JP6808266B2 - 配線回路基板およびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、配線回路基板およびその製造方法に関する。

従来から、種々の電気機器または電子機器に配線回路基板が用いられている。特許文献１には、配線回路基板として、ハードディスクドライブ装置のアクチュエータに用いられるサスペンション基板が記載されている。

特許文献１の配線回路基板においては、サスペンション本体部上に第１の絶縁層が形成される。第１の絶縁層上に第１および第２の配線パターンが間隔をおいて平行に形成される。第１および第２の配線パターンの両側における第１の絶縁層上の領域には、第２の絶縁層が形成される。第２の配線パターン側における第２の絶縁層上の領域に第３の配線パターンが形成され、第１の配線パターン側における第２の絶縁層上の領域に第４の配線パターンが形成される。

第１の配線パターンと第３の配線パターンとが所定箇所で互いに接続されることにより、第１の書込用配線パターンが構成される。第２の配線パターンと第４の配線パターンとが所定箇所で互いに接続されることにより、第２の書込用配線パターンが構成される。第１の書込用配線パターンと第２の書込用配線パターンとは、一対の信号線路対を構成する。

特許文献１の配線回路基板においては、第１および第２の配線パターンは、第３および第４の配線パターンよりも低い位置に形成される。したがって、第１〜第４の配線パターンが同一平面上に形成されている場合に比べて、第１〜第４の配線パターン間の距離が長くなる。そのため、第１〜第４の配線パターン間の近接効果が低下する。それにより、第１〜第４の配線パターンを伝送する電気信号の損失が低減される。

特開２０１０−３８９３号公報

しかしながら、近年、電気機器または電子機器に用いられる電気信号の高周波化が進んでいる。そのため、配線回路基板には、高い周波数帯域において電気信号の伝送損失がさらに低減されることが求められる。

本発明の目的は、高い周波数帯域において電気信号の損失が低減された配線回路基板およびその製造方法を提供することである。

（１）第１の発明に係る配線回路基板は、導電性材料により形成される支持基板と、支持基板上に形成され、第１の厚みを有する第１の部分と第１の厚みよりも小さい第２の厚みを有する第２の部分とを含む第１の絶縁層と、支持基板に電気的に接続されるように第１の絶縁層の第２の部分に形成され、支持基板よりも高い電気導電率を有する接地層と、接地層を覆うように第１の絶縁層上に形成される第２の絶縁層と、第１の絶縁層の第１および第２の部分に重なるように第２の絶縁層上に形成される上部配線パターンとを備え、支持基板には、第１の絶縁層の第１の部分に重なる第１の開口部が形成され、接地層には、第１の開口部に重なる第２の開口部が形成されている。

その配線回路基板においては、支持基板上に第１および第２の部分を含む第１の絶縁層が形成される。第１の絶縁層の第２の部分上に接地層が形成される。また、接地層を覆うように第１の絶縁層上に第２の絶縁層が形成される。さらに、第１の絶縁層の第１および第２の部分に重なるように第２の絶縁層上に上部配線パターンが形成される。この場合、上部配線パターンに電気信号を伝送させることができる。

高い周波数帯域を有する電気信号が上部配線パターンを伝送する場合、上部配線パターンから電磁波が発生する。その電磁波が支持基板または接地層に入射すると、支持基板または接地層に渦電流が発生し、上部配線パターンと支持基板または接地層とが電磁的に結合する。上部配線パターンを伝送する電気信号には、支持基板または接地層に発生する渦電流の大きさに応じた損失が生じる。電気信号の損失は、渦電流が大きいほど大きく、渦電流が小さいほど小さい。

ある導体に電磁波が与えられることによりその導体に発生する渦電流は、その導体の電気伝導率が低いほど大きく、その導体の電気伝導率が高いほど小さい。接地層は、支持基板に比べて高い電気伝導率を有する。したがって、電磁波により接地層に発生する渦電流は、電磁波により支持基板に発生する渦電流よりも小さい。

上記の構成によれば、上部配線パターンの少なくとも一部と支持基板との間に接地層が位置するので、上部配線パターンから支持基板に向かって放射される電磁波の少なくとも一部は、接地層に入射し、支持基板に到達しない。

また、高い周波数帯域を有する電気信号が上部配線パターンを伝送する場合、上部配線パターンを伝送する電気信号には、上部配線パターンの線路長に応じた損失が生じる。電気信号の損失は、上部配線パターンの線路長が大きいほど大きく、上部配線パターンの線路長が小さいほど小さい。本発明に係る配線回路基板においては、第１の絶縁層の第２の部分上に接地層が形成される。この場合、支持基板、第１の絶縁層および第２の絶縁層の積層方向において、第１の絶縁層の第１の部分の上面の位置と接地層の上面の位置との間の差を小さくすることができる。それにより、第１の絶縁層の第１の部分上および接地層上に形成される第２の絶縁層の上面に、接地層の有無に起因する段差がほとんど形成されない。そのため、第２の絶縁層上に上部配線パターンを直線状に形成することができる。したがって、上部配線パターンの線路長が長くなることを抑制することができる。

これらの結果、高い周波数帯域において上部配線パターンを伝送する電気信号の損失が低減される。
支持基板には、第１の絶縁層の第１の部分に重なる第１の開口部が形成され、接地層には、第１の開口部に重なる第２の開口部が形成されている。
上部配線パターンの特性インピーダンスの値は、上部配線パターンと支持基板および接地層とが重なる部分の面積に応じて定まる。上記の構成によれば、支持基板および接地層に第１および第２の開口部が形成される。したがって、第１および第２の開口部の大きさおよび数を調整することにより、上部配線パターンの特性インピーダンスの値を容易に調整することができる。

（２）上部配線パターンは第１の方向に延び、第１の絶縁層は、第１の部分を複数有するとともに、第２の部分を複数有し、複数の第１の部分と複数の第２の部分とは、第１の方向に交互に並んでもよい。

この場合、上部配線パターンが第１の方向に間欠的に並ぶ複数の接地層の部分に重なる。それにより、上部配線パターンの特性インピーダンスの均一性を向上させることができる。

（３）第２の発明に係る配線回路基板は、導電性材料により形成される支持基板と、支持基板上の第１の領域に形成されるとともに支持基板よりも高い電気伝導率を有する接地層と、支持基板上の第１の領域とは異なる第２の領域に形成される第１の絶縁層と、接地層および第１の絶縁層上に形成される第２の絶縁層と、支持基板の第１および第２の領域に重なるように第２の絶縁層上に形成される上部配線パターンとを備え、上部配線パターンは第１の方向に延び、支持基板は、第１の領域を複数有するとともに、第２の領域を複数有し、複数の第１の領域と複数の第２の領域とは、第１の方向に交互に並び、支持基板の第１の領域の少なくとも一部に第１の開口部が形成され、接地層には、第１の開口部に重なる第２の開口部が形成されている。

その配線回路基板においては、支持基板の第１の領域上に接地層が形成され、支持基板の第２の領域上に第１の絶縁層が形成される。また、接地層上および第１の絶縁層上に第２の絶縁層が形成される。さらに、第１の絶縁層の第１および第２の領域に重なるように第２の絶縁層上に上部配線パターンが形成される。この場合、上部配線パターンに電気信号を伝送させることができる。

上記の構成によれば、上部配線パターンの少なくとも一部と支持基板との間に接地層が位置するので、上部配線パターンから支持基板に向かって放射される電磁波の少なくとも一部は、接地層に入射し、支持基板に到達しない。

また、高い周波数帯域を有する電気信号が上部配線パターンを伝送する場合、上部配線パターンを伝送する電気信号には、上部配線パターンの線路長に応じた損失が生じる。電気信号の損失は、上部配線パターンの線路長が大きいほど大きく、上部配線パターンの線路長が小さいほど小さい。本発明に係る配線回路基板においては、支持基板の第１の領域上に接地層が形成され、第２の領域上に第１の絶縁層が形成される。それにより、支持基板、第１の絶縁層および第２の絶縁層の積層方向において、接地層の上面の位置と第１の絶縁層の上面の位置との間の差を小さくすることができる。それにより、接地層および第１の絶縁層上に形成される第２の絶縁層の上面に、接地層の有無に起因する段差がほとんど形成されない。そのため、第２の絶縁層上に上部配線パターンを直線状に形成することができる。したがって、上部配線パターンの線路長が長くなることを抑制することができる。

