JP6807180B2 - 配線回路基板およびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、配線回路基板およびその製造方法に関する。

従来から、種々の電気機器または電子機器に配線回路基板が用いられている。特許文献１には、磁気ディスク装置において磁気ヘッドを位置決めするために用いられる配線回路基板として回路付サスペンション用基板が示される。

特許文献１の配線回路基板においては、導電性の支持基板上に絶縁性のベース層が形成される。ベース層上に導体パターンが形成される。無電解ニッケルめっきにより導体パターンの表面に金属皮膜が形成される。金属皮膜が形成された導体パターンを覆うようにカバー層が形成される。カバー層から露出するように導体回路パターンの端部に接続端子が形成される。

特開２０１２−２３５０１３号公報

上記の配線回路基板においては、導体パターンの表面に金属皮膜が形成されることにより、導体パターンとカバー層との密着性が向上される。それにより、導体パターンの腐食が防止される。しかしながら、特許文献１の配線回路基板では、高い周波数帯域における電気信号の伝送損失が高い。

本発明の目的は、導体パターンの腐食を防止しつつ高い周波数帯域においても電気信号の伝送損失が低減された配線回路基板およびその製造方法を提供することである。

本発明者は、種々の実験および検討を行なった結果、導体パターンのうち配線を構成する部分（以下、配線部と呼ぶ。）とその配線部を覆う絶縁層との間にニッケルの磁性以上の磁性を有する金属層が存在しないことにより、高い周波数帯域において電気信号の伝送損失を低減できることを見出し、下記の発明に想到した。

また、本発明者は、配線部とその配線部を覆う絶縁層との間にニッケルの磁性以上の磁性を有する金属層が存在する場合でも、配線部の全長に対するその金属層の長さの割合が４０％以下に設定されることにより、高い周波数帯域において電気信号の伝送損失を低減できることを見出し、下記の発明に想到した。

（１）第１の発明に係る配線回路基板は、第１の絶縁層と、第１の絶縁層上に形成され、端子部と端子部から延びる配線部とを有する導体パターンと、配線部と端子部とを覆うとともに端子部の表面上から配線部の表面上に連続して延びるように設けられる第１の金属被覆層と、第１の金属被覆層のうち配線部を覆う部分を覆うとともに第１の金属被覆層のうち端子部を覆う部分を覆わないように第１の絶縁層上に設けられる第２の絶縁層と、第１の金属被覆層のうち端子部を覆う部分を覆う第２の金属被覆層とを備え、第１の金属被覆層は、配線部に接触し、第２の絶縁層は、第１の金属被覆層のうち配線部を覆う部分に接触し、第１の金属被覆層は、ニッケルと同程度の磁気特性を有する強磁性体ではない。

その配線回路基板においては、配線部を覆うように第１の金属被覆層が設けられ、第１の金属被覆層のうち配線部を覆う部分を覆うように第２の絶縁層が設けられる。第１の金属被覆層は配線部に接触し、第２の絶縁層は第１の金属被覆層のうち配線部を覆う部分に接触する。この場合、配線部と第２の絶縁層との間には、ニッケルと同程度の磁気特性を有する強磁性体の層が存在しない。それにより、高い周波数帯域においても電気信号の伝送損失を低減することができる。

また、第２の絶縁層が第１の金属被覆層のうち配線部を覆う部分に接触することにより、第２の絶縁層と配線部との間の密着性が向上する。さらに、第１の金属被覆層は、端子部の表面上から配線部の表面上に連続して延びるように形成される。それにより、第１の金属被覆層の内部に第２の絶縁層の外部から空気、水または薬液等の流体が進入することが防止される。したがって、導体パターンにおける端子部と配線部との境界およびその近傍に腐食が発生することが防止される。
また、配線回路基板は、第１の金属被覆層のうち端子部を覆う部分を覆う第２の金属被覆層をさらに備える。この場合、導体パターンの端子部、第１の金属被覆層および第２の金属被覆層により接続端子を形成することができる。それにより、接続端子の表面状態を第２の金属被覆層により整えることができる。

（２）第２の発明に係る配線回路基板は、第１の絶縁層と、第１の絶縁層上に形成され、端子部と端子部から延びる配線部とを有する導体パターンと、配線部の一部と端子部とを覆うとともに端子部の表面上から配線部の表面上に連続して延びるように設けられる第１の金属被覆層と、第１の金属被覆層のうち配線部の一部を覆う部分と配線部のうち第１の金属被覆層により覆われない他の部分とを覆うとともに第１の金属被覆層のうち端子部を覆う部分を覆わないように第１の絶縁層上に設けられる第２の絶縁層と、第１の金属被覆層のうち端子部を覆う部分を覆う第２の金属被覆層とを備え、第１の金属被覆層は、配線部の一部に接触するとともに配線部の表面上で端子部と配線部との境界上の位置から３μｍ以上離れた位置まで延び、第２の絶縁層は、第１の金属被覆層のうち配線部を覆う部分に接触するとともに配線部の他の部分に接触し、第１の金属被覆層は、ニッケルと同程度の磁気特性を有する強磁性体ではない。

その配線回路基板においては、配線部の一部と端子部とを覆うように第１の金属被覆層が設けられ、第１の金属被覆層のうち配線部の一部を覆う部分と配線部のうち第１の金属被覆層により覆われない他の部分とを覆うように第２の絶縁層が設けられる。第１の金属被覆層は配線部の一部に接触し、第２の絶縁層は第１の金属被覆層のうち配線部を覆う部分に接触するとともに配線部の他の部分に接触する。この場合、配線部と第２の絶縁層との間には、ニッケルと同程度の磁気特性を有する強磁性体の層が存在しない。それにより、高い周波数帯域においても電気信号の伝送損失を低減することができる。

また、第２の絶縁層は第１の金属被覆層のうち配線部を覆う部分に接触し、第１の金属被覆層は配線部の表面上で端子部と配線部との境界上の位置から３μｍ以上離れた位置まで延びる。それにより、導体パターンにおける端子部と配線部との境界の近傍において、第２の絶縁層と配線部との間の密着性が向上する。さらに、第１の金属被覆層は、端子部の表面上から配線部の表面上に連続して延びるように形成される。それにより、第１の金属被覆層の内部に第２の絶縁層の外部から空気、水または薬液等の流体が進入することが防止される。したがって、導体パターンにおける端子部と配線部との境界およびその近傍に腐食が発生することが防止される。
また、配線回路基板は、第１の金属被覆層のうち端子部を覆う部分を覆う第２の金属被覆層をさらに備える。この場合、導体パターンの端子部、第１の金属被覆層および第２の金属被覆層により接続端子を形成することができる。それにより、接続端子の表面状態を第２の金属被覆層により整えることができる。

（３）第３の発明に係る配線回路基板は、第１の絶縁層と、第１の絶縁層上に形成され、端子部と端子部から延びる配線部とを有する導体パターンと、配線部の一部と端子部とを覆うとともに端子部の表面上から配線部の表面上に連続して延びるように設けられる第１の金属被覆層と、第１の金属被覆層のうち配線部の一部を覆う部分と配線部のうち第１の金属被覆層により覆われない他の部分とを覆うとともに第１の金属被覆層のうち端子部を覆う部分を覆わないように第１の絶縁層上に設けられる第２の絶縁層と、第１の金属被覆層のうち端子部を覆う部分を覆う第２の金属被覆層とを備え、第１の金属被覆層は、配線部の一部に接触するとともに配線部の表面上で端子部と配線部との境界上の位置から３μｍ以上離れた位置まで延び、第２の絶縁層は、第１の金属被覆層のうち配線部を覆う部分に接触するとともに配線部の他の部分に接触し、配線部の全長に対する配線部の一部を覆う第１の金属被覆層の長さの割合は４０％以下である。

その配線回路基板においては、配線部の一部と端子部とを覆うように第１の金属被覆層が設けられ、第１の金属被覆層のうち配線部の一部を覆う部分と配線部のうち第１の金属被覆層により覆われない他の部分とを覆うように第２の絶縁層が設けられる。第１の金属被覆層は配線部の一部に接触し、第２の絶縁層は第１の金属被覆層のうち配線部を覆う部分に接触するとともに配線部の他の部分に接触する。

ここで、配線部の全長に対する配線部の一部を覆う第１の金属被覆層の長さの割合は４０％以下である。この場合、配線部の全長に対して６０％以上の長さの範囲において、配線部と第２の絶縁層との間には、ニッケルと同程度の磁気特性を有する強磁性体の層が存在しない。それにより、高い周波数帯域においても電気信号の伝送損失を低減することができる。

また、第２の絶縁層は第１の金属被覆層のうち配線部を覆う部分に接触し、第１の金属被覆層は配線部の表面上で端子部と配線部との境界上の位置から３μｍ以上離れた位置まで延びる。それにより、導体パターンにおける端子部と配線部との境界の近傍において、第２の絶縁層と配線部との間の密着性が向上する。さらに、第１の金属被覆層は、端子部の表面上から配線部の表面上に連続して延びるように形成される。それにより、第１の金属被覆層の内部に第２の絶縁層の外部から空気、水または薬液等の流体が進入することが防止される。したがって、導体パターンにおける端子部と配線部との境界およびその近傍に腐食が発生することが防止される。
また、配線回路基板は、第１の金属被覆層のうち端子部を覆う部分を覆う第２の金属被覆層をさらに備える。この場合、導体パターンの端子部、第１の金属被覆層および第２の金属被覆層により接続端子を形成することができる。それにより、接続端子の表面状態を第２の金属被覆層により整えることができる。

（４）第１の金属被覆層は、配線部の表面上で端子部と配線部との境界上の位置から５μｍ以上離れた位置まで延びてもよい。

この場合、導体パターンにおける端子部と配線部との境界の近傍において、第２の絶縁層と配線部との間の密着性がより向上する。

（５）第１の金属被覆層は、金、銀、クロム、錫および白金のうち少なくとも１種類の金属を含んでもよい。

この場合、配線回路基板の用途に応じて、第１の金属被覆層としてより適切な金属を使用することができる。

（６）第１の金属被覆層は、ニッケル、金、銀、クロム、錫および白金のうち少なくとも１種類の金属を含んでもよい。

この場合、配線回路基板の用途に応じて、第１の金属被覆層としてより適切な金属を使用することができる。

（７）第１の金属被覆層の少なくとも一部は、互いに積層された第１および第２の金属層により構成されてもよい。

この場合、配線回路基板における第１の金属被覆層の構成の自由度が向上する。

（８）第４の発明に係る配線回路基板は、第１の絶縁層と、第１の絶縁層上に形成され、端子部と端子部から延びる配線部とを有する導体パターンと、配線部と端子部とを覆うとともに端子部の表面上から配線部の表面上に連続して延びるように設けられる金属被覆層と、金属被覆層のうち配線部を覆う部分を覆うとともに金属被覆層のうち端子部を覆う部分を覆わないように第１の絶縁層上に設けられる第２の絶縁層と、金属被覆層のうち端子部を覆う部分を覆う端子バリア層と、端子バリア層を覆う端子表面層とを備え、金属被覆層は、配線部に接触し、第２の絶縁層は、金属被覆層のうち配線部を覆う部分に接触し、金属被覆層は、ニッケルと同程度の磁気特性を有する強磁性体ではなく、導体パターンは、銅を含み、端子表面層は、金を含み、端子バリア層は、ニッケルまたはパラジウムを含む。

この場合、導体パターンから端子表面層への銅の成分の拡散が端子バリア層により抑制される。それにより、端子表面層の金に銅の成分が拡散することによる端子表面層の耐食性および濡れ性の低下が抑制される。
（９）第５の発明に係る配線回路基板は、第１の絶縁層と、第１の絶縁層上に形成され、端子部と端子部から延びる配線部とを有する導体パターンと、配線部の一部と端子部とを覆うとともに端子部の表面上から配線部の表面上に連続して延びるように設けられる金属被覆層と、金属被覆層のうち配線部の一部を覆う部分と配線部のうち金属被覆層により覆われない他の部分とを覆うとともに金属被覆層のうち端子部を覆う部分を覆わないように第１の絶縁層上に設けられる第２の絶縁層と、金属被覆層のうち端子部を覆う部分を覆う端子バリア層と、端子バリア層を覆う端子表面層とを備え、金属被覆層は、配線部の一部に接触するとともに配線部の表面上で端子部と配線部との境界上の位置から３μｍ以上離れた位置まで延び、第２の絶縁層は、金属被覆層のうち配線部を覆う部分に接触するとともに配線部の他の部分に接触し、金属被覆層は、ニッケルと同程度の磁気特性を有する強磁性体ではなく、導体パターンは、銅を含み、端子表面層は、金を含み、端子バリア層は、ニッケルまたはパラジウムを含む。
（１０）第６の発明に係る配線回路基板は、第１の絶縁層と、第１の絶縁層上に形成され、端子部と端子部から延びる配線部とを有する導体パターンと、配線部の一部と端子部とを覆うとともに端子部の表面上から配線部の表面上に連続して延びるように設けられる金属被覆層と、金属被覆層のうち配線部の一部を覆う部分と配線部のうち金属被覆層により覆われない他の部分とを覆うとともに金属被覆層のうち端子部を覆う部分を覆わないように第１の絶縁層上に設けられる第２の絶縁層と、金属被覆層のうち端子部を覆う部分を覆う端子バリア層と、端子バリア層を覆う端子表面層とを備え、金属被覆層は、配線部の一部に接触するとともに配線部の表面上で端子部と配線部との境界上の位置から３μｍ以上離れた位置まで延び、第２の絶縁層は、金属被覆層のうち配線部を覆う部分に接触するとともに配線部の他の部分に接触し、配線部の全長に対する配線部の一部を覆う金属被覆層の長さの割合は４０％以下であり、導体パターンは、銅を含み、端子表面層は、金を含み、端子バリア層は、ニッケルまたはパラジウムを含む。

（１１）第７の発明に係る配線回路基板は、第１の絶縁層と、第１の絶縁層上に形成され、端子部と端子部から延びる配線部とを有する導体パターンと、配線部の一部と端子部とを覆うとともに端子部の表面上から配線部の表面上に連続して延びるように設けられる金属被覆層と、金属被覆層のうち配線部の一部を覆う部分と配線部のうち金属被覆層により覆われない他の部分とを覆うとともに金属被覆層のうち端子部を覆う部分を覆わないように第１の絶縁層上に設けられる第２の絶縁層と、金属被覆層のうち端子部を覆う部分を覆うとともに金属被覆層のうち配線部を覆う部分を覆わないようにかつ導体パターンに接触しないように形成された端子表面層とを備え、金属被覆層は、配線部の一部に接触するとともに配線部の表面上で端子部と配線部との境界上の位置から３μｍ以上離れた位置まで延び、第２の絶縁層は、金属被覆層のうち配線部を覆う部分に接触するとともに配線部の他の部分に接触し、配線部の全長に対する配線部の一部を覆う金属被覆層の長さの割合は４０％以下であり、導体パターンは、銅を含み、端子表面層は、金を含み、金属被覆層は、ニッケルを含む。

この場合、導体パターンから端子表面層への銅の成分の拡散が金属被覆層により抑制される。それにより、端子表面層の金に銅の成分が拡散することによる端子表面層の耐食性および濡れ性の低下が抑制される。

（１２）配線回路基板は、第２の絶縁層上に形成される上部導体パターンをさらに備え、上部導体パターンの少なくとも一部は、導体パターンに重なってもよい。これにより、導体パターンと上部導体パターンの少なくとも一部とが上下に積層されるので、配線回路基板の小型化が実現されるとともに、配線回路基板の設計の自由度が向上する。

（１３）配線回路基板は、第２の絶縁層上に形成され、上部端子部と上部端子部から延びる上部配線部とを有する上部導体パターンと、上部配線部の一部と上部端子部とを覆うとともに上部端子部の表面上から上部配線部の表面上に連続して延びるように設けられる上部金属被覆層と、上部金属被覆層のうち上部配線部の一部を覆う部分と上部配線部のうち上部金属被覆層により覆われない他の部分とを覆うとともに上部金属被覆層のうち上部端子部を覆う部分を覆わないように第２の絶縁層上に設けられる第３の絶縁層とをさらに備え、上部導体パターンの少なくとも一部は、導体パターンに重なり、上部金属被覆層は、上部配線部の一部に接触するとともに上部配線部の表面上で上部端子部と上部配線部との境界上の位置から３μｍ以上離れた位置まで延び、第３の絶縁層は、上部金属被覆層のうち上部配線部を覆う部分に接触するとともに上部配線部の他の部分に接触し、上部配線部の全長に対する上部配線部の一部を覆う上部金属被覆層の長さの割合は４０％以下であってもよい。

この場合、上部配線部の全長に対して６０％以上の長さの範囲において、上部配線部と第３の絶縁層との間には、ニッケルと同程度の磁気特性を有する強磁性体の層が存在しない。それにより、導体パターンおよび上部導体パターンに関して、高い周波数帯域においても電気信号の伝送損失を低減することができる。

また、第３の絶縁層は上部金属被覆層のうち上部配線部を覆う部分に接触している。上部金属被覆層は、上部端子部の表面上から上部配線部の表面上に連続して延びるとともに、上部配線部の表面上で上部端子部と上部配線部との境界上の位置から３μｍ以上離れた位置まで延びている。それにより、上部導体パターンにおける上部端子部と上部配線部との境界およびその近傍に腐食が発生することが防止される。

さらに、導体パターンと上部導体パターンの少なくとも一部とが上下に積層されるので、配線回路基板の小型化が実現されるとともに、配線回路基板の設計の自由度が向上する。

（１４）配線回路基板は、第２の絶縁層上に形成され、上部端子部と上部端子部から延びる上部配線部とを有する上部導体パターンと、上部配線部と上部端子部とを覆うとともに上部端子部の表面上から上部配線部の表面上に連続して延びるように設けられる上部金属被覆層と、上部金属被覆層のうち上部配線部を覆う部分を覆うとともに上部金属被覆層のうち上部端子部を覆う部分を覆わないように第２の絶縁層上に設けられる第３の絶縁層とをさらに備え、上部導体パターンの少なくとも一部は、導体パターンに重なり、上部金属被覆層は、上部配線部に接触し、第３の絶縁層は、上部金属被覆層のうち上部配線部を覆う部分に接触し、上部金属被覆層は、ニッケルと同程度の磁気特性を有する強磁性体ではなくてもよい。

この場合、上部配線部と第３の絶縁層との間には、ニッケルと同程度の磁気特性を有する強磁性体の層が存在しない。それにより、高い周波数帯域においても電気信号の伝送損失を低減することができる。

また、第３の絶縁層が上部金属被覆層のうち上部配線部を覆う部分に接触し、上部金属被覆層は上部端子部の表面上から上部配線部の表面上に連続して延びる。それにより、上部導体パターンにおける上部端子部と上部配線部との境界およびその近傍に腐食が発生することが防止される。

さらに、導体パターンと上部導体パターンの少なくとも一部とが上下に積層されるので、配線回路基板の小型化が実現されるとともに、配線回路基板の設計の自由度が向上する。

（１５）配線回路基板は、第２の絶縁層上に形成され、上部端子部と上部端子部から延びる上部配線部とを有する上部導体パターンと、上部配線部の一部と上部端子部とを覆うとともに上部端子部の表面上から上部配線部の表面上に連続して延びるように設けられる上部金属被覆層と、上部金属被覆層のうち上部配線部の一部を覆う部分と上部配線部のうち上部金属被覆層により覆われない他の部分とを覆うとともに上部金属被覆層のうち上部端子部を覆う部分を覆わないように第２の絶縁層上に設けられる第３の絶縁層とをさらに備え、上部導体パターンの少なくとも一部は、導体パターンに重なり、上部金属被覆層は、上部配線部の一部に接触するとともに上部配線部の表面上で上部端子部と上部配線部との境界上の位置から３μｍ以上離れた位置まで延び、第３の絶縁層は、上部金属被覆層のうち上部配線部を覆う部分に接触するとともに上部配線部の他の部分に接触し、上部金属被覆層は、ニッケルと同程度の磁気特性を有する強磁性体ではなくてもよい。

この場合、上部配線部と第３の絶縁層との間には、ニッケルと同程度の磁気特性を有する層が存在しない。それにより、高い周波数帯域においても電気信号の伝送損失を低減することができる。

また、第３の絶縁層は上部金属被覆層のうち上部配線部を覆う部分に接触している。上部金属被覆層は、上部端子部の表面上から上部配線部の表面上に連続して延びるとともに、上部配線部の表面上で上部端子部と上部配線部との境界上の位置から３μｍ以上離れた位置まで延びている。それにより、上部導体パターンにおける上部端子部と上部配線部との境界およびその近傍に腐食が発生することが防止される。

