JP2007329395A - 配線回路基板およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】導体パターンの強度の向上を十分に図ることのできる配線回路基板およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】ベース絶縁層２の上に、銀層７および銅層８を順次積層し、その後、これらを加熱することにより、銅に対して銀が拡散され、その銀が０．５０重量％を超過し３．００重量％の銅合金からなる導体パターン３を形成する。その後、ベース絶縁層２の上に、導体パターン３を被覆するように、カバー絶縁層を形成する。これによって、導体パターン３の強度を向上させることができる。
【選択図】図２

Description

本発明は、配線回路基板およびその製造方法、詳しくは、フレキシブル配線回路基板や回路付サスペンション基板などに用いられる配線回路基板およびその製造方法に関する。

フレキシブル配線回路基板などの配線回路基板では、導体パターンを形成するための金属として、銀を銅に添加することにより得られる銅合金を用いることが知られている。
例えば、溶湯銀を溶銅（インゴット）に添加することにより、０．０７〜０．５重量％の銀を含有する溶銅を鋳造して、これを可撓性銅張積層板用の圧延銅箔に用いることにより、圧延銅箔の強度を高めることが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。

また、微細回路配線において、層間絶縁層の上に、銀皮膜および銅めっき層を順次積層し、これらを熱処理して、銀皮膜の銀を銅めっき層の銅中に拡散させることにより、銅配線のマイグレーションを防止することが提案されている（例えば、特許文献２参照。）。
特開２００３−９６５２６号公報 特開２００３−３２８１８４号公報

しかるに、近年、配線のファインピッチ化に伴い、配線の強度のさらなる向上が要望されているところ、特許文献１に記載の可撓性銅張積層板用の圧延銅箔では、かかる要望に十分に対応することが困難な場合がある。
また、特許文献２に記載の微細回路配線では、銅配線のマイグレーションを防止することを目的とするものの、配線の強度の向上を図ることを意図しておらず、配線の強度の向上を図るには、さらなる検討が必要とされる。

本発明の目的は、導体パターンの強度の向上を十分に図ることのできる配線回路基板およびその製造方法を提供することにある。

上記目的を達成するために、本発明の配線回路基板は、絶縁層と、前記絶縁層の上に形成され、銅に対して銀が拡散され、その銀が０．５０重量％を超過し３．００重量％以下の銅合金からなる導体パターンとを備えていることを特徴としている。
また、本発明の配線回路基板では、前記導体パターンは、前記絶縁層の上に、銀層および銅層を積層した後、加熱することにより得られることが好適である。

また、本発明の配線回路基板では、前記導体パターンは、前記絶縁層の上に、第１銅層、銀層および第２銅層を順次積層した後、加熱することにより得られることが好適である。
また、本発明の配線回路基板の製造方法は、絶縁層を用意する工程と、前記絶縁層の上に、銀層および銅層を積層する工程と、前記銀層および前記銅層を加熱することにより、銅に対して銀が拡散され、その銀が０．５０重量％を超過し３．００重量％以下の銅合金からなる導体パターンを形成する工程とを備えていることを特徴としている。

また、本発明の配線回路基板の製造方法は、絶縁層を用意する工程と、前記絶縁層の上に、第１銅層、銀層および第２銅層を順次積層する工程と、前記第１銅層、前記銀層および前記第２銅層を加熱することにより、銅に対して銀が拡散され、その銀が０．５０重量％を超過し３．００重量％以下の銅合金からなる導体パターンを形成する工程とを備えていることを特徴としている。

本発明の配線回路基板では、銅に対して銀が拡散され、その銀が０．５０重量％を超過し３．００重量％以下の銅合金からなる導体パターンを備えているので、その導体パターンの強度の向上を十分に図ることができる。そのため、接続信頼性の高い配線回路基板を得ることができる。
また、本発明の配線回路基板の製造方法では、銅に対して銀が拡散され、その銀が０．５０重量％を超過し３．００重量％以下の銅合金からなる導体パターンを形成するので、その導体パターンの強度の向上を十分に図ることができる。そのため、接続信頼性の高い配線回路基板を得ることができる。