これらの結果、高い周波数帯域において上部配線パターンを伝送する電気信号の損失が低減される。

上部配線パターンは第１の方向に延び、支持基板は、第１の領域を複数有するとともに、第２の領域を複数有し、複数の第１の領域と複数の第２の領域とは、第１の方向に交互に並ぶ。

この場合、上部配線パターンが第１の方向に間欠的に並ぶ複数の接地層の部分に重なる。それにより、上部配線パターンの特性インピーダンスの均一性を向上させることができる。

支持基板の第１の領域の少なくとも一部に第１の開口部が形成され、接地層には、第１の開口部に重なる第２の開口部が形成されている。

上部配線パターンの特性インピーダンスの値は、上部配線パターンと支持基板および接地層とが重なる部分の面積に応じて定まる。上記の構成によれば、支持基板および接地層に第１および第２の開口部が形成される。したがって、第１および第２の開口部の大きさおよび数を調整することにより、上部配線パターンの特性インピーダンスの値を容易に調整することができる。

（４）配線回路基板は、第１の絶縁層上に形成される下部配線パターンをさらに備え、第２の絶縁層は、下部配線パターンを覆うように第１の絶縁層上に形成されてもよい。この場合、下部配線パターンおよび上部配線パターンの各々に電気信号を伝送させることができる。

（５）支持基板はステンレスを含み、接地層は銅を含んでもよい。

この場合、ステンレス鋼により、上部配線パターンを支持するために必要とされる支持基板の十分な剛性を確保することができる。また、ステンレス鋼の表面には不動態皮膜が形成される。それにより、腐食による支持基板の劣化が抑制される。銅はステンレス鋼に比べて高い電気伝導率を有する。それにより、電磁波により接地層に発生する渦電流を小さくすることができる。

（６）配線回路基板は、上部配線パターンを覆うように第２の絶縁層上に形成される第３の絶縁層をさらに備えてもよい。この場合、上部配線パターンが第３の絶縁層により保護される。

（７）第３の発明に係る配線回路基板の製造方法は、導電性材料により形成される支持基板上に第１の厚みを有する第１の部分と第１の厚みよりも小さい第２の厚みを有する第２の部分とを含む第１の絶縁層を形成するステップと、支持基板に電気的に接続されるように第１の絶縁層の第２の部分に支持基板よりも高い電気導電率を有する接地層を形成するステップと、接地層を覆うように第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成するステップと、第１の絶縁層の第１および第２の部分に重なるように第２の絶縁層上に上部配線パターンを形成するステップと、支持基板に、第１の絶縁層の第１の部分に重なる第１の開口部を形成するステップと、接地層に、第１の開口部に重なる第２の開口部を形成するステップとを含む。

その製造方法により得られる配線回路基板においては、上部配線パターンの少なくとも一部と支持基板との間に接地層が位置するので、上部配線パターンから支持基板に向かって放射される電磁波の多くが支持基板に到達することなく接地層により遮断される。また、上部配線パターンを伝送する電気信号の損失は、上部配線パターンの線路長が小さいほど小さい。上記の構成によれば、積層方向における第１の絶縁層の上面の位置と接地層の上面の位置との間の差を小さくすることができる。それにより、第２の絶縁層の上面に、接地層の有無に起因する段差がほとんど形成されない。したがって、上部配線パターンを直線状に形成することができるので、上部配線パターンの線路長が長くなることを抑制することができる。これらの結果、高い周波数帯域において上部配線パターンを伝送する電気信号の損失が低減される。

（８）第４の発明に係る配線回路基板の製造方法は、配線回路基板の製造方法であって、導電性材料により形成される支持基板上の複数の第１の領域に支持基板よりも高い電気伝導率を有する接地層を形成するステップと、支持基板上の複数の第１の領域とは異なる複数の第２の領域に第１の絶縁層を形成するステップと、接地層および第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成するステップと、支持基板の第１および第２の領域に重なるように第２の絶縁層上に第１の方向に延びる上部配線パターンを形成するステップとを含み、複数の第１の領域と複数の第２の領域とは、第１の方向に交互に並ぶ。また、配線回路基板の製造方法は、支持基板の第１の領域の少なくとも一部に第１の開口部を形成するステップと、接地層に、第１の開口部に重なる第２の開口部を形成するステップとをさらに含む。

その製造方法により得られる配線回路基板においては、上部配線パターンの少なくとも一部と支持基板との間に接地層が位置するので、上部配線パターンから支持基板に向かって放射される電磁波の多くが支持基板に到達することなく接地層により遮断される。また、上部配線パターンを伝送する電気信号の損失は、上部配線パターンの線路長が小さいほど小さい。上記の構成によれば、積層方向における第１の絶縁層の上面の位置と接地層の上面の位置との間の差を小さくすることができる。それにより、第２の絶縁層の上面に、接地層の有無に起因する段差がほとんど形成されない。したがって、上部配線パターンを直線状に形成することができるので、上部配線パターンの線路長が長くなることを抑制することができる。これらの結果、高い周波数帯域において上部配線パターンを伝送する電気信号の損失が低減される。

本発明によれば、高い周波数帯域において電気信号の損失が低減される。

第１の実施の形態に係るサスペンション基板の平面図である。 （ａ）は図１のサスペンション基板のうち一点鎖線で取り囲まれる部分の拡大平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ１−Ａ１線断面図であり、（ｃ）は（ａ）のＢ１−Ｂ１線断面図である。 （ａ）は図２（ａ）のＣ１−Ｃ１線断面図であり、（ｂ）は図２（ａ）のＤ１−Ｄ１線断面図である。 （ａ）は参考形態に係るサスペンション基板の一部拡大平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ０−Ａ０線断面図であり、（ｃ）は（ａ）のＢ０−Ｂ０線断面図である。 （ａ）は図４（ａ）のＣ０−Ｃ０線断面図であり、（ｂ）は図４（ａ）のＤ０−Ｄ０線断面図である。 図１のサスペンション基板の製造方法を示す模式的工程断面図である。 図１のサスペンション基板の製造方法を示す模式的工程断面図である。 図１のサスペンション基板の製造方法を示す模式的工程断面図である。 図１のサスペンション基板の製造方法を示す模式的工程断面図である。 図１のサスペンション基板の製造方法を示す模式的工程断面図である。 図１のサスペンション基板の製造方法を示す模式的工程断面図である。 （ａ）は第２の実施の形態に係るサスペンション基板の一部拡大平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ２−Ａ２線断面図であり、（ｃ）は（ａ）のＢ２−Ｂ２線断面図である。 （ａ）は図１２（ａ）のＣ２−Ｃ２線断面図であり、（ｂ）は図１２（ａ）のＤ２−Ｄ２線断面図である。 第２の実施の形態に係るサスペンション基板の製造方法を示す模式的工程断面図である。 第２の実施の形態に係るサスペンション基板の製造方法を示す模式的工程断面図である。 第２の実施の形態に係るサスペンション基板の製造方法を示す模式的工程断面図である。 第２の実施の形態に係るサスペンション基板の製造方法を示す模式的工程断面図である。 第２の実施の形態に係るサスペンション基板の製造方法を示す模式的工程断面図である。 第２の実施の形態に係るサスペンション基板の製造方法を示す模式的工程断面図である。 （ａ）は第３の実施の形態に係るサスペンション基板の一部拡大平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ３−Ａ３線断面図であり、（ｃ）は（ａ）のＢ３−Ｂ３線断面図である。 （ａ）は図２０（ａ）のＣ３−Ｃ３線断面図であり、（ｂ）は図２０（ａ）のＤ３−Ｄ３線断面図である。 （ａ）は実施例に係るサスペンション基板の平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＥ１−Ｅ１線断面図である。 （ａ）は図２２（ａ）のＦ１−Ｆ１線断面図であり、（ｂ）は図２２（ａ）のＧ１−Ｇ１線断面図である。 （ａ）は比較例に係るサスペンション基板の平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＥ０−Ｅ０線断面図である。 （ａ）は図２４（ａ）のＦ０−Ｆ０線断面図であり、（ｂ）は図２４（ａ）のＧ０−Ｇ０線断面図である。 実施例および比較例のサスペンション基板についてのシミュレーション結果を示す図である。

