JP4796121B2 - 配線回路基板の接続構造 - Google Patents
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Description
本発明は、配線回路基板の接続構造、詳しくは、回路付サスペンション基板と外部基板とに電気的に接続される中継フレキシブル配線回路基板として好適に用いられる配線回路基板の接続構造に関する。
従来より、中継フレキシブル配線回路基板は、回路付サスペンション基板と外部基板とに電気的に接続され、それらを電気的に中継しており、ハードディスクドライブに用いられている。
このような中継フレキシブル配線回路基板では、電気信号の伝達効率の観点から、中継フレキシブル配線回路基板と回路付サスペンション基板との接続点における、インピーダンスの整合が望まれており、インピーダンスを整合させるための数々の提案がなされている。
このような中継フレキシブル配線回路基板では、電気信号の伝達効率の観点から、中継フレキシブル配線回路基板と回路付サスペンション基板との接続点における、インピーダンスの整合が望まれており、インピーダンスを整合させるための数々の提案がなされている。
例えば、中継フレキシブル配線回路基板を、回路付サスペンション基板と接続され、かつ、プリアンプＩＣを実装する第１配線回路基板と、第１配線回路基板および外部基板と接続される第２配線回路基板との、２つの配線回路基板により構成し、第１配線回路基板の層構成と、回路付サスペンション基板の層構成とを同一とすることが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
特許文献１に記載の中継フレキシブル配線回路基板によれば、回路付サスペンション基板と、第１配線回路基板との層構成が同一であるため、回路付サスペンション基板と第１配線回路基板との接続点において、インピーダンスの整合を図ることができる。その結果、回路付サスペンション基板に実装される磁気ヘッドと、第１配線回路基板に実装されるプリアンプＩＣとの間の、電気信号の伝達の効率化を図ることができる。
特開２００４−３６３３３１号公報
しかしながら、特許文献１における第１配線回路基板は、回路付サスペンション基板とインピーダンスの整合を図りつつ接続できる一方、第２配線回路基板とも接続されるので、これら第１配線回路基板と第２配線回路基板との間の接続点において、インピーダンスの不整合を生じる。
そのため、回路付サスペンション基板に実装される磁気ヘッドと、外部回路との間の、電気信号の伝達の効率化を図るには不十分である。
そのため、回路付サスペンション基板に実装される磁気ヘッドと、外部回路との間の、電気信号の伝達の効率化を図るには不十分である。
本発明の目的は、磁気ヘッドと外部回路との間のインピーダンスの不整合を低減することのできる配線回路基板の接続構造を提供することにある。
上記の目的を達成するため、本発明の配線回路基板の接続構造は、回路付サスペンション基板と、第１配線回路基板と、第２配線回路基板と、プリアンプとを備え、前記回路付サスペンション基板は、金属支持層、前記金属支持層の上に形成されるベース絶縁層、前記ベース絶縁層の上に形成される導体層、および、前記ベース絶縁層の上に、前記導体層を被覆するように形成されるカバー絶縁層を備え、前記導体層は、磁気ヘッドと電気的に接続するための第１端子と、第１配線回路基板と電気的に接続するための第２端子とを備え、前記第１配線回路基板は、第１金属支持層、前記第１金属支持層の上に形成される第１ベース絶縁層、前記第１ベース絶縁層の上に形成される第１導体層、および、前記第１ベース絶縁層の上に、前記第１導体層を被覆するように形成される第１カバー絶縁層を備え、前記第１導体層は、前記回路付サスペンション基板と電気的に接続するための第３端子と、前記プリアンプと電気的に接続するための第４端子とを備え、前記第２配線回路基板は、第２導体層を備え、前記第２導体層は、前記プリアンプと電気的に接続するための第５端子と、外部回路と電気的に接続するための第６端子を備え、前記プリアンプは、前記第４端子および前記第５端子と電気的に接続され、前記回路付サスペンション基板の前記第２端子と、前記第１配線回路基板の前記第３端子とが、電気的に接続されていることを特徴としている。
本発明の配線回路基板の接続構造では、第１配線回路基板が、回路付サスペンション基板と同一の層構成を有し、第１配線回路基板と第２配線回路基板とが、直接接続されることなく、プリアンプを介して電気的に接続される。
そのため、第１配線回路基板と第２配線回路基板との接続点を、第１配線回路基板と第２配線回路基板とを直接接続する場合よりも少なくすることができ、配線回路基板におけるインピーダンスの不整合を低減することができる。
そのため、第１配線回路基板と第２配線回路基板との接続点を、第１配線回路基板と第２配線回路基板とを直接接続する場合よりも少なくすることができ、配線回路基板におけるインピーダンスの不整合を低減することができる。
その結果、本発明の配線回路基板の接続構造に係る配線回路基板では、磁気ヘッドと外部回路との間のインピーダンスの整合を図ることができる。
図１は、本発明の配線回路基板の接続構造に用いられる配線回路基板の一実施形態としての中継フレキシブル配線回路の使用態様を示す断面図、図２（ａ）は、図１に示す回路付サスペンション基板を単独で示す断面図、図２（ｂ）は、図１に示す第１配線回路基板を単独で示す断面図、図２（ｃ）は、図１に示す第２配線回路基板を単独で示す断面図、図２（ｄ）は、図１に示す中継フレキシブル配線回路基板を単独で示す断面図である。なお、図２（ｂ）には、図１に示される回路付サスペンション基板を１８０度回転させて示している。
図１に示す配線回路基板の接続構造では、その先側（長手方向一方側）に配置される回路付サスペンション基板１と、後側（長手方向他方側）に配置される外部回路としての外部基板２（仮想線）とが、中継フレキシブル配線回路基板３によって電気的に中継されている。
回路付サスペンション基板１は、ハードディスクドライブの磁気ヘッド４（仮想線）を実装して、その磁気ヘッド４を、磁気ヘッド４と磁気ディスク（図示せず）とが相対的に走行するときの空気流に抗して、磁気ディスクとの間に微小な間隔を保持しながら支持するものであり、磁気ヘッド４に電気的に接続される導体層７が一体的に形成されている。
回路付サスペンション基板１は、ハードディスクドライブの磁気ヘッド４（仮想線）を実装して、その磁気ヘッド４を、磁気ヘッド４と磁気ディスク（図示せず）とが相対的に走行するときの空気流に抗して、磁気ディスクとの間に微小な間隔を保持しながら支持するものであり、磁気ヘッド４に電気的に接続される導体層７が一体的に形成されている。
このような回路付サスペンション基板１は、図２（ａ）に示すように、長手方向に延びる薄板状に形成され、金属支持層５、その金属支持層５の上に形成されるベース絶縁層６、そのベース絶縁層６の上に形成される導体層７、および、ベース絶縁層６の上に、導体層７を被覆するように形成されるカバー絶縁層８を備えている。
金属支持層５は、長手方向に延びる平面視矩形平板形状をなし、回路付サスペンション基板１の外形形状に対応して形成されている。
金属支持層５は、長手方向に延びる平面視矩形平板形状をなし、回路付サスペンション基板１の外形形状に対応して形成されている。
金属支持層５を形成する材料としては、金属箔または金属薄板が用いられ、例えば、ステンレス、銅、アルミニウム、銅−ベリリウム、りん青銅、４２アロイなどが用いられる。ばね性および耐食性を考慮すると、好ましくは、ステンレスが用いられる。
また、金属支持層５の厚みは、例えば、１０〜６０μｍ、好ましくは、１５〜３０μｍである。また、金属支持層５の幅方向（長手方向と直交する方向）長さは、例えば、１００〜５００ｍｍ、好ましくは、２５０〜３００ｍｍである。
また、金属支持層５の厚みは、例えば、１０〜６０μｍ、好ましくは、１５〜３０μｍである。また、金属支持層５の幅方向（長手方向と直交する方向）長さは、例えば、１００〜５００ｍｍ、好ましくは、２５０〜３００ｍｍである。
ベース絶縁層６は、金属支持層５の表面に形成されており、導体層７が形成される部分に対応するパターンとして形成されている。
ベース絶縁層６を形成する絶縁材料としては、例えば、ポリイミド、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニルなどの合成樹脂が用いられる。好ましくは、感光性の合成樹脂が用いられ、さらに好ましくは、感光性ポリイミドが用いられる。
ベース絶縁層６を形成する絶縁材料としては、例えば、ポリイミド、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニルなどの合成樹脂が用いられる。好ましくは、感光性の合成樹脂が用いられ、さらに好ましくは、感光性ポリイミドが用いられる。
また、ベース絶縁層６の厚みは、例えば、１〜３０μｍ、好ましくは、２〜２０μｍである。
導体層７は、第１端子９と、第２端子１０と、これら第１端子９および第２端子１０を接続するための配線１１とを、一体的に連続して備えている。
配線１１は、長手方向に沿って設けられ、図示しないが、幅方向において、互いに間隔を隔てて複数（例えば、４本）並列配置されている。
導体層７は、第１端子９と、第２端子１０と、これら第１端子９および第２端子１０を接続するための配線１１とを、一体的に連続して備えている。
配線１１は、長手方向に沿って設けられ、図示しないが、幅方向において、互いに間隔を隔てて複数（例えば、４本）並列配置されている。
