JP2001209918A - 回路付サスペンション基板 - Google Patents

回路付サスペンション基板

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JP2001209918A
JP2001209918A JP2000092662A JP2000092662A JP2001209918A JP 2001209918 A JP2001209918 A JP 2001209918A JP 2000092662 A JP2000092662 A JP 2000092662A JP 2000092662 A JP2000092662 A JP 2000092662A JP 2001209918 A JP2001209918 A JP 2001209918A
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plating
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Tadao Okawa
忠男 大川
Yasuhito Owaki
泰人 大脇
Shigenori Morita
成紀 森田
Toshihiko Omote
利彦 表
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Nitto Denko Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 簡易な構成により、端子間を十分な強度で接
続することができ、十分な接続信頼性を確保することの
できる回路付サスペンション基板を提供すること。 【解決手段】 支持基板12と、その支持基板12の上
に形成されるベース層13と、そのベース層13の上に
形成される導体層14と、その導体層14を被覆するカ
バー層18とを備える回路付サスペンション基板11に
おいて、リード・ライト基板29の端子28と接続する
ための外部側接続端子17には、支持基板12および/
またはベース層13が形成されないように構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、回路付サスペンシ
ョン基板、詳しくは、ハードディスクドライバに用いら
れる回路付サスペンション基板に関する。
【0002】
【従来の技術】ハードディスクドライバに用いられる回
路付サスペンション基板は、磁気ヘッドを支持するサス
ペンション基板に、磁気ヘッドと、その磁気ヘッドによ
って読み書きされるリード・ライト信号が伝送されるリ
ード・ライト基板とを接続するための配線が一体として
形成されている回路基板であり、磁気ヘッドと磁気ディ
スクとが相対的に走行する時の空気流に抗して、磁気デ
ィスクとの間に微小な間隔を保持して、実装された磁気
ヘッドの良好な浮上姿勢を得ることができるため、広く
普及されつつある。
【0003】このような回路付サスペンション基板は、
通常、図21に示すように、ステンレス箔からなる金属
支持板1と、その金属支持板1の上に形成される絶縁体
からなるベース層2と、そのベース層2の上に、所定の
回路パターンとして形成される導体層3と、その導体層
3を被覆する絶縁体からなるカバー層4とを備えてお
り、回路パターンとして形成される配線を、リード・ラ
イト基板9と接続するための外部側接続端子5が形成さ
れている。
【0004】この外部側接続端子5には、カバー層4が
開口されることにより露出する導体層3の上に、例え
ば、ニッケルめっき層6および金めっき層7が順次めっ
きされることにより、パッド部8が形成されており、例
えば、仮想線で示すように、リード・ライト基板9の端
子10と、このパッド部10とを重ね合わせた状態で、
金属支持板1の外面側から超音波振動(図21におい
て、矢印で示されている。)を加えることにより、これ
らの端子の間を接続するようにしている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような外
部側接続端子5と、リード・ライト基板9の端子10と
の接続においては、金属支持板1の外面側から加えられ
る超音波振動が、金属支持板1からベース層2および導
体層3を介してパッド部8に伝達されるため、パッド部
8に伝達された時には、その振動が減衰されて、端子間
の接合には十分でない場合もあり、そのため、端子間を
十分な強度で接続することができず、十分な接続信頼性
が確保されない場合がある。
【0006】一方、リード・ライト基板9における端子
10が形成される部分の外面側から、超音波振動を加え
ることも考えられるが、リード・ライト基板9は、通
常、その厚みが大きく、超音波振動が伝達されにくく、
やはり、端子間を十分な強度で接続することができな
い。
【0007】本発明は、このような事情に鑑みなされた
もので、その目的とするところは、簡易な構成により、
端子間を十分な強度で接続することができ、十分な接続
信頼性を確保することのできる回路付サスペンション基
板を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の回路付サスペンション基板は、金属支持層
と、前記金属支持層の上に形成される絶縁層と、前記絶
縁層の上に形成される導体層とを備え、外部の回路と接
続するための端子部が形成されている回路付サスペンシ
ョン基板であって、前記端子部には、前記金属支持層お
よび/または前記絶縁層が形成されていないことを特徴
としている。
【0009】また、本発明の回路付サスペンション基板
は、前記端子部が、前記絶縁層と、前記絶縁層の上に形
成される前記導体層と、前記導体層の上に形成されるパ
ッド部とによって構成されているか、または、前記端子
部が、前記金属支持層と、前記金属支持層の上に形成さ
れる前記導体層と、前記導体層の上に形成されるパッド
部とによって構成されているか、あるいは、前記端子部
が、前記導体層と、前記導体層の上に形成されるパッド
部とによって構成されていることが好ましい。
【0010】
【発明の実施の形態】図1は、本発明の回路付サスペン
ション基板の一実施形態を示す平面図である。この回路
付サスペンション基板は、ハードディスクドライバの磁
気ヘッド(図示せず)を実装して、その磁気ヘッドを、
磁気ヘッドと磁気ディスクとが相対的に走行する時の空
気流に抗して、磁気ディスクとの間に微小な間隔を保持
しながら支持するものであり、磁気ヘッドと、外部の回
路としてのリード・ライト基板とを接続するための配線
が、所定の回路パターンとして一体に形成されている。
【0011】図1において、この回路付サスペンション
基板11は、長手方向に延びる金属支持層としての支持
基板12の上に、絶縁体からなる絶縁層としてのベース
層13が形成されており、そのベース層13の上に、所
定の回路パターンとして形成される導体層14が形成さ
れている。なお、この回路パターンは、互いに所定の間
隔を隔てて平行状に配置される複数の配線14a、14
b、14c、14dとして形成されている。支持基板1