さらに、導体パターンと上部導体パターンの少なくとも一部とが上下に積層されるので、配線回路基板の小型化が実現されるとともに、配線回路基板の設計の自由度が向上する。

（１６）配線回路基板は、下部絶縁層と、下部絶縁層上に形成された下部導体パターンとをさらに備え、第１の絶縁層は、下部導体パターンの少なくとも一部を覆うように下部絶縁層上に形成され、導体パターンの少なくとも一部は、下部導体パターンに重なってもよい。これにより、導体パターンと下部導体パターンの少なくとも一部とが上下に積層されるので、配線回路基板の小型化が実現されるとともに、配線回路基板の設計の自由度が向上する。

（１７）第８の発明に係る配線回路基板の製造方法は、端子部と端子部から延びる配線部とを有する導体パターンを第１の絶縁層上に形成する工程と、配線部と端子部とを覆うとともに端子部の表面上から配線部の表面上に連続して延びるようにかつ配線部に接触するように、ニッケルと同程度の磁気特性を有する強磁性体ではない金属を用いて第１の金属被覆層を形成する工程と、第１の金属被覆層のうち配線部を覆う部分を覆うとともに第１の金属被覆層のうち端子部を覆う部分を覆わないようにかつ第１の金属被覆層のうち配線部を覆う部分に接触するように第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成する工程と、第１の金属被覆層のうち端子部を覆うように第２の金属被覆層を形成する工程とを含む。

その配線回路基板の製造方法においては、配線部を覆うように金属被覆層が設けられ、金属被覆層のうち配線部を覆う部分を覆うように第２の絶縁層が設けられる。金属被覆層は配線部に接触し、第２の絶縁層は金属被覆層のうち配線部を覆う部分に接触する。この場合、配線部と第２の絶縁層との間には、ニッケルと同程度の磁気特性を有する強磁性体の層が存在しない。それにより、高い周波数帯域においても電気信号の伝送損失を低減することができる。

また、第２の絶縁層が金属被覆層のうち配線部を覆う部分に接触することにより、第２の絶縁層と配線部との間の密着性が向上する。さらに、金属被覆層は、端子部の表面上から配線部の表面上に連続して延びるように形成される。それにより、金属被覆層の内部に第２の絶縁層の外部から空気、水または薬液等の流体が進入することが防止される。したがって、導体パターンにおける端子部と配線部との境界およびその近傍に腐食が発生することが防止される。

（１８）第９の発明に係る配線回路基板の製造方法は、端子部と端子部から延びる配線部とを有する導体パターンを第１の絶縁層上に形成する工程と、配線部の一部と端子部とを覆うとともに端子部の表面上から配線部の表面上に連続して延びるようにかつ配線部の一部に接触するように、ニッケルと同程度の磁気特性を有する強磁性体ではない金属を用いて第１の金属被覆層を形成する工程と、第１の金属被覆層のうち配線部の一部を覆う部分と配線部のうち第１の金属被覆層により覆われない他の部分とを覆うとともに第１の金属被覆層のうち端子部を覆う部分を覆わないようにかつ第１の金属被覆層のうち配線部を覆う部分に接触するとともに配線部の他の部分に接触するように第２の絶縁層を第１の絶縁層上に形成する工程と、第１の金属被覆層のうち端子部を覆うように第２の金属被覆層を形成する工程とを含み、第１の金属被覆層を形成する工程において、第１の金属被覆層は、配線部の表面上で端子部と配線部との境界上の位置から３μｍ以上離れた位置まで延びるように形成される。

その配線回路基板の製造方法においては、配線部の一部と端子部とを覆うように金属被覆層が設けられ、金属被覆層のうち配線部の一部を覆う部分と配線部のうち金属被覆層により覆われない他の部分とを覆うように第２の絶縁層が設けられる。金属被覆層は配線部の一部に接触し、第２の絶縁層は金属被覆層のうち配線部を覆う部分に接触するとともに配線部の他の部分に接触する。この場合、配線部と第２の絶縁層との間には、ニッケルと同程度の磁気特性を有する強磁性体の層が存在しない。それにより、高い周波数帯域においても電気信号の伝送損失を低減することができる。

また、第２の絶縁層は金属被覆層のうち配線部を覆う部分に接触し、金属被覆層は配線部の表面上で端子部と配線部との境界上の位置から３μｍ以上離れた位置まで延びる。それにより、導体パターンにおける端子部と配線部との境界の近傍において、第２の絶縁層と配線部との間の密着性が向上する。さらに、金属被覆層は、端子部の表面上から配線部の表面上に連続して延びるように形成される。それにより、金属被覆層の内部に第２の絶縁層の外部から空気、水または薬液等の流体が進入することが防止される。したがって、導体パターンにおける端子部と配線部との境界およびその近傍に腐食が発生することが防止される。

（１９）第１０の発明に係る配線回路基板の製造方法は、端子部と端子部から延びる配線部とを有する導体パターンを第１の絶縁層上に形成する工程と、配線部の一部と端子部とを覆うとともに端子部の表面上から配線部の表面上に連続して延びるようにかつ配線部の一部に接触するように第１の金属被覆層を形成する工程と、第１の金属被覆層のうち配線部の一部を覆う部分と配線部のうち第１の金属被覆層により覆われない他の部分とを覆うとともに第１の金属被覆層のうち端子部を覆う部分を覆わないようにかつ第１の金属被覆層のうち配線部を覆う部分に接触するとともに配線部のうち他の部分に接触するように第２の絶縁層を第１の絶縁層上に形成する工程と、第１の金属被覆層のうち端子部を覆うように第２の金属被覆層を形成する工程とを含み、第１の金属被覆層を形成する工程において、第１の金属被覆層は、配線部の表面上で端子部と配線部との境界上の位置から３μｍ以上離れた位置まで延びるように形成され、配線部の全長に対する配線部の一部を覆う第１の金属被覆層の長さの割合は４０％以下に設定される。

その配線回路基板の製造方法においては、配線部の一部と端子部とを覆うように金属被覆層が設けられ、金属被覆層のうち配線部の一部を覆う部分と配線部のうち金属被覆層により覆われない他の部分とを覆うように第２の絶縁層が設けられる。金属被覆層は配線部の一部に接触し、第２の絶縁層は金属被覆層のうち配線部を覆う部分に接触するとともに配線部の他の部分に接触する。

ここで、配線部の全長に対する配線部の一部を覆う金属被覆層の長さの割合は４０％以下である。この場合、配線部の全長に対して６０％以上の長さにおいて、配線部と第２の絶縁層との間には、ニッケルと同程度の磁気特性を有する強磁性体の層が存在しない。それにより、高い周波数帯域においても電気信号の伝送損失を低減することができる。

また、第２の絶縁層は金属被覆層のうち配線部を覆う部分に接触し、金属被覆層は配線部の表面上で端子部と配線部との境界上の位置から３μｍ以上離れた位置まで延びる。それにより、導体パターンにおける端子部と配線部との境界の近傍において、第２の絶縁層と配線部との間の密着性が向上する。さらに、金属被覆層は、端子部の表面上から配線部の表面上に連続して延びるように形成される。それにより、金属被覆層の内部に第２の絶縁層の外部から空気、水または薬液等の流体が進入することが防止される。したがって、導体パターンにおける端子部と配線部との境界およびその近傍に腐食が発生することが防止される。
（２０）第１１の発明に係る配線回路基板の製造方法は、端子部と端子部から延びる配線部とを有する導体パターンを第１の絶縁層上に形成する工程と、配線部と端子部とを覆うとともに端子部の表面上から配線部の表面上に連続して延びるようにかつ配線部に接触するように、ニッケルと同程度の磁気特性を有する強磁性体ではない金属を用いて金属被覆層を形成する工程と、金属被覆層のうち配線部を覆う部分を覆うとともに金属被覆層のうち端子部を覆う部分を覆わないようにかつ金属被覆層のうち配線部を覆う部分に接触するように第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成する工程と、金属被覆層のうち端子部を覆う部分を覆う端子バリア層を形成する工程と、端子バリア層を覆う端子表面層を形成する工程とを含み、導体パターンは、銅を含み、端子表面層は、金を含み、端子バリア層は、ニッケルまたはパラジウムを含む。
（２１）第１２の発明に係る配線回路基板の製造方法は、端子部と端子部から延びる配線部とを有する導体パターンを第１の絶縁層上に形成する工程と、配線部の一部と端子部とを覆うとともに端子部の表面上から配線部の表面上に連続して延びるようにかつ配線部の一部に接触するように、ニッケルと同程度の磁気特性を有する強磁性体ではない金属を用いて金属被覆層を形成する工程と、金属被覆層のうち配線部の一部を覆う部分と配線部のうち金属被覆層により覆われない他の部分とを覆うとともに金属被覆層のうち端子部を覆う部分を覆わないようにかつ金属被覆層のうち配線部を覆う部分に接触するとともに配線部の他の部分に接触するように第２の絶縁層を第１の絶縁層上に形成する工程と、金属被覆層のうち端子部を覆う部分を覆う端子バリア層を形成する工程と、端子バリア層を覆う端子表面層を形成する工程とを含み、金属被覆層を形成する工程において、金属被覆層は、配線部の表面上で端子部と配線部との境界上の位置から３μｍ以上離れた位置まで延びるように形成され、導体パターンは、銅を含み、端子表面層は、金を含み、端子バリア層は、ニッケルまたはパラジウムを含む。
（２２）第１３の発明に係る配線回路基板の製造方法は、端子部と端子部から延びる配線部とを有する導体パターンを第１の絶縁層上に形成する工程と、配線部の一部と端子部とを覆うとともに端子部の表面上から配線部の表面上に連続して延びるようにかつ配線部の一部に接触するように金属被覆層を形成する工程と、金属被覆層のうち配線部の一部を覆う部分と配線部のうち金属被覆層により覆われない他の部分とを覆うとともに金属被覆層のうち端子部を覆う部分を覆わないようにかつ金属被覆層のうち配線部を覆う部分に接触するとともに配線部のうち他の部分に接触するように第２の絶縁層を第１の絶縁層上に形成する工程と、金属被覆層のうち端子部を覆う部分を覆う端子バリア層を形成する工程と、端子バリア層を覆う端子表面層を形成する工程とを含み、金属被覆層を形成する工程において、金属被覆層は、配線部の表面上で端子部と配線部との境界上の位置から３μｍ以上離れた位置まで延びるように形成され、配線部の全長に対する配線部の一部を覆う金属被覆層の長さの割合は４０％以下に設定され、導体パターンは、銅を含み、端子表面層は、金を含み、端子バリア層は、ニッケルまたはパラジウムを含む。
（２３）第１４の発明に係る配線回路基板の製造方法は、端子部と端子部から延びる配線部とを有する導体パターンを第１の絶縁層上に形成する工程と、配線部の一部と端子部とを覆うとともに端子部の表面上から配線部の表面上に連続して延びるようにかつ配線部の一部に接触するように金属被覆層を形成する工程と、金属被覆層のうち配線部の一部を覆う部分と配線部のうち金属被覆層により覆われない他の部分とを覆うとともに金属被覆層のうち端子部を覆う部分を覆わないようにかつ金属被覆層のうち配線部を覆う部分に接触するとともに配線部のうち他の部分に接触するように第２の絶縁層を第１の絶縁層上に形成する工程と、金属被覆層のうち端子部を覆う部分を覆うとともに金属被覆層のうち配線部を覆う部分を覆わないようにかつ導体パターンに接触しないように端子表面層を形成する工程とを含み、金属被覆層を形成する工程において、金属被覆層は、配線部の表面上で端子部と配線部との境界上の位置から３μｍ以上離れた位置まで延びるように形成され、配線部の全長に対する配線部の一部を覆う金属被覆層の長さの割合は４０％以下に設定され、導体パターンは、銅を含み、端子表面層は、金を含み、金属被覆層は、ニッケルを含む。

本発明によれば、導体パターンの腐食を防止しつつ高い周波数帯域においても電気信号の損失が低減された配線回路基板が実現される。

第１の実施の形態に係るサスペンション基板の平面図である。 接続端子およびその周辺部分の平面図である。 接続端子およびその周辺部分の平面図である。 接続端子およびその周辺部分の平面図である。 接続端子およびその周辺部分の断面図である。 図１のサスペンション基板の製造工程を示す模式的工程図である。 図１のサスペンション基板の製造工程を示す模式的工程図である。 図１のサスペンション基板の製造工程を示す模式的工程図である。 図１のサスペンション基板の製造工程を示す模式的工程図である。 第２の実施の形態に係るサスペンション基板の一部を示す平面図および断面図である。 第３の実施の形態に係るサスペンション基板の一部を示す平面図および断面図である。 第４の実施の形態に係るサスペンション基板の一部を示す平面図および断面図である。 第４の実施の形態に係るサスペンション基板の他の例を示す平面図である。 第５の実施の形態に係るサスペンション基板の一部を示す平面図および断面図である。 第１の実施の形態に係るサスペンション基板における接続端子の他の構成例を示す平面図および断面図である。 第２の実施の形態に係るサスペンション基板における接続端子の他の構成例を示す平面図および断面図である。 第５の実施の形態に係るサスペンション基板における接続端子の他の構成例を示す平面図および断面図である。 第４の実施の形態に係るサスペンション基板における接続端子の他の構成例を示す平面図および断面図である。 第４の実施の形態に係るサスペンション基板における接続端子のさらに他の構成例を示す平面図および断面図である。 第５の実施の形態に係るサスペンション基板における接続端子のさらに他の構成例を示す平面図および断面図である。 他の実施の形態に係るサスペンション基板の平面図である。 図２１のサスペンション基板の接続端子およびその周辺部分の平面図である。 図２１のサスペンション基板の接続端子およびその周辺部分の断面図である。 図２１のサスペンション基板の製造工程を示す模式的工程図である。 図２１のサスペンション基板の製造工程を示す模式的工程図である。 図２１のサスペンション基板の製造工程を示す模式的工程図である。 図２１のサスペンション基板の製造工程を示す模式的工程図である。 図２１のサスペンション基板の製造工程を示す模式的工程図である。 図２１のサスペンション基板においてベース絶縁層の一部に開口部が形成された例を示す図である。 図２１のサスペンション基板においてベース絶縁層の一部に開口部が形成された例を示す図である。 図３０のサスペンション基板において露出するシード層の部分が除去された状態を示す図である。 上下に積層された２つの導体パターンおよびそれらに対応する２つの接続端子の第１の構成例を示す断面図である。 上下に積層された２つの導体パターンおよびそれらに対応する２つの接続端子の第２の構成例を示す断面図である。 上下に積層された２つの導体パターンおよびそれらに対応する２つの接続端子の第３の構成例を示す断面図である。 上下に積層された２つの導体パターンおよびそれらに対応する２つの接続端子の第４の構成例を示す断面図である。 上下に積層された２つの導体パターンおよびそれらに対応する２つの接続端子の第５の構成例を示す断面図である。 上下に積層された２つの導体パターンおよびそれらに対応する２つの接続端子の第６の構成例を示す断面図である。 比較例２のサスペンション基板の一部を示す平面図および断面図である。 実施例１０，１１，１２および比較例２についてのパラメータＳＤＤ２１の測定結果を示す図である。

以下、本発明の実施の形態に係る配線回路基板およびその製造方法について図面を参照しながら説明する。本発明の実施の形態に係る配線回路基板として、ハードディスクドライブ装置のアクチュエータに用いられる回路付サスペンション基板（以下、サスペンション基板と略記する）について説明する。

［１］第１の実施の形態
（１）サスペンション基板の構造
図１は、第１の実施の形態に係るサスペンション基板の平面図である。図１において、矢印が向かう方向を前方と呼び、その逆方向を後方と呼ぶ。図１に示すように、サスペンション基板１は、金属製の長尺状の支持基板１０（図５参照）により形成されるサスペンション本体部１００を備える。図１においては、サスペンション本体部１００は、略前後方向に延びている。

サスペンション基板１は、長尺状の支持プレート５０により支持される。サスペンション本体部１００の上面には、点線で示すように、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２および電源用配線パターンＰ１，Ｐ２が形成されている。

サスペンション本体部１００の先端部には、Ｕ字状の開口部１１を形成することにより磁気ヘッド搭載部（以下、タング部と呼ぶ）１２が設けられている。タング部１２は、サスペンション本体部１００に対して所定の角度をなすように破線Ｒの箇所で折り曲げ加工される。

サスペンション本体部１００の一端部におけるタング部１２の上面には４つの接続端子２１，２２，２３，２４が形成されている。また、サスペンション本体部１００が延びる方向における中央部近傍の両側部には、２つの接続端子２５，２６がそれぞれ形成されている。タング部１２の上面に磁気ヘッドを有するヘッドスライダ（図示せず）が実装される。タング部１２の接続端子２１〜２４にヘッドスライダの磁気ヘッドの端子が接続される。接続端子２５，２６は、支持プレート５０に設けられた２つの圧電素子９１，９２にそれぞれ接続される。

サスペンション本体部１００の他端部の上面には６つの接続端子３１，３２，３３，３４，３５，３６が形成されている。接続端子３１〜３４には、プリアンプ等の電子回路が接続される。接続端子３５，３６には圧電素子９１，９２用の電源回路が接続される。接続端子２１〜２６と接続端子３１〜３６とは、それぞれ書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２および電源用配線パターンＰ１，Ｐ２により電気的に接続されている。また、サスペンション本体部１００には複数の孔部Ｈが形成されている。

支持プレート５０は、前端領域５１、後端領域５２および中央領域５３を有する。後端領域５２は矩形状を有する。前端領域５１は台形状を有し、その幅は後方から前方に向かって漸次減少する。中央領域５３は前後方向に延びる矩形状を有し、前端領域５１と後端領域５２との間に配置される。サスペンション基板１が支持プレート５０の上面に支持された状態において、接続端子３１〜３６を含むサスペンション基板１の端部は、後端領域５２から後方に突出する。

中央領域５３の一部分には、圧電素子実装領域５４が設けられる。圧電素子実装領域５４は、サスペンション基板１の接続端子２５，２６と重なる。圧電素子実装領域５４の両側部は、外方に湾曲するように突出する。また、圧電素子実装領域５４には、幅方向（前後方向に直交する方向）に延びる貫通孔５４ｈが形成される。この構成によれば、支持プレート５０の圧電素子実装領域５４の部分は、前後方向に伸縮性を有する。

貫通孔５４ｈをまたぐように圧電素子実装領域５４の下面に圧電素子９１，９２が実装される。圧電素子９１，９２は、サスペンション基板１の両側方にそれぞれ位置する。圧電素子９１，９２は、貫通孔５４ｈを通してサスペンション基板１の接続端子２５，２６にそれぞれ接続される。

接続端子２５，３５および電源用配線パターンＰ１を介して圧電素子９１に電圧が印加され、接続端子２６，３６および電源用配線パターンＰ２を介して圧電素子９２に電圧が印加される。これにより、圧電素子９１，９２の伸縮に伴って、支持プレート５０が前後方向に伸縮する。圧電素子９１，９２に印加される電圧を制御することにより、サスペンション基板１上のヘッドスライダの磁気ヘッドの微小な位置合わせが可能になる。

支持プレート５０に支持されたサスペンション基板１はハードディスク装置に設けられる。磁気ディスクへの情報の書込み時に一対の書込用配線パターンＷ１，Ｗ２に電流が流れる。書込用配線パターンＷ１と書込用配線パターンＷ２とは、差動の書込み信号を伝送する差動信号線路対を構成する。また、磁気ディスクからの情報の読取り時に一対の読取用配線パターンＲ１，Ｒ２に電流が流れる。読取用配線パターンＲ１と読取用配線パターンＲ２とは、差動の読取り信号を伝送する差動信号線路対を構成する。

（２）接続端子およびその周辺部分の構成
次に、サスペンション基板１の接続端子２１〜２６，３１〜３６およびその周辺部分について詳細に説明する。図２〜図４は、接続端子２１〜２６，３１〜３６およびその周辺部分の平面図である。図５は、接続端子２１〜２６，３１〜３６およびその周辺部分の断面図である。図２（ａ）〜（ｃ）の縮尺は互いに異なり、図３（ａ）〜（ｃ）の縮尺は互いに異なり、図４（ａ）〜（ｃ）の縮尺は互いに異なり、図５（ａ）〜（ｃ）の縮尺は互いに異なる。