第１端子９は、回路付サスペンション基板１の先端部に配置され、図示しないが、幅方向に沿って互いに間隔を隔てて並列配置されている。また、第１端子９は、各配線１１の先端部がそれぞれ接続されるように、複数（例えば、４つ）設けられている。この第１端子９には、磁気ヘッド４の端子（図示せず）が電気的に接続される。
第２端子１０は、回路付サスペンション基板１の後端部に配置され、図示しないが、幅方向に沿って互いに間隔を隔てて並列配置されている。また、第２端子１０は、各配線１１の先端部がそれぞれ接続されるように、複数（例えば、４つ）設けられている。
第２端子１０は、回路付サスペンション基板１の後端部に配置され、図示しないが、幅方向に沿って互いに間隔を隔てて並列配置されている。また、第２端子１０は、各配線１１の先端部がそれぞれ接続されるように、複数（例えば、４つ）設けられている。
また、第２端子１０は、後述するように、フライングリードとして形成されており、その下面が、金属支持層５とベース絶縁層６とから露出され、その上面が、カバー絶縁層８から露出されるように設けられている。
導体層７を形成する導体材料としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などの金属材料が用いられ、好ましくは、銅が用いられる。
導体層７を形成する導体材料としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などの金属材料が用いられ、好ましくは、銅が用いられる。
導体層７の厚みは、例えば、１〜１５μｍ、好ましくは、３〜１２μｍである。また、各配線１１の幅と、各第１端子９の幅と、各第２端子１０の幅とは、例えば、同一または相異なって、例えば、５０〜５００μｍ、好ましくは、８０〜３００μｍであり、各配線１１間の間隔と、各第１端子９間の間隔と、各第２端子１０間の間隔とは、例えば、同一または相異なって、例えば、５〜５００μｍ、好ましくは、１５〜１００μｍである。また、各第１端子９および各第２端子１０の長さ（長手方向長さ）は、例えば、同一または相異なって、例えば、１００〜２０００μｍ、好ましくは、５００〜１２００μｍである。
なお、導体層７が後述するアディティブ法で形成される場合には、各配線１１とベース絶縁層６との間に、下地（図示せず）が介在されている。下地は、配線１１の下面に形成されており、より具体的には、配線１１と同一パターンで形成されている。なお、下地の厚みは、例えば、１〜６０００ｎｍ、好ましくは、５〜５０００ｎｍである。
カバー絶縁層８は、導体層７を被覆するようにベース絶縁層６に形成されている。
カバー絶縁層８は、導体層７を被覆するようにベース絶縁層６に形成されている。
より具体的には、カバー絶縁層８は、平面視において、ベース絶縁層６と同一のパターンとして形成されており、導体層７を含むベース絶縁層６の上において、配線１１を被覆し、第１端子９に対応する部分が開口される所定パターンとして形成される。
カバー絶縁層８を形成する絶縁材料としては、例えば、ベース絶縁層６と同様の合成樹脂が用いられる。好ましくは、感光性の合成樹脂が用いられ、さらに好ましくは、感光性ポリイミドが用いられる。
カバー絶縁層８を形成する絶縁材料としては、例えば、ベース絶縁層６と同様の合成樹脂が用いられる。好ましくは、感光性の合成樹脂が用いられ、さらに好ましくは、感光性ポリイミドが用いられる。
カバー絶縁層８の厚みは、例えば、１〜２０μｍ、好ましくは、２〜１０μｍである。
そして、この回路付サスペンション基板１では、第２端子１０に対応する部分において、金属支持層５およびベース絶縁層６がそれぞれ開口され、カバー絶縁層８が切り欠かれている。
より具体的には、金属支持層５には、第２端子１０が形成される部分において、厚み方向を貫通する金属開口部１３が形成されている。この金属開口部１３は、図示しないが、平面視において、すべて（例えば、４つ）の第２端子１０を含むように、平面視略矩形状に開口されている。
そして、この回路付サスペンション基板１では、第２端子１０に対応する部分において、金属支持層５およびベース絶縁層６がそれぞれ開口され、カバー絶縁層８が切り欠かれている。
より具体的には、金属支持層５には、第２端子１０が形成される部分において、厚み方向を貫通する金属開口部１３が形成されている。この金属開口部１３は、図示しないが、平面視において、すべて（例えば、４つ）の第２端子１０を含むように、平面視略矩形状に開口されている。
また、ベース絶縁層６には、第２端子１０が形成される部分において、厚み方向を貫通するベース開口部１４が形成されている。このベース開口部１４は、図示しないが、平面視において、すべて（例えば、４つ）の第２端子１０を含むように、金属開口部１３と同一形状に開口されている。すなわち、ベース開口部１４は、平面視において、その長手方向両端縁および幅方向両端縁が、金属開口部１３の長手方向両端縁および幅方向両端縁と同一位置となるように形成されている。
これにより、第２端子１０の下面が、金属支持層５の金属開口部１３およびベース絶縁層６のベース開口部１４から露出している。
また、カバー絶縁層８には、第２端子１０が形成される部分において、カバー切り欠き部１５が形成されている。このカバー切り欠き部１５は、図示しないが、平面視において、すべて（例えば、４つ）の第２端子１０が露出するように、幅方向に沿って面一に切り欠かれている。
また、カバー絶縁層８には、第２端子１０が形成される部分において、カバー切り欠き部１５が形成されている。このカバー切り欠き部１５は、図示しないが、平面視において、すべて（例えば、４つ）の第２端子１０が露出するように、幅方向に沿って面一に切り欠かれている。
これにより、第２端子１０は、その表面（上面、両側面および下面）が、金属支持層５の金属開口部１３、ベース絶縁層６のベース開口部１４およびカバー絶縁層８のカバー切り欠き部１５から露出する、フライングリードとして形成されている。
このような回路付サスペンション基板１は、公知の回路付サスペンション基板の製造方法により、製造することができる。
このような回路付サスペンション基板１は、公知の回路付サスペンション基板の製造方法により、製造することができる。
例えば、まず、ステンレス箔などからなる金属支持層５を用意する。
次いで、金属支持層５の上に、ベース絶縁層６を、所定パターンで形成する。金属支持層５の上にベース絶縁層６を所定パターンで形成するには、例えば、金属支持層５の上に、ポリアミド酸樹脂溶液などの感光性合成樹脂溶液を塗布し、これを露光および現像した後、加熱硬化させればよい。
次いで、金属支持層５の上に、ベース絶縁層６を、所定パターンで形成する。金属支持層５の上にベース絶縁層６を所定パターンで形成するには、例えば、金属支持層５の上に、ポリアミド酸樹脂溶液などの感光性合成樹脂溶液を塗布し、これを露光および現像した後、加熱硬化させればよい。
次いで、ベース絶縁層６の上に、導体層７を、第１端子９および第２端子１０を有する所定パターンで形成する。導体層７は、例えば、アディティブ法、サブトラクティブ法などの公知のパターンニング法により形成する。好ましくは、アディティブ法により形成する。
アディティブ法では、まず、ベース絶縁層６の上面全面に、下地を形成する。下地は、スパッタリング、好ましくは、クロムスパッタリングおよび銅スパッタリングにより、クロム薄膜と銅薄膜とを順次積層することにより、形成される。
アディティブ法では、まず、ベース絶縁層６の上面全面に、下地を形成する。下地は、スパッタリング、好ましくは、クロムスパッタリングおよび銅スパッタリングにより、クロム薄膜と銅薄膜とを順次積層することにより、形成される。
次いで、この方法では、下地の上面に、上記した導体層７のパターンと逆パターンで、図示しないめっきレジストを形成した後、めっきレジストから露出する下地の上面に、例えば、電解めっき、好ましくは、電解銅めっきにより、所定パターンで、導体層７を形成する。その後、めっきレジストおよびそのめっきレジストが積層されていた部分の下地を除去する。
これにより、ベース絶縁層６の上に、導体層７を、第１端子９、第２端子１０および配線１１を有する上記したパターンで形成することができる。
なお、このようにして形成される導体層７は、必要により、無電解ニッケルめっきによって、ニッケルからなる無電解めっき層で被覆してもよい。
次いで、導体層７を含むベース絶縁層６の上に、カバー絶縁層８を、第１端子９に対応する部分が開口され、第２端子１０に対応する部分が切り欠かれた所定パターンで形成する。導体層７を含むベース絶縁層６の上に、カバー絶縁層８を、所定パターンで形成するには、上記のベース絶縁層６の形成と同様の方法を用いることができ、例えば、導体層７を含むベース絶縁層６の上に、ポリアミド酸樹脂溶液などの感光性合成樹脂溶液を塗布し、これを露光および現像した後、加熱硬化させればよい。
なお、このようにして形成される導体層７は、必要により、無電解ニッケルめっきによって、ニッケルからなる無電解めっき層で被覆してもよい。
次いで、導体層７を含むベース絶縁層６の上に、カバー絶縁層８を、第１端子９に対応する部分が開口され、第２端子１０に対応する部分が切り欠かれた所定パターンで形成する。導体層７を含むベース絶縁層６の上に、カバー絶縁層８を、所定パターンで形成するには、上記のベース絶縁層６の形成と同様の方法を用いることができ、例えば、導体層７を含むベース絶縁層６の上に、ポリアミド酸樹脂溶液などの感光性合成樹脂溶液を塗布し、これを露光および現像した後、加熱硬化させればよい。
これにより、第１端子９の上面が、カバー絶縁層８の開口された部分から露出し、第２端子１０の上面および両側面が、カバー絶縁層８の切り欠かれた部分（ベース切り欠き部１５）から露出する。
