JP5174785B2

JP5174785B2 - 配線回路基板

Info

Publication number: JP5174785B2
Application number: JP2009257440A
Authority: JP
Inventors: 満本上; 真弥井上; 賢介西
Original assignee: Nitto Denko Corp
Current assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 2009-11-10
Filing date: 2009-11-10
Publication date: 2013-04-03
Anticipated expiration: 2029-11-10
Also published as: JP2011103357A

Description

本発明は、配線回路基板に関する。

ハードディスクドライブ装置等のドライブ装置にはアクチュエータが用いられる。このようなアクチュエータは、回転軸に回転可能に設けられるアームと、アームに取り付けられる磁気ヘッド用のサスペンション基板とを備える。サスペンション基板は、磁気ディスクの所望のトラックに磁気ヘッドを位置決めするための配線回路基板である。

サスペンション基板は磁気ヘッドを備え、他の電子回路と接続される。サスペンション基板には配線パターンが形成され、他の電子回路と磁気ヘッドとの間では、配線パターンを介して電気信号が伝送される。

サスペンション基板の配線パターンを介して伝送される電気信号の周波数の増加に伴い、配線パターンにおける伝送損失が増加する。

特許文献１に記載されたヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）は、金属サスペンション上に絶縁体を介してリード導体が形成された構造を有する。このＨＧＡにおいては、金属サスペンションの少なくとも一部が除去されることによりリード導体における電気信号の伝送損失が低減される。

特開２００２−２５１７０６号公報

しかしながら、特許文献１のＨＧＡでは、金属サスペンションの導体損失に起因する電気信号の伝送損失が低減されるのみである。そのため、リード導体における電気信号の伝送損失を十分に低減させることができない。

また、ドライブ装置のアクチュエータの小型化のためには、磁気ヘッド用のサスペンション基板の信号線路対を構成する配線パターン間の間隔を小さくする必要がある。配線パターン間の間隔が小さくなると、電気信号の伝送損失が増加する。

本発明の目的は、伝送線路対を構成する配線パターン間の間隔を小さくしつつ伝送線路対における電気信号の伝送損失を十分に低減させることができる配線回路基板を提供することである。

（１）本発明に係る配線回路基板は、導電性の支持基板と、支持基板上に形成された第１の絶縁層と、第１の絶縁層上に形成された第１および第２の配線パターンにより構成される第１の信号線路対と、第１の絶縁層上に形成された第３および第４の配線パターンにより構成される第２の信号線路対とを備え、第１および第２の配線パターン間の間隔ならびに第３および第４の配線パターン間の間隔が２０μｍ以下であり、第１および第２の配線パターンに重なる支持基板の領域の少なくとも一部ならびに第３および第４の配線パターンに重なる支持基板の領域の少なくとも一部が除去されることにより第１の絶縁層の一部分が露出し、露出した第１の絶縁層の部分の厚さが第１の絶縁層の他の部分の厚さよりも小さいものである。

この配線回路基板においては、導電性の支持基板上に第１の絶縁層が形成され、第１の絶縁層上に第１、第２、第３および第４の配線パターンが形成される。第１および第２の配線パターンは第１の信号線路対を構成し、第３および第４の配線パターンは第２の信号線路対を構成している。また、第１および第２の配線パターンに重なる支持基板の領域の少なくとも一部ならびに第３および第４の配線パターンに重なる支持基板の領域の少なくとも一部が除去されている。それにより、支持基板に起因する第１および第２の配線パターンの導体損失ならびに第３および第４の配線パターンの導体損失が低減される。

また、第１の絶縁層の一部分が露出し、露出した第１の絶縁層の部分の厚さは第１の絶縁層の他の部分の厚さよりも小さい。この場合、露出した第１の絶縁層の部分の実効的な誘電率が低減される。これにより、第１および第２の配線パターンの誘電体による損失ならびに第３および第４の配線パターンの誘電体による損失が低減される。

これらの結果、第１および第２の配線パターン間の間隔ならびに第３および第４の配線パターン間の間隔を２０μｍ以下にしつつ第１および第２の信号線路対における電気信号の伝送損失を十分に低減することができる。