2の先端部には、その支持基板12を切り抜くことによ
って、磁気ヘッドを実装するためのジンバル15が形成
されている。また、その支持基板12の先端部には、磁
気ヘッドと各配線14a、14b、14c、14dとを
接続するための磁気ヘッド側接続端子16が形成される
とともに、支持基板12の後端部には、リード・ライト
基板29の端子28と各配線14a、14b、14c、
14dとを接続するための端子部としての外部側接続端
子17が形成されている。
【0012】なお、図1においては、図示されていない
が、実際には、導体層14の上には、絶縁体からなるカ
バー層18が被覆されている。
【0013】そして、この回路付サスペンション基板1
1では、例えば、図2〜図4に示すように、外部側接続
端子17が、ベース層13と、ベース層13の上に形成
される導体層14と、カバー層18が開口されることに
より露出する導体層14の上に形成されるパッド部19
とによって構成されており、支持基板12における外部
側接続端子17が形成される部分が開口されている。
【0014】すなわち、図2および図3において、この
外部側接続端子17は、配線14a、14b、14c、
14dの端部において、各配線14a、14b、14
c、14dに対応して、カバー層18がそれぞれ略矩形
状に開口されており、この開口部分に露出する導体層1
4の上に、パッド部19としてニッケルめっき層26お
よび金めっき層27がそれぞれ形成されるとともに、図
4に示すように、支持基板12には、各パッド部19に
対応する略矩形状の開口部32が、各パッド部19とほ
ぼ同じ大きさでそれぞれ独立して形成されている。な
お、図2〜図4では、後述する下地20および金属薄膜
22は省略されている。
【0015】次に、このような回路付サスペンション基
板11を製造する方法について、図5〜図8を参照して
説明する。なお、図5〜図8においては、その右側に、
回路付サスペンション基板11における外部側接続端子
17が形成される部分を、その回路付サスペンション基
板11の長手方向に沿う断面として示し、その左側に、
回路付サスペンション基板11の長手方向途中を、その
回路付サスペンション基板11の長手方向に直交する方
向に沿う断面の一部として示している。
【0016】まず、図5に示すように、支持基板12を
用意して、その支持基板12の上に、所定のパターンで
ベース層13を形成する。支持基板12としては、金属
箔または金属薄板を用いることが好ましく、例えば、ス
テンレス、42アロイがなどが好ましく用いられる。ま
た、その厚さが、10〜60μm、さらには、15〜3
0μm、その幅が、50〜500mm、さらには、12
5〜300mmのものが好ましく用いられる。
【0017】また、ベース層13を形成するための絶縁
体としては、回路付サスペンション基板の絶縁体として
使用できるものであれば、特に制限されることなく使用
することができ、このような絶縁体としては、例えば、
ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、ポリエーテルニト
リル系樹脂、ポリエーテルスルホン系樹脂、ポリエチレ
ンテレフタレート系樹脂、ポリエチレンナフタレート系
樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂などの合成樹脂が挙げられ
る。これらのうち、感光性の合成樹脂が好ましく用いら
れ、感光性ポリイミド樹脂がさらに好ましく用いられ
る。
【0018】そして、例えば、感光性ポリイミド樹脂を
用いて、支持基板12の上に、所定のパターンでベース
層13を形成する場合には、まず、図5(a)に示すよ
うに、予め用意された支持基板12上に、図5(b)に
示すように、感光性ポリイミド樹脂の前駆体(ポリアミ
ック酸樹脂)の溶液を、その支持基板12の全面に塗工
した後、例えば、60〜150℃、好ましくは、80〜
120℃で加熱することにより、感光性ポリイミド樹脂
の前駆体の被膜13aを形成する。
【0019】次に、図5(c)に示すように、その被膜
13aを、フォトマスク24を介して露光させ、必要に
より露光部分を所定の温度に加熱した後、現像すること
により、被膜13aを所定のパターンとする。なお、フ
ォトマスク24を介して照射する照射線は、その露光波
長が、300〜450nm、好ましくは、350〜42
0nmであることが好ましく、その露光積算光量が、1
00〜1000mJ/cm2 、さらには、200〜70
0mJ/cm2 であることが好ましい。また、照射され
た被膜13aの露光部分は、例えば、130℃以上15
0℃未満で加熱することにより、次の現像処理において
可溶化(ポジ型)し、また、例えば、150℃以上18
0℃以下で加熱することにより、次の現像処理において
不溶化(ネガ型)する。また、現像は、例えば、アルカ
リ現像液などの公知の現像液を用いて、浸漬法やスプレ
ー法などの公知の方法により行なえばよい。なお、この
方法においては、ネガ型でパターンを得ることが好まし
く、図5においては、ネガ型でパターンニングする態様
として示されている。
【0020】そして、図5(d)に示すように、このよ
うにしてパターン化されたポリイミド樹脂の前駆体の被
膜13aを、例えば、最終的に250℃以上に加熱する
ことによって、硬化(イミド化)させ、これによって、
感光性ポリイミドからなるベース層13を所定のパター
ンで形成する。
【0021】なお、感光性の樹脂を用いない場合には、
例えば、支持基板12の上に、樹脂を、所定のパターン
で、塗工またはドライフィルムとして接合すればよい。
【0022】また、このようにして形成されるベース層
13の厚みは、例えば、2〜30μm、好ましくは、5
〜20μmである。
【0023】次いで、このベース層13の上に、所定の
回路パターンで導体層14を形成する。所定の回路パタ
ーンとして形成する導体層14は、導体からなり、その
ような導体としては、回路付サスペンション基板の導体
として使用できるものであれば、特に制限されることな
く使用することができる。そのような導体としては、例
えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金
などが用いられ、好ましくは、銅が用いられる。また、
所定の回路パターンで導体層14を形成するには、ベー
ス層13の表面に、導体層14を、例えば、サブトラク
ティブ法、アディティブ法、セミアディティブ法などの
公知のパターンニング法によって、所定の回路パターン
として形成すればよい。
【0024】サブトラクティブ法では、まず、ベース層
13の表面の全面に、必要により接着剤層を介して導体
層14を積層し、次いで、この導体層14の上に、所定
の回路パターンに対応させてエッチングレジストを形成
し、このエッチングレジストをレジストとして、導体層
14をエッチングして、その後に、エッチングレジスト
を除去するようにする。
【0025】また、アディティブ法では、まず、ベース
層13の上に、所定の回路パターンと逆パターンでめっ
