JP6497853B2 - 配線回路基板およびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、配線回路基板およびその製造方法に関する。

従来から、種々の電気機器または電子機器に配線回路基板が用いられている。特許文献１には、磁気ディスク装置において磁気ヘッドを位置決めするために用いられる配線回路基板として回路付サスペンション用基板が示される。

特許文献１の配線回路基板においては、導電性の支持基板上に絶縁性のベース層が形成される。ベース層上に導体回路パターンが形成される。無電解ニッケルめっきにより導体回路パターンの表面に金属皮膜が形成される。金属皮膜が形成された導体回路パターンを覆うようにカバー層が形成される。カバー層から露出するように導体回路パターンの端部に接続端子が形成される。

特開２０１２−２３５０１３号公報

近年、電気機器または電子機器に用いられる電気信号の高周波化が進んでいる。しかしながら、高周波の電気信号が特許文献１のような配線回路基板の導体回路パターンにより伝送される場合、電気信号の損失が増加する。そのため、配線回路基板には、高い周波数帯域においても電気信号の伝送損失が低減されることが求められる。

本発明の目的は、高い周波数帯域においても電気信号の損失が低減された配線回路基板およびその製造方法を提供することである。

本発明者は、種々の実験および検討を行なった結果、金属薄膜を介さずに配線パターンを直接カバー層に接触させることにより、高い周波数帯域における電気信号の伝送損失を低減できることを見出し、以下の本発明に想到した。

（１）第１の発明に係る配線回路基板は、第１の絶縁層と、第１の絶縁層上に形成される配線パターンと、配線パターンを覆うように第１の絶縁層上に形成される第２の絶縁層と、配線パターンと電気的に接続され、かつ第２の絶縁層から露出するように第１の絶縁層上に形成される接続端子とを備え、配線パターンの表面は第１の部分と、第１の部分とは異なる第２の部分とを有し、配線パターンの第２の部分には、金属薄膜が形成され、接続端子は、第１の導体層と、第１の導体層の少なくとも一部と接触するように第１の導体層上に形成されかつ金属薄膜よりも大きな厚みを有する第２の導体層とを含み、第２の絶縁層は、配線パターンの第１の部分と直接接触しかつ金属薄膜と接触する状態で配線パターンを覆う。

この配線回路基板においては、第１の絶縁層上に配線パターンが形成される。少なくとも配線パターンの表面の第１の部分と直接接触する状態で配線パターンを覆うように第１の絶縁層上に第２の絶縁層が形成される。配線パターンと電気的に接続されかつ第２の絶縁層から露出するように第１の絶縁層上に接続端子が形成される。

この構成によれば、配線パターンの少なくとも第１の部分は第２の絶縁層と直接接触する。本発明者の上記の実験および検討の結果、配線パターンが第２の絶縁層と直接接触することにより、電気信号の伝送損失が低減する。これにより、高い周波数帯域においても電気信号の伝送損失を低減することができる。

また、配線パターンの表面は、第１の部分とは異なる第２の部分を有し、配線パターンの第２の部分には、金属薄膜が形成され、第２の絶縁層は、配線パターンの第１の部分と直接接触しかつ金属薄膜と接触する状態で配線パターンを覆う。

この場合、配線パターンの第１の部分における電気信号の伝送損失を低減しつつ、第２の部分において配線パターンと第２の絶縁層との密着性を向上させることが容易になる。それにより、第２の絶縁層の剥離を防止しつつ高い周波数帯域における電気信号の伝送損失を低減することが可能となる。また、配線パターンと第２の絶縁層とを密着させるための表面処理を配線パターンの全体に施すことが不要になる。
（２）金属薄膜は、ニッケル、金、白金、銀または錫により形成された単相構造を有し、第２の導体層は、ニッケル層と金層との積層構造を有してもよい。

（３）配線パターンは、接続端子に接続される端部を有し、配線パターンの第２の部分は、配線パターンの端部の表面に位置してもよい。

この場合、配線パターンの端部で配線パターンと第２の絶縁層との密着性が向上する。これにより、配線パターンの端部において第１の絶縁層と第２の絶縁層との間に隙間が発生することが防止される。その結果、配線回路基板の製造に用いられる薬液が第１の絶縁層と第２の絶縁層と間に浸入することが防止される。

（４）第１の部分は、配線パターンの第２の部分を除く部分であってもよい。

この場合、配線パターンの端部で配線パターンと第２の絶縁層との密着性を向上させつつ、配線パターンの端部以外の全体の部分で電気信号の伝送損失を低減することができる。

（５）第２の部分は配線パターンと接続端子との境界部分を含み、第１の導体層は、第２の部分に隣接する第３の部分を有し、金属薄膜は、第２の部分において、配線パターンと第２の絶縁層との間に位置し、第３の部分において、第１の導体層と第２の導体層との間に位置してもよい。

この場合、配線パターンと接続端子との境界部分において、配線パターンと第２の絶縁層との密着性が向上する。それにより、配線パターンと接続端子との境界部分での第２の絶縁層の剥離を十分に防止することができる。

（６）第２の絶縁層に対する金属薄膜の密着力は、第２の絶縁層に対する配線パターンの密着力よりも高くてもよい。

この場合、金属薄膜により配線パターンと第２の絶縁層との密着性を確実に向上させることができる。

（７）配線パターンは銅を含み、金属薄膜はニッケルにより形成されてもよい。

この場合、銅を含む配線パターンと第２の絶縁層との間にニッケル、金、白金、銀または錫を含む金属薄膜が介在することにより、配線パターンと第２の絶縁層との密着性が十分に向上する。