図１は、本発明の配線回路基板の一実施形態の製造方法を説明するための製造工程図の幅方向断面である。なお、図１において、後述する金属薄膜６（図２（ｂ）参照）は、省略している。
この配線回路基板１は、例えば、長手方向に延びる平帯状に形成されるフレキシブル配線回路基板であって、例えば、図１（ｄ）に示すように、絶縁層としてのベース絶縁層２と、ベース絶縁層２の上に形成された導体パターン３と、導体パターン３を被覆するように、ベース絶縁層２の上に形成されたカバー絶縁層４とを備えている。

ベース絶縁層２は、配線回路基板１の外形形状に対応して、平帯状に形成されている。
導体パターン３は、配線回路基板１の長手方向に沿って延び、互いに幅方向（配線回路基板１の長手方向に直交する方向）において間隔を隔てて並列配置される複数の配線５を備えている。また、この導体パターン３は、後述するような製造方法によって、銅に対して銀が拡散され、その銀が０．５０重量％を超過し３．００重量％以下の銅合金から形成されている。

また、導体パターン３には、図示しない電子部品の外部端子と接続するための図示しない端子部が含まれている。
また、カバー絶縁層４には、端子部が露出するように、図示しない開口部が形成されている。
次に、この配線回路基板１の製造方法を、図１および図２を参照して説明する。

この方法では、まず、図１（ａ）に示すように、ベース絶縁層２を用意する。ベース絶縁層２は、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの合成樹脂のフィルムが用いられる。好ましくは、ポリイミド樹脂フィルムが用いられる。

ベース絶縁層２は、予め合成樹脂のフィルムとして用意するか、あるいは、図示しない剥離板の上に、合成樹脂のワニスをキャスティングにより成膜し、乾燥後、必要により硬化させることにより、用意する。さらには、剥離板の上に、感光性の合成樹脂のワニスをキャスティング（塗布）により成膜し、乾燥後、露光後現像して上記したパターンに加工し、必要により硬化することにより、用意する。なお、ベース絶縁層２の厚さは、例えば、３〜５０μｍ、好ましくは、５〜３０μｍである。

次いで、この方法では、図１（ｂ）に示すように、ベース絶縁層２の上に、銀層７および銅層８を、順次積層して、積層金属層１５を形成する。
積層金属層１５として積層される銀層７および銅層８は、例えば、サブトラクティブ法やアディティブ法などの公知のパターンニング法、好ましくは、微細配線パターンを形成する観点から、アディティブ法によって、上記した配線回路パターンとして、順次形成する。

アディティブ法では、図２（ａ）および（ｂ）に示すように、まず、ベース絶縁層２の全面に、種膜となる金属薄膜６を形成する。金属薄膜６は、クロム、ニッケル、銅およびこれらの合金などから、スパッタリング法などの薄膜形成法により形成する。より具体的には、例えば、ベース絶縁層２の全面に、クロム薄膜と銅薄膜とをスパッタ蒸着法によって、順次形成する。なお、金属薄膜６の形成においては、例えば、クロム薄膜の厚さが、１０〜６０ｎｍ、銅薄膜の厚さが、５０〜２００ｎｍとなるように設定する。

次いで、図２（ｃ）に示すように、金属薄膜６の表面に、導体パターン３の反転パターンで、めっきレジスト９を形成する。めっきレジスト９は、ドライフィルムフォトレジストなどから、露光および現像する公知の方法により形成する。
次いで、図２（ｄ）に示すように、めっきレジスト９から露出する金属薄膜６の表面に、銀層７を形成（積層）する。銀層７は、例えば、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法などの蒸着法、例えば、電解めっき法、無電解めっき法などのめっき法などにより、形成する。好ましくは、銀スパッタリング法や無電解銀めっき法により形成する。