きレジストを形成して、次いで、ベース層13における
めっきレジストが形成されていない表面に、めっきによ
り、所定の回路パターンとして導体層14を形成し、そ
の後に、めっきレジストを除去するようにする。
【0026】また、セミアディティブ法では、まず、ベ
ース層13の上に下地となる導体の薄膜を形成して、次
いで、この下地の上に、所定の回路パターンと逆パター
ンでめっきレジストを形成した後、下地におけるめっき
レジストが形成されていない表面に、めっきにより、所
定の回路パターンとして導体層14を形成し、その後
に、めっきレジストおよびそのめっきレジストが積層さ
れていた下地を除去するようにする。
【0027】これらのパターンニング法のなかでは、図
6に示すように、セミアディティブ法が好ましく用いら
れる。すなわち、まず、図6(a)に示すように、支持
基板12およびベース層13の全面に、下地20となる
導体の薄膜を形成する。下地20の形成は、真空蒸着
法、とりわけ、スパッタ蒸着法が好ましく用いられる。
また、下地20となる導体は、クロムや銅などが好まし
く用いられる。より具体的には、例えば、支持基板12
およびベース層13の全面に、クロム薄膜と銅薄膜とを
スパッタ蒸着法によって、順次形成することが好まし
い。なお、クロム薄膜の厚みが、100〜600Å、銅
薄膜の厚みが、500〜2000Åであることが好まし
い。
【0028】次いで、図6(b)に示すように、その下
地20の上に、所定の回路パターンと逆パターンのめっ
きレジスト21を形成する。めっきレジスト21は、例
えば、ドライフィルムレジストなどを用いて公知の方法
により、所定のレジストパターンとして形成すればよ
い。次いで、図6(c)に示すように、ベース層13に
おけるめっきレジスト21が形成されていない部分に、
めっきにより、所定の回路パターンの導体層14を形成
する。めっきは、電解めっき、無電解めっきのいずれで
もよいが、電解めっきが好ましく用いられ、なかでも、
電解銅めっきが好ましく用いられる。なお、この回路パ
ターンは、例えば、図1に示されるように、互いに所定
の間隔を隔てて平行状に配置される、複数の配線14
a、14b、14c、14dパターンとして形成する。
導体層14の厚みは、例えば、2〜15μm、好ましく
は、5〜10μmであり、各配線14a、14b、14
c、14dの幅は、例えば、10〜500μm、好まし
くは、30〜200μmであり、各配線14a、14
b、14c、14d間の間隔は、例えば、10〜200
μm、好ましくは、30〜100μmである。
【0029】そして、図6(d)に示すように、めっき
レジスト21を、例えば、化学エッチング(ウェットエ
ッチング)などの公知のエッチング法、または剥離によ
って除去した後、図6(e)に示すように、めっきレジ
スト21が形成されていた下地20を、同じく、化学エ
ッチング(ウェットエッチング)など公知のエッチング
法により除去する。これによって、ベース層13の上
に、導体層14が所定の回路パターンとして形成され
る。
【0030】次いで、図7に示すように、導体層14の
表面を金属被膜22により保護した後、この導体層14
を、絶縁体からなるカバー層18により被覆する。すな
わち、まず、図7(a)に示すように、導体層14の表
面、および、支持基板12の表面に、金属被膜22を形
成する。この金属被膜22は、無電解ニッケルめっきに
よって、硬質のニッケル薄膜として形成することが好ま
しく、その厚みは、導体層14の表面が露出しない程度
であればよく、例えば、0.05〜0.1μm程度であ
ればよい。
【0031】次いで、導体層14を被覆するためのカバ
ー層18を、所定のパターンとして形成する。カバー層
18を形成するための絶縁体としては、ベース層13と
同様の絶縁体が用いられ、好ましくは、感光性ポリイミ
ド樹脂が用いられる。
【0032】そして、例えば、感光性ポリイミド樹脂を
用いて、カバー層18を形成する場合には、図7(b)
に示すように、ベース層13および金属薄膜22の上
に、感光性ポリイミド樹脂の前駆体(ポリアミック酸樹
脂)の溶液を、その全面に塗工した後、例えば、60〜
150℃、好ましくは、80〜120℃で加熱すること
により、感光性ポリイミド樹脂の前駆体の被膜18aを
形成し、次に、図7(c)に示すように、その被膜18
aを、フォトマスク25を介して露光させ、必要により
露光部分を所定の温度に加熱した後、現像することによ
り、被膜18aによって、導体層14が被覆されるよう
にパターン化する。また、図7(c)に示すように、こ
のパターン化においては、パッド部19が形成される部
分の導体層14が露出するようにする。なお、この露光
および現像の条件は、ベース層13を露光および現像す
る条件と同様の条件でよい。また、ネガ型でパターンを
得ることが好ましく、図7においては、ネガ型でパター
ンニングする態様として示されている。
【0033】そして、このようにしてパターン化された
ポリイミド樹脂の前駆体の被膜18aを、図7(d)に
示すように、例えば、最終的に250℃以上に加熱する
ことによって、硬化(イミド化)させ、これによって、
感光性ポリイミドからなるカバー層18を、導体層14
の上に形成する。なお、カバー層18の厚みは、例え
ば、1〜30μm、好ましくは、2〜5μmである。
【0034】次いで、図8に示すように、パッド部19
を形成する。パッド部19を形成するには、まず、図8
(a)に示すように、パッド部19が形成される部分に
おいて、カバー層18が開口されることにより露出して
いる金属薄膜22を剥離する。なお、これと同時に、支
持基板12の上に形成されている金属薄膜22も剥離す
る。そして、露出した導体層14の表面に、パッド部1
9をめっきにより形成する。めっきに用いられる金属と
しては、回路付サスペンション基板の端子を形成し得る
ものであれば、特に制限されることなく使用することが
でき、例えば、銅、ニッケル、クロム、金などが好まし
く用いられる。また、めっきの方法としては、電解めっ
き、無電解めっきのいずれでもよく、電解めっきによる
ことが好ましい。電解めっきによってパッド部19を形
成するには、例えば、パッド部19を形成する部分を残
して、支持基板12およびカバー層18をレジストによ
り被覆した後、めっきを行なった後、レジストを除去す
ればよい。このパッド部19は、多層として形成しても
よく、例えば、図8(b)に示すように、電解ニッケル
めっきと電解金めっきとを順次行なうことにより、ニッ
ケルめっき層26の上に金めっき層27を形成すること
が好ましい。なお、ニッケルめっき層26および金めっ
き層27の厚さは、いずれも、1〜5μm程度であるこ
とが好ましい。
【0035】そして、電解ニッケルめっきおよび電解金
めっきに用いためっきリードを、化学エッチングなどに
より除去した後、支持基板12を、化学エッチングなど
公知の方法によって、ジンバル15などの所定の形状に
切り抜く。この切り抜きにおいて、図8(c)に示すよ
うに、支持基板12における各パッド部19に対応する
