JP6174843B2 - サスペンション用基板、サスペンション、素子付サスペンション、ハードディスクドライブ、およびサスペンション用基板の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、小型化を図ることができるサスペンション用基板に関する。

近年、インターネットの普及等によりパーソナルコンピュータの情報処理量の増大や情報処理速度の高速化が要求されてきており、それに伴って、パーソナルコンピュータに組み込まれているハードディスクドライブ（ＨＤＤ）も大容量化や情報伝達速度の高速化が必要となってきている。

ＨＤＤに用いられるサスペンション用基板（フレキシャ）は、通常、一方の先端部分に形成され、磁気ヘッドスライダ等の記録再生用素子を実装する記録再生用素子実装領域と、他方の先端部分に形成され、外部回路基板との接続を行う外部回路基板接続領域と、記録再生用素子実装領域および外部回路基板接続領域を接続する配線層とを有する。また、サスペンション用基板は、通常、金属支持基板、絶縁層および配線層がこの順に積層された基本構造を有する。

例えば配線層の端子部の表面には、劣化防止や接続信頼性向上を目的として、めっき部を設けることが知られている。従来、めっき部を形成するために、配線層の一部をめっき線として用いることが知られている。（例えば後述する図４）。これに対して、配線層および金属支持基板を、絶縁層を貫通するビア部により接続した部材（後述する中間部材）を作製し、次に、金属支持基板からの給電により配線層の表面にめっき部を形成し、その後、金属支持基板をエッチングし、配線層（およびビア部）を金属支持基板から独立化する技術が知られている。例えば特許文献１には、電解めっき後、金属薄膜が露出するように、金属支持層に第１開口部を設け、導体層を独立化することが開示されている。また、特許文献２には、金属薄膜が露出することを防ぐために、被覆部（絶縁された金属支持層）を設けることが開示されている。

なお、無電解めっきを用いる技術ではあるものの、特許文献３には、第１の接地部において金属支持基板に電気的に接続されるようにベース絶縁層上に形成された配線パターンを有し、第１の接地部を金属支持基板の分離部に設けた配線回路基板が開示され、無電解めっき後に、分離部を本体部から分離（切断）することにより、配線パターンを独立化することが開示されている。また、特許文献４には、ピエゾ素子（アクチュエータ素子）の電源用配線層として、一つの電源用配線層を配線用バネ性材料部（ジャンパー部）により２つに分割した共通電源用配線層が開示されている。

特開２００５−１００４８８号公報 特開２００９−２５９３１５号公報 特開２０１０−１７１０４０号公報 特開２０１１−２２７９８２号公報

例えばサスペンション用基板の製造効率（面付け個数）を向上させるために、サスペンション用基板を小型化することが求められている。本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、小型化を図ることができるサスペンション用基板を提供することを主目的とする。

上記課題を解決するために、本発明においては、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成され、表面にめっき部を有する配線層とを有するサスペンション用基板であって、上記配線層は、第一配線層、第二配線層および第三配線層を有し、上記金属支持基板は、ジャンパー部を有し、上記ジャンパー部上に形成された上記絶縁層の開口部に、第一ビア部、第二ビア部および第三ビア部が形成され、上記第一配線層、上記第二配線層および上記第三配線層は、それぞれ、上記第一ビア部、上記第二ビア部および上記第三ビア部と接続され、上記第一ビア部および上記第二ビア部は、上記ジャンパー部に接続され、上記第三ビア部は、上記ジャンパー部から絶縁されていることを特徴とするサスペンション用基板を提供する。

本発明によれば、第一ビア部および第二ビア部に接続されたジャンパー部に、ジャンパー部から絶縁された第三ビア部を設けることにより、サスペンション用基板の小型化を図ることができる。

上記発明においては、上記開口部における上記第三ビア部の上記ジャンパー部側の表面が、厚さ方向において、上記開口部の周囲における上記絶縁層の上記ジャンパー部側の表面よりも内側にある、または、上記開口部における上記第三ビア部の上記ジャンパー部側の表面に、金属支持基板形成用エッチング液では実質的にエッチングされない金属薄膜から構成されるバリア部が形成されていることが好ましい。

また、本発明においては、上述したサスペンション用基板と、上記金属支持基板側の表面に設けられたロードビームと、を有することを特徴とするサスペンションを提供する。

本発明によれば、上述したサスペンション用基板を用いることで、小型化したサスペンションとすることができる。

また、本発明においては、上述したサスペンションと、上記サスペンションに配置された記録再生用素子と、を有することを特徴とする素子付サスペンションを提供する。

本発明によれば、上述したサスペンションを用いることで、小型化した素子付サスペンションとすることができる。

また、本発明においては、上述した素子付サスペンションを有することを特徴とするハードディスクドライブを提供する。

本発明によれば、上述した素子付サスペンションを用いることで、より高機能化されたハードディスクドライブとすることができる。

また、本発明においては、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成され、表面にめっき部を有する配線層とを有するサスペンション用基板の製造方法であって、第一配線層、第二配線層および第三配線層を有する上記配線層を備え、上記絶縁層の開口部に第一ビア部、第二ビア部および第三ビア部が形成され、上記第一配線層、上記第二配線層および上記第三配線層がそれぞれ上記第一ビア部、上記第二ビア部および上記第三ビア部を介して金属支持部材に接続された中間部材を準備する準備工程と、上記金属支持部材からの給電により、少なくとも上記第三配線層の表面に上記めっき部を形成するめっき部形成工程と、上記金属支持部材をエッチングすることにより、上記第一ビア部および上記第二ビア部とは接続され、上記第三ビア部とは絶縁したジャンパー部を有する上記金属支持基板を形成する金属支持基板形成工程とを有することを特徴とするサスペンション用基板の製造方法を提供する。

本発明によれば、第一ビア部および第二ビア部に接続されたジャンパー部の形成と同時に、第三ビア部をジャンパー部から絶縁することにより、小型化可能なサスペンション用基板を少ない工程数で得ることができる。

本発明のサスペンション用基板は、小型化を図ることができるという効果を奏する。

本発明のサスペンション用基板の一例を示す模式図である。 本発明のサスペンション用基板を説明する概略平面図である。 図２の概略断面図である。 従来のサスペンション用基板を説明する概略断面図である。 従来のサスペンション用基板を説明する概略断面図である。 本発明の課題を説明する模式図である。 本発明における第三ビア部を説明する概略断面図である。 本発明における第三ビア部を説明する概略断面図である。 本発明における第三ビア部を説明する概略断面図である。 本発明における第三ビア部を説明する概略断面図である。 本発明における第三ビア部を説明する概略断面図である。 本発明におけるジャンパー部の開口部を説明する模式図である。 本発明における第三ビア部を説明する概略断面図である。 本発明における第三ビア部を説明する概略断面図である。 本発明における第三ビア部を説明する模式図である。 本発明におけるジャンパー部の開口部を説明する模式図である。 本発明のサスペンションの一例を示す概略平面図である。 本発明の素子付サスペンションの一例を示す概略平面図である。 本発明のハードディスクドライブの一例を示す概略平面図である。 本発明のサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。 本発明のサスペンション用基板の製造方法の他の例を示す概略断面図である。 本発明のサスペンション用基板の製造方法の他の例を示す概略断面図である。 本発明のサスペンション用基板の製造方法の他の例を示す概略断面図である。