（２）露出した第１の絶縁層の部分の厚さが第１の絶縁層の他の部分の厚さの５０％以下であってもよい。

この場合、露出した第１の絶縁層の部分の実効的な誘電率が十分に低減される。これにより、第１および第２の配線パターンの誘電体による損失ならびに第３および第４の配線パターンの誘電体による損失が十分に低減される。その結果、第１および第２の信号線路対における第１および第２の電気信号の伝送損失をより十分に低減することができる。

（３）支持基板の除去された部分は、第１および第２の配線パターンに沿うように形成されるとともに、第３および第４の配線パターンに沿うように形成されてもよい。この場合、支持基板の一部を除去することによる支持基板の強度の低下を防止しつつ第１および第２の信号線路対における電気信号の伝送損失を十分に低減することができる。

（４）支持基板の除去された部分は、間欠的に形成されてもよい。この場合、支持基板の一部を除去することによる支持基板の強度の低下が十分に防止される。

（５）支持基板の除去された部分内で露出した第１の絶縁層の部分は、矩形の断面を有してもよい。この場合、露出した第１の絶縁層の部分の厚さを十分に小さくすることが可能となり、露出した第１の絶縁層の部分の厚さが均一になる。それにより、第１および第２の配線パターンの誘電体による損失ならびに第３および第４の配線パターンの誘電体による損失を十分に低減することができる。

（６）配線回路基板は、第１および第２の信号線路対を覆うように第１の絶縁層上に形成された第２の絶縁層をさらに備えてもよい。この場合、第１および第２の信号線路対の耐食性を確保しつつ第１および第２の信号線路対における電気信号の伝送損失を十分に低減することができる。

本発明によれば、配線回路基板の第１および第２の信号線路対における電気信号の伝送損失を十分に低減することができる。

本発明の一実施の形態に係るサスペンション基板の上面図である。図１のサスペンション基板１のＡ−Ａ線断面図である。図１のサスペンション基板の製造工程を示す模式的工程断面図である。図１のサスペンション基板の製造工程を示す模式的工程断面図である。図１のサスペンション基板の製造工程を示す模式的工程断面図である。（ａ）は実施例１〜７および比較例１，２のサスペンション基板の模式的平面図であり、（ｂ）は（ａ）のサスペンション基板のＢ−Ｂ線断面図であり、（ｃ）は（ｂ）のサスペンション基板のＣ−Ｃ線断面図であり、（ｄ）は（ｂ）のサスペンション基板のＤ−Ｄ線断面図である。

以下、本発明の実施の形態に係る配線回路基板およびその製造方法について図面を参照しながら説明する。以下、本発明の実施の形態に係る配線回路基板の例として、ハードディスクドライブ装置のアクチュエータに用いられる回路付きサスペンション基板（以下、サスペンション基板と略記する。）の構造およびその作製方法について説明する。

（１）サスペンション基板の構造
図１は、本発明の一実施の形態に係るサスペンション基板の上面図である。図１に示すように、サスペンション基板１は、金属製の長尺状基板により形成されるサスペンション本体部１０を備える。サスペンション本体部１０上には、太い点線で示すように、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２が形成されている。

サスペンション本体部１０の先端部には、Ｕ字状の開口部１１を形成することにより磁気ヘッド搭載部（以下、タング部と呼ぶ）１２が設けられている。タング部１２は、サスペンション本体部１０に対して所定の角度をなすように破線Ｒの箇所で折り曲げ加工される。タング部１２の端部には４つの電極パッド２１，２２，２３，２４が形成されている。

サスペンション本体部１０の他端部には４つの電極パッド３１，３２，３３，３４が形成されている。タング部１２上の電極パッド２１，２２とサスペンション本体部１０の他端部の電極パッド３１，３２とは、それぞれ書込用配線パターンＷ１，Ｗ２により電気的に接続されている。また、タング部１２上の電極パッド２３，２４とサスペンション本体部１０の他端部の電極パッド３３，３４とは、それぞれ読取用配線パターンＲ１，Ｒ２により電気的に接続されている。さらに、サスペンション本体部１０には複数の孔部Ｈが形成されている。

