JP2012027980A - サスペンション用基板およびサスペンション用基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】差動インピーダンスを低減すると共に、接続信頼性を向上させることができるサスペンション用基板を提供する。
【解決手段】本発明によるサスペンション用基板１は、第１絶縁層１０と、バネ性材料層１１と、第１配線層１４と、第１配線層１４に対して絶縁された第２配線層１５とを備えている。第２配線層１５は、実装領域２において第１配線層１４と同一平面上に配置された第１導体部分１５ａと、中間領域４において第１配線層１４に第２絶縁層１２を介して積層され、第１導体部分１５ａに接続された第２導体部分１５ｂと、外部接続領域３において第１配線層１４と同一平面上に配置され、第２導体部分１５ｂに接続された第３導体部分１５ｃとを有している。第２絶縁層１２を貫通し、第２配線層１５の第１導体部分１５ａと第２導体部分１５ｂとを接続する配線用導電接続部２０が設けられている。
【選択図】図３

Description

本発明は、サスペンション用基板およびサスペンション用基板の製造方法に係り、とりわけ、差動インピーダンスを低減すると共に、接続信頼性を向上させることができるサスペンション用基板およびサスペンション用基板の製造方法に関する。

一般に、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）は、データが記憶されるディスクに対してデータの書き込みおよび読み取りを行う磁気ヘッドスライダが実装されたサスペンション用基板を備えている。このサスペンション用基板は、バネ性金属層と、バネ性金属層に絶縁層を介して積層された複数（例えば、４本〜６本）の配線層とを備えており、各配線層に電気信号を流すことにより、ディスクに対してデータの書き込みまたは読み取りを行うようになっている。

近年、伝送線路を高速化し、情報処理量を増大させるとともに処理スピードを向上させることが要求されている。このためには、高周波領域における伝送損失を低減させるほか、差動配線の低インピーダンスなど、基板の電気特性を向上させることが必要となる。

ところで、第１ベース絶縁層上の第１導体層に、第２ベース絶縁層を介して第２導体層が積層されたサスペンション用基板が知られている（例えば、特許文献１および２参照）。この場合、第１導体層と第２導体層の幅や厚さ方向の距離を調整することにより、差動インピーダンスを容易に低減することができる。

特開２００９−１２９４９０号公報 特開２０１０−１４６６７９号公報

しかしながら、特許文献１に示すサスペンション用基板においては、第２導体層は、第２ベース絶縁層上から、第２ベース絶縁層の傾斜面上を傾斜して第１ベース絶縁層上に延び、端子形成部に向かっている。このような構成の場合、第２導体層の傾斜している部分を、他の部分と同等の厚さで安定的に形成することが困難となり、この傾斜している部分が断線し易いという問題がある。また、第２ベース絶縁層と第２導体層との間には、第２導体層の密着性を確保するためにスパッタリングにより金属薄膜が形成されているが、この金属薄膜を第２ベース絶縁層の傾斜面に形成することは困難である。このため、第２ベース絶縁層の傾斜面において、第２導体層との密着性が低下するという問題がある。

また、このようなサスペンション用基板では、以下に説明するように、第１導体層と第２導体層は、別々に形成される。すなわち、まず、第１ベース絶縁層上に、金属薄膜を介して第１導体層が形成され、第１導体層上に第２ベース絶縁層が形成される。続いて、第２ベース絶縁層上に、金属薄膜を介して第２導体層が形成され、第２導体層上にカバー層が形成される。この場合、端子形成部において、第２導体層のうち第１ベース絶縁層上の部分が同時に形成される。その後、この端子形成部において、第１ベース絶縁層および金属薄膜が除去されて、第１導体層および第２導体層の金属薄膜が除去された部分に、めっきが施される。

ここで、第２導体層下の金属薄膜は、第２導体層形成後のカバー層形成時に、１度加熱されるが、第１導体層下の金属薄膜は、第１導体層形成後の第２ベース絶縁層形成時と、カバー層形成時の２度にわたって加熱される。すなわち、上述のように、端子形成部における第２導体層の部分と第１導体層が別々に形成されるため、第１導体層下の金属薄膜と、第２導体層下の金属薄膜の熱履歴が異なる。このことにより、第１導体層および第２導体層から、金属薄膜を均一に除去することが困難になる。このため、その後に施されるめっきとの密着性が低下し、外部接続基板との接続信頼性が低下するという問題がある。

本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、差動インピーダンスを低減すると共に、接続信頼性を向上させることができるサスペンション用基板およびサスペンション用基板の製造方法を提供することを目的とする。

本発明は、スライダを実装する実装領域と、外部接続基板に接続される外部接続領域と、前記実装領域と前記外部接続領域との間に配置された中間領域とを有するサスペンション用基板において、第１絶縁層と、前記第１絶縁層の一方の面に設けられ、導電性を有するバネ性材料層と、前記第１絶縁層の他方の面に設けられた第１配線層と、前記第１配線層に対して絶縁された第２配線層と、を備え、前記第２配線層は、前記実装領域において前記第１配線層と同一平面上に配置された第１導体部分と、前記中間領域において前記第１配線層に第２絶縁層を介して積層され、前記第１導体部分に接続された第２導体部分と、前記外部接続領域において前記第１配線層と同一平面上に配置され、前記第２導体部分に接続された第３導体部分とを有し、前記第２絶縁層を貫通し、前記第２配線層の前記第１導体部分と前記第２導体部分とを接続する配線用導電接続部が設けられていることを特徴とするサスペンション用基板を提供する。

なお、上述したサスペンション用基板において、前記第２絶縁層を貫通し、前記第２配線層の前記第２導体部分と前記第３導体部分とを接続する第２の配線用導電接続部が設けられているようにしてもよい。

また、上述したサスペンション用基板において、前記配線用導電接続部および前記第２の配線用導電接続部は、円筒状または円錐状に形成され、前記第２配線層の前記第２導体部分側の端部における直径が、５０〜１１０μｍであるようにしてもよい。

また、上述したサスペンション用基板において、前記第１配線層と同一平面上に、グランド配線層が設けられ、前記第１絶縁層を貫通し、前記グランド配線層と前記バネ性材料層とを接続するグランド用導電接続部が設けられ、前記第２配線層の前記第１導体部分と前記第２導体部分とを接続する前記配線用導電接続部と前記グランド用導電接続部は、前記サスペンション用基板の長手方向に延びる中心線に対して、対称に配置されているようにしてもよい。

また、上述したサスペンション用基板において、前記グランド用導電接続部は、ニッケルめっきまたは銅めっきにより形成されているようにしてもよい。

本発明は、スライダを実装する実装領域と、外部接続基板に接続される外部接続領域と、前記実装領域と前記外部接続領域との間に配置された中間領域とを有するサスペンション用基板の製造方法において、導電性を有するバネ性材料層に積層された第１絶縁層の前記バネ性材料層とは反対側の面に、第１配線層を形成すると共に、前記実装領域に配置され、前記第１配線層と絶縁される第２配線層の第１導体部分、および、前記外部接続領域に配置され、前記第１配線層と絶縁される前記第２配線層の第３導体部分を形成する工程と、前記第１配線層に第２絶縁層を積層し、当該第２絶縁層を貫通する配線用貫通孔を形成する工程と、前記第２絶縁層に形成された配線用貫通孔に、前記第２配線層の前記第１導体部分に接続される配線用導電接続部を形成する工程と、前記第２絶縁層に積層され、前記第２配線層の前記第１導体部分に前記配線用導電接続部を介して接続されると共に、前記第２配線層の前記第３導体部分に接続される前記第２配線層の第２導体部分を形成する工程と、を備えたことを特徴とするサスペンション用基板の製造方法を提供する。