次いで、金属支持層５に金属開口部１３を形成する。金属開口部８の形成では、例えば、ドライエッチング（例えば、プラズマエッチング）やウェットエッチング（例えば、化学エッチング）などの公知のエッチング法、ドリル穿孔、レーザ加工が用いられ、好ましくは、化学エッチングが用いられる。
次いで、金属支持層５に金属開口部１３を形成する。金属開口部８の形成では、例えば、ドライエッチング（例えば、プラズマエッチング）やウェットエッチング（例えば、化学エッチング）などの公知のエッチング法、ドリル穿孔、レーザ加工が用いられ、好ましくは、化学エッチングが用いられる。
次いで、ベース絶縁層６にベース開口部１４を形成する。ベース開口部１４の形成では、例えば、ドライエッチング（例えば、プラズマエッチング）やウェットエッチング（例えば、化学エッチング）などの公知のエッチング法、ドリル穿孔、レーザ加工が用いられ、好ましくは、プラズマエッチングが用いられる。
これにより、導体層７がアディティブ法により形成されている場合には、第２端子１０と厚み方向において対向する下地が、金属支持層５の金属開口部１３およびベース絶縁層６のベース開口部１４から露出する。次いで、金属支持層５の金属開口部１３およびベース絶縁層６のベース開口部１４から露出する下地を除去する。
これにより、導体層７がアディティブ法により形成されている場合には、第２端子１０と厚み方向において対向する下地が、金属支持層５の金属開口部１３およびベース絶縁層６のベース開口部１４から露出する。次いで、金属支持層５の金属開口部１３およびベース絶縁層６のベース開口部１４から露出する下地を除去する。
下地の除去では、例えば、ドライエッチング（例えば、プラズマエッチング）やウェットエッチング（例えば、化学エッチング）などの公知のエッチング法または剥離などが用いられる。好ましくは、剥離が用いられる。
これにより、第２端子１０の下面が、金属支持層５の金属開口部１３およびベース絶縁層６のベース開口部１４から露出する。
これにより、第２端子１０の下面が、金属支持層５の金属開口部１３およびベース絶縁層６のベース開口部１４から露出する。
このようにして、回路付サスペンション基板１を得ることができる。
なお、回路付サスペンション基板１では、図示しないが、第２端子１０の表面（上面、両側面および下面）に、例えば、金めっき層などを形成し、第２端子１０の機械的強度を向上させることもできる。このような金めっき層は、例えば、電解金めっきまたは無電解金めっき、好ましくは、電解金めっきにより、形成される。
なお、回路付サスペンション基板１では、図示しないが、第２端子１０の表面（上面、両側面および下面）に、例えば、金めっき層などを形成し、第２端子１０の機械的強度を向上させることもできる。このような金めっき層は、例えば、電解金めっきまたは無電解金めっき、好ましくは、電解金めっきにより、形成される。
中継フレキシブル配線回路基板３は、図１に示すように、回路付サスペンション基板１と電気的に接続される第１配線回路基板１６と、外部基板２と電気的に接続される第２配線回路基板１７と、第１配線回路基板１６および第２配線回路基板１７を電気的に接続するプリアンプ１８とを備えている。
第１配線回路基板１６は、図２（ｂ）に示すように、長手方向に延びる薄板状に形成され、第１金属支持層１９、その第１金属支持層１９の上に形成される第１ベース絶縁層２０、その第１ベース絶縁層２０の上に形成される第１導体層２１、および、第１ベース絶縁層２０の上に、第１導体層２１を被覆するように形成される第１カバー絶縁層２２を備えている。
第１配線回路基板１６は、図２（ｂ）に示すように、長手方向に延びる薄板状に形成され、第１金属支持層１９、その第１金属支持層１９の上に形成される第１ベース絶縁層２０、その第１ベース絶縁層２０の上に形成される第１導体層２１、および、第１ベース絶縁層２０の上に、第１導体層２１を被覆するように形成される第１カバー絶縁層２２を備えている。
第１金属支持層１９は、長手方向に延びる平面視矩形平板形状をなし、第１配線回路基板１６の外形形状に対応して形成されている。
第１金属支持層１９を形成する材料としては、金属箔または金属薄板が用いられ、回路付サスペンション基板１の金属支持層５と同一の材料であって、例えば、ステンレス、銅、アルミニウム、銅−ベリリウム、りん青銅、４２アロイなどが用いられる。ばね性および耐食性を考慮すると、好ましくは、ステンレスが用いられる。
第１金属支持層１９を形成する材料としては、金属箔または金属薄板が用いられ、回路付サスペンション基板１の金属支持層５と同一の材料であって、例えば、ステンレス、銅、アルミニウム、銅−ベリリウム、りん青銅、４２アロイなどが用いられる。ばね性および耐食性を考慮すると、好ましくは、ステンレスが用いられる。
また、第１金属支持層１９の厚みは、回路付サスペンション基板１の金属支持層５と同一の厚みであって、例えば、１０〜６０μｍ、好ましくは、１５〜３０μｍである。また、第１金属支持層１９の幅は、例えば、１００〜５００ｍｍ、好ましくは、２５０〜３００ｍｍである。
第１ベース絶縁層２０は、第１金属支持層１９の表面に形成されており、第１導体層２１が形成される部分に対応するパターンとして形成されている。
第１ベース絶縁層２０は、第１金属支持層１９の表面に形成されており、第１導体層２１が形成される部分に対応するパターンとして形成されている。
第１ベース絶縁層２０を形成する絶縁材料としては、回路付サスペンション基板１のベース絶縁層６と同一の材料であって、例えば、ポリイミド、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニルなどの合成樹脂が用いられる。好ましくは、感光性の合成樹脂が用いられ、さらに好ましくは、感光性ポリイミドが用いられる。
また、第１ベース絶縁層２０の厚みは、回路付サスペンション基板１のベース絶縁層６と同一の厚みであって、例えば、１〜３０μｍ、好ましくは、２〜２０μｍである。
第１導体層２１は、第３端子２３と、第４端子２４と、これら第３端子２３および第４端子２４を接続するための第１配線２５とを、一体的に連続して備えている。
第１配線２５は、長手方向に沿って設けられ、図示しないが、幅方向において、互いに間隔を隔てて複数（例えば、４本）並列配置されている。
第１導体層２１は、第３端子２３と、第４端子２４と、これら第３端子２３および第４端子２４を接続するための第１配線２５とを、一体的に連続して備えている。
第１配線２５は、長手方向に沿って設けられ、図示しないが、幅方向において、互いに間隔を隔てて複数（例えば、４本）並列配置されている。
第３端子２３は、第１配線回路基板１６の先端部に配置され、図示しないが、幅方向に沿って互いに間隔を隔てて並列配置されている。また、第３端子２３は、各第１配線２５の先端部がそれぞれ接続されるように、複数（例えば、４つ）設けられている。
第４端子２４は、第１配線回路基板１６の後端部に配置され、図示しないが、幅方向に沿って互いに間隔を隔てて並列配置されている。また、第４端子２４は、各第１配線２５の先端部がそれぞれ接続されるように、複数（例えば、４つ）設けられている。
第４端子２４は、第１配線回路基板１６の後端部に配置され、図示しないが、幅方向に沿って互いに間隔を隔てて並列配置されている。また、第４端子２４は、各第１配線２５の先端部がそれぞれ接続されるように、複数（例えば、４つ）設けられている。
また、第３端子２３および第４端子２４は、後述するように、その上面が、第１カバー絶縁層２２から露出されるように設けられている。
第１導体層２１を形成する導体材料としては、回路付サスペンション基板１の導体層７と同一の材料であって、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などの金属材料が用いられ、好ましくは、銅が用いられる。
第１導体層２１を形成する導体材料としては、回路付サスペンション基板１の導体層７と同一の材料であって、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などの金属材料が用いられ、好ましくは、銅が用いられる。
第１導体層２１の厚みは、回路付サスペンション基板１の導体層７と同一の厚みであって、例えば、１〜１５μｍ、好ましくは、３〜１２μｍである。また、各第１配線２５の幅と、各第３端子２３の幅と、各第４端子２４の幅とは、例えば、同一または相異なって、例えば、５０〜５００μｍ、好ましくは、８０〜３００μｍであり、各第１配線２５間の間隔と、各第３端子２３間の間隔と、各第４端子２４間の間隔とは、例えば、同一または相異なって、例えば、５〜５００μｍ、好ましくは、１５〜１００μｍである。また、各第３端子２３および各第４端子２４の長さ（長手方向長さ）は、例えば、同一または相異なって、例えば、１００〜２０００μｍ、好ましくは、５００〜１２００μｍである。
なお、第１導体層２１が後述するアディティブ法で形成される場合には、各第１導体層２１と第１ベース絶縁層２０との間に、下地（図示せず）が介在されている。下地は、第１導体層２１の下面に形成されており、より具体的には、第１導体層２１と同一パターンで形成されている。なお、下地の厚みは、回路付サスペンション基板１の下地と同一の厚みであって、例えば、１〜６０００ｎｍ、好ましくは、５〜５０００ｎｍである。
第１カバー絶縁層２２は、第１導体層２１を被覆するように第１ベース絶縁層２０に形成されている。
より具体的には、第１カバー絶縁層２２は、平面視において、第１ベース絶縁層２０と同一のパターンとして形成されており、第１導体層２１を含む第１ベース絶縁層２０の上において、第１配線２５を被覆し、第３端子２３および第４端子２４を露出する所定パターンとして形成される。
