JP2008034639A - 配線回路基板 - Google Patents
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Abstract
【課題】簡易な層構成により、伝送損失を低減させることができるとともに、第１絶縁層と金属箔との密着性を向上させて、長期信頼性に優れる配線回路基板を提供すること。
【解決手段】金属支持基板２を用意し、第１ベース絶縁層３を金属支持基板２の上に形成し、第１金属薄膜４を、第１ベース絶縁層３の全面に形成し、金属箔５を、第１金属薄膜４の上に形成し、第２金属薄膜６を、金属箔５および第１金属薄膜４を被覆するように連続して形成し、第２ベース絶縁層７を、第１ベース絶縁層３の上に、第２金属薄膜６を被覆するように形成し、第３金属薄膜８を、第２ベース絶縁層７の全面に形成し、導体パターン９を、第３金属薄膜８の上に形成し、第４金属薄膜１０を、導体パターン９および第３金属薄膜８を被覆するように連続して形成し、カバー絶縁層１１を、第２ベース絶縁層７の上に、第４金属薄膜１０を被覆するように形成する。
【選択図】図１
【解決手段】金属支持基板２を用意し、第１ベース絶縁層３を金属支持基板２の上に形成し、第１金属薄膜４を、第１ベース絶縁層３の全面に形成し、金属箔５を、第１金属薄膜４の上に形成し、第２金属薄膜６を、金属箔５および第１金属薄膜４を被覆するように連続して形成し、第２ベース絶縁層７を、第１ベース絶縁層３の上に、第２金属薄膜６を被覆するように形成し、第３金属薄膜８を、第２ベース絶縁層７の全面に形成し、導体パターン９を、第３金属薄膜８の上に形成し、第４金属薄膜１０を、導体パターン９および第３金属薄膜８を被覆するように連続して形成し、カバー絶縁層１１を、第２ベース絶縁層７の上に、第４金属薄膜１０を被覆するように形成する。
【選択図】図１
Description
本発明は、配線回路基板に関し、詳しくは、回路付サスペンション基板などの配線回路基板に関する。
従来より、ステンレスからなる金属支持基板の上に、樹脂からなる絶縁層、および、銅からなる導体パターンが順次形成された回路付サスペンション基板が知られている。
このような回路付サスペンション基板では、金属支持基板がステンレスで形成されていることから、導体パターンにおいて伝送損失が大きくなる。
そのため、伝送損失を低減させるために、例えば、プリント形成された記録側線路および再生側線路の導体の下層であって、サスペンションの上に形成される絶縁層の上に、銅合金からなる下部導体を設けることが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
特開２００５−１１３８７号公報
このような回路付サスペンション基板では、金属支持基板がステンレスで形成されていることから、導体パターンにおいて伝送損失が大きくなる。
そのため、伝送損失を低減させるために、例えば、プリント形成された記録側線路および再生側線路の導体の下層であって、サスペンションの上に形成される絶縁層の上に、銅合金からなる下部導体を設けることが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
しかし、上記の提案では、絶縁層と下部導体との密着性が不十分であり、長期信頼性を確保することが困難である。
本発明の目的は、簡易な層構成により、伝送損失を低減させることができるとともに、第１絶縁層と金属箔との密着性を向上させて、長期信頼性に優れる配線回路基板を提供することにある。
本発明の目的は、簡易な層構成により、伝送損失を低減させることができるとともに、第１絶縁層と金属箔との密着性を向上させて、長期信頼性に優れる配線回路基板を提供することにある。
上記の目的を達成するため、本発明の配線回路基板は、金属支持基板と、前記金属支持基板の上に形成される第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上に形成される第１金属薄膜と、前記第１金属薄膜の上に形成される金属箔と、前記第１絶縁層の上に、前記金属箔を被覆するように形成される第２絶縁層と、前記第２絶縁層の上に形成される導体パターンとを備えていることを特徴としている。
また、本発明の配線回路基板では、さらに、前記金属箔および前記第２絶縁層の間に介在するように形成される第２金属薄膜を備えていることが好適である。
本発明の配線回路基板によれば、導体パターンの下に金属箔が形成されているので、簡易な層構成により、伝送損失を低減させることができるとともに、第１絶縁層と金属箔との間に、第１金属薄膜が形成されているので、第１絶縁層と金属箔との密着性の向上を十分に図ることができ、優れた長期信頼性を確保することができる。
図１は、本発明の配線回路基板の一実施形態を示す要部断面図である。