以下、本発明の一実施の形態に係る配線回路基板およびその製造方法について図面を参照しながら説明する。本発明の一実施の形態に係る配線回路基板として、ハードディスクドライブ装置のアクチュエータに用いられる回路付サスペンション基板（以下、サスペンション基板と略記する）について説明する。

［１］第１の実施の形態
（１）サスペンション基板の構造
図１は、第１の実施の形態に係るサスペンション基板の平面図である。図１において、矢印が向かう方向を前方と呼び、その逆方向を後方と呼ぶ。図１に示すように、サスペンション基板１は、サスペンション本体部として例えばステンレス鋼からなる支持基板１０を備える。図１においては、支持基板１０は、略前後方向に延びている。

サスペンション基板１は、長尺状の支持プレート９０により支持される。図１に点線で示すように、サスペンション基板１には、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２および電源用配線パターンＰ１，Ｐ２が形成されている。書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２は、高い周波数帯域を有する電気信号を伝送させるための高周波線路である。電源用配線パターンＰ１，Ｐ２は、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２を伝送する電気信号よりも低い周波数帯域を有する電気信号を伝送させるための低周波線路である。

支持基板１０の先端部には、Ｕ字状の開口部１１を形成することにより磁気ヘッド搭載部（以下、タング部と呼ぶ。）１２が設けられている。タング部１２は、支持基板１０に対して所定の角度をなすように一点鎖線Ｒの箇所で折り曲げ加工される。

支持基板１０の一端部におけるタング部１２の上面には４個の接続端子２１，２２，２３，２４が形成されている。また、支持基板１０が延びる方向（前後方向）における支持基板１０の中央部近傍の両側部には、２個の接続端子２５，２６がそれぞれ形成されている。タング部１２の上面に磁気ヘッドを有するヘッドスライダ（図示せず）が実装される。タング部１２の接続端子２１〜２４には、ヘッドスライダの磁気ヘッドの端子が接続される。

支持基板１０の他端部の上面には６個の接続端子３１，３２，３３，３４，３５，３６が形成されている。接続端子３１〜３４には、プリアンプ等の電子回路が接続される。接続端子３５，３６には、後述する圧電素子９５，９６用の電源回路が接続される。接続端子２１〜２６と接続端子３１〜３６とは、それぞれ書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２および電源用配線パターンＰ１，Ｐ２により電気的に接続されている。また、支持基板１０の中央部には複数の孔部Ｈが形成されている。

支持プレート９０は、前端領域９１、後端領域９２および中央領域９３を有する。後端領域９２は矩形状を有する。前端領域９１は台形状を有し、その幅は後方から前方に向かって漸次減少する。中央領域９３は前後方向に延びる矩形状を有し、前端領域９１と後端領域９２との間に配置される。サスペンション基板１が支持プレート９０の上面に支持された状態において、接続端子３１〜３６を含むサスペンション基板１の端部は、後端領域９２から後方に突出する。

中央領域９３の一部分には、圧電素子実装領域９４が設けられる。圧電素子実装領域９４は、サスペンション基板１の接続端子２５，２６と重なる。圧電素子実装領域９４の両側部は、外方に湾曲するように突出する。また、圧電素子実装領域９４には、幅方向（前後方向に直交する方向）に延びる貫通孔９４ｈが形成される。この構成によれば、支持プレート９０の圧電素子実装領域９４の部分は、前後方向に伸縮性を有する。

貫通孔９４ｈをまたぐように圧電素子実装領域９４の下面に圧電素子９５，９６が実装される。圧電素子９５，９６は、サスペンション基板１の両側方にそれぞれ位置する。圧電素子９５，９６は、貫通孔９４ｈを通してサスペンション基板１の接続端子２５，２６にそれぞれ接続される。

接続端子２５，３５および電源用配線パターンＰ１を介して圧電素子９５に電圧が印加され、接続端子２６，３６および電源用配線パターンＰ２を介して圧電素子９６に電圧が印加される。これにより、圧電素子９５，９６の伸縮に伴って、支持プレート９０が前後方向に伸縮する。圧電素子９５，９６に印加される電圧を制御することにより、サスペンション基板１上のヘッドスライダの磁気ヘッドの微小な位置合わせが可能になる。

支持プレート９０に支持されたサスペンション基板１はハードディスク装置に設けられる。磁気ディスクへの情報の書込み時に一対の書込用配線パターンＷ１，Ｗ２に電流が流れる。書込用配線パターンＷ１と書込用配線パターンＷ２とは、差動の書込み信号を伝送させる差動信号線路対を構成する。また、磁気ディスクからの情報の読取り時に一対の読取用配線パターンＲ１，Ｒ２に電流が流れる。読取用配線パターンＲ１と読取用配線パターンＲ２とは、差動の読取り信号を伝送させる差動信号線路対を構成する。

（２）書込用配線パターンおよび電源用配線パターン
図２（ａ）は図１のサスペンション基板１のうち一点鎖線で取り囲まれる部分Ｑの拡大平面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ１−Ａ１線断面図であり、図２（ｃ）は図２（ａ）のＢ１−Ｂ１線断面図である。また、図３（ａ）は図２（ａ）のＣ１−Ｃ１線断面図であり、図３（ｂ）は図２（ａ）のＤ１−Ｄ１線断面図である。図２（ａ）に示すように、図１の部分Ｑでは、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および電源用配線パターンＰ１がそれぞれ前後方向に延びる。また、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および電源用配線パターンＰ１が前後方向に直交する方向に並ぶ。

図３（ａ），（ｂ）に示すように、支持基板１０上に例えばポリイミドからなる第１の絶縁層４１が形成されている。支持基板１０は導電性を有し、例えばステンレス鋼からなる。第１の絶縁層４１は、第１の部分４１Ａおよび第２の部分４１Ｂを含む。第２の部分４１Ｂは第１の部分４１Ａよりも小さい厚みを有する。

第１の絶縁層４１の第２の部分４１Ｂ上に、支持基板１０よりも高い電気伝導率を有する接地層５０が形成されている。接地層５０は、支持基板１０に電気的に接続される。接地層５０と支持基板１０との電気的な接続は、例えば第１の絶縁層４１に形成されるビアまたは配線等を用いて実現される。

接地層５０の材料としては、例えば銅が用いられる。上記のように支持基板１０がステンレス鋼からなる場合には、金または銀を接地層５０の材料として用いてもよい。あるいは、金、銀および銅のいずれかを含みかつステンレス鋼よりも高い電気伝導率を有する合金を接地層５０の材料として用いてもよい。なお、接地層５０は、多層構造を有してもよい。例えば、接地層５０は、支持基板１０がステンレス鋼からなる場合に、銅層上にニッケル層または銀層が積層された２層構造を有してもよいし、銅層上にニッケル層および金層が積層された３層構造を有してもよい。接地層５０が銅層を含む多層構造を有する場合には、銅層の表面を被覆するように、銅層の上面上および側面上にニッケル層、銀層または金層等の他の金属層が形成されてもよい。

第１の絶縁層４１の第１の部分４１Ａ上に電源用配線パターンＰ１が形成されている。電源用配線パターンＰ１の材料としては、例えば銅が用いられる。なお、電源用配線パターンＰ１の表面は、ニッケル層または銀層等で被覆されてもよい。

接地層５０および電源用配線パターンＰ１を覆うように、第１の絶縁層４１上に、例えばポリイミドからなる第２の絶縁層４２が形成されている。

図２（ｂ）に示すように、図２（ａ）のＡ１−Ａ１線における支持基板１０上では、第１の絶縁層４１の複数の第１の部分４１Ａおよび複数の第２の部分４１Ｂが前後方向に交互に並ぶ。第１の絶縁層４１の複数の第１の部分４１Ａおよび複数の第２の部分４１Ｂに重なるように、第２の絶縁層４２上に書込用配線パターンＷ１が形成されている。書込用配線パターンＷ１と同様に、第１の絶縁層４１の複数の第１の部分４１Ａおよび複数の第２の部分４１Ｂに重なるように、第２の絶縁層４２上に書込用配線パターンＷ２が形成されている。