図２（ａ）、図３（ａ）および図４（ａ）は図１の接続端子２１〜２４およびその周辺部分を示し、図２（ｂ）、図３（ｂ）および図４（ｂ）は図１の接続端子２５およびその周辺部分を示し、図２（ｃ）、図３（ｃ）および図４（ｃ）は図１の接続端子３１，３２およびその周辺部分を示す。図２（ａ）〜（ｃ）においては、金属被覆層１５（図５参照）およびカバー絶縁層４３（図５参照）の図示が省略されている。図３（ａ）〜（ｃ）においては、カバー絶縁層４３（図５参照）の図示が省略されている。接続端子２６は接続端子２５と同様の構成を有し、接続端子３３〜３６は接続端子３１，３２と同様の構成を有する。

図５（ａ）〜（ｃ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ線拡大断面図、図２（ｂ）のＢ−Ｂ線拡大断面図および図２（ｃ）のＣ−Ｃ線拡大断面図をそれぞれ示す。図２（ａ）〜（ｃ）、図３（ａ）〜（ｃ）および図４（ａ）〜（ｃ）の平面図には、構成の理解を容易にするために、図５（ａ）〜（ｃ）の断面図の各部材に付されたハッチングまたはドットパターンと同一のハッチングまたはドットパターンが付されている。後述する図６〜図１２、図１４および図３８等についても同様である。

図５（ａ）〜（ｃ）に示すように、例えばステンレス鋼からなる金属製の支持基板１０上に例えばポリイミドからなるベース絶縁層４１が形成される。図２（ａ）〜（ｃ）に示すように、ベース絶縁層４１上に、例えば銅からなる複数（本例では６つ）の導体パターン６１が形成される。各導体パターン６１は、２つの端子部６１ａと１本の配線部６１ｂとを含む。配線部６１ｂは、２つの端子部６１ａをつなぐようにかつ各端子部６１ａから延びるように形成される。６つの導体パターン６１の配線部６１ｂにより、上記の書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２および電源用配線パターンＰ１，Ｐ２がそれぞれ構成される。なお、各導体パターン６１とベース絶縁層４１との間には図示しないシード層が形成されている。

図５（ａ）〜（ｃ）に示すように、各導体パターン６１の全体を覆うように金属被覆層１５が形成される。具体的には、各導体パターン６１の端子部６１ａおよび配線部６１ｂを覆うとともに端子部６１ａの表面上から配線部６１ｂの表面上に連続して延びるように金属被覆層１５が形成される。本実施の形態においては、金属被覆層１５は、主としてニッケルの磁性よりも低い磁性を有する金属（例えば非磁性体の金属）からなり、ニッケルの磁性よりも低い磁性を有する。具体的には、金属被覆層１５は例えば金からなる。

複数の導体パターン６１の２つの端子部６１ａにそれぞれ金属被覆層１５が形成されることにより、図３（ａ）に示すように、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２の一端部に、それぞれ接続端子２１〜２４が形成される。図３（ｂ）に示すように、電源用配線パターンＰ１の一端部に、接続端子２５が形成される。同様に、電源用配線パターンＰ２（図１）の一端部に、接続端子２６（図１）が形成される。図３（ｃ）に示すように、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の他端部に、それぞれ接続端子３１，３２が形成される。同様に、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２（図１）および電源用配線パターンＰ１，Ｐ２（図１）の他端部に、接続端子３３〜３６（図１）が形成される。

図４（ａ）〜（ｃ）に示すように、各導体パターン６１に形成される金属被覆層１５のうち配線部６１ｂを覆う部分を覆うとともに端子部６１ａを覆う部分を覆わないように、ベース絶縁層４１上にカバー絶縁層４３が形成される。カバー絶縁層４３は、例えばポリイミドからなる。

上記の構成において、金属被覆層１５は配線部６１ｂおよび端子部６１ａに接触し、カバー絶縁層４３は金属被覆層１５のうち配線部６１ｂを覆う部分に接触する。また、接続端子２１〜２４，３３〜３６の近傍に位置するカバー絶縁層４３の端部は、各導体パターン６１の端子部６１ａと配線部６１ｂとの境界６１ｃ（図５参照）上に位置する。

図５（ａ）〜（ｃ）に示すように、本実施の形態においては、金属被覆層１５は、配線部６１ｂの表面上で端子部６１ａと配線部６１ｂとの境界６１ｃ上の位置から少なくとも距離Ｌ０離れた位置まで延びるように形成される。距離Ｌ０は、３μｍ以上である。

（３）サスペンション基板の製造方法
以下、サスペンション基板１の製造方法を説明する。図６〜図９は、図１のサスペンション基板１の製造工程を示す模式的工程図である。図６および図７は接続端子２１〜２４およびその周辺に相当する部分の平面図を示す。図８および図９は、図６および図７のＤ−Ｄ線断面図を示す。

まず、図６（ａ）および図８（ａ）に示すように、例えばステンレス鋼からなる支持層１０ａ上に、例えばポリイミドからなるベース絶縁層４１を形成する。支持層１０ａの厚みは、例えば１０μｍ以上５０μｍ以下である。ベース絶縁層４１の厚みは、例えば５μｍ以上１５μｍ以下である。ここで、ベース絶縁層４１は、図１のサスペンション基板１の形状と同一の形状に形成される。

次に、図６（ｂ）および図８（ｂ）に示すように、ベース絶縁層４１上に図示しないシード層を介して例えば銅からなる複数（本例では６つ）の導体パターン６１を形成する。シード層は、例えばクロムおよび銅の積層膜またはクロムの単層膜からなり、スパッタリング、無電解めっきまたは蒸着等の方法により形成することができる。各導体パターン６１の厚みは、例えば１μｍ以上２０μｍ以下である。６つの導体パターン６１の配線部６１ｂにより、ベース絶縁層４１上に書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２および電源用配線パターンＰ１，Ｐ２が形成される。

書込用配線パターンＷ１，Ｗ２間の間隔および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２間の間隔は、例えばそれぞれ５μｍ以上１００μｍ以下である。同様に、書込用配線パターンＷ１と電源用配線パターンＰ１との間の間隔および読取用配線パターンＲ２と電源用配線パターンＰ２との間の間隔は、例えばそれぞれ５μｍ以上１００μｍ以下である。書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２および電源用配線パターンＰ１，Ｐ２の幅は、例えば５μｍ以上２００μｍ以下である。

続いて、図６（ｃ）および図８（ｃ）に示すように、各導体パターン６１の端子部６１ａおよび配線部６１ｂを覆うとともに端子部６１ａの表面上から配線部６１ｂの表面上に連続して延びるように金属被覆層１５を形成する。６つの導体パターン６１の端子部６１ａとそれらの端子部６１ａを被覆する金属被覆層１５とにより、図１の接続端子２１〜２６，３１〜３６が形成される。

金属被覆層１５は、主としてニッケルの磁性よりも低い磁性を有する金属からなり、例えば電解めっきにより形成される。なお、金属被覆層１５は、無電解めっきまたはスパッタリングにより形成することもできる。金属被覆層１５の材料としては、例えば金が用いられる。また、金属被覆層１５の材料として銀、クロム、錫および白金のうちいずれかを用いることもできる。金属被覆層１５の厚みは、例えば０．００５μｍ以上５μｍ以下であり、０．０１μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。

その後、図７（ａ）および図９（ａ）に示すように、金属被覆層１５のうち配線部６１ｂを覆う部分を覆うとともに端子部６１ａを覆う部分を覆わないように、ベース絶縁層４１上に例えばポリイミドからなるカバー絶縁層４３を形成する。それにより、接続端子２１〜２６，３１〜３６がカバー絶縁層４３から露出する。カバー絶縁層４３の厚みは、例えば２μｍ以上１０μｍ以下である。

その後、図７（ｂ）および図９（ｂ）に示すように、ベース絶縁層４１と重なる支持層１０ａの部分が残存するように支持層１０ａを加工することにより、支持基板１０を形成する。支持層１０ａの加工は、例えばエッチングにより行われる。これにより、サスペンション基板１が完成する。

（４）第１の実施の形態の効果
本実施の形態に係るサスペンション基板１においては、各導体パターン６１の配線部６１ｂを覆うように金属被覆層１５が設けられ、金属被覆層１５のうち配線部６１ｂを覆う部分を覆うようにカバー絶縁層４３が設けられる。金属被覆層１５は配線部６１ｂに接触し、カバー絶縁層４３は金属被覆層１５のうち配線部６１ｂを覆う部分に接触する。この場合、配線部６１ｂとカバー絶縁層４３との間には、ニッケルの磁性以上の磁性を有する金属層（例えば強磁性体の金属からなる層）が存在しない。本発明者の実験および検討の結果、配線部６１ｂとその配線部６１ｂを覆うカバー絶縁層４３との間にニッケルの磁性以上の磁性を有する金属層が存在しないことにより、高い周波数帯域において電気信号の伝送損失を低減できることがわかった。したがって、上記のサスペンション基板１によれば、高い周波数帯域における電気信号の伝送損失を低減することができる。

また、上記の構成においては、カバー絶縁層４３が金属被覆層１５のうち配線部６１ｂを覆う部分に接触することにより、カバー絶縁層４３と配線部６１ｂとが接触する場合に比べてカバー絶縁層４３と配線部６１ｂとの間の密着性が向上する。したがって、カバー絶縁層４３と金属被覆層１５との間に大きな空隙が生じにくくなる。さらに、金属被覆層１５は、端子部６１ａの表面上から配線部６１ｂの表面上に連続して延びるように形成される。それにより、金属被覆層１５の内部にカバー絶縁層４３の外部から空気、水または薬液等の流体が進入することが防止される。したがって、導体パターン６１における端子部６１ａと配線部６１ｂとの境界６１ｃおよびその近傍に腐食が発生することが防止される。

サスペンション基板１の上記の製造方法においては、配線部６１ｂ上に腐食の発生を防止するための金属被覆層１５が形成されると同時に、端子部６１ａ上に接続端子２１〜２６，３１〜３６用の金属被覆層１５が形成される。この場合、配線部６１ｂへの金属被覆層１５の形成と、端子部６１ａへの金属被覆層１５の形成とを個別に行う必要がないので、サスペンション基板１の製造工程数が低減される。

［２］第２の実施の形態
第２の実施の形態に係るサスペンション基板について、第１の実施の形態に係るサスペンション基板１と異なる点を説明する。図１０は、第２の実施の形態に係るサスペンション基板の一部を示す平面図および断面図である。図１０（ａ），（ｂ）に、平面図および断面図がそれぞれ示される。図１０（ａ）の平面図は、第１の実施の形態の図３（ａ）の平面図に対応する。図１０（ｂ）の断面図は、図１０（ａ）のＥ−Ｅ線拡大断面図を示し、第１の実施の形態の図５（ａ）の断面図に対応する。

本実施の形態に係るサスペンション基板においても、第１の実施の形態と同様に、支持基板１０上にベース絶縁層４１が形成され、ベース絶縁層４１上に図示しないシード層を介して複数の導体パターン６１が形成される。複数の導体パターン６１の配線部６１ｂを覆うようにベース絶縁層４１上にカバー絶縁層４３が形成される（図４（ａ）参照）。図１０（ａ）では、カバー絶縁層４３の図示が省略されている。

図１０（ａ），（ｂ）に示すように、本実施の形態では、各導体パターン６１の配線部６１ｂの一部と端子部６１ａとを覆うとともに端子部６１ａの表面上から配線部６１ｂの表面上に連続して延びるように金属被覆層１５が設けられる。さらに、金属被覆層１５は、配線部６１ｂの表面上で端子部６１ａと配線部６１ｂとの境界６１ｃ上の位置から距離Ｌ１離れた位置まで延びる。

本実施の形態に係るサスペンション基板においては、各導体パターン６１の配線部６１ｂの一部を覆うように金属被覆層１５が設けられる。また、金属被覆層１５のうち配線部６１ｂを覆う部分と、配線部６１ｂのうち金属被覆層１５により覆われない他の部分とを覆うようにカバー絶縁層４３が設けられる。金属被覆層１５は配線部６１ｂの一部に接触し、カバー絶縁層４３は金属被覆層１５のうち配線部６１ｂを覆う部分に接触するとともに配線部６１ｂの他の部分に接触する。この場合、配線部６１ｂとカバー絶縁層４３との間には、ニッケルの磁性以上の磁性を有する金属層が存在しない。したがって、本実施の形態においても、高い周波数帯域における電気信号の伝送損失を低減することができる。

本実施の形態においては、上記の距離Ｌ１は３μｍ以上に設定される。この場合、導体パターン６１における端子部６１ａと配線部６１ｂとの境界６１ｃの近傍において、金属被覆層１５によりカバー絶縁層４３と配線部６１ｂとの間の密着性が向上する。それにより、第１の実施の形態と同様に、金属被覆層１５の内部にカバー絶縁層４３の外部から空気、水または薬液等の流体が進入することが防止される。したがって、導体パターン６１における端子部６１ａと配線部６１ｂとの境界６１ｃおよびその近傍に腐食が発生することが防止される。

上記の距離Ｌ１は、５μｍ以上に設定されることが好ましい。この場合、導体パターン６１における端子部６１ａと配線部６１ｂとの境界６１ｃの近傍において、カバー絶縁層４３と配線部６１ｂとの間の密着性がより向上する。したがって、カバー絶縁層４３と金属被覆層１５との間に大きな空隙がより生じにくくなる。その結果、導体パターン６１における腐食の発生がより防止される。

［３］第３の実施の形態
第３の実施の形態に係るサスペンション基板について、第２の実施の形態に係るサスペンション基板と異なる点を説明する。図１１は、第３の実施の形態に係るサスペンション基板の一部を示す平面図および断面図である。図１１（ａ），（ｂ）に、平面図および断面図がそれぞれ示される。図１１（ａ）の平面図は、第２の実施の形態の図１０（ａ）の平面図に対応する。図１１（ｂ）の断面図は、図１１（ａ）のＦ−Ｆ線拡大断面図を示し、第２の実施の形態の図１０（ｂ）の断面図に対応する。図１０（ａ）の例と同様に、図１１（ａ）では、カバー絶縁層４３の図示が省略されている。

図１１（ａ），（ｂ）に示すように、本実施の形態では、各導体パターン６１に形成される金属被覆層１５のうち端子部６１ａを覆う部分を覆うように、例えば金からなる金属被覆層１６が形成されている。金属被覆層１６の厚みは、例えば０．００５μｍ以上５μｍ以下であり、０．０１μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。

本実施の形態に係るサスペンション基板の製造方法においては、カバー絶縁層４３の形成後（図７（ａ）および図９（ａ）参照）、露出する金属被覆層１５上に例えば電解めっきにより金属被覆層１６が形成される。この場合、図１の接続端子２１〜２６，３１〜３６は、導体パターン６１の端子部６１ａ、金属被覆層１５および金属被覆層１６により形成される。

上記の構成によれば、サスペンション基板の製造過程で金属被覆層１５の表面状態が不安定になる場合でも、端子部６１ａにおける金属被覆層１５の表面が金属被覆層１６により覆われる。それにより、接続端子２１〜２６，３１〜３６の表面状態を整えることができる。

本実施の形態では、金属被覆層１６の材料として金が用いられる。上記の例に限らず、金属被覆層１６の材料としてニッケル、銀、クロム、錫および白金のうちいずれかを用いることもできる。

［４］第４の実施の形態
第４の実施の形態に係るサスペンション基板について、第２の実施の形態に係るサスペンション基板と異なる点を説明する。図１２は、第４の実施の形態に係るサスペンション基板の一部を示す平面図および断面図である。図１２（ａ），（ｂ）に、平面図および断面図がそれぞれ示される。図１２（ａ）の平面図は、第２の実施の形態の図１０（ａ）の平面図に対応する。図１２（ｂ）の断面図は、図１２（ａ）のＧ−Ｇ線拡大断面図を示し、第２の実施の形態の図１０（ｂ）の断面図に対応する。図１０（ａ）の例と同様に、図１２（ａ）では、カバー絶縁層４３の図示が省略されている。

図１２（ａ），（ｂ）に示すように、本実施の形態では、図１０の金属被覆層１５に代えて例えばニッケルからなる金属被覆層１７が設けられる。本実施の形態において、金属被覆層１７は、主としてニッケルの磁性以上の磁性を有する金属からなり、例えば電解めっき、無電解めっきまたはスパッタリングにより形成される。金属被覆層１７の厚みは、例えば０．００５μｍ以上５μｍ以下であり、０．０１μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。

金属被覆層１７は、配線部６１ｂの表面上で端子部６１ａと配線部６１ｂとの境界６１ｃ上の位置から距離Ｌ２離れた位置まで延びる。距離Ｌ２は３μｍ以上に設定される。それにより、第２の実施の形態と同様に、導体パターン６１における端子部６１ａと配線部６１ｂとの境界６１ｃの近傍において、金属被覆層１７によりカバー絶縁層４３と配線部６１ｂとの間の密着性が向上する。したがって、導体パターン６１における端子部６１ａと配線部６１ｂとの境界６１ｃおよびその近傍に腐食が発生することが防止される。

図１３は、第４の実施の形態に係るサスペンション基板の他の例を示す平面図である。図１３では、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２および電源用配線パターンＰ１，Ｐ２のうち金属被覆層１７が形成されている部分が太い実線で示される。図１３のサスペンション基板においては、金属被覆層１７の距離Ｌ２が図１２（ａ），（ｂ）の例に比べて長い。

ここで、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２および電源用配線パターンＰ１，Ｐ２を構成する複数の導体パターン６１の各々において、配線部６１ｂの軸心に沿う一方の端子部６１ａと他方の端子部６１ａとの間の距離を配線部６１ｂの全長と呼ぶ。

この場合、上記の距離Ｌ２は、配線部６１ｂの全長に対するその配線部６１ｂを覆う全ての金属被覆層１７の長さの割合が４０％以下となるように設定される。

上記の構成においては、配線部６１ｂの一部と端子部６１ａとを覆うように金属被覆層１７が設けられ、金属被覆層１７のうち配線部６１ｂの一部を覆う部分と配線部６１ｂのうち金属被覆層１７により覆われない他の部分とを覆うようにカバー絶縁層４３が設けられる。金属被覆層１７は配線部６１ｂの一部に接触し、カバー絶縁層４３は金属被覆層１７のうち配線部６１ｂを覆う部分に接触するとともに配線部６１ｂの他の部分に接触する。

この場合、配線部６１ｂの全長に対して６０％以上の長さの範囲において、配線部６１ｂとカバー絶縁層４３との間には、ニッケルの磁性以上の磁性を有する金属層が存在しない。本発明者の実験および検討の結果、配線部６１ｂとその配線部６１ｂを覆うカバー絶縁層４３との間にニッケルの磁性以上の磁性を有する金属層が存在する場合でも、配線部６１ｂの全長に対するその金属層の長さの割合が４０％以下に設定されることにより、高い周波数帯域において電気信号の伝送損失を低減できることがわかった。それにより、本実施の形態においても、高い周波数帯域における電気信号の伝送損失を低減することができる。

［５］第５の実施の形態
第５の実施の形態に係るサスペンション基板について、第４の実施の形態に係るサスペンション基板と異なる点を説明する。図１４は、第５の実施の形態に係るサスペンション基板の一部を示す平面図および断面図である。図１４（ａ），（ｂ）に、平面図および断面図がそれぞれ示される。図１４（ａ）の平面図は、第４の実施の形態の図１２（ａ）の平面図に対応する。図１４（ｂ）の断面図は、図１４（ａ）のＪ−Ｊ線拡大断面図を示し、第４の実施の形態の図１２（ｂ）の断面図に対応する。図１２（ａ）の例と同様に、図１４（ａ）では、カバー絶縁層４３の図示が省略されている。

図１４（ａ），（ｂ）に示すように、本実施の形態では、図１２の金属被覆層１７の全体を覆うように金属被覆層１８が形成されている。金属被覆層１８の厚みは、例えば０．００５μｍ以上５μｍ以下であり、０．０１μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。金属被覆層１８の材料としては、例えば金が用いられる。また、金属被覆層１８の材料としてニッケル、銀、クロム、錫および白金のうちいずれかを用いることもできる。