図１において、この配線回路基板１は、ハードディスクドライブに搭載される回路付サスペンション基板であって、長手方向に延びる金属支持基板２と、金属支持基板２の上に形成される第１ベース絶縁層３と、第１ベース絶縁層３の上に形成される第１金属薄膜４と、第１金属薄膜４の上に形成される金属箔５と、第１ベース絶縁層３の上に、金属箔５を被覆するように形成される第２金属薄膜６と、第１ベース絶縁層３の上に、第２金属薄膜６を被覆するように形成される第２ベース絶縁層７と、第２ベース絶縁層７の上に形成される第３金属薄膜８と、第３金属薄膜８の上に形成される導体パターン９と、第２ベース絶縁層７の上に、導体パターン９を被覆するように形成される第４金属薄膜１０とを備えている。また、この配線回路基板１は、必要に応じて、第２ベース絶縁層７の上に、第４金属薄膜１０を被覆するように形成されるカバー絶縁層１１を備えている。
図１において、この配線回路基板１は、ハードディスクドライブに搭載される回路付サスペンション基板であって、長手方向に延びる金属支持基板２と、金属支持基板２の上に形成される第１ベース絶縁層３と、第１ベース絶縁層３の上に形成される第１金属薄膜４と、第１金属薄膜４の上に形成される金属箔５と、第１ベース絶縁層３の上に、金属箔５を被覆するように形成される第２金属薄膜６と、第１ベース絶縁層３の上に、第２金属薄膜６を被覆するように形成される第２ベース絶縁層７と、第２ベース絶縁層７の上に形成される第３金属薄膜８と、第３金属薄膜８の上に形成される導体パターン９と、第２ベース絶縁層７の上に、導体パターン９を被覆するように形成される第４金属薄膜１０とを備えている。また、この配線回路基板１は、必要に応じて、第２ベース絶縁層７の上に、第４金属薄膜１０を被覆するように形成されるカバー絶縁層１１を備えている。
金属支持基板２は、平板状の金属箔や金属薄板からなる。金属支持基板２を形成する金属としては、例えば、ステンレス、４２アロイなどが用いられ、好ましくは、ステンレスが用いられる。また、その厚みは、例えば、１５〜３０μｍ、好ましくは、２０〜２５μｍである。
第１ベース絶縁層３は、金属支持基板２の表面に形成されている。より具体的には、第１ベース絶縁層３は、幅方向（長手方向に直交する方向）において、金属支持基板２の全面に形成されている。第１ベース絶縁層３を形成する絶縁体としては、配線回路基板の絶縁体として通常用いられる、例えば、ポリイミド、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニルなどの合成樹脂が用いられる。これらのうち、好ましくは、感光性の合成樹脂が用いられ、さらに好ましくは、感光性ポリイミドが用いられる。また、その厚みは、例えば、１〜１０μｍ、好ましくは、１〜５μｍである。
第１ベース絶縁層３は、金属支持基板２の表面に形成されている。より具体的には、第１ベース絶縁層３は、幅方向（長手方向に直交する方向）において、金属支持基板２の全面に形成されている。第１ベース絶縁層３を形成する絶縁体としては、配線回路基板の絶縁体として通常用いられる、例えば、ポリイミド、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニルなどの合成樹脂が用いられる。これらのうち、好ましくは、感光性の合成樹脂が用いられ、さらに好ましくは、感光性ポリイミドが用いられる。また、その厚みは、例えば、１〜１０μｍ、好ましくは、１〜５μｍである。
第１金属薄膜４は、第１ベース絶縁層３の表面において、金属箔５が形成されている部分に対向するように、パターンとして形成されている。より具体的には、第１金属薄膜４は、後述するように幅方向おいて互いに間隔を隔てて配置される複数（４つ）の配線のうち幅方向の最外両側の配線間にわたって、これらの配線と厚み方向において対向し、かつ、第１ベース絶縁層３よりも幅狭となるように形成されている。第１金属薄膜４を形成する金属としては、例えば、銅、クロム、金、銀、白金、ニッケル、チタン、ケイ素、マンガン、ジルコニウム、およびそれらの合金、またはそれらの酸化物などが用いられる。好ましくは、銅、クロム、ニッケルおよびそれらの合金が用いられる。また、第１金属薄膜４は、複数の層からなっていてもよい。また、その厚みは、例えば、０．０１〜１μｍ、好ましくは、０．０１〜０．１μｍである。
金属箔５は、第１金属薄膜４の表面において、少なくとも導体パターン９が形成されている部分に対向するように、パターンとして形成されている。より具体的には、金属箔５は、幅方向において第１金属薄膜４の全面に形成されている。金属箔５を形成する金属としては、好ましくは、銅が用いられる。また、その厚みは、例えば、０．１〜５μｍ、好ましくは、１〜５μｍである。
第２金属薄膜６は、金属箔５の表面に、金属箔５を被覆するように形成されている。より具体的には、第２金属薄膜６は、金属箔５の上面および幅方向両側面と、第１金属薄膜４の幅方向両側面とに、これらを被覆するように、連続して形成されている。また、この第２金属薄膜６は、金属箔５および第１金属薄膜４と、第２ベース絶縁層７との間に介在するように形成されている。