本例では、第１の絶縁層４１の第２の部分４１Ｂ上に接地層５０が形成されている。それにより、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２のうち第１の絶縁層４１の第２の部分４１Ｂに重なる部分は接地層５０にも重なる。

書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の材料としては、例えば銅が用いられる。なお、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の表面は、ニッケル層または銀層等で被覆されてもよい。書込用配線パターンＷ１，Ｗ２を覆うように、第２の絶縁層４２上に、例えばポリイミドからなる第３の絶縁層６０が形成されている。

図２（ａ）では、図２（ｂ），（ｃ）および図３（ａ），（ｂ）の第１の絶縁層４１、第２の絶縁層４２および第３の絶縁層６０の図示を省略している。また、図２（ａ）では、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２を太い実線およびハッチングで示し、電源用配線パターンＰ１を太い一点鎖線およびハッチングで示し、接地層５０を実線およびドットパターンで示す。さらに、支持基板１０を二点鎖線で示す。

高い周波数帯域を有する電気信号が書込用配線パターンＷ１，Ｗ２を伝送する場合、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２から電磁波が発生する。発生する電磁波が支持基板１０または接地層５０に入射すると、支持基板１０に渦電流が発生し、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２と支持基板１０または接地層５０とが電磁的に結合する。書込用配線パターンＷ１，Ｗ２を伝送する電気信号には、支持基板１０または接地層５０に発生する渦電流の大きさに応じた損失が生じる。電気信号の損失は、発生する渦電流が大きいほど大きく、発生する渦電流が小さいほど小さい。

ある導体に電磁波が与えられることによりその導体に発生する渦電流は、その導体の電気伝導率が低いほど大きく、その導体の電気伝導率が高いほど小さい。接地層５０は、支持基板１０に比べて高い電気伝導率を有する。そのため、電磁波により接地層５０に発生する渦電流は、電磁波により支持基板１０に発生する渦電流よりも小さい。

上記の構成によれば、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の少なくとも一部と支持基板１０との間に接地層５０が位置するので、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２から支持基板１０に向かって放射される電磁波の少なくとも一部は、接地層５０に入射し、支持基板１０に到達しない。それにより、高い周波数帯域において書込用配線パターンＷ１，Ｗ２を伝送する電気信号の損失が低減される。

書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の特性インピーダンスの値は、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２と支持基板１０および接地層５０とが重なる部分の面積に応じて定まる。例えば、書込用配線パターンＷ１の特性インピーダンスの値は、書込用配線パターンＷ１の一部と支持基板１０および接地層５０とが重なる場合に比べて、書込用配線パターンＷ１全体と支持基板１０および接地層５０とが重なる場合の方が大きくなる。また、その特性インピーダンスの値は、書込用配線パターンＷ１と支持基板１０および接地層５０とが重ならない場合に比べて、書込用配線パターンＷ１の一部と支持基板１０および接地層５０とが重なる場合の方が大きくなる。

そこで、本実施の形態では、各書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の特性インピーダンスの値が所望の値に近づくように、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２と支持基板１０および接地層５０とが重なる部分の面積が調整される。具体的には、図２（ａ），（ｂ）および図３（ｂ）に示すように、予め設定されるインピーダンスに応じて、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２に重なる複数の第１の開口部１９が支持基板１０に形成される。また、複数の第１の開口部１９にそれぞれ重なる複数の第２の開口部５９が接地層５０に形成される。

複数の第１の開口部１９および複数の第２の開口部５９は、基本的に書込用配線パターンＷ１，Ｗ２が延びる方向に並ぶように間欠的に形成される。それにより、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の特性インピーダンスの均一性を向上させることができる。なお、設定されるインピーダンスによっては、複数の第１の開口部１９は、支持基板１０に形成されなくてもよい。

以下の説明においては、支持基板１０、第１の絶縁層４１および第２の絶縁層４２が積層される方向を基板積層方向と呼ぶ。図２（ａ）に示すように、互いに重なり合う第１の開口部１９および第２の開口部５９は、サスペンション基板１を基板積層方向に沿って見た場合に第１の開口部１９の内縁が第２の開口部５９の内縁を取り囲むように形成される。この構成によれば、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２から第２の開口部５９に向かって放射される電磁波が、第２の開口部５９を通過した後、支持基板１０の第１の開口部１９の内縁に入射することが低減される。それにより、支持基板１０における渦電流の発生が低減される。

図３（ａ），（ｂ）に示すように、上記のサスペンション基板１においては、接地層５０が第１の絶縁層４１のうち厚みの小さい第２の部分４１Ｂ上に形成されている。この場合、基板積層方向において、接地層５０の上面の位置（高さ）と第１の絶縁層４１の第１の部分４１Ａの上面の位置（高さ）との間の差が小さい。それにより、第２の絶縁層４２の上面に、接地層５０の有無に起因する段差がほとんど形成されない。そのため、図２（ｂ）に示すように、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２は、ほぼ平坦な第２の絶縁層４２の上面上で直線状に形成される。

ここで、参考形態に係るサスペンション基板について、図１のサスペンション基板１と異なる点を説明する。図４（ａ）は参考形態に係るサスペンション基板の一部拡大平面図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）のＡ０−Ａ０線断面図であり、図４（ｃ）は図４（ａ）のＢ０−Ｂ０線断面図である。また、図５（ａ）は図４（ａ）のＣ０−Ｃ０線断面図であり、図５（ｂ）は図４（ａ）のＤ０−Ｄ０線断面図である。図４（ａ）の平面図ならびに図４（ｂ），（ｃ）および図５（ａ），（ｂ）の断面図は、図２（ａ）の平面図ならびに図２（ｂ），（ｃ）および図３（ａ），（ｂ）の断面図に対応する。

参考形態に係るサスペンション基板においては、図４（ｂ），（ｃ）および図５（ａ），（ｂ）に示すように、支持基板１０上に形成される第１の絶縁層４１が一定の厚みを有する。第１の絶縁層４１の上面上に、電源用配線パターンＰ１とともに接地層５０が形成されている。この場合、基板積層方向において、接地層５０の上面の位置（高さ）と第１の絶縁層４１の上面の位置（高さ）との間に、接地層５０の厚みと同じ大きさの差が生じる。それにより、第２の絶縁層４２の上面に、接地層５０の有無に起因する段差が形成される。そのため、図４（ｂ）に示すように、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２は、複数の段差を乗り越すように第２の絶縁層４２の上面上で波線状に形成される。

高い周波数帯域を有する電気信号が書込用配線パターンＷ１，Ｗ２を伝送する場合、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２を伝送する電気信号には、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の線路長に応じた損失が生じる。電気信号の損失は、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の線路長が大きいほど大きく、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の線路長が小さいほど小さい。上記のように、参考形態に係るサスペンション基板においては、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２が波線状に形成される。これに対して、本実施の形態に係るサスペンション基板１においては、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２がほぼ直線状に形成される。それにより、本実施の形態に係る書込用配線パターンＷ１，Ｗ２は、波線状の書込用配線パターンＷ１，Ｗ２（図４（ｂ））に比べて線路長が短い。このように、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の線路長が長くなることを抑制することができるので、高い周波数帯域において書込用配線パターンＷ１，Ｗ２を伝送する電気信号の損失が低減される。本実施の形態においては、線路長は、伝送線路の中心軸を通る線の長さを意味する。

なお、図１の読取用配線パターンＲ１，Ｒ２および電源用配線パターンＰ２ならびにそれらの近傍の構成は、図２（ａ）〜（ｃ）および図３（ａ），（ｂ）の書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および電源用配線パターンＰ１の構成およびそれらの近傍の構成と基本的に同じである。

（３）サスペンション基板の製造方法
サスペンション基板１の製造方法について説明する。図６〜図１１は、図１のサスペンション基板１の製造方法を示す模式的工程断面図である。図６〜図１１の各図においては、（ａ）が図２（ａ）のＣ１−Ｃ１線断面図に対応し、（ｂ）が図２（ａ）のＤ１−Ｄ１線断面図に対応する。ここでは、図１のタング部１２、複数の接続端子２１〜２６，３１〜３６、複数の孔部Ｈ、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２および電源用配線パターンＰ２の形成工程についての説明は省略する。

