前記制御基板部においては、前記第２導体層がその上に形成されており、同一材料から、連続して一体的に形成されている共通のベース絶縁層を備えていることが好適である。

また、この場合には、前記サスペンション基板部および前記制御基板部は、前記サスペンション基板部においては、前記第１導体層を被覆するように前記ベース絶縁層の上に形成され、前記制御基板部においては、前記第２導体層を被覆するように前記ベース絶縁層の上に形成されており、同一材料から、連続して一体的に形成されている共通のカバー絶縁層を備えていることが好適である。

本発明の配線回路基板は、磁気ヘッドを支持するためのサスペンション基板部と磁気ヘッドを動作させるための制御基板部とを連続して一体的に備えており、第１導体層と第２導体層とが同一材料から形成されている。そのため、サスペンション基板部と制御基板部との境界で、サスペンション基板部の第１導体層と制御基板部の第２導体層とを接続するための接続点を不要とすることができる。その結果、そのような接続点での特性インピーダンスの不整合を防止することができ、磁気ヘッドからの電気信号を、制御基板部に効率的に伝達することができる。

図１は、本発明の配線回路基板の一実施形態を示す平面図、図２は、図１に示す配線回路基板の長手方向に沿う要部断面図である。
図１において、この配線回路基板１は、磁気ヘッド１５（図２参照）を支持するためのサスペンション基板部２と、磁気ヘッドを動作させるための制御基板部３とを連続して一体的に備えている。

サスペンション基板部２は、配線回路基板１の長手方向一方側に配置されている。このサスペンション基板部２は、平面視略クランク形状に形成され、その一方側端部に、磁気ヘッド１５と接続するための磁気ヘッド端子部５が設けられている。磁気ヘッド端子部５では、複数の端子５ａが、幅方向（配線回路基板１の長手方向に直交する方向、以下同じ。）において並列配置されている。

また、サスペンション基板部２には、磁気ヘッド端子部５に接続される第１導体層１０が、配線回路パターンとして形成されている。この第１導体層１０は、一端が磁気ヘッド端子部５まで延び、他端が後述するプリアンプ端子部７との接続点まで延びるように形成され、幅方向において互いに所定間隔を隔てて並列位置される複数の配線１０ａとして形成されている。各配線１０ａは、一端において磁気ヘッド端子部５の各端子５ａと接続され、他端においてプリアンプ端子部７と接続されている。

制御基板部３は、配線回路基板１の長手方向他方側に配置されている。この制御基板部３は、平面視略Ｌ字状に形成され、外部端子部６およびプリアンプ搭載部４を備えている。外部端子部６では、配線回路基板１の他方側端部に、各種制御デバイスと接続するための複数の端子６ａが、幅方向において並列配置されている。
また、制御基板部３には、外部端子部６に接続される第２導体層１１が、配線回路パターンとして形成されている。この第２導体層１１は、一端が後述するプリアンプ端子部７との接続点まで延び、他端が外部端子部６まで延びるように形成され、幅方向において互いに所定間隔を隔てて並列位置される複数の配線１１ａとして形成されている。各配線１１ａは、一端においてプリアンプ端子部７と接続され、他端において外部端子部６の各端子６ａと接続されている。

プリアンプ搭載部４は、配線回路基板１の長手方向途中であって、サスペンション基板部２に隣り合う制御基板部３の一方側端部に配置されている。このプリアンプ搭載部４は、平面視幅広略矩形状に形成され、プリアンプ端子部７が設けられている。プリアンプ端子部７には、第１導体層１０が接続される第１端子７ａと、第２導体層１１が接続される第２端子７ｂとが、長手方向において所定間隔を隔てて対向配置されている。各第１端子７ａおよび各第２端子７ｂは、幅方向において複数並列配置されている。第１導体層１０および第２導体層１１は、上記したように、このプリアンプ端子部７まで延び、第１導体層１０の各配線１０ａが各第１端子７ａに接続され、第２導体層１１の各配線１１ａが各第２端子７ｂに接続されている。

また、このプリアンプ端子部７には、プリアンプＩＣ１２が実装される。このプリアンプＩＣ１２には、各第１端子７ａおよび各第２端子７ｂが接続される。
次に、この配線回路基板１の製造方法について、図３を参照して簡単に説明する。
この方法では、まず、図３（ａ）に示すように、金属基板８を用意する。
金属基板８としては、特に制限されないが、例えば、ステンレス、４２アロイなどからなる金属箔または金属薄板が用いられる。また、その厚さは、例えば、１０〜１００μｍ、好ましくは、１５〜３０μｍである。