サスペンション基板１を備える図示しないハードディスク装置においては、磁気ディスクに対する情報の書込み時に一対の書込用配線パターンＷ１，Ｗ２に電流が流れる。また、磁気ディスクに対する情報の読取り時に一対の読取用配線パターンＲ１，Ｒ２に電流が流れる。

次に、サスペンション基板１の書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２ならびにその周辺部分について詳細に説明する。図２は、図１のサスペンション基板１のＡ−Ａ線断面図である。

図２に示すように、厚さｔ１のサスペンション本体部１０上に絶縁層４１が形成されている。絶縁層４１上に書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２が間隔をおいて平行に形成されている。

本実施の形態では、書込用配線パターンＷ１と書込用配線パターンＷ２とが一対の信号線路対を構成する。また、読取用配線パターンＲ１と読取用配線パターンＲ２とが一対の信号線路対を構成する。

書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２の幅はそれぞれｗであり、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２の厚さはそれぞれｔ４である。また、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２間の間隔および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２間の間隔はそれぞれｄである。

書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２を覆うように、絶縁層４１上に厚さｔ５の被覆層４３が形成されている。

書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２に重なるサスペンション本体部１０の領域の一部が除去されている。これにより、サスペンション本体部１０には、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２に沿って複数の開口部１０ｈが形成される。書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２の各々に重なるサスペンション本体部１０の領域（以下、重複領域と呼ぶ。）全体の面積をＡとし、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２の各々に重なるバッテリセル１０の領域のうち開口部１０ｈが存在しない部分（以下、残存部分と呼ぶ。）の面積をＢとする。この場合、重複領域の面積Ａに対する残存部分の面積Ｂの割合は２％以上５０％以下であることが好ましい。

開口部１０ｈ内で絶縁層４１の一部が露出する。ここで、絶縁層４１の開口部１０ｈ内で露出しない絶縁層４１の部分を絶縁層非露出部４１ａと呼ぶ。また、絶縁層４１の開口部１０ｈ内で露出する絶縁層４１の部分を絶縁層露出部４１ｂと呼ぶ。絶縁層非露出部４１ａの下面は、所定の厚さ分除去されている。それにより、絶縁層非露出部４１ａの厚さｔ２は、絶縁層露出部４１ｂの厚さｔ３よりも小さい。絶縁層露出部４１ｂの厚さｔ３は絶縁層非露出部４１ａの厚さｔ２の５０％以下に設定されることが好ましい。

（２）サスペンション基板の製造
図１のサスペンション基板１の製造工程について説明する。図３、図４および図５は、図１のサスペンション基板１の製造工程を示す模式的工程断面図である。

まず、図３（ａ）に示すように、ステンレス鋼からなるサスペンション本体部１０上に、感光性ポリイミド樹脂前駆体４１ｐを塗布する。サスペンション本体部１０の厚さｔ１は例えば１０μｍ以上５０μｍ以下である。次に、図３（ｂ）に示すように、露光機において所定のマスクを介してサスペンション本体部１０上の感光性ポリイミド樹脂前駆体４１ｐに２００ｍＪ／ｃｍ^２以上７００ｍＪ／ｃｍ^２以下の紫外線を照射する。これにより、ポリイミドからなる絶縁層４１が形成される。絶縁層４１の厚さｔ２は例えば８μｍ以上１５μｍ以下である。

その後、図３（ｃ）に示すように、サスペンション本体部１０上および絶縁層４１上に、クロムおよび銅の連続的なスパッタリングにより、例えば厚さ１００Å以上６００Å以下のクロム膜１７および例えば厚さ５００Å以上２０００Å以下で０．６Ω／□以下のシート抵抗を有する銅めっきベース１３を順に形成する。

次に、図３（ｄ）に示すように、銅めっきベース１３上に、所定のパターンを有するめっき用のレジスト１４を形成する。そして、図３（ｅ）に示すように、レジスト１４のパターンに、銅の電解めっきにより銅めっき層１５を形成する。