初めに、ステンレス鋼からなる長尺状基板を支持基板１０として用意する。続いて、図６（ａ），（ｂ）に示すように、支持基板１０上にポリイミドからなる第１の絶縁層４１を形成する。支持基板１０の厚みは、例えば８μｍ以上１００μｍ以下である。第１の絶縁層４１の厚みは、例えば１μｍ以上２５μｍ以下である。

次に、図７（ａ），（ｂ）に示すように、第１の絶縁層４１の上面の予め定められた領域に凹部４１Ｃを形成する。凹部４１Ｃの深さは、例えば１μｍ以上２４μｍ以下である。第１の絶縁層４１のうち凹部４１Ｃが形成されない部分が上記の第１の部分４１Ａとなり、第１の絶縁層４１のうち凹部４１Ｃが形成される部分が上記の第２の部分４１Ｂとなる。

ここで、凹部４１Ｃは、例えば第１の絶縁層４１の形成時に階調露光技術を用いて形成する。または、凹部４１Ｃは、一定の厚みで形成された第１の絶縁層４１の一部をエッチングすることにより形成してもよいし、一定の厚みで形成された第１の絶縁層４１の一部をレーザ加工することにより形成してもよい。

次に、図８（ａ），（ｂ）に示すように、第１の絶縁層４１の第２の部分４１Ｂ上に、銅からなる接地層５０を形成する。また、接地層５０の形成と同時に、第１の部分４１Ａの予め定められた領域上に銅からなる電源用配線パターンＰ１を形成する。このとき、図８（ｂ）に示すように、接地層５０には、図２（ａ）の複数の第２の開口部５９が形成される。接地層５０および電源用配線パターンＰ１の厚みは、例えば１μｍ以上２０μｍ以下である。

なお、接地層５０の形成時には、例えば第１の絶縁層４１内にビア（図示せず）等を形成することにより、接地層５０と支持基板１０とを電気的に接続してもよい。

次に、図９（ａ），（ｂ）に示すように、接地層５０および電源用配線パターンＰ１を覆うように、第１の絶縁層４１上にポリイミドからなる第２の絶縁層４２を形成する。第２の絶縁層４２の厚みは、例えば１μｍ以上２５μｍ以下である。

次に、図１０（ａ），（ｂ）に示すように、第１の絶縁層４１の第１の部分４１Ａおよび第２の部分４１Ｂに重なるように、第２の絶縁層４２上に銅からなる書込用配線パターンＷ１，Ｗ２を形成する。

書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の厚みは、例えば１μｍ以上２０μｍ以下である。書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の幅は、例えば６μｍ以上１００μｍ以下である。また、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の間隔は、例えば６μｍ以上１００μｍ以下である。

次に、図１１（ａ），（ｂ）に示すように、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２を覆うように、第２の絶縁層４２上にポリイミドからなる第３の絶縁層６０を形成する。第３の絶縁層６０は、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２を保護するために用いられる。第３の絶縁層６０の厚みは、例えば２μｍ以上２５μｍ以下である。

最後に、支持基板１０の外縁を設計寸法に応じて加工するとともに、支持基板１０の予め定められた複数の部分に複数の第１の開口部１９を形成する。それにより、図３（ａ），（ｂ）の構成を有するサスペンション基板１が完成する。

（４）効果
本実施の形態に係るサスペンション基板１においては、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の少なくとも一部と支持基板１０との間に接地層５０が位置するので、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２から支持基板１０に向かって放射される電磁波の少なくとも一部は、接地層５０により遮断される。それにより、支持基板１０における渦電流の発生が低減される。

また、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２を伝送する電気信号の損失は、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の線路長が小さいほど小さい。上記の構成によれば、基板積層方向における接地層５０の上面の位置（高さ）と第１の絶縁層４１の第１の部分４１Ａの上面の位置（高さ）との間の差を小さくすることができる。それにより、第２の絶縁層４２の上面に、接地層５０の有無に起因する段差がほとんど形成されない。したがって、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２を直線状に形成することができるので、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の線路長が長くなることを抑制することができる。

これらの結果、高い周波数帯域において書込用配線パターンＷ１，Ｗ２を伝送する電気信号の損失が低減される。

[２]第２の実施の形態
第２の実施の形態に係るサスペンション基板について、第１の実施の形態に係るサスペンション基板１とは異なる点を説明する。図１２（ａ）は第２の実施の形態に係るサスペンション基板の一部拡大平面図であり、図１２（ｂ）は図１２（ａ）のＡ２−Ａ２線断面図であり、図１２（ｃ）は図１２（ａ）のＢ２−Ｂ２線断面図である。また、図１３（ａ）は図１２（ａ）のＣ２−Ｃ２線断面図であり、図１３（ｂ）は図１２（ａ）のＤ２−Ｄ２線断面図である。図１２（ａ）の平面図ならびに図１２（ｂ），（ｃ）および図１３（ａ），（ｂ）の断面図は、図２（ａ）の平面図ならびに図２（ｂ），（ｃ）および図３（ａ），（ｂ）の断面図に対応する。図１２（ａ）においては、図２（ａ）の例と同様に、サスペンション基板１の複数の構成要素のうち一部の構成要素を互いに異なる態様で示すとともに、他の構成要素の図示を省略している。

本実施の形態に係るサスペンション基板１においては、図１３（ａ），（ｂ）に示すように、支持基板１０の上面の一部領域（後述する第１の領域１０Ａ）上に接地層５０が形成されている。それにより、支持基板１０の一部の領域では、支持基板１０の上面と接地層５０の下面とが接触している。また、支持基板１０の接地層５０が形成されない領域（後述する第２の領域１０Ｂ）上に第１の絶縁層４１が形成されている。

接地層５０上および第１の絶縁層４１上に第２の絶縁層４２が形成されている。接地層５０および第１の絶縁層４１に重なるように、第２の絶縁層４２上に書込用配線パターンＷ１，Ｗ２が形成されている。

上記の構成においても、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の少なくとも一部と支持基板１０との間に接地層５０が位置するので、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２から支持基板１０に向かって放射される電磁波の少なくとも一部は、接地層５０に入射し、支持基板１０に到達しない。それにより、高い周波数帯域において書込用配線パターンＷ１，Ｗ２を伝送する電気信号の損失が低減される。

接地層５０の厚みおよび第１の絶縁層４１の厚みは、ほぼ等しくなるように設定される。この場合、基板積層方向において、接地層５０の上面の位置（高さ）と第１の絶縁層４１の上面の位置（高さ）との間の差が小さい。それにより、第２の絶縁層４２の上面に、接地層５０の有無に起因する段差がほとんど形成されない。そのため、第１の実施の形態に係るサスペンション基板１と同様に、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２は、ほぼ平坦な第２の絶縁層４２の上面上で直線状に形成される。したがって、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の線路長が長くなることを抑制することができるので、高い周波数帯域において書込用配線パターンＷ１，Ｗ２を伝送する電気信号の損失が低減される。

本実施の形態では、図１２（ａ）に示すように、互いに重なり合う第１の開口部１９および第２の開口部５９は、サスペンション基板１を基板積層方向に沿って見た場合に第２の開口部５９の内縁が第１の開口部１９の内縁を取り囲むように形成される。この構成によれば、接地層５０の各第２の開口部５９の内縁が第１の絶縁層４１により被覆される。それにより、接地層５０の各第２の開口部５９の内縁が第１の絶縁層４１と支持基板１０との間からサスペンション基板１の外部に露出しない。したがって、接地層５０が各第２の開口部５９の内縁から腐食することが防止される。

第２の実施の形態に係るサスペンション基板１の製造方法について説明する。図１４〜図１９は、第２の実施の形態に係るサスペンション基板１の製造方法を示す模式的工程断面図である。図１４〜図１９の各図においては、（ａ）が図１２（ａ）のＣ２−Ｃ２線断面図に対応し、（ｂ）が図１２（ａ）のＤ２−Ｄ２線断面図に対応する。ここでは、図１のタング部１２、複数の接続端子２１〜２６，３１〜３６、複数の孔部Ｈ、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２および電源用配線パターンＰ２の形成工程についての説明は省略する。