第５の実施の形態に係るサスペンション基板の製造方法においては、ベース絶縁層４１上に図示しないシード層を介して複数の導体パターン６１を形成した後、各導体パターン６１の一部に金属被覆層１７および金属被覆層１８が順次積層される。金属被覆層１７は例えば無電解めっきまたはスパッタリングにより形成され、金属被覆層１８は例えば電解めっきにより形成される。その後、金属被覆層１８のうち配線部６１ｂを覆う部分と配線部６１ｂのうち金属被覆層１７，１８により覆われない他の部分とを覆うようにベース絶縁層４１上にカバー絶縁層４３が形成される。

本実施の形態においては、カバー絶縁層４３は金属被覆層１８のうち配線部６１ｂを覆う部分に接触する。金属被覆層１８は、配線部６１ｂの表面上で端子部６１ａと配線部６１ｂとの境界６１ｃ上の位置から距離Ｌ２離れた位置まで延びる。距離Ｌ２は３μｍ以上に設定される。それにより、第４の実施の形態と同様に、導体パターン６１における端子部６１ａと配線部６１ｂとの境界６１ｃの近傍において、金属被覆層１８によりカバー絶縁層４３と配線部６１ｂとの間の密着性が向上する。したがって、導体パターン６１における端子部６１ａと配線部６１ｂとの境界６１ｃおよびその近傍に腐食が発生することが防止される。

［６］他の実施の形態
（１）第１の実施の形態に係るサスペンション基板１においては、接続端子２１〜２４が、図２〜図５の構成に代えて以下の構成を有してもよい。図１５は、第１の実施の形態に係るサスペンション基板１における接続端子２１〜２４の他の構成例を示す平面図および断面図である。図１５（ａ），（ｂ）に、平面図および断面図がそれぞれ示される。図１５（ａ）の平面図は、第１の実施の形態の図３（ａ）の平面図に対応する。図１５（ｂ）の断面図は、図１５（ａ）のＡ１−Ａ１線拡大断面図を示し、第１の実施の形態の図５（ａ）の断面図に対応する。図３（ａ）の例と同様に、図１５（ａ）では、カバー絶縁層４３の図示が省略されている。

図１５（ａ），（ｂ）に示すように、各導体パターン６１に形成される金属被覆層１５のうち端子部６１ａを覆う部分を覆うように、バリア層７０が形成されている。さらに、バリア層７０を覆うように金層７１が形成されている。この場合、接続端子２１〜２４は、導体パターン６１の端子部６１ａ、金属被覆層１５、バリア層７０および金層７１により形成される。

バリア層７０の厚みは、例えば０．２μｍ以上４．０μｍ以下であり、０．５μｍ以上３．０μｍ以下であることが好ましい。また、金層７１の厚みは、例えば０．０２μｍ以上１．５μｍ以下であり、０．０５μｍ以上１．０μｍ以下であることが好ましい。

ここで、バリア層７０は、導体パターン６１の表面から金属被覆層１５に拡散する銅の成分が、さらに金層７１へ拡散することを抑制する機能を有する。このような機能を実現するために、本例ではバリア層７０の材料としてニッケルが用いられる。なお、バリア層７０として、ニッケルに代えてパラジウムを用いることもできる。

上記の構成によれば、接続端子２１〜２４においては、外部に露出する金層７１に導体パターン６１の銅の成分が拡散しない。それにより、金層７１に銅の成分が拡散することに起因する金層７１の耐食性および濡れ性の低下が抑制される。したがって、良好な耐食性および濡れ性を有する接続端子２１〜２４が実現される。

接続端子２５，２６，３１〜３６においても、図１５の接続端子２１〜２４と同様に、バリア層７０および金層７１が設けられてもよい。それにより、良好な耐食性および濡れ性を有する接続端子２５，２６，３１〜３６が実現される。

（２）第２の実施の形態に係るサスペンション基板においては、接続端子２１〜２４が、図１０の構成に代えて以下の構成を有してもよい。図１６は、第２の実施の形態に係るサスペンション基板における接続端子２１〜２４の他の構成例を示す平面図および断面図である。図１６（ａ），（ｂ）に、平面図および断面図がそれぞれ示される。図１６（ａ）の平面図は、第２の実施の形態の図１０（ａ）の平面図に対応する。図１６（ｂ）の断面図は、図１６（ａ）のＡ２−Ａ２線拡大断面図を示し、第２の実施の形態の図１０（ｂ）の断面図に対応する。図１０（ａ）の例と同様に、図１６（ａ）では、カバー絶縁層４３の図示が省略されている。

図１６（ａ），（ｂ）に示すように、本例では、図１５の例と同様に、各導体パターン６１に形成される金属被覆層１５のうち端子部６１ａを覆う部分を覆うように、バリア層７０が形成されている。さらに、バリア層７０を覆うように金層７１が形成されている。それにより、金層７１に導体パターン６１の銅の成分が拡散することに起因する金層７１の耐食性および濡れ性の低下が抑制される。したがって、良好な耐食性および濡れ性を有する接続端子２１〜２４が実現される。

接続端子２５，２６，３１〜３６においても、図１６の接続端子２１〜２４と同様に、バリア層７０および金層７１が設けられてもよい。それにより、良好な耐食性および濡れ性を有する接続端子２５，２６，３１〜３６が実現される。

（３）第５の実施の形態に係るサスペンション基板においては、接続端子２１〜２４が、図１４の構成に代えて以下の構成を有してもよい。図１７は、第５の実施の形態に係るサスペンション基板における接続端子２１〜２４の他の構成例を示す平面図および断面図である。図１７（ａ），（ｂ）に、平面図および断面図がそれぞれ示される。図１７（ａ）の平面図は、第５の実施の形態の図１４（ａ）の平面図に対応する。図１７（ｂ）の断面図は、図１７（ａ）のＡ３−Ａ３線拡大断面図を示し、第５の実施の形態の図１４（ｂ）の断面図に対応する。図１４（ａ）の例と同様に、図１７（ａ）では、カバー絶縁層４３の図示が省略されている。

図１７（ａ），（ｂ）に示すように、各導体パターン６１に形成される金属被覆層１７，１８のうち端子部６１ａを覆う部分を覆うように、図１５および図１６の例と同様のバリア層７０が形成されている。さらに、バリア層７０を覆うように金層７１が形成されている。この場合、接続端子２１〜２４は、導体パターン６１の端子部６１ａ、金属被覆層１７，１８、バリア層７０および金層７１により形成される。

本例のバリア層７０は、導体パターン６１の表面から金属被覆層１７，１８に拡散する銅の成分が、さらに金層７１へ拡散することを抑制する機能を有する。それにより、金層７１に導体パターン６１の銅の成分が拡散することに起因する金層７１の耐食性および濡れ性の低下が抑制される。したがって、良好な耐食性および濡れ性を有する接続端子２１〜２４が実現される。

接続端子２５，２６，３１〜３６においても、図１７の接続端子２１〜２４と同様に、バリア層７０および金層７１が設けられてもよい。それにより、良好な耐食性および濡れ性を有する接続端子２５，２６，３１〜３６が実現される。

（４）第４の実施の形態に係るサスペンション基板においては、接続端子２１〜２４が、図１２の構成に代えて以下の構成を有してもよい。図１８は、第４の実施の形態に係るサスペンション基板における接続端子２１〜２４の他の構成例を示す平面図および断面図である。図１８（ａ），（ｂ）に、平面図および断面図がそれぞれ示される。図１８（ａ）の平面図は、第４の実施の形態の図１２（ａ）の平面図に対応する。図１８（ｂ）の断面図は、図１８（ａ）のＡ４−Ａ４線拡大断面図を示し、第４の実施の形態の図１２（ｂ）の断面図に対応する。図１２（ａ）の例と同様に、図１８（ａ）では、カバー絶縁層４３の図示が省略されている。

本例では、金属被覆層１７の材料としてニッケルが用いられる。図１８（ａ），（ｂ）に示すように、各導体パターン６１に形成される金属被覆層１７のうち端子部６１ａを覆う部分を覆うように、ニッケルからなるバリア層７０が形成されている。さらに、バリア層７０を覆うように金層７１が形成されている。この場合、接続端子２１〜２４は、導体パターン６１の端子部６１ａ、金属被覆層１７、バリア層７０および金層７１により形成される。

本例のサスペンション基板の製造過程においては、支持層１０ａ上にベース絶縁層４１が形成され、ベース絶縁層４１上に形成される導体パターン６１の一部に金属被覆層１７が形成される。導体パターン６１の配線部６１ｂに重なるようにカバー絶縁層４３が形成され、支持層１０ａに図１の開口部１１および孔部Ｈが形成される。その後、端子部６１ａを覆う金属被覆層１７の部分にバリア層７０および金層７１が順次形成され、支持基板１０の外形が形成されるように支持層１０ａが加工される。

上記の製造過程のうちカバー絶縁層４３が形成されてから金層７１が形成されるまでの間には、例えばシード層を除去するためのソフトエッチング等によりカバー絶縁層４３で覆われていない金属被覆層１７の部分の表面状態が不安定になる場合がある。このような場合でも、後工程でカバー絶縁層４３で覆われていない金属被覆層１７の部分がバリア層７０により覆われる。したがって、表面状態が整えられたバリア層７０上に連続的に金層７１を形成することができる。

これにより、金属被覆層１７およびバリア層７０のニッケルにより導体パターン６１から金層７１へ銅の成分が拡散することが十分に抑制される。したがって、金層７１に導体パターン６１の銅の成分が拡散することに起因する金層７１の耐食性および濡れ性の低下が抑制される。その結果、良好な耐食性および濡れ性を有する接続端子２１〜２４が実現される。

接続端子２５，２６，３１〜３６においても、図１８の接続端子２１〜２４と同様に、バリア層７０および金層７１が設けられてもよい。それにより、良好な耐食性および濡れ性を有する接続端子２５，２６，３１〜３６が実現される。

なお、上記の製造過程のうちカバー絶縁層４３が形成されてから金層７１が形成されるまでの間に金属被覆層１７の部分の表面状態が不安定にならない場合には、バリア層７０は設けられなくてもよい。端子部６１ａを覆う金属被覆層１７の部分に金層７１が形成されてもよい。

（５）第４の実施の形態に係るサスペンション基板においては、接続端子２１〜２４が、図１２の構成に代えて以下の構成を有してもよい。図１９は、第４の実施の形態に係るサスペンション基板における接続端子２１〜２４のさらに他の構成例を示す平面図および断面図である。図１９（ａ），（ｂ）に、平面図および断面図がそれぞれ示される。図１９（ａ）の平面図は、第４の実施の形態の図１２（ａ）の平面図に対応する。図１９（ｂ）の断面図は、図１９（ａ）のＡ５−Ａ５線拡大断面図を示し、第４の実施の形態の図１２（ｂ）の断面図に対応する。図１２（ａ）の例と同様に、図１９（ａ）では、カバー絶縁層４３の図示が省略されている。

本例では、図１８の例と同様に、金属被覆層１７の材料としてニッケルが用いられる。図１９（ａ），（ｂ）に示すように、金属被覆層１７は、導体パターン６１のうち境界６１ｃおよびその近傍を除く配線部６１ｂの一部を覆うように形成されている。金属被覆層１７により被覆されていない導体パターン６１の境界６１ｃおよびその近傍と端子部６１ａとを覆うように、バリア層７０が形成されている。本例のバリア層７０は、金属被覆層１７と同じ材料からなる。バリア層７０のうち端子部６１ａを覆う部分を覆うように金層７１が形成されている。この場合、接続端子２１〜２４は、導体パターン６１の端子部６１ａ、バリア層７０および金層７１により形成される。

本例のサスペンション基板の製造過程においては、支持層１０ａ上にベース絶縁層４１が形成され、ベース絶縁層４１上に形成される導体パターン６１の一部に金属被覆層１７が形成される。導体パターン６１の配線部６１ｂに重なるようにカバー絶縁層４３が形成された後、カバー絶縁層４３により覆われていない金属被覆層１７の部分がエッチングにより除去される。このとき、境界６１ｃの近傍に位置する金属被覆層１７の部分も除去される。続いて、支持層１０ａに図１の開口部１１および孔部Ｈが形成される。その後、露出する導体パターン６１の境界６１ｃおよびその近傍と端子部６１ａとを覆うように、バリア層７０および金層７１が形成され、支持基板１０の外形が形成されるように支持層１０ａが加工される。

上記の製造過程においては、カバー絶縁層４３が形成されてからバリア層７０が形成されるまでの間に、導体パターン６１の境界６１ｃおよびその近傍と端子部６１ａとを覆う金属被覆層１７が除去されている。その後、バリア層７０と金層７１とが露出する導体パターン６１の部分に順次形成される。この場合、表面状態が整えられたバリア層７０上に連続的に金層７１を形成することができる。したがって、バリア層７０のニッケルにより導体パターン６１から金層７１へ銅の成分が拡散することが十分に抑制される。それにより、金層７１に導体パターン６１の銅の成分が拡散することに起因する金層７１の耐食性および濡れ性の低下が抑制される。したがって、良好な耐食性および濡れ性を有する接続端子２１〜２４が実現される。

図１９の例では、導体パターン６１上に形成される金属被覆層１７とバリア層７０とが同じニッケルからなり、一体的に構成される。端子部６１ａを覆うバリア層７０は金属被覆層１７の一部として機能する。金属被覆層１７およびバリア層７０により導体パターン６１の境界６１ｃおよびその近傍部分が連続的に覆われる。これにより、本例においても、金属被覆層１７の内部にカバー絶縁層４３の外部から空気、水または薬液等の流体が進入することが防止される。

接続端子２５，２６，３１〜３６は、図１９の接続端子２１〜２４と同様の構成を有してもよい。それにより、良好な耐食性および濡れ性を有する接続端子２５，２６，３１〜３６が実現される。

（６）第５の実施の形態に係るサスペンション基板においては、接続端子２１〜２４が、図１４の構成に代えて以下の構成を有してもよい。図２０は、第５の実施の形態に係るサスペンション基板における接続端子２１〜２４のさらに他の構成例を示す平面図および断面図である。図２０（ａ），（ｂ）に、平面図および断面図がそれぞれ示される。図２０（ａ）の平面図は、第５の実施の形態の図１４（ａ）の平面図に対応する。図２０（ｂ）の断面図は、図２０（ａ）のＡ６−Ａ６線拡大断面図を示し、第５の実施の形態の図１４（ｂ）の断面図に対応する。図１４（ａ）の例と同様に、図２０（ａ）では、カバー絶縁層４３の図示が省略されている。

本例では、金属被覆層１７の材料としてニッケルが用いられ、金属被覆層１８の材料として金が用いられる。図２０（ｂ）に示すように、金属被覆層１８は、導体パターン６１に接触しないように形成される。この場合、ニッケルからなる金属被覆層１７は金属被覆層１８に導体パターン６１の銅の成分が拡散することを抑制する。

それにより、金属被覆層１８に導体パターン６１の銅の成分が拡散することに起因する金属被覆層１８の耐食性および濡れ性の低下が抑制される。したがって、良好な耐食性および濡れ性を有する接続端子２１〜２４が実現される。

本例のサスペンション基板の製造過程においては、導体パターン６１の一部に金属被覆層１７を形成した後、金属被覆層１８を形成する際に、金属被覆層１７の端面および金属被覆層１７により被覆されていない導体パターン６１の表面部分にマスクを形成する。この状態で、金属被覆層１７を覆うように金属被覆層１８を形成する。その後、マスクを除去する。それにより、金属被覆層１８と導体パターン６１とが接触しないように、金属被覆層１８を形成することができる。

接続端子２５，２６，３１〜３６は、図２０の接続端子２１〜２４と同様の構成を有してもよい。それにより、良好な耐食性および濡れ性を有する接続端子２５，２６，３１〜３６が実現される。

（７）上記の第１〜第５の実施の形態に係るサスペンション基板においては、接続端子２１〜２６，３１〜３６が重なる支持基板１０の部分が一定の厚みを有するが、本発明はこれに限定されない。接続端子２１〜２６，３１〜３６のいずれかが重なる支持基板１０の部分に開口部が形成されてもよい。また、上記の第１〜第５の実施の形態に係るサスペンション基板においては、接続端子２１〜２６，３１〜３６が重なるベース絶縁層４１の部分が一定の厚みを有するが、本発明はこれに限定されない。接続端子２１〜２６，３１〜３６のいずれかが重なるベース絶縁層４１の部分に凹部が形成されてもよい。

図２１は、他の実施の形態に係るサスペンション基板の平面図である。図２１のサスペンション基板は、基本的に第５の実施の形態に係るサスペンション基板と同じ構成を有する。図２１では、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２および電源用配線パターンＰ１，Ｐ２のうち金属被覆層１８が形成されている部分が太い実線で示される。以下、図２１のサスペンション基板について、第５の実施の形態に係るサスペンション基板と異なる点を説明する。

図２２は、接続端子２１〜２６，３１〜３６およびその周辺部分の平面図である。図２３は、接続端子２１〜２６，３１〜３６およびその周辺部分の断面図である。図２２（ａ）〜（ｃ）の縮尺は互いに異なり、図２３（ａ）〜（ｃ）の縮尺は互いに異なる。

図２２（ａ）は図２１の接続端子２１〜２４およびその周辺部分を示し、図２２（ｂ）は図２１の接続端子２５およびその周辺部分を示し、図２２（ｃ）は図２１の接続端子３１，３２およびその周辺部分を示す。図２２（ａ）〜（ｃ）においては、カバー絶縁層４３（図２３参照）の図示が省略されている。接続端子２６は接続端子２５と同様の構成を有し、接続端子３３〜３６は接続端子３１，３２と同様の構成を有する。図２３（ａ）〜（ｃ）は、図２２（ａ）のＢ１−Ｂ１線拡大断面図、図２２（ｂ）のＢ２−Ｂ２線拡大断面図および図２２（ｃ）のＢ３−Ｂ３線拡大断面図をそれぞれ示す。

図２２（ａ）および図２３（ａ）に示すように、接続端子２１〜２４およびその周辺部分の構成は、第５の実施の形態に係る接続端子２１〜２４およびその周辺部分の構成と同じである（図１４参照）。

図２２（ｂ）および図２３（ｂ）に示すように、接続端子２５はカバー絶縁層４３に形成された円形の開口部４３ｘ（図２３（ｂ））を通して上方に露出するように形成されている。また、接続端子２５は、導体パターン６１の端子部６１ａおよび金属被覆層１７，１８により形成される。本例の接続端子２５を構成する端子部６１ａは、円環形状を有する。また、金属被覆層１７，１８は、その端子部６１ａの内周面および上面を覆うように形成される。ベース絶縁層４１のうち端子部６１ａに重なる部分に、導体パターン６１の境界６１ｃに対応する円形の凹部４１ｕが形成されている。また、支持基板１０のうち端子部６１ａに重なる部分に、導体パターン６１の境界６１ｃに対応する円形の開口部１０ｘが形成されている。

図２２（ｃ）および図２３（ｃ）に示すように、接続端子３１およびその周辺部においては、ベース絶縁層４１のうち端子部６１ａに重なる矩形領域に、凹部４１ｖが形成されている。また、支持基板１０のうち端子部６１ａに重なる部分に、矩形の開口部１０ｙが形成されている。

図２１のサスペンション基板の製造方法を説明する。図２４〜図２８は、図２１のサスペンション基板の製造工程を示す模式的工程図である。図２４（ａ）、図２５（ａ）、図２６（ａ），図２７（ａ）および図２８（ａ）は図２２（ａ）のＢ１−Ｂ１線拡大断面図に対応し、図２４（ｂ）、図２５（ｂ）、図２６（ｂ）、図２７（ｂ）および図２８（ｂ）は図２２（ｂ）のＢ２−Ｂ２線拡大断面図に対応し、図２４（ｃ）、図２５（ｃ）、図２６（ｃ）、図２７（ｃ）および図２８（ｃ）は図２２（ｃ）のＢ３−Ｂ３線拡大断面図に対応する。

まず、図２４（ａ）〜（ｃ）に示すように、ステンレス鋼からなる支持層１０ａ上にポリイミドからなるベース絶縁層４１を形成することにより、支持層１０ａおよびベース絶縁層４１からなる二層基板を形成する。また、図２４（ｂ），（ｃ）に示すように、ベース絶縁層４１のうち接続端子２５，２６，３１〜３６に重なることになる予め定められた領域に凹部４１ｕ，４１ｖを形成する。凹部４１ｕ，４１ｖは、例えば階調露光技術、レーザー加工技術またはエッチング技術を用いて形成することができる。

次に、図２５（ａ）〜（ｃ）に示すように、ベース絶縁層４１上に図示しないシード層を介して銅からなる複数の導体パターン６１を形成する。６つの導体パターン６１の配線部６１ｂにより、ベース絶縁層４１上に書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２および電源用配線パターンＰ１，Ｐ２が形成される。