次いで、図４（ｆ）に示すように、レジスト１４を除去した後、アルカリ性処理液により銅めっきベース１３の露出した部分をエッチングにより除去する。さらに、図４（ｇ）に示すように、アルカリ性処理液（フェリシアン化カリウム液）によりクロム膜１７の露出した部分をエッチングにより除去する。ここで、絶縁層４１上に残存するクロム膜１７、銅めっきベース１３および銅めっき層１５により書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２が形成される。

書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２の厚さｔ４は例えば６μｍ以上１８μｍ以下である。本実施の形態では、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２の厚さｔ４は約１０μｍである。また、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２の幅ｗは例えば８μｍ以上５０μｍ以下である。さらに、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２間の間隔ｄおよび読取用配線パターンＲ１，Ｒ２間の間隔ｄはそれぞれ８μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましい。

次に、ニッケルの無電解めっきによりサスペンション本体部１０上ならびに書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２上に、例えば厚さ０．０５μｍ以上０．１μｍ以下の図示しないニッケル膜を形成する。このニッケル膜は、銅めっき層１５と後の工程で形成される被覆層４３との密着性を向上させるためおよび銅のマイグレーションを防止するために設けられる。

次いで、図４（ｈ）に示すように、ニッケル膜上および絶縁層４１上に感光性ポリイミド樹脂前駆体を塗布し、露光処理、加熱処理、現像処理および加熱硬化処理を順に行うことにより、絶縁層４１上およびニッケル膜上にポリイミドからなる被覆層４３を形成する。被覆層４３の厚さｔ５は例えば２μｍ以上１０μｍ以下である。

その後、図５（ｉ）に示すように、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２に重なるサスペンション本体部１０の領域の一部に開口パターンを有するフォトレジスト１８を形成する。

そして、図５（ｊ）に示すように、塩化第二鉄溶液および塩化第二銅溶液を用いてサスペンション本体部１０をエッチングすることにより、サスペンション本体部１０に開口部１０ｈを形成した後、フォトレジスト１８を除去する。これにより、サスペンション本体部１０の一部が開口部１０ｈ内で露出する。

次に、図５（ｋ）に示すように、開口部１０ｈ内で露出する絶縁層４１の部分をエッチングまたはレーザ照射等により所定厚さ分除去する。それにより、厚さｔ２の絶縁層非露出部４１ａおよび厚さｔ３の絶縁層露出部４１ｂが形成される。絶縁層露出部４１ｂの厚さｔ３は１μｍ以上６μｍ以下である。最後に、水洗を行う。このようにして、図１および図２に示したサスペンション基板１が製造される。

（３）効果
上記実施の形態に係るサスペンション基板１においては、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２に重なるサスペンション本体部１０に開口部１０ｈが形成されている。それにより、サスペンション本体部１０に起因する書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２の導体損失が低減される。

また、絶縁層露出部４１ｂの厚さｔ３は絶縁層非露出部４１ａの厚さｔ２よりも小さい。この場合、絶縁層露出部４１ｂの実効的な誘電率が低減される。これにより、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２の誘電体による損失が低減される。

これらの結果、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２をそれぞれ２０μｍ以下にしつつ信号線路対における電気信号の伝送損失を十分に低減することができる。

また、上記のように、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２間の間隔ｄおよび読取用配線パターンＲ１，Ｒ２間の間隔ｄはそれぞれ８μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましい。書込用配線パターンＷ１，Ｗ２間の間隔ｄおよび読取用配線パターンＲ１，Ｒ２間の間隔ｄをそれぞれ８μｍ以上にすることにより、信号線路対における電気信号の伝送損失をより十分に低減することができる。一方、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２間の間隔ｄおよび読取用配線パターンＲ１，Ｒ２間の間隔ｄをそれぞれ２０μｍ以下にすることにより、サスペンション基板１を十分に小型化することができる。

さらに、上記のように、絶縁層露出部４１ｂの厚さｔ３が絶縁層非露出部４１ａの厚さｔ２の５０％以下であることが好ましい。この場合、絶縁層露出部４１ｂの実効的な誘電率が十分に低減される。これにより、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２の誘電体による損失が十分に低減される。その結果、信号線路対における電気信号の伝送損失をより十分に低減することができる。