第１の実施の形態と同様に、まずステンレス鋼からなる長尺状基板を支持基板１０として用意する。ここで、図１４（ａ），（ｂ）に示すように、本実施の形態では、支持基板１０の上面に、図１３（ａ），（ｂ）の接地層５０を形成することになる第１の領域１０Ａと、接地層５０が形成されない第２の領域１０Ｂとが予め定められる。

続いて、支持基板１０上にポリイミドからなる第１の絶縁層４１を形成した後、図１５（ａ），（ｂ）に示すように、支持基板１０の上面の第１の領域１０Ａが上方に露出するように開口４１Ｄを形成する。開口４１Ｄは、例えば第１の絶縁層４１の形成時に階調露光技術を用いて形成する。または、開口４１Ｄは、第１の絶縁層４１の一部をエッチングすることにより形成してもよいし、第１の絶縁層４１の一部をレーザ加工することにより形成してもよい。

次に、図１６（ａ），（ｂ）に示すように、上方に露出する支持基板１０の第１の領域１０Ａ上に接地層５０を形成する。また、接地層５０の形成と同時に、支持基板１０の第２の領域１０Ｂに重なる第１の絶縁層４１の予め定められた領域上に電源用配線パターンＰ１を形成する。このとき、図１６（ｂ）に示すように、接地層５０には、図１２（ａ）の複数の第２の開口部５９が形成される。

次に、図１７（ａ），（ｂ）に示すように、電源用配線パターンＰ１を覆うように、接地層５０および第１の絶縁層４１上にポリイミドからなる第２の絶縁層４２を形成する。

次に、図１８（ａ），（ｂ）に示すように、支持基板１０の第１の領域１０Ａおよび第２の領域１０Ｂに重なるように、第２の絶縁層４２上に銅からなる書込用配線パターンＷ１，Ｗ２を形成する。

次に、図１９（ａ），（ｂ）に示すように、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２を覆うように、第２の絶縁層４２上にポリイミドからなる第３の絶縁層６０を形成する。

最後に、支持基板１０の外縁を設計寸法に応じて加工するとともに、支持基板１０の予め定められた複数の部分に複数の第１の開口部１９を形成する。それにより、図１３（ａ），（ｂ）の構造を有するサスペンション基板１が完成する。

［３］第３の実施の形態
第３の実施の形態に係るサスペンション基板について、第２の実施の形態に係るサスペンション基板１とは異なる点を説明する。図２０（ａ）は第３の実施の形態に係るサスペンション基板の一部拡大平面図であり、図２０（ｂ）は図２０（ａ）のＡ３−Ａ３線断面図であり、図２０（ｃ）は図２０（ａ）のＢ３−Ｂ３線断面図である。また、図２１（ａ）は図２０（ａ）のＣ３−Ｃ３線断面図であり、図２１（ｂ）は図２０（ａ）のＤ３−Ｄ３線断面図である。図２０（ａ）の平面図ならびに図２０（ｂ），（ｃ）および図２１（ａ），（ｂ）の断面図は、図１２（ａ）の平面図ならびに図１２（ｂ），（ｃ）および図１３（ａ），（ｂ）の断面図に対応する。図２０（ａ）においては、図１２（ａ）の例と同様に、サスペンション基板１の複数の構成要素のうち一部の構成要素を互いに異なる態様で示すとともに、他の構成要素の図示を省略している。

図２０（ａ），（ｂ）および図２１（ｂ）に示すように、本実施の形態に係るサスペンション基板１を基板積層方向に沿って見た場合、接地層５０の各第２の開口部５９の内縁と支持基板１０の各第１の開口部１９の内縁とが互いに重なる。この構成においては、接地層５０として金等の耐食性に優れた材料を用いることにより、各第２の開口部５９の内縁からの接地層５０の腐食が防止される。

上記のように、第２の実施の形態に係るサスペンション基板１の製造方法においては、支持基板１０上に接地層５０を形成する際に、複数の第２の開口部５９が形成される（図１６（ｂ）参照）。これに対して、本実施の形態に係るサスペンション基板の製造方法では、支持基板１０上に接地層５０を形成する工程で複数の第２の開口部５９を形成しない。図１９（ｂ）に示される第３の絶縁層６０の形成工程の後、支持基板１０に複数の第１の開口部１９を形成する工程で、複数の第１の開口部１９を形成するとともに接地層５０に複数の第２の開口部５９を形成する。

本実施の形態に係るサスペンション基板においても、基板積層方向において、接地層５０の上面の位置（高さ）と第１の絶縁層４１の第１の部分４１Ａの上面の位置（高さ）との間の差が小さい。それにより、第２の絶縁層４２の上面に、接地層５０の有無に起因する段差がほとんど形成されない。そのため、第２の実施の形態に係るサスペンション基板１と同様に、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２は、ほぼ平坦な第２の絶縁層４２の上面上で直線状に形成される。したがって、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の線路長が長くなることを抑制することができる。

［４］他の実施の形態
上記実施の形態では、電源用配線パターンＰ１，Ｐ２は低い周波数帯域を有する電気信号を伝送させるための低周波線路であるが、本発明はこれに限定されない。電源用配線パターンＰ１，Ｐ２を伝送する電気信号の損失がある程度許容される場合には、電源用配線パターンＰ１，Ｐ２に高い周波数帯域を有する電気信号を伝送させてもよい。すなわち、電源用配線パターンＰ１，Ｐ２を高周波線路として用いてもよい。

［５］請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。

上記実施の形態においては、支持基板１０が支持基板の例であり、第１の部分４１Ａが第１の部分の例であり、第２の部分４１Ｂが第２の部分の例であり、第１の絶縁層４１が第１の絶縁層の例であり、接地層５０が接地層の例であり、第２の絶縁層４２が第２の絶縁層の例であり、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２が上部配線パターンの例であり、サスペンション基板１が配線回路基板の例である。

また、第１の開口部１９が第１の開口部の例であり、第２の開口部５９が第２の開口部の例であり、第１の領域１０Ａが第１の領域の例であり、第２の領域１０Ｂが第２の領域の例であり、電源用配線パターンＰ１が下部配線パターンの例であり、第３の絶縁層６０が第３の絶縁層の例である。

請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。

［６］実施例および比較例
実施例および比較例として、以下のサスペンション基板を想定する。図２２（ａ）は実施例に係るサスペンション基板の平面図であり、図２２（ｂ）は図２２（ａ）のＥ１−Ｅ１線断面図である。また、図２３（ａ）は図２２（ａ）のＦ１−Ｆ１線断面図であり、図２３（ｂ）は図２２（ａ）のＧ１−Ｇ１線断面図である。

図２２（ａ）に示すように、実施例のサスペンション基板は、一方向に延びる配線パターンＬ１０および接地層５０を備える。配線パターンＬ１０は、２つの線路Ｌ１１，Ｌ１２を含む。線路Ｌ１１，Ｌ１２により差動信号線路対が構成される。接地層５０は、一方向に帯状に延びるように形成される。また、接地層５０は、一方向に一定周期で並ぶ複数の開口部５８を有する。

図２３（ａ），（ｂ）に示すように、ステンレス鋼からなる支持基板１０上にポリイミドからなる第１の絶縁層４１が形成される。第１の絶縁層４１は、厚みが異なる第１の部分４１Ａおよび第２の部分４１Ｂを含む。第２の部分４１Ｂの厚みは、第１の部分４１Ａの厚みよりも小さい。第１の絶縁層４１の第２の部分４１Ｂ上に銅からなる接地層５０が形成される。接地層５０を覆うように、第１の絶縁層４１上にポリイミドからなる第２の絶縁層４２が形成される。第２の絶縁層４２上に、銅からなる配線パターンＬ１０が形成される。

図２２（ａ）では、図２２（ｂ）および図２３（ａ），（ｂ）の第１の絶縁層４１および第２の絶縁層４２の図示を省略している。また、図２２（ａ）では、配線パターンＬ１０を太い実線およびハッチングで示し、接地層５０を実線およびドットパターンで示す。さらに、支持基板１０を二点鎖線で示す。