以下、本発明のサスペンション用基板、サスペンション、素子付サスペンション、ハードディスクドライブ、およびサスペンション用基板の製造方法について詳細に説明する。

Ａ．サスペンション用基板
本発明のサスペンション用基板は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成され、表面にめっき部を有する配線層とを有するサスペンション用基板であって、上記配線層は、第一配線層、第二配線層および第三配線層を有し、上記金属支持基板は、ジャンパー部を有し、上記ジャンパー部上に形成された上記絶縁層の開口部に、第一ビア部、第二ビア部および第三ビア部が形成され、上記第一配線層、上記第二配線層および上記第三配線層は、それぞれ、上記第一ビア部、上記第二ビア部および上記第三ビア部と接続され、上記第一ビア部および上記第二ビア部は、上記ジャンパー部に接続され、上記第三ビア部は、上記ジャンパー部から絶縁されていることを特徴とするものである。

図１は、本発明のサスペンション用基板の一例を示す模式図である。図１（ａ）はサスペンション用基板の概略平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。なお、図１（ａ）では、便宜上、絶縁層およびカバー層の記載は省略している。図１（ａ）に示されるサスペンション用基板１００は、一方の先端部分に形成された記録再生用素子実装領域１０１と、他方の先端部分に形成された外部回路基板接続領域１０２と、記録再生用素子実装領域１０１および外部回路基板接続領域１０２を電気的に接続する複数の配線層１０３ａ〜１０３ｄとを有するものである。配線層１０３ａおよび配線層１０３ｂは一対の配線層であり、同様に、配線層１０３ｃおよび配線層１０３ｄも一対の配線層である。これらの一対の配線層は、一方が書込用配線層であり、他方が読取用配線層である。また、図１（ｂ）に示すように、サスペンション用基板１００は、金属支持基板１と、金属支持基板１上に形成された絶縁層２と、絶縁層２上に形成された配線層３と、配線層３を覆うように形成されたカバー層４とを有する。

図２は、本発明のサスペンション用基板を説明する概略平面図である。図２（ａ）は、本発明における外部回路基板接続領域を示す概略平面図である。なお、図２（ａ）では、便宜上、絶縁層、カバー層およびめっき部の記載は省略している。また、図２（ｂ）は、図２（ａ）における金属支持基板のみを示す概略平面図である。また、図３は図２の概略断面図であり、図３（ａ）は図２のＡ−Ａ断面図であり、図３（ｂ）は図２のＢ−Ｂ断面図であり、図３（ｃ）は図２のＣ−Ｃ断面図である。

図２（ａ）に示すように、配線層３は、第一配線層３ｘ、第二配線層３ｙおよび第三配線層３ｚを有する。また、それぞれの配線層は、素子接続用端子部（図示せず）に接続された引き回し部３ａと、引き回し部３ａに接続された端子部（外部回路基板接続用端子部）３ｂと、端子部３ｂに接続されためっき線部３ｃとを有する。また、図２（ａ）および図３に示すように、金属支持基板１はジャンパー部１ｂを有し、ジャンパー部１ｂ上に形成された絶縁層２の開口部には、第一ビア部６ｘ、第二ビア部６ｙおよび第三ビア部６ｚが形成されている。また、第一配線層３ｘ、第二配線層３ｙおよび第三配線層３ｚは、それぞれ、第一ビア部６ｘ、第二ビア部６ｙおよび第三ビア部６ｚと接続されている。第一ビア部６ｘおよび第二ビア部６ｙは、ジャンパー部１ｂに接続され、第三ビア部６ｚは、ジャンパー部１ｂから絶縁されている。また、図２（ｂ）に示すように、第三ビア部６ｚが形成される位置に相当するジャンパー部１ｂには、開口部１ｚが形成され、第三ビア部６ｚがジャンパー部１ｂから絶縁されている。

本発明によれば、第一ビア部および第二ビア部に接続されたジャンパー部に、ジャンパー部から絶縁された第三ビア部を設けることにより、サスペンション用基板の小型化を図ることができる。

ここで、図４に示すように、従来のサスペンション用基板では、複数の端子部３ｂに、複数のめっき線部３ｃがそれぞれ形成され、各々のめっき線部３ｃが、支持枠１１０の導体層３ｄに接続されていた。これに対して、図５（ａ）に示すように、絶縁層２を貫通するビア部６を介してめっき線部３ｃと金属支持基板１とを接続し、金属支持基板１からの給電によりめっき部５を形成する場合、図４のように、各々が導体層３ｄに接続されためっき線部３ｃを設ける必要が無く、サスペンション用基板の小型化を図ることができる。一方、図５（ａ）におけるめっき線部３ｃは、ビア部６を介して金属支持基板１と接続されているため、配線層３を金属支持基板１から独立化する必要がある。配線層を独立化する場合、図５（ｂ）に示すように、ビア部６の底面に位置する金属支持基板１を除去する方法が挙げられる。また、配線層を独立化する他の例として、図５（ｃ）に示すように、ビア部６の底面に位置する金属支持基板を被覆部１ａとして残し、被覆部１ａの周囲を除去して絶縁する方法が挙げられる。

一方、図６は、本発明の課題を説明する模式図である。図６（ａ）は、外部回路基板接続領域を示す概略平面図である。なお、図６（ａ）では、便宜上、絶縁層、カバー層およびめっき部の記載は省略している。また、図６（ｂ）は図６（ａ）のＡ−Ａ断面図であり、図６（ｃ）は図６（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。図６（ｃ）に示すように、従来から、第三ビア部６ｚの底面に位置する金属支持基板１を除去することで、配線層を独立化する場合がある。また、図６（ａ）、（ｂ）に示すように、従来から、２つの配線層（第一配線層３ｘおよび第二配線層３ｙ）を金属支持基板１のジャンパー部１ｂを介して電気的に接続することが知られている。図６（ａ）のように、ジャンパー部１ｂに接続される第一ビア部６ｘおよび第二ビア部６ｙと、金属支持基板１から絶縁された第三ビア部６ｚとを別に設けると、サスペンション用基板の小型化が困難であるという問題がある。これに対して、図２および図３に示したように、本発明では、ジャンパー部１ｂ上に形成された絶縁層２の開口部に、ジャンパー部１ｂから絶縁された第三ビア部６ｚを設けることにより、サスペンション用基板の小型化を図ることができる。
以下、本発明のサスペンション用基板について、サスペンション用基板の部材と、サスペンション用基板の構成とに分けて説明する。

１．サスペンション用基板の部材
まず、本発明のサスペンション用基板の部材について説明する。本発明のサスペンション用基板は、金属支持基板、絶縁層および配線層を少なくとも有する。

本発明における金属支持基板は、サスペンション用基板の支持体として機能するものである。金属支持基板の材料は、ばね性を有する金属であることが好ましく、具体的にはステンレス鋼等を挙げることができる。また、金属支持基板の厚さは、その材料の種類により異なるものであるが、例えば１０μｍ〜２０μｍの範囲内である。

本発明における絶縁層は、金属支持基板上に形成されるものである。絶縁層の材料は、絶縁性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば樹脂を挙げることができる。上記樹脂としては、例えばポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリベンゾイミダゾール樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂およびポリ塩化ビニル樹脂を挙げることができ、中でもポリイミド樹脂が好ましい。絶縁性、耐熱性および耐薬品性に優れているからである。また、絶縁層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。絶縁層の厚さは、例えば５μｍ〜３０μｍの範囲内であることが好ましく、５μｍ〜１８μｍの範囲内であることがより好ましく、５μｍ〜１２μｍの範囲内であることがさらに好ましい。