次に、この方法では、図３（ｂ）に示すように、サスペンション基板部２および制御基板部３において、共通のベース絶縁層９を、同一材料から、連続して、所定のパターンとして一体的に形成する。ベース絶縁層９としては、例えば、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、ポリエーテルニトリル系樹脂、ポリエーテルスルホン系樹脂、ポリエチレンテレフタレート系樹脂、ポリエチレンナフタレート系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂などの合成樹脂が用いられる。これらのうち、所定のパターンでベース絶縁層９を形成するには、感光性の合成樹脂が用いられ、好ましくは、感光性ポリイミド樹脂が用いられる。

例えば、感光性ポリイミド樹脂を用いて、金属基板８の上に、所定のパターンでベース絶縁層９を形成する場合には、まず、感光性ポリイミド樹脂の前駆体（ポリアミック酸樹脂）のワニスを、金属基板８の全面に塗工した後、乾燥して、感光性ポリイミド樹脂の前駆体の皮膜を形成する。次いで、フォトマスクを介して皮膜を露光し、必要により加熱した後、現像することにより、その皮膜を所定のパターンに形成する。その後、皮膜を、例えば、最終的に２５０℃以上で加熱硬化（イミド化）して、ポリイミド樹脂からなるベース絶縁層９を、所定のパターンで形成する。

なお、感光性の合成樹脂を用いない場合には、例えば、合成樹脂を、所定のパターンのドライフィルムとして予め成形しておき、それを、金属基板８の上に貼着する。
また、ベース絶縁層９の厚みは、例えば、１〜３０μｍである。
次いで、この方法では、図３（ｃ）に示すように、共通のベース絶縁層９の上に、第１導体層１０および第２導体層１１を、上記した配線回路パターンで、同時に形成する。第１導体層１０および第２導体層１１は、同一材料から形成され、例えば、銅、ニッケル、金、はんだまたはこれらの合金などから形成される。好ましくは、銅から形成される。

また、第１導体層１０および第２導体層１１を、上記した配線回路パターンで形成するには、ベース絶縁層９の上に、例えば、サブトラクティブ法、アディティブ法などの公知のパターンニング法によって、上記した配線回路パターンで形成する。
サブトラクティブ法では、まず、ベース絶縁層９の全面に、必要により接着剤層を介して第１導体層１０および第２導体層１１を同時に積層し、次いで、この第１導体層１０および第２導体層１１の上に、配線回路パターンと同一パターンのエッチングレジストを形成し、このエッチングレジストをレジストとして、第１導体層１０および第２導体層１１を同時にエッチングして、その後に、エッチングレジストを除去する。

また、アディティブ法では、まず、ベース絶縁層９の上に、導体薄膜からなる種膜を、スパッタリングなどにより形成し、次いで、この種膜の上に、配線回路パターンと逆パターンでめっきレジストを形成した後、めっきレジストから露出する種膜の表面に、電解めっきにより、配線回路パターンとして第１導体層１０および第２導体層１１を同時に形成し、その後に、めっきレジストおよびそのめっきレジストが積層されていた部分の種膜を除去する。

これらのパターンニング法のなかでは、微細な配線回路パターンを形成できる観点より、好ましくは、アディティブ法が用いられる。
第１導体層１０および第２導体層１１の厚みは、例えば、２〜２５μｍ、好ましくは、５〜２０μｍである。
なお、第１導体層１０および第２導体層１１の表面には、図示しないが、好ましくは、無電解ニッケルめっきなどによって、硬質のニッケル薄膜からなる金属保護膜を形成する。金属保護膜の厚みは、例えば、０．０５〜０．１μｍである。

次いで、図３（ｄ）に示すように、サスペンション基板部２および制御基板部３において、第１導体層１０および第２導体層１１を被覆するための共通のカバー絶縁層１３を、同一材料から、連続して、所定のパターンとして一体的に形成する。
カバー絶縁層１３は、ベース絶縁層９の上に、第１導体層１０および第２導体層１１を被覆し、かつ、磁気ヘッド端子部５の端子５ａの形成位置、外部端子部６の端子６ａの形成位置、および、プリアンプ端子部７の第１端子７ａおよび第２端子７ｂの形成位置が開口される、所定のパターンとして形成する。