実施例のサスペンション基板では、基板積層方向において、接地層５０の上面の位置（高さ）と第１の絶縁層４１の第１の部分４１Ａの上面の位置（高さ）との間の差が小さい。それにより、第２の絶縁層４２の上面に、接地層５０の有無に起因する段差がほとんど形成されない。さらに、実施例のサスペンション基板では、第２の絶縁層４２の上面が平坦になるように、第２の絶縁層４２の厚みが複数の部分で調整されている。その結果、図２２（ｂ）に示すように、配線パターンＬ１０の各線路Ｌ１１，Ｌ１２は直線状に延びる。

実施例のサスペンション基板においては、配線パターンＬ１０が延びる方向における線路Ｌ１１，Ｌ１２の各々の長さを２０ｍｍとした。また、線路Ｌ１１，Ｌ１２の各々の幅ｄ１１および厚みｄ１２をそれぞれ１００μｍおよび８μｍとし、線路Ｌ１１，Ｌ１２の間隔ｄ１３を３０μｍとした。また、接地層５０の厚みｄ１４を５μｍとした。また、支持基板１０の厚みｄ２１を１８μｍとし、第１の絶縁層４１の第１の部分４１Ａの厚みｄ２２ａを５μｍとし、第１の絶縁層４１の第２の部分４１Ｂの厚みｄ２２ｂを１．５μｍとした。また、第１の絶縁層４１の第１の部分４１Ａに重なる第２の絶縁層４２の部分の厚みｄ２３ａを７．５μｍとし、第１の絶縁層４１の第２の部分４１Ｂに重なる第２の絶縁層４２の部分の厚みｄ２３ｂを６μｍとした。さらに、配線パターンＬ１０が延びる方向において、配線パターンＬ１０に重なる各開口部５８の寸法ｄ０１と、隣り合う各２つの開口部５８の間の寸法ｄ０２とをそれぞれ５００μｍおよび５００μｍとした。

図２４（ａ）は比較例に係るサスペンション基板の平面図であり、図２４（ｂ）は図２４（ａ）のＥ０−Ｅ０線断面図である。また、図２５（ａ）は図２４（ａ）のＦ０−Ｆ０線断面図であり、図２５（ｂ）は図２４（ａ）のＧ０−Ｇ０線断面図である。図２４（ａ）では、図２２（ａ）の例と同様に、サスペンション基板の複数の構成要素のうち一部の構成要素を互いに異なる態様で示すとともに、他の構成要素の図示を省略している。比較例のサスペンション基板は、以下の点を除いて実施例のサスペンション基板と同じ構成を有する。

図２４（ｂ）および図２５（ａ），（ｂ）に示すように、比較例のサスペンション基板においては、第１の絶縁層４１が支持基板１０の上面全体を覆うように一定の厚みで形成される。接地層５０は、第１の絶縁層４１上に形成される。

比較例のサスペンション基板では、基板積層方向において、接地層５０の上面の位置（高さ）と第１の絶縁層４１の上面の位置（高さ）との間の差が大きい。それにより、第２の絶縁層４２の上面に、接地層５０の有無に起因する段差が形成されている。その結果、図２４（ｂ）に示すように、配線パターンＬ１０の各線路Ｌ１１，Ｌ１２は、波線状に延びる。

比較例のサスペンション基板においては、配線パターンＬ１０が延びる方向における線路Ｌ１１，Ｌ１２の各々の長さを２０ｍｍとした。また、線路Ｌ１１，Ｌ１２の各々の幅ｄ１１および厚みｄ１２をそれぞれ１００μｍおよび８μｍとし、線路Ｌ１１，Ｌ１２の間隔ｄ１３を３０μｍとした。また、接地層５０の厚みｄ１４を５μｍとした。また、支持基板１０の厚みｄ２１を１８μｍとし、第１の絶縁層４１の厚みｄ２２を５μｍとし、第２の絶縁層４２の厚みｄ２３を６μｍとした。さらに、配線パターンＬ１０が延びる方向において、配線パターンＬ１０に重なる各開口部５８の寸法ｄ０１と、隣り合う各２つの開口部５８の間の寸法ｄ０２とをそれぞれ５００μｍおよび５００μｍとした。

実施例および比較例のサスペンション基板の各部の寸法が下記表１に示される。

実施例および比較例のサスペンション基板の配線パターンＬ１０を電気信号が伝送するときの透過特性を表すＳパラメータＳｄｄ２１をシミュレーションにより求めた。ＳパラメータＳｄｄ２１は、差動モード入力および差動モード出力での減衰量を示す。

図２６は、実施例および比較例のサスペンション基板についてのシミュレーション結果を示す図である。図２６においては、縦軸はＳパラメータＳｄｄ２１［ｄＢ］を表し、横軸は電気信号の周波数［ＧＨｚ］を表す。また、図２６においては、実施例についてのシミュレーション結果を太い実線で示す。比較例についてのシミュレーション結果を一点鎖線で示す。

なお、図２６においては、縦軸に示される負の利得は損失を示す。そのため、ＳパラメータＳｄｄ２１の値が低いほど減衰量が大きいことを示し、ＳパラメータＳｄｄ２１の値が０に近いほど減衰量が小さいことを示す。

図２６のシミュレーション結果によれば、０〜２０ＧＨｚの周波数帯域において、実施例のサスペンション基板を伝送する電気信号の減衰量は、比較例のサスペンション基板を伝送する電気信号の減衰量よりも小さい。これにより、基板積層方向において、接地層５０の上面の位置（高さ）と第１の絶縁層４１の上面の位置（高さ）との間の差を小さくすることにより、広い周波数帯域に渡って電気信号の減衰量を低減することが可能であることがわかった。
［７］参考形態
（１）第１の参考形態に係る配線回路基板は、導電性材料により形成される支持基板と、支持基板上の第１の領域に形成されるとともに支持基板よりも高い電気伝導率を有する接地層と、支持基板上の第１の領域とは異なる第２の領域に形成される第１の絶縁層と、接地層および第１の絶縁層上に形成される第２の絶縁層と、支持基板の第１および第２の領域に重なるように第２の絶縁層上に形成される上部配線パターンとを備える。
その配線回路基板においては、支持基板の第１の領域上に接地層が形成され、支持基板の第２の領域上に第１の絶縁層が形成される。また、接地層上および第１の絶縁層上に第２の絶縁層が形成される。さらに、第１の絶縁層の第１および第２の領域に重なるように第２の絶縁層上に上部配線パターンが形成される。この場合、上部配線パターンに電気信号を伝送させることができる。
上記の構成によれば、上部配線パターンの少なくとも一部と支持基板との間に接地層が位置するので、上部配線パターンから支持基板に向かって放射される電磁波の少なくとも一部は、接地層に入射し、支持基板に到達しない。
また、高い周波数帯域を有する電気信号が上部配線パターンを伝送する場合、上部配線パターンを伝送する電気信号には、上部配線パターンの線路長に応じた損失が生じる。電気信号の損失は、上部配線パターンの線路長が大きいほど大きく、上部配線パターンの線路長が小さいほど小さい。本参考形態に係る配線回路基板においては、支持基板の第１の領域上に接地層が形成され、第２の領域上に第１の絶縁層が形成される。それにより、支持基板、第１の絶縁層および第２の絶縁層の積層方向において、接地層の上面の位置と第１の絶縁層の上面の位置との間の差を小さくすることができる。それにより、接地層および第１の絶縁層上に形成される第２の絶縁層の上面に、接地層の有無に起因する段差がほとんど形成されない。そのため、第２の絶縁層上に上部配線パターンを直線状に形成することができる。したがって、上部配線パターンの配線長が長くなることを抑制することができる。
これらの結果、高い周波数帯域において上部配線パターンを伝送する電気信号の損失が低減される。
（２）上部配線パターンは第１の方向に延び、支持基板は、第１の領域を複数有するとともに、第２の領域を複数有し、複数の第１の領域と複数の第２の領域とは、第１の方向に交互に並んでもよい。
この場合、上部配線パターンが第１の方向に間欠的に並ぶ複数の接地層の部分に重なる。それにより、上部配線パターンの特性インピーダンスの均一性を向上させることができる。
（３）支持基板の第１の領域の少なくとも一部に第１の開口部が形成され、接地層には、第１の開口部に重なる第２の開口部が形成されてもよい。
上部配線パターンの特性インピーダンスの値は、上部配線パターンと支持基板および接地層とが重なる部分の面積に応じて定まる。上記の構成によれば、支持基板および接地層に第１および第２の開口部が形成される。したがって、第１および第２の開口部の大きさおよび数を調整することにより、上部配線パターンの特性インピーダンスの値を容易に調整することができる。
（４）配線回路基板は、第１の絶縁層上に形成される下部配線パターンをさらに備え、第２の絶縁層は、下部配線パターンを覆うように第１の絶縁層上に形成されてもよい。この場合、下部配線パターンおよび上部配線パターンの各々に電気信号を伝送させることができる。
（５）支持基板はステンレスを含み、接地層は銅を含んでもよい。
この場合、ステンレス鋼により、上部配線パターンを支持するために必要とされる支持基板の十分な剛性を確保することができる。また、ステンレス鋼の表面には不動態皮膜が形成される。それにより、腐食による支持基板の劣化が抑制される。銅はステンレス鋼に比べて高い電気伝導率を有する。それにより、電磁波により接地層に発生する渦電流を小さくすることができる。
（６）配線回路基板は、上部配線パターンを覆うように第２の絶縁層上に形成される第３の絶縁層をさらに備えてもよい。この場合、上部配線パターンが第３の絶縁層により保護される。
（７）第２の参考形態に係る配線回路基板の製造方法は、導電性材料により形成される支持基板上の第１の領域に支持基板よりも高い電気伝導率を有する接地層を形成するステップと、支持基板上の第１の領域とは異なる第２の領域に第１の絶縁層を形成するステップと、接地層および第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成するステップと、支持基板の第１および第２の領域に重なるように第２の絶縁層上に上部配線パターンを形成するステップとを含む。
その製造方法により得られる配線回路基板においては、上部配線パターンの少なくとも一部と支持基板との間に接地層が位置するので、上部配線パターンから支持基板に向かって放射される電磁波の多くが支持基板に到達することなく接地層により遮断される。また、上部配線パターンを伝送する電気信号の損失は、上部配線パターンの線路長が小さいほど小さい。上記の構成によれば、積層方向における第１の絶縁層の上面の位置と接地層の上面の位置との間の差を小さくすることができる。それにより、第２の絶縁層の上面に、接地層の有無に起因する段差がほとんど形成されない。したがって、上部配線パターンを直線状に形成することができるので、上部配線パターンの配線長が長くなることを抑制することができる。これらの結果、高い周波数帯域において上部配線パターンを伝送する電気信号の損失が低減される。