本発明における配線層は、絶縁層上に形成されるものである。配線層の材料は、導電性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば金属を挙げることができ、中でも銅（Ｃｕ）が好ましい。また、配線層の材料は、圧延銅であっても良く、電解銅であっても良い。配線層の厚さは、例えば５μｍ〜１８μｍの範囲内であることが好ましく、５μｍ〜１２μｍの範囲内であることがより好ましい。

上記配線層としては、例えば書込用配線層、読取用配線層、熱アシスト用配線層、アクチュエータ素子用配線層、電源用配線層、フライトハイトコントロール用配線層、グランド用配線層、ノイズシールド用配線層、クロストーク防止用配線層等を挙げることができる。

本発明におけるめっき部は、配線層の表面の少なくとも一部に形成されるものである。めっき部を設けることにより、配線層の劣化（腐食等）を防止できる。特に、本発明においては、端子部にめっき部が形成されていることが好ましい。めっき部の種類は特に限定されるものではないが、例えば、Ａｕめっき、Ｎｉめっき、Ａｇめっき、Ｃｕめっき等を挙げることができる。中でも、配線層の表面側からＮｉめっきおよびＡｕめっきが形成されていることが好ましい。めっき部の厚さは、例えば０．１μｍ〜４μｍの範囲内である。

本発明におけるサスペンション用基板は、配線層を覆うカバー層を有していることが好ましい。配線層の劣化（例えば腐食）を防止することができるからである。カバー層の材料は、例えば、上述した絶縁層の材料として記載した樹脂を挙げることができ、中でもポリイミド樹脂であることが好ましい。また、カバー層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。配線層上のカバー層の厚さは、例えば２μｍ〜３０μｍの範囲内であることが好ましく、２μｍ〜１０μｍの範囲内であることがより好ましい。

２．サスペンション用基板の構成
次に、本発明のサスペンション用基板の構成について説明する。本発明における配線層は、第一配線層、第二配線層および第三配線層を有する。また、第一配線層は、第一ビア部、ジャンパー部および第二ビア部を介して、第二配線層と電気的に接続されている。第一配線層および第二配線層の用途は、特に限定されるものではないが、例えば、アクチュエータ素子に接続される共通電源用配線層を挙げることができる。一方、第三配線層の用途は、特に限定されるものではなく、上述した機能を有する配線層として用いることができる。また、本発明においては、第三配線層が複数存在していることが好ましい。

本発明における金属支持基板は、ジャンパー部を有する。ジャンパー部は、周囲の金属支持基板とは絶縁され、第一配線層および第二配線層を接続するものである。また、ジャンパー部上に形成された絶縁層の開口部に、第一ビア部、第二ビア部および第三ビア部が形成され、第一配線層、第二配線層および第三配線層は、それぞれ、第一ビア部、第二ビア部および第三ビア部と接続されている。絶縁層の開口部の平面視形状は特に限定されるものではないが、円状、楕円状、櫛状、十字状、棒状、任意の多角形状等を挙げることができる。図３（ａ）、（ｂ）に示すように、絶縁層２の開口部のサイズをＳ_２とした場合、Ｓ_２は、例えば２０μｍ〜６０μｍの範囲内であり、３０μｍ〜５０μｍの範囲内であることが好ましい。

また、本発明においては、第一ビア部および第二ビア部はジャンパー部に接続され、第三ビア部はジャンパー部から絶縁されている。そのため、第三ビア部が形成される位置においてジャンパー部は除去され、開口部が形成される。ジャンパー部の開口部の平面視形状は特に限定されるものではないが、円状、楕円状、リング状、櫛状、十字状、棒状、任意の多角形状等を挙げることができる。

また、本発明におけるビア部（第一ビア部〜第三ビア部）は、配線層（第一配線層〜第三配線層）とは材料的な連続性を有しないビア部であっても良く、配線層と材料的な連続性を有するビア部であっても良い。

ここで、「材料的な連続性を有しない」とは、材料が異なること、または、同じ材料でも結晶サイズが異なることをいう。一方、「材料的な連続性を有する」とは、材料および結晶サイズが同じであることをいう。後述するアディティブ法のように、ビア部および配線層を同時に形成する場合には、ビア部および配線層の材料および結晶サイズは同じになり、両者は材料的に連続した状態となる。この場合は「材料的な連続性を有する」といえる。一方、後述するサブトラクティブ法のように、ビア部および配線層の材料が異なる場合、または、両者の材料が同一（例えば銅）であっても、配線層の形成後にビア部を形成する場合には、両者の界面に材料的特性（結晶サイズ等）の違いに起因する不連続性が生じる。この場合は「材料的な連続性を有しない」といえる。

本発明におけるビア部が、配線層とは材料的な連続性を有しないビア部である場合、ビア部の材料選択の幅が広がるという利点がある。ビア部の材料は、導電性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えばめっきを挙げることができる。中でも、本発明においては、ビア部の材料が、配線層の材料よりも耐腐食性が高い材料であることが好ましい。めっきの種類としては、例えばＮｉめっき等を挙げることができる。電解Ｎｉめっき法によりビア部を形成する場合、用いられる電解Ｎｉめっき浴としては、例えばワット浴およびスルファミン酸浴等を挙げることができる。

一方、本発明におけるビア部が、配線層と材料的な連続性を有するビア部である場合、配線層およびビア部を同時に形成することができ、製造工程の簡略化を図ることができるという利点がある。

本発明における第三ビア部は、ジャンパー部から絶縁されたものであれば特に限定されるものではない。以下、本発明のサスペンション用基板について、第一形態〜第四形態に分けて説明する。第一形態のサスペンション用基板は、図７（ａ）に示すように、第三ビア部６ｚの底面６１とジャンパー部１ｂとが接しないように、ジャンパー部１ｂに開口部１ｚが形成されている形態である。第二形態のサスペンション用基板は、図７（ｂ）に示すように、第三ビア部６ｚの底面６１を覆うように、ジャンパー部１ｂとは絶縁された被覆部１ａが形成されている形態である。第三形態のサスペンション用基板は、図７（ｃ）に示すように、第三ビア部６ｚの底面６１が、厚さ方向において、絶縁層２の底面２１よりも内側にある形態である。第四形態のサスペンション用基板は、図７（ｄ）に示すように、第三ビア部６ｚの底面６１に、金属支持基板形成用エッチング液では実質的にエッチングされない金属薄膜から構成されるバリア部７が形成されている形態である。

第一形態においては、図７（ａ）に示すように、絶縁層２の開口部における第三ビア部６ｚの底面（ジャンパー部１ｂ側の表面）６１とジャンパー部１ｂとが接しないように、ジャンパー部１ｂに開口部１ｚが形成されている。第一形態では、簡便な方法で、第三ビア部およびジャンパー部を絶縁できるという利点がある。第一形態における第三ビア部は、図８（ａ）に示すように、第三配線層３ｚとは材料的な連続性を有しない第三ビア部６ｚであっても良く、図８（ｂ）に示すように、第三配線層３ｚと材料的な連続性を有する第三ビア部６ｚであっても良い。なお、図８（ｂ）における第三ビア部６ｚの底面６１には、第三配線層３ｚを形成するためのシード層（例えばＣｒ薄膜層）が形成されていても良い。