なお、上述したサスペンション用基板の製造方法において、前記第２絶縁層に前記配線用貫通孔を形成する際、前記第２絶縁層を貫通する第２の配線用貫通孔が形成され、前記第２配線層の前記第１導体部分と前記第２導体部分とを接続する前記配線用導電接続部を形成する際、前記第２絶縁層に形成された前記第２の配線用貫通孔に、前記第２配線層の前記第２導体部分と前記第３導体部分とを接続する第２の配線用導電接続部が形成されるようにしてもよい。

また、上述したサスペンション用基板の製造方法において、前記配線用導電接続部および前記第２の配線用導電接続部は、円筒状または円錐状に形成され、前記第２配線層の前記第２導体部分側の端部における直径が、５０〜１１０μｍであるようにしてもよい。

また、上述したサスペンション用基板の製造方法において、前記第１配線層を形成する際、前記第１配線層と同一平面上にグランド配線層が形成され、前記第１絶縁層に、当該第１絶縁層を貫通するグランド用貫通孔が形成され、前記グランド用貫通孔に、前記グランド配線層と前記バネ性材料層とを接続するグランド用導電接続部が形成され、前記第１配線層の前記第１導体部分と前記第２導体部分とを接続する前記配線用導電接続部と前記グランド用導電接続部は、前記サスペンション用基板の長手方向に延びる中心線に対して、対称に配置されるようにしてもよい。

また、上述したサスペンション用基板の製造方法において、前記グランド用導電接続部は、ニッケルめっきまたは銅めっきにより形成されるようにしてもよい。

また、上述したサスペンション用基板の製造方法において、前記第１絶縁層と、前記第１絶縁層の一方の面に設けられた前記バネ性材料層と、前記第１絶縁層の他方の面に設けられた配線材料層とを有する積層体を準備する工程を更に備え、前記第１配線層を形成すると共に、前記第２配線層の前記第１導体部分および前記第３導体部分を形成する工程において、前記積層体の前記配線材料層がエッチングされて、前記第１配線層、並びに前記第２配線層の前記第１導体部分および前記第３導体部分が形成されるようにしてもよい。

また、上述したサスペンション用基板の製造方法において、前記バネ性材料層を準備する工程と、前記バネ性材料層の一方の面に前記第１絶縁層を積層する工程と、を更に備え、前記第１配線層を形成すると共に、前記第２配線層の前記第１導体部分および前記第３導体部分を形成する工程において、前記第１絶縁層に、めっきにより、前記第１配線層、並びに前記第２配線層の前記第１導体部分および前記第３導体部分が形成されるようにしてもよい。

本発明によれば、第２配線層の第２導体部分が、第１配線層に第２絶縁層を介して積層されている。このことにより、第１配線層と第２配線層との間の差動インピーダンスを低減することができる。また、第１配線層に第２絶縁層を介して積層された第２配線層の第２導体部分は、第１配線層と同一平面上に配置された第２配線層の第１導体部分に、第２絶縁層を貫通する配線用導電接続部を介して接続されている。このため、第２配線層の第１導体部分と第２導体部分との間の接続信頼性を向上させることができる。すなわち、差動インピーダンスを低減すると共に、接続信頼性を向上させることができる。

図１は、本発明の第１の実施の形態におけるサスペンション用基板の一例を示す平面図。 図２は、本発明の第１の実施の形態におけるサスペンション用基板の一例を示す拡大平面図。 図３は、本発明の第１の実施の形態におけるサスペンション用基板の断面構成の一例を示す図。 図４は、本発明の第１の実施の形態におけるサスペンションの一例を示す平面図。 図５は、本発明の第１の実施の形態におけるヘッド付サスペンションの一例を示す平面図。 図６は、本発明の第１の実施の形態におけるハードディスクドライブの一例を示す斜視図。 図７（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第１の実施の形態におけるサスペンション用基板の製造方法を示す図。 図８（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第１の実施の形態におけるサスペンション用基板の製造方法を示す図。 図９（ａ）、（ｂ）は、本発明の第１の実施の形態におけるサスペンション用基板の製造方法を示す図。 図１０（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第１の実施の形態におけるサスペンション用基板の製造方法を示す図。 図１１は、本発明の第２の実施の形態におけるサスペンション用基板の断面構成の一例を示す図。 図１２（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第２の実施の形態におけるサスペンション用基板の製造方法を示す図。 図１３（ａ）〜（ｅ）は、本発明の第２の実施の形態におけるサスペンション用基板の製造方法を示す図。 図１４（ａ）、（ｂ）は、本発明の第２の実施の形態におけるサスペンション用基板の製造方法を示す図。 図１５（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第２の実施の形態におけるサスペンション用基板の製造方法を示す図。 図１６（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第２の実施の形態におけるサスペンション用基板の製造方法を示す図。

第１の実施の形態
図１乃至図１０を用いて、本発明の第１の実施の形態におけるサスペンション用基板およびサスペンション用基板の製造方法について説明する。

まず、図１によりサスペンション用基板１の全体構成について説明する。図１に示すサスペンション用基板１は、スライダ５２（図５参照）を実装する実装領域２と、図示しない外部接続基板に接続される外部接続領域３と、実装領域２と外部接続領域３との間に配置された中間領域４とを有している。図１および図２に示すように、実装領域２には、スライダ５２に接続されるヘッド端子（配線パッド）５が設けられ、外部接続領域３には、外部接続基板に接続される外部接続端子６が設けられており、ヘッド端子５と外部接続端子６との間には、後述する配線層１４、１５、１６が接続されている。

次に、図２および図３を用いてサスペンション用基板１の断面構成について説明する。サスペンション用基板１は、第１絶縁層１０と、第１絶縁層１０の一方の面（下面）に設けられ、導電性を有するバネ性材料層１１と、第１絶縁層１０の他方の面（上面）に設けられた第１配線層１４と、この第１配線層１４に対して絶縁された第２配線層１５および他の配線層１６とを備えている。

このうち第２配線層１５は、実装領域２において第１配線層１４と同一平面上に配置された第１導体部分１５ａと、中間領域４において第１配線層１４に第２絶縁層１２を介して積層され、第１導体部分１５ａに接続された第２導体部分１５ｂと、外部接続領域３において第１配線層１４と同一平面上に配置され、第２導体部分１５ｂに接続された第３導体部分１５ｃとを有している。

このような第１配線層１４および第２配線層１５は、書き込み用配線（ライター用配線）を構成している。

ここで、図２においては、図面を明瞭化するために、第１絶縁層１０、バネ性材料層１１、および後述する保護層２２を省略している。また、図３においては、他の配線層１６（第１配線層１４、第２配線層１５、およびグランド配線層３０以外の配線層）を省略しているが、他の配線層１６は、第１配線層１４と同一平面上に設けられている。