第２金属薄膜６を形成する金属としては、例えば、ニッケル、クロム、またはニッケルとクロムとの合金（ニクロム）が用いられる。好ましくは、ニッケルが用いられる。また、その厚みは、例えば、０．０１〜１μｍ、好ましくは、０．０１〜０．１μｍである。
第２ベース絶縁層７は、第１ベース絶縁層３の上に、第２金属薄膜６を被覆するように形成されている。第２ベース絶縁層７を形成する絶縁体としては、上記した第１ベース絶縁層３と同様の絶縁体が用いられる。好ましくは、感光性の合成樹脂が用いられ、さらに好ましくは、感光性ポリイミドが用いられる。また、その厚みは、例えば、１〜１５μｍ、好ましくは、８〜１２μｍである。
第２ベース絶縁層７は、第１ベース絶縁層３の上に、第２金属薄膜６を被覆するように形成されている。第２ベース絶縁層７を形成する絶縁体としては、上記した第１ベース絶縁層３と同様の絶縁体が用いられる。好ましくは、感光性の合成樹脂が用いられ、さらに好ましくは、感光性ポリイミドが用いられる。また、その厚みは、例えば、１〜１５μｍ、好ましくは、８〜１２μｍである。
第３金属薄膜８は、第２ベース絶縁層７の表面において、導体パターン９が形成されている部分に対向するように、パターンとして形成されている。第３金属薄膜８を形成する金属としては、上記した第１金属薄膜４と同様の金属が用いられる。好ましくは、銅、クロム、ニッケルが用いられる。また、その厚みは、例えば、０．０１〜１μｍ、好ましくは、０．０１〜０．１μｍである。
導体パターン９は、第２ベース絶縁層７の上であって、第３金属薄膜８の表面に、幅方向において互いに間隔を隔てるように配置され、長手方向に沿って平行状に設けられる複数（例えば、４本）の配線および各配線の長手方向両端部に設けられる図示しない端子部からなる配線回路パターンとして形成されている。導体パターン９を形成する導体としては、配線回路基板の導体として通常用いられる、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはそれらの合金などの金属が用いられる。これらのうち、好ましくは、銅が用いられる。また、導体パターン９の厚みは、例えば、５〜２０μｍ、好ましくは、７〜１５μｍである。各配線の幅は、例えば、１５〜１００μｍ、好ましくは、２０〜５０μｍであり、各配線間の間隔は、例えば、１５〜１００μｍ、好ましくは、２０〜５０μｍである。
第４金属薄膜１０は、導体パターン９の表面に、導体パターン９を被覆するように形成されている。より具体的には、第４金属薄膜１０は、導体パターン９の各配線の上面（端子部の上面を除く。）および幅方向両側面と、第３金属薄膜８の幅方向両側面とに、これらを被覆するように、連続して形成されている。また、この第４金属薄膜１０は、導体パターン９および第３金属薄膜８と、カバー絶縁層１１との間に介在するように形成されている。
第４金属薄膜１０を形成する金属としては、第２金属薄膜と同様の金属が用いられ、好ましくは、ニッケルが用いられる。また、その厚みは、例えば、０．０１〜１μｍ、好ましくは、０．０１〜０．１μｍである。
カバー絶縁層１１は、第２ベース絶縁層７の上に、第４金属薄膜１０を被覆するように形成されている。より具体的には、カバー絶縁層１１は、幅方向において第２ベース絶縁層７の全面に形成されている。カバー絶縁層１１を形成する絶縁体としては、上記した第１ベース絶縁層３と同様の絶縁体が用いられる。好ましくは、感光性の合成樹脂が用いられ、さらに好ましくは、感光性ポリイミドが用いられる。また、その厚みは、例えば、２〜１０μｍ、好ましくは、３〜６μｍである。なお、カバー絶縁層１１は、図示しない導体パターン９の端子部が露出するように、開口されている。
カバー絶縁層１１は、第２ベース絶縁層７の上に、第４金属薄膜１０を被覆するように形成されている。より具体的には、カバー絶縁層１１は、幅方向において第２ベース絶縁層７の全面に形成されている。カバー絶縁層１１を形成する絶縁体としては、上記した第１ベース絶縁層３と同様の絶縁体が用いられる。好ましくは、感光性の合成樹脂が用いられ、さらに好ましくは、感光性ポリイミドが用いられる。また、その厚みは、例えば、２〜１０μｍ、好ましくは、３〜６μｍである。なお、カバー絶縁層１１は、図示しない導体パターン９の端子部が露出するように、開口されている。
次に、この配線回路基板１の製造方法について、図２〜図４を参照して、説明する。
まず、この方法では、図２（ａ）に示すように、金属支持基板２を用意する。
次いで、この方法では、図２（ｂ）に示すように、金属支持基板２の表面に、例えば、上記した合成樹脂の溶液（ワニス）を均一に塗布した後、乾燥し、次いで、必要に応じて、加熱することによって硬化させ、合成樹脂からなる第１ベース絶縁層３を形成する。また、第１ベース絶縁層３は、感光性の合成樹脂を塗布し、乾燥後、露光および現像することにより、パターンとして形成することもできる。さらに、第１ベース絶縁層３の形成は、上記の方法に特に制限されず、例えば、予め合成樹脂をフィルムに形成して、そのフィルムを、金属支持基板２の表面に、公知の接着剤層を介して貼着することもできる。