（８）第２の発明に係る配線回路基板の製造方法は、第１の絶縁層上に互いに電気的に接続された配線パターンと第１の導体層とを形成する工程と、配線パターンの表面の第１の部分とは異なる第２の部分上に金属薄膜を形成する工程と、配線パターンの第１の部分と直接接触しかつ第２の部分上に形成された金属薄膜と接触する状態で配線パターンを覆うように第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成する工程と、配線パターンと電気的に接続されかつ第２の絶縁層から露出するように第１の絶縁層上に接続端子を形成する工程とを含み、接続端子を形成する工程は、金属薄膜よりも大きな厚みを有する第２の導体層を第１の導体層の少なくとも一部と接触するように第１の導体層上に形成することを含む。

この配線回路基板の製造方法によれば、第１の絶縁層上に配線パターンが形成される。少なくとも配線パターンの表面の第１の部分と直接接触する状態で配線パターンを覆うように第１の絶縁層上に第２の絶縁層が形成される。配線パターンと電気的に接続されかつ第２の絶縁層から露出するように第１の絶縁層上に接続端子が形成される。

この構成によれば、配線パターンの少なくとも第１の部分は第２の絶縁層と直接接触する。本発明者の上記の実験および検討の結果、配線パターンが第２の絶縁層と直接接触することにより、電気信号の伝送損失が低減する。これにより、高い周波数帯域においても電気信号の伝送損失を低減することができる。

また、方法は、配線パターンの表面の第１の部分とは異なる第２の部分上に金属薄膜を形成する工程をさらに含み、第２の絶縁層を形成する工程は、配線パターンの第１の部分と直接接触しかつ第２の部分上に形成された金属薄膜と接触する状態で配線パターンを覆うように第２の絶縁層を形成することを含む。

この場合、配線パターンの第１の部分における電気信号の伝送損失を低減しつつ、第２の部分において配線パターンと第２の絶縁層との密着性を向上させることが容易になる。それにより、第２の絶縁層の剥離を防止しつつ高い周波数帯域における電気信号の伝送損失を低減することが可能となる。また、配線パターンと第２の絶縁層とを密着させるための表面処理を配線パターンの全体に施すことが不要になる。

（９）接続端子を形成する工程は、接続端子を配線パターンの端部に形成することを含み、配線パターンの第２の部分は、配線パターンの端部の表面に位置してもよい。

この場合、配線パターンの端部で配線パターンと第２の絶縁層との密着性が向上する。これにより、配線パターンの端部において第１の絶縁層と第２の絶縁層との間に隙間が発生することが防止される。その結果、配線回路基板の製造に用いられる薬液が第１の絶縁層と第２の絶縁層と間に浸入することが防止される。

（１０）第１の部分は、配線パターンの第２の部分を除く部分であってもよい。

この場合、配線パターンの端部で配線パターンと第２の絶縁層との密着性を向上させつつ、配線パターンの端部以外の全体の部分で電気信号の伝送損失を低減することができる。

（１１）第２の部分は配線パターンと接続端子との境界部分を含み、第１の導体層は、第２の部分に隣接する第３の部分を有し、金属薄膜を形成する工程は、第２の部分において、配線パターンと第２の絶縁層との間に金属薄膜を形成し、第３の部分において、第１の導体層と第２の導体層との間に金属薄膜を形成することを含んでもよい。

この場合、配線パターンと接続端子との境界部分において、配線パターンと第２の絶縁層との密着性が向上する。それにより、配線パターンと接続端子との境界部分での第２の絶縁層の剥離を十分に防止することができる。

（１２）金属薄膜を形成することは、配線パターン上および第１の導体層上に金属薄膜を形成することと、第２の部分において、配線パターンと第２の絶縁層との間および第１の導体層と第２の導体層との間を除き、金属薄膜を除去することを含んでもよい。

この場合、配線パターンと第２の絶縁層との間および第１の導体層と第２の導体層との間にのみ容易に金属薄膜を形成することができる。

（１３）配線パターン上および第１の導体層上に金属薄膜を形成することは、無電解めっきにより金属薄膜を形成することを含んでもよい。

この場合、配線パターン上および第１の導体層上に金属薄膜を容易に形成することができる。

本発明によれば、高い周波数帯域においても電気信号の損失が低減される。

本発明の一実施の形態に係るサスペンション基板の平面図である。 接続端子およびその周辺部分の平面図である。 接続端子およびその周辺部分の平面図である。 接続端子およびその周辺部分の断面図である。 図１のサスペンション基板の製造工程を示す模式的工程図である。 図１のサスペンション基板の製造工程を示す模式的工程図である。 図１のサスペンション基板の製造工程を示す模式的工程図である。 図１のサスペンション基板の製造工程を示す模式的工程図である。 実施例１に係るサスペンション基板の接続端子およびその周辺部分の平面図である。 実施例１に係るサスペンション基板の接続端子およびその周辺部分の断面図である。 比較例１に係るサスペンション基板の接続端子およびその周辺部分の平面図である。 比較例１に係るサスペンション基板の接続端子およびその周辺部分の断面図である。 書込用配線パターンについてのパラメータＳＤＤ１２の測定結果を示す図である。 読取用配線パターンについてのパラメータＳＤＤ１２の測定結果を示す図である。

以下、本発明の一実施の形態に係る配線回路基板およびその製造方法について図面を参照しながら説明する。本発明の一実施の形態に係る配線回路基板として、ハードディスクドライブ装置のアクチュエータに用いられる回路付サスペンション基板（以下、サスペンション基板と略記する）について説明する。

（１）サスペンション基板の構造
図１は、本発明の一実施の形態に係るサスペンション基板の平面図である。図１において、矢印が向かう方向を前方と呼び、その逆方向を後方と呼ぶ。図１に示すように、サスペンション基板１は、金属製の長尺状の支持基板により形成されるサスペンション本体部１００を備える。図１においては、サスペンション本体部１００は、略前後方向に延びている。

サスペンション基板１は、長尺状の支持プレート５０により支持される。サスペンション本体部１００の上面には、点線で示すように、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２および電源用配線パターンＰ１，Ｐ２が形成されている。