銀スパッタリング法では、例えば、銀をターゲットとして、アルゴンなどの不活性ガスを導入ガスとして導入してスパッタリングすることにより、銀層７を形成する。
無電解銀めっき法では、例えば、銀のめっき溶液に、図２（ｃ）に示す製造途中の配線回路基板１を浸漬することにより、銀層７を形成する。
銀層７の厚さは、後述する銅合金に拡散される銀の重量割合により適宜選択されるが、例えば、１０〜６００ｎｍ、好ましくは、１０〜２００ｎｍ、さらに好ましくは、１０〜１６０ｎｍである。なお、後述するように銀層７が複数の銀層として形成されるときは、その合計厚さが、好ましくは、上記厚さの範囲に設定される。

次いで、図２（ｅ）に示すように、銀層７の表面に、銅層８を形成（積層）する。銅層８は、銀層７の形成と同様の蒸着法やめっき法により、好ましくは、電解銅めっき法により、形成する。
電解銅めっき法では、例えば、電解硫酸銅めっき液に、図２（ｄ）に示す製造途中の配線回路基板１を浸漬して、所定の電流値で通電することにより、銅層８を形成する。

銅層８の厚さは、導体パターン３として要求される厚さにより適宜選択されるが、例えば、４〜２０μｍ、好ましくは、７〜１５μｍ、さらに好ましくは、８〜１２μｍである。なお、後述するように銅層８が複数の銅層として形成されるときは、その合計厚さが、好ましくは、上記厚さの範囲に設定される。
次いで、図２（ｆ）に示すように、めっきレジスト９をエッチングまたは剥離により除去した後、積層金属層１５から露出する金属薄膜６を、エッチングにより除去する。

これによって、図１（ｂ）、より具体的には、図２（ｆ）に示すように、ベース絶縁層２（金属薄膜６）の上に、銀層７および銅層８が順次積層された積層金属層１５を、配線回路パターンとして形成することができる。
次いで、この方法では、図１（ｃ）、より具体的には、図２（ｇ）に示すように、積層金属層１５を、加熱することにより、銀が拡散された銅合金からなる導体パターン３を形成する。

積層金属層１５は、例えば、３００〜６００℃、好ましくは、３５０〜４００℃で、例えば、６０〜３００分、好ましくは、１２０〜３００分、例えば、大気などの酸素含有雰囲気下、例えば、窒素などの不活性ガス雰囲気下、好ましくは、不活性ガス雰囲気下において、加熱する。
このような加熱により、積層金属層１５において、銀層７の銀が、銅層８に拡散されて、積層金属層１５は、銀が拡散された銅合金となる導体パターン３となる。

この導体パターン３（銅合金）において、銀が拡散される重量割合（銀濃度）は、銅合金に対して、例えば、０．５０重量％を超過し３．００重量％以下、好ましくは、０．５０重量％を超過し１．５０重量％以下、さらに好ましくは、０．５０重量％を超過し１．００重量％以下である。０．５０重量％以下であれば、導体パターン３の強度を十分に向上させることができず、また、３．００重量％を超過すれば、銀層７のすべての銀が、効率的に銅合金に拡散せず、銀層７が残存する。

なお、導体パターン３に拡散される銀の重量割合は、加熱前における銀層７の厚さ、銅層８の厚さ、銀の密度、および、銅の密度から算出される。すなわち、銀の重量割合は、次式により算出される。
銀の重量割合（重量％）＝（単位面積あたりの銀層７の厚み×銀の密度）／｛（単位面積あたりの銀層７の厚み×銀の密度）＋（単位面積あたりの銅層８の厚み×銅層８の密度）｝×１００
なお、得られた導体パターン３においては、最下部における銀の重量割合が最も高く、その最下部から厚さ方向（積層方向）上方にいくに従って、銀の重量割合が低下するように、厚さ方向に分布をもって、銀が拡散されている。

なお、導体パターン３の厚さは、例えば、４〜２０μｍ、好ましくは、７〜１５μｍ、さらに好ましくは、８〜１２μｍである。
次いで、この方法では、図１（ｄ）に示すように、ベース絶縁層２の上に、導体パターン３を被覆し、かつ、図示しない端子部が露出する開口部が形成されるように、カバー絶縁層４を形成して、配線回路基板１を得る。