より具体的には、第１カバー絶縁層２２は、平面視において、第１ベース絶縁層２０と同一のパターンとして形成されており、第１導体層２１を含む第１ベース絶縁層２０の上において、第１配線２５を被覆し、第３端子２３および第４端子２４を露出する所定パターンとして形成される。
第１カバー絶縁層２２を形成する絶縁材料としては、回路付サスペンション基板１のカバー絶縁層８と同一の材料であって、例えば、第１ベース絶縁層２０と同様の合成樹脂が用いられる。好ましくは、感光性の合成樹脂が用いられ、さらに好ましくは、感光性のポリイミドが用いられる。
第１カバー絶縁層２２の厚みは、回路付サスペンション基板１のカバー絶縁層８と同一の厚みであって、例えば、１〜２０μｍ、好ましくは、２〜１０μｍである。
第１カバー絶縁層２２の厚みは、回路付サスペンション基板１のカバー絶縁層８と同一の厚みであって、例えば、１〜２０μｍ、好ましくは、２〜１０μｍである。
そして、この第１配線回路基板１６では、第３端子２３および第４端子２４に対応する部分において、第１カバー絶縁層２２が、切り欠かれている。
より具体的には、第１カバー絶縁層２２には、第３端子２３が形成される部分において、第１カバー第１切り欠き部２６が形成されており、また、第４端子２４が形成される部分において、第１カバー第２切り欠き部２７が形成されている。
より具体的には、第１カバー絶縁層２２には、第３端子２３が形成される部分において、第１カバー第１切り欠き部２６が形成されており、また、第４端子２４が形成される部分において、第１カバー第２切り欠き部２７が形成されている。
この第１カバー第１切り欠き部２６は、図示しないが、平面視において、すべて（例えば、４つ）の第３端子２３が露出するように、幅方向に沿って面一に切り欠かれている。また、第１カバー第２切り欠き部２７は、図示しないが、平面視において、すべて（例えば、４つ）の第４端子２４が露出するように、幅方向に沿って面一に切り欠かれている。これにより、第３端子２３および第４端子２４の上面が露出する。
このような第１配線回路基板１６は、公知の配線回路基板の製造方法により製造することができ、具体的には、例えば、上記の回路付サスペンション基板１の製造と同様にして、製造することができる。
例えば、まず、ステンレス箔などからなる第１金属支持層１９を用意する。
次いで、第１金属支持層１９の上に、第１ベース絶縁層２０を、所定パターンで形成する。第１金属支持層１９の上に第１ベース絶縁層２０を所定パターンで形成するには、例えば、第１金属支持層１９の上に、ポリアミド酸樹脂溶液などの感光性合成樹脂溶液を塗布し、これを露光および現像した後、加熱硬化させればよい。
例えば、まず、ステンレス箔などからなる第１金属支持層１９を用意する。
次いで、第１金属支持層１９の上に、第１ベース絶縁層２０を、所定パターンで形成する。第１金属支持層１９の上に第１ベース絶縁層２０を所定パターンで形成するには、例えば、第１金属支持層１９の上に、ポリアミド酸樹脂溶液などの感光性合成樹脂溶液を塗布し、これを露光および現像した後、加熱硬化させればよい。
次いで、第１ベース絶縁層２０の上に、第１導体層２１を、第３端子２３および第４端子２４を有する所定パターンで形成する。第１導体層２１は、例えば、アディティブ法、サブトラクティブ法などの公知のパターンニング法により形成する。好ましくは、アディティブ法により形成する。
アディティブ法では、まず、第１ベース絶縁層２０の上面全面に、下地を形成する。下地は、スパッタリング、好ましくは、クロムスパッタリングおよび銅スパッタリングにより、クロム薄膜と銅薄膜とを順次積層することにより、形成される。
アディティブ法では、まず、第１ベース絶縁層２０の上面全面に、下地を形成する。下地は、スパッタリング、好ましくは、クロムスパッタリングおよび銅スパッタリングにより、クロム薄膜と銅薄膜とを順次積層することにより、形成される。
次いで、この方法では、下地の上面に、上記した第１導体層２１のパターンと逆パターンで、図示しないめっきレジストを形成した後、めっきレジストから露出する下地の上面に、例えば、電解めっき、好ましくは、電解銅めっきにより、所定パターンで、第１導体層２１を形成する。その後、めっきレジストおよびそのめっきレジストが積層されていた部分の下地を除去する。
これにより、第１ベース絶縁層２０の上に、第１導体層２１を、第３端子２３、第４端子２４および第１配線２５を有する上記したパターンで形成することができる。
なお、このようにして形成される第１導体層２１は、必要により、無電解ニッケルめっきによって、ニッケルからなる無電解めっき層で被覆してもよい。
次いで、第１導体層２１を含む第１ベース絶縁層２０の上に、第１カバー絶縁層２２を、第３端子２３および第４端子２４に対応する部分が切り欠かれた所定パターンで形成する。第１導体層２１を含む第１ベース絶縁層２０の上に、第１カバー絶縁層２２を、所定パターンで形成するには、上記の第１ベース絶縁層２０の形成と同様の方法を用いることができ、例えば、第１導体層２１を含む第１ベース絶縁層２０の上に、ポリアミド酸樹脂溶液などの感光性合成樹脂溶液を塗布し、これを露光および現像した後、加熱硬化させればよい。
なお、このようにして形成される第１導体層２１は、必要により、無電解ニッケルめっきによって、ニッケルからなる無電解めっき層で被覆してもよい。
次いで、第１導体層２１を含む第１ベース絶縁層２０の上に、第１カバー絶縁層２２を、第３端子２３および第４端子２４に対応する部分が切り欠かれた所定パターンで形成する。第１導体層２１を含む第１ベース絶縁層２０の上に、第１カバー絶縁層２２を、所定パターンで形成するには、上記の第１ベース絶縁層２０の形成と同様の方法を用いることができ、例えば、第１導体層２１を含む第１ベース絶縁層２０の上に、ポリアミド酸樹脂溶液などの感光性合成樹脂溶液を塗布し、これを露光および現像した後、加熱硬化させればよい。
これにより、第３端子２３および第４端子２４の、上面および両側面が、第１カバー絶縁層２２の切り欠かれた部分（第１カバー第１切り欠き部２６および第１カバー第２切り欠き部２７）から露出する。
このようにして、第１配線回路基板１６を得ることができる。
第２配線回路基板１７は、フレキシブル配線回路基板であって、図２（ｃ）に示すように、長手方向に延びる薄板状に形成され、第２ベース絶縁層２８、その第２ベース絶縁層２８の上に形成される第２導体層２９、および、第２ベース絶縁層２８の上に、第２導体層２９を被覆するように形成される第２カバー絶縁層３０を備えている。
このようにして、第１配線回路基板１６を得ることができる。
第２配線回路基板１７は、フレキシブル配線回路基板であって、図２（ｃ）に示すように、長手方向に延びる薄板状に形成され、第２ベース絶縁層２８、その第２ベース絶縁層２８の上に形成される第２導体層２９、および、第２ベース絶縁層２８の上に、第２導体層２９を被覆するように形成される第２カバー絶縁層３０を備えている。
第２ベース絶縁層２８は、長手方向に延びる平面視矩形平板形状をなし、第２配線回路基板１７の外形形状に対応して形成されている。
また、第２ベース絶縁層２８は、第２導体層２９が形成される部分に対応するパターンとして形成されている。
第２ベース絶縁層２８を形成する絶縁材料としては、例えば、ポリイミド、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニルなどの合成樹脂が用いられる。好ましくは、感光性の合成樹脂が用いられ、さらに好ましくは、感光性ポリイミドが用いられる。
また、第２ベース絶縁層２８は、第２導体層２９が形成される部分に対応するパターンとして形成されている。
第２ベース絶縁層２８を形成する絶縁材料としては、例えば、ポリイミド、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニルなどの合成樹脂が用いられる。好ましくは、感光性の合成樹脂が用いられ、さらに好ましくは、感光性ポリイミドが用いられる。
また、第２ベース絶縁層２８の厚みは、例えば、１〜３０μｍ、好ましくは、２〜２０μｍである。
第２導体層２９は、第５端子３１と、第６端子３２と、これら第５端子３１および第６端子３２を接続するための第２配線３３とを、一体的に連続して備えている。
第２配線３３は、長手方向に沿って設けられ、図示しないが、幅方向において、互いに間隔を隔てて複数（例えば、４本）並列配置されている。
第２導体層２９は、第５端子３１と、第６端子３２と、これら第５端子３１および第６端子３２を接続するための第２配線３３とを、一体的に連続して備えている。
第２配線３３は、長手方向に沿って設けられ、図示しないが、幅方向において、互いに間隔を隔てて複数（例えば、４本）並列配置されている。
第５端子３１は、第２配線回路基板１７の先端部に配置され、図示しないが、幅方向に沿って互いに間隔を隔てて並列配置されている。また、第５端子３１は、各第２配線３３の先端部がそれぞれ接続されるように、複数（例えば、４つ）設けられている。
第６端子３２は、第２配線回路基板１７の後端部に配置され、図示しないが、幅方向に沿って互いに間隔を隔てて並列配置されている。また、第６端子３２は、各第２配線３３の先端部がそれぞれ接続されるように、複数（例えば、４つ）設けられている。
第６端子３２は、第２配線回路基板１７の後端部に配置され、図示しないが、幅方向に沿って互いに間隔を隔てて並列配置されている。また、第６端子３２は、各第２配線３３の先端部がそれぞれ接続されるように、複数（例えば、４つ）設けられている。
また、第５端子３１および第６端子３２は、後述するように、その上面が、第２カバー絶縁層３０から露出されるように設けられている。