図２および図３に示すように、第２絶縁層１２を貫通し、第２配線層１５の第１導体部分１５ａと第２導体部分１５ｂとを接続する第１配線用導電接続部（配線用導電接続部）２０が設けられている。すなわち、図３に示すように、第２絶縁層１２に、第１配線用貫通孔（配線用貫通孔）２０ａが形成され、この第１配線用貫通孔２０ａに、第１配線用導電接続部２０が形成されている。同様にして、第２絶縁層１２を貫通し、第２配線層１５の第２導体部分１５ｂと第３導体部分１５ｃとを接続する第２配線用導電接続部２１が設けられている。すなわち、図３に示すように、第２絶縁層１２に、第２配線用貫通孔２１ａが形成され、この第２配線用貫通孔２１ａに、第２配線用導電接続部２１が形成されている。

第１配線用貫通孔２０ａおよび第２配線用貫通孔２１ａは、それぞれ、第２絶縁層１２の面に対して直交する方向を向く円筒状に形成され、５０〜１１０μｍの開口径を有していることが好ましい。あるいは、図示しないが、第１配線用貫通孔２０ａおよび第２配線用貫通孔２１ａは、第２絶縁層１２の上面から徐々に径が小さくなるような円錐状に形成され、第２絶縁層１２の第２導体部分１５ｂ側の面における開口径が、５０〜１１０μｍであっても良い。すなわち、第１配線用導電接続部２０および第２配線用導電接続部２１が、円筒状または円錐状に形成され、第２配線層１５の第２導体部分１５ｂ側の端部における直径が、５０〜１１０μｍであることが好ましい。このことにより、各導電接続部２０、２１が、径が小さいことを原因とする断線などによって接続信頼性が損なわれることを防止すると共に、配線の高密度化が阻害されることを防止することができる。なお、第１配線用貫通孔２０ａおよび第２配線用貫通孔２１ａの形状は、四角形状または三角形状など、任意の形状とすることもできる。

なお、図３に示すように、第１配線用導電接続部２０および第２配線用導電接続部２１は、第２配線層１５の第２導体部分１５ｂと一体に形成され、後述するスパッタシード層２３を介して第２配線層１５の第１導体部分１５ａおよび第３導体部分１５ｃに接続されている。

第２絶縁層１２上には、第２配線層１５の第２導体部分１５ｂを覆う保護層２２が設けられ、第２配線層１５の第２導体部分１５ｂが劣化することを防止している。

第２配線層１５の第２導体部分１５ｂと第２絶縁層１２との間には、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、もしくはそれらの合金からなる金属薄膜層と、銅（Ｃｕ）からなるＣｕスパッタリング層とを含むスパッタシード層２３が介在されている。このようにして、第２絶縁層１２に対して、第２配線層１５の第２導体部分１５ｂを確実に密着させるように構成されている。なお、このようなスパッタシード層２３は、第１配線用導電接続部２０および第２配線用導電接続部２１と、第２絶縁層１２との間にも介在されている。

図２および図３に示すように、第１絶縁層１０上に、すなわち、第１配線層１４と同一平面上に、スライダ５２の接地をとるためのグランド配線層３０が設けられている。このグランド配線層３０は、サスペンション用基板１の長手方向に延びる中心線（Ｘ）に対して、第２配線層１５とは反対側に位置している。ここで、中心線（Ｘ）は、バネ性材料層１１に設けられ、後述するロードビーム４２と接合するための長穴状または楕円状の治具孔（図示せず）の長軸（長径）を含んでいる。

第１絶縁層１０を貫通し、グランド配線層３０とバネ性材料層１１とを接続するグランド用導電接続部３１が設けられている。すなわち、第１絶縁層１０、グランド配線層３０、第２絶縁層１２に、第１配線用貫通孔２０ａおよび第２配線用貫通孔２１ａと同様な円筒状若しくは円錐状のグランド用貫通孔３２が形成され、このグランド用貫通孔３２に、ニッケルめっきまたは銅めっきによりグランド用導電接続部３１が形成されている。なお、このグランド用導電接続部３１とグランド配線層３０との間には、ニッケルめっきおよび金めっきが介在されている。また、グランド用貫通孔３２は、第１絶縁層１０に形成された第１絶縁層貫通孔３２ａと、グランド配線層３０に形成されたグランド配線層貫通孔３２ｂと、第２絶縁層１２に形成された第２絶縁層貫通孔３２ｃとにより構成されている。また、保護層２２には、グランド用導電接続部３１を外方に露出させる露出孔３３が設けられている。

図２に示すように、第２配線層１５の第１導体部分１５ａと第２導体部分１５ｂとを接続する第１配線用導電接続部２０と、グランド配線層３０とバネ性材料層１１とを接続するグランド用導電接続部３１は、サスペンション用基板１の中心線（Ｘ）に対して、対称に配置されている。

なお、図３に示すように、実装領域２および外部接続領域３において、第１絶縁層１０およびバネ性材料層１１に、開口１０ａ、１１ａがそれぞれ設けられている。また、実装領域２において、第１配線層１４および第２配線層１５の第１導体部分１５ａが、第１絶縁層１０上に配置されて、ヘッド端子５に接続されている。同様にして、外部接続領域３において、第１配線層１４および第２配線層１５の第３導体部分１５ｃが、第１絶縁層１０上に配置されて、外部接続端子６に接続されている。この場合、この外部接続端子６をバネ性材料層１１側の外方に露出させるために必要な絶縁層のエッチング量を低減することができると共に、外部接続端子６に外部接続基板を接続する際に使用される半田の量を低減することができる。

次に、各構成部材について詳細に述べる。

第１絶縁層１０および第２絶縁層１２の材料としては、所望の絶縁性を有する材料であれば特に限定されることはないが、例えば、ポリイミド（ＰＩ）を用いることが好適である。なお、各絶縁層１０、１２の材料は、感光性材料であっても非感光性材料であっても用いることができる。第１絶縁層１０の厚さは、４μｍ〜３０μｍ、とりわけ５μｍ〜１５μｍであることが好ましい。このことにより、バネ性材料層１１と各配線層１４、１５、１６、３０との間の絶縁性能を確保するとともに、サスペンション用基板１全体としての弾力性が喪失されることを防止することができる。また、第２絶縁層１２の厚さは、４μｍ〜２０μｍであることが好ましい。とりわけ、中間領域４における第１配線層１４と第２配線層１５の第２導体部分１５ｂとの間の厚さが５〜１５μｍであることが好ましい。このことにより、第１配線層１４と第２配線層１５との間の絶縁性能を確保するとともに、差動インピーダンスを調整することができ、差動インピーダンスの低減を図ることができる。