サスペンション本体部１００の先端部には、Ｕ字状の開口部１１を形成することにより磁気ヘッド搭載部（以下、タング部と呼ぶ）１２が設けられている。タング部１２は、サスペンション本体部１００に対して所定の角度をなすように破線Ｒの箇所で折り曲げ加工される。

サスペンション本体部１００の一端部におけるタング部１２の上面には４個の接続端子２１，２２，２３，２４が形成されている。また、サスペンション本体部１００が延びる方向における中央部近傍の両側部には、２個の接続端子２５，２６がそれぞれ形成されている。タング部１２の上面に磁気ヘッドを有するヘッドスライダ（図示せず）が実装される。タング部１２の接続端子２１〜２４にヘッドスライダの磁気ヘッドの端子が接続される。接続端子２５，２６は、支持プレート５０に設けられた２つの圧電素子６１，６２にそれぞれ接続される。

サスペンション本体部１００の他端部の上面には６個の接続端子３１，３２，３３，３４，３５，３６が形成されている。接続端子３１〜３４には、プリアンプ等の電子回路が接続される。接続端子３５，３６には圧電素子６１，６２用の電源回路が接続される。接続端子２１〜２６と接続端子３１〜３６とは、それぞれ書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２および電源用配線パターンＰ１，Ｐ２により電気的に接続されている。また、サスペンション本体部１００には複数の孔部Ｈが形成されている。

支持プレート５０は、前端領域５１、後端領域５２および中央領域５３を有する。後端領域５２は矩形状を有する。前端領域５１は台形状を有し、その幅は後方から前方に向かって漸次減少する。中央領域５３は前後方向に延びる矩形状を有し、前端領域５１と後端領域５２との間に配置される。サスペンション基板１が支持プレート５０の上面に支持された状態において、接続端子３１〜３６を含むサスペンション基板１の端部は、後端領域５２から後方に突出する。

中央領域５３の一部分には、圧電素子実装領域５４が設けられる。圧電素子実装領域５４は、サスペンション基板１の接続端子２５，２６と重なる。圧電素子実装領域５４の両側部は、外方に湾曲するように突出する。また、圧電素子実装領域５４には、幅方向（前後方向に直交する方向）に延びる貫通孔５４ｈが形成される。この構成によれば、支持プレート５０の圧電素子実装領域５４の部分は、前後方向に伸縮性を有する。

貫通孔５４ｈをまたぐように圧電素子実装領域５４の下面に圧電素子６１，６２が実装される。圧電素子６１，６２は、サスペンション基板１の両側方にそれぞれ位置する。圧電素子６１，６２は、貫通孔５４ｈを通してサスペンション基板１の接続端子２５，２６にそれぞれ接続される。

接続端子２５，３５および電源用配線パターンＰ１を介して圧電素子６１に電圧が印加され、接続端子２６，３６および電源用配線パターンＰ２を介して圧電素子６２に電圧が印加される。これにより、圧電素子６１，６２の伸縮に伴って、支持プレート５０が前後方向に伸縮する。圧電素子６１，６２に印加される電圧を制御することにより、サスペンション基板１上のヘッドスライダの磁気ヘッドの微小な位置合わせが可能になる。

支持プレート５０に支持されたサスペンション基板１はハードディスク装置に設けられる。磁気ディスクへの情報の書込み時に一対の書込用配線パターンＷ１，Ｗ２に電流が流れる。書込用配線パターンＷ１と書込用配線パターンＷ２とは、差動の書込み信号を伝送する差動信号線路対を構成する。また、磁気ディスクからの情報の読取り時に一対の読取用配線パターンＲ１，Ｒ２に電流が流れる。読取用配線パターンＲ１と読取用配線パターンＲ２とは、差動の読取り信号を伝送する差動信号線路対を構成する。

（２）接続端子およびその周辺部分の構成
次に、サスペンション基板１の接続端子２１〜２６，３１〜３６およびその周辺部分について詳細に説明する。図２および図３は、接続端子２１〜２６，３１〜３６およびその周辺部分の平面図である。図４は、接続端子２１〜２６，３１〜３６およびその周辺部分の断面図である。図２（ａ）〜（ｃ）の縮尺は互いに異なり、図３（ａ）〜（ｃ）の縮尺は互いに異なり、図４（ａ）〜（ｃ）の縮尺は互いに異なる。

図２（ａ）および図３（ａ）は接続端子２１〜２４およびその周辺部分を示し、図２（ｂ）および図３（ｂ）は接続端子２５およびその周辺部分を示し、図２（ｃ）および図３（ｃ）は接続端子３１，３２およびその周辺部分を示す。図２（ａ）〜（ｃ）においては被覆層４３（図４参照）の図示が省略されている。接続端子２６は接続端子２５と同様の構成を有し、接続端子３３〜３６は接続端子３１，３２と同様の構成を有する。

図４（ａ）〜（ｃ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ線拡大断面図、図２（ｂ）のＢ−Ｂ線拡大断面図および図２（ｃ）のＣ−Ｃ線拡大断面図をそれぞれ示す。図２（ａ）〜（ｃ）および図３（ａ）〜（ｃ）の平面図には、構成の理解を容易にするために、図４（ａ）〜（ｃ）の断面図の各部材に付されたハッチングまたはドットパターンと同一のハッチングまたはドットパターンが付されている。後述する図５〜図１２についても同様である。

図２（ａ）に示すように、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２の一端部には、それぞれ接続端子２１〜２４が形成される。図２（ｂ）に示すように、電源用配線パターンＰ１の一端部には接続端子２５が形成される。同様に、電源用配線パターンＰ２（図１）の一端部には接続端子２６（図１）が形成される。図２（ｃ）に示すように、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の他端部には、それぞれ接続端子３１，３２が形成される。同様に、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２（図１）および電源用配線パターンＰ１，Ｐ２（図１）の他端部には、接続端子３３〜３６（図１）が形成される。