本発明は種々の配線回路基板に有効に利用できる。

１ サスペンション基板
１０ 支持基板
１０Ａ 第１の領域
１０Ｂ 第２の領域
１１，５８ 開口部
１２ タング部
１９ 第１の開口部
２１〜２６，３１〜３６ 接続端子
４１ 第１の絶縁層
４１Ａ 第１の部分
４１Ｂ 第２の部分
４１Ｃ 凹部
４１Ｄ 開口
４２ 第２の絶縁層
５０ 接地層
５９ 第２の開口部
６０ 第３の絶縁層
９０ 支持プレート
９１ 前端領域
９２ 後端領域
９３ 中央領域
９４ 圧電素子実装領域
９４ｈ 貫通孔
９５，９６ 圧電素子
ｄ０１，ｄ０２ 寸法
ｄ１１ 幅
ｄ１２，ｄ１４ 厚み
ｄ１３ 間隔
Ｌ１０ 配線パターン
Ｌ１１，Ｌ１２ 線路
Ｐ１，Ｐ２ 電源用配線パターン
Ｒ１，Ｒ２ 読取用配線パターン
Ｗ１，Ｗ２ 書込用配線パターン

Claims (8)

1. 導電性材料により形成される支持基板と、
   前記支持基板上に形成され、第１の厚みを有する第１の部分と前記第１の厚みよりも小さい第２の厚みを有する第２の部分とを含む第１の絶縁層と、
   前記支持基板に電気的に接続されるように前記第１の絶縁層の前記第２の部分に形成され、前記支持基板よりも高い電気導電率を有する接地層と、
   前記接地層を覆うように前記第１の絶縁層上に形成される第２の絶縁層と、
   前記第１の絶縁層の前記第１および第２の部分に重なるように前記第２の絶縁層上に形成される上部配線パターンとを備え、
   前記支持基板には、前記第１の絶縁層の前記第１の部分に重なる第１の開口部が形成され、
   前記接地層には、前記第１の開口部に重なる第２の開口部が形成された、配線回路基板。
2. 前記上部配線パターンは第１の方向に延び、
   前記第１の絶縁層は、前記第１の部分を複数有するとともに、前記第２の部分を複数有し、
   前記複数の第１の部分と前記複数の第２の部分とは、前記第１の方向に交互に並ぶ、請求項１記載の配線回路基板。
3. 導電性材料により形成される支持基板と、
   前記支持基板上の第１の領域に形成されるとともに前記支持基板よりも高い電気伝導率を有する接地層と、
   前記支持基板上の第１の領域とは異なる第２の領域に形成される第１の絶縁層と、
   前記接地層および前記第１の絶縁層上に形成される第２の絶縁層と、
   前記支持基板の前記第１および第２の領域に重なるように前記第２の絶縁層上に形成される上部配線パターンとを備え、
   前記上部配線パターンは第１の方向に延び、
   前記支持基板は、前記第１の領域を複数有するとともに、前記第２の領域を複数有し、
   前記複数の第１の領域と前記複数の第２の領域とは、前記第１の方向に交互に並び、
   前記支持基板の前記第１の領域の少なくとも一部に第１の開口部が形成され、
   前記接地層には、前記第１の開口部に重なる第２の開口部が形成された、配線回路基板。
4. 前記第１の絶縁層上に形成される下部配線パターンをさらに備え、
   前記第２の絶縁層は、前記下部配線パターンを覆うように前記第１の絶縁層上に形成される、請求項１〜３のいずれか一項に記載の配線回路基板。
5. 前記支持基板はステンレスを含み、前記接地層は銅を含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の配線回路基板。
6. 前記上部配線パターンを覆うように前記第２の絶縁層上に形成される第３の絶縁層をさらに備える、請求項１〜５のいずれか一項に記載の配線回路基板。
7. 導電性材料により形成される支持基板上に第１の厚みを有する第１の部分と前記第１の厚みよりも小さい第２の厚みを有する第２の部分とを含む第１の絶縁層を形成するステップと、
   前記支持基板に電気的に接続されるように前記第１の絶縁層の前記第２の部分に前記支持基板よりも高い電気導電率を有する接地層を形成するステップと、
   前記接地層を覆うように前記第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成するステップと、
   前記第１の絶縁層の前記第１および第２の部分に重なるように前記第２の絶縁層上に上部配線パターンを形成するステップと、
   前記支持基板に、前記第１の絶縁層の前記第１の部分に重なる第１の開口部を形成するステップと、
   前記接地層に、前記第１の開口部に重なる第２の開口部を形成するステップとを含む、配線回路基板の製造方法。
8. 配線回路基板の製造方法であって、
   導電性材料により形成される支持基板上の複数の第１の領域に前記支持基板よりも高い電気伝導率を有する接地層を形成するステップと、
   前記支持基板上の前記複数の第１の領域とは異なる複数の第２の領域に第１の絶縁層を形成するステップと、
   前記接地層および前記第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成するステップと、
   前記支持基板の前記第１および第２の領域に重なるように前記第２の絶縁層上に第１の方向に延びる上部配線パターンを形成するステップとを含み、
   前記複数の第１の領域と前記複数の第２の領域とは、前記第１の方向に交互に並び、
   前記配線回路基板の製造方法は、
   前記支持基板の前記第１の領域の少なくとも一部に第１の開口部を形成するステップと、
   前記接地層に、前記第１の開口部に重なる第２の開口部を形成するステップとをさらに含む、配線回路基板の製造方法。
   

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