次に、図２６（ａ）〜（ｃ）に示すように、各導体パターン６１の端子部６１ａおよび配線部６１ｂを覆うとともに端子部６１ａの表面上から配線部６１ｂの一部の表面上に連続して延びるようにニッケルからなる金属被覆層１７を形成する。また、金属被覆層１７を覆うように金からなる金属被覆層１８を形成する。これにより、接続端子２１〜２６，３１〜３６が形成される。

次に、図２７（ａ）〜（ｃ）に示すように、金属被覆層１７，１８のうち配線部６１ｂを覆う部分を覆うとともに端子部６１ａを覆う部分を覆わないように、ベース絶縁層４１上に例えばポリイミドからなるカバー絶縁層４３を形成する。

その後、図２８（ａ）〜（ｃ）に示すように、支持層１０ａに図１の開口部１１および孔部Ｈを形成すると同時に支持層１０ａのうち端子部６１ａに重なる予め定められた部分に開口部１０ｘ，１０ｙを形成する。

最後に、ベース絶縁層４１と重なる支持層１０ａの部分が残存するように支持層１０ａを加工することにより、支持基板１０を形成する。これにより、サスペンション基板が完成する。

上記の図２１のサスペンション基板においては、金属被覆層１８は、導体パターン６１に接触しないように形成されてもよい。それにより、図２０の例と同様に、良好な耐食性および濡れ性を有する接続端子２１〜２６，３１〜３６が実現される。さらに、上記の図２１のサスペンション基板においては、カバー絶縁層４３の形成前の工程で接続端子２１〜２６，３１〜３６が完成する。それにより、図２８（ａ）〜（ｃ）の工程の後で支持層１０ａを加工して支持基板１０を形成する工程の前に、端子用のめっきを行う必要がない。したがって、製造工程数の増加が抑制されている。

さらに、本例の接続端子２１〜２６，３１〜３６は、導体パターン６１上に２つの金属被覆層１７，１８が積層された単純な構造を有する。そのため、サスペンション基板が超音波を用いて洗浄される場合でも、超音波の衝撃により接続端子２１〜２６，３１〜３６の各々が破損しにくい。

上記の図２１のサスペンション基板においては、接続端子２１〜２６，３１〜３６のいずれかが重なるベース絶縁層４１の部分に凹部４１ｕ，４１ｖに代えて開口部が形成されてもよい。図２９および図３０は、図２１のサスペンション基板においてベース絶縁層４１の一部に開口部が形成された例を示す図である。

図２９（ａ）〜（ｃ）の平面図は、図２２（ａ）〜（ｃ）の平面図にそれぞれ対応する。図３０（ａ）〜（ｃ）の拡大断面図は、図２３（ａ）〜（ｃ）の拡大断面図にそれぞれ対応する。

図２９（ａ）および図３０（ａ）に示すように、接続端子２１〜２４およびその周辺部分の構成は、第５の実施の形態に係る接続端子２１〜２４およびその周辺部分の構成と同じである（図１４参照）。図２９（ｂ）および図３０（ｂ）に示すように、本例では、ベース絶縁層４１のうち端子部６１ａに重なる部分に、導体パターン６１の境界６１ｃに対応する円形の開口部４１ｘが形成されている。また、図２９（ｃ）および図３０（ｃ）に示すように、接続端子３１およびその周辺部においては、ベース絶縁層４１のうち端子部６１ａに重なる一部の矩形領域に、開口部４１ｙが形成されている。ベース絶縁層４１の開口部４１ｘ，４１ｙは、例えば図２８の工程の後、支持層１０ａを加工して支持基板１０を形成する工程の前に形成される。

図３０（ａ）〜（ｃ）では、導体パターン６１の下地としてベース絶縁層４１上に形成されるシード層が太い実線で示される。この場合、図３０（ｂ），（ｃ）に示すように、接続端子２５，２６，３１〜３６においては、導体パターン６１の下面に形成されているシード層がベース絶縁層４１の開口部４１ｘ，４１ｙおよび支持基板１０の開口部１０ｘ，１０ｙを通して下方に露出する。これにより、当該露出部に電子機器の端子等を接続することができる。

ここで、図３０の構成において、シード層のうち下方に露出する部分が除去されてもよい。図３１は、図３０のサスペンション基板において露出するシード層の部分が除去された状態を示す図である。図３１（ａ）〜（ｃ）は、図３０（ａ）〜（ｃ）の拡大断面図にそれぞれ対応する。図３１（ｂ），（ｃ）に示すように、本例では、導体パターン６１の下面がベース絶縁層４１の開口部４１ｘ，４１ｙおよび支持基板１０の開口部１０ｘ，１０ｙを通して下方に露出する。これにより、当該露出部に電子機器の端子等を接続することができる。ベース絶縁層４１の開口部４１ｘ，４１ｙ内に位置するシード層の部分は、例えばベース絶縁層４１の開口部４１ｘ，４１ｙの形成後に除去することができる。

（８）上記の実施の形態に係るサスペンション基板は、基本的に支持基板１０上にベース絶縁層４１、導体パターン６１およびカバー絶縁層４３がこの順で積層された構成を有するが、本発明はこれに限定されない。支持基板１０上に複数のベース絶縁層４１および複数の導体パターン６１が交互に積層されてもよい。上下に重なる複数の導体パターン６１およびそれらに対応する複数の接続端子の構成例について説明する。

図３２は、上下に積層された２つの導体パターンおよびそれらに対応する２つの接続端子の第１の構成例を示す断面図である。図３２（ａ）に、２つの導体パターン６１Ａ，６１Ｂの２つの接続端子およびそれらの周辺部材の縦断面図が示される。図３２（ｂ）に、図３２（ａ）のＣ１−Ｃ１線縦断面図が示される。

図３２の第１の構成例においては、支持基板１０上に絶縁層４１Ａが形成されている。絶縁層４１Ａ上に、銅からなる導体パターン６１Ａが形成されている。導体パターン６１Ａは、端子部６１ａおよび配線部６１ｂを含む。導体パターン６１Ａのうち配線部６１ｂの一部と端子部６１ａとは、絶縁層４１Ａの端部から突出している。

導体パターン６１Ａの配線部６１ｂの一部を覆うようにニッケルからなる金属被覆層１７が形成されている。金属被覆層１７は、導体パターン６１Ａの上面および両側面上で導体パターン６１Ａの境界６１ｃから３μｍ以上離れた位置まで延びている。導体パターン６１Ａの端子部６１ａを覆うように、金属被覆層１７と同じ材料からなるバリア層７０が形成されている。また、バリア層７０は、導体パターン６１Ａの下面上で導体パターン６１Ａの端部から絶縁層４１Ａの端部の位置まで延びている。導体パターン６１Ａの配線部６１ｂの全長に対するその配線部６１ｂを覆う全ての金属被覆層１７の長さの割合は４０％以下となるように設定される。なお、導体パターン６１Ａの端部から絶縁層４１Ａの端部の位置までの長さは、導体パターン６１Ａの配線部６１ｂの全長に比べて極めて小さい。

金属被覆層１７と導体パターン６１Ａの配線部６１ｂのうち金属被覆層１７により覆われない他の部分とを覆うとともにバリア層７０を覆わないように絶縁層４１Ａ上に絶縁層４１Ｂが形成されている。絶縁層４１Ｂ上に、銅からなる導体パターン６１Ｂが形成されている。導体パターン６１Ｂは、端子部６１ａおよび配線部６１ｂを含む。導体パターン６１Ｂの一部は、導体パターン６１Ａに重なる。導体パターン６１Ｂの配線部６１ｂの全体を覆うようにニッケルからなる金属被覆層１７が形成されている。導体パターン６１Ｂの端子部６１ａを覆うように、金属被覆層１７と同じ材料からなるバリア層７０が形成されている。導体パターン６１Ｂの配線部６１ｂに重なりかつ金属被覆層１７を覆うように絶縁層４１Ｂ上にカバー絶縁層４３が形成されている。

下に位置する導体パターン６１Ａに設けられるバリア層７０を覆うように、金層７１が形成されている。それにより、フライング構造を有する接続端子ＴＡが形成されている。上に位置する導体パターン６１Ｂに設けられるバリア層７０を覆うように、金層７１が形成されている。それにより、接続端子ＴＢが形成されている。

上記のように、下に位置する導体パターン６１Ａの配線部６１ｂの全長に対するその配線部６１ｂを覆う全ての金属被覆層１７の長さの割合は４０％以下となるように設定される。これにより、導体パターン６１Ａの配線部６１ｂでは、第４の実施の形態と同様に、高い周波数帯域における電気信号の伝送損失を低減することができる。したがって、導体パターン６１Ａの配線部６１ｂは、高周波信号用の伝送線路として有効に使用することができる。

また、上記の構成においては、金属被覆層１７とバリア層７０とが同じニッケルからなり、金属被覆層１７とバリア層７０とが一体的に構成される。バリア層７０は金属被覆層１７の一部として機能する。金属被覆層１７およびバリア層７０により導体パターン６１Ａ，６１Ｂの境界６１ｃおよびその近傍部分が連続的に覆われる。これにより、金属被覆層１７およびバリア層７０の内部にカバー絶縁層４３の外部から空気、水または薬液等の流体が進入することが防止される。したがって、導体パターン６１Ａ，６１Ｂの境界６１ｃおよびその近傍における腐食の発生が防止される。

上に位置する導体パターン６１Ｂの配線部６１ｂの全体を覆うようにニッケルからなる金属被覆層１７が形成されているので、導体パターン６１Ｂとカバー絶縁層４３との密着性が向上する。導体パターン６１Ｂの配線部６１ｂは、例えば低周波信号用の伝送線路、接地導体層またはシールド層として使用することが好ましい。

なお、図３２の第１の構成例においては、図１８の例と同様に、導体パターン６１Ａ，６１Ｂの端子部６１ａとバリア層７０との間に金属被覆層１７が形成されてもよい。

図３３は、上下に積層された２つの導体パターンおよびそれらに対応する２つの接続端子の第２の構成例を示す断面図である。図３３（ａ）に、２つの導体パターン６１Ａ，６１Ｂの２つの接続端子およびそれらの周辺部材の縦断面図が示される。図３３（ｂ）に、図３３（ａ）のＣ２−Ｃ２線縦断面図が示される。以下、第２の構成例について、図３２の第１の構成例と異なる点を説明する。

図３３の第２の構成例においては、導体パターン６１Ａの配線部６１ｂの全体および端子部６１ａを覆うように金属被覆層１５が形成されている。金属被覆層１５は、主としてニッケルの磁性よりも低い磁性を有する金属（例えば非磁性体の金属）からなり、ニッケルの磁性よりも低い磁性を有する。本例では、金属被覆層１５の材料として、金または銀が用いられる。端子部６１ａを覆う金属被覆層１５の部分を覆うようにニッケルからなるバリア層７０が形成されている。また、バリア層７０は、導体パターン６１Ａの下面上で導体パターン６１Ａの端部から絶縁層４１Ａの端部の位置まで延びている。

導体パターン６１Ａの配線部６１ｂを覆う金属被覆層１５の部分を覆うとともに端子部６１ａを覆う金属被覆層１５の他の部分を覆わないように絶縁層４１Ａ上に絶縁層４１Ｂが形成されている。絶縁層４１Ｂ上に、銅からなる導体パターン６１Ｂが形成されている。導体パターン６１Ｂには、図３２の第１の構成例と同様に、ニッケルからなる金属被覆層１７およびバリア層７０が形成されている。

下に位置する導体パターン６１Ａに設けられるバリア層７０を覆うように、金層７１が形成されている。それにより、フライング構造を有する接続端子ＴＡが形成されている。上に位置する導体パターン６１Ｂに設けられるバリア層７０を覆うように、金層７１が形成されている。それにより、接続端子ＴＢが形成されている。

上記の構成においては、下に位置する導体パターン６１Ａの配線部６１ｂと絶縁層４１Ｂとの間には、ニッケルの磁性以上の磁性を有する金属層が存在しない。これにより、導体パターン６１Ａの配線部６１ｂでは、第１の実施の形態と同様に、高い周波数帯域における電気信号の伝送損失を低減することができる。したがって、導体パターン６１Ａの配線部６１ｂは、高周波信号用の伝送線路として有効に使用することができる。また、金属被覆層１５により導体パターン６１Ａの境界６１ｃおよびその近傍部分が連続的に覆われるので、金属被覆層１５の内部にカバー絶縁層４３の外部から空気、水または薬液等の流体が進入することが防止される。したがって、導体パターン６１Ａの境界６１ｃおよびその近傍における腐食の発生が防止される。

上に位置する導体パターン６１Ｂの配線部６１ｂの全体を覆うようにニッケルからなる金属被覆層１７が形成されているので、導体パターン６１Ｂとカバー絶縁層４３との密着性が向上する。導体パターン６１Ｂの配線部６１ｂは、例えば低周波信号用の伝送線路、接地導体層またはシールド層として使用することが好ましい。

なお、図３３の第２の構成例においては、図１０の第２の実施の形態の例と同様に、導体パターン６１Ａの全体ではなく、導体パターン６１Ａの配線部６１ｂの一部と端子部６１ａとを覆うように金属被覆層１５が形成されてもよい。また、図１８の例と同様に、導体パターン６１Ｂの端子部６１ａとバリア層７０との間に金属被覆層１７が形成されてもよい。

図３４は、上下に積層された２つの導体パターンおよびそれらに対応する２つの接続端子の第３の構成例を示す断面図である。図３４（ａ）に、２つの導体パターン６１Ａ，６１Ｂの２つの接続端子およびそれらの周辺部材の縦断面図が示される。図３４（ｂ）に、図３４（ａ）のＣ３−Ｃ３線縦断面図が示される。以下、第３の構成例について、図３２の第１の構成例と異なる点を説明する。

図３４の第３の構成例においては、導体パターン６１Ａの配線部６１ｂの全体を覆うようにニッケルからなる金属被覆層１７が形成されている。導体パターン６１Ａの端子部６１ａを覆うようにニッケルからなるバリア層７０が形成されている。バリア層７０は、導体パターン６１Ａの下面上で導体パターン６１Ａの端部から絶縁層４１Ａの端部の位置まで延びている。

導体パターン６１Ａの配線部６１ｂに重なりかつ金属被覆層１７を覆うように絶縁層４１Ａ上に絶縁層４１Ｂが形成されている。絶縁層４１Ｂ上に、銅からなる導体パターン６１Ｂが形成されている。導体パターン６１Ｂの配線部６１ｂの一部を覆うようにニッケルからなる金属被覆層１７が形成されている。金属被覆層１７は、導体パターン６１Ｂの境界６１ｃから３μｍ以上離れた位置まで延びている。導体パターン６１Ｂの端子部６１ａを覆うように、金属被覆層１７と同じ材料からなるバリア層７０が形成されている。導体パターン６１Ｂの配線部６１ｂの全長に対するその配線部６１ｂを覆う全ての金属被覆層１７の長さの割合は４０％以下となるように設定される。

下に位置する導体パターン６１Ａに設けられるバリア層７０を覆うように、金層７１が形成されている。それにより、フライング構造を有する接続端子ＴＡが形成されている。上に位置する導体パターン６１Ｂに設けられるバリア層７０を覆うように、金層７１が形成されている。それにより、接続端子ＴＢが形成されている。

上記のように、上に位置する導体パターン６１Ｂの配線部６１ｂの全長に対するその配線部６１ｂを覆う全ての金属被覆層１７の長さの割合は４０％以下となるように設定される。これにより、導体パターン６１Ｂの配線部６１ｂでは、第４の実施の形態と同様に、高い周波数帯域における電気信号の伝送損失を低減することができる。したがって、導体パターン６１Ｂの配線部６１ｂは、高周波信号用の伝送線路として有効に使用することができる。

また、上記の構成においては、金属被覆層１７とバリア層７０とが同じニッケルからなり、金属被覆層１７とバリア層７０とが一体的に構成される。バリア層７０は金属被覆層１７の一部として機能する。金属被覆層１７およびバリア層７０により導体パターン６１Ａ，６１Ｂの境界６１ｃおよびその近傍部分が連続的に覆われる。これにより、金属被覆層１７およびバリア層７０の内部にカバー絶縁層４３の外部から空気、水または薬液等の流体が進入することが防止される。したがって、導体パターン６１Ａ，６１Ｂの境界６１ｃおよびその近傍における腐食の発生が防止される。

下に位置する導体パターン６１Ａの配線部６１ｂの全体を覆うようにニッケルからなる金属被覆層１７が形成されているので、導体パターン６１Ａと絶縁層４１Ｂとの密着性が向上する。導体パターン６１Ａの配線部６１ｂは、例えば低周波信号用の伝送線路、接地導体層またはシールド層として使用することが好ましい。

なお、図３４の第３の構成例においては、図１８の例と同様に、導体パターン６１Ａ，６１Ｂの端子部６１ａとバリア層７０との間に金属被覆層１７が形成されてもよい。

図３５は、上下に積層された２つの導体パターンおよびそれらに対応する２つの接続端子の第４の構成例を示す断面図である。図３５（ａ）に、２つの導体パターン６１Ａ，６１Ｂの２つの接続端子およびそれらの周辺部材の縦断面図が示される。図３５（ｂ）に、図３５（ａ）のＣ４−Ｃ４線縦断面図が示される。以下、第４の構成例について、図３２の第１の構成例と異なる点を説明する。

図３５の第４の構成例においては、図３２の第１の構成例と同様に、下に位置する導体パターン６１Ａの配線部６１ｂの一部を覆うようにニッケルからなる金属被覆層１７が形成されている。導体パターン６１Ａの配線部６１ｂの全長に対するその配線部６１ｂを覆う全ての金属被覆層１７の長さの割合は４０％以下となるように設定される。

また、図３５の第４の構成例においては、図３４の第３の構成例と同様に、上に位置する導体パターン６１Ｂの配線部６１ｂの一部を覆うようにニッケルからなる金属被覆層１７が形成されている。導体パターン６１Ｂの配線部６１ｂの全長に対するその配線部６１ｂを覆う全ての金属被覆層１７の長さの割合は４０％以下となるように設定される。

これらより、導体パターン６１Ａ，６１Ｂの配線部６１ｂでは、第４の実施の形態と同様に、高い周波数帯域における電気信号の伝送損失を低減することができる。したがって、導体パターン６１Ａ，６１Ｂの配線部６１ｂは、高周波信号用の伝送線路として有効に使用することができる。

なお、図３５の第４の構成例においては、図１８の例と同様に、導体パターン６１Ａ，６１Ｂの端子部６１ａとバリア層７０との間に金属被覆層１７が形成されてもよい。

図３６は、上下に積層された２つの導体パターンおよびそれらに対応する２つの接続端子の第５の構成例を示す断面図である。図３６（ａ）に、２つの導体パターン６１Ａ，６１Ｂの２つの接続端子およびそれらの周辺部材の縦断面図が示される。図３６（ｂ）に、図３６（ａ）のＣ５−Ｃ５線縦断面図が示される。以下、第５の構成例について、図３４の第３の構成例と異なる点を説明する。

図３６の第５の構成例においては、図３４の第３の構成例と同様に、下に位置する導体パターン６１Ａの配線部６１ｂの全体を覆うようにニッケルからなる金属被覆層１７が形成されている。

一方、上に位置する導体パターン６１Ｂに関しては、配線部６１ｂの全体および端子部６１ａを覆うように金属被覆層１５が形成されている。金属被覆層１５は、主としてニッケルの磁性よりも低い磁性を有する金属（例えば非磁性体の金属）からなり、ニッケルの磁性よりも低い磁性を有する。本例では、金属被覆層１５の材料として、金または銀が用いられる。

導体パターン６１Ｂの配線部６１ｂを覆う金属被覆層１５の部分を覆うとともに端子部６１ａを覆う金属被覆層１５の他の部分を覆わないように絶縁層４１Ｂ上にカバー絶縁層４３が形成されている。端子部６１ａを覆う金属被覆層１５の部分を覆うようにニッケルからなるバリア層７０が形成されている。そのバリア層７０を覆うように金層７１が形成されている。それにより、接続端子ＴＢが形成されている。