図３（ａ）〜（ｃ）に示すように、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２および電源用配線パターンＰ１，Ｐ２を覆うように、絶縁層４１上に例えばポリイミドからなる被覆層４３が形成される。接続端子２１〜２６，３１〜３６は、被覆層４３から露出する。

図４（ａ）に示すように、例えばステンレス鋼からなる金属製の支持基板１０上に例えばポリイミドからなる絶縁層４１が形成されている。絶縁層４１上に例えば銅からなる導体層４２が形成される。導体層４２は、パターン部４２ａおよび端子部４２ｂを含む。書込用配線パターンＷ１はパターン部４２ａにより形成される。サスペンション本体部１００の一端部において、パターン部４２ａと端子部４２ｂとの境界４２ｃに重なるように導体層４２上に金属薄膜１５が形成される。金属薄膜１５は、例えば無電解めっきにより形成されるニッケル薄膜である。

書込用配線パターンＷ１上の金属薄膜１５の部分上および書込用配線パターンＷ１を覆うように絶縁層４１上に例えばポリイミドからなる被覆層４３が形成される。また、端子部４２ｂ上の金属薄膜１５上および端子部４２ｂ上に例えば金からなる金属層４４が形成される。接続端子２１は、端子部４２ｂおよび金属層４４により構成される。

金属薄膜１５は、境界４２ｃから書込用配線パターンＷ１と被覆層４３との間に長さＬ１だけ突出している。また、金属薄膜１５は、境界４２ｃから端子部４２ｂと金属層４４との間に長さＬ２だけ突出している。

書込用配線パターンＷ２と接続端子２２との境界部分、読取用配線パターンＲ１と接続端子２３との境界部分および読取用配線パターンＲ２と接続端子２４との境界部分の構成は、図４（ａ）の書込用配線パターンＷ１と接続端子２１との境界部分の構成と同様である。

同様に、図４（ｂ）に示すように、電源用配線パターンＰ１は導体層４２のパターン部４２ａにより形成される。前後方向におけるサスペンション本体部１００の略中央部において、パターン部４２ａと端子部４２ｂとの境界４２ｃに重なるように導体層４２上に金属薄膜１５が形成される。電源用配線パターンＰ１上の金属薄膜１５は環状を有する。

電源用配線パターンＰ１上の金属薄膜１５の部分上および電源用配線パターンＰ１を覆うように絶縁層４１上に被覆層４３が形成される。また、端子部４２ｂ上の金属薄膜１５上および端子部４２ｂ上に金属層４４が形成される。接続端子２５は、端子部４２ｂおよび金属層４４により構成される。金属薄膜１５は、境界４２ｃから電源用配線パターンＰ１と被覆層４３との間に長さＬ１だけ突出している。また、金属薄膜１５は、境界４２ｃから端子部４２ｂと金属層４４との間に長さＬ２だけ突出している。

電源用配線パターンＰ２と接続端子２６との境界部分の構成は、図４（ｂ）の電源用配線パターンＰ１と接続端子２５との境界部分の構成と同様である。

図４（ｃ）に示すように、サスペンション本体部１００の他端部において、パターン部４２ａと端子部４２ｂとの境界４２ｃに重なるように導体層４２上に金属薄膜１５が形成される。書込用配線パターンＷ１上の金属薄膜１５の部分上および書込用配線パターンＷ１を覆うように絶縁層４１上に例えばポリイミドからなる被覆層４３が形成される。また、端子部４２ｂ上の金属薄膜１５上および端子部４２ｂ上に例えば金からなる金属層４４が形成される。接続端子３１は、端子部４２ｂおよび金属層４４により構成される。

金属薄膜１５は、境界４２ｃから書込用配線パターンＷ１と被覆層４３との間に長さＬ１だけ突出している。また、金属薄膜１５は、境界４２ｃから端子部４２ｂと金属層４４との間に長さＬ２だけ突出している。

書込用配線パターンＷ２と接続端子３２との境界部分、読取用配線パターンＲ１と接続端子３３との境界部分および読取用配線パターンＲ２と接続端子３４との境界部分の構成は、図４（ｃ）の書込用配線パターンＷ１と接続端子３１との境界部分の構成と同様である。また、電源用配線パターンＰ１と接続端子３５との境界部分および電源用配線パターンＰ２と接続端子３６との境界部分の構成は、書込用配線パターンＷ１と接続端子３１との境界部分の構成と同様である。

（３）サスペンション基板の製造方法
以下、サスペンション基板１の製造方法を説明する。図５〜図８は、図１のサスペンション基板１の製造工程を示す模式的工程図である。図５および図６は接続端子２１〜２４およびその周辺に相当する部分の平面図を示す。図７および図８は、図５および図６のＤ−Ｄ線断面図を示す。

まず、図５（ａ）および図７（ａ）に示すように、例えばステンレス鋼からなる支持層１０ａ上に、例えばポリイミドからなる絶縁層４１を形成する。支持層１０ａの厚みは、例えば１０μｍ以上５０μｍ以下である。絶縁層４１の厚みは、例えば５μｍ以上１５μｍ以下である。ここで、絶縁層４１は、図１のサスペンション基板１の形状と同一の形状に形成される。

次に、図５（ｂ）および図７（ｂ）に示すように、絶縁層４１上に例えば銅からなる導体層４２を形成する。導体層４２は所定のパターンを有する。導体層４２の厚みは、例えば１μｍ以上２０μｍ以下である。ここで、後の工程において、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２および電源用配線パターンＰ１，Ｐ２が形成される導体層４２の部分を上記のようにパターン部４２ａと呼ぶ。後の工程において、接続端子２１〜２６，３１〜３６が形成される導体層４２の端部の部分を上記のように端子部４２ｂと呼ぶ。

続いて、図５（ｃ）および図７（ｃ）に示すように、導体層４２上に金属薄膜１５を形成する。金属薄膜１５は、例えば無電解めっきにより形成される。無電解めっきの形成工程においては、例えばニッケルおよび還元剤を含む無電解めっき液に導体層４２が浸漬された状態で、パラジウム等の触媒を核としてニッケルめっき皮膜が導体層４２上で成長する。