本実施の形態では、サスペンション本体部１０の開口部１０ｈは、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２に沿うようにかつ間欠的に形成されている。

本実施の形態では、サスペンション本体部１０の重複領域の面積Ａに対する残存部分の面積Ｂの割合は２％以上５０％以下に設定される。これにより、サスペンション本体部１０の一部を除去することによるサスペンション本体部１０の強度の低下を十分に防止しつつ信号線路対における電気信号の伝送損失を十分に低減することができる。

また、本実施の形態では、サスペンション本体部１０の絶縁層露出部４１ｂは、矩形の断面を有してもよい。この場合、絶縁層露出部４１ｂの厚さを十分に小さくすることが可能となり、絶縁層露出部４１ｂの厚さｔ３が均一になる。それにより、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２の誘電体による損失を十分に低減することができる。

（４）他の実施の形態
サスペンション基板１の絶縁層４１および被覆層４３の材料として、ポリイミドに代えてエポキシ等の他の絶縁材料を用いてもよく、および金属層２４の材料として、銅に代えて金（Ａｕ）、アルミニウム等の他の金属、または銅合金、アルミニウム合金等の合金を用いてもよい。

上記実施の形態では、開口部１０ｈが書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２と重なる領域だけでなく、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２間の領域および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２間の領域と重なる領域にも形成されているが、開口部１０ｈが書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２と重なる領域のみに形成されてもよい。また、開口部１０ｈの幅が書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の外側の側面間の幅および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２の外側の側面間の幅よりも大きくてもよい。

また、上記実施の形態において、サスペンション基板１は信号線路対を覆うように絶縁層４１上に形成された被覆層４３を備えるが、サスペンション基板１上の少なくとも一部の領域に被覆層４３が形成されなくてもよい。

（５）請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。

上記実施の形態においては、サスペンション本体部１０が支持基板の例であり、絶縁層４１が第１の絶縁層の例であり、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２がそれぞれ第１および第２の配線パターンの例であり、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２がそれぞれ第３および第４の配線パターンの例である。絶縁層露出部４１ｂが露出した第１の絶縁層の部分の例であり、絶縁層非露出部４１ａが第１の絶縁層の他の部分の例であり、サスペンション基板１が配線回路基板の例であり、被覆層４３が第２の絶縁層の例である。

請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。

（６）実施例
（６−１）実施例および比較例のサスペンション基板
以下の実施例１〜７および比較例１，２では、図６に示すサスペンション基板１ａにおける差動信号の伝送損失をシミュレーションにより求めた。図６（ａ）は実施例１〜７および比較例１，２のサスペンション基板１ａの模式的平面図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）のサスペンション基板１ａのＢ−Ｂ線断面図であり、図６（ｃ）は図６（ｂ）のサスペンション基板１ａのＣ−Ｃ線断面図であり、図６（ｄ）は図６（ｂ）のサスペンション基板１ａのＤ−Ｄ線断面図である。

図６（ａ）〜図６（ｄ）に示すように、実施例１〜７および比較例１，２のサスペンション基板１ａにおいては、ステンレス鋼からなる厚さｔ１のサスペンション本体部１０上に、ポリイミドからなる絶縁層４１が形成される。絶縁層４１上に２本の配線パターンＰ１，Ｐ２が平行に形成される。配線パターンＰ１と配線パターンＰ２とは、一対の信号線路対を構成する。配線パターンＰ１，Ｐ２の幅はそれぞれｗであり、配線パターンＰ１，Ｐ２の厚さはｔ４である。また、配線パターンＰ１，Ｐ２間の間隔はｄである。

配線パターンＰ１，Ｐ２を覆うように、絶縁層４１上にポリイミドからなる厚さｔ５の被覆層４３が形成されている。なお、図６（ａ）では、被覆層４３の図示は省略されている。

配線パターンＰ１，Ｐ２に重なるサスペンション本体部１０の一部が除去される。これにより、サスペンション本体部１０には、配線パターンＰ１，Ｐ２に沿って複数の開口部１０ｈが形成される。