まず、この方法では、図２（ａ）に示すように、金属支持基板２を用意する。
次いで、この方法では、図２（ｂ）に示すように、金属支持基板２の表面に、例えば、上記した合成樹脂の溶液（ワニス）を均一に塗布した後、乾燥し、次いで、必要に応じて、加熱することによって硬化させ、合成樹脂からなる第１ベース絶縁層３を形成する。また、第１ベース絶縁層３は、感光性の合成樹脂を塗布し、乾燥後、露光および現像することにより、パターンとして形成することもできる。さらに、第１ベース絶縁層３の形成は、上記の方法に特に制限されず、例えば、予め合成樹脂をフィルムに形成して、そのフィルムを、金属支持基板２の表面に、公知の接着剤層を介して貼着することもできる。
次いで、この方法では、図２（ｃ）に示すように、第１ベース絶縁層３の全面に第１金属薄膜４を形成する。
第１金属薄膜４は、電解めっきまたは無電解めっき、スパッタリングなどにより、形成する。
電解めっきとしては、例えば、上記した金属のめっき溶液に、予め表面（下地）処理した、図２（ｂ）に示す製造途中の配線回路基板１を浸漬しながら、所定時間通電する、電解めっきが用いられ、好ましくは、ニッケルのめっき溶液に、図２（ｂ）に示す製造途中の配線回路基板１を浸漬しながら通電する、電解ニッケルめっきが用いられる。
第１金属薄膜４は、電解めっきまたは無電解めっき、スパッタリングなどにより、形成する。
電解めっきとしては、例えば、上記した金属のめっき溶液に、予め表面（下地）処理した、図２（ｂ）に示す製造途中の配線回路基板１を浸漬しながら、所定時間通電する、電解めっきが用いられ、好ましくは、ニッケルのめっき溶液に、図２（ｂ）に示す製造途中の配線回路基板１を浸漬しながら通電する、電解ニッケルめっきが用いられる。
無電解めっきとしては、例えば、上記した金属のめっき溶液に、予め表面（触媒）処理した、図２（ｂ）に示す製造途中の配線回路基板１を所定時間浸漬する、無電解めっきが用いられ、好ましくは、ニッケルのめっき溶液に、図２（ｂ）に示す製造途中の配線回路基板１を所定時間浸漬する、無電解ニッケルめっきが用いられる。
スパッタリングとしては、例えば、上記した金属をターゲットとするスパッタリングが用いられ、好ましくは、クロムスパッタリングおよび銅スパッタリングが用いられ、これらによりクロム薄膜と銅薄膜とを順次積層する。
スパッタリングとしては、例えば、上記した金属をターゲットとするスパッタリングが用いられ、好ましくは、クロムスパッタリングおよび銅スパッタリングが用いられ、これらによりクロム薄膜と銅薄膜とを順次積層する。
次いで、この方法では、図２（ｄ）に示すように、めっきレジスト１３を、第１金属薄膜４の表面に、上記した金属箔５のパターンと逆パターンで形成する。めっきレジスト１３の形成は、例えば、ドライフィルムレジストを設けて、これを露光および現像する、公知の方法が用いられる。
次いで、この方法では、図２（ｅ）に示すように、めっきレジスト１３をめっきレジストとして、電解めっき、好ましくは、電解銅めっきにより、めっきレジスト１３から露出する第１金属薄膜４の表面に金属箔５を形成する。
次いで、この方法では、図２（ｅ）に示すように、めっきレジスト１３をめっきレジストとして、電解めっき、好ましくは、電解銅めっきにより、めっきレジスト１３から露出する第１金属薄膜４の表面に金属箔５を形成する。
次いで、この方法では、図３（ｆ）に示すように、めっきレジスト１３およびめっきレジスト１３が形成されていた部分の第１金属薄膜４を、例えば、化学エッチング（ウェットエッチング）などの公知のエッチング法または剥離によって除去する。
次いで、この方法では、図３（ｇ）に示すように、金属箔５の上面および幅方向両側面と、第１金属薄膜４の幅方向両側面とに、第２金属薄膜６を、金属箔５および第１金属薄膜４を被覆するように、連続して形成する。
次いで、この方法では、図３（ｇ）に示すように、金属箔５の上面および幅方向両側面と、第１金属薄膜４の幅方向両側面とに、第２金属薄膜６を、金属箔５および第１金属薄膜４を被覆するように、連続して形成する。
第２金属薄膜６は、電解めっきまたは無電解めっき、スパッタリングなどにより、形成する。好ましくは、無電解めっきにより、第２金属薄膜６を形成する。
無電解めっきでは、例えば、上記した金属のめっき溶液、好ましくは、ニッケルのめっき溶液に、予め表面（触媒）処理した、図３（ｆ）に示す製造途中の配線回路基板１を所定時間浸漬することにより、ニッケルからなる第２金属薄膜６を形成する。
無電解めっきでは、例えば、上記した金属のめっき溶液、好ましくは、ニッケルのめっき溶液に、予め表面（触媒）処理した、図３（ｆ）に示す製造途中の配線回路基板１を所定時間浸漬することにより、ニッケルからなる第２金属薄膜６を形成する。