金属薄膜１５は、ニッケルにより形成されることが好ましいが、これに限定されず、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）または錫（Ｓｎ）により形成されてもよい。この場合でも、パターン部４２ａと被覆層４３との密着性を向上させることができる。金属薄膜１５の厚みは１ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であることが好ましく、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることがより好ましく、１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。

その後、図５（ｄ）および図７（ｄ）に示すように、導体層４２の境界４２ｃの近傍部分を除いて、金属薄膜１５を除去する。金属薄膜１５は、例えばフォトリソグラフィ技術により除去される。これにより、導体層４２の境界４２ｃの近傍部分の金属薄膜１５が残存する。

境界４２ｃからパターン部４２ａ上に突出する金属薄膜１５の部分の長さＬ１は、１μｍ以上３００００μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上１０００μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上１００μｍ以下であることがさらに好ましい。境界４２ｃから端子部４２ｂ上に突出する金属薄膜１５の部分の長さＬ２は、１μｍ以上１０００μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上１００μｍ以下であることがより好ましい。

次に、図６（ａ）および図８（ａ）に示すように、パターン部４２ａおよびその上の金属薄膜１５を覆うように絶縁層４１上に例えばポリイミドからなる被覆層４３を形成する。被覆層４３の厚みは、例えば２μｍ以上１０μｍ以下である。これにより、端子部４２ｂが被覆層４３から露出する。また、パターン部４２ａ上における長さＬ１の金属薄膜１５の部分は被覆層４３により覆われ、端子部４２ｂ上における長さＬ２の金属薄膜１５の部分は被覆層４３から露出する。

続いて、図６（ｂ）および図８（ｂ）に示すように、端子部４２ｂおよびその上の金属薄膜１５上に金属層４４を形成する。本例においては、金属層４４は、端子部４２ｂに厚み０．０１μｍ以上５μｍ以下のニッケルめっきおよび厚み０．１μｍ以上５μｍ以下の金めっきを順次行うことにより形成される。端子部４２ｂおよび金属層４４により接続端子２１〜２６，３１〜３６が形成され、パターン部４２ａにより書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２および電源用配線パターンＰ１，Ｐ２が形成される。

書込用配線パターンＷ１，Ｗ２間の間隔および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２間の間隔は、例えばそれぞれ５μｍ以上１００μｍ以下である。同様に、書込用配線パターンＷ１と電源用配線パターンＰ１との間の間隔および読取用配線パターンＲ２と電源用配線パターンＰ２との間の間隔は、例えばそれぞれ５μｍ以上１００μｍ以下である。書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２および電源用配線パターンＰ１，Ｐ２の幅は、例えば５μｍ以上２００μｍ以下である。

その後、図６（ｃ）および図８（ｃ）に示すように、絶縁層４１と重なる支持層１０ａの部分が残存するように支持層１０ａを加工することにより、支持基板１０を形成する。支持層１０ａの加工は、例えばエッチングにより行われる。これにより、サスペンション基板１が完成する。

（４）他の実施の形態
（ａ）上記実施の形態において、導体層４２の境界４２ｃの近傍部分に金属薄膜１５が形成されるが、これに限定されない。導体層４２の境界４２ｃの近傍部分とは異なるパターン部４２ａの任意の部分に金属薄膜１５が形成されてもよい。この場合でも、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２および電源用配線パターンＰ１，Ｐ２と被覆層４３との密着性を高くすることができる。また、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２および電源用配線パターンＰ１，Ｐ２と被覆層４３との密着性が十分に高い場合には、導体層４２に金属薄膜１５が形成されなくてもよい。

（ｂ）上記実施の形態において、配線回路基板は支持基板１０を含むサスペンション本体部１００であるが、これに限定されない。配線回路基板は、例えば支持基板１０を含まないフレキシブル配線回路基板であってもよい。

（ｃ）上記実施の形態において、金属薄膜１５は無電解めっきにより形成されるが、これに限定されない。金属薄膜１５は、セミアディティブ法またはサブトラクティブ法等の他の方法を用いて形成されてもよい。

（５）効果
本実施の形態においては、絶縁層４１上の導体層４２の境界４２ｃの近傍部分に金属薄膜１５が形成される。導体層４２の境界４２ｃの近傍部分を除くパターン部４２ａと接接触しかつ金属薄膜１５と接触する状態でパターン部４２ａを覆うように絶縁層４１上に被覆層４３が形成される。被覆層４３から端子部４２ｂが露出する。

この構成によれば、導体層４２の境界４２ｃの近傍部分を除くパターン部４２ａは被覆層４３と直接接触する。本発明者の実験および検討の結果、パターン部４２ａが被覆層４３と直接接触することにより、電気信号の伝送損失が低減する。これにより、高い周波数帯域においても電気信号の伝送損失を低減することができる。

また、金属薄膜１５が形成されたパターン部４２ａの端部においてパターン部４２ａと被覆層４３との密着性を向上させることができる。また、パターン部４２ａの端部以外の全体の部分で電気信号の伝送損失を低減することができる。それにより、被覆層４３の剥離を防止しつつ高い周波数帯域における電気信号の伝送損失を低減することが可能となる。さらに、パターン部４２ａと被覆層４３とを密着させるための表面処理をパターン部４２ａの全体に施すことが不要になる。

また、パターン部４２ａの端部において、絶縁層４１と被覆層４３との間に隙間が発生することが防止される。その結果、サスペンション基板１の製造に用いられる薬液が絶縁層４１と被覆層４３と間に浸入することが防止される。