開口部１０ｈ内で露出する絶縁層４１の部分が所定厚さ分除去される。それにより、厚さｔ２の絶縁層非露出部４１ａおよび厚さｔ３の絶縁層露出部４１ｂが形成される。

（６−２）信号線路対における差動信号の伝送損失に関して
実施例１〜７および比較例１，２では、配線パターンＰ１，Ｐ２間の間隔ｄおよび絶縁層露出部４１ｂの厚さｔ３を調整し、配線パターンＰ１，Ｐ２における差動信号の伝送損失をそれぞれ求めた。

実施例１〜７および比較例１，２においては、配線パターンＰ１，Ｐ２の幅ｗは２０μｍ、サスペンション本体部１０の厚さｔ１は２０μｍ、絶縁層非露出部４１ａの厚さｔ２は１０μｍ、配線パターンＰ１，Ｐ２の厚さｔ４は１０μｍ、および被覆層４３の厚さｔ５は３μｍに設定された。

実施例１のサスペンション基板１ａにおいては、配線パターンＰ１，Ｐ２間の間隔ｄが１５μｍであり、絶縁層露出部４１ｂの厚さｔ３が２μｍである。実施例２のサスペンション基板１ａにおいては、配線パターンＰ１，Ｐ２間の間隔ｄが１５μｍであり、絶縁層露出部４１ｂの厚さｔ３が３μｍである。実施例３のサスペンション基板１ａにおいては、配線パターンＰ１，Ｐ２間の間隔ｄが１５μｍであり、絶縁層露出部４１ｂの厚さｔ３が５μｍである。実施例４のサスペンション基板１ａにおいては、配線パターンＰ１，Ｐ２間の間隔ｄが１５μｍであり、絶縁層露出部４１ｂの厚さｔ３が７μｍである。

比較例１のサスペンション基板１ａにおいては、配線パターンＰ１，Ｐ２間の間隔ｄが１５μｍであり、絶縁層露出部４１ｂの厚さｔ３が１０μｍである。すなわち、比較例１のサスペンション基板１ａでは、絶縁層非露出部４１ａの厚さｔ２と絶縁層露出部４１ｂの厚さｔ３とが等しい。

実施例５のサスペンション基板１ａにおいては、配線パターンＰ１，Ｐ２間の間隔ｄが２０μｍであり、絶縁層露出部４１ｂの厚さｔ３が２μｍである。実施例６のサスペンション基板１ａにおいては、配線パターンＰ１，Ｐ２間の間隔ｄが２０μｍであり、絶縁層露出部４１ｂの厚さｔ３が３μｍである。実施例７のサスペンション基板１ａにおいては、配線パターンＰ１，Ｐ２間の間隔ｄが２０μｍであり、絶縁層露出部４１ｂの厚さｔ３が５μｍである。

比較例２のサスペンション基板１ａにおいては、配線パターンＰ１，Ｐ２間の間隔ｄが２０μｍであり、絶縁層露出部４１ｂの厚さｔ３が１０μｍである。すなわち、比較例２のサスペンション基板１ａでは、絶縁層非露出部４１ａの厚さｔ２と絶縁層露出部４１ｂの厚さｔ３とが等しい。

実施例１〜７および比較例１，２のサスペンション基板１ａの配線パターンＰ１，Ｐ２において、差動信号が伝送損失により３ｄＢ減衰する周波数を求め、０Ｈｚから求めた周波数までを帯域幅とした。また、絶縁層露出部４１ｂの厚さｔ３が絶縁層非露出部４１ａの厚さｔ２と等しい場合（比較例１，２）の帯域幅からの増加を求めた。その結果を表１に示す。

表１に示すように、実施例１〜４のサスペンション基板１ａにおける配線パターンＰ１，Ｐ２の帯域幅はそれぞれ１０．９ＧＨｚ、１０．２ＧＨｚ、９．６ＧＨｚおよび９．２ＧＨｚであった。また、比較例１のサスペンション基板１ａにおける配線パターンＰ１，Ｐ２の帯域幅は８．８ＧＨｚであった。