カバー絶縁層４は、ベース絶縁層２と同様の合成樹脂が用いられる。カバー絶縁層４の形成は、例えば、感光性樹脂のワニスをキャスティング（塗布）により成膜し、乾燥後、露光後現像し、必要により硬化させることにより、上記したパターンとして形成することができる。
また、上記したパターンが予め形成された合成樹脂のフィルムを、必要により接着剤層を介して、導体パターン３を含むベース絶縁層２の上に貼着することにより、形成することもできる。

なお、カバー絶縁層４の厚さは、例えば、２〜２５μｍ、好ましくは、５〜１５μｍである。
そして、このようにして得られる配線回路基板１は、銅に対して銀が拡散され、その銀が０．５０重量％を超過し３．００重量％以下の銅合金からなる導体パターン３を備えている。そのため、導体パターン３の強度、例えば、引張り強度などの向上を十分に図ることができる。そのため、接続信頼性の高い配線回路基板１を得ることができる。

図３〜図５は、本発明の配線回路基板の他の実施形態の製造途中の幅方向断面であって、ベース絶縁層の上に、銀層および銅層を積層する工程（図１（ｂ）に対応する工程）に対応する工程を示す。
より具体的には、図３は、ベース絶縁層の上に、銅層および銀層を順次積層する工程、図４は、ベース絶縁層の上に、第１銅層、銀層および第２銅層を順次積層する工程、図５は、第１銅層、第１銀層、第２銅層、第２銀層および第３銅層を順次積層する工程を示す。

なお、図３〜図５において、アディティブ法により導体パターン３を形成する場合に形成される金属薄膜６は、仮想線にて示されている。また、上記した各部に対応する部分については、以降の各図面において同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
上記した説明では、配線回路基板１の製造途中で、ベース絶縁層２（金属薄膜６）の上に、銀層７および銅層８を順次積層することにより、積層金属層１５を形成したが、例えば、図３に示すように、ベース絶縁層２（金属薄膜６）の上に、銅層８および銀層７を順次積層することによって、積層金属層１５を形成することもできる。

なお、この積層金属層１５を加熱することにより得られる導体パターン３では、最上部における銀の重量割合が最も高く、その最上部から厚さ方向（積層方向）下方にいくに従って、銀の重量割合が低下するように、厚さ方向に分布をもって、銀が拡散されている。
また、上記した説明では、配線回路基板１の製造途中で、銀層７および銅層８を、それぞれ各１層積層することにより、積層金属層１５を形成したが、例えば、図４に示すように、ベース絶縁層２（金属薄膜６）の上において、銀層７が、２層の銅層、すなわち、第１銅層１０および第２銅層１１により挟まれる、サンドイッチ構造の積層層が形成されるように、積層金属層１５を形成することもできる。より具体的には、第１銅層１０、銀層７および第２銅層１１を順次積層することにより、積層金属層１５を形成する。

なお、このような積層金属層１５において、第１銅層１０および第２銅層１１の厚さは、それぞれ、例えば、２〜１０μｍ、好ましくは、３〜７μｍ、さらに好ましくは、４〜６μｍであり、銀層７の厚さは、例えば、１０〜６００ｎｍ、好ましくは、１０〜２００ｎｍ、さらに好ましくは、１０〜１６０ｎｍである。
この積層金属層１５を加熱することにより得られる導体パターン３では、厚さ方向（積層方向）途中（銀層７が積層されていた部分）における銀の重量割合が最も高く、厚さ方向途中から厚さ方向上方および下方にいくに従って、銀の重量割合が低下するように、厚さ方向に分布をもって、銀が拡散されている。

つまり、銀層７の銀が、積層金属層１５の厚さ方向の途中部分から拡散されるので、厚さ方向においてより均一な分布をもって、銀を拡散させることができる。
また、さらには、図５に示すように、複数の銀層と、複数の銅層とが交互に積層されるように、積層金属層１５を形成することもできる。すなわち、より具体的には、ベース絶縁層２（金属薄膜６）の上に、第１銅層１０、第１銀層１３、第２銅層１１、第２銀層１４および第３銅層１２を順次積層することにより、積層金属層１５を形成する。