次いで、この方法では、図３（ｈ）に示すように、第２金属薄膜６を含む第１ベース絶縁層３の全面に、例えば、第１ベース絶縁層３と同様の合成樹脂の溶液（ワニス）を均一に塗布した後、乾燥し、次いで、必要に応じて、加熱することによって硬化させ、合成樹脂からなる第２ベース絶縁層７を形成する。また、第２ベース絶縁層７は、感光性の合成樹脂を塗布し、乾燥後、露光および現像することにより、パターンとして形成することもできる。さらに、第２ベース絶縁層７の形成は、上記の方法に特に制限されず、例えば、予め合成樹脂をフィルムに形成して、そのフィルムを、第２金属薄膜６を含む第１ベース絶縁層３の表面に、公知の接着剤層を介して貼着することもできる。
次いで、この方法では、図３（ｉ）〜図４（ｌ）に示すように、アディティブ法などのパターンニング法により、第２ベース絶縁層７の上に、第３金属薄膜８（種膜）および導体パターン９を、順次形成する。
すなわち、アディティブ法では、図３（ｉ）に示すように、まず、第２ベース絶縁層７の全面に、第３金属薄膜８（種膜）を形成する。
すなわち、アディティブ法では、図３（ｉ）に示すように、まず、第２ベース絶縁層７の全面に、第３金属薄膜８（種膜）を形成する。
第３金属薄膜８は、電解めっきまたはスパッタリング、好ましくは、スパッタリング、さらに好ましくは、クロムスパッタリングおよび銅スパッタリングにより、クロム薄膜と銅薄膜とを順次積層することにより、形成する。
次いで、図３（ｊ）に示すように、第３金属薄膜８の表面に、ドライフィルムレジストを設けて、これを露光および現像し、配線回路パターンと逆パターンのめっきレジスト１３を形成する。次いで、図４（ｋ）に示すように、めっきにより、めっきレジスト１３から露出する第３金属薄膜８の表面に、導体パターン９を配線回路パターンとして形成し、次いで、図４（ｌ）に示すように、めっきレジスト１３およびめっきレジスト１３が形成されていた部分の第３金属薄膜８をエッチングなどにより除去する。なお、めっきは、電解めっきまたは無電解めっきのいずれでもよい。好ましくは、電解めっきが用いられ、さらに好ましくは、電解銅めっきが用いられる。
次いで、図３（ｊ）に示すように、第３金属薄膜８の表面に、ドライフィルムレジストを設けて、これを露光および現像し、配線回路パターンと逆パターンのめっきレジスト１３を形成する。次いで、図４（ｋ）に示すように、めっきにより、めっきレジスト１３から露出する第３金属薄膜８の表面に、導体パターン９を配線回路パターンとして形成し、次いで、図４（ｌ）に示すように、めっきレジスト１３およびめっきレジスト１３が形成されていた部分の第３金属薄膜８をエッチングなどにより除去する。なお、めっきは、電解めっきまたは無電解めっきのいずれでもよい。好ましくは、電解めっきが用いられ、さらに好ましくは、電解銅めっきが用いられる。
次いで、この方法では、図４（ｍ）に示すように、導体パターン９の上面および幅方向両側面と、第３金属薄膜８の幅方向両側面とに、第４金属薄膜１０を、導体パターン９および第３金属薄膜８を被覆するように、連続して形成する。
第４金属薄膜１０は、第２金属薄膜６を形成する方法と同様に形成する。好ましくは、ニッケルのめっき溶液に、予め表面（触媒）処理した、図４（ｌ）に示す製造途中の配線回路基板１を所定時間浸漬する無電解ニッケルめっきにより、ニッケルからなる第４金属薄膜１０を形成する。
第４金属薄膜１０は、第２金属薄膜６を形成する方法と同様に形成する。好ましくは、ニッケルのめっき溶液に、予め表面（触媒）処理した、図４（ｌ）に示す製造途中の配線回路基板１を所定時間浸漬する無電解ニッケルめっきにより、ニッケルからなる第４金属薄膜１０を形成する。
次いで、この方法では、図４（ｎ）に示すように、第２ベース絶縁層７の上に、第４金属薄膜１０を被覆するように、例えば、上記した合成樹脂の溶液を均一に塗布した後、乾燥し、次いで、必要に応じて、加熱することによって硬化させ、合成樹脂からなるカバー絶縁層１１を形成し、これによって、配線回路基板１を得る。
また、カバー絶縁層１１は、感光性の合成樹脂を塗布し、乾燥後、露光および現像することにより、パターンとして形成することもできる。さらに、カバー絶縁層１１の形成は、上記の方法に特に制限されず、例えば、予め合成樹脂をフィルムに形成して、そのフィルムを、第２ベース絶縁層７の表面に、第４金属薄膜１０を被覆するように、公知の接着剤層を介して貼着することもできる。
また、カバー絶縁層１１は、感光性の合成樹脂を塗布し、乾燥後、露光および現像することにより、パターンとして形成することもできる。さらに、カバー絶縁層１１の形成は、上記の方法に特に制限されず、例えば、予め合成樹脂をフィルムに形成して、そのフィルムを、第２ベース絶縁層７の表面に、第４金属薄膜１０を被覆するように、公知の接着剤層を介して貼着することもできる。
なお、カバー絶縁層１１は、導体パターン９の図示しない端子部が露出するように形成する。導体パターン９の端子部を露出させるには、上記した感光性の合成樹脂を用いてパターンに形成するか、あるいは、レーザやパンチにより穿孔加工する。
その後、導体パターン９の端子部の上面に形成されている第４金属薄膜１０を、エッチングなどにより除去した後、金属支持基板２を所望の形状に外形加工して、回路付サスペンション基板を得る。