各配線層１４、１５、１６、３０の材料としては、所望の導電性を有する材料であれば特に限定されることはないが、銅（Ｃｕ）を用いることが好適である。銅以外にも、純銅に準ずる電気特性を有する材料であれば用いることもできる。ここで、各配線層１４、１５、１６、３０の厚さは、例えば１μｍ〜１８μｍ、とりわけ５μｍ〜１２μｍであることが好ましい。このことにより、各配線層１４、１５、１６、３０の導電性を確保するとともに、サスペンション用基板１全体としての弾力性が喪失されることを防止することができる。また、各配線層１４、１５、１６、３０の幅は、５μｍ〜１０００μｍであり、とりわけ、中間領域４における第１配線層１４と第２配線層１５の第２導体部分１５ｂの幅が、３０〜３００μｍであることが好ましい。このことにより、差動インピーダンスを調整することができ、差動インピーダンスの低減を図ることができる。

第１配線用導電接続部２０および第２配線用導電接続部２１の材料としては、所望の導電性を有する材料であれば特に限定されることはないが、各配線層１４、１５、１６、３０と同じ材料、すなわち銅（Ｃｕ）を用いることが好適である。銅以外にも、純銅に準ずる電気特性を有する材料であれば用いることもできる。

バネ性材料層１１の材料としては、所望の導電性、弾力性、および強度を有するものであれば特に限定されることはないが、例えば、ステンレス、アルミニウム、ベリリウム銅、またはその他の銅合金を用いることができ、好ましくはステンレスを用いることが好適である。また、バネ性材料層１１の厚さは、１０μｍ〜３０μｍ、とりわけ１５μｍ〜２５μｍであることが好ましい。このことにより、バネ性材料層１１の導電性および弾力性を確保することができる。

保護層２２の材料としては、樹脂材料、例えば、ポリイミド（ＰＩ）を用いることが好適である。なお、保護層２２の材料は、感光性材料であっても非感光性材料であっても用いることができる。保護層２２の厚さは、３μｍ〜２０μｍ、とりわけ４μｍ〜１０μｍであることが好ましい。このことにより、配線層が露出することを防止すると共に、反りが発生することを抑制することができる。

ヘッド端子５および外部接続端子６は、各配線層１４、１５、１６、３０の端部に形成されたニッケル（Ｎｉ）からなるＮｉめっき層１８と、このＮｉめっき層１８上に形成された金（Ａｕ）からなるＡｕめっき層１９とからなっている。このようにして、ヘッド端子５および外部接続端子６の表面が劣化することを防止するとともに、スライダ５２のスライダパッド（図示せず）との間における接触抵抗を低減させている。

次に、図４により、本実施の形態におけるサスペンション用基板１を用いたサスペンション４１について説明する。図４に示すサスペンション４１は、上述したサスペンション用基板１と、サスペンション用基板１の実装領域２とは反対側となる面（下面）に設けられ、後述するスライダ５２（図５参照）をディスク６３（図６参照）に対して保持するためのロードビーム４２とを有している。

次に、図５により、本実施の形態におけるサスペンション用基板１を用いたヘッド付サスペンション５１について説明する。図５に示すヘッド付サスペンション５１は、上述したサスペンション４１と、サスペンション用基板１の実装領域２に実装されスライダ５２とを有している。

次に、図６により、本実施の形態におけるサスペンション用基板１を用いたハードディスクドライブ６１について説明する。図６に示すハードディスクドライブ６１は、ケース６２と、このケース６２に回転自在に取り付けられ、データが記憶されるディスク６３と、このディスク６３を回転させるスピンドルモータ６４と、ディスク６３に所望のフライングハイトを保って近接するように設けられ、ディスク６３に対してデータの書き込みおよび読み込みを行うスライダ５２を含むヘッド付サスペンション５１とを有している。このうちヘッド付サスペンション５１は、ケース６２に対して移動自在に取り付けられ、ケース６２にはヘッド付サスペンション５１のスライダ５２をディスク６３上に沿って移動させるボイスコイルモータ６５が取り付けられている。また、ヘッド付サスペンション５１とボイスコイルモータ６５との間には、アーム６６が連結されている。

次に、このような構成からなる本実施の形態の作用、すなわちサスペンション用基板１の製造方法について説明する。ここでは、第１配線層１４、第２配線層１５の第１導体部分１５ａおよび第３導体部分１５ｃ、並びにグランド配線層３０が、サブトラクティブ法により形成される例について説明する。なお、図７乃至図１０では他の配線層１６は省略されているが、以下に示す第１配線層１４を形成する工程と同様にして所望の形状に形成することができる。

まず、図７（ａ）に示すように、第１絶縁層１０と、この第１絶縁層１０の下面に設けられ、導電性を有するバネ性材料層１１と、第１絶縁層１０の上面に設けられた配線材料層２６とを有する積層体２５を準備する。この積層体２５においては、バネ性材料層１１および配線材料層２６はめっきにより形成されていても良く、あるいは第１絶縁層１０とバネ性材料層１１および配線材料層２６とが互いに接着されていても良い。

次に、図７（ｂ）に示すように、配線材料層２６から第１配線層１４、第２配線層１５の第１導体部分１５ａおよび第３導体部分１５ｃ、並びにグランド配線層３０が形成されると共に、バネ性材料層１１に、開口１１ａが形成される。この場合、まず、積層体２５の両面に、図示しないパターン状のレジストが形成される。続いて、このレジストの開口部から、塩化第二鉄水溶液などの腐食液により、配線材料層２６がエッチングされて、第１配線層１４、第２配線層１５の第１導体部分１５ａおよび第３導体部分１５ｃ、並びにグランド配線層３０が形成されると共に、バネ性材料層１１に開口１１ａが形成される。また、この際、グランド配線層３０に、グランド用導電接続部３１を形成するためのグランド配線層貫通孔３２ｂが形成される。その後、これらのレジストが剥離される。

次に、図７（ｃ）に示すように、第１配線層１４に、第２絶縁層１２が積層され、この第２絶縁層１２を貫通し、第１配線用導電接続部２０を形成するための第１配線用貫通孔２０ａおよび第２配線用導電接続部２１を形成するための第２配線用貫通孔２１ａが形成される。この場合、まず、第１絶縁層１０の上方に、各配線層１４、１５を覆うように第２絶縁層１２が形成される。続いて、第２絶縁層１２の表面に、パターン状のレジスト（図示せず）が形成されると共に、バネ性材料層１１の全面にレジスト（図示せず）が形成される。次に、パターン状のレジストの開口部から、有機アルカリ液などのエッチング液により第２絶縁層１２がエッチングされて、第１配線用貫通孔２０ａおよび第２配線用貫通孔２１ａが形成される。この場合、第１配線用貫通孔２０ａおよび第２配線用貫通孔２１ａにおいて、第２配線層１５の第１導体部分１５ａの一部および第３導体部分１５ｃの一部が露出される。また、この際、第２絶縁層１２に、グランド用導電接続部３１を形成するための第２絶縁層貫通孔３２ｃが形成される。その後、これらのレジストが剥離される。

次に、図７（ｄ）に示すように、第２絶縁層１２上、および各配線層１４、１５の露出されている部分に、スパッタリングにより、金属薄膜層とＣｕスパッタリング層とを含むスパッタシード層２３が形成される。