このカバー絶縁層１３は、ベース絶縁層９と同一の材料から、同一の方法により形成することができる。例えば、感光性ポリイミド樹脂を用いて、カバー絶縁層１３を形成する場合には、まず、感光性ポリイミド樹脂の前駆体（ポリアミック酸樹脂）のワニスを、ベース絶縁層９の全面に塗工した後、乾燥して、感光性ポリイミド樹脂の前駆体の皮膜を形成する。次いで、フォトマスクを介して皮膜を露光し、必要により加熱した後、現像することにより、その皮膜を上記した所定のパターンに形成する。その後、皮膜を、例えば、最終的に２５０℃以上で加熱硬化（イミド化）して、ポリイミド樹脂からなるカバー絶縁層１３を、上記した所定のパターンで形成する。

なお、感光性の合成樹脂を用いない場合には、例えば、合成樹脂を、上記した所定のパターンのドライフィルムとして予め成形しておき、それを、ベース絶縁層９の上に貼着する。
また、カバー絶縁層１３の厚みは、例えば、１〜３０μｍである。
次いで、図３（ｅ）に示すように、金属基板８を、化学エッチングなどの公知の方法によって、所定の外形形状に切り抜くとともに、サスペンション基板部２に対応する部分、プリアンプ端子部７に対応する部分、および、外部端子部６に対応する部分を除いて、ベース絶縁層９に対向している金属基板８を、化学エッチングなどの公知の方法によって除去する。

そして、図３（ｆ）に示すように、磁気ヘッド端子部５の端子５ａの形成位置においてカバー絶縁層１３から露出する第１導体層１０の表面、外部端子部６の端子６ａの形成位置においてカバー絶縁層１３から露出する第２導体層１１の表面、および、プリアンプ端子部７の第１端子７ａおよび第２端子７ｂの形成位置においてカバー絶縁層１３から露出する第１導体層１０および第２導体層１１の表面に、電解めっきなどにより、めっき層からなる各端子５ａ、６ａ、７ａおよび７ｂを形成し、配線回路基板１を得る。

この配線回路基板１には、図２に示すように、プリアンプ端子部７の第１端子７ａおよび第２端子７ｂに、プリアンプＩＣ１２が接続され、また、磁気ヘッド端子部５の端子５ａに、磁気ヘッド１５が接続され、図示しないが、外部端子部６の端子６ａに、各種制御デバイスが接続されて、ハードディスクドライブに搭載される。
この配線回路基板１は、サスペンション基板部２においては、支持基板１６として金属基板８、ベース絶縁層９、第１導体層１０およびカバー絶縁層１３が順次積層され、磁気ヘッド１５を、磁気ディスクとの間に微小な間隔を保持しつつ支持する。また、制御基板部３においては、ベース絶縁層９、第２導体層１１およびカバー絶縁層１３が順次積層（ただし、プリアンプ搭載部４および外部端子部６には、補強層１８として金属基板８が設けられている。）され、磁気ヘッド１５から出力される電気信号をプリアンプＩＣ１２によって増幅する。

そして、この配線回路基板１では、磁気ヘッド１５から出力される電気信号は、磁気ヘッド端子部５から第１導体層１０に伝達され、プリアンプ端子部７を介してプリアンプＩＣ１２によって増幅された後、第２導体層１１に伝達されるが、この配線回路基板１は、従来の回路付サスペンション基板と制御回路基板とを連続して一体的に形成したものであり、第１導体層１０と第２導体層１１とが、共通のベース絶縁層９の上に、同一材料から同時に形成されている。そのため、サスペンション基板部２と制御基板部３との境界で、サスペンション基板部２の第１導体層１０と制御基板部３の第２導体層１１とを接続するための接続点を不要とすることができる。その結果、そのような接続点での特性インピーダンスの不整合を防止することができ、磁気ヘッド１５からの電気信号を、制御基板部３４に効率的に伝達することができる。

しかも、この配線回路基板１では、サスペンション基板部２および制御基板部３において、ともに共通するベース絶縁層９およびカバー絶縁層１３を、同一材料から、連続して形成しているので、より一層、特性インピーダンスの不整合を防止することができる。