第２導体層２９を形成する導体材料としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などの金属材料が用いられ、好ましくは、銅が用いられる。
第２導体層２９の厚みは、例えば、１〜１５μｍ、好ましくは、３〜１２μｍである。また、各第２配線３３の幅と、各第５端子３１の幅と、各第６端子３２の幅とは、例えば、同一または相異なって、例えば、５０〜５００μｍ、好ましくは、８０〜３００μｍであり、各第２配線３３間の間隔と、各第５端子３１間の間隔と、各第６端子３２間の間隔とは、例えば、同一または相異なって、例えば、５〜５００μｍ、好ましくは、１５〜１００μｍである。また、各第５端子３１および各第６端子３２の長さ（長手方向長さ）は、例えば、同一または相異なって、例えば、１００〜２０００μｍ、好ましくは、５００〜１２００μｍである。
第２導体層２９を形成する導体材料としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などの金属材料が用いられ、好ましくは、銅が用いられる。
第２導体層２９の厚みは、例えば、１〜１５μｍ、好ましくは、３〜１２μｍである。また、各第２配線３３の幅と、各第５端子３１の幅と、各第６端子３２の幅とは、例えば、同一または相異なって、例えば、５０〜５００μｍ、好ましくは、８０〜３００μｍであり、各第２配線３３間の間隔と、各第５端子３１間の間隔と、各第６端子３２間の間隔とは、例えば、同一または相異なって、例えば、５〜５００μｍ、好ましくは、１５〜１００μｍである。また、各第５端子３１および各第６端子３２の長さ（長手方向長さ）は、例えば、同一または相異なって、例えば、１００〜２０００μｍ、好ましくは、５００〜１２００μｍである。
なお、第２導体層２９が後述するアディティブ法で形成される場合には、第２導体層２９と第２ベース絶縁層２８との間に、下地（図示せず）が介在されている。下地は、第２導体層２９の下面に形成されており、より具体的には、第２導体層２９と同一パターンで形成されている。なお、下地の厚みは、例えば、１〜６０００ｎｍ、好ましくは、５〜５０００ｎｍである。
第２カバー絶縁層３０は、第２導体層２９を被覆するように第２ベース絶縁層２８に形成されている。
より具体的には、第２カバー絶縁層３０は、平面視において、第２ベース絶縁層２８と同一のパターンとして形成されており、第２導体層２９を含む第２ベース絶縁層２８の上において、第２配線３３を被覆し、第５端子３１および第６端子３２を露出する所定パターンとして形成される。
より具体的には、第２カバー絶縁層３０は、平面視において、第２ベース絶縁層２８と同一のパターンとして形成されており、第２導体層２９を含む第２ベース絶縁層２８の上において、第２配線３３を被覆し、第５端子３１および第６端子３２を露出する所定パターンとして形成される。
第２カバー絶縁層３０を形成する絶縁材料としては、例えば、第２ベース絶縁層２８と同様の合成樹脂が用いられる。好ましくは、感光性の合成樹脂が用いられ、さらに好ましくは、感光性ポリイミドが用いられる。
第２カバー絶縁層３０の厚みは、例えば、１〜２０μｍ、好ましくは、２〜１０μｍである。
第２カバー絶縁層３０の厚みは、例えば、１〜２０μｍ、好ましくは、２〜１０μｍである。
そして、この第２配線回路基板１７では、第５端子３１および第６端子３２に対応する部分において、第２カバー絶縁層３０が切り欠かれている。
より具体的には、第２カバー絶縁層３０には、第５端子３１が形成される部分において、第２カバー第１切り欠き部３４が形成されており、また、第６端子３２が形成される部分において、第２カバー第２切り欠き部３５が形成されている。
より具体的には、第２カバー絶縁層３０には、第５端子３１が形成される部分において、第２カバー第１切り欠き部３４が形成されており、また、第６端子３２が形成される部分において、第２カバー第２切り欠き部３５が形成されている。
この第２カバー第１切り欠き部３４は、図示しないが、平面視において、すべて（例えば、４つ）の第５端子３１が露出するように、幅方向に沿って面一に切り欠かれている。また、第２カバー第２切り欠き部３５は、図示しないが、平面視において、すべて（例えば、４つ）の第６端子３２が露出するように、幅方向に沿って面一に切り欠かれている。これにより、第５端子３１および第６端子３２の上面が露出する。
このような第２配線回路基板１７は、公知の中継フレキシブル配線回路基板の製造方法により、製造することができる。
例えば、まず、第２配線回路基板１７の外形形状に形成されたフィルムからなる第２ベース絶縁層２８を用意し、第２ベース絶縁層２８の上に、第２導体層２９を、第５端子３１、第６端子３２および第２配線３３を有する所定パターンで形成する。
例えば、まず、第２配線回路基板１７の外形形状に形成されたフィルムからなる第２ベース絶縁層２８を用意し、第２ベース絶縁層２８の上に、第２導体層２９を、第５端子３１、第６端子３２および第２配線３３を有する所定パターンで形成する。
第２導体層２９は、例えば、アディティブ法、サブトラクティブ法などの公知のパターンニング法により形成する。好ましくは、サブトラクティブ法により形成する。
サブトラクティブ法では、まず、第２ベース絶縁層２８の上面に、必要により接着剤層を介して積層された金属箔からなる二層基材を用意する。
次いで、この方法では、金属箔の表面に、上記した第２導体層２９のパターンと同一のパターンで、エッチングレジストを形成する。エッチングレジストは、ドライフィルムフォトレジストなどを用いて、公知の方法により形成する。
サブトラクティブ法では、まず、第２ベース絶縁層２８の上面に、必要により接着剤層を介して積層された金属箔からなる二層基材を用意する。
次いで、この方法では、金属箔の表面に、上記した第２導体層２９のパターンと同一のパターンで、エッチングレジストを形成する。エッチングレジストは、ドライフィルムフォトレジストなどを用いて、公知の方法により形成する。
その後、エッチングレジストから露出する金属箔をエッチングした後、エッチングレジストをエッチングまたは剥離により除去する。
これにより、第２ベース絶縁層２８の上に、第２導体層２９を、第５端子３１、第６端子３２および第２配線３３を有する上記したパターンで形成することができる。
なお、このようにして形成される第２導体層２９は、必要により、無電解ニッケルめっきによって、ニッケルからなる無電解めっき層で被覆してもよい。
これにより、第２ベース絶縁層２８の上に、第２導体層２９を、第５端子３１、第６端子３２および第２配線３３を有する上記したパターンで形成することができる。
なお、このようにして形成される第２導体層２９は、必要により、無電解ニッケルめっきによって、ニッケルからなる無電解めっき層で被覆してもよい。
次いで、第２導体層２９を含む第２ベース絶縁層２８の上に、第２カバー絶縁層３０を、第５端子３１および第６端子３２に対応する部分が切り欠かれた所定パターンで形成する。第２導体層２９を含む第２ベース絶縁層２８の上に、第２カバー絶縁層３０を、所定パターンで形成するには、例えば、第２導体層２９を含む第２ベース絶縁層２８の上に、ポリアミド酸樹脂溶液などの感光性合成樹脂溶液を塗布し、これを露光および現像した後、加熱硬化させればよい。
これにより、第５端子３１および第６端子３２の、上面および両側面が、第２カバー絶縁層３０の切り欠かれた部分（第２カバー第１切り欠き部３４および第２カバー第２切り欠き部３５）から露出する。
このようにして、第２配線回路基板１７を得ることができる。
なお、第２配線回路基板１７の形成は、これに限定されず、例えば、第２ベース絶縁層２８および第２導体層２９が積層された二層基材を用意し、次いで、サブトラクティブ法により、第２導体層２９を所定パターンに形成し、その後、第２導体層２９を含む第２ベース絶縁層２８の上に、第２カバー絶縁層３０を、第５端子３１および第６端子３２に相当する部分が切り欠かれた所定パターンで形成することにより、第２配線回路基板１７を得ることもできる。
このようにして、第２配線回路基板１７を得ることができる。
なお、第２配線回路基板１７の形成は、これに限定されず、例えば、第２ベース絶縁層２８および第２導体層２９が積層された二層基材を用意し、次いで、サブトラクティブ法により、第２導体層２９を所定パターンに形成し、その後、第２導体層２９を含む第２ベース絶縁層２８の上に、第２カバー絶縁層３０を、第５端子３１および第６端子３２に相当する部分が切り欠かれた所定パターンで形成することにより、第２配線回路基板１７を得ることもできる。
そして、中継フレキシブル配線回路基板３は、図２（ｄ）に示すように、上記した第１配線回路基板１６と、上記した第２配線回路基板１７とが、プリアンプ１８を介して電気的に接続されることによって、形成されている。
プリアンプ１８は、第７端子３６と、第８端子３７と、これら第７端子３６および第８端子３７が接続されるプリアンプ本体３８とを備えている。プリアンプ本体３８は、電気信号の増幅回路からなる。
プリアンプ１８は、第７端子３６と、第８端子３７と、これら第７端子３６および第８端子３７が接続されるプリアンプ本体３８とを備えている。プリアンプ本体３８は、電気信号の増幅回路からなる。
第７端子３６は、プリアンプ本体３８の先端部に設けられ、第８端子３７は、プリアンプ本体３８の後端部に設けられる。
第１配線回路基板１６と第２配線回路基板１７とを、プリアンプ１８により電気的に接続するには、第１配線回路基板１６と第２配線回路基板１７とを、長手方向において間隔を隔てて対向配置させ、プリアンプ１８を、第１配線回路基板１６の後端部（第４端子２４が形成される端部）と、第２配線回路基板１７の先端部（第５端子３１が形成される端部）との間に配置させる。