部分を、それぞれ略矩形状に同時に切り抜くことによ
り、開口部32を形成する。その後、洗浄および乾燥す
ることにより、図1に示すような回路付サスペンション
基板11を得る。
【0036】なお、上記においては、磁気ヘッド側接続
端子16の形成方法を説明していないが、磁気ヘッド側
接続端子16も外部側接続端子17と同様にして形成さ
れる。ただし、支持基板12におけるパッド部に対応す
る部分には開口部は形成されない。
【0037】このようにして得られる回路付サスペンシ
ョン基板11では、外部側接続端子17が形成されてい
る部分には、支持基板12がなく、例えば、図2に示す
ように、リード・ライト基板29の端子28と接続する
場合においては、ベース層13の外側面から、例えば、
超音波振動(図2において、矢印34で示される。)な
どを加えれば、その超音波振動が、支持基板12を介す
ることなく、ベース層13から導体層14を介して、パ
ッド部19に伝達されるため、パッド部19にはその振
動があまり減衰されずに伝達される。そのため、外部側
接続端子17とリード・ライト基板29の端子28との
間をより高い強度で接合することができ、これらの端子
間の接続信頼性を向上させることができる。
【0038】なお、上記の製造方法においては、支持基
板12の開口部32を、図3および図4に示すように、
各パッド部19に対応して、それぞれ略矩形状に開口す
ることによって形成したが、例えば、図9および図10
に示すように、各パッド部19毎にそれぞれ独立した略
矩形状に開口することなく、これらパッド部19すべて
を含む1つの大きな矩形状に開口することによって形成
してもよい。すなわち、図10においては、支持基板1
2の開口部32が、各パッド部19に対応する部分のす
べてを含むようにして、1つの大きな矩形状として形成
されている。なお、図9および図10では、下地20お
よび金属薄膜22は省略されている。
【0039】なお、外部側接続端子17の強度を考慮す
ると、開口部32は、図10に示すような1つの大きな
矩形状として形成するよりは、図4に示すような各パッ
ド部19毎に対応させて複数形成することが好ましい。
【0040】また、本発明の回路付サスペンション基板
11は、例えば、図11〜図13に示すように、外部側
接続端子17を、支持基板12と、支持基板12の上に
形成される導体層14と、カバー層18が開口されるこ
とにより露出する導体層14の上に形成されるパッド部
19とによって構成してもよい。すなわち、図11およ
び図12において、この外部側接続端子17では、各パ
ッド部19が形成される部分に対応して、ベース層13
がそれぞれ形成されておらず、支持基板12の上に、直
接、導体層14が形成されるとともに、図13に示すよ
うに、支持基板12における各パッド部19に対応する
部分の周囲がそれぞれ切り欠かれることによって、切欠
部33が形成されている。なお、図11〜図13では、
下地20および金属薄膜22は省略されている。
【0041】このような外部側接続端子17は、例え
ば、上記した回路付サスペンション基板の製造方法にお
いて、まず、図14(a)に示すように、支持基板12
を用意して、その支持基板12の上に、ベース層13を
形成する工程(図5(a)〜図5(d)に対応する工
程)において、図14(b)に示すように、各パッド部
19を形成する部分にベース層13が形成されないよう
なパターン、すなわち、各パッド部19に対応して略矩
形状の開口部がそれぞれ形成されるパターンとしてベー
ス層13を形成し、次いで、所定の回路パターンで導体
層14を形成する工程(図6(a)〜図6(e)に対応
する工程)において、図14(c)に示すように、パッ
ド部19を形成する部分に、支持基板12の上に、直
接、導体層14を形成すればよい。
【0042】そして、カバー層18を形成する工程(図
7(a)〜図7(d)に対応する工程)において、図1
5(d)に示すように、パッド部19を形成する部分に
カバー層18が形成されないようなパターンとしてカバ
ー層18を形成し、パッド部19を形成する工程(図8
(a)〜図8(b)に対応する工程)において、図15
(e)に示すように、カバー層18から露出する導体層
14の上に、電解ニッケルめっきと電解金めっきとを順
次行なうことにより、ニッケルめっき層26の上に金め
っき層27を形成することによりパッド部19を形成
し、次いで、支持基板12を所定の形状に切り抜く工程
(図8(c)に対応する工程)において、図15(f)
に示すように、支持基板12における各パッド部19に
対応する部分の周囲を、同時に切り抜くことによって切
欠部33を形成すればよい。なお、図14および図15
では、下地20および金属薄膜22は省略されており、
また、以上において説明のない事項は、上記の例によ
る。
【0043】このようにして得られる回路付サスペンシ
ョン基板11では、外部側接続端子17が形成されてい
る部分には、ベース層13がなく、例えば、図11に示
すように、リード・ライト基板29の端子28と接続す
る場合においては、支持基板12の外側面から、例え
ば、超音波振動(図11において矢印34で示されてい
る。)などを加えれば、その超音波振動が、ベース層1
3を介することなく、支持基板12から導体層14を介
して、パッド部19に伝達されるため、パッド部19に
はその振動があまり減衰されずに伝達される。そのた
め、外部側接続端子17とリード・ライト基板29の端
子28との間をより高い強度で接合することができ、こ
れらの端子間の接続信頼性を向上させることができる。
【0044】また、本発明の回路付サスペンション基板
11は、例えば、図16〜図18に示すように、外部側
接続端子17を、導体層14と、カバー層18が開口さ
れることにより露出する導体層14の上に形成されるパ
ッド部19とによって構成して、支持基板12およびベ
ース層13における外部側接続端子17が形成される部
分を開口するようにしてもよい。すなわち、図16およ
び図17において、この外部側接続端子17は、カバー
層18が、すべてのパッド部19を含む1つの大きな矩
形状として開口されており、この開口部分に露出する導
体層14の上に、パッド部19としてニッケルめっき層
26および金めっき層27がそれぞれ形成されるととも
に、図18に示すように、支持基板12およびベース層
13にも、すべてのパッド部19を含む1つの大きな矩
形状の開口部32が形成されており、その開口部32に
露出する導体層14に、パッド部19と同様のめっき層
35がそれぞれ形成されている。なお、図16〜図18
では、下地20および金属薄膜22は省略されている。
【0045】このような外部側接続端子17を形成する
には、例えば、上記した回路付サスペンション基板の製
造方法において、図5に示すように、支持基板12の上
に、所定のパターンでベース層13を形成し、図6に示
すように、ベース層13の上に、所定の回路パターンで
導体層14を形成した後、図7に示すように、導体層1
4をカバー層18により被覆する場合、図7(c)に示
す、被膜18aをパッド部19が形成される部分の導体