次に、図８に示すように、第２絶縁層１２に形成された第１配線用貫通孔２０ａに、第２配線層１５の第１導体部分１５ａに接続される第１配線用導電接続部２０が形成されると共に、第２配線用貫通孔２１ａに、第３導体部分１５ｃに接続される第２配線用導電接続部２１が形成される。また、第２絶縁層１２に積層される第２配線層１５の第２導体部分１５ｂが形成される。この場合、まず、スパッタシード層２３上に、パターン状のレジスト２７が形成される（図８（ａ）参照）。なお、バネ性材料層１１には、全面に亘って、図示しないレジストが形成される。続いて、パターン状のレジスト２７の開口部に、電解銅めっき法により、第１配線用貫通孔２０ａおよび第２配線用貫通孔２１ａに、第１配線用導電接続部２０および第２配線用導電接続部２１が形成されると共に、第２配線層１５の第２導体部分１５ｂが形成される（図８（ｂ）参照）。すなわち、第２配線層１５の第２導体部分１５ｂは、第１配線用導電接続部２０および第２配線用導電接続部２１に一体に形成され、スパッタシード層２３を介して、第２配線層１５の第１導体部分１５ａおよび第３導体部分１５ｃに接続される。次に、これらのレジストが剥離され（図８（ｃ）参照）、その後、スパッタシード層２３のうち露出されている部分が除去される（図８（ｄ）参照）。

次に、図９（ａ）に示すように、第２絶縁層１２上に、第２配線層１５の第２導体部分１５ｂを覆う保護層２２が形成され、この保護層２２に、グランド用導電接続部３１を外方に露出させるための露出孔３３が形成される。この場合、まず、第１絶縁層１０の上方の全領域に亘って保護層２２が形成される。続いて、保護層２２上に、パターン状のレジスト（図示せず）が形成されると共に、バネ性材料層１１の全面にレジスト（図示せず）が形成される。次に、パターン状のレジストの開口部から、エッチング液により保護層２２がエッチングされ、保護層２２が所望の形状に外形加工されて、露出孔３３が形成される。その後、これらのレジストが剥離される。

次に、図９（ｂ）に示すように、第１絶縁層１０が所望の形状に外形加工され、第１絶縁層１０に、グランド用導電接続部３１を形成するための第１絶縁層貫通孔３２ａが形成されると共に、開口１０ａが形成される。この場合、まず、第１絶縁層１０の上方にパターン状のレジスト（図示せず）が形成されると共に、バネ性材料層１１の全面にレジスト（図示せず）が形成される。続いて、パターン状のレジストの開口部から、エッチング液により第１絶縁層１０がエッチングされて、第１絶縁層１０のうち露出されている部分が除去される。このようにして、第１絶縁層貫通孔３２ａおよび開口１０ａが形成される。このことにより、第１絶縁層貫通孔３２ａ、グランド配線層貫通孔３２ｂ、および第２絶縁層貫通孔３２ｃとからなるグランド用貫通孔３２が形成される。その後、これらのレジストが剥離される。

次に、図１０（ａ）に示すように、各配線層１４、１５、１６、３０の露出されている部分に、ニッケルめっきが施されてＮｉめっき層１８が形成され、このＮｉめっき層１８上に、金めっきが施されてＡｕめっき層１９が形成される。このようにして、実装領域２にヘッド端子５が形成されると共に、外部接続領域５において、外部接続端子６が形成される。

次に、図１０（ｂ）に示すように、グランド用貫通孔３２に、ニッケルめっきにより、グランド用導電接続部３１が形成される。この場合、まず、第１絶縁層１０の上方に、パターン状のレジスト（図示せず）が形成され、バネ性材料層１１の全面に、レジスト（図示せず）が形成される。続いて、パターン状のレジストの開口部に、ニッケルめっきまたは銅めっきが施されて、グランド用導電接続部３１が形成される。その後、これらのレジストが剥離される。

その後、図１０（ｃ）に示すように、バネ性材料層１１が、所望の形状に外形加工される。この場合、まず、バネ性材料層１１の上方の全領域に亘ってレジスト（図示せず）が形成されると共に、バネ性材料層１１の下面に、パターン状のレジスト（図示せず）が形成される。続いて、パターン状のレジストの開口部から、塩化第二鉄水溶液などの腐食液により、バネ性材料層１１がエッチングされて、所望の形状に外形加工される。その後、これらのレジストが剥離され、本実施の形態によるサスペンション用基板１の断面構成が得られる（図３参照）。

このようにして得られたサスペンション用基板１の下面に、ロードビーム４２が取り付けられて図４に示すサスペンション４１が得られる。このサスペンション４１の実装領域２にスライダ５２が実装されて図５に示すヘッド付サスペンション５１が得られる。さらに、このヘッド付サスペンション５１がハードディスクドライブ６１のケース６２に取り付けられて、図６に示すハードディスクドライブ６１が得られる。

図６に示すハードディスクドライブ６１においてデータの読み込みおよび書き込みを行う際、ボイスコイルモータ６５によりヘッド付サスペンション５１のスライダ５２がディスク６３上に沿って移動し、スピンドルモータ６４により回転しているディスク６３に所望のフライングハイトを保って近接する。このことにより、スライダ５２とディスク６３との間でデータの受け渡しが行われる。この間、サスペンション用基板１の実装領域２のヘッド端子５と外部接続領域３の外部接続端子６との間に接続された各配線層１４、１５、１６により電気信号が伝送される。

このように本実施の形態によれば、第２配線層１５の第２導体部分１５ｂが、第１配線層１４に第２絶縁層１２を介して積層されている。このことにより、第１配線層１４と第２配線層１５との間の差動インピーダンスを低減することができる。また、第１配線層１４に第２絶縁層１２を介して積層された第２配線層１５の第２導体部分１５ｂは、第１配線層１４と同一平面上に配置された第２配線層１５の第１導体部分１５ａに、第２絶縁層１２を貫通する第１配線用導電接続部２０を介して接続されている。このことにより、第２配線層１５の第１導体部分１５ａと第２導体部分１５ｂとの間の接続信頼性を向上させることができる。また、同様に、第２導体部分１５ｂは、第１配線層１４と同一平面上に配置された第２配線層１５の第３導体部分１５ｃに、第２絶縁層１２を貫通する第２配線用導電接続部２１を介して接続されている。このことにより、第２配線層１５の第２導体部分１５ｂと第３導体部分１５ｃとの間の接続信頼性を向上させることができる。この結果、第１配線層１４と第２配線層との間の差動インピーダンスを低減しると共に、第２配線層１５の接続信頼性を向上させることができる。

また、本実施の形態によれば、上述したような第１配線層１４および第２配線層１５により、書き込み用配線が構成されている。このことにより、書き込み用配線の差動インピーダンスを低減することができ、ディスク６３に対するデータの書き込み速度を向上させるとともに、消費電力を抑制することができる。さらには、第１配線層１４および第２配線層１５の伝送損失が低減することにより、ディスク６３に対するデータの書き込みの安定性を向上させることができる。なお、第１配線層１４および第２配線層１５により、書き込み用配線ではなく、読み込み用配線が構成されるようにしても良い。この場合にも、上記の効果が得られるため、ディスク６３からのデータの読み込みの信頼性を向上させることができる。さらには、第１配線層１４および第２配線層１５が、差動配線による信号が必要な電子素子用配線を構成するようにしても良い。この場合においても、上記の効果が得られるため、電子素子の動作の信頼性を向上させることができる。