なお、このような積層金属層１５において、第１銅層１０、第２銅層１１および第３銅層１２の厚さは、それぞれ、例えば、１〜７μｍ、好ましくは、２〜５μｍ、さらに好ましくは、２〜４μｍであり、第１銀層１３および第２銀層１４の厚さは、それぞれ、例えば、１０〜６００ｎｍ、好ましくは、１０〜１００ｎｍ、さらに好ましくは、１０〜８０ｎｍである。

この積層金属層１５を加熱することにより得られる導体パターン３では、厚さ方向（積層方向）途中において、第１銀層１３および第２銀層１４が積層されていた部分における銀の重量割合が最も高く、これらの部分から厚さ方向において離間するに従って、銀の重量割合が低下するように、厚さ方向に分布を持って、銀が拡散されている。
つまり、積層金属層１５の全体において、第１銀層１３および第２銀層１４の銀が、上記により、厚さ方向途中にほぼ均等に形成されて、その部分から拡散されるので、厚さ方向においてより一層均一な分布を持って、銀を拡散させることができる。

なお、図４および図５においては、ベース絶縁層２（金属薄膜６）の上に、銅層を積層した後、銀層および銅層を交互に積層したが、ベース絶縁層２（金属薄膜６）の上に、銀層を積層した後、銅層および銀層を交互に積層することもできる。
なお、上記の説明では、本発明の配線回路基板を、フレキシブル配線回路基板を例示して説明したが、本発明の配線回路基板は、これに限定されず、例えば、ベース絶縁層が金属支持基板に支持された回路付サスペンション基板なども含まれる。

図６は、本発明の配線回路基板の他の実施形態の回路付サスペンション基板の端子部における幅方向の断面図である。
この回路付サスペンション基板１９の端子部２１は、フライングリード構造として形成されており、例えば、図６に示すように、端子部２１に対応する位置において、カバー絶縁層４が開口され、そのベース絶縁層４の開口位置と同一位置において、金属支持基板２０およびベース絶縁層２が開口されることにより、その表面がカバー絶縁層４から露出し、その裏面が金属支持基板２０およびベース絶縁層２から露出するように形成されている。

このように両面が露出された端子部２１がフライングリード構造に形成されていても、端子部２１が含まれる導体パターン３は、銅に対して銀が拡散され、その銀が０．５０重量％を超過し３．００重量％以下の銅合金からなるので、端子部２１の剛性の向上を十分に図ることができる。

以下、実施例および比較例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。
実施例１
厚み１０μｍのポリイミド樹脂のフィルムからなるベース絶縁層を用意した（図１（ａ）および図２（ａ）参照）。
次いで、そのベース絶縁層の表面に、種膜となる金属薄膜を、スパッタリング法により、厚さ４０ｎｍのクロム薄膜および厚さ７０ｎｍの銅薄膜を順次形成することにより、形成した（図２（ｂ）参照）。

次いで、金属薄膜の表面に、めっきレジストを、導体パターンの反転パターンで形成した（図２（ｃ）参照）。
次いで、めっきレジストから露出する金属薄膜の表面に、厚さ３５．０ｎｍの銀層を、銀スパッタリング法により、積層した（図２（ｄ）参照）。
次いで、銀層の表面に、厚さ８．１μｍの銅層を、電解銅めっき法により、積層した（図２（ｅ）参照）。

次いで、めっきレジストをエッチングにより除去した後、銀層および銅層が積層された積層金属層から露出する金属薄膜を、エッチングにより除去した（図１（ｂ）および図２（ｆ）参照）。
次いで、この積層金属層を、４００℃で、１２０分、窒素雰囲気下で加熱することにより、銀層の銀を銅層に拡散させて、銅合金からなる導体パターンを形成した（図１（ｃ）および図２（ｇ）参照）。なお、銅合金に拡散された銀の重量割合は、銅合金に対して０．５１重量％であった。