（６）実施例
実施例１，２および比較例１，２として、以下のサスペンション基板を作製した。図９は、実施例１に係るサスペンション基板の接続端子２１〜２６，３１〜３６およびその周辺部分の平面図である。図１０は、実施例１に係るサスペンション基板の接続端子２１〜２６，３１〜３６およびその周辺部分の断面図である。図１０（ａ）〜（ｃ）は、図９（ａ）のＥ−Ｅ線拡大断面図、図９（ｂ）のＦ−Ｆ線拡大断面図および図９（ｃ）のＧ−Ｇ線拡大断面図をそれぞれ示す。図９においては、被覆層４３の図示を省略する。

図１１は、比較例１に係るサスペンション基板の接続端子２１〜２６，３１〜３６およびその周辺部分の平面図である。図１２は、比較例１に係るサスペンション基板の接続端子２１〜２６，３１〜３６およびその周辺部分の断面図である。図１２（ａ）〜（ｃ）は、図１１（ａ）のＨ−Ｈ線拡大断面図、図１１（ｂ）のＩ−Ｉ線拡大断面図および図１１（ｃ）のＪ−Ｊ線拡大断面図をそれぞれ示す。図１１においては、被覆層４３の図示を省略する。

実施例１に係るサスペンション基板は、以下の点を除き、図２〜図４のサスペンション基板１と同様の構成を有する。実施例１に係るサスペンション基板の製造工程においては、図５（ｃ），（ｄ）の工程が省略される。そのため、図９（ａ）〜（ｃ）および図１０（ａ）〜（ｃ）に示すように、実施例１に係るサスペンション基板においては、パターン部４２ａ上および端子部４２ｂ上に金属薄膜１５が形成されない。

実施例２に係るサスペンション基板は、図２〜図４のサスペンション基板１と同様の構成を有する。実施例２に係るサスペンション基板においては、境界４２ｃからパターン部４２ａと被覆層４３との間に突出する金属薄膜１５の部分の長さＬ１は５０μｍである。また、境界４２ｃから端子部４２ｂと金属層４４との間に突出する金属薄膜１５の部分の長さＬ２は２０μｍである。

比較例１に係るサスペンション基板は、以下の点を除き、図２〜図４のサスペンション基板１と同様の構成を有する。比較例１に係るサスペンション基板の製造工程においては、図５（ｄ）の工程で端子部４２ｂ上の金属薄膜１５のみが除去される。そのため、図１１（ａ）〜（ｃ）および図１２（ａ）〜（ｃ）に示すように、比較例１に係るサスペンション基板においては、パターン部４２ａ上の全体に金属薄膜１５が形成される。一方、端子部４２ｂ上には金属薄膜１５は形成されない。パターン部４２ａ上の金属薄膜１５の厚みは、５０ｎｍ〜１００ｎｍである。

比較例２に係るサスペンション基板は、以下の点を除き、比較例１に係るサスペンション基板と同様の構成を有する。比較例２に係るサスペンション基板においては、パターン部４２ａ上の金属薄膜１５の厚みが１００ｎｍを超える。

実施例１，２および比較例１，２に係るサスペンション基板の書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２により電気信号が伝送されるときの透過特性を表わすパラメータＳＤＤ１２を測定した。図１３は、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２についてのパラメータＳＤＤ１２の測定結果を示す図である。図１４は、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２についてのパラメータＳＤＤ１２の測定結果を示す図である。

図１３および図１４において、縦軸はパラメータＳＤＤ１２［ｄＢ］を示し、横軸は電気信号の周波数［ＧＨｚ］を示す。また、図１３および図１４において、実施例１，２における測定結果を実線で示し、比較例１についての測定結果を点線で示し、比較例２についての測定結果を一点鎖線で示す。

図１３および図１４に示すように、１ＧＨｚ以上の高周波帯域においては、実施例１，２におけるパラメータＳＤＤ１２は、比較例１におけるパラメータＳＤＤ１２よりも高い。また、１ＧＨｚ以上の高周波帯域においては、比較例１におけるパラメータＳＤＤ１２は、比較例２におけるパラメータＳＤＤ１２よりも高い。実施例１におけるパラメータＳＤＤ１２と実施例２におけるパラメータＳＤＤ１２とは、略等しい。

実施例１，２と比較例１，２との比較結果から、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２の金属薄膜１５を除去することにより、高周波帯域におけるパラメータＳＤＤ１２の低下量が低減することが確認された。また、比較例１，２の比較結果から、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２上の金属薄膜１５の厚みを小さくすることにより、高周波帯域におけるパラメータＳＤＤ１２の低下量が低減することが確認された。

（７）請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。

上記実施の形態においては、絶縁層４１，４３がそれぞれ第１および第２の絶縁層の例であり、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２または電源用配線パターンＰ１，Ｐ２が配線パターンの例である。接続端子２１〜２６，３１〜３６が接続端子の例であり、サスペンション本体部１００が配線回路基板の例であり、金属薄膜１５が金属薄膜の例であり、端子部４２ｂおよび金属層４４がそれぞれ第１および第２の導体層の例である。