以下に実施例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例に限定されることはない。
実施例１
厚さ２５μｍのステンレス箔（ＳＵＳ３０４Ｈ−ＴＡ）からなる金属基板を用意し（図３（ａ）参照）、その金属基板の上に、感光性ポリイミド樹脂の前駆体の溶液を、乾燥後の厚さが２４μｍとなるように塗工した後、１３０℃で乾燥することにより、感光性ポリイミド樹脂の前駆体の皮膜を形成した。次いで、その皮膜を、フォトマスクを介して露光（４０５ｎｍ、１５００ｍＪ／ｃｍ²）し、露光部分を１８０℃に加熱した後、アルカリ現像液を用いて現像することにより、その皮膜をネガ型の画像で所定のパターンに形成した。次いで、パターン化された皮膜を、３５０℃で加熱して、硬化（イミド化）させ、これによって、厚さ１０μｍのポリイミド樹脂からなるベース絶縁層を所定のパターンで形成した（図３（ｂ）参照）。

次いで、金属基板およびベース絶縁層の全面に、種膜として、厚さ３００Åのクロム薄膜と厚さ７００Åの銅薄膜とをスパッタリングによって順次形成した。その後、種膜の上に、配線回路パターンの逆パターンでめっきレジストを、ドライフィルムレジストを用いて形成した。そして、電解銅めっきにより、めっきレジストから露出する種膜の上に、厚さ１２μｍの銅箔からなる第１導体層と第２導体層とを、所定の配線回路パターンでそれぞれ形成した（図３（ｃ）参照）。なお、配線回路パターンは、幅方向において、互いに所定の間隔を隔てて並列配置される４本の配線として形成した。

その後、めっきレジストを、化学エッチングによって除去した後、第１導体層および第２導体層から露出する種膜（銅薄膜およびクロム薄膜）を、化学エッチングにより除去した。
次いで、第１導体層および第２導体層の表面および金属基板の表面に、無電解ニッケルめっきによって、厚さ０．１μｍの硬質のニッケル薄膜からなる金属保護膜を形成した。

次いで、金属保護膜およびベース絶縁層の上に、感光性ポリイミド樹脂の前駆体の溶液を塗工した後、１３０℃で加熱することにより、感光性ポリイミド樹脂の前駆体の皮膜を形成した。その後、皮膜を、フォトマスクを介して露光（４０５ｎｍ、１５００ｍＪ／ｃｍ²）し、露光部分を１８０℃に加熱した後、アルカリ現像液を用いて現像することにより、この皮膜によって第１導体層および第２導体層を被覆し、かつ、磁気ヘッド端子部の端子の形成位置、制御基板端子部の端子の形成位置、および、プリアンプ端子部の第１端子および第２端子の形成位置が開口される、所定のパターンとして形成した。次いで、パターン化された皮膜を、３５０℃で加熱して、硬化（イミド化）させ、これによって、厚さ３μｍのポリイミド樹脂からなるカバー絶縁層を、第１導体層および第２導体層が被覆される所定のパターンで、ベース絶縁層の上に形成した（図３（ｄ）参照）。

その後、カバー絶縁層の開口部分から露出する金属保護膜、および、金属基板の上に形成されている金属保護膜を剥離した。
次いで、金属基板を、化学エッチングによって、所定の外形形状に切り抜くとともに、サスペンション基板部に対応する部分、プリアンプ端子部に対応する部分、および、制御基板端子部に対応する部分を除いて、ベース絶縁層に対向している金属基板を、化学エッチングによって除去した（図３（ｅ）参照）。

その後、磁気ヘッド端子部の端子の形成位置においてカバー絶縁層から露出する第１導体層の表面、制御基板端子部の端子の形成位置においてカバー絶縁層から露出する第２導体層の表面、および、プリアンプ端子部の端子の形成位置においてカバー絶縁層から露出する第１導体層および第２導体層の境界の表面に、電解ニッケルめっきと電解金めっきとにより、厚さ２μｍのニッケルめっき層および厚さ１μｍの金めっき層を形成することによって、各端子を形成し、配線回路基板を得た（図３（ｆ）参照）。

この配線回路基板のプリアンプ端子部の端子に、プリアンプＩＣを接続するとともに、磁気ヘッド端子部の端子に、磁気ヘッドを接続した。
比較例１
厚さ２５μｍのステンレス箔（ＳＵＳ３０４Ｈ−ＴＡ）からなる金属基板の上に、厚さ１０μｍのポリイミド樹脂からなるベース絶縁層、厚さ１２μｍの銅箔の配線回路パターンからなる導体層、および、厚さ３μｍのポリイミド樹脂からなるカバー絶縁層が順次積層されている回路付サスペンション基板を用意した。