その後、感光性樹脂のワニスをベース絶縁層の上に塗布して、乾燥後、露光後現像し、硬化させることにより、導体パターンを被覆し、かつ、端子部が露出する開口部が形成されるように、ベース絶縁層の上に厚さ５μｍのカバー絶縁層を形成した（図１（ｄ）参照）。
実施例２
銀層の厚さを７０．０ｎｍに代え、銅層の厚さを８．５μｍに代えた以外は、実施例１と同様の操作により、配線回路基板を得た。なお、銅合金に拡散された銀の重量割合は、銅合金に対して０．８２重量％であった。

実施例３
厚み１０μｍのポリイミド樹脂のフィルムからなるベース絶縁層を用意した（図１（ａ）および図２（ａ）参照）。
次いで、そのベース絶縁層の表面に、種膜となる金属薄膜を、スパッタリング法により、厚さ４０ｎｍのクロム薄膜および厚さ７０ｎｍの銅薄膜を順次形成することにより、形成した（図２（ｂ）参照）。

次いで、金属薄膜の表面に、めっきレジストを、導体パターンの反転パターンで形成した（図２（ｃ）参照）。
次いで、めっきレジストから露出する金属薄膜の表面に、厚さ４．３μｍの第１銅層を、電解銅めっき法により、積層した。
次いで、めっきレジストから露出する第１銅層の表面に、厚さ４０．０ｎｍの銀層を、無電解銀めっき法により、積層した。

次いで、めっきレジストから露出する銀層の表面に、厚さ４．６μｍの第２銅層を、電解銅めっき法により、積層した。
次いで、めっきレジストをエッチングにより除去した後、第１銅層、銀層および第２銅層が積層された積層金属層から露出する金属薄膜を、エッチングにより除去した（図４参照）。

次いで、この積層金属層を、４００℃で、１２０分、窒素雰囲気下で加熱することにより、銀層の銀を第１銅層および第２銅層に拡散させて、銅合金からなる導体パターンを形成した（図１（ｃ）および図２（ｇ）参照）。なお、銅合金に拡散された銀の重量割合は、銅合金に対して０．５３重量％であった。
その後、感光性樹脂のワニスをベース絶縁層の上に塗布して、乾燥後、露光後現像し、硬化させることにより、導体パターンを被覆し、かつ、端子部が露出する開口部が形成されるように、ベース絶縁層の上に厚さ５μｍのカバー絶縁層を形成した（図１（ｄ）参照）。

実施例４
第１銅層の厚さを４．５μｍに代え、銀層の厚さを９２．８ｎｍに代え、第２銅層の厚さを５．３μｍに代えた以外は、実施例３と同様の操作により、配線回路基板を得た。なお、銅合金に拡散された銀の重量割合は、銅合金に対して０．９３重量％であった。
実施例５
銀層の厚さを１５５．８ｎｍに代え、第２銅層の厚さを４．９μｍに代えた以外は、実施例３と同様の操作により、配線回路基板を得た。なお、銅合金に拡散された銀の重量割合は、銅合金に対して１．６６重量％であった。

実施例６
厚み１０μｍのポリイミド樹脂のフィルムからなるベース絶縁層を用意した（図１（ａ）および図２（ａ）参照）。
次いで、そのベース絶縁層の表面に、種膜となる金属薄膜を、スパッタリング法により、厚さ４０ｎｍのクロム薄膜および厚さ７０ｎｍの銅薄膜を順次形成することにより、形成した（図２（ｂ）参照）。

次いで、金属薄膜の表面に、めっきレジストを、導体パターンの反転パターンで形成した（図２（ｃ）参照）。
次いで、めっきレジストから露出する金属薄膜の表面に、厚さ３．０μｍの第１銅層を、電解銅めっき法により、積層した。
次いで、めっきレジストから露出する第１銅層の表面に、厚さ４３．２ｎｍの第１銀層を、無電解銀めっき法により、積層した。

次いで、めっきレジストから露出する第１銀層の表面に、厚さ２．０μｍの第２銅層を、電解銅めっき法により、積層した。
次いで、めっきレジストから露出する第２銅層の表面に、厚さ４２．１ｎｍの第２銀層を、無電解銀めっき法により、積層した。
次いで、めっきレジストから露出する第２銀層の表面に、厚さ３．３μｍの第３銅層を、電解銅めっき法により、積層した。