請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
（８）参考形態
（８−１）第１の参考形態に係る配線回路基板は、第１の絶縁層と、第１の絶縁層上に形成される配線パターンと、配線パターンを覆うように第１の絶縁層上に形成される第２の絶縁層と、配線パターンと電気的に接続され、かつ第２の絶縁層から露出するように第１の絶縁層上に形成される接続端子とを備え、配線パターンの表面は第１の部分を有し、第２の絶縁層は、配線パターンの少なくとも第１の部分と直接接触する状態で配線パターンを覆う。
この配線回路基板においては、第１の絶縁層上に配線パターンが形成される。少なくとも配線パターンの表面の第１の部分と直接接触する状態で配線パターンを覆うように第１の絶縁層上に第２の絶縁層が形成される。配線パターンと電気的に接続されかつ第２の絶縁層から露出するように第１の絶縁層上に接続端子が形成される。
この構成によれば、配線パターンの少なくとも第１の部分は第２の絶縁層と直接接触する。本発明者の上記の実験および検討の結果、配線パターンが第２の絶縁層と直接接触することにより、電気信号の伝送損失が低減する。これにより、高い周波数帯域においても電気信号の伝送損失を低減することができる。
（８−２）配線パターンの表面は、第１の部分とは異なる第２の部分を有し、配線パターンの第２の部分には、金属薄膜が形成され、第２の絶縁層は、配線パターンの第１の部分と直接接触しかつ金属薄膜と接触する状態で配線パターンを覆うように形成されてもよい。
この場合、配線パターンの第１の部分における電気信号の伝送損失を低減しつつ、第２の部分において配線パターンと第２の絶縁層との密着性を向上させることが容易になる。それにより、第２の絶縁層の剥離を防止しつつ高い周波数帯域における電気信号の伝送損失を低減することが可能となる。また、配線パターンと第２の絶縁層とを密着させるための表面処理を配線パターンの全体に施すことが不要になる。
（８−３）配線パターンは、接続端子に接続される端部を有し、配線パターンの第２の部分は、配線パターンの端部の表面に位置してもよい。
この場合、配線パターンの端部で配線パターンと第２の絶縁層との密着性が向上する。これにより、配線パターンの端部において第１の絶縁層と第２の絶縁層との間に隙間が発生することが防止される。その結果、配線回路基板の製造に用いられる薬液が第１の絶縁層と第２の絶縁層と間に浸入することが防止される。
（８−４）第１の部分は、配線パターンの第２の部分を除く部分であってもよい。
この場合、配線パターンの端部で配線パターンと第２の絶縁層との密着性を向上させつつ、配線パターンの端部以外の全体の部分で電気信号の伝送損失を低減することができる。
（８−５）第２の部分は配線パターンと接続端子との境界部分を含み、接続端子は、第１の導体層と、第１の導体層上に形成された第２の導体層とを含み、金属薄膜は、第２の部分において、配線パターンと第２の絶縁層との間および第１の導体層と第２の導体層との間に位置してもよい。
この場合、配線パターンと接続端子との境界部分において、配線パターンと第２の絶縁層との密着性が向上する。それにより、配線パターンと接続端子との境界部分での第２の絶縁層の剥離を十分に防止することができる。
（８−６）第２の絶縁層に対する金属薄膜の密着力は、第２の絶縁層に対する配線パターンの密着力よりも高くてもよい。
この場合、金属薄膜により配線パターンと第２の絶縁層との密着性を確実に向上させることができる。
（８−７）配線パターンは銅を含み、金属薄膜はニッケル、金、白金、銀または錫を含んでもよい。
この場合、銅を含む配線パターンと第２の絶縁層との間にニッケル、金、白金、銀または錫を含む金属薄膜が介在することにより、配線パターンと第２の絶縁層との密着性が十分に向上する。
（８−８）第２の参考形態に係る配線回路基板の製造方法は、第１の絶縁層上に配線パターンを形成する工程と、少なくとも配線パターンの表面の第１の部分と直接接触する状態で配線パターンを覆うように第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成する工程と、配線パターンと電気的に接続されかつ第２の絶縁層から露出するように第１の絶縁層上に接続端子を形成する工程とを含む。
この配線回路基板の製造方法によれば、第１の絶縁層上に配線パターンが形成される。少なくとも配線パターンの表面の第１の部分と直接接触する状態で配線パターンを覆うように第１の絶縁層上に第２の絶縁層が形成される。配線パターンと電気的に接続されかつ第２の絶縁層から露出するように第１の絶縁層上に接続端子が形成される。
この構成によれば、配線パターンの少なくとも第１の部分は第２の絶縁層と直接接触する。本発明者の上記の実験および検討の結果、配線パターンが第２の絶縁層と直接接触することにより、電気信号の伝送損失が低減する。これにより、高い周波数帯域においても電気信号の伝送損失を低減することができる。
（８−９）方法は、配線パターンの表面の第１の部分とは異なる第２の部分上に金属薄膜を形成する工程をさらに含み、第２の絶縁層を形成する工程は、配線パターンの第１の部分と直接接触しかつ第２の部分上に形成された金属薄膜と接触する状態で配線パターンを覆うように第２の絶縁層を形成することを含んでもよい。
この場合、配線パターンの第１の部分における電気信号の伝送損失を低減しつつ、第２の部分において配線パターンと第２の絶縁層との密着性を向上させることが容易になる。それにより、第２の絶縁層の剥離を防止しつつ高い周波数帯域における電気信号の伝送損失を低減することが可能となる。また、配線パターンと第２の絶縁層とを密着させるための表面処理を配線パターンの全体に施すことが不要になる。
（８−１０）接続端子を形成する工程は、接続端子を配線パターンの端部に形成することを含み、配線パターンの第２の部分は、配線パターンの端部の表面に位置してもよい。
この場合、配線パターンの端部で配線パターンと第２の絶縁層との密着性が向上する。これにより、配線パターンの端部において第１の絶縁層と第２の絶縁層との間に隙間が発生することが防止される。その結果、配線回路基板の製造に用いられる薬液が第１の絶縁層と第２の絶縁層と間に浸入することが防止される。
（８−１１）第１の部分は、配線パターンの第２の部分を除く部分であってもよい。
この場合、配線パターンの端部で配線パターンと第２の絶縁層との密着性を向上させつつ、配線パターンの端部以外の全体の部分で電気信号の伝送損失を低減することができる。
（８−１２）第２の部分は配線パターンと接続端子との境界部分を含み、配線パターンを形成する工程は、配線パターンおよび第１の導体層を形成することを含み、接続端子を形成する工程は、第１の導体層上に第２の導体層を形成することを含み、金属薄膜を形成する工程は、第２の部分において、配線パターンと第２の絶縁層との間および第１の導体層と第２の導体層との間に金属薄膜を形成することを含んでもよい。
この場合、配線パターンと接続端子との境界部分において、配線パターンと第２の絶縁層との密着性が向上する。それにより、配線パターンと接続端子との境界部分での第２の絶縁層の剥離を十分に防止することができる。
（８−１３）金属薄膜を形成することは、配線パターン上および第１の導体層上に金属薄膜を形成することと、第２の部分において、配線パターンと第２の絶縁層との間および第１の導体層と第２の導体層との間を除き、金属薄膜を除去することを含んでもよい。
この場合、配線パターンと第２の絶縁層との間および第１の導体層と第２の導体層との間にのみ容易に金属薄膜を形成することができる。
（８−１４）配線パターン上および第１の導体層上に金属薄膜を形成することは、無電解めっきにより金属薄膜を形成することを含んでもよい。
この場合、配線パターン上および第１の導体層上に金属薄膜を容易に形成することができる。