層14が露出するようにパターン化する工程において、
カバー層18が、各パッド部19毎に独立した略矩形状
として開口されるのではなく、すべてのパッド部19を
含む1つの大きな矩形状として開口されるようにパター
ン化する。
【0046】そして、図8に示す、パッド部19を形成
する工程において、まず、支持基板12を、化学エッチ
ングなど公知の方法によって、ジンバル15などの所定
の形状に切り抜く。この切り抜きにおいて、図19
(a)に示すように、支持基板12における各パッド部
19に対応する部分を、すべてのパッド部19を含む1
つの大きな矩形状に、同時に切り抜くことにより、開口
部32を形成する。次いで、図19(b)に示すよう
に、パッド部19が形成される部分において、カバー層
18が開口されることにより露出している金属薄膜22
を剥離する。なお、これと同時に、支持基板12の上に
形成されている金属薄膜22も剥離する。そして、図1
9(c)に示すように、支持基板12を切り抜くことに
より形成される開口部32において露出しているベース
層13を、その開口部32に対応させて開口する。(な
お、これにより形成されるカバー層18の開口も、開口
部32とされる。)ベース層13の開口は、プラズマエ
ッチングやレーザー加工などの公知の方法を用いればよ
い。その後、図19(d)に示すように、ベース層13
を開口することにより露出した下地20を剥離すること
によって、導体層14におけるパッド部19が形成され
る表面と反対側の裏面を露出させる。そして、図19
(e)に示すように、露出している導体層14の表面
に、パッド部19をめっきにより形成すると同時に、露
出している導体層14の両側面および裏面にも、同様の
めっき層35を形成する。なお、パッド部19およびめ
っき層35は、上記と同様に、電解ニッケルめっきと電
解金めっきとを順次行なうことにより、ニッケルめっき
層26の上に金めっき層27を形成することにより形成
すればよい。最後に、電解ニッケルめっきおよび電解金
めっきに用いためっきリードを、化学エッチングなどに
より除去することにより、回路付サスペンション基板1
1を得る。なお、以上において説明のない事項は、上記
の例による。
【0047】このようにして得られる回路付サスペンシ
ョン基板11では、外部側接続端子17が形成されてい
る部分には、支持基板12およびベース層13がなく、
例えば、図16に示すように、リード・ライト基板29
の端子28と接続する場合においては、メッキ層35の
外側面から、例えば、超音波振動(図16において矢印
34で示されている。)などを加えれば、その超音波振
動が、支持基板12およびベース層13を介することな
く、めっき層35から導体層14を介して、パッド部1
9に伝達されるため、パッド部19にはその振動があま
り減衰されずに伝達される。そのため、外部側接続端子
17とリード・ライト基板29の端子28との間をより
高い強度で接合することができ、これらの端子間の接続
信頼性を向上させることができる。なお、この図16〜
図18に示す回路付サスペンション基板11では、例え
ば、図2〜図4に示す回路付サスペンション基板11や
図11〜図13に示す回路付サスペンション基板11に
比べて、支持基板12およびベース層13の両方ともな
く、超音波振動がより効率的に伝達されるので、接合強
度がより一層良好となる。また、この図16〜図18に
示す回路付サスペンション基板11においては、パッド
部19とめっき層35とを、特に区別しなくてもよく、
例えば、めっき層35に、リード・ライト基板29の端
子28を接合するようにしてもよい。
【0048】なお、以上に述べた各実施形態の回路付サ
スペンション基板11は、その外部側接続端子17がリ
ード・ライト基板29の端子28と接続するような、い
わゆるロングテールタイプのものであるが、本発明の回
路付サスペンション基板は、これに限定されることはな
く、例えば、図20に示すように、いわゆるショートテ
ールタイプのものであってもよい。すなわち、ショート
テールタイプの回路付サスペンション基板11では、回
路付サスペンション基板11は、中継用基板30を介し
てリード・ライト基板29と接続されており、その回路
付サスペンション基板11の外部側接続端子17が、中
継用基板の端子31と接続されている。
【0049】また、以上に述べた各実施形態では、外部
側接続端子17のパッド部19をめっきにより形成した
が、これに限定されることなく、その他の公知の方法に
より形成してもよい。また、パッド部19、開口部32
および切欠部34の形状は、矩形状に限らず、円形状や
多角形状に形成してもよく、適宜、その目的および用途
応じて選択すればよい。
【0050】なお、以上に述べた各実施形態の回路付サ
スペンション基板11における外部側接続端子17は、
フラット形状であるため、従来の回路付サスペンション
基板における外部側接続端子のようなバンプ形状に比べ
て、インピーダンス特性に優れている。すなわち、以上
に述べた各実施形態の回路付サスペンション基板11に
おける外部側接続端子17では、リード・ライト基板2
9の端子28と、平面と平面との接合により接続される
ので、接続点における形状の変化が、バンプ形状のもの
に比べて少なく、そのため、接続点におけるインピーダ
ンスの変化が少なく、信号の伝達を良好に行なうことが
できる。このようなインピーダンス特性は、例えば、タ
イム・ドメイン・リフレクトメトリー(Time Domain Re
flectometry )によって評価することができる。
【0051】また、外部側接続端子17とリード・ライ
ト基板29の端子28などの外部の回路との接続方法
は、超音波振動などに限らず、例えば、加熱圧着などの
公知のいずれの接合方法をも用いることができる。
【0052】
【実施例】以下に実施例および比較例を示し、本発明を
さらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例およ
び比較例に限定されることはない。
【0053】実施例1 厚さ25μmのステンレス箔の上に、ポリアミック酸樹
脂の溶液を塗工した後、130℃で加熱することによ
り、ポリアミック酸樹脂の被膜を形成し、次いで、被膜
をフォトマスクを介して露光(405nm、1500m
J/cm2 )させ、露光部分を180℃に加熱した後、
アルカリ現像液を用いて現像することにより、その被膜
をネガ型の画像でパターン化した。次いで、パターン化
されたポリアミック酸樹脂の被膜を、350℃で加熱し
て、硬化(イミド化)させ、これによって、厚さ15μ
mの感光性ポリイミドからなるベース層を所定のパター
ンで形成した。
【0054】次いで、ステンレス箔およびベース層の全
面に、厚さ300Åのクロム薄膜と厚さ700Åの銅薄
膜とをスパッタ蒸着法によって順次形成した後、所定の
回路パターンと逆パターンのめっきレジストを、ドライ
フィルムレジストを用いて形成し、そして、電解銅めっ
きにより、ベース層におけるめっきレジストが形成され
ていない部分に、所定の回路パターンの導体層を形成し