第１配線回路基板１６と第２配線回路基板１７とを、プリアンプ１８により電気的に接続するには、第１配線回路基板１６と第２配線回路基板１７とを、長手方向において間隔を隔てて対向配置させ、プリアンプ１８を、第１配線回路基板１６の後端部（第４端子２４が形成される端部）と、第２配線回路基板１７の先端部（第５端子３１が形成される端部）との間に配置させる。
すなわち、プリアンプ１８の長手方向両側端部（第７端子３６が形成される一方側端部、および、第８端子３７が形成される他方側端部）を、第１配線回路基板１６の後端部と、第２配線回路基板１７の先端部とに、それぞれ載置する。
次いで、例えば、銅、ニッケル、金などの導体材料からなるワイヤ３９を用いて、プリアンプ１８の第７端子３６と、第１配線回路基板１６の第４端子２４とを電気的に接続し、プリアンプ１８の第８端子３７と、第２配線回路基板１７の第５端子３１とを、電気的に接続する。
次いで、例えば、銅、ニッケル、金などの導体材料からなるワイヤ３９を用いて、プリアンプ１８の第７端子３６と、第１配線回路基板１６の第４端子２４とを電気的に接続し、プリアンプ１８の第８端子３７と、第２配線回路基板１７の第５端子３１とを、電気的に接続する。
これにより、中継フレキシブル配線回路基板３を得ることができる。
このようにして得られる中継フレキシブル配線回路基板３では、プリアンプ１８が、第１配線回路基板１６と第２配線回路基板１７とを電気的に接続し、第１配線回路基板１６と第２配線回路基板１７との間において、電気信号を増幅させ、増幅させた電気信号を伝達する。
このようにして得られる中継フレキシブル配線回路基板３では、プリアンプ１８が、第１配線回路基板１６と第２配線回路基板１７とを電気的に接続し、第１配線回路基板１６と第２配線回路基板１７との間において、電気信号を増幅させ、増幅させた電気信号を伝達する。
そして、この中継フレキシブル配線回路基板３においては、図１に示すように、第１配線回路基板１６の第３端子２３と、回路付サスペンション基板１の第２端子１０とが電気的に接続される。これにより、回路付サスペンション基板１と中継フレキシブル配線回路基板３とが電気的に接続される。
このようにして得られた接続構造では、図１に示すように、回路付サスペンション基板１の第１端子９と、磁気ヘッド４の端子とが電気的に接続され、中継フレキシブル配線回路基板３における第２配線回路基板１７の第６端子３２と、外部基板２の端子とが、電気的に接続される。
このようにして得られた接続構造では、図１に示すように、回路付サスペンション基板１の第１端子９と、磁気ヘッド４の端子とが電気的に接続され、中継フレキシブル配線回路基板３における第２配線回路基板１７の第６端子３２と、外部基板２の端子とが、電気的に接続される。
そして、この中継フレキシブル配線回路基板３およびその接続構造では、第１配線回路基板１６が、回路付サスペンション基板１と同一の層構成を有している。そのため、回路付サスペンション基板１と第１配線回路基板１６との接続点において、インピーダンスの整合を図ることができる。
また、第１配線回路基板１６と第２配線回路基板１７とが、直接接続されることなく、プリアンプ１８を介して電気的に接続されている。
また、第１配線回路基板１６と第２配線回路基板１７とが、直接接続されることなく、プリアンプ１８を介して電気的に接続されている。
そのため、第１配線回路基板１６と第２配線回路基板１７との接続点を、第１配線回路基板１６と第２配線回路基板１７とを直接接続する場合よりも少なくすることができ、中継フレキシブル配線回路基板３（第１配線回路基板１６と第２配線回路基板１７との間）におけるインピーダンスの不整合を低減することができる。
その結果、この中継フレキシブル配線回路基板３およびその接続構造では、磁気ヘッド４と外部基板２との間のインピーダンスの整合を図ることができる。
その結果、この中継フレキシブル配線回路基板３およびその接続構造では、磁気ヘッド４と外部基板２との間のインピーダンスの整合を図ることができる。
図３は、本発明の配線回路基板の他の実施形態としての中継フレキシブル配線回路の使用態様を示す断面図である。なお、図３において、上記した各部に対応する各部については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
上記した説明では、プリアンプ１８の第７端子３６および第１配線回路基板１６の第４端子２４と、プリアンプ１８の第８端子３７および第２配線回路基板１７の第５端子３１とを、ワイヤ３９を用いて接続したが、接続方法はこれに限定されず、例えば、図３に示すように、はんだ４０によるはんだ接続など、公知の接続方法を用いることができる。このような場合においては、プリアンプ１８の下面には、はんだ接続用端子４３が、適宜形成される。
上記した説明では、プリアンプ１８の第７端子３６および第１配線回路基板１６の第４端子２４と、プリアンプ１８の第８端子３７および第２配線回路基板１７の第５端子３１とを、ワイヤ３９を用いて接続したが、接続方法はこれに限定されず、例えば、図３に示すように、はんだ４０によるはんだ接続など、公知の接続方法を用いることができる。このような場合においては、プリアンプ１８の下面には、はんだ接続用端子４３が、適宜形成される。
また、上記した説明では、回路付サスペンション基板１の第２端子１０をフライングリードとして形成したが、第２端子１０は、その上面のみがカバー絶縁層８から露出するように形成してもよく、また、第２端子１０と第３端子２３の接続は、これに限定されず、例えば、はんだ４１によるはんだ接続など、公知の接続方法を用いることもできる。
また、上記した説明では、第２配線回路基板１７を、第２ベース絶縁層２８、第２導体層２９および第２カバー絶縁層３０により形成したが、第２配線回路基板１７には、図３に示すように、第２ベース絶縁層２８における第５端子３１および第６端子３２に対向する部分に、ボンディング時の強度を確保すべく、必要により接着剤層（図示せず）を介して、補強板４２を設けることもできる。
また、上記した説明では、第２配線回路基板１７を、第２ベース絶縁層２８、第２導体層２９および第２カバー絶縁層３０により形成したが、第２配線回路基板１７には、図３に示すように、第２ベース絶縁層２８における第５端子３１および第６端子３２に対向する部分に、ボンディング時の強度を確保すべく、必要により接着剤層（図示せず）を介して、補強板４２を設けることもできる。
以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されることはない。
実施例１
（１）回路付サスペンション基板の作成
幅３００ｍｍ、厚さ２０μｍのステンレス箔からなる金属支持層５を用意し、次いで、その金属支持層５の表面に、感光性ポリアミド酸樹脂溶液（ワニス）を塗布し、乾燥した。これを、フォトマスクを介して露光し、露光後加熱、アルカリ現像液によって現像した後、加熱硬化させて、厚さ１０μｍのポリイミド樹脂からなるベース絶縁層６を形成した。
実施例１
（１）回路付サスペンション基板の作成
幅３００ｍｍ、厚さ２０μｍのステンレス箔からなる金属支持層５を用意し、次いで、その金属支持層５の表面に、感光性ポリアミド酸樹脂溶液（ワニス）を塗布し、乾燥した。これを、フォトマスクを介して露光し、露光後加熱、アルカリ現像液によって現像した後、加熱硬化させて、厚さ１０μｍのポリイミド樹脂からなるベース絶縁層６を形成した。
次いで、ベース絶縁層６の全面に、スパッタ蒸着法により、厚さ３００Åのクロム薄膜および厚さ７００Åの銅薄膜を順次形成することにより、導体薄膜（下地）を形成した。
その後、導体薄膜の上に、導体層７の反転パターンで、ドライフィルムレジストを用いてめっきレジストを形成した後、めっきレジストから露出する導体薄膜の上に、電解銅めっきにより厚み１０μｍの導体層７を形成した。その後、めっきレジストをウェットエッチングにより除去した後、そのめっきレジストが形成されていた部分の金属薄膜を剥離により除去した。
その後、導体薄膜の上に、導体層７の反転パターンで、ドライフィルムレジストを用いてめっきレジストを形成した後、めっきレジストから露出する導体薄膜の上に、電解銅めっきにより厚み１０μｍの導体層７を形成した。その後、めっきレジストをウェットエッチングにより除去した後、そのめっきレジストが形成されていた部分の金属薄膜を剥離により除去した。
これにより、導体層７は、先端部および後端部の間において、ベース絶縁層６の上に形成される複数の配線１１と、先端部においてベース絶縁層６の上に形成される複数の第１端子９と、後端部においてベース絶縁層６の上に形成される複数の第２端子１０とを備えるパターンとして形成された。
なお、各第２端子１０の長さは、５００μｍ、その幅は、１００μｍであり、各第２端子１０間の幅方向間隔は、３０μｍであった。
なお、各第２端子１０の長さは、５００μｍ、その幅は、１００μｍであり、各第２端子１０間の幅方向間隔は、３０μｍであった。
その後、導体層７を被覆するように、ベース絶縁層６の上に、感光性ポリアミド酸樹脂溶液（ワニス）を塗布し、乾燥した。これを、フォトマスクを介して露光し、アルカリ現像液によって現像した後、加熱硬化させて、厚さ４μｍのポリイミド樹脂からなるカバー絶縁層８を形成した。
このカバー絶縁層８は、先端部に各第１端子９を露出する開口部を備え、後端部に各第２端子１０を露出する切り欠き部（カバー切り欠き部１５）を備え、先端部および後端部の間においては、配線１１を被覆するパターンとして形成した。
このカバー絶縁層８は、先端部に各第１端子９を露出する開口部を備え、後端部に各第２端子１０を露出する切り欠き部（カバー切り欠き部１５）を備え、先端部および後端部の間においては、配線１１を被覆するパターンとして形成した。