本発明は種々の配線回路基板に有効に利用できる。

１ サスペンション基板
１０ 支持基板
１０ａ 支持層
１１ 開口部
１２ タング部
１５ 金属薄膜
２１〜２６，３１〜３６ 接続端子
４１ 絶縁層
４２ 導体層
４２ａ パターン部
４２ｂ 端子部
４２ｃ 境界
４３ 被覆層
４４ 金属層
５０ 支持プレート
５１ 前端領域
５２ 後端領域
５３ 中央領域
５４ 圧電素子実装領域
５４ｈ 貫通孔
６１，６２ 圧電素子
１００ サスペンション本体部
Ｐ１，Ｐ２ 電源用配線パターン
Ｒ１，Ｒ２ 読取用配線パターン
Ｗ１，Ｗ２ 書込用配線パターン

Claims (13)

1. 第１の絶縁層と、
   前記第１の絶縁層上に形成される配線パターンと、
   前記配線パターンを覆うように前記第１の絶縁層上に形成される第２の絶縁層と、
   前記配線パターンと電気的に接続され、かつ前記第２の絶縁層から露出するように前記第１の絶縁層上に形成される接続端子とを備え、
   前記配線パターンの表面は第１の部分と、前記第１の部分とは異なる第２の部分とを有し、
   前記配線パターンの前記第２の部分には、金属薄膜が形成され、
   前記接続端子は、第１の導体層と、前記第１の導体層の少なくとも一部と接触するように前記第１の導体層上に形成されかつ前記金属薄膜よりも大きな厚みを有する第２の導体層とを含み、
   前記第２の絶縁層は、前記配線パターンの前記第１の部分と直接接触しかつ前記金属薄膜と接触する状態で前記配線パターンを覆う、配線回路基板。
2. 前記金属薄膜は、ニッケル、金、白金、銀または錫により形成された単相構造を有し、
   前記第２の導体層は、ニッケル層と金層との積層構造を有する、請求項１記載の配線回路基板。
3. 前記配線パターンは、前記接続端子に接続される端部を有し、
   前記配線パターンの前記第２の部分は、前記配線パターンの前記端部の表面に位置する、請求項１または２記載の配線回路基板。
4. 前記第１の部分は、前記配線パターンの前記第２の部分を除く部分である、請求項３記載の配線回路基板。
5. 前記第２の部分は前記配線パターンと前記接続端子との境界部分を含み、
   前記第１の導体層は、前記第２の部分に隣接する第３の部分を有し、
   前記金属薄膜は、前記第２の部分において、前記配線パターンと前記第２の絶縁層との間に位置し、前記第３の部分において、前記第１の導体層と前記第２の導体層との間に位置する、請求項４記載の配線回路基板。
6. 前記第２の絶縁層に対する前記金属薄膜の密着力は、前記第２の絶縁層に対する前記配線パターンの密着力よりも高い、請求項１〜５のいずれか一項に記載の配線回路基板。
7. 前記配線パターンは銅を含み、前記金属薄膜はニッケルにより形成される、請求項６記載の配線回路基板。
8. 第１の絶縁層上に互いに電気的に接続された配線パターンと第１の導体層とを形成する工程と、
   前記配線パターンの表面の第１の部分とは異なる第２の部分上に金属薄膜を形成する工程と、
   前記配線パターンの前記第１の部分と直接接触しかつ前記第２の部分上に形成された前記金属薄膜と接触する状態で前記配線パターンを覆うように前記第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成する工程と、
   前記配線パターンと電気的に接続されかつ前記第２の絶縁層から露出するように前記第１の絶縁層上に接続端子を形成する工程とを含み、
   前記接続端子を形成する工程は、前記金属薄膜よりも大きな厚みを有する第２の導体層を前記第１の導体層の少なくとも一部と接触するように前記第１の導体層上に形成することを含む、配線回路基板の製造方法。
9. 前記接続端子を形成する工程は、前記接続端子を前記配線パターンの端部に形成することを含み、
   前記配線パターンの前記第２の部分は、前記配線パターンの前記端部の表面に位置する、請求項８記載の配線回路基板の製造方法。
10. 前記第１の部分は、前記配線パターンの前記第２の部分を除く部分である、請求項９記載の配線回路基板の製造方法。
11. 前記第２の部分は前記配線パターンと前記接続端子との境界部分を含み、
    前記第１の導体層は、前記第２の部分に隣接する第３の部分を有し、
    前記金属薄膜を形成する工程は、前記第２の部分において、前記配線パターンと前記第２の絶縁層との間に前記金属薄膜を形成し、前記第３の部分において、前記第１の導体層と前記第２の導体層との間に前記金属薄膜を形成することを含む、請求項１０記載の配線回路基板の製造方法。
12. 前記金属薄膜を形成することは、
    前記配線パターン上および第１の導体層上に前記金属薄膜を形成することと、
    前記第２の部分において、前記配線パターンと前記第２の絶縁層との間および前記第１の導体層と前記第２の導体層との間を除き、前記金属薄膜を除去することを含む、請求項１１記載の配線回路基板の製造方法。
13. 前記配線パターン上および第１の導体層上に前記金属薄膜を形成することは、無電解めっきにより金属薄膜を形成することを含む、請求項１２記載の配線回路基板の製造方法。

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