た。その後、めっきレジストを、化学エッチングによっ
て除去した後、めっきレジストが形成されていたクロム
薄膜および銅薄膜を、化学エッチングにより除去した。
なお、この導体層は、厚さ20μmで、そのパターン
を、各配線の幅20μm、各配線間の間隔が30μm
の、互いに所定の間隔を隔てて平行状に配置される、4
本の配線パターンとした。
【0055】次いで、導体層の表面、および、ステンレ
ス箔の表面に、無電解ニッケルめっきによって、厚さ
0.1μmの硬質のニッケル薄膜を形成した後、ニッケ
ル薄膜およびベース層の上に、ポリアミック酸樹脂の溶
液を塗工した後、130℃で加熱することにより、ポリ
アミック酸樹脂の被膜を形成し、次いで、被膜をフォト
マスクを介して露光(405nm、1500mJ/cm
2 )させ、露光部分を180℃に加熱した後、アルカリ
現像液を用いて現像することにより、この被膜によって
導体層が被覆されるようにパターン化した。次いで、パ
ターン化されたポリアミック酸樹脂の被膜を、350℃
で加熱して、硬化(イミド化)させ、これによって、厚
さ3μmの感光性ポリイミドからなるカバー層を、導体
層の上に形成した。なお、このカバー層の形成において
は、導体層における磁気ヘッド側接続端子および外部側
接続端子のパッド部を形成する部分には、カバー層を被
覆しないようにした。
【0056】その後、ステンレス箔の表面と、導体層に
おける磁気ヘッド側接続端子および外部側接続端子のパ
ッド部を形成する部分とに形成されているニッケル薄膜
を剥離し、そのパッド部を形成する部分に、電解ニッケ
ルめっきと電解金めっきとを順次行ない、厚さ2μmの
ニッケルめっき層および厚さ1μmの金めっき層を形成
することによってパッド部を形成した。その後、電解ニ
ッケルめっきおよび電解金めっきに用いためっきリード
を、化学エッチングにより除去し、ステンレス箔を、化
学エッチングによって、所定の形状に切り抜いた。な
お、この切り抜きにおいては、ステンレス箔における各
パッド部に対応する部分を、同時にそれぞれ独立して矩
形状に開口した。その後、洗浄および乾燥することによ
り、回路付サスペンション基板を作製した。
【0057】なお、この実施例1の回路付サスペンショ
ン基板は、その外部側接続端子が、図2〜図4に示す態
様に相当する。
【0058】実施例2 ステンレス箔を、化学エッチングによって切り抜く時
に、各パッド部に対応する部分をそれぞれ独立して開口
するのではなく、これらパッド部をすべてを含む1つの
大きな矩形状に開口したこと以外は、実施例1と同様の
操作により、回路付サスペンション基板を作製した。
【0059】なお、この実施例2の回路付サスペンショ
ン基板は、その外部側接続端子が、図9および図10に
示す態様に相当する。
【0060】実施例3 厚さ25μmのステンレス箔の上に、ポリアミック酸樹
脂の溶液を塗工した後、130℃で加熱することによ
り、ポリアミック酸樹脂の被膜を形成し、次いで、被膜
をフォトマスクを介して露光(405nm、1500m
J/cm2 )させ、露光部分を180℃に加熱した後、
アルカリ現像液を用いて現像することにより、ネガ型の
画像でパターン化した。なお、このパターン化において
は、外部側接続端子のパッド部を形成する部分には、被
膜が形成されないようにした。次いで、パターン化され
たポリアミック酸樹脂の被膜を、350℃で加熱して、
硬化(イミド化)させ、これによって、厚さ15μmの
感光性ポリイミドからなるベース層を所定のパターンで
形成した。
【0061】次いで、ステンレス箔およびベース層の全
面に、厚さ300Åのクロム薄膜と厚さ700Åの銅薄
膜とをスパッタ蒸着法によって順次形成した後、所定の
回路パターンと逆パターンのめっきレジストを、ドライ
フィルムレジストを用いて形成し、そして、電解銅めっ
きにより、ベース層におけるめっきレジストが形成され
ていない部分、および、ステンレス箔におけるベース層
から露出している部分(パッド部を形成する部分)に、
所定の回路パターンとして導体層を形成した。その後、
めっきレジストを、化学エッチングによって除去した
後、めっきレジストが形成されていたクロム薄膜および
銅薄膜を、化学エッチングにより除去した。なお、この
導体層は、厚さ20μmで、そのパターンを、各配線の
幅20μm、各配線間の間隔が30μmの、互いに所定
の間隔を隔てて平行状に配置される、4本の配線パター
ンとした。
【0062】次いで、導体層の表面、および、ステンレ
ス箔の表面に、無電解ニッケルめっきによって、厚さ
0.1μmの硬質のニッケル薄膜を形成した後、ニッケ
ル薄膜およびベース層の上に、ポリアミック酸樹脂の溶
液を塗工した後、130℃で加熱することにより、ポリ
アミック酸樹脂の被膜を形成し、次いで、被膜をフォト
マスクを介して露光(405nm、1500mJ/cm
2 )させ、露光部分を180℃に加熱した後、アルカリ
現像液を用いて現像することにより、この被膜によって
導体層が被覆されるようにパターン化した。次いで、パ
ターン化されたポリアミック酸樹脂の被膜を、350℃
で加熱して、硬化(イミド化)させ、これによって、厚
さ3μmの感光性ポリイミドからなるカバー層を、導体
層の上に形成した。なお、このカバー層の形成において
は、導体層における磁気ヘッド側接続端子および外部側
接続端子のパッド部を形成する部分には、カバー層を被
覆しないようにした。
【0063】その後、ステンレス箔の表面と、磁気ヘッ
ド側接続端子および外部側接続端子のパッド部を形成す
る部分とに形成されているニッケル薄膜を剥離し、その
パッド部を形成する部分に、電解ニッケルめっきと電解
金めっきとを順次行ない、厚さ2μmのニッケルめっき
層および厚さ5μmの金めっき層を形成することにより
パッド部を形成した。その後、電解ニッケルめっきおよ
び電解金めっきに用いためっきリードを、化学エッチン
グにより除去し、ステンレス箔を、化学エッチングによ
って、所定の形状に切り抜いた。なお、この切り抜きに
おいては、ステンレス箔におけるパッド部に対応する部
分の周囲を、同時に切り抜くことによって切欠部を形成
した。その後、洗浄および乾燥することにより、回路付
サスペンション基板を作製した。
【0064】なお、この実施例3の回路付サスペンショ
ン基板は、その外部側接続端子が、図11〜図13に示
す態様に相当する。
【0065】実施例4 厚さ25μmのステンレス箔の上に、ポリアミック酸樹
脂の溶液を塗工した後、130℃で加熱することによ
り、ポリアミック酸樹脂の被膜を形成し、次いで、被膜
をフォトマスクを介して露光(405nm、1500m
J/cm2 )させ、露光部分を180℃に加熱した後、
アルカリ現像液を用いて現像することにより、その被膜
をネガ型の画像でパターン化した。次いで、パターン化
されたポリアミック酸樹脂の被膜を、350℃で加熱し
て、硬化(イミド化)させ、これによって、厚さ10μ
mの感光性ポリイミドからなるベース層を所定のパター
ンで形成した。
【0066】次いで、ステンレス箔およびベース層の全