また、別途、１２．５μｍのポリイミド樹脂からなるベース絶縁層、厚さ１８μｍの銅箔の配線回路パターンからなる導体層、および、厚さ１２．５μｍのポリイミド樹脂からなるカバー絶縁層が順次積層され、プリアンプ端子部にプリアンプＩＣが搭載されている制御回路基板を用意した。なお、この制御回路基板においては、ベース絶縁層、導体層およびカバー絶縁層の各層の間に、厚さ１５μｍの接着剤層が介在されている。

そして、回路付サスペンション基板の磁気ヘッド端子部に、磁気ヘッドを接続した後、回路付サスペンション基板の制御回路基板端子部と、制御回路基板のサスペンション基板端子部とを、はんだ接合した（図４および図５参照）。
評価
実施例１の配線回路基板における磁気ヘッド端子部とプリアンプ端子部との間、および、プリアンプ端子部と外部端子部との間の特性インピーダンスを、タイム・ドメイン・リフレクトメトリ（ＴＤＲ）法によって測定した。その結果を下記に示す。なお、特性インピーダンスの設計値は、磁気ヘッド端子部とプリアンプ端子部との間が５０Ω、プリアンプ端子部と外部端子部との間が１００Ωである。

磁気ヘッド端子部とプリアンプ端子部との間５０Ω
プリアンプ端子部と外部端子部との間１００Ω
比較例１の回路付サスペンション基板および配線回路基板における磁気ヘッド端子部と制御回路基板端子部との間、サスペンション基板端子部とプリアンプ端子部との間、および、プリアンプ端子部と外部端子部との間の特性インピーダンスを、タイム・ドメイン・リフレクトメトリ（ＴＤＲ）法によって測定した。その結果を下記に示す。なお、特性インピーダンスの設計値は、実施例１と同様である。

磁気ヘッド端子部と制御回路基板端子部との間５０Ω
サスペンション基板端子部とプリアンプ端子部との間９５Ω
プリアンプ端子部と外部端子部との間１００Ω
比較例１において、磁気ヘッド端子部とプリアンプ端子部との間にある制御回路基板端子部とサスペンション基板端子部との接続点では、電気抵抗が大きく変化して、特性インピーダンスの不整合を生じた。

本発明の配線回路基板の一実施形態を示す平面図である。図１に示す配線回路基板の長手方向に沿う要部断面図である。図１に示す配線回路基板の製造方法を示す製造工程図であって、（ａ）は、金属基板を用意する工程、（ｂ）は、金属基板の上に、ベース絶縁層を形成する工程、（ｃ）は、ベース絶縁層の上に、第１導体層および第２導体層を同一材料から同時に形成する工程、（ｄ）は、ベース絶縁層の上に、第１導体層および第２導体層を被覆するように、カバー絶縁層を形成する工程、（ｅ）は、金属基板を部分的に除去する工程、（ｆ）は、磁気ヘッド端子部、外部端子部およびプリアンプ端子部の各端子を形成する工程を示す。従来の回路付サスペンション基板および制御回路基板を示す平面図である。図４に示す回路付サスペンション基板および制御回路基板の長手方向に沿う要部断面図である。

符号の説明

１配線回路基板
２サスペンション基板部
３制御基板部
７プリアンプ端子部
８ベース絶縁層
１０第１導体層
１１第２導体層
１２プリアンプＩＣ
１３カバー絶縁層
１５磁気ヘッド

Claims

磁気ヘッドに接続される第１導体層を有し、前記磁気ヘッドを支持するためのサスペンション基板部と、プリアンプに接続される第２導体層を有し、磁気ヘッドを動作させるための制御基板部とを備え、
前記サスペンション基板部と前記制御基板部とが、連続して一体的に形成されており、
前記第１導体層と前記第２導体層とが、同一材料から形成されていることを特徴とする、配線回路基板。
前記第１導体層が前記プリアンプに接続されることにより、前記第１導体層と前記第２導体層とが、前記プリアンプを介して電気的に接続されることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板。
前記サスペンション基板部および前記制御基板部は、前記サスペンション基板部においては、前記第１導体層がその上に形成され、前記制御基板部においては、前記第２導体層がその上に形成されており、同一材料から、連続して一体的に形成されている共通のベース絶縁層を備えていることを特徴とする、請求項１または２に記載の配線回路基板。
前記サスペンション基板部および前記制御基板部は、前記サスペンション基板部においては、前記第１導体層を被覆するように前記ベース絶縁層の上に形成され、前記制御基板部においては、前記第２導体層を被覆するように前記ベース絶縁層の上に形成されており、同一材料から、連続して一体的に形成されている共通のカバー絶縁層を備えていることを特徴とする、請求項３に記載の配線回路基板。