第二形態においては、図７（ｂ）に示すように、絶縁層２の開口部における第三ビア部６ｚの底面６１を覆うように、ジャンパー部１ｂとは絶縁された被覆部１ａが形成されている。第二形態では、被覆部が形成されていることから、配線層を独立化するための金属支持基板のエッチングにおいて第三ビア部または第三配線層が露出することを防止でき、第三ビア部または第三配線層の腐食を防止できるという利点がある。被覆部は、通常、ジャンパー部と同一の材料から構成されるものである。また、被覆部は第三ビア部の底面全体を覆うことが好ましい。さらに、第二形態における第三ビア部は、図９（ａ）に示すように、第三配線層３ｚとは材料的な連続性を有しない第三ビア部６ｚであっても良く、図９（ｂ）に示すように、第三配線層３ｚと材料的な連続性を有する第三ビア部６ｚであっても良い。

第三形態においては、図７（ｃ）に示すように、絶縁層２の開口部における第三ビア部６ｚの底面６１が、厚さ方向において、開口部の周囲における絶縁層２の底面（ジャンパー部１ｂ側の表面）２１よりも内側にある。第三形態では、第三ビア部の底面が絶縁層の底面よりも内側（配線層側）にあることで、第三ビア部とジャンパー部とを確実に絶縁でき、かつ、小型化を図ることができるという利点がある。

図１０に示すように、第三ビア部６ｚの底面６１と、絶縁層２の底面２１との厚さ方向における差をＤとした場合、Ｄは、例えば１μｍ以上であることが好ましく、３μｍ以上であることがより好ましく、５μｍ以上であることがさらに好ましい。第三ビア部とジャンパー部とをより確実に絶縁できるからである。一方、Ｄは、絶縁層２の厚さよりも小さいことが好ましい。本発明における第三ビア部が第三配線層と材料的な連続性を有する場合、配線層が直接露出することを防止でき、配線層の劣化を防止できるからである。また、隣接するビア部６のピッチをＰとした場合、Ｐは、例えば２００μｍ以下であることが好ましく、１００μｍ〜２００μｍの範囲内であることがより好ましい。

第三形態における第三ビア部は、図１１（ａ）に示すように、第三配線層３ｚとは材料的な連続性を有しない第三ビア部６ｚであっても良く、図１１（ｂ）に示すように、第三配線層３ｚと材料的な連続性を有する第三ビア部６ｚであっても良い。なお、図１１（ｂ）に示すように、第三ビア部６ｚは、ジャンパー部１ｂ側の表面に保護部８を有していても良い。保護部８を設けることで、第三ビア部６ｚが直接露出することを防止でき、第三ビア部６ｚの劣化を防止できるからである。なお、本発明において、第三ビア部が保護部を有し、かつ、保護部が導電性を有する場合、「第三ビア部のジャンパー部側の表面」とは、図１１（ｂ）に示すように、保護部８の底面８１（ジャンパー部１ｂ側の表面）をいう。保護部の材料は、特に限定されるものではないが、配線層の材料よりも耐腐食性が高い材料であることが好ましい。また、保護部としては、例えば無電解めっき膜、スパッタ膜等を挙げることができる。なお、必要であれば、配線層とは材料的な連続性を有しない第三ビア部が、保護部を有していても良い。

また、第三形態においては、図１２（ａ）に示すように、絶縁層２の開口部の端部が、ジャンパー部１ｂの開口部の端部よりも突出していても良い。両端部の差をＬ_１とした場合、Ｌ_１はより小さいことが好ましい。サスペンション用基板の更なる小型化を図ることができるからである。Ｌ_１は、例えば３０μｍ以下であることが好ましく、１５μｍ以下であることがより好ましい。また、ジャンパー部１ｂの開口部のサイズをＳ_１１とした場合、Ｓ_１１は、例えば６０μｍ〜１２０μｍの範囲内であることが好ましく、６０μｍ〜８０μｍの範囲内であることがより好ましい。なお、本発明においては、図１２（ｂ）に示すように、絶縁層２の開口部の端部と、ジャンパー部１ｂの開口部の端部とが略同一であっても良い。「略同一」とは、絶縁層２の開口部の端部と、金属支持基板１の開口部の端部との差（絶対値）が１５μｍ以下（中でも１０μｍ以下、特に５μｍ未満）であることをいう。

一方、本発明においては、図１２（ｃ）に示すように、ジャンパー部１ｂの開口部の端部が、絶縁層２の開口部の端部よりも突出していても良い。第三ビア部６ｚの底面が厚さ方向において絶縁層２の底面よりも内側にある場合、ジャンパー部１ｂの開口部の端部が絶縁層２の開口部の端部よりも突出していても、第三ビア部６ｚとジャンパー部１ｂとを確実に絶縁できる。ジャンパー部１ｂの開口部の端部と絶縁層２の開口部の端部との差をＬ_２とした場合、Ｌ_２は、例えば５μｍ〜４０μｍの範囲内であることが好ましく、１０μｍ〜２０μｍの範囲内であることがより好ましい。また、ジャンパー部１ｂの開口部のサイズをＳ_１２とした場合、Ｓ_１２は、例えば３０μｍ〜８０μｍの範囲内であることが好ましく、４０μｍ〜６０μｍの範囲内であることがより好ましい。

第四形態においては、図７（ｄ）に示すように、絶縁層２の開口部における第三ビア部６ｚの底面６１に、金属支持基板形成用エッチング液では実質的にエッチングされない金属薄膜から構成されるバリア部７が形成されている。第四形態では、バリア部が形成されていることで、配線層を独立化するための金属支持基板のエッチングにおいて第三ビア部または第三配線層が露出することを防止でき、第三ビア部または第三配線層の腐食を防止できるという利点がある。

ここで、金属支持基板形成用エッチング液では実質的にエッチングされない金属薄膜とは、以下の金属薄膜をいう。すなわち、金属支持基板形成用エッチング液に対する、金属支持基板および金属薄膜のエッチングレートを同条件で測定し、両者の差が５倍以上（好ましくは１０倍以上）ある時に、金属支持基板形成用エッチング液では実質的にエッチングされない金属薄膜と判断することができる。なお、金属支持基板がステンレス鋼であり、金属薄膜がニッケルである場合、両者の差は通常１倍以上５倍未満である。また、金属支持基板がステンレス鋼であり、金属薄膜がクロムである場合、両者の差は通常１倍以上２倍以下である。また、金属支持基板形成用エッチング液としては、例えば塩化鉄系エッチング液を挙げることができ、具体的には、塩化第二鉄溶液等を挙げることができる。

本発明におけるバリア部の材料は、特に限定されるものではないが、通常、配線層の材料およびビア部の材料とは異なる材料である。中でも、本発明におけるバリア部は、Ｔｉ、Ｐｄ、Ａｕ、ＰｔおよびＡｇの少なくとも一つを含有することが好ましく、ＡｕおよびＰｄの少なくとも一方を含有することがより好ましい。耐エッチング性に加え、耐腐食性が優れているからである。また、本発明におけるバリア部は、金属単体から構成される金属薄膜であっても良く、金属合金から構成される金属薄膜であっても良い。図１３に示すように、バリア部７の厚さをＴとした場合、Ｔは、例えば１μｍ以上であることが好ましく、１μｍ〜３μｍの範囲内であることがより好ましい。上記範囲であれば、配線層を独立化するための金属支持基板のエッチングにおいて第三ビア部または第三配線層が露出することを十分に防止できるからである。