面に、厚さ300Åのクロム薄膜と厚さ700Åの銅薄
膜とをスパッタ蒸着法によって順次形成した後、所定の
回路パターンと逆パターンのめっきレジストを、ドライ
フィルムレジストを用いて形成し、そして、電解銅めっ
きにより、ベース層におけるめっきレジストが形成され
ていない部分に、所定の回路パターンの導体層を形成し
た。その後、めっきレジストを、化学エッチングによっ
て除去した後、めっきレジストが形成されていたクロム
薄膜および銅薄膜を、化学エッチングにより除去した。
なお、この導体層は、厚さ10μmで、そのパターン
を、各配線の幅100μm、各配線間の間隔が500μ
mの、互いに所定の間隔を隔てて平行状に配置される、
4本の配線パターンとした。
【0067】次いで、導体層の表面、および、ステンレ
ス箔の表面に、無電解ニッケルめっきによって、厚さ
0.1μmの硬質のニッケル薄膜を形成した後、ニッケ
ル薄膜およびベース層の上に、ポリアミック酸樹脂の溶
液を塗工した後、130℃で加熱することにより、ポリ
アミック酸樹脂の被膜を形成し、次いで、被膜をフォト
マスクを介して露光(405nm、1500mJ/cm
2 )させ、露光部分を180℃に加熱した後、アルカリ
現像液を用いて現像することにより、この被膜によって
導体層が被覆されるようにパターン化した。次いで、パ
ターン化されたポリアミック酸樹脂の被膜を、350℃
で加熱して、硬化(イミド化)させ、これによって、厚
さ3μmの感光性ポリイミドからなるカバー層を、導体
層の上に形成した。なお、このカバー層の形成において
は、導体層における磁気ヘッド側接続端子および外部側
接続端子のパッド部を形成する部分には、カバー層を被
覆しないようにし、とりわけ、外部側接続端子のパッド
部を形成する部分は、各パッド部のすべてを含む1つの
大きな矩形状の開口部分が形成されるようにした。
【0068】次いで、ステンレス箔を、化学エッチング
によって、所定の形状に切り抜いた。なお、この切り抜
きにおいては、ステンレス箔における各パッド部に対応
する部分を、すべてのパッド部を含む1つの大きな矩形
状に、同時に切り抜くことにより、開口部を形成した。
その後、ステンレス箔の表面と、導体層における磁気ヘ
ッド側接続端子および外部側接続端子のパッド部を形成
する部分とに形成されているニッケル薄膜を剥離した。
そして、ステンレス箔を切り抜くことにより形成される
開口部において露出しているベース層を、その開口部に
対応させて、レーザー加工により開口した。その後、ベ
ース層を開口することにより露出したクロム薄膜および
銅薄膜を、化学エッチングにより剥離することによっ
て、導体層におけるパッド部が形成される表面と反対側
の裏面を露出させた。そして、露出している導体層の表
面に、電解ニッケルめっきと電解金めっきとを順次行な
い、厚さ2μmのニッケルめっき層および厚さ1μmの
金めっき層を形成することによってパッド部を形成する
と同時に、露出している導体層の両側面および裏面に
も、同様のめっき層を形成した。最後に、電解ニッケル
めっきおよび電解金めっきに用いためっきリードを、化
学エッチングにより除去することにより、回路付サスペ
ンション基板を作製した。
【0069】なお、この実施例4の回路付サスペンショ
ン基板は、その外部側接続端子が、図16〜図18に示
す態様に相当する。
【0070】比較例1 ステンレス箔を、化学エッチングによって、所定の形状
に切り抜くときに、ステンレス箔における各パッド部に
対応する部分を開口しなかったこと以外は、実施例1と
同様の操作により、回路付サスペンション基板を作製し
た。
【0071】なお、この比較例1の回路付サスペンショ
ン基板は、その外部側接続端子が、図21に示す態様に
相当する。
【0072】評価 1)被接合基材の作製 被接合基材として、図22に示すような基材を作製し
た。すなわち、図22において、この被接合基材は、厚
さ25μmのステンレス箔からなる支持基板41上に、
厚さ10μmのポリイミドからなるベース層42が積層
されており、このベース層42上に、厚さ10μmの銅
からなる導体層43が4本の配線パターンとして形成さ
れ、かつ、その各配線の端部において、厚さ2μmのニ
ッケルめっき層44および厚さ5μmの金めっき層45
が順次形成されることによって、4つの接続端子46が
形成されてなるものである。 2)回路付サスペンション基板と被接合基材との接合 被接合基材の4つ接続端子に、実施例1〜4および比較
例1の回路付きサスペンション基板の、外部側接続端子
の4つのパッド部の金めっき層の表面を位置合わせして
設置し、回路付きサスペンション基板の各パッド部の背
面から、超音波ボンダーの接合ツールを当てて接合を行
なった。なお、接合条件は以下の通りである。
【0073】 超音波接合ボンダー:ANZA社製 type260 温度:常温 超音波出力:3.0W 荷重:200gf(1.96N) 時間:400ms 3)剥離試験 90度剥離試験を行なって、端子間の接合性を評価し
た。すなわち、この90度剥離試験は、図23に示すよ
うに、被接合基材を、接着剤によって水平固定板に固定
するとともに、回路付きサスペンション基板を上方に向
けて90°に折り曲げた状態で、その回路付きサスペン
ション基板おける接合部と反対側の端部を、チャッキン
グして引っ張ることにより行なった。測定条件は以下の
通りである。その結果を表1に示す。なお、表1中、破
壊モードAは、基材破壊を示し、接合性が良好であるこ
とを表わしており、破壊モードBは、パッド剥離を示
し、接合性があまり良好でないことを表わしている。ま
た、接合強度は、端子1つ当たりの強度を表わしてい
る。
【0074】引張り強度試験機:AIKOH ENGI
NEERING MODEL1011/MODEL1321DW ピール速度:10mm/分
【0075】
【表1】
【0076】表1から明らかなように、実施例1〜4の
回路付サスペンション基板は、比較例1の回路付きサス
ペンション基板に比べて、接合強度が高く、良好な接合
性を示していることがわかる。
【0077】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の回路付サス
ペンション基板によれば、端子部においては、金属支持
層および絶縁層の両方、または、少なくとも一方が形成
されていないので、外部の回路の端子と接続する場合に
おいては、端子部における導体層、金属支持層または絶
縁層の外側面から、例えば、超音波振動などの外力を加
えれば、その超音波振動などの外力が、金属支持板およ
び絶縁層の両方、または、いずれか一方を介することな
く接合部に伝達されるため、接合部にはその外力がより
減少することなく伝達される。そのため、端子間をより
高い強度で接合することができ、端子間の接続信頼性を
向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の回路付サスペンション基板の一実施形
態を示す平面図である。
【図2】図1に示す回路付サスペンション基板におけ
る、外部側接続端子の回路付サスペンション基板の長手