これにより、絶縁層露出部４１ｂの厚さｔ３を絶縁層非露出部４１ａの厚さｔ２よりも小さくすることにより、帯域幅が増加することがわかる。特に、絶縁層露出部４１ｂの厚さｔ３を絶縁層非露出部４１ａの厚さｔ２（１０μｍ）の５０％以下にすることにより、帯域幅が０．８ＧＨｚ以上増加することがわかる。

一方、実施例５〜７のサスペンション基板１ａにおける配線パターンＰ１，Ｐ２の帯域幅はそれぞれ１４．８ＧＨｚ、１４．０ＧＨｚおよび１３．４ＧＨｚであった。また、比較例２のサスペンション基板１ａにおける配線パターンＰ１，Ｐ２の帯域幅は１２．５ＧＨｚであった。

これにより、絶縁層露出部４１ｂの厚さｔ３を絶縁層非露出部４１ａの厚さｔ２よりも小さくすることにより、帯域幅が増加することがわかる。特に、絶縁層露出部４１ｂの厚さｔ３を絶縁層非露出部４１ａの厚さｔ２（１０μｍ）の５０％以下にすることにより、帯域幅が０．９ＧＨｚ以上増加することがわかる。

上記の結果から、絶縁層露出部４１ｂの厚さｔ３を絶縁層非露出部４１ａの厚さｔ２のよりも小さくすることにより、帯域幅が増加する。そのため、信号線路対における差動信号の伝送損失が低減されたことが確認できる。

従来のサスペンション基板では、伝送線路対を構成する配線パターン間の間隔を小さくすると、配線パターン間の近接効果の増加により、信号線路対における差動信号の伝送損失を低減させることは困難であった。これに対して、図６のサスペンション基板１ａの構成によれば、実施例１〜４および実施例５〜７の結果から、配線パターンＰ１，Ｐ２間の間隔を２０μｍ以下に設定した場合においても、絶縁層露出部４１ｂの厚さｔ３を小さくすることにより、伝送線路対における差動信号の伝送損失を低減させることができることがわかる。

本発明は、磁気ディスク等の記録媒体を備えた種々の電気機器に有効に利用することができる。

１，１ａサスペンション基板
１０サスペンション本体部
１０ｈ，１１開口部
１２タング部
１３銅めっきベース
１４レジスト
１５銅めっき層
１７クロム膜
１８フォトレジスト
２１〜２４，３１〜３４電極パッド
４１絶縁層
４３被覆層
Ｈ孔部
Ｐ１，Ｐ２配線パターン
Ｒ１，Ｒ２読取用配線パターン
Ｗ１，Ｗ２書込用配線パターン

Claims

導電性の支持基板と、
前記支持基板上に形成された第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に形成された第１および第２の配線パターンにより構成される第１の信号線路対と、
前記第１の絶縁層上に形成された第３および第４の配線パターンにより構成される第２の信号線路対とを備え、
前記第１および第２の配線パターン間の間隔ならびに前記第３および第４の配線パターン間の間隔が２０μｍ以下であり、
前記第１および第２の配線パターンに重なる前記支持基板の領域の少なくとも一部ならびに前記第３および第４の配線パターンに重なる前記支持基板の領域の少なくとも一部が除去されることにより前記第１の絶縁層の一部分が露出し、露出した前記第１の絶縁層の部分の厚さが前記第１の絶縁層の他の部分の厚さよりも小さいことを特徴とする配線回路基板。
露出した前記第１の絶縁層の部分の厚さが前記第１の絶縁層の他の部分の厚さの５０％以下であることを特徴とする請求項１記載の配線回路基板。
前記支持基板の除去された部分は、前記第１および第２の配線パターンに沿うように形成されるとともに、前記第３および第４の配線パターンに沿うように形成されたことを特徴とする請求項１または２記載の配線回路基板。
前記支持基板の除去された部分は、間欠的に形成されたことを特徴とする請求項３記載の配線回路基板。
前記支持基板の除去された部分内で露出した前記第１の絶縁層の部分は、矩形の断面を有することを特徴とする請求項４記載の配線回路基板。
前記第１および第２の信号線路対を覆うように前記第１の絶縁層上に形成された第２の絶縁層をさらに備えることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の配線回路基板。