その後、導体パターン９の端子部の上面に形成されている第４金属薄膜１０を、エッチングなどにより除去した後、金属支持基板２を所望の形状に外形加工して、回路付サスペンション基板を得る。
そして、この配線回路基板１では、導体パターン９の下に、導体パターン９と対向するように金属箔５が形成されているので、簡易な層構成により、伝送損失を低減させることができるとともに、第１金属薄膜４が、第１ベース絶縁層３と金属箔５との間に介在するように形成されているので、第１ベース絶縁層３と金属箔５との密着性の向上を十分に図ることができ、優れた長期信頼性を確保することができる。
また、この配線回路基板１は、さらに、金属箔５および第２ベース絶縁層７の間に介在するように形成される第２金属薄膜６を備えている。そのため、金属箔５の表面に、第２ベース絶縁層７が直接形成されている場合には、金属箔５の金属が第２ベース絶縁層７に対して移行するイオンマイグレーション現象を生じるが、このように、第２金属薄膜６を金属箔５と第２ベース絶縁層７との間に介在させることにより、第２金属薄膜６がバリア層となって、イオンマイグレーション現象の発生を防止することができる。
また、この配線回路基板１には、特性インピーダンスを調整するために、図５に示すように、必要に応じて、金属支持基板２をエッチングにより、所望の形状に切り抜いて、開口部１２を形成することもできる。この場合には、金属支持基板２における開口部１２の開口端縁１４が、第１ベース絶縁層３に直接接触している。そのため、金属支持基板２における開口部１２の開口端縁１４の密着性を向上させることができる。その結果、簡易な構成により、導体パターン５の特性インピーダンスの調整や伝送損失の低減を図りつつ、金属支持基板２の剥離を有効に防止することができる。
また、上記したように、金属支持基板２に、エッチングによって開口部１２を形成する場合であっても、開口部１２内において、第１金属薄膜５の下に第１ベース絶縁層３が形成されている。そのため、エッチングに伴う第１金属薄膜４の金属の脱離（剥離）を防止することができる。その結果、脱離した金属が異物となって飛散することを防止することができる。
なお、上記した配線回路基板１の製造方法の説明では、図３（ｉ）〜図４（ｌ）に示すように、導体パターン９を、アディティブ法により形成したが、上記の方法に制限されず、例えば、サブトラクティブ法などの公知のパターンニング法により、上記した配線回路パターンに形成することもできる。なお、導体パターン９をサブトラクティブ法により形成する場合には、第３金属薄膜８を形成せず、導体パターン９を、第２ベース絶縁層７の表面に、直接形成する。
導体パターン９を、サブトラクティブ法により形成するには、例えば、図示しないが、まず、第２ベース絶縁層７の全面に、導体層を形成する。導体層を形成するには、特に制限されず、例えば、第２ベース絶縁層７の全面に、公知の接着剤層を介して、導体層を貼着する。次いで、その導体層の表面に、ドライフィルムレジストを設けて、それを露光および現像し、配線回路パターンと同一のパターンのエッチングレジストを形成する。その後、エッチングレジストから露出する導体層をエッチング（ウェットエッチング）した後、エッチングレジストを除去する。
以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されることはない。
実施例１
まず、厚み２５μｍのステンレスからなる金属支持基板を用意し（図２（ａ）参照）、金属支持基板の表面に、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを塗布し、乾燥後、露光および現像し、さらに加熱硬化することにより、厚み１０μｍのポリイミドからなる第１ベース絶縁層を、上記したパターンで形成した（図２（ｂ）参照）。
実施例１
まず、厚み２５μｍのステンレスからなる金属支持基板を用意し（図２（ａ）参照）、金属支持基板の表面に、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを塗布し、乾燥後、露光および現像し、さらに加熱硬化することにより、厚み１０μｍのポリイミドからなる第１ベース絶縁層を、上記したパターンで形成した（図２（ｂ）参照）。
次いで、第１ベース絶縁層の全面に、第１金属薄膜として厚み０．０３μｍのクロム薄膜と厚み０．０７μｍの銅薄膜とを、クロムスパッタリングと銅スパッタリングとによって順次形成した（図２（ｃ）参照）。次いで、金属箔のパターンと逆パターンのめっきレジストを、第１金属薄膜の表面に、ドライフィルムレジストを設けて、それを露光および現像することにより、上記したパターンに形成した（図２（ｄ）参照）。次いで、めっきレジストから露出する第１金属薄膜の表面に、金属箔として厚み４．０μｍの銅箔を、電解銅めっきにより形成した（図２（ｅ）参照）。次いで、めっきレジストおよびめっきレジストが形成されていた部分の第１金属薄膜を、化学エッチングにより除去した（図３（ｆ）参照）。