次いで、金属支持層５を化学エッチングすることにより、金属開口部１３を形成し、次いで、ベース絶縁層６をプラズマエッチングすることにより、ベース開口部１４を形成し、次いで、金属開口部１３およびベース開口部１４から露出する導体薄膜（下地）を、剥離により除去し、第２端子１０を金属支持層５およびベース絶縁層６から露出するフライングリードとして形成した。
その後、金属支持層５、ベース絶縁層６およびカバー絶縁層８から露出する第２端子１０に、無電解ニッケルめっきと無電解金めっきとを順次実施することにより、ニッケルめっき層および金めっき層からなる厚み２μｍの金属めっき層を形成することにより、回路付サスペンション基板１を得た（図２（ａ）参照）。
（２）中継フレキシブル配線回路基板の作製
（第１配線回路基板の作製）
幅３００ｍｍ、厚さ２０μｍのステンレス箔からなる第１金属支持層１９を用意し、次いで、その第１金属支持層１９の表面に、感光性ポリアミド酸樹脂溶液（ワニス）を塗布し、乾燥した。これを、フォトマスクを介して露光し、露光後加熱、アルカリ現像液によって現像した後、加熱硬化させて、厚さ１０μｍのポリイミド樹脂からなる第１ベース絶縁層２０を形成した。
（２）中継フレキシブル配線回路基板の作製
（第１配線回路基板の作製）
幅３００ｍｍ、厚さ２０μｍのステンレス箔からなる第１金属支持層１９を用意し、次いで、その第１金属支持層１９の表面に、感光性ポリアミド酸樹脂溶液（ワニス）を塗布し、乾燥した。これを、フォトマスクを介して露光し、露光後加熱、アルカリ現像液によって現像した後、加熱硬化させて、厚さ１０μｍのポリイミド樹脂からなる第１ベース絶縁層２０を形成した。
次いで、第１ベース絶縁層２０の全面に、スパッタ蒸着法により、厚さ３００Åのクロム薄膜および厚さ７００Åの銅薄膜を順次形成することにより、導体薄膜（下地）を形成した。
その後、導体薄膜の上に、第１導体層２１の反転パターンで、ドライフィルムレジストを用いてめっきレジストを形成した後、めっきレジストから露出する導体薄膜の上に、電解銅めっきにより厚み１０μｍの第１導体層２１を形成した。その後、めっきレジストをウェットエッチングにより除去した後、そのめっきレジストが形成されていた部分の金属薄膜を剥離により除去した。
その後、導体薄膜の上に、第１導体層２１の反転パターンで、ドライフィルムレジストを用いてめっきレジストを形成した後、めっきレジストから露出する導体薄膜の上に、電解銅めっきにより厚み１０μｍの第１導体層２１を形成した。その後、めっきレジストをウェットエッチングにより除去した後、そのめっきレジストが形成されていた部分の金属薄膜を剥離により除去した。
これにより、第１導体層２１は、先端部および後端部の間において、第１ベース絶縁層２０の上に形成される複数の第１配線２５と、先端部において第１ベース絶縁層２０の上に形成される複数の第３端子２３と、後端部において第１ベース絶縁層２０の上に形成される複数の第４端子２４とを備えるパターンとして形成された。
その後、第１導体層２１を被覆するように、第１ベース絶縁層２０の上に、感光性ポリアミド酸樹脂溶液（ワニス）を塗布し、乾燥した。これを、フォトマスクを介して露光し、アルカリ現像液によって現像した後、加熱硬化させて、厚さ４μｍのポリイミド樹脂からなる第１カバー絶縁層２２を形成した。
その後、第１導体層２１を被覆するように、第１ベース絶縁層２０の上に、感光性ポリアミド酸樹脂溶液（ワニス）を塗布し、乾燥した。これを、フォトマスクを介して露光し、アルカリ現像液によって現像した後、加熱硬化させて、厚さ４μｍのポリイミド樹脂からなる第１カバー絶縁層２２を形成した。
この第１カバー絶縁層２２は、先端部に各第３端子２３を露出する切り欠き部（第１カバー第１切り欠き部２６）を備え、後端部に各第４端子２４を露出する切り欠き部（第１カバー第２切り欠き部２７）を備え、先端部および後端部の間においては、第１配線２５を被覆するパターンとして形成した。これにより、第１配線回路基板１６を得た（図２（ｂ）参照）。
なお、各第３端子２３の長さは、７００μｍ、その幅は、１００μｍであり、各第３端子２３間の幅方向間隔は、３０μｍであった。また、各第４端子２４の長さは、１０００μｍ、その幅は、２００μｍであり、各第４端子２４間の幅方向間隔は、８０μｍであった。
（第２配線回路基板の作製）
幅３００ｍｍ、厚さ２０μｍのポリイミドのフィルムからなる第２ベース絶縁層２８の上に、厚み１０μｍの銅箔が積層されている二層基材を用意した。
（第２配線回路基板の作製）
幅３００ｍｍ、厚さ２０μｍのポリイミドのフィルムからなる第２ベース絶縁層２８の上に、厚み１０μｍの銅箔が積層されている二層基材を用意した。
次いで、その二層基材の銅箔の上に、第２導体層２９に対応するパターンで、厚み１０μｍのエッチングレジストを形成した後、エッチングレジストから露出する金属箔をエッチングした。その後、エッチングレジストを剥離により除去した。
これにより、第２導体層２９は、先端部および後端部の間において、第２ベース絶縁層２８の上に形成される複数の第２配線３３と、先端部において第２ベース絶縁層２８の上に形成される複数の第５端子３１と、後端部において第２ベース絶縁層２８の上に形成される複数の第６端子３２とを備えるパターンとして形成された。
これにより、第２導体層２９は、先端部および後端部の間において、第２ベース絶縁層２８の上に形成される複数の第２配線３３と、先端部において第２ベース絶縁層２８の上に形成される複数の第５端子３１と、後端部において第２ベース絶縁層２８の上に形成される複数の第６端子３２とを備えるパターンとして形成された。
その後、第２導体層２９を被覆するように、第２ベース絶縁層２８の上に、感光性ポリアミド酸樹脂溶液（ワニス）を塗布し、乾燥した。これを、フォトマスクを介して露光し、アルカリ現像液によって現像した後、加熱硬化させて、厚さ４μｍのポリイミド樹脂からなる第２カバー絶縁層３０を形成した。
この第２カバー絶縁層３０は、先端部に各第５端子３１を露出する切り欠き部（第２カバー第１切り欠き部３４）を備え、後端部に各第６端子３２を露出する切り欠き部（第２カバー第２切り欠き部３５）を備え、先端部および後端部の間においては、第２配線３３を被覆するパターンとして形成した。これにより、第２配線回路基板を得た（図２（ｃ）参照）。
この第２カバー絶縁層３０は、先端部に各第５端子３１を露出する切り欠き部（第２カバー第１切り欠き部３４）を備え、後端部に各第６端子３２を露出する切り欠き部（第２カバー第２切り欠き部３５）を備え、先端部および後端部の間においては、第２配線３３を被覆するパターンとして形成した。これにより、第２配線回路基板を得た（図２（ｃ）参照）。
なお、各第５端子３１の長さは、１０００μｍ、その幅は、２００μｍであり、各第５端子３１間の幅方向間隔は、８０μｍであった。
（第１配線回路基板と第２配線回路基板との接続）
プリアンプ本体３８と、プリアンプ本体３８の先端部に形成される第７端子３６と、プリアンプ本体３８の後端部に形成される第８端子３７とを備えるプリアンプ１８を用意した。
（第１配線回路基板と第２配線回路基板との接続）
プリアンプ本体３８と、プリアンプ本体３８の先端部に形成される第７端子３６と、プリアンプ本体３８の後端部に形成される第８端子３７とを備えるプリアンプ１８を用意した。
第１配線回路基板１６と第２配線回路基板１７とを、長手方向に１．５ｍｍの間隔を隔てて対向配置させ、プリアンプ本体３８（長さ３ｍｍ）の先端部および後端部を、第１配線回路基板１６の後端部と第２配線回路基板１７の先端部とにそれぞれ載置し、続いて、銅からなるワイヤ３９を用いて、プリアンプ１８の第７端子３６と、第１配線回路基板１６の第４端子２４とを、電気的に接続させるとともに、プリアンプ１８の第８端子３７と、第２配線回路基板１７の第５端子３１とを、電気的に接続させた。
これにより、第１配線回路基板１６と第２配線回路基板１７とがプリアンプ１８を介して電気的に接続された中継フレキシブル配線回路基板３を得た（図２（ｄ）参照）。
（３）回路付サスペンション基板と、中継フレキシブル配線回路基板と、制御回路基板との接続
第１配線回路基板１６の第３端子２３に、回路付サスペンション基板１の第２端子１０（フライングリード端子）を電気的に接続させ（図１参照）、次いで、第２配線回路基板１７の第６端子３２に、制御回路基板（外部基板２）の端子を電気的に接続させた。その後、回路付サスペンション基板１の第１端子９に、磁気ヘッド４の端子を電気的に接続させた。
（３）回路付サスペンション基板と、中継フレキシブル配線回路基板と、制御回路基板との接続
第１配線回路基板１６の第３端子２３に、回路付サスペンション基板１の第２端子１０（フライングリード端子）を電気的に接続させ（図１参照）、次いで、第２配線回路基板１７の第６端子３２に、制御回路基板（外部基板２）の端子を電気的に接続させた。その後、回路付サスペンション基板１の第１端子９に、磁気ヘッド４の端子を電気的に接続させた。
比較例１
比較例１の回路付サスペンション基板および中継フレキシブル配線回路基板を、図４に示す。なお、図４において、上記した各部に対応する各部については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
以下、比較例１について、図４を参照して説明する。
比較例１の回路付サスペンション基板および中継フレキシブル配線回路基板を、図４に示す。なお、図４において、上記した各部に対応する各部については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
以下、比較例１について、図４を参照して説明する。