次いで、めっきレジストをエッチングにより除去した後、第１銅層、第１銀層、第２銅層、第２銀層および第３銅層が積層された積層金属層から露出する金属薄膜を、エッチングにより除去した（図５参照）。
次いで、この積層金属層を、４００℃で、１２０分、窒素雰囲気下で加熱することにより、第１銀層および第２銀層の銀を、第１銅層、第２銅層および第３銅層に拡散させて、銅合金からなる導体パターンを形成した（図１（ｃ）および図２（ｇ）参照）。なお、銅合金に拡散された銀の重量割合は、銅合金に対して１．０２重量％であった。

その後、感光性樹脂のワニスをベース絶縁層の上に塗布して、乾燥後、露光後現像し、硬化させることにより、導体パターンを被覆し、かつ、端子部が露出する開口部が形成されるように、ベース絶縁層の上に厚さ５μｍのカバー絶縁層を形成した（図１（ｄ）参照）。
比較例１
銀層を積層せず、銅層の厚さを８．３μｍに代えた以外は、実施例１と同様の操作により、配線回路基板を得た。

実施例７
厚さ２５μｍのステンレス箔からなる金属支持基板を用意した。
次いで、感光性樹脂のワニスを金属支持基板の上に塗布して、乾燥後、露光後現像し、硬化させることにより、金属支持基板の上に厚さ１０μｍのベース絶縁層を形成した。
次いで、そのベース絶縁層の表面に、種膜となる金属薄膜を、スパッタリング法により、厚さ４０ｎｍのクロム薄膜および厚さ７０ｎｍの銅薄膜を順次形成することにより、形成した。

次いで、金属薄膜の表面に、めっきレジストを、導体パターンの反転パターンで形成した。
次いで、めっきレジストから露出する金属薄膜の表面に、厚さ７０．０ｎｍの銀層を、銀スパッタリング法により、積層した。
次いで、銀層の表面に、厚さ８．１μｍの銅層を、電解銅めっき法により、積層した。

次いで、めっきレジストをエッチングにより除去した後、銀層および銅層が積層された積層金属層から露出する金属薄膜を、エッチングにより除去した。
次いで、この積層金属層を、４００℃で、１２０分、窒素雰囲気下で加熱することにより、銀層の銀を銅層に拡散させて、銅合金からなる導体パターンを形成した。なお、銅合金に拡散された銀の重量割合は、銅合金に対して１．０１重量％であった。

その後、感光性樹脂のワニスをベース絶縁層の上に塗布して、乾燥後、露光後現像し、硬化させることにより、導体パターンを被覆し、かつ、端子部が露出する開口部が形成されるように、ベース絶縁層の上に厚さ５μｍのカバー絶縁層を形成した。
次いで、カバー絶縁層の開口部と同一位置において、金属支持基板をエッチングにより開口し、続いて、その金属支持基板の開口部から露出するベース絶縁層をエッチングにより開口した。これにより、その表面がカバー絶縁層から露出し、その裏面が金属支持基板およびベース絶縁層から露出する、フライングリード構造の端子部を形成した（図６参照）。

比較例２
銀層の厚さを７．０ｎｍに代え、銅層の厚さを７．８μｍに代えた以外は、実施例１と同様の操作により、配線回路基板を得た。なお、銅合金に拡散された銀の重量割合は、銅合金に対して０．０９重量％であった。
（評価）
各実施例および各比較例により得られた配線回路基板の引張り強度を、ＲＳＡＩＩＩ粘弾性測定器により、測定した。その結果を、表１に示す。

なお、表１中、加熱後の銀の重量割合は、加熱により銅合金に拡散された銅合金に対する銀の重量割合を示し、各銀層および各銅層の数値は、その厚さを示す。
表１から分かるように、銅に対して銀が拡散され、その銀が０．５０重量％を超過し３．００重量％以下の銅合金からなる導体パターンを備えた実施例の配線回路基板では、かかる銅合金からなる導体パターンを備えていない比較例の配線回路基板よりも、引張り強度が高いことが確認された。