また、図１３に示すように、バリア部７の底面７１（ジャンパー部１ｂ側の表面）と、絶縁層２の底面２１とは、面一であることが好ましい。金属支持基板形成用エッチング液による第三ビア部のエッチングを効果的に防止できるからである。「面一」とは、厚さ方向におけるバリア部７の底面７１と絶縁層２の底面２１との差（絶対値）が１μｍ以下であることをいう。なお、図示しないが、本発明におけるバリア部の底面は、絶縁層の底面よりも内側（配線層側）にあっても良い。

第四形態における第三ビア部は、図１４（ａ）に示すように、第三配線層３ｚとは材料的な連続性を有しない第三ビア部６ｚであっても良く、図１４（ｂ）に示すように、第三配線層３ｚと材料的な連続性を有する第三ビア部６ｚであっても良い。特に、本発明においては、図１５に示すように、第三ビア部６ｚおよびバリア部７の間にシード層９が形成されていることが好ましい。配線層を独立化するための金属支持基板のエッチングにおいてシード層が露出することを防止できるからである。

また、本発明においては、図１６に示すように、絶縁層２の開口部の端部が、通常、ジャンパー部１ｂの開口部の端部よりも突出する。両端部の差をＬ_３とした場合、Ｌ_３は、例えば１５μｍ以上であることが好ましく、１５μｍ〜３０μｍの範囲内であることが好ましい。上記範囲内であれば、第三ビア部とジャンパー部とを確実に絶縁しつつ、サスペンション用基板の小型化を図ることができるからである。また、ジャンパー部１ｂの開口部のサイズをＳ_１３とした場合、Ｓ_１３は、例えば５０μｍ〜１２０μｍの範囲内であることが好ましく、６０μｍ〜１１０μｍの範囲内であることがより好ましい。

本発明におけるビア部（第一ビア部〜第三ビア部）は、配線層（第一配線層〜第三配線層）に接続できる位置であれば任意の位置に設けることができる。ビア部の位置としては、例えば図２（ａ）のように、端子部３ｂよりも下流側（めっき線部３ｃ側）の位置を挙げることができる。また、図示しないが、端子部よりも上流側（引き回し部側）にビア部を設けても良い。なお、本発明における端子部の種類は特に限定されるものではないが、例えば、外部回路基板接続用端子部、サスペンション用基板の電気検査を行うための電極を接触させるテスト用端子部（テストパッド）等を挙げることができる。

Ｂ．サスペンション
次に、本発明のサスペンションについて説明する。本発明のサスペンションは、上述したサスペンション用基板と、上記金属支持基板側の表面に設けられたロードビームと、を有することを特徴とするものである。

図１７は、本発明のサスペンションの一例を示す概略平面図である。図１７に示されるサスペンション３００は、上述したサスペンション用基板１００と、サスペンション用基板１００の金属支持基板側の表面に設けられたロードビーム２００とを有するものである。

本発明によれば、上述したサスペンション用基板を用いることで、小型化したサスペンションとすることができる。

本発明のサスペンションは、サスペンション用基板と、ロードビームとを有する。本発明におけるサスペンション用基板については、上記「Ａ．サスペンション用基板」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。一方、本発明におけるロードビームは、サスペンション用基板の金属支持基板側の表面に設けられるものである。ロードビームの材料は、特に限定されるものではないが、例えば金属を挙げることができ、ステンレス鋼であることが好ましい。

Ｃ．素子付サスペンション
次に、本発明の素子付サスペンションについて説明する。本発明の素子付サスペンションは、上述したサスペンションと、上記サスペンションに配置された記録再生用素子と、を有することを特徴とするものである。

図１８は、本発明の素子付サスペンションの一例を示す概略平面図である。図１８に示される素子付サスペンション４００は、上述したサスペンション３００と、サスペンション３００の記録再生用素子実装領域１０１に実装された記録再生用素子３０１と、を有するものである。

本発明によれば、上述したサスペンションを用いることで、小型化した素子付サスペンションとすることができる。

本発明の素子付サスペンションは、少なくともサスペンションおよび記録再生用素子を有する。本発明におけるサスペンションについては、上記「Ｂ．サスペンション」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、本発明における記録再生用素子は、特に限定されるものではないが、磁気発生素子を有するものが好ましい。具体的には、磁気ヘッドスライダを挙げることができる。また、本発明の素子付サスペンションは、熱アシスト用素子、アクチュエータ素子等の他の素子を有していても良い。

アクチュエータ素子は、通常、マイクロアクチュエータ、ミリアクチュエータが該当する。アクチュエータ素子としては、例えばピエゾ素子を挙げることができる。ピエゾ素子としては、例えばＰＺＴからなるものを挙げることができる。ピエゾ素子の伸縮応答を利用することで、サブミクロン単位での位置決めを行うことができる。また、ピエゾ素子には、エネルギー効率が高い、耐荷重が大きい、応答性が速い、摩耗劣化がない、磁場が発生しないという利点がある。また、本発明においては、２極のピエゾ素子を１個用いても良い。１極のピエゾ素子を２個用いても良い。

Ｄ．ハードディスクドライブ
次に、本発明のハードディスクドライブについて説明する。本発明のハードディスクドライブは、上述した素子付サスペンションを有することを特徴とするものである。

図１９は、本発明のハードディスクドライブの一例を示す概略平面図である。図１９に示されるハードディスクドライブ５００は、上述した素子付サスペンション４００と、素子付サスペンション４００がデータの書き込みおよび読み込みを行うディスク４０１と、ディスク４０１を回転させるスピンドルモータ４０２と、素子付サスペンション４００の素子を移動させるアーム４０３およびボイスコイルモータ４０４と、上記の部材を密閉するケース４０５とを有するものである。

本発明によれば、上述した素子付サスペンションを用いることで、より高機能化されたハードディスクドライブとすることができる。

本発明のハードディスクドライブは、少なくとも素子付サスペンションを有し、通常は、さらにディスク、スピンドルモータ、アームおよびボイスコイルモータを有する。素子付サスペンションについては、上記「Ｃ．素子付サスペンション」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、その他の部材についても、一般的なハードディスクドライブに用いられる部材と同様のものを用いることができる。

Ｅ．サスペンション用基板の製造方法
次に、本発明のサスペンション用基板の製造方法について説明する。本発明のサスペンション用基板の製造方法は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成され、表面にめっき部を有する配線層とを有するサスペンション用基板の製造方法であって、第一配線層、第二配線層および第三配線層を有する上記配線層を備え、上記絶縁層の開口部に第一ビア部、第二ビア部および第三ビア部が形成され、上記第一配線層、上記第二配線層および上記第三配線層がそれぞれ上記第一ビア部、上記第二ビア部および上記第三ビア部を介して金属支持部材に接続された中間部材を準備する準備工程と、上記金属支持部材からの給電により、少なくとも上記第三配線層の表面に上記めっき部を形成するめっき部形成工程と、上記金属支持部材をエッチングすることにより、上記第一ビア部および上記第二ビア部とは接続され、上記第三ビア部とは絶縁したジャンパー部を有する上記金属支持基板を形成する金属支持基板形成工程とを有することを特徴とするものである。