実施例１の回路付サスペンション基板の作製と同様にして、幅３００ｍｍ、厚み２０μｍの金属支持層５と、厚み１０μｍのベース絶縁層６と、厚み１０μｍの導体層７と、厚み４μｍのカバー絶縁層８とを備える回路付サスペンション基板１を得た。
なお、比較例１の回路付サスペンション基板１においても、図４に示すように、第２端子１０をフライングリードとして形成した。
なお、比較例１の回路付サスペンション基板１においても、図４に示すように、第２端子１０をフライングリードとして形成した。
次いで、実施例１の第２配線回路基板の作製と同様にして、幅３００ｍｍ、厚み２０μｍのベース絶縁層２８と、厚み１０μｍの導体層２９と、厚み４μｍのカバー絶縁層３５とを備える配線回路基板４５を作製し、これを中継フレキシブル配線回路基板３とした。
なお、比較例１の中継フレキシブル配線回路基板３では、カバー絶縁層３５に、配線回路基板４５とプリアンプ１８とを電気的に接続するための開口部４６を形成し、ワイヤ３９により、第２導体層２９とプリアンプ１８とを、電気的に接続した。
なお、比較例１の中継フレキシブル配線回路基板３では、カバー絶縁層３５に、配線回路基板４５とプリアンプ１８とを電気的に接続するための開口部４６を形成し、ワイヤ３９により、第２導体層２９とプリアンプ１８とを、電気的に接続した。
その後、実施例１と同様にして、回路付サスペンション基板１と、中継フレキシブル配線回路基板３と、制御回路基板２とを電気的に接続し、回路付サスペンション基板１と磁気ヘッド４とを電気的に接続した。
比較例２
比較例２の回路付サスペンション基板および中継フレキシブル配線回路基板を、図５に示す。なお、図５において、上記した各部に対応する各部については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
比較例２
比較例２の回路付サスペンション基板および中継フレキシブル配線回路基板を、図５に示す。なお、図５において、上記した各部に対応する各部については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
以下、比較例２について、図５を参照して説明する。
実施例１の回路付サスペンション基板の作製と同様にして、幅３００ｍｍ、厚み２０μｍの金属支持層５と、厚み１０μｍのベース絶縁層６と、厚み１０μｍの導体層７と、厚み４μｍのカバー絶縁層８とを備える回路付サスペンション基板１を得た。
なお、比較例２の回路付サスペンション基板１においても、図５に示すように、第２端子１０をフライングリードとして形成した。
実施例１の回路付サスペンション基板の作製と同様にして、幅３００ｍｍ、厚み２０μｍの金属支持層５と、厚み１０μｍのベース絶縁層６と、厚み１０μｍの導体層７と、厚み４μｍのカバー絶縁層８とを備える回路付サスペンション基板１を得た。
なお、比較例２の回路付サスペンション基板１においても、図５に示すように、第２端子１０をフライングリードとして形成した。
次いで、実施例１の第１配線回路基板の作製と同様にして、幅３００ｍｍ、厚み２０μｍの第１金属支持層１９と、厚み１０μｍの第１ベース絶縁層２０と、厚み１０μｍの第１導体層２１と、厚み１０μｍの第１カバー絶縁層２２とを備える第１配線回路基板１６を得た。
なお、比較例２の第１配線回路基板１６では、第１カバー絶縁層２２に、第１配線回路基板１６とプリアンプ１８とを電気的に接続するための開口部４６を形成し、ワイヤ３９により、第１導体層２１とプリアンプ１８とを、電気的に接続した。また、第１金属支持層１９および第１ベース絶縁層２０に、第１配線回路基板１６と第２配線回路基板１７とを電気的に接続するための貫通孔４９を、化学エッチングおよびプラズマエッチングにより形成した。
なお、比較例２の第１配線回路基板１６では、第１カバー絶縁層２２に、第１配線回路基板１６とプリアンプ１８とを電気的に接続するための開口部４６を形成し、ワイヤ３９により、第１導体層２１とプリアンプ１８とを、電気的に接続した。また、第１金属支持層１９および第１ベース絶縁層２０に、第１配線回路基板１６と第２配線回路基板１７とを電気的に接続するための貫通孔４９を、化学エッチングおよびプラズマエッチングにより形成した。
次いで、実施例１の第２配線回路基板の作製と同様にして、幅３００ｍｍ、厚み２０μｍの第２ベース絶縁層２８と、厚み１０μｍの第２導体層２９と、厚み４μｍの第２カバー絶縁層３０とを備える第２配線回路基板１７を得た。
なお、比較例２の第２配線回路基板１７では、第２カバー第１切り欠き部２７に代えて、第１配線回路基板１６と第２配線回路基板１７とを電気的に接続するための開口部４７を形成した。
なお、比較例２の第２配線回路基板１７では、第２カバー第１切り欠き部２７に代えて、第１配線回路基板１６と第２配線回路基板１７とを電気的に接続するための開口部４７を形成した。
次いで、第１配線回路基板１６と第２配線回路基板１７とを、はんだ４８を介して電気的に接続することにより、中継フレキシブル配線回路基板３を得た。
その後、実施例１と同様にして、回路付サスペンション基板１と、中継フレキシブル配線回路基板３と、制御回路基板２とを電気的に接続し、回路付サスペンション基板１と磁気ヘッド４とを電気的に接続した。
その後、実施例１と同様にして、回路付サスペンション基板１と、中継フレキシブル配線回路基板３と、制御回路基板２とを電気的に接続し、回路付サスペンション基板１と磁気ヘッド４とを電気的に接続した。
（評価）
（インピーダンス測定）
実施例および各比較例の、回路付サスペンション基板および中継フレキシブル配線回路基板において、タイム・ドメイン・リフレクトメトリ（ＴＤＲ）法により、回路付サスペンション基板と中継フレキシブル配線回路基板との接続点、中継フレキシブル配線回路基板とプリアンプの先端側との接続点（出力信号）、プリアンプの後端側と中継フレキシブル配線回路基板との接続点（入力信号）における、インピーダンスの整合性をそれぞれ評価した。
（インピーダンス測定）
実施例および各比較例の、回路付サスペンション基板および中継フレキシブル配線回路基板において、タイム・ドメイン・リフレクトメトリ（ＴＤＲ）法により、回路付サスペンション基板と中継フレキシブル配線回路基板との接続点、中継フレキシブル配線回路基板とプリアンプの先端側との接続点（出力信号）、プリアンプの後端側と中継フレキシブル配線回路基板との接続点（入力信号）における、インピーダンスの整合性をそれぞれ評価した。
その結果を、表１に示す。
１ 回路付サスペンション基板
２ 外部基板
３ 中継フレキシブル配線回路基板
４ 磁気ヘッド
５ 金属支持層
６ ベース絶縁層
７ 導体層
８ カバー絶縁層
９ 第１端子
１０ 第２端子
１１ 配線
１２ カバー開口部
１３ 金属開口部
１４ ベース開口部
１５ カバー切り欠き部
１６ 第１配線回路基板
１７ 第２配線回路基板
１８ プリアンプ
１９ 第１金属支持層
２０ 第１ベース絶縁層
２１ 第１導体層
２２ 第１カバー絶縁層
２３ 第３端子
２４ 第４端子
２５ 第１配線
２６ 第１カバー第１切り欠き部
２７ 第１カバー第２切り欠き部
２８ 第２ベース絶縁層
２９ 第２導体層
３０ 第２カバー絶縁層
３１ 第５端子
３２ 第６端子
３３ 第２配線
３４ 第２カバー第１切り欠き部
３５ 第２カバー第２切り欠き部
３６ 第７端子
３７ 第８端子
３８ プリアンプ本体
３９ ワイヤ
２ 外部基板
３ 中継フレキシブル配線回路基板
４ 磁気ヘッド
５ 金属支持層
６ ベース絶縁層
７ 導体層
８ カバー絶縁層
９ 第１端子
１０ 第２端子
１１ 配線
１２ カバー開口部
１３ 金属開口部
１４ ベース開口部
１５ カバー切り欠き部
１６ 第１配線回路基板
１７ 第２配線回路基板
１８ プリアンプ
１９ 第１金属支持層
２０ 第１ベース絶縁層
２１ 第１導体層
２２ 第１カバー絶縁層
２３ 第３端子
２４ 第４端子
２５ 第１配線
２６ 第１カバー第１切り欠き部
２７ 第１カバー第２切り欠き部
２８ 第２ベース絶縁層
２９ 第２導体層
３０ 第２カバー絶縁層
３１ 第５端子
３２ 第６端子
３３ 第２配線
３４ 第２カバー第１切り欠き部
３５ 第２カバー第２切り欠き部
３６ 第７端子
３７ 第８端子
３８ プリアンプ本体
３９ ワイヤ
Claims (1)
- 回路付サスペンション基板と、第１配線回路基板と、第２配線回路基板と、プリアンプとを備え、
前記回路付サスペンション基板は、金属支持層、前記金属支持層の上に形成されるベース絶縁層、前記ベース絶縁層の上に形成される導体層、および、前記ベース絶縁層の上に、前記導体層を被覆するように形成されるカバー絶縁層を備え、
前記導体層は、磁気ヘッドと電気的に接続するための第１端子と、第１配線回路基板と電気的に接続するための第２端子とを備え、
前記第１配線回路基板は、第１金属支持層、前記第１金属支持層の上に形成される第１ベース絶縁層、前記第１ベース絶縁層の上に形成される第１導体層、および、前記第１ベース絶縁層の上に、前記第１導体層を被覆するように形成される第１カバー絶縁層を備え、
前記第１導体層は、前記回路付サスペンション基板と電気的に接続するための第３端子と、前記プリアンプと電気的に接続するための第４端子とを備え、
前記第２配線回路基板は、第２導体層を備え、
前記第２導体層は、前記プリアンプと電気的に接続するための第５端子と、外部回路と電気的に接続するための第６端子を備え、
前記プリアンプは、前記第４端子および前記第５端子と電気的に接続され、
前記回路付サスペンション基板の前記第２端子と、前記第１配線回路基板の前記第３端子とが、電気的に接続されていることを特徴とする、配線回路基板の接続構造。
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