とりわけ、銀層が銅層に挟まれる、サンドイッチ構造の積層層が形成された実施例３〜６では、より強度が高いことが確認された。
さらに、銅層に挟まれる銀層が２層形成された実施例６では、銅層に挟まれる銀層が１層形成され、銀の重量割合が比較的近い実施例４に比べて、より一層強度が高いことが確認された。

本発明の配線回路基板の一実施形態の製造方法を説明するための製造工程図の幅方向断面であって、（ａ）は、ベース絶縁層を用意する工程、（ｂ）は、ベース絶縁層の上に、銀層および銅層を順次積層する工程、（ｃ）は、銀層および銅層を、加熱することにより、銀が拡散された銅合金からなる導体パターンを形成する工程、（ｄ）は、ベース絶縁層の上に、導体パターンを被覆するように、カバー絶縁層を形成する工程を示す。 図１に示す製造工程図の幅方向断面において、（ｂ）ベース絶縁層の上に、銀層および銅層を順次積層する工程、および、（ｃ）銀層および銅層を、加熱することにより、銀が拡散された銅合金からなる導体パターンを形成する工程、を説明するための工程図であって、（ａ）は、ベース絶縁層を用意する工程、（ｂ）は、ベース絶縁層の全面に金属薄膜を形成する工程、（ｃ）は、金属薄膜の表面にめっきレジストを形成する工程、（ｄ）は、めっきレジストから露出する金属薄膜の表面に、銀層を積層する工程、（ｅ）は、銀層の表面に、銅層を積層する工程、（ｆ）は、めっきレジストおよび金属薄膜を除去する工程、（ｇ）は、銀層および銅層を、加熱することにより、銀が拡散された銅合金からなる導体パターンを形成する工程を示す。 本発明の配線回路基板の他の実施形態の製造途中の幅方向断面であって、ベース絶縁層の上に、銅層および銀層を順次積層する工程（図１（ｂ）に対応する工程）を示す。 本発明の配線回路基板の他の実施形態の製造途中の幅方向断面であって、ベース絶縁層の上に、第１銅層、銀層および第２銅層を順次積層する工程（図１（ｂ）に対応する工程）を示す。 本発明の配線回路基板の他の実施形態の製造途中の幅方向断面であって、ベース絶縁層の上に、第１銅層、第１銀層、第２銅層、第２銀層および第３銅層を順次積層する工程（図１（ｂ）に対応する工程）を示す。 本発明の配線回路基板の他の実施形態の回路付サスペンション基板の端子部における幅方向の断面図である。

符号の説明

１ 配線回路基板
２ ベース絶縁層
３ 導体パターン
７ 銀層
８ 銅層
１０ 第１銅層
１１ 第２銅層
１９ 回路付サスペンション基板

Claims (5)

1. 絶縁層と、
   前記絶縁層の上に形成され、銅に対して銀が拡散され、その銀が０．５０重量％を超過し３．００重量％以下の銅合金からなる導体パターンと
   を備えていることを特徴とする、配線回路基板。
2. 前記導体パターンは、前記絶縁層の上に、銀層および銅層を積層した後、加熱することにより得られることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板。
3. 前記導体パターンは、前記絶縁層の上に、第１銅層、銀層および第２銅層を順次積層した後、加熱することにより得られることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板。
4. 絶縁層を用意する工程と、
   前記絶縁層の上に、銀層および銅層を積層する工程と、
   前記銀層および前記銅層を加熱することにより、銅に対して銀が拡散され、その銀が０．５０重量％を超過し３．００重量％以下の銅合金からなる導体パターンを形成する工程と
   を備えていることを特徴とする、配線回路基板の製造方法。
5. 絶縁層を用意する工程と、
   前記絶縁層の上に、第１銅層、銀層および第２銅層を順次積層する工程と、
   前記第１銅層、前記銀層および前記第２銅層を加熱することにより、銅に対して銀が拡散され、その銀が０．５０重量％を超過し３．００重量％以下の銅合金からなる導体パターンを形成する工程と
   を備えていることを特徴とする、配線回路基板の製造方法。

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