次いで、金属箔の上面および幅方向両側面と、第１金属薄膜の幅方向両側面とに、第２金属薄膜として厚み０．１μｍのニッケル薄膜を、無電解ニッケルめっきによって、金属箔および第１金属薄膜を被覆するように、連続して形成した（図３（ｇ）参照）。
次いで、第２金属薄膜を含む第１ベース絶縁層の全面に、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを塗布し、乾燥後、露光および現像し、さらに加熱硬化することにより、厚み１０μｍのポリイミドからなる第２ベース絶縁層を、上記したパターンで形成した（図３（ｈ）参照）。
次いで、第２金属薄膜を含む第１ベース絶縁層の全面に、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを塗布し、乾燥後、露光および現像し、さらに加熱硬化することにより、厚み１０μｍのポリイミドからなる第２ベース絶縁層を、上記したパターンで形成した（図３（ｈ）参照）。
次いで、第２ベース絶縁層の上に、アディティブ法により、種膜となる第３金属薄膜および導体パターンを、順次形成した（図３（ｉ）〜図４（ｌ）参照）。
アディティブ法では、第２ベース絶縁層の全面に、第３金属薄膜として厚み０．０３μｍのクロム薄膜と厚み０．０７μｍの銅薄膜とを、クロムスパッタリングと銅スパッタリングとによって順次形成した（図３（ｉ）参照）。次いで、導体パターンの逆パターンのめっきレジストを、第３金属薄膜の表面に、ドライフィルムレジストを設けて、それを露光および現像することにより、形成した（図３（ｊ）参照）。次いで、めっきレジストから露出する第３金属薄膜の表面に、厚み１０μｍの導体パターンを、電解銅めっきにより形成した（図４（ｋ）参照）。次いで、めっきレジストおよびめっきレジストが形成されていた部分の第３金属薄膜を、化学エッチングにより除去した（図４（ｌ）参照）。
アディティブ法では、第２ベース絶縁層の全面に、第３金属薄膜として厚み０．０３μｍのクロム薄膜と厚み０．０７μｍの銅薄膜とを、クロムスパッタリングと銅スパッタリングとによって順次形成した（図３（ｉ）参照）。次いで、導体パターンの逆パターンのめっきレジストを、第３金属薄膜の表面に、ドライフィルムレジストを設けて、それを露光および現像することにより、形成した（図３（ｊ）参照）。次いで、めっきレジストから露出する第３金属薄膜の表面に、厚み１０μｍの導体パターンを、電解銅めっきにより形成した（図４（ｋ）参照）。次いで、めっきレジストおよびめっきレジストが形成されていた部分の第３金属薄膜を、化学エッチングにより除去した（図４（ｌ）参照）。
次いで、導体パターンの上面および幅方向両側面と、第３金属薄膜の幅方向両側面とに、第４金属薄膜として厚み０．１μｍのニッケル薄膜を、無電解ニッケルめっきによって、導体パターンおよび第３金属薄膜を被覆するように、連続して形成した（図４（ｍ）参照）。
次いで、第４金属薄膜を被覆するように、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを塗布し、乾燥後、露光および現像し、さらに加熱硬化することにより、厚み５μｍのポリイミドからなるカバー絶縁層を、第２ベース絶縁層の表面に、第４金属薄膜（端子部が形成される部分を除く。）を被覆するようなパターンで形成した（図４（ｎ）参照）。その後、端子部の上面に形成された第４金属薄膜を、エッチングにより除去した後、金属支持基板をエッチングにより、所望の形状に切り抜き、回路付サスペンション基板を得た。
次いで、第４金属薄膜を被覆するように、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを塗布し、乾燥後、露光および現像し、さらに加熱硬化することにより、厚み５μｍのポリイミドからなるカバー絶縁層を、第２ベース絶縁層の表面に、第４金属薄膜（端子部が形成される部分を除く。）を被覆するようなパターンで形成した（図４（ｎ）参照）。その後、端子部の上面に形成された第４金属薄膜を、エッチングにより除去した後、金属支持基板をエッチングにより、所望の形状に切り抜き、回路付サスペンション基板を得た。
実施例２
第２金属薄膜を形成せず、第２ベース絶縁層を、金属箔の上面および幅方向両側面と、第１金属薄膜の幅方向両側面とを被覆するように、第１ベース絶縁層の上に形成した以外は、実施例１と同様にして、回路付サスペンション基板を得た。
比較例１
第１金属薄膜を形成せず、金属箔を、第１ベース絶縁層の表面に直接形成した以外は、実施例１と同様にして、回路付サスペンション基板を得た。
第２金属薄膜を形成せず、第２ベース絶縁層を、金属箔の上面および幅方向両側面と、第１金属薄膜の幅方向両側面とを被覆するように、第１ベース絶縁層の上に形成した以外は、実施例１と同様にして、回路付サスペンション基板を得た。
比較例１