方向に沿う方向の断面図である。
【図3】図1に示す回路付サスペンション基板におけ
る、外部側接続端子の回路付サスペンション基板の長手
方向と直交する方向に沿う方向の断面図である。
【図4】図1に示す回路付サスペンション基板におけ
る、外部側接続端子の背面図である。
【図5】支持基板を用意して、その支持基板の上に、所
定のパターンでベース層を形成する工程を示す断面図で
あって、(a)は、支持基板を用意する工程、(b)
は、その支持基板の上に、感光性ポリイミド樹脂の前駆
体の被膜を形成する工程、(c)は、その被膜を、フォ
トマスクを介して露光させて、現像することにより、所
定のパターンとする工程、(d)は、パターン化された
被膜を硬化させて、ベース層を形成する工程を示す。
【図6】ベース層の上に、所定の回路パターンで導体層
を形成する工程を示す断面図であって、(a)は、支持
基板およびベース層に、下地を形成する工程、(b)
は、下地の上に、所定の回路パターンと逆パターンのめ
っきレジストを形成する工程、(c)は、ベース層にお
けるめっきレジストが形成されていない部分に、電解め
っきにより、所定の回路パターンの導体層を形成する工
程、(d)は、めっきレジストを除去する工程、(e)
は、下地を除去する工程を示す。
【図7】回路パターンにおける導体層の表面を金属被膜
により保護した後、カバー層により被覆する工程を示す
断面図であって、(a)は、導体層の表面に、金属被膜
を形成する工程、(b)は、ベース層および金属薄膜の
上に、感光性ポリイミド樹脂の前駆体の被膜を形成する
工程、(c)は、その被膜を、フォトマスクを介して露
光させて、現像することにより、その被膜をパターン化
する工程、(d)は、パターン化された被膜を硬化させ
て、カバー層を形成する工程を示す。
【図8】外部側接続端子を形成する工程を示す断面図で
あって、(a)は、露出している導体層および支持基板
に形成されている金属薄膜を剥離する工程、(b)は、
露出している導体層の上にニッケルめっき層および金め
っき層を形成することによりパッド部を形成する工程、
(c)は、支持基板におけるパッド部に対応する部分を
開口する工程を示す。
【図9】図3に示す回路付サスペンション基板と異なる
実施形態であって、外部側接続端子における回路付サス
ペンション基板の長手方向と直交する方向に沿う方向の
断面図である。
【図10】図9に示す回路付サスペンション基板におけ
る、外部側接続端子の背面図である。
【図11】図2に示す回路付サスペンション基板と異な
る実施形態であって、外部側接続端子の回路付サスペン
ション基板の長手方向に沿う方向の断面図である。
【図12】図11に示す回路付サスペンション基板にお
ける、外部側接続端子の回路付サスペンション基板の長
手方向と直交する方向に沿う方向の断面図である。
【図13】図11に示す回路付サスペンション基板にお
ける、外部側接続端子の背面図である。
【図14】図11に示す回路付サスペンション基板の外
部側接続端子を形成する工程を示す断面図であって、
(a)は、支持基板を用意する工程、(b)は、その支
持基板の上に、パッド部が形成される部分を除くような
所定のパターンでベース層を形成する工程、(c)は、
所定の回路パターンの導体層を形成する工程を示す。
【図15】図14に続いて、図11に示す回路付サスペ
ンション基板の外部側接続端子を形成する工程を示す断
面図であって、(d)は、カバー層を形成する工程、
(e)は、パッド部を形成する工程、(f)は、支持基
板をパッド部を囲むようにして切り抜く工程を示す。
【図16】図2および図11に示す回路付サスペンショ
ン基板と異なる実施形態であって、外部側接続端子の回
路付サスペンション基板の長手方向に沿う方向の断面図
である。
【図17】図16に示す回路付サスペンション基板にお
ける、外部側接続端子の回路付サスペンション基板の長
手方向と直交する方向に沿う方向の断面図である。
【図18】図16に示す回路付サスペンション基板にお
ける、外部側接続端子の背面図である。
【図19】図16に示す回路付サスペンション基板の外
部側接続端子のパッド部を形成する工程を示す断面図で
あって、(a)は、支持基板におけるパッド部に対応す
る部分を開口する工程、(b)は、露出している導体層
および支持基板に形成されている金属薄膜を剥離する工
程、(c)は、支持基板の開口部において露出している
ベース層を、その開口部に対応させて開口する工程、
(d)は、ベース層を開口することにより露出した下地
を剥離する工程、(e)は、露出している導体層の表面
に、パッド部をめっきにより形成すると同時に、露出し
ている導体層の裏面に、同様のめっき層を形成する工程
を示す。
【図20】ショートテールタイプの回路付サスペンショ
ン基板を示す平面図である。
【図21】従来の回路付サスペンション基板の外部側接
続端子の断面図である。
【図22】評価に用いる被接合基材の(a)は、上面
図、(b)は、そのA−A線断面図である。
【図23】90°剥離試験を説明するための説明図であ
る。
【符号の説明】
11 回路付サスペンション基板 12 支持基板 13 ベース層 14 導体層 17 外部側接続端子 19 パッド部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 森田 成紀 大阪府茨木市下穂積1丁目1番2号 日東 電工株式会社内 (72)発明者 表 利彦 大阪府茨木市下穂積1丁目1番2号 日東 電工株式会社内 Fターム(参考) 5D042 NA02 PA10 TA07 5D059 AA01 BA01 CA03 DA26 DA36 EA08

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 金属支持層と、前記金属支持層の上に形
    成される絶縁層と、前記絶縁層の上に形成される導体層
    とを備え、外部の回路と接続するための端子部が形成さ
    れている回路付サスペンション基板であって、 前記端子部には、前記金属支持層および/または前記絶
    縁層が形成されていないことを特徴とする、回路付サス
    ペンション基板。
  2. 【請求項2】 前記端子部が、前記絶縁層と、前記絶縁
    層の上に形成される前記導体層と、前記導体層の上に形
    成されるパッド部とによって構成されていることを特徴
    とする、請求項1に記載の回路付サスペンション基板。
  3. 【請求項3】 前記端子部が、前記金属支持層と、前記
    金属支持層の上に形成される前記導体層と、前記導体層
    の上に形成されるパッド部とによって構成されているこ
    とを特徴とする、請求項1に記載の回路付サスペンショ
    ン基板。
  4. 【請求項4】 前記端子部が、前記導体層と、前記導体
    層の上に形成されるパッド部とによって構成されている
    ことを特徴とする、請求項1に記載の回路付サスペンシ
    ョン基板。
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