上記の構成においては、上に位置する導体パターン６１Ｂの配線部６１ｂとカバー絶縁層４３との間には、ニッケルの磁性以上の磁性を有する金属層が存在しない。これにより、導体パターン６１Ｂの配線部６１ｂでは、第１の実施の形態と同様に、高い周波数帯域における電気信号の伝送損失を低減することができる。したがって、導体パターン６１Ｂの配線部６１ｂは、高周波信号用の伝送線路として有効に使用することができる。また、金属被覆層１５により導体パターン６１Ｂの境界６１ｃおよびその近傍部分が連続的に覆われるので、金属被覆層１５の内部にカバー絶縁層４３の外部から空気、水または薬液等の流体が進入することが防止される。したがって、導体パターン６１Ｂの境界６１ｃおよびその近傍における腐食の発生が防止される。

なお、図３６の第５の構成例においては、図１０の第２の実施の形態の例と同様に、導体パターン６１Ｂの全体ではなく、導体パターン６１Ｂの配線部６１ｂの一部と端子部６１ａとを覆うように金属被覆層１５が形成されてもよい。また、図１８の例と同様に、導体パターン６１Ａの端子部６１ａとバリア層７０との間に金属被覆層１７が形成されてもよい。

図３７は、上下に積層された２つの導体パターンおよびそれらに対応する２つの接続端子の第６の構成例を示す断面図である。図３７（ａ）に、２つの導体パターン６１Ａ，６１Ｂの２つの接続端子およびそれらの周辺部材の縦断面図が示される。図３７（ｂ）に、図３７（ａ）のＣ６−Ｃ６線縦断面図が示される。以下、第６の構成例について、図３３の第２の構成例と異なる点を説明する。

図３７の第６の構成例においては、図３３の第２の構成例と同様に、下に位置する導体パターン６１Ａの配線部６１ｂの全体および端子部６１ａを覆うように金属被覆層１５が形成されている。上記のように、金属被覆層１５は、ニッケルの磁性よりも低い磁性を有する。

また、図３７の第６の構成例においては、図３６の第５の構成例と同様に、上に位置する導体パターン６１Ｂの配線部６１ｂの全体および端子部６１ａを覆うように金属被覆層１５が形成されている。

これらより、導体パターン６１Ａ，６１Ｂの配線部６１ｂでは、第１の実施の形態と同様に、高い周波数帯域における電気信号の伝送損失を低減することができる。したがって、導体パターン６１Ａ，６１Ｂの配線部６１ｂは、高周波信号用の伝送線路として有効に使用することができる。また、金属被覆層１５により導体パターン６１Ａ，６１Ｂの境界６１ｃおよびその近傍部分が連続的に覆われるので、導体パターン６１Ａ，６１Ｂの境界６１ｃおよびその近傍における腐食の発生が防止される。

なお、図３７の第６の構成例においては、図１０の第２の実施の形態の例と同様に、導体パターン６１Ａの全体ではなく、導体パターン６１Ａの配線部６１ｂの一部と端子部６１ａとを覆うように金属被覆層１５が形成されてもよい。また、導体パターン６１Ｂの全体ではなく、導体パターン６１Ｂの配線部６１ｂの一部と端子部６１ａとを覆うように金属被覆層１５が形成されてもよい。

（９）上記実施の形態において、配線回路基板は支持基板１０を含むサスペンション基板１であるが、本発明はこれに限定されない。配線回路基板は、例えば支持基板１０を含まないフレキシブル配線回路基板であってもよい。

（１０）上記実施の形態において、金属被覆層１５，１７は例えば電解めっき、無電解めっきまたはスパッタリングにより形成されるが、本発明はこれに限定されない。金属被覆層１５，１７は、セミアディティブ法またはサブトラクティブ法等の他の方法を用いて形成されてもよい。

また、上記実施の形態において、金属被覆層１６，１８は電解めっきにより形成されるが、本発明はこれに限定されない。金属被覆層１６，１８は、無電解めっき、スパッタリング、セミアディティブ法またはサブトラクティブ法等の他の方法を用いて形成されてもよい。

（１１）第１の実施の形態においては、第３の実施の形態と同様に、金属被覆層１５のうち導体パターン６１の端子部６１ａを覆う部分に図１１の金属被覆層１６が形成されてもよい。また、第４の実施の形態においては、第３の実施の形態と同様に、金属被覆層１７のうち導体パターン６１の端子部６１ａを覆う部分に図１１の金属被覆層１６が形成されてもよい。さらに、第５の実施の形態においては、第３の実施の形態と同様に、金属被覆層１８のうち導体パターン６１の端子部６１ａを覆う部分に図１１の金属被覆層１６が形成されてもよい。これらの場合、接続端子２１〜２６，３１〜３６の表面状態が整えられる。

（１２）第１〜第３の実施の形態においては、第５の実施の形態と同様に、金属被覆層１５の全体を覆うように図１４の金属被覆層１８が形成されてもよい。この場合、金属被覆層１８の材料としては、ニッケルの磁性よりも低い磁性を有する金属を用いる。

（１３）第４の実施の形態においては、複数の導体パターン６１の配線部６１ｂのうち両端部から延びるように金属被覆層１７が形成されるが、本発明は上記の例に限定されない。配線部６１ｂの全長に対するその配線部６１ｂを覆う金属被覆層１７の長さの割合が４０％以下になるのであれば、金属被覆層１７の一部がその配線部６１ｂの両端部に位置する金属被覆層１７の部分から分離して形成されてもよい。例えば、金属被覆層１７の一部が配線部６１ｂの中央部に形成されてもよい。

（１４）上記の第１〜第５の実施の形態に係るサスペンション基板は、基本的に、金属製の支持基板１０上にベース絶縁層４１、導体パターン６１およびカバー絶縁層４３がこの順で積層された構成を有するが、本発明はこれに限定されない。サスペンション基板は、上記の構成に加えて、支持基板１０とベース絶縁層４１との間に設けられる他の絶縁層および他の導体パターンをさらに備えてもよい（図３２〜図３７の第１〜第６の構成例参照）。そのサスペンション基板は、基本的に、金属製の支持基板１０上に、他の絶縁層、他の導体パターン、ベース絶縁層４１、導体パターン６１およびカバー絶縁層４３がこの順で積層された構成を有する。この場合、他の導体パターンについても、上記の実施の形態と同様に、配線部の少なくとも一部と端子部とが覆われるように金属被覆層１５，１７，１８のいずれかを形成してもよい。また、他の導体パターンの配線部が覆われるように他の絶縁層上にベース絶縁層４１を形成してもよい。それにより、他の導体パターンについても、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。

［７］請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。

上記実施の形態では、ベース絶縁層４１および絶縁層４１Ａ，４１Ｂが第１の絶縁層の例であり、導体パターン６１，６１Ａ，６１Ｂが導体パターンの例であり、端子部６１ａが端子部の例であり、配線部６１ｂが配線部の例であり、金属被覆層１５，１７，１８および金属被覆層１７と同じ材料からなるバリア層７０が第１の金属被覆層の例であり、カバー絶縁層４３および絶縁層４１Ｂが第２の絶縁層の例であり、金属被覆層１６が第２の金属被覆層の例であり、金属被覆層１７が第１の金属層の例であり、金属被覆層１８が第２の金属層の例であり、サスペンション基板１が配線回路基板の例である。

また、バリア層７０が端子バリア層の例であり、金層７１が端子表面層の例であり、導体パターン６１Ｂが上部導体パターンの例であり、導体パターン６１Ｂの端子部６１ａが上部端子部の例であり、導体パターン６１Ｂの配線部６１ｂが上部配線部の例であり、金属被覆層１５，１７および金属被覆層１７と同じ材料からなるバリア層７０が上部金属被覆層の例であり、カバー絶縁層４３が第３の絶縁層の例であり、絶縁層４１Ａが下部絶縁層の例であり、導体パターン６１Ａが下部導体パターンの例である。

請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。

［８］実施例および比較例
本発明者は、実施例１として第１の実施の形態に係るサスペンション基板１（図１および図５参照）と同じ構成を有するサスペンション基板を作成し、実施例２，３，４，５として第２の実施の形態に係るサスペンション基板（図１０参照）と同じ構成を有するサスペンション基板を作成した。実施例２，３，４，５においては、図１０（ｂ）の距離Ｌ１をそれぞれ３μｍ、５μｍ、１０μｍおよび５０μｍに設定した。

また、本発明者は、実施例６として第３の実施の形態に係るサスペンション基板（図１１参照）と同じ構成を有するサスペンション基板を作成した。実施例６においては、図１１（ｂ）の距離Ｌ１を５μｍに設定した。

さらに、本発明者は、実施例７，８，９，１０，１１，１２として第５の実施の形態に係るサスペンション基板と同じ構成を有するサスペンション基板（図１４参照）を作成した。実施例７，８，９，１０，１１，１２においては、図１４（ｂ）の距離Ｌ２をそれぞれ５μｍ、１０μｍ、５０μｍ、９５０μｍ、３８００μｍおよび７６００μｍに設定した。

また、実施例７〜１２においては、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２を構成する４本の配線部６１ｂの全長をそれぞれ３８ｍｍに設定した。配線部６１ｂの全長に対する金属被覆層１７により被覆される部分の長さの比率を強磁性被覆層占有率と呼ぶ。この場合、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２に関して、実施例７，８，９，１０，１１，１２の強磁性被覆層占有率は、それぞれ０．０３％、０．０５％、０．２６％、５％、２０％および４０％となる。一方、実施例１〜６の強磁性被覆層占有率は全て０％となる。

また、本発明者は、比較例１として第２の実施の形態に係るサスペンション基板と図１０（ｂ）の距離Ｌ１の設定値を除いて基本的に同じ構成を有するサスペンション基板を作成した。比較例１のサスペンション基板においては、図１０（ｂ）の距離Ｌ１を１μｍに設定した。

また、本発明者は比較例２として以下の構成を有するサスペンション基板を作成した。図３８は、比較例２のサスペンション基板の一部を示す平面図および断面図である。図３８（ａ），（ｂ）に、平面図および断面図がそれぞれ示される。図３８（ａ）の平面図は、第１の実施の形態の図３（ａ）の平面図に対応する。図３８（ｂ）の断面図は、図３８（ａ）のＫ−Ｋ線拡大断面図を示し、第１の実施の形態の図５（ａ）の断面図に対応する。

比較例２のサスペンション基板においても、第１の実施の形態と同様に、支持基板１０上にベース絶縁層４１が形成され、ベース絶縁層４１上に複数の導体パターン６１が形成される。複数の導体パターン６１の配線部６１ｂを覆うようにベース絶縁層４１上にカバー絶縁層４３が形成される（図４（ａ）参照）。図３８（ａ）では、カバー絶縁層４３の図示が省略されている。

図３８（ａ），（ｂ）に示すように、各導体パターン６１における配線部６１ｂの全体を覆うようにかつ端子部６１ａを覆わないように金属被覆層１７が形成される。端子部６１ａを覆うように金属被覆層１９が形成される。このように、比較例２のサスペンション基板においては、金属被覆層１７，１９の各々は、端子部６１ａの表面上から配線部６１ｂの表面上に連続して延びるように形成されていない。導体パターン６１における端子部６１ａと配線部６１ｂとの境界６１ｃに重なるように、金属被覆層１７と金属被覆層１９との境界が位置する。比較例２では、金属被覆層１７が配線部６１ｂの全体を覆うので、強磁性被覆層占有率は１００％となる。

上記の実施例１〜１２および比較例１，２のサスペンション基板においては、支持基板１０の材料としてステンレス鋼を用い、ベース絶縁層４１およびカバー絶縁層４３の材料としてポリイミドを用い、導体パターン６１の材料として銅を用いた。また、実施例１〜６および比較例１の金属被覆層１５、実施例６の金属被覆層１６、ならびに実施例７〜１２の金属被覆層１８の材料として金を用いた。また、実施例７〜１２および比較例２の金属被覆層１７の材料としてニッケルを用い、比較例２の金属被覆層１９の材料として金を用いた。

本発明者は、実施例１〜１２および比較例１，２について、電気的特性の評価を行うために、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２により電気信号が伝送されるときの透過特性を表すパラメータＳＤＤ２１を測定した。パラメータＳＤＤ２１は、差動モード入力および差動モード出力での減衰量を示す。

図３９は、実施例１０，１１，１２および比較例２についてのパラメータＳＤＤ２１の測定結果を示す図である。図３９において、縦軸はパラメータＳＤＤ２１［ｄＢ］を表し、横軸は電気信号の周波数［ＧＨｚ］を表す。また、図３９において、実施例１０，１１，１２についての測定結果をそれぞれ実線、一点鎖線および太い実線で示し、比較例２についての測定結果を点線で示す。

図３９の測定結果によれば、実施例１０，１１，１２のサスペンション基板は、４．５ＧＨｚ以上の周波数の信号が伝送される場合でも、パラメータＳＤＤ２１（減衰量）が−３ｄＢ（５０％）以上に保たれる、すなわち高周波帯域の減衰量が小さいことがわかる。一方、比較例２のサスペンション基板は、４．５ＧＨｚ以上の周波数の信号が伝送される場合に、パラメータＳＤＤ２１（減衰量）が−３ｄＢ（５０％）よりも低くなる、すなわち高周波帯域の減衰量が大きいことがわかる。

実施例１〜１２および比較例１について上記の測定を行った結果、いずれのサスペンション基板においても４．５ＧＨｚ以上の周波数の信号が伝送される場合に、パラメータＳＤＤ２１が−３ｄＢ以上に保たれることがわかった。すなわち、高周波帯域における電気信号の伝送損失が低減されることがわかった。一方、比較例２については、４．５ＧＨｚ以上の周波数の信号が伝送される場合に、パラメータＳＤＤ２１が−３ｄＢよりも低くなることがわかった。すなわち、高周波帯域では、電気信号の伝送損失が高くなることがわかった。

実施例１〜１２および比較例１のサスペンション基板は、強磁性被覆層占有率が４０％以下である。したがって、配線部６１ｂの全長の少なくとも６０％以上の範囲で配線部６１ｂとカバー絶縁層４３との間にニッケルが存在しないことにより、電気信号の伝送損失が低減されることがわかった。

また、上記の測定の結果、実施例１〜１１および比較例１については、いずれのサスペンション基板においても５ＧＨｚ以上の周波数の信号が伝送される場合に、パラメータＳＤＤ２１が−３ｄＢ以上に保たれることがわかった。すなわち、高周波帯域における電気信号の伝送損失がより低減されることがわかった。したがって、強磁性被覆層占有率は２０％以下に設定されることが好ましい。

本発明者は、実施例１〜１２および比較例１，２について、カバー絶縁層４３と導体パターン６１の配線部６１ｂとの密着性の評価を行った。具体的には、本発明者は、導体パターン６１における端子部６１ａと配線部６１ｂとの境界６１ｃ近傍において、カバー絶縁層４３の端部と導体パターン６１との間に大きな空隙が発生していないかについて確認した。

その結果、実施例１〜１２および比較例２については、カバー絶縁層４３の端部と配線部６１ｂとの間に大きな空隙は発生していなかった。一方、比較例１については、カバー絶縁層４３の端部と導体パターン６１との間に大きな空隙が発生していた。これらの結果、配線部６１ｂ上で金属被覆層１５，１７，１８のいずれかが導体パターン６１の境界６１ｃ上の位置から３μｍ以上離れた位置まで延びるように形成されることにより、カバー絶縁層４３と配線部６１ｂとの間の密着性が向上することがわかった。

本発明者は、実施例１〜１２および比較例１，２について、各導体パターン６１の端子部６１ａと配線部６１ｂとの境界６１ｃおよびその近傍における腐食の有無を確認した。

その結果、実施例１〜１２については、導体パターン６１に腐食は発生していなかった。一方、比較例１，２については、導体パターン６１に腐食が発生していた。比較例１のサスペンション基板においては、カバー絶縁層４３と導体パターン６１との間に形成された空隙を通してカバー絶縁層４３の内部に空気、水または薬液等の流体が進入したと考えられる。一方、比較例２のサスペンション基板においては、金属被覆層１７，１９の境界を通して金属被覆層１７，１９の内部に空気、水または薬液等の流体が進入したと考えられる。

これらの結果、配線部６１ｂを覆う金属被覆層１５，１７，１８のいずれかが境界６１ｃ上の位置から３μｍ以上離れた位置まで延びるように形成されるとともに、金属被覆層１５，１７，１８のうちのいずれかが、端子部６１ａの表面上から配線部６１ｂの表面上に連続して延びるように形成されることにより、導体パターン６１における腐食の発生を防止できることがわかった。

下記表１に、実施例１〜１２および比較例１，２についての電気的特性の評価結果、密着性の評価結果、および腐食の有無の確認結果を示す。なお、表１では、各評価結果とともに、配線部６１ｂの一端を覆う金属被覆層１５，１７，１８の長さ（境界６１ｃからの距離）が示される。また、カバー絶縁層４３に接触する金属被覆層１５，１７，１８が端子部６１ａの表面上から配線部６１ｂの表面上に連続して延びるか否かが示される。さらに、表１では、強磁性被覆層占有率も示される。

表１の電気的特性の評価結果においては、パラメータＳＤＤ２１が−３ｄＢ（５０％）を示すときの周波数が５．０ＧＨｚ以上であったサスペンション基板を「◎」で表す。また、パラメータＳＤＤ２１が−３ｄＢ（５０％）を示すときの周波数が４．５ＧＨｚ以上５．０ＧＨｚ未満であったサスペンション基板を「○」で表し、パラメータＳＤＤ２１が−３ｄＢ（５０％）を示すときの周波数が４．５ＧＨｚ未満であったサスペンション基板を「×」で表す。

表１のカバー絶縁層４３の密着性の評価結果においては、カバー絶縁層４３と導体パターン６１との間で大きな空隙が発生していなかったサスペンション基板を「○」で表し、大きな空隙が発生していたサスペンション基板を「×」で表す。

表１の導体パターン６１の信頼性の評価結果においては、導体パターン６１に腐食が発生していなかったサスペンション基板を「○」で表し、腐食が発生していたサスペンション基板を「×」で表す。