図２０は、上述した第三形態のサスペンション用基板をサブトラクティブ法で作製する方法を示す概略断面図である。図２０においては、まず、金属支持部材１Ａ、絶縁部材２Ａおよび導体部材３Ａがこの順に積層された積層部材を準備する（図２０（ａ））。次に、導体部材３Ａに対して、ウェットエッチングを行い、第三配線層３ｚを有する配線層３を形成する（図２０（ｂ））。この際、金属支持部材１Ａに対して、同時にウェットエッチングを行い、治具孔等を設けても良い。次に、配線層３上にカバー層４を形成し（図２０（ｃ））、絶縁部材２Ａに対してウェットエッチングを行い、開口部を有する絶縁層２を形成する（図２０（ｄ））。次に、金属支持部材１Ａからの給電により、第三配線層３ｚおよび金属支持部材１Ａを接続する第三ビア部６ｚを絶縁層２の開口部に形成する。これにより、中間部材１１が得られる（図２０（ｅ））。次に、金属支持部材１Ａからの給電により、第三配線層３ｚ（端子部３ｂ）の表面にめっき部５を形成する（図２０（ｆ））。次に、金属支持部材１Ａに対してウェットエッチングを行い、第三ビア部６ｚと絶縁したジャンパー部１ｂを形成する（図２０（ｇ））。その後、更なるエッチング（オーバーエッチング）を連続的に行い、第三ビア部６ｚの底面６１を、厚さ方向において、絶縁層２の底面２１よりも内側にする（図２０（ｈ））。これにより、サスペンション用基板が得られる。

図２１は、上述した第四形態のサスペンション用基板をサブトラクティブ法で作製する方法を示す概略断面図である。図２１においては、まず、金属支持部材１Ａ、絶縁部材２Ａおよび導体部材３Ａがこの順に積層された積層部材を準備する（図２１（ａ））。次に、導体部材３Ａに対して、ウェットエッチングを行い、第三配線層３ｚを有する配線層３を形成する（図２１（ｂ））。この際、金属支持部材１Ａに対して、同時にウェットエッチングを行い、治具孔等を設けても良い。次に、配線層３上にカバー層４を形成し（図２１（ｃ））、絶縁部材２Ａに対してウェットエッチングを行い、開口部を有する絶縁層２を形成する（図２１（ｄ））。次に、金属支持部材１Ａからの給電により、絶縁層２の開口部から露出する表面にバリア部７を形成する（図２１（ｅ））。次に、金属支持部材１Ａからの給電により、第三配線層３ｚおよび金属支持部材１Ａを接続する第三ビア部６ｚを絶縁層２の開口部に形成する。これにより、中間部材１１が得られる（図２１（ｆ））。次に、金属支持部材１Ａからの給電により、第三配線層３ｚ（端子部３ｂ）の表面にめっき部５を形成する（図２１（ｇ））。次に、金属支持部材１Ａに対してウェットエッチングを行い、第三ビア部６ｚと絶縁したジャンパー部１ｂを形成する（図２１（ｈ））。これにより、サスペンション用基板が得られる。

図２２は、上述した第三形態のサスペンション用基板をアディティブ法で作製する方法を示す概略断面図である。図２２においては、まず、金属支持部材１Ａを準備する（図２２（ａ））。次に、金属支持部材１Ａの表面上に、開口部を有する絶縁層２を形成する（図２２（ｂ））。次に、図示しないが、絶縁層２側の表面全体に、スパッタリングによりシード層を形成し、所定のレジストパターンを形成する。次に、レジストパターンから露出するシード層の表面に、第三配線層３ｚを有する配線層３を形成する（図２２（ｃ））。次に、配線層３上にカバー層４を形成する（図２２（ｄ））。これにより、中間部材１１が得られる。次に、金属支持部材１Ａからの給電により、第三配線層３ｚ（端子部３ｂ）の表面にめっき部５を形成する（図２２（ｅ））。次に、金属支持部材１Ａに対してウェットエッチングを行い、第三ビア部６ｚと絶縁したジャンパー部１ｂを形成する（図２２（ｆ））。その後、更なるエッチング（オーバーエッチング）を連続的に行い、第三ビア部６ｚの底面６１を、厚さ方向において、絶縁層２の底面２１よりも内側にする（図２２（ｇ））。最後に、底面６１を保護する保護部８（例えば無電解Ｎｉめっき膜）を形成する（図２２（ｈ））。これにより、サスペンション用基板が得られる。

図２３は、上述した第四形態のサスペンション用基板をアディティブ法で作製する方法を示す概略断面図である。図２３においては、まず、金属支持部材１Ａを準備する（図２３（ａ））。次に、金属支持部材１Ａの表面上に、開口部を有する絶縁層２を形成する（図２３（ｂ））。次に、金属支持部材１Ａからの給電により、絶縁層２の開口部から露出する表面にバリア部７を形成する（図２３（ｃ））。次に、図示しないが、絶縁層２側の表面全体に、スパッタリングによりシード層を形成し、所定のレジストパターンを形成する。次に、レジストパターンから露出するシード層の表面に、第三配線層３ｚを有する配線層３を形成する（図２３（ｄ））。次に、配線層３上にカバー層４を形成する（図２３（ｅ））。これにより、中間部材１１が得られる。次に、金属支持部材１Ａからの給電により、第三配線層３ｚ（端子部３ｂ）の表面にめっき部５を形成する（図２３（ｆ））。次に、金属支持部材１Ａに対してウェットエッチングを行い、第三ビア部６ｚと絶縁したジャンパー部１ｂを形成する（図２３（ｇ））。これにより、サスペンション用基板が得られる。

本発明によれば、第一ビア部および第二ビア部に接続されたジャンパー部の形成と同時に、第三ビア部をジャンパー部から絶縁することにより、小型化可能なサスペンション用基板を少ない工程数で得ることができる。また、本発明のサスペンション用基板の製造方法は、例えば、サブトラクティブ法による製造方法と、アディティブ法による製造方法とに大別することができる。

１．サブトラクティブ法
まず、サブトラクティブ法による製造方法について説明する。サブトラクティブ法による製造方法の一例としては、金属支持部材、絶縁部材および導体部材がこの順に積層された積層部材を準備する積層部材準備工程と、上記導体部材をエッチングし、第一配線層、第二配線層および第三配線層を有する配線層を形成する配線層形成工程と、上記配線層上にカバー層を形成するカバー層形成工程と、上記絶縁部材をエッチングし、開口部を有する絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、上記開口部に、上記第一配線層および上記金属支持部材を接続する第一ビア部、上記第二配線層および上記金属支持部材を接続する第二ビア部、並びに、上記第三配線層および上記金属支持部材を接続する第三ビア部をそれぞれ形成するビア部形成工程と、上記金属支持部材からの給電により、少なくとも上記第三配線層の表面にめっき部を形成するめっき部形成工程と、上記金属支持部材をエッチングすることにより、上記第一ビア部および上記第二ビア部とは接続され、上記第三ビア部とは絶縁したジャンパー部を有する金属支持基板を形成する金属支持基板形成工程と、を有する製造方法を挙げることができる。なお、上述した図２０、図２１は、サブトラクティブ法によるサスペンション用基板の製造方法を例示する概略断面図である。
以下、サブトラクティブ法によるサスペンション用基板の製造方法について、工程ごとに説明する。

（１）積層部材準備工程
積層部材準備工程は、金属支持部材、絶縁部材および導体部材がこの順に積層された積層部材を準備する工程である。

サブトラクティブ法においては、積層部材の金属支持部材をエッチングすることにより金属支持基板が得られ、積層部材の絶縁部材をエッチングすることにより絶縁層が得られ、積層部材の導体部材をエッチングすることにより配線層が得られる。積層部材は、市販の三層材であっても良く、金属支持部材に対して、絶縁部材および導体部材を順次形成して得られたものであっても良い。