また、本実施の形態によれば、第２配線層１５の第１導体部分１５ａと第２導体部分１５ｂとを接続する第１配線用導電接続部２０と、グランド配線層３０とバネ性材料層１１とを接続するグランド用導電接続部３１が、サスペンション用基板１の長手方向に延びる中心線（Ｘ）に対して、対称に配置されている。このことにより、サスペンション用基板１のバネ特性を、その中心線（Ｘ）に対して、左右対称にすることができる。このため、ディスク６３に対する浮上の安定性を向上させることができる。

さらに、本実施の形態によれば、上述した効果を有するサスペンション４１、ヘッド付サスペンション５１、およびハードディスクドライブ６１を得ることができる。

なお、本実施の形態においては、第２配線層１５の第２導体部分１５ｂが、第２配線用導電接続部２１を介して第３導体部分１５ｃに接続されている例について説明した。しかしながら、このことに限られることはなく、第２導体部分１５ｂと第３導体部分１５ｃは、上述した第２配線用導電接続部２１を介在させることなく、任意の方法で、接続するようにしても良い。

また、本実施の形態においては、第１配線用導電接続部２０とグランド用導電接続部３１が、サスペンション用基板１の中心線（Ｘ）に対して、対称に配置されている例について説明した。しかしながら、このことに限られることはなく、第１配線用導電接続部２０を任意の位置に配置させても良い。

さらに、本実施の形態においては、図３に示すように、絶縁層１０に対して各配線層１４、１５、１６が上方に、バネ性材料層１１が下方に配置される例について述べたが、各配線層１４、１５、１６を下方に、バネ性材料層１１を上方に配置しても良い。

第２の実施の形態
次に、図１１乃至図１６により、本発明の第２の実施の形態におけるサスペンション用基板およびサスペンション用基板の製造方法について説明する。

図１１乃至図１６に示す第２の実施の形態においては、第１配線層、第２配線層の第１導体部分および第３導体部分、並びにグランド配線層が、アディティブ法により形成されている点が主に異なり、他の構成は、図１乃至図１０に示す第１の実施の形態と略同一である。なお、図１１乃至図１６において、図１乃至図１０に示す第１の実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。

図１１に示すように、第１配線層１４、第２配線層１５の第１導体部分１５ａおよび第３導体部分１５ｃ、並びにグランド配線層３０と、第１絶縁層１０との間には、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、もしくはそれらの合金からなる金属薄膜層と、銅（Ｃｕ）からなるＣｕスパッタリング層とを含む第１スパッタシード層７１が介在されている。このようにして、第１絶縁層１０に対して、第１配線層１４、第２配線層１５の第１導体部分１５ａおよび第３導体部分１５ｃ、並びにグランド配線層３０を確実に密着させるように構成されている。なお、このような第１スパッタシード層７１は、後述のグランド用導電接続部７３と、バネ性材料層１１および第２絶縁層１２との間にも介在されている。

第２配線層１５の第２導体部分１５ｂと第２絶縁層１２との間には、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、もしくはそれらの合金からなる金属薄膜層と、銅（Ｃｕ）からなるＣｕスパッタリング層とを含む第２スパッタシード層７２が介在されている。このようにして、第２絶縁層１２に対して、第２配線層１５の第２導体部分１５ｂを確実に密着させるように構成されている。なお、このような第２スパッタシード層７２は、第１配線用導電接続部２０および第２配線用導電接続部２１と、第２絶縁層１２、第１配線層１４の第１導体部分１５ａ、および第３導体部分１５ｃとの間にも介在されている。

図１１に示すように、第１絶縁層１０を貫通し、グランド配線層３０とバネ性材料層１１とを接続するグランド用導電接続部７３が設けられている。すなわち、本実施の形態においては、第１絶縁層１０のみにグランド用貫通孔７４が形成され、このグランド用貫通孔７４に、グランド用導電接続部７３が形成されている。なお、このグランド用導電接続部７３は、グランド配線層３０と同一の材料によって一体に形成され、第１スパッタシード層７１を介してバネ性材料層１１に接続されている。また、グランド用貫通孔７４の上方は、第２絶縁層１２および保護層２２により覆われている。

図１２乃至図１６を用いて、本実施の形態におけるサスペンション用基板１の製造方法について説明する。ここでは、第１配線層１４、第２配線層１５の第１導体部分１５ａおよび第３導体部分１５ｃ、並びにグランド配線層３０が、アディティブ法により形成される例について説明する。

まず、図１２（ａ）に示すように、バネ性材料層１１を準備する。

次に、図１２（ｂ）に示すように、バネ性材料層１１に、第１絶縁層１０が積層され、この第１絶縁層１０を貫通し、グランド用導電接続部７３を形成するためのグランド用貫通孔７４が形成される。この場合、まず、第１絶縁層１０の表面に、パターン状のレジスト（図示せず）が形成されると共に、バネ性材料層１１の全面にレジスト（図示せず）が形成される。続いて、パターン状のレジストの開口部から、有機アルカリ液などのエッチング液により第１絶縁層１０がエッチングされて、グランド用貫通孔７４が形成される。この際、グランド用貫通孔７４においてバネ性材料層１１の一部が露出される。その後、これらのレジストが剥離される。

次に、図１２（ｃ）に示すように、第１絶縁層１０上、およびグランド用貫通孔７４においてバネ性材料層１１の露出されている部分に、スパッタリングにより、金属薄膜層とＣｕスパッタリング層とを含む第１スパッタシード層７１が形成される。

次に、図１３に示すように、第１配線層１４、第２配線層１５の第１導体部分１５ａおよび第３導体部分１５ｃ、グランド配線層３０、並びにグランド用導電接続部７３が形成されると共に、バネ性材料層１１に開口１１ａが形成される。この場合、まず、第１スパッタシード層７１およびバネ性材料層１１に、パターン状のレジスト７５、７６が形成される。続いて、第１スパッタシード層７１側のパターン状のレジスト７５の開口部に、電解銅めっき法により、第１配線層１４、第２配線層１５の第１導体部分１５ａおよび第３導体部分１５ｃ、グランド配線層３０、並びにグランド用導電接続部７３が形成される（図１３（ｂ）参照）。この際、グランド配線層３０は、グランド用導電接続部７３に一体に形成され、第１スパッタシード層７１を介してバネ性材料層１１に接続される。次に、バネ性材料層１１側のパターン状のレジスト７６の開口部から、塩化第二鉄水溶液などの腐食液により、バネ性材料層１１がエッチングされて、実装領域２および外部接続領域３に、開口１１ａがそれぞれ形成される（図１３（ｃ）参照）。次に、これらのレジスト７５、７６が剥離され（図１３（ｄ）参照）、その後、第１スパッタシード層７１のうち露出されている部分が除去される（図１３（ｅ）参照）。