［９］参考形態
（１）第１の参考形態に係る配線回路基板は、第１の絶縁層と、第１の絶縁層上に形成され、端子部と端子部から延びる配線部とを有する導体パターンと、配線部と端子部とを覆うとともに端子部の表面上から配線部の表面上に連続して延びるように設けられる第１の金属被覆層と、第１の金属被覆層のうち配線部を覆う部分を覆うとともに第１の金属被覆層のうち端子部を覆う部分を覆わないように第１の絶縁層上に設けられる第２の絶縁層とを備え、第１の金属被覆層は、配線部に接触し、第２の絶縁層は、第１の金属被覆層のうち配線部を覆う部分に接触し、第１の金属被覆層は、ニッケルの磁性よりも低い磁性を有する。
その配線回路基板においては、配線部を覆うように第１の金属被覆層が設けられ、第１の金属被覆層のうち配線部を覆う部分を覆うように第２の絶縁層が設けられる。第１の金属被覆層は配線部に接触し、第２の絶縁層は第１の金属被覆層のうち配線部を覆う部分に接触する。この場合、配線部と第２の絶縁層との間には、ニッケルの磁性以上の磁性を有する層が存在しない。それにより、高い周波数帯域においても電気信号の伝送損失を低減することができる。
また、第２の絶縁層が第１の金属被覆層のうち配線部を覆う部分に接触することにより、第２の絶縁層と配線部との間の密着性が向上する。さらに、第１の金属被覆層は、端子部の表面上から配線部の表面上に連続して延びるように形成される。それにより、第１の金属被覆層の内部に第２の絶縁層の外部から空気、水または薬液等の流体が進入することが防止される。したがって、導体パターンにおける端子部と配線部との境界およびその近傍に腐食が発生することが防止される。
（２）第２の参考形態に係る配線回路基板は、第１の絶縁層と、第１の絶縁層上に形成され、端子部と端子部から延びる配線部とを有する導体パターンと、配線部の一部と端子部とを覆うとともに端子部の表面上から配線部の表面上に連続して延びるように設けられる第１の金属被覆層と、第１の金属被覆層のうち配線部の一部を覆う部分と配線部のうち第１の金属被覆層により覆われない他の部分とを覆うとともに第１の金属被覆層のうち端子部を覆う部分を覆わないように第１の絶縁層上に設けられる第２の絶縁層とを備え、第１の金属被覆層は、配線部の一部に接触するとともに配線部の表面上で端子部と配線部との境界上の位置から３μｍ以上離れた位置まで延び、第２の絶縁層は、第１の金属被覆層のうち配線部を覆う部分に接触するとともに配線部の他の部分に接触し、第１の金属被覆層は、ニッケルの磁性よりも低い磁性を有する。
その配線回路基板においては、配線部の一部と端子部とを覆うように第１の金属被覆層が設けられ、第１の金属被覆層のうち配線部の一部を覆う部分と配線部のうち第１の金属被覆層により覆われない他の部分とを覆うように第２の絶縁層が設けられる。第１の金属被覆層は配線部の一部に接触し、第２の絶縁層は第１の金属被覆層のうち配線部を覆う部分に接触するとともに配線部の他の部分に接触する。この場合、配線部と第２の絶縁層との間には、ニッケルの磁性以上の磁性を有する層が存在しない。それにより、高い周波数帯域においても電気信号の伝送損失を低減することができる。
また、第２の絶縁層は第１の金属被覆層のうち配線部を覆う部分に接触し、第１の金属被覆層は配線部の表面上で端子部と配線部との境界上の位置から３μｍ以上離れた位置まで延びる。それにより、導体パターンにおける端子部と配線部との境界の近傍において、第２の絶縁層と配線部との間の密着性が向上する。さらに、第１の金属被覆層は、端子部の表面上から配線部の表面上に連続して延びるように形成される。それにより、第１の金属被覆層の内部に第２の絶縁層の外部から空気、水または薬液等の流体が進入することが防止される。したがって、導体パターンにおける端子部と配線部との境界およびその近傍に腐食が発生することが防止される。
（３）第３の参考形態に係る配線回路基板は、第１の絶縁層と、第１の絶縁層上に形成され、端子部と端子部から延びる配線部とを有する導体パターンと、配線部の一部と端子部とを覆うとともに端子部の表面上から配線部の表面上に連続して延びるように設けられる第１の金属被覆層と、第１の金属被覆層のうち配線部の一部を覆う部分と配線部のうち第１の金属被覆層により覆われない他の部分とを覆うとともに第１の金属被覆層のうち端子部を覆う部分を覆わないように第１の絶縁層上に設けられる第２の絶縁層とを備え、第１の金属被覆層は、配線部の一部に接触するとともに配線部の表面上で端子部と配線部との境界上の位置から３μｍ以上離れた位置まで延び、第２の絶縁層は、第１の金属被覆層のうち配線部を覆う部分に接触するとともに配線部の他の部分に接触し、配線部の全長に対する配線部の一部を覆う第１の金属被覆層の長さの割合は４０％以下である。
その配線回路基板においては、配線部の一部と端子部とを覆うように第１の金属被覆層が設けられ、第１の金属被覆層のうち配線部の一部を覆う部分と配線部のうち第１の金属被覆層により覆われない他の部分とを覆うように第２の絶縁層が設けられる。第１の金属被覆層は配線部の一部に接触し、第２の絶縁層は第１の金属被覆層のうち配線部を覆う部分に接触するとともに配線部の他の部分に接触する。
ここで、配線部の全長に対する配線部の一部を覆う第１の金属被覆層の長さの割合は４０％以下である。この場合、配線部の全長に対して６０％以上の長さの範囲において、配線部と第２の絶縁層との間には、ニッケルの磁性以上の磁性を有する層が存在しない。それにより、高い周波数帯域においても電気信号の伝送損失を低減することができる。
また、第２の絶縁層は第１の金属被覆層のうち配線部を覆う部分に接触し、第１の金属被覆層は配線部の表面上で端子部と配線部との境界上の位置から３μｍ以上離れた位置まで延びる。それにより、導体パターンにおける端子部と配線部との境界の近傍において、第２の絶縁層と配線部との間の密着性が向上する。さらに、第１の金属被覆層は、端子部の表面上から配線部の表面上に連続して延びるように形成される。それにより、第１の金属被覆層の内部に第２の絶縁層の外部から空気、水または薬液等の流体が進入することが防止される。したがって、導体パターンにおける端子部と配線部との境界およびその近傍に腐食が発生することが防止される。
（４）第１の金属被覆層は、配線部の表面上で端子部と配線部との境界上の位置から５μｍ以上離れた位置まで延びてもよい。
この場合、導体パターンにおける端子部と配線部との境界の近傍において、第２の絶縁層と配線部との間の密着性がより向上する。
（５）第１の金属被覆層は、金、銀、クロム、錫および白金のうち少なくとも１種類の金属を含んでもよい。
この場合、配線回路基板の用途に応じて、第１の金属被覆層としてより適切な金属を使用することができる。
（６）第１の金属被覆層は、ニッケル、金、銀、クロム、錫および白金のうち少なくとも１種類の金属を含んでもよい。
この場合、配線回路基板の用途に応じて、第１の金属被覆層としてより適切な金属を使用することができる。
（７）配線回路基板は、第１の金属被覆層のうち端子部を覆う部分を覆う第２の金属被覆層をさらに備えてもよい。
この場合、導体パターンの端子部、第１の金属被覆層および第２の金属被覆層により接続端子を形成することができる。それにより、接続端子の表面状態を第２の金属被覆層により整えることができる。
（８）第１の金属被覆層の少なくとも一部は、互いに積層された第１および第２の金属層により構成されてもよい。
この場合、配線回路基板における第１の金属被覆層の構成の自由度が向上する。
（９）配線回路基板は、第１の金属被覆層のうち端子部を覆う部分を覆う端子バリア層と、端子バリア層を覆う端子表面層とをさらに備え、導体パターンは、銅を含み、端子表面層は、金を含み、端子バリア層は、ニッケルまたはパラジウムを含んでもよい。
この場合、導体パターンから端子表面層への銅の成分の拡散が端子バリア層により抑制される。それにより、端子表面層の金に銅の成分が拡散することによる端子表面層の耐食性および濡れ性の低下が抑制される。
（１０）配線回路基板は、第１の金属被覆層のうち端子部を覆う部分を覆うようにかつ導体パターンに接触しないように形成された端子表面層をさらに備え、導体パターンは、銅を含み、端子表面層は、金を含み、第１の金属被覆層は、ニッケルを含んでもよい。
この場合、導体パターンから端子表面層への銅の成分の拡散が第１の金属被覆層により抑制される。それにより、端子表面層の金に銅の成分が拡散することによる端子表面層の耐食性および濡れ性の低下が抑制される。
（１１）配線回路基板は、第２の絶縁層上に形成される上部導体パターンをさらに備え、上部導体パターンの少なくとも一部は、導体パターンに重なってもよい。これにより、導体パターンと上部導体パターンの少なくとも一部とが上下に積層されるので、配線回路基板の小型化が実現されるとともに、配線回路基板の設計の自由度が向上する。
（１２）配線回路基板は、第２の絶縁層上に形成され、上部端子部と上部端子部から延びる上部配線部とを有する上部導体パターンと、上部配線部の一部と上部端子部とを覆うとともに上部端子部の表面上から上部配線部の表面上に連続して延びるように設けられる上部金属被覆層と、上部金属被覆層のうち上部配線部の一部を覆う部分と上部配線部のうち上部金属被覆層により覆われない他の部分とを覆うとともに上部金属被覆層のうち上部端子部を覆う部分を覆わないように第２の絶縁層上に設けられる第３の絶縁層とをさらに備え、上部導体パターンの少なくとも一部は、導体パターンに重なり、上部金属被覆層は、上部配線部の一部に接触するとともに上部配線部の表面上で上部端子部と上部配線部との境界上の位置から３μｍ以上離れた位置まで延び、第３の絶縁層は、上部金属被覆層のうち上部配線部を覆う部分に接触するとともに上部配線部の他の部分に接触し、上部配線部の全長に対する上部配線部の一部を覆う上部金属被覆層の長さの割合は４０％以下であってもよい。
この場合、上部配線部の全長に対して６０％以上の長さの範囲において、上部配線部と第３の絶縁層との間には、ニッケルの磁性以上の磁性を有する層が存在しない。それにより、導体パターンおよび上部導体パターンに関して、高い周波数帯域においても電気信号の伝送損失を低減することができる。
また、第３の絶縁層は上部金属被覆層のうち上部配線部を覆う部分に接触している。上部金属被覆層は、上部端子部の表面上から上部配線部の表面上に連続して延びるとともに、上部配線部の表面上で上部端子部と上部配線部との境界上の位置から３μｍ以上離れた位置まで延びている。それにより、上部導体パターンにおける上部端子部と上部配線部との境界およびその近傍に腐食が発生することが防止される。
さらに、導体パターンと上部導体パターンの少なくとも一部とが上下に積層されるので、配線回路基板の小型化が実現されるとともに、配線回路基板の設計の自由度が向上する。
（１３）配線回路基板は、第２の絶縁層上に形成され、上部端子部と上部端子部から延びる上部配線部とを有する上部導体パターンと、上部配線部と上部端子部とを覆うとともに上部端子部の表面上から上部配線部の表面上に連続して延びるように設けられる上部金属被覆層と、上部金属被覆層のうち上部配線部を覆う部分を覆うとともに上部金属被覆層のうち上部端子部を覆う部分を覆わないように第２の絶縁層上に設けられる第３の絶縁層とをさらに備え、上部導体パターンの少なくとも一部は、導体パターンに重なり、上部金属被覆層は、上部配線部に接触し、第３の絶縁層は、上部金属被覆層のうち上部配線部を覆う部分に接触し、上部金属被覆層は、ニッケルの磁性よりも低い磁性を有してもよい。
この場合、上部配線部と第３の絶縁層との間には、ニッケルの磁性以上の磁性を有する層が存在しない。それにより、高い周波数帯域においても電気信号の伝送損失を低減することができる。
また、第３の絶縁層が上部金属被覆層のうち上部配線部を覆う部分に接触し、上部金属被覆層は上部端子部の表面上から上部配線部の表面上に連続して延びる。それにより、上部導体パターンにおける上部端子部と上部配線部との境界およびその近傍に腐食が発生することが防止される。
さらに、導体パターンと上部導体パターンの少なくとも一部とが上下に積層されるので、配線回路基板の小型化が実現されるとともに、配線回路基板の設計の自由度が向上する。
（１４）配線回路基板は、第２の絶縁層上に形成され、上部端子部と上部端子部から延びる上部配線部とを有する上部導体パターンと、上部配線部の一部と上部端子部とを覆うとともに上部端子部の表面上から上部配線部の表面上に連続して延びるように設けられる上部金属被覆層と、上部金属被覆層のうち上部配線部の一部を覆う部分と上部配線部のうち上部金属被覆層により覆われない他の部分とを覆うとともに上部金属被覆層のうち上部端子部を覆う部分を覆わないように第２の絶縁層上に設けられる第３の絶縁層とをさらに備え、上部導体パターンの少なくとも一部は、導体パターンに重なり、上部金属被覆層は、上部配線部の一部に接触するとともに上部配線部の表面上で上部端子部と上部配線部との境界上の位置から３μｍ以上離れた位置まで延び、第３の絶縁層は、上部金属被覆層のうち上部配線部を覆う部分に接触するとともに上部配線部の他の部分に接触し、上部金属被覆層は、ニッケルの磁性よりも低い磁性を有してもよい。
この場合、上部配線部と第３の絶縁層との間には、ニッケルの磁性以上の磁性を有する層が存在しない。それにより、高い周波数帯域においても電気信号の伝送損失を低減することができる。
また、第３の絶縁層は上部金属被覆層のうち上部配線部を覆う部分に接触している。上部金属被覆層は、上部端子部の表面上から上部配線部の表面上に連続して延びるとともに、上部配線部の表面上で上部端子部と上部配線部との境界上の位置から３μｍ以上離れた位置まで延びている。それにより、上部導体パターンにおける上部端子部と上部配線部との境界およびその近傍に腐食が発生することが防止される。
さらに、導体パターンと上部導体パターンの少なくとも一部とが上下に積層されるので、配線回路基板の小型化が実現されるとともに、配線回路基板の設計の自由度が向上する。
（１５）配線回路基板は、下部絶縁層と、下部絶縁層上に形成された下部導体パターンとをさらに備え、第１の絶縁層は、下部導体パターンの少なくとも一部を覆うように下部絶縁層上に形成され、導体パターンの少なくとも一部は、下部導体パターンに重なってもよい。これにより、導体パターンと下部導体パターンの少なくとも一部とが上下に積層されるので、配線回路基板の小型化が実現されるとともに、配線回路基板の設計の自由度が向上する。
（１６）第４の参考形態に係る配線回路基板の製造方法は、端子部と端子部から延びる配線部とを有する導体パターンを第１の絶縁層上に形成する工程と、配線部と端子部とを覆うとともに端子部の表面上から配線部の表面上に連続して延びるようにかつ配線部に接触するように、ニッケルの磁性よりも低い磁性を有する金属を用いて金属被覆層を形成する工程と、金属被覆層のうち配線部を覆う部分を覆うとともに金属被覆層のうち端子部を覆う部分を覆わないようにかつ金属被覆層のうち配線部を覆う部分に接触するように第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成する工程とを含む。
その配線回路基板の製造方法においては、配線部を覆うように金属被覆層が設けられ、金属被覆層のうち配線部を覆う部分を覆うように第２の絶縁層が設けられる。金属被覆層は配線部に接触し、第２の絶縁層は金属被覆層のうち配線部を覆う部分に接触する。この場合、配線部と第２の絶縁層との間には、ニッケルの磁性以上の磁性を有する層が存在しない。それにより、高い周波数帯域においても電気信号の伝送損失を低減することができる。
また、第２の絶縁層が金属被覆層のうち配線部を覆う部分に接触することにより、第２の絶縁層と配線部との間の密着性が向上する。さらに、金属被覆層は、端子部の表面上から配線部の表面上に連続して延びるように形成される。それにより、金属被覆層の内部に第２の絶縁層の外部から空気、水または薬液等の流体が進入することが防止される。したがって、導体パターンにおける端子部と配線部との境界およびその近傍に腐食が発生することが防止される。
（１７）第５の参考形態に係る配線回路基板の製造方法は、端子部と端子部から延びる配線部とを有する導体パターンを第１の絶縁層上に形成する工程と、配線部の一部と端子部とを覆うとともに端子部の表面上から配線部の表面上に連続して延びるようにかつ配線部の一部に接触するように、ニッケルの磁性よりも低い磁性を有する金属を用いて金属被覆層を形成する工程と、金属被覆層のうち配線部の一部を覆う部分と配線部のうち金属被覆層により覆われない他の部分とを覆うとともに金属被覆層のうち端子部を覆う部分を覆わないようにかつ金属被覆層のうち配線部を覆う部分に接触するとともに配線部の他の部分に接触するように第２の絶縁層を第１の絶縁層上に形成する工程とを含み、金属被覆層を形成する工程において、金属被覆層は、配線部の表面上で端子部と配線部との境界上の位置から３μｍ以上離れた位置まで延びるように形成される。
その配線回路基板の製造方法においては、配線部の一部と端子部とを覆うように金属被覆層が設けられ、金属被覆層のうち配線部の一部を覆う部分と配線部のうち金属被覆層により覆われない他の部分とを覆うように第２の絶縁層が設けられる。金属被覆層は配線部の一部に接触し、第２の絶縁層は金属被覆層のうち配線部を覆う部分に接触するとともに配線部の他の部分に接触する。この場合、配線部と第２の絶縁層との間には、ニッケルの磁性以上の磁性を有する層が存在しない。それにより、高い周波数帯域においても電気信号の伝送損失を低減することができる。
また、第２の絶縁層は金属被覆層のうち配線部を覆う部分に接触し、金属被覆層は配線部の表面上で端子部と配線部との境界上の位置から３μｍ以上離れた位置まで延びる。それにより、導体パターンにおける端子部と配線部との境界の近傍において、第２の絶縁層と配線部との間の密着性が向上する。さらに、金属被覆層は、端子部の表面上から配線部の表面上に連続して延びるように形成される。それにより、金属被覆層の内部に第２の絶縁層の外部から空気、水または薬液等の流体が進入することが防止される。したがって、導体パターンにおける端子部と配線部との境界およびその近傍に腐食が発生することが防止される。
（１８）第６の参考形態に係る配線回路基板の製造方法は、端子部と端子部から延びる配線部とを有する導体パターンを第１の絶縁層上に形成する工程と、配線部の一部と端子部とを覆うとともに端子部の表面上から配線部の表面上に連続して延びるようにかつ配線部の一部に接触するように金属被覆層を形成する工程と、金属被覆層のうち配線部の一部を覆う部分と配線部のうち金属被覆層により覆われない他の部分とを覆うとともに金属被覆層のうち端子部を覆う部分を覆わないようにかつ金属被覆層のうち配線部を覆う部分に接触するとともに配線部のうち他の部分に接触するように第２の絶縁層を第１の絶縁層上に形成する工程とを含み、金属被覆層を形成する工程において、金属被覆層は、配線部の表面上で端子部と配線部との境界上の位置から３μｍ以上離れた位置まで延びるように形成され、配線部の一部を覆う金属被覆層の長さの配線部の全長に対する割合は４０％以下に設定される。
その配線回路基板の製造方法においては、配線部の一部と端子部とを覆うように金属被覆層が設けられ、金属被覆層のうち配線部の一部を覆う部分と配線部のうち金属被覆層により覆われない他の部分とを覆うように第２の絶縁層が設けられる。金属被覆層は配線部の一部に接触し、第２の絶縁層は金属被覆層のうち配線部を覆う部分に接触するとともに配線部の他の部分に接触する。
ここで、配線部の全長に対する配線部の一部を覆う金属被覆層の長さの割合は４０％以下である。この場合、配線部の全長に対して６０％以上の長さにおいて、配線部と第２の絶縁層との間には、ニッケルの磁性以上の磁性を有する層が存在しない。それにより、高い周波数帯域においても電気信号の伝送損失を低減することができる。
また、第２の絶縁層は金属被覆層のうち配線部を覆う部分に接触し、金属被覆層は配線部の表面上で端子部と配線部との境界上の位置から３μｍ以上離れた位置まで延びる。それにより、導体パターンにおける端子部と配線部との境界の近傍において、第２の絶縁層と配線部との間の密着性が向上する。さらに、金属被覆層は、端子部の表面上から配線部の表面上に連続して延びるように形成される。それにより、金属被覆層の内部に第２の絶縁層の外部から空気、水または薬液等の流体が進入することが防止される。したがって、導体パターンにおける端子部と配線部との境界およびその近傍に腐食が発生することが防止される。

本発明は、種々の配線回路基板に有効に利用することができる。

１ サスペンション基板
１０ 支持基板
１０ａ 支持層
１０ｘ，１０ｙ，１１，４１ｘ，４１ｙ，４３ｘ 開口部
１２ タング部
１５，１６，１７，１８，１９ 金属被覆層
２１，２２，２３，２４，２５，２６，３１，３２，３３，３４，３５，３６ 接続端子
４１ ベース絶縁層
４１Ａ，４１Ｂ 絶縁層
４１ｕ，４１ｖ 凹部
４３ カバー絶縁層
５０ 支持プレート
５１ 前端領域
５２ 後端領域
５３ 中央領域
５４ 圧電素子実装領域
５４ｈ 貫通孔
６１，６１Ａ，６１Ｂ 導体パターン
６１ａ 端子部
６１ｂ 配線部
６１ｃ 境界
７０ バリア層
７１ 金層
９１，９２ 圧電素子
１００ サスペンション本体部
Ｈ 孔部
Ｐ１，Ｐ２ 電源用配線パターン
Ｒ１，Ｒ２ 読取用配線パターン
Ｗ１，Ｗ２ 書込用配線パターン

Claims (23)