（２）配線層形成工程
配線層形成工程は、上記導体部材をエッチングし、第一配線層、第二配線層および第三配線層を有する配線層を形成する工程である。

配線層の形成方法としては、例えば、積層部材の導体部材上に、ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）等を用いてレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する導体部材をウェットエッチングする方法を挙げることができる。ウェットエッチングに用いられるエッチング液の種類は、導体部材の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば導体部材の材料がＣｕである場合には、塩化鉄系エッチング液等を用いることができる。

また、サブトラクティブ法においては、導体部材のエッチングと同時に、金属支持部材のエッチングを行っても良い。金属支持部材のエッチングは、例えば治具孔の形成のためのエッチングを挙げることができる。また、必要であれば、後述する金属支持基板形成工程で行う加工の一部を、導体部材のエッチングと同時に行っても良い。

（３）カバー層形成工程
カバー層形成工程は、上記配線層上にカバー層を形成する工程である。

カバー層の形成方法は、特に限定されるものではなく、カバー層の材料に応じて適宜選択することが好ましい。例えば、カバー層の材料が感光性材料である場合には、全面形成したカバー層に露光現像を行うことによりパターン状のカバー層を得ることができる。また、カバー層の材料が非感光性材料である場合は、全面形成したカバー層の表面に所定のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出した部分を、ウェットエッチングにより除去することによりパターン状のカバー層を得ることができる。

（４）絶縁層形成工程
絶縁層形成工程は、上記絶縁部材をエッチングし、開口部を有する絶縁層を形成する工程である。

絶縁層の形成方法としては、例えば、絶縁部材に対して、ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）等を用いてレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する絶縁部材をウェットエッチングする方法を挙げることができる。ウェットエッチングに用いるエッチング液の種類は、絶縁部材の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば絶縁部材の材料がポリイミド樹脂である場合は、アルカリ系エッチング液等を用いることができる。

また、本発明において、図２１（ｅ）に示すようなバリア部７を有するサスペンション用基板を得る場合、絶縁層形成工程およびビア部形成工程の間に、バリア部形成工程を行うことが好ましい。バリア部形成工程は、上記開口部から露出する表面に、金属支持基板形成用エッチング液では実質的にエッチングされない金属薄膜から構成されるバリア部を形成する工程である。バリア部の形成方法としては、所望のバリア部を得ることができる方法であれば特に限定されるものではないが、電解めっき法および無電解めっき法等のめっき法、スパッタリング法等のＰＶＤ法等を挙げることができる。

（５）ビア部形成工程
ビア部形成工程は、上記開口部に、上記第一配線層および上記金属支持部材を接続する第一ビア部、上記第二配線層および上記金属支持部材を接続する第二ビア部、並びに、上記第三配線層および上記金属支持部材を接続する第三ビア部をそれぞれ形成する工程である。

ビア部の形成方法としては、所望のめっき部を得ることができる方法であれば特に限定されるものではないが、例えば電解めっき法を挙げることができる。本発明においては、金属支持部材からの給電により、ビア部を形成することが好ましい。また、例えば、Ｎｉめっきから構成されるビア部を形成する場合、用いられる電解Ｎｉめっき浴としては、例えば、ワット浴およびスルファミン酸浴等を挙げることができる。めっき条件は、特に限定されるものではなく、所望の条件（めっき時間、印加電圧等）を選択すれば良い。

（６）めっき部形成工程
めっき部形成工程は、上記金属支持部材からの給電により、少なくとも上記第三配線層の表面にめっき部を形成する工程である。なお、本工程において、第一配線層および第二配線層の表面にめっき部を同時に形成しても良い。

金属めっき部の形成方法としては、所望のめっき部を得ることができる方法であれば特に限定されるものではないが、例えば電解めっき法を挙げることができる。例えば電解Ａｕめっき浴としては、シアン化金浴、酸性金浴等を挙げることができる。

（７）金属支持基板形成工程
金属支持基板形成工程は、上記金属支持部材をエッチングすることにより、上記第一ビア部および上記第二ビア部とは接続され、上記第三ビア部とは絶縁したジャンパー部を有する金属支持基板を形成する工程である。本工程において、通常は、金属支持基板の外形加工を行う。さらに、図２０（ｈ）に示すような第三ビア部６ｚを有するサスペンション用基板を得る場合、本工程において、上記開口部における上記第三ビア部の上記金属支持基板側の表面を、厚さ方向において、上記開口部の周囲における上記絶縁層の上記金属支持基板側の表面よりも内側にすることが好ましい。

金属支持基板の形成方法としては、例えば、金属支持部材の導体部材上に、ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）等を用いてレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する金属支持部材をウェットエッチングする方法を挙げることができる。ウェットエッチングに用いられるエッチング液の種類は、導体部材の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば金属支持部材の材料がステンレス鋼である場合は、塩化鉄系エッチング液等を用いることができる。

２．アディティブ法
次に、アディティブ法による製造方法について説明する。アディティブ法による製造方法の一例としては、金属支持部材を準備する金属支持部材準備工程と、上記金属支持部材上に開口部を有する絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、上記絶縁層上に、第一配線層、第二配線層および第三配線層を有する配線層を形成し、同時に、上記開口部に、上記第一配線層および上記金属支持部材を接続する第一ビア部、上記第二配線層および上記金属支持部材を接続する第二ビア部、並びに、上記第三配線層および上記金属支持部材を接続する第三ビア部をそれぞれ形成する配線層形成工程と、上記配線層上にカバー層を形成するカバー層形成工程と、上記金属支持部材からの給電により、少なくとも上記第三配線層の表面にめっき部を形成するめっき部形成工程と、上記金属支持部材をエッチングすることにより、上記第一ビア部および上記第二ビア部とは接続され、上記第三ビア部とは絶縁したジャンパー部を有する金属支持基板を形成する金属支持基板形成工程と、を有する製造方法を挙げることができる。なお、上述した図２２、図２３は、アディティブ法によるサスペンション用基板の製造方法を例示する概略断面図である。
以下、アディティブ法によるサスペンション用基板の製造方法について、工程ごとに説明する。

（１）金属支持部材準備工程
金属支持部材準備工程は、金属支持部材を準備する工程である。金属支持部材には、例えば市販の金属支持部材を用いることができる。

（２）絶縁層形成工程
絶縁層形成工程は、上記金属支持部材上に、開口部を有する絶縁層を形成する工程である。

絶縁層の形成方法は、特に限定されるものではなく、絶縁層の材料に応じて適宜選択することが好ましい。例えば、絶縁層の材料が感光性材料である場合には、全面形成した絶縁層に露光現像を行うことによりパターン状の絶縁層を得ることができる。また、絶縁層の材料が非感光性材料である場合は、全面形成した絶縁層の表面に所定のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出した部分を、ウェットエッチングにより除去することによりパターン状の絶縁層を得ることができる。

また、本発明において、図２３（ｃ）に示すようなバリア部７を有するサスペンション用基板を得る場合、絶縁層形成工程および配線層形成工程の間に、バリア部形成工程を行うことが好ましい。

（３）配線層形成工程
配線層形成工程は、上記絶縁層上に、第一配線層、第二配線層および第三配線層を有する配線層を形成し、同時に、上記開口部に、上記第一配線層および上記金属支持部材を接続する第一ビア部、上記第二配線層および上記金属支持部材を接続する第二ビア部、並びに、上記第三配線層および上記金属支持部材を接続する第三ビア部をそれぞれ形成する工程である。