次に、図１４（ａ）に示すように、第１配線層１４に、第２絶縁層１２が積層され、この第２絶縁層１２を貫通し、第１配線用導電接続部２０を形成するための第１配線用貫通孔２０ａおよび第２配線用導電接続部２１を形成するための第２配線用貫通孔２１ａが形成される。この場合、まず、第１絶縁層１０の上方に、各配線層１４、１５を覆うように第２絶縁層１２が形成される。続いて、第２絶縁層１２の表面に、パターン状のレジスト（図示せず）が形成されると共に、バネ性材料層１１の全面にレジスト（図示せず）が形成される。次に、パターン状のレジストの開口部から、有機アルカリ液などのエッチング液により第２絶縁層１２がエッチングされて、第１配線用貫通孔２０ａおよび第２配線用貫通孔２１ａが形成される。この場合、第１配線用貫通孔２０ａおよび第２配線用貫通孔２１ａにおいて、第２配線層１５の第１導体部分１５ａの一部および第３導体部分１５ｃの一部が露出される。その後、これらのレジストが剥離される。

次に、図１４（ｂ）に示すように、第１絶縁層１０および第２絶縁層１２上に、並びに各配線層１４、１５の露出されている部分に、スパッタリングにより、金属薄膜層とＣｕスパッタリング層とを含む第２スパッタシード層７２が形成される。

次に、図１５に示すように、第２絶縁層１２に形成された第１配線用貫通孔２０ａに、第２配線層１５の第１導体部分１５ａに接続される第１配線用導電接続部２０が形成されると共に、第２配線用貫通孔２１ａに、第３導体部分１５ｃに接続される第２配線用導電接続部２１が形成される。また、第２絶縁層１２に積層され、第２配線層１５の第２導体部分１５ｂが形成される。この場合、まず、第２スパッタシード層７２上に、パターン状のレジスト７７が形成される（図１５（ａ）参照）。なお、バネ性材料層１１には、全面に亘って、図示しないレジストが形成される。続いて、パターン状のレジスト７７の開口部に、電解銅めっき法により、第１配線用貫通孔２０ａおよび第２配線用貫通孔２１ａに、第１配線用導電接続部２０および第２配線用導電接続部２１が形成されると共に、第２配線層１５の第２導体部分１５ｂが形成される（図１５（ｂ）参照）。すなわち、第２配線層１５の第２導体部分１５ｂは、第１配線用導電接続部２０および第２配線用導電接続部２１に一体に形成され、第２スパッタシード層７２を介して、第２配線層１５の第１導体部分１５ａおよび第３導体部分１５ｃに接続される。次に、これらのレジストが剥離され（図１５（ｃ）参照）、その後、第２スパッタシード層７２のうち露出されている部分が除去される（図１５（ｄ）参照）。

次に、図１６（ａ）に示すように、第２絶縁層１２上に、第２配線層１５の第２導体部分１５ｂを覆う保護層２２が形成される。この場合、まず、第１絶縁層１０の上方の全領域に亘って保護層２２が形成される。続いて、保護層２２上に、パターン状のレジスト（図示せず）が形成されると共に、バネ性材料層１１の全面にレジスト（図示せず）が形成される。次に、パターン状のレジストの開口部から、エッチング液により保護層２２がエッチングされ、保護層２２が所望の形状に外形加工される。その後、これらのレジストが剥離される。

次に、図１６（ｂ）に示すように、第１絶縁層１０が、所望の形状に外形加工され、実装領域２および外部接続領域３に、開口１０ａがそれぞれ形成される。この場合、まず、第１絶縁層１０の上方にパターン状のレジスト（図示せず）が形成されると共に、バネ性材料層１１の全面にレジスト（図示せず）が形成される。続いて、パターン状のレジストの開口部から、エッチング液により第１絶縁層１０がエッチングされて、第１絶縁層１０のうち露出されている部分が除去される。このようにして、第１絶縁層１０が所望の形状に外形加工されて、開口１０ａがそれぞれ形成される。その後、これらのレジストが剥離される。

次に、図１６（ｃ）に示すように、第１配線層１４の露出されている部分に、Ｎｉめっき層１８およびＡｕめっき層１９が順次形成される。このようにして、実装領域２にヘッド端子５が形成されると共に、外部接続領域５において、外部接続端子６が形成される。

その後、図１６（ｄ）に示すように、バネ性材料層１１が、所望の形状に外形加工される。この場合、まず、バネ性材料層１１の上方の全領域に亘ってレジスト（図示せず）が形成されると共に、バネ性材料層１１の下面に、パターン状のレジスト（図示せず）が形成される。続いて、パターン状のレジストの開口部から、塩化第二鉄水溶液などの腐食液により、バネ性材料層１１がエッチングされて、所望の形状に外形加工される。その後、これらのレジストが剥離され、本実施の形態によるサスペンション用基板１の断面構成が得られる（図１１参照）。

このように本実施の形態によれば、第２配線層１５の第２導体部分１５ｂが、第１配線層１４に第２絶縁層１２を介して積層されている。このことにより、第１配線層１４と第２配線層１５との間の差動インピーダンスを低減することができる。また、第１配線層１４に第２絶縁層１２を介して積層された第２配線層１５の第２導体部分１５ｂは、第１配線層１４と同一平面上に配置された第２配線層１５の第１導体部分１５ａに、第２絶縁層１２を貫通する第１配線用導電接続部２０を介して接続されている。このことにより、第２配線層１５の第１導体部分１５ａと第２導体部分１５ｂとの間の接続信頼性を向上させることができる。また、同様に、第２導体部分１５ｂは、第１配線層１４と同一平面上に配置された第２配線層１５の第３導体部分１５ｃに、第２絶縁層１２を貫通する第２配線用導電接続部２１を介して接続されている。このことにより、第２配線層１５の第２導体部分１５ｂと第３導体部分１５ｃとの間の接続信頼性を向上させることができる。この結果、第１配線層１４と第２配線層との間の差動インピーダンスを低減すると共に、第２配線層１５の接続信頼性を向上させることができる。

また、本実施の形態によれば、上述したような第１配線層１４および第２配線層１５により、書き込み用配線が構成されている。このことにより、書き込み用配線の差動インピーダンスを低減することができ、ディスク６３に対するデータの書き込み速度を向上させるとともに、消費電力を抑制することができる。さらには、第１配線層１４および第２配線層１５の伝送損失が低減することにより、ディスク６３に対するデータの書き込みの安定性を向上させることができる。なお、第１配線層１４および第２配線層１５により、書き込み用配線ではなく、読み込み用配線が構成されるようにしても良い。この場合にも、上記の効果が得られるため、ディスク６３からのデータの読み込みの信頼性を向上させることができる。

さらに、本実施の形態によれば、アディティブ法により、第１配線層１４、第２配線層１５の第１導体部分１５ａおよび第３導体部分１５ｃ、並びにグランド配線層３０を形成することができる。このため、第１配線層１４、第２配線層１５の第１導体部分１５ａおよび第３導体部分１５ｃ、並びにグランド配線層３０の断面形状を精度良く形成することができ、電気特性をより一層向上させることができる。

以上、本発明の実施の形態について詳細に説明してきたが、本発明によるサスペンション用基板およびサスペンション用基板の製造方法は、上記実施の形態に何ら限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。