1. 第１の絶縁層と、
   前記第１の絶縁層上に形成され、端子部と前記端子部から延びる配線部とを有する導体パターンと、
   前記配線部と前記端子部とを覆うとともに前記端子部の表面上から前記配線部の表面上に連続して延びるように設けられる第１の金属被覆層と、
   前記第１の金属被覆層のうち前記配線部を覆う部分を覆うとともに前記第１の金属被覆層のうち前記端子部を覆う部分を覆わないように前記第１の絶縁層上に設けられる第２の絶縁層と、
   前記第１の金属被覆層のうち前記端子部を覆う部分を覆う第２の金属被覆層とを備え、
   前記第１の金属被覆層は、前記配線部に接触し、
   前記第２の絶縁層は、前記第１の金属被覆層のうち前記配線部を覆う部分に接触し、
   前記第１の金属被覆層は、ニッケルと同程度の磁気特性を有する強磁性体ではない、配線回路基板。
2. 第１の絶縁層と、
   前記第１の絶縁層上に形成され、端子部と前記端子部から延びる配線部とを有する導体パターンと、
   前記配線部の一部と前記端子部とを覆うとともに前記端子部の表面上から前記配線部の表面上に連続して延びるように設けられる第１の金属被覆層と、
   前記第１の金属被覆層のうち前記配線部の前記一部を覆う部分と前記配線部のうち前記第１の金属被覆層により覆われない他の部分とを覆うとともに前記第１の金属被覆層のうち前記端子部を覆う部分を覆わないように前記第１の絶縁層上に設けられる第２の絶縁層と、
   前記第１の金属被覆層のうち前記端子部を覆う部分を覆う第２の金属被覆層とを備え、
   前記第１の金属被覆層は、前記配線部の前記一部に接触するとともに前記配線部の表面上で前記端子部と前記配線部との境界上の位置から３μｍ以上離れた位置まで延び、
   前記第２の絶縁層は、前記第１の金属被覆層のうち前記配線部を覆う部分に接触するとともに前記配線部の前記他の部分に接触し、
   前記第１の金属被覆層は、ニッケルと同程度の磁気特性を有する強磁性体ではない、配線回路基板。
3. 第１の絶縁層と、
   前記第１の絶縁層上に形成され、端子部と前記端子部から延びる配線部とを有する導体パターンと、
   前記配線部の一部と前記端子部とを覆うとともに前記端子部の表面上から前記配線部の表面上に連続して延びるように設けられる第１の金属被覆層と、
   前記第１の金属被覆層のうち前記配線部の前記一部を覆う部分と前記配線部のうち前記第１の金属被覆層により覆われない他の部分とを覆うとともに前記第１の金属被覆層のうち前記端子部を覆う部分を覆わないように前記第１の絶縁層上に設けられる第２の絶縁層と、
   前記第１の金属被覆層のうち前記端子部を覆う部分を覆う第２の金属被覆層とを備え、
   前記第１の金属被覆層は、前記配線部の前記一部に接触するとともに前記配線部の表面上で前記端子部と前記配線部との境界上の位置から３μｍ以上離れた位置まで延び、
   前記第２の絶縁層は、前記第１の金属被覆層のうち前記配線部を覆う部分に接触するとともに前記配線部の前記他の部分に接触し、
   前記配線部の全長に対する前記配線部の前記一部を覆う前記第１の金属被覆層の長さの割合は４０％以下である、配線回路基板。
4. 前記第１の金属被覆層は、前記配線部の表面上で前記端子部と前記配線部との境界上の位置から５μｍ以上離れた位置まで延びる、請求項２または３記載の配線回路基板。
5. 前記第１の金属被覆層は、金、銀、クロム、錫および白金のうち少なくとも１種類の金属を含む、請求項１または２記載の配線回路基板。
6. 前記第１の金属被覆層は、ニッケル、金、銀、クロム、錫および白金のうち少なくとも１種類の金属を含む、請求項３記載の配線回路基板。
7. 前記第１の金属被覆層の少なくとも一部は、互いに積層された第１および第２の金属層により構成される、請求項１〜６のいずれか一項に記載の配線回路基板。
8. 第１の絶縁層と、
   前記第１の絶縁層上に形成され、端子部と前記端子部から延びる配線部とを有する導体パターンと、
   前記配線部と前記端子部とを覆うとともに前記端子部の表面上から前記配線部の表面上に連続して延びるように設けられる金属被覆層と、
   前記金属被覆層のうち前記配線部を覆う部分を覆うとともに前記金属被覆層のうち前記端子部を覆う部分を覆わないように前記第１の絶縁層上に設けられる第２の絶縁層と、
   前記金属被覆層のうち前記端子部を覆う部分を覆う端子バリア層と、
   前記端子バリア層を覆う端子表面層とを備え、
   前記金属被覆層は、前記配線部に接触し、
   前記第２の絶縁層は、前記金属被覆層のうち前記配線部を覆う部分に接触し、
   前記金属被覆層は、ニッケルと同程度の磁気特性を有する強磁性体ではなく、
   前記導体パターンは、銅を含み、
   前記端子表面層は、金を含み、
   前記端子バリア層は、ニッケルまたはパラジウムを含む、配線回路基板。
9. 第１の絶縁層と、
   前記第１の絶縁層上に形成され、端子部と前記端子部から延びる配線部とを有する導体パターンと、
   前記配線部の一部と前記端子部とを覆うとともに前記端子部の表面上から前記配線部の表面上に連続して延びるように設けられる金属被覆層と、
   前記金属被覆層のうち前記配線部の前記一部を覆う部分と前記配線部のうち前記金属被覆層により覆われない他の部分とを覆うとともに前記金属被覆層のうち前記端子部を覆う部分を覆わないように前記第１の絶縁層上に設けられる第２の絶縁層と、
   前記金属被覆層のうち前記端子部を覆う部分を覆う端子バリア層と、
   前記端子バリア層を覆う端子表面層とを備え、
   前記金属被覆層は、前記配線部の前記一部に接触するとともに前記配線部の表面上で前記端子部と前記配線部との境界上の位置から３μｍ以上離れた位置まで延び、
   前記第２の絶縁層は、前記金属被覆層のうち前記配線部を覆う部分に接触するとともに前記配線部の前記他の部分に接触し、
   前記金属被覆層は、ニッケルと同程度の磁気特性を有する強磁性体ではなく、
   前記導体パターンは、銅を含み、
   前記端子表面層は、金を含み、
   前記端子バリア層は、ニッケルまたはパラジウムを含む、配線回路基板。
10. 第１の絶縁層と、
    前記第１の絶縁層上に形成され、端子部と前記端子部から延びる配線部とを有する導体パターンと、
    前記配線部の一部と前記端子部とを覆うとともに前記端子部の表面上から前記配線部の表面上に連続して延びるように設けられる金属被覆層と、
    前記金属被覆層のうち前記配線部の前記一部を覆う部分と前記配線部のうち前記金属被覆層により覆われない他の部分とを覆うとともに前記金属被覆層のうち前記端子部を覆う部分を覆わないように前記第１の絶縁層上に設けられる第２の絶縁層と、
    前記金属被覆層のうち前記端子部を覆う部分を覆う端子バリア層と、
    前記端子バリア層を覆う端子表面層とを備え、
    前記金属被覆層は、前記配線部の前記一部に接触するとともに前記配線部の表面上で前記端子部と前記配線部との境界上の位置から３μｍ以上離れた位置まで延び、
    前記第２の絶縁層は、前記金属被覆層のうち前記配線部を覆う部分に接触するとともに前記配線部の前記他の部分に接触し、
    前記配線部の全長に対する前記配線部の前記一部を覆う前記金属被覆層の長さの割合は４０％以下であり、
    前記導体パターンは、銅を含み、
    前記端子表面層は、金を含み、
    前記端子バリア層は、ニッケルまたはパラジウムを含む、配線回路基板。
11. 第１の絶縁層と、
    前記第１の絶縁層上に形成され、端子部と前記端子部から延びる配線部とを有する導体パターンと、
    前記配線部の一部と前記端子部とを覆うとともに前記端子部の表面上から前記配線部の表面上に連続して延びるように設けられる金属被覆層と、
    前記金属被覆層のうち前記配線部の前記一部を覆う部分と前記配線部のうち前記金属被覆層により覆われない他の部分とを覆うとともに前記金属被覆層のうち前記端子部を覆う部分を覆わないように前記第１の絶縁層上に設けられる第２の絶縁層と、
    前記金属被覆層のうち前記端子部を覆う部分を覆うとともに前記金属被覆層のうち前記配線部を覆う部分を覆わないようにかつ前記導体パターンに接触しないように形成された端子表面層とを備え、
    前記金属被覆層は、前記配線部の前記一部に接触するとともに前記配線部の表面上で前記端子部と前記配線部との境界上の位置から３μｍ以上離れた位置まで延び、
    前記第２の絶縁層は、前記金属被覆層のうち前記配線部を覆う部分に接触するとともに前記配線部の前記他の部分に接触し、
    前記配線部の全長に対する前記配線部の前記一部を覆う前記金属被覆層の長さの割合は４０％以下であり、
    前記導体パターンは、銅を含み、
    前記端子表面層は、金を含み、
    前記金属被覆層は、ニッケルを含む、配線回路基板。
12. 前記第２の絶縁層上に形成される上部導体パターンをさらに備え、
    前記上部導体パターンの少なくとも一部は、前記導体パターンに重なる、請求項１〜３および８〜１１のいずれか一項に記載の配線回路基板。
13. 前記第２の絶縁層上に形成され、上部端子部と前記上部端子部から延びる上部配線部とを有する上部導体パターンと、
    前記上部配線部の一部と前記上部端子部とを覆うとともに前記上部端子部の表面上から前記上部配線部の表面上に連続して延びるように設けられる上部金属被覆層と、
    前記上部金属被覆層のうち前記上部配線部の前記一部を覆う部分と前記上部配線部のうち前記上部金属被覆層により覆われない他の部分とを覆うとともに前記上部金属被覆層のうち前記上部端子部を覆う部分を覆わないように前記第２の絶縁層上に設けられる第３の絶縁層とをさらに備え、
    前記上部導体パターンの少なくとも一部は、前記導体パターンに重なり、
    前記上部金属被覆層は、前記上部配線部の前記一部に接触するとともに前記上部配線部の表面上で前記上部端子部と前記上部配線部との境界上の位置から３μｍ以上離れた位置まで延び、
    前記第３の絶縁層は、前記上部金属被覆層のうち前記上部配線部を覆う部分に接触するとともに前記上部配線部の前記他の部分に接触し、
    前記上部配線部の全長に対する前記上部配線部の前記一部を覆う前記上部金属被覆層の長さの割合は４０％以下である、請求項３、１０および１１のいずれか一項に記載の配線回路基板。
14. 前記第２の絶縁層上に形成され、上部端子部と前記上部端子部から延びる上部配線部とを有する上部導体パターンと、
    前記上部配線部と前記上部端子部とを覆うとともに前記上部端子部の表面上から前記上部配線部の表面上に連続して延びるように設けられる上部金属被覆層と、
    前記上部金属被覆層のうち前記上部配線部を覆う部分を覆うとともに前記上部金属被覆層のうち前記上部端子部を覆う部分を覆わないように前記第２の絶縁層上に設けられる第３の絶縁層とをさらに備え、
    前記上部導体パターンの少なくとも一部は、前記導体パターンに重なり、
    前記上部金属被覆層は、前記上部配線部に接触し、
    前記第３の絶縁層は、前記上部金属被覆層のうち前記上部配線部を覆う部分に接触し、
    前記上部金属被覆層は、ニッケルと同程度の磁気特性を有する強磁性体ではない、請求項１、２、８または９記載の配線回路基板。
15. 前記第２の絶縁層上に形成され、上部端子部と前記上部端子部から延びる上部配線部とを有する上部導体パターンと、
    前記上部配線部の一部と前記上部端子部とを覆うとともに前記上部端子部の表面上から前記上部配線部の表面上に連続して延びるように設けられる上部金属被覆層と、
    前記上部金属被覆層のうち前記上部配線部の前記一部を覆う部分と前記上部配線部のうち前記上部金属被覆層により覆われない他の部分とを覆うとともに前記上部金属被覆層のうち前記上部端子部を覆う部分を覆わないように前記第２の絶縁層上に設けられる第３の絶縁層とをさらに備え、
    前記上部導体パターンの少なくとも一部は、前記導体パターンに重なり、
    前記上部金属被覆層は、前記上部配線部の前記一部に接触するとともに前記上部配線部の表面上で前記上部端子部と前記上部配線部との境界上の位置から３μｍ以上離れた位置まで延び、
    前記第３の絶縁層は、前記上部金属被覆層のうち前記上部配線部を覆う部分に接触するとともに前記上部配線部の前記他の部分に接触し、
    前記上部金属被覆層は、ニッケルと同程度の磁気特性を有する強磁性体ではない、請求項１、２、８または９記載の配線回路基板。
16. 下部絶縁層と、
    前記下部絶縁層上に形成された下部導体パターンとをさらに備え、
    前記第１の絶縁層は、前記下部導体パターンの少なくとも一部を覆うように前記下部絶縁層上に形成され、
    前記導体パターンの少なくとも一部は、前記下部導体パターンに重なる、請求項１〜３および８〜１１のいずれか一項に記載の配線回路基板。
17. 端子部と前記端子部から延びる配線部とを有する導体パターンを第１の絶縁層上に形成する工程と、
    前記配線部と前記端子部とを覆うとともに前記端子部の表面上から前記配線部の表面上に連続して延びるようにかつ前記配線部に接触するように、ニッケルと同程度の磁気特性を有する強磁性体ではない金属を用いて第１の金属被覆層を形成する工程と、
    前記第１の金属被覆層のうち前記配線部を覆う部分を覆うとともに前記第１の金属被覆層のうち前記端子部を覆う部分を覆わないようにかつ前記第１の金属被覆層のうち前記配線部を覆う部分に接触するように前記第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成する工程と、
    前記第１の金属被覆層のうち前記端子部を覆うように第２の金属被覆層を形成する工程とを含む、配線回路基板の製造方法。
18. 端子部と前記端子部から延びる配線部とを有する導体パターンを第１の絶縁層上に形成する工程と、
    前記配線部の一部と前記端子部とを覆うとともに前記端子部の表面上から前記配線部の表面上に連続して延びるようにかつ前記配線部の前記一部に接触するように、ニッケルと同程度の磁気特性を有する強磁性体ではない金属を用いて第１の金属被覆層を形成する工程と、
    前記第１の金属被覆層のうち前記配線部の前記一部を覆う部分と前記配線部のうち前記第１の金属被覆層により覆われない他の部分とを覆うとともに前記第１の金属被覆層のうち前記端子部を覆う部分を覆わないようにかつ前記第１の金属被覆層のうち前記配線部を覆う部分に接触するとともに前記配線部の前記他の部分に接触するように第２の絶縁層を前記第１の絶縁層上に形成する工程と、
    前記第１の金属被覆層のうち前記端子部を覆うように第２の金属被覆層を形成する工程とを含み、
    前記第１の金属被覆層を形成する工程において、前記第１の金属被覆層は、前記配線部の表面上で前記端子部と前記配線部との境界上の位置から３μｍ以上離れた位置まで延びるように形成される、配線回路基板の製造方法。
19. 端子部と前記端子部から延びる配線部とを有する導体パターンを第１の絶縁層上に形成する工程と、
    前記配線部の一部と前記端子部とを覆うとともに前記端子部の表面上から前記配線部の表面上に連続して延びるようにかつ前記配線部の前記一部に接触するように第１の金属被覆層を形成する工程と、
    前記第１の金属被覆層のうち前記配線部の前記一部を覆う部分と前記配線部のうち前記第１の金属被覆層により覆われない他の部分とを覆うとともに前記第１の金属被覆層のうち前記端子部を覆う部分を覆わないようにかつ前記第１の金属被覆層のうち前記配線部を覆う部分に接触するとともに前記配線部のうち前記他の部分に接触するように第２の絶縁層を前記第１の絶縁層上に形成する工程と、
    前記第１の金属被覆層のうち前記端子部を覆うように第２の金属被覆層を形成する工程とを含み、
    前記第１の金属被覆層を形成する工程において、前記第１の金属被覆層は、前記配線部の表面上で前記端子部と前記配線部との境界上の位置から３μｍ以上離れた位置まで延びるように形成され、
    前記配線部の全長に対する前記配線部の前記一部を覆う前記第１の金属被覆層の長さの割合は４０％以下に設定される、配線回路基板の製造方法。
20. 端子部と前記端子部から延びる配線部とを有する導体パターンを第１の絶縁層上に形成する工程と、
    前記配線部と前記端子部とを覆うとともに前記端子部の表面上から前記配線部の表面上に連続して延びるようにかつ前記配線部に接触するように、ニッケルと同程度の磁気特性を有する強磁性体ではない金属を用いて金属被覆層を形成する工程と、
    前記金属被覆層のうち前記配線部を覆う部分を覆うとともに前記金属被覆層のうち前記端子部を覆う部分を覆わないようにかつ前記金属被覆層のうち前記配線部を覆う部分に接触するように前記第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成する工程と、
    前記金属被覆層のうち前記端子部を覆う部分を覆う端子バリア層を形成する工程と、
    前記端子バリア層を覆う端子表面層を形成する工程とを含み、
    前記導体パターンは、銅を含み、
    前記端子表面層は、金を含み、
    前記端子バリア層は、ニッケルまたはパラジウムを含む、配線回路基板の製造方法。
21. 端子部と前記端子部から延びる配線部とを有する導体パターンを第１の絶縁層上に形成する工程と、
    前記配線部の一部と前記端子部とを覆うとともに前記端子部の表面上から前記配線部の表面上に連続して延びるようにかつ前記配線部の前記一部に接触するように、ニッケルと同程度の磁気特性を有する強磁性体ではない金属を用いて金属被覆層を形成する工程と、
    前記金属被覆層のうち前記配線部の前記一部を覆う部分と前記配線部のうち前記金属被覆層により覆われない他の部分とを覆うとともに前記金属被覆層のうち前記端子部を覆う部分を覆わないようにかつ前記金属被覆層のうち前記配線部を覆う部分に接触するとともに前記配線部の前記他の部分に接触するように第２の絶縁層を前記第１の絶縁層上に形成する工程と、
    前記金属被覆層のうち前記端子部を覆う部分を覆う端子バリア層を形成する工程と、
    前記端子バリア層を覆う端子表面層を形成する工程とを含み、
    前記金属被覆層を形成する工程において、前記金属被覆層は、前記配線部の表面上で前記端子部と前記配線部との境界上の位置から３μｍ以上離れた位置まで延びるように形成され、
    前記導体パターンは、銅を含み、
    前記端子表面層は、金を含み、
    前記端子バリア層は、ニッケルまたはパラジウムを含む、配線回路基板の製造方法。
22. 端子部と前記端子部から延びる配線部とを有する導体パターンを第１の絶縁層上に形成する工程と、
    前記配線部の一部と前記端子部とを覆うとともに前記端子部の表面上から前記配線部の表面上に連続して延びるようにかつ前記配線部の前記一部に接触するように金属被覆層を形成する工程と、
    前記金属被覆層のうち前記配線部の前記一部を覆う部分と前記配線部のうち前記金属被覆層により覆われない他の部分とを覆うとともに前記金属被覆層のうち前記端子部を覆う部分を覆わないようにかつ前記金属被覆層のうち前記配線部を覆う部分に接触するとともに前記配線部のうち前記他の部分に接触するように第２の絶縁層を前記第１の絶縁層上に形成する工程と、
    前記金属被覆層のうち前記端子部を覆う部分を覆う端子バリア層を形成する工程と、
    前記端子バリア層を覆う端子表面層を形成する工程とを含み、
    前記金属被覆層を形成する工程において、前記金属被覆層は、前記配線部の表面上で前記端子部と前記配線部との境界上の位置から３μｍ以上離れた位置まで延びるように形成され、
    前記配線部の全長に対する前記配線部の前記一部を覆う前記金属被覆層の長さの割合は４０％以下に設定され、
    前記導体パターンは、銅を含み、
    前記端子表面層は、金を含み、
    前記端子バリア層は、ニッケルまたはパラジウムを含む、配線回路基板の製造方法。
23. 端子部と前記端子部から延びる配線部とを有する導体パターンを第１の絶縁層上に形成する工程と、
    前記配線部の一部と前記端子部とを覆うとともに前記端子部の表面上から前記配線部の表面上に連続して延びるようにかつ前記配線部の前記一部に接触するように金属被覆層を形成する工程と、
    前記金属被覆層のうち前記配線部の前記一部を覆う部分と前記配線部のうち前記金属被覆層により覆われない他の部分とを覆うとともに前記金属被覆層のうち前記端子部を覆う部分を覆わないようにかつ前記金属被覆層のうち前記配線部を覆う部分に接触するとともに前記配線部のうち前記他の部分に接触するように第２の絶縁層を前記第１の絶縁層上に形成する工程と、
    前記金属被覆層のうち前記端子部を覆う部分を覆うとともに前記金属被覆層のうち前記配線部を覆う部分を覆わないようにかつ前記導体パターンに接触しないように端子表面層を形成する工程とを含み、
    前記金属被覆層を形成する工程において、前記金属被覆層は、前記配線部の表面上で前記端子部と前記配線部との境界上の位置から３μｍ以上離れた位置まで延びるように形成され、
    前記配線部の全長に対する前記配線部の前記一部を覆う前記金属被覆層の長さの割合は４０％以下に設定され、
    前記導体パターンは、銅を含み、
    前記端子表面層は、金を含み、
    前記金属被覆層は、ニッケルを含む、配線回路基板の製造方法。

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