第１金属薄膜を形成せず、金属箔を、第１ベース絶縁層の表面に直接形成した以外は、実施例１と同様にして、回路付サスペンション基板を得た。
なお、金属箔は、サブトラクティブ法、より具体的には、第１ベース絶縁層の全面に、接着剤層を介して、金属層を貼着し、その金属層の表面に、ドライフィルムレジストを設けて、それを露光および現像し、金属箔と同一のパターンのエッチングレジストを形成した後、エッチングレジストから露出する金属層をウェットエッチングした後、エッチングレジストを除去することにより、形成した。
比較例２
第１金属薄膜、金属箔、第２金属薄膜および第２ベース絶縁層を形成しなかった以外は、実施例１と同様にして、回路付サスペンション基板を得た。
すなわち、第３金属薄膜を、第１ベース絶縁層の全面に直接形成した以外は、実施例１と同様にして、回路付サスペンション基板を得た。
第１金属薄膜、金属箔、第２金属薄膜および第２ベース絶縁層を形成しなかった以外は、実施例１と同様にして、回路付サスペンション基板を得た。
すなわち、第３金属薄膜を、第１ベース絶縁層の全面に直接形成した以外は、実施例１と同様にして、回路付サスペンション基板を得た。
（評価）
（１） 伝送効率評価
各実施例および各比較例において得られた回路付サスペンション基板において、出力信号強度（ＰOUT）と入力信号強度（ＰIN）とを測定し、下記式（１）のように、出力信号強度の入力信号強度に対する比率として、伝送効率を評価した。その結果を表１に示す。
（１） 伝送効率評価
各実施例および各比較例において得られた回路付サスペンション基板において、出力信号強度（ＰOUT）と入力信号強度（ＰIN）とを測定し、下記式（１）のように、出力信号強度の入力信号強度に対する比率として、伝送効率を評価した。その結果を表１に示す。
伝送効率（％）＝ＰOUT／ＰIN・・・ （１）
（２） 密着性評価
実施例１、２および比較例１において得られた回路付サスペンション基板を、温度−４０℃の条件下に放置後、温度１２０℃の条件下に放置し、これを１サイクルとして、１０００サイクル後の各回路付サスペンション基板について、第１絶縁層と金属箔との間の密着力をテープ剥離により評価した。その結果を表１に示す。
（３） イオンマイグレーション現象の評価
実施例１および２において得られた回路付サスペンション基板を、温度８５℃、湿度８５％、印加電圧１０Ｖの条件下で、１０００時間使用した後、金属箔としての銅箔の銅が、第１ベース絶縁層としてのポリイミドの表面または内部に移行する、イオンマイグレーション現象の有無を断面ＳＥＭ観察により確認した。その結果、実施例１においては、第２金属薄膜がバリア層となり、イオンマイグレーション現象が認められなかった。一方、実施例２においては、銅箔の銅のポリイミドの表面または内部に対する、イオンマイグレーション現象が認められ、ポリイミドの変色が確認された。
（２） 密着性評価
実施例１、２および比較例１において得られた回路付サスペンション基板を、温度−４０℃の条件下に放置後、温度１２０℃の条件下に放置し、これを１サイクルとして、１０００サイクル後の各回路付サスペンション基板について、第１絶縁層と金属箔との間の密着力をテープ剥離により評価した。その結果を表１に示す。
（３） イオンマイグレーション現象の評価
実施例１および２において得られた回路付サスペンション基板を、温度８５℃、湿度８５％、印加電圧１０Ｖの条件下で、１０００時間使用した後、金属箔としての銅箔の銅が、第１ベース絶縁層としてのポリイミドの表面または内部に移行する、イオンマイグレーション現象の有無を断面ＳＥＭ観察により確認した。その結果、実施例１においては、第２金属薄膜がバリア層となり、イオンマイグレーション現象が認められなかった。一方、実施例２においては、銅箔の銅のポリイミドの表面または内部に対する、イオンマイグレーション現象が認められ、ポリイミドの変色が確認された。
１ 配線回路基板
２ 金属支持基板
３ 第１ベース絶縁層
４ 第１金属薄膜
５ 金属箔
６ 第２金属薄膜
７ 第２ベース絶縁層
９ 導体パターン
２ 金属支持基板
３ 第１ベース絶縁層
４ 第１金属薄膜
５ 金属箔
６ 第２金属薄膜
７ 第２ベース絶縁層
９ 導体パターン
Claims (2)
- 金属支持基板と、
前記金属支持基板の上に形成される第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の上に形成される第１金属薄膜と、
前記第１金属薄膜の上に形成される金属箔と、
前記第１絶縁層の上に、前記金属箔を被覆するように形成される第２絶縁層と、
前記第２絶縁層の上に形成される導体パターンと
を備えていることを特徴とする、配線回路基板。 - さらに、前記金属箔および前記第２絶縁層の間に介在するように形成される第２金属薄膜を備えていることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板。
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