１ サスペンション用基板
２ 実装領域
３ 外部接続領域
４ 中間領域
５ ヘッド端子
６ 外部接続端子
１０ 第１絶縁層
１０ａ 開口
１１ バネ性材料層
１１ａ 開口
１２ 第２絶縁層
１４ 第１配線層
１５ 第２配線層
１５ａ 第１導体部分
１５ｂ 第２導体部分
１５ｃ 第３導体部分
１６ 他の配線層
１８ Ｎｉめっき層
１９ Ａｕめっき層
２０ 第１配線用導電接続部
２０ａ 第１配線用貫通孔
２１ 第２配線用導電接続部
２１ａ 第２配線用貫通孔
２２ 保護層
２３ スパッタシード層
２５ 積層体
２６ 配線材料層
２７ レジスト
３０ グランド配線層
３１ グランド用導電接続部
３２ グランド用貫通孔
３２ａ 第１絶縁層貫通孔
３２ｂ グランド配線層貫通孔
３２ｃ 第２絶縁層貫通孔
３３ 露出孔
４１ サスペンション
４２ ロードビーム
５１ ヘッド付サスペンション
５２ スライダ
６１ ハードディスクドライブ
６２ ケース
６３ ディスク
６４ スピンドルモータ
６５ ボイスコイルモータ
６６ アーム
７１ 第１スパッタシード層
７２ 第２スパッタシード層
７３ グランド用導電接続部
７４ グランド用貫通孔
７５〜７７ レジスト

Claims (12)

1. スライダを実装する実装領域と、外部接続基板に接続される外部接続領域と、前記実装領域と前記外部接続領域との間に配置された中間領域とを有するサスペンション用基板において、
   第１絶縁層と、
   前記第１絶縁層の一方の面に設けられ、導電性を有するバネ性材料層と、
   前記第１絶縁層の他方の面に設けられた第１配線層と、
   前記第１配線層に対して絶縁された第２配線層と、を備え、
   前記第２配線層は、前記実装領域において前記第１配線層と同一平面上に配置された第１導体部分と、前記中間領域において前記第１配線層に第２絶縁層を介して積層され、前記第１導体部分に接続された第２導体部分と、前記外部接続領域において前記第１配線層と同一平面上に配置され、前記第２導体部分に接続された第３導体部分とを有し、
   前記第２絶縁層を貫通し、前記第２配線層の前記第１導体部分と前記第２導体部分とを接続する配線用導電接続部が設けられていることを特徴とするサスペンション用基板。
2. 前記第２絶縁層を貫通し、前記第２配線層の前記第２導体部分と前記第３導体部分とを接続する第２の配線用導電接続部が設けられていることを特徴とする請求項１に記載のサスペンション用基板。
3. 前記配線用導電接続部および前記第２の配線用導電接続部は、円筒状または円錐状に形成され、前記第２配線層の前記第２導体部分側の端部における直径が、５０〜１１０μｍであることを特徴とする請求項２に記載のサスペンション用基板。
4. 前記第１配線層と同一平面上に、グランド配線層が設けられ、
   前記第１絶縁層を貫通し、前記グランド配線層と前記バネ性材料層とを接続するグランド用導電接続部が設けられ、
   前記第２配線層の前記第１導体部分と前記第２導体部分とを接続する前記配線用導電接続部と前記グランド用導電接続部は、前記サスペンション用基板の長手方向に延びる中心線に対して、対称に配置されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のサスペンション用基板。
5. 前記グランド用導電接続部は、ニッケルめっきまたは銅めっきにより形成されていることを特徴とする請求項４に記載のサスペンション用基板。
6. スライダを実装する実装領域と、外部接続基板に接続される外部接続領域と、前記実装領域と前記外部接続領域との間に配置された中間領域とを有するサスペンション用基板の製造方法において、
   導電性を有するバネ性材料層に積層された第１絶縁層の前記バネ性材料層とは反対側の面に、第１配線層を形成すると共に、前記実装領域に配置され、前記第１配線層と絶縁される第２配線層の第１導体部分、および、前記外部接続領域に配置され、前記第１配線層と絶縁される前記第２配線層の第３導体部分を形成する工程と、
   前記第１配線層に第２絶縁層を積層し、当該第２絶縁層を貫通する配線用貫通孔を形成する工程と、
   前記第２絶縁層に形成された配線用貫通孔に、前記第２配線層の前記第１導体部分に接続される配線用導電接続部を形成する工程と、
   前記第２絶縁層に積層され、前記第２配線層の前記第１導体部分に前記配線用導電接続部を介して接続されると共に、前記第２配線層の前記第３導体部分に接続される前記第２配線層の第２導体部分を形成する工程と、を備えたことを特徴とするサスペンション用基板の製造方法。
7. 前記第２絶縁層に前記配線用貫通孔を形成する際、前記第２絶縁層を貫通する第２の配線用貫通孔が形成され、
   前記第２配線層の前記第１導体部分と前記第２導体部分とを接続する前記配線用導電接続部を形成する際、前記第２絶縁層に形成された前記第２の配線用貫通孔に、前記第２配線層の前記第２導体部分と前記第３導体部分とを接続する第２の配線用導電接続部が形成されることを特徴とする請求項７に記載のサスペンション用基板の製造方法。
8. 前記配線用導電接続部および前記第２の配線用導電接続部は、円筒状または円錐状に形成され、前記第２配線層の前記第２導体部分側の端部における直径が、５０〜１１０μｍであることを特徴とする請求項７に記載のサスペンション用基板の製造方法。
9. 前記第１配線層を形成する際、前記第１配線層と同一平面上にグランド配線層が形成され、
   前記第１絶縁層に、当該第１絶縁層を貫通するグランド用貫通孔が形成され、
   前記グランド用貫通孔に、前記グランド配線層と前記バネ性材料層とを接続するグランド用導電接続部が形成され、
   前記第１配線層の前記第１導体部分と前記第２導体部分とを接続する前記配線用導電接続部と前記グランド用導電接続部は、前記サスペンション用基板の長手方向に延びる中心線に対して、対称に配置されることを特徴とする請求項６乃至８のいずれかに記載のサスペンション用基板の製造方法。
10. 前記グランド用導電接続部は、ニッケルめっきまたは銅めっきにより形成されることを特徴とする請求項９に記載のサスペンション用基板の製造方法。
11. 前記第１絶縁層と、前記第１絶縁層の一方の面に設けられた前記バネ性材料層と、前記第１絶縁層の他方の面に設けられた配線材料層とを有する積層体を準備する工程を更に備え、
    前記第１配線層を形成すると共に、前記第２配線層の前記第１導体部分および前記第３導体部分を形成する工程において、前記積層体の前記配線材料層がエッチングされて、前記第１配線層、並びに前記第２配線層の前記第１導体部分および前記第３導体部分が形成されることを特徴とする請求項６乃至１０のいずれかに記載のサスペンション用基板の製造方法。
12. 前記バネ性材料層を準備する工程と、
    前記バネ性材料層の一方の面に前記第１絶縁層を積層する工程と、を更に備え、
    前記第１配線層を形成すると共に、前記第２配線層の前記第１導体部分および前記第３導体部分を形成する工程において、前記第１絶縁層に、めっきにより、前記第１配線層、並びに前記第２配線層の前記第１導体部分および前記第３導体部分が形成されることを特徴とする請求項６乃至１０のいずれかに記載のサスペンション用基板の製造方法。

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