配線層およびビア部の形成方法としては、例えば電解めっき法等を挙げることができる。具体的には、絶縁層上に、ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）等を用いてレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する絶縁層の表面上に、電解めっき法を行う方法を挙げることができる。電解めっき法を用いる場合、配線層の形成前に、スパッタリング法等により絶縁層の表面にシード層を形成することが好ましい。

（４）その他の工程
その他の工程については、上述したサブトラクティブ法における各工程と同様であるので、ここでの説明は省略する。

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。

以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。

［実施例１］
まず、厚さ１８μｍのＳＵＳ３０４（金属支持部材）、厚さ１０μｍのポリイミド樹脂層（絶縁部材）、厚さ９μｍの電解銅層（導体部材）を有する積層部材を準備した（図２０（ａ））。次に、ドライフィルムレジストを積層部材の両面にラミネートし、レジストパターンを形成した。次に、塩化第二鉄液を用いてエッチングし、エッチング後レジスト剥膜を行った。これにより、導体部材から、第一配線層、第二配線層および第三配線層を有する配線層を形成し（図２０（ｂ））、金属支持部材に治具孔を形成した（図示せず）。

その後、パターニングされた配線層上に、ポリイミド前駆体溶液をダイコーターでコーティングし、所定のパターニングによりカバー層を形成した（図２０（ｃ））。次に、絶縁部材をパターニングするために、レジスト製版し、露出する部位のポリイミド樹脂をウェットエッチングし、開口部を有する絶縁層を形成した（図２０（ｄ））。次に、金属支持部材からの給電により、配線層および金属支持部材を接続するビア部（第一ビア部、第二ビア部、第三ビア部、いずれも電解Ｎｉめっき）を形成した（図２０（ｅ））。次に、金属支持部材からの給電により、配線層の端子部に、めっき部（電解Ａｕめっき）を形成した（図２０（ｆ））。最後に、塩化第二鉄液を用いて、金属支持部材のエッチングを行った（図２０（ｇ）、（ｈ））。これにより、サスペンション用基板を得た。図１０に示したＤを測定したところ、Ｄは１μｍであった

［実施例２］
まず、厚さ１８μｍのＳＵＳ３０４（金属支持部材）、厚さ１０μｍのポリイミド樹脂層（絶縁部材）、厚さ９μｍの電解銅層（導体部材）を有する積層部材を準備した（図２１（ａ））。次に、ドライフィルムレジストを積層部材の両面にラミネートし、レジストパターンを形成した。次に、塩化第二鉄液を用いてエッチングし、エッチング後レジスト剥膜を行った。これにより、導体部材から、第一配線層、第二配線層および第三配線層を有する配線層を形成し（図２１（ｂ））、金属支持部材に治具孔を形成した（図示せず）。

その後、パターニングされた配線層上に、ポリイミド前駆体溶液をダイコーターでコーティングし、所定のパターニングによりカバー層を形成した（図２１（ｃ））。次に、絶縁部材をパターニングするために、レジスト製版し、露出する部位のポリイミド樹脂をウェットエッチングし、開口部を有する絶縁層を形成した（図２１（ｄ））。次に、金属支持部材からの給電により、絶縁層の開口部（第三ビア部を形成するための開口部）で露出する表面にバリア部（電解Ａｕめっき、厚さ２μｍ）を形成した（図２１（ｅ））。次に、金属支持部材からの給電により、配線層および金属支持部材を接続するビア部（第一ビア部、第二ビア部、第三ビア部、いずれも電解Ｎｉめっき）を形成した（図２１（ｆ））。次に、金属支持部材からの給電により、配線層の端子部に、めっき部（電解Ａｕめっき）を形成した（図２１（ｇ））。最後に、塩化第二鉄液を用いて、金属支持部材のエッチングを行った（図２１（ｈ））。これにより、サスペンション用基板を得た。

１…金属支持基板、 １ａ…被覆部、 １ｂ…ジャンパー部、 １ｚ…開口部、 ２…絶縁層、 ３…配線層、 ３ｘ…第一配線層、 ３ｙ…第二配線層、 ３ｚ…第三配線層、 ３ａ…引き回し部、 ３ｂ…端子部、 ３ｃ…めっき線部、 ３ｄ…導体層、 ４…カバー層、 ５…めっき部、 ６…ビア部、 ６ｘ…第一ビア部、 ６ｙ…第二ビア部、 ６ｚ…第三ビア部、 ７…バリア部、 ８…保護部、 ９…シード層、 ２１…絶縁層の底面、 ６１…ビア部の底面 ７１…バリア部の底面、 ８１…保護部の底面、 １００…サスペンション用基板、 １０１…記録再生用素子実装領域、 １０２…外部回路基板接続領域、 １０３…配線層

Claims (7)

1. 金属支持基板と、前記金属支持基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成され、表面にめっき部を有する配線層とを有するサスペンション用基板であって、
   前記配線層は、第一配線層、第二配線層および第三配線層を有し、
   前記金属支持基板は、周囲とは絶縁されたジャンパー部を有し、
   前記ジャンパー部上に形成された前記絶縁層の開口部に、第一ビア部、第二ビア部および第三ビア部が形成され、
   前記第一配線層、前記第二配線層および前記第三配線層は、それぞれ、前記第一ビア部、前記第二ビア部および前記第三ビア部と接続され、
   前記第一ビア部および前記第二ビア部は、前記ジャンパー部に接続され、
   前記第三ビア部は、前記ジャンパー部から絶縁されていることを特徴とするサスペンション用基板。
2. 前記開口部における前記第三ビア部の前記ジャンパー部側の表面が、厚さ方向において、前記開口部の周囲における前記絶縁層の前記ジャンパー部側の表面よりも内側にあることを特徴とする請求項１に記載のサスペンション用基板。
3. 前記開口部における前記第三ビア部の前記ジャンパー部側の表面に、金属支持基板形成用エッチング液では実質的にエッチングされない金属薄膜から構成されるバリア部が形成されていることを特徴とする請求項１に記載のサスペンション用基板。
4. 請求項１から請求項３までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板と、前記金属支持基板側の表面に設けられたロードビームと、を有することを特徴とするサスペンション。
5. 請求項４に記載のサスペンションと、前記サスペンションに配置された記録再生用素子と、を有することを特徴とする素子付サスペンション。
6. 請求項５に記載の素子付サスペンションを有することを特徴とするハードディスクドライブ。
7. 金属支持基板と、前記金属支持基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成され、表面にめっき部を有する配線層とを有するサスペンション用基板の製造方法であって、
   第一配線層、第二配線層および第三配線層を有する前記配線層を備え、前記絶縁層の開口部に第一ビア部、第二ビア部および第三ビア部が形成され、前記第一配線層、前記第二配線層および前記第三配線層がそれぞれ前記第一ビア部、前記第二ビア部および前記第三ビア部を介して金属支持部材に接続された中間部材を準備する準備工程と、
   前記金属支持部材からの給電により、少なくとも前記第三配線層の表面に前記めっき部を形成するめっき部形成工程と、
   前記金属支持部材をエッチングすることにより、前記第一ビア部および前記第二ビア部とは接続され、前記第三ビア部とは絶縁され、かつ、周囲とは絶縁されたジャンパー部を有する前記金属支持基板を形成する金属支持基板形成工程とを有することを特徴とするサスペンション用基板の製造方法。

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