JP2009054793A - 配線回路基板の接続構造 - Google Patents

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Abstract

【課題】簡易な構成により、第1端子部と第2端子部との接続信頼性を向上させることのできる、配線回路基板の接続構造を提供すること。
【解決手段】外部側端子部6を湾曲状に180度折り返し、各外部側端子部6を各接続端子部25の後端部に当接させて、はんだボール31を、各外部側端子部6の表面と、各接続端子部25の後端部の上面との両方に接触するように設けることにより、回路付サスペンション基板1の外部側接続端子部6と外部配線回路基板21の接続端子部25とを電気的に接続させる。
【選択図】図1

Description

本発明は、配線回路基板の接続構造に関する。
電子・電気機器などに用いられる配線回路基板には、通常、外部端子と接続するための端子部が形成されている。
近年、このような端子部として、電子・電気機器の高密度化および小型化、より具体的には、ファインピッチ化された外部端子に対応すべく、導体パターンの片面だけではなく、その導体パターンの両面に形成される、いわゆるフライングリードが普及しつつある。
例えば、ハードディスクドライブに用いられる回路付サスペンション基板などにおいては、端子部をフライングリードとして形成することが知られており、このような端子部は、例えば、ボンディングツールなどを用いて、超音波振動を加えることにより、外部端子と接続される(例えば、特許文献1参照。)。
特開2001−209918号公報
しかし、フライングリードとして形成される端子部では、機械的強度が弱いため、外部端子との接続信頼性を十分に図ることが困難な場合がある。
さらに、端子部と外部端子とを、溶融金属、例えば、はんだボールなどを用いて接続する場合においては、端子部と外部端子とが重なり合って視認性が低下し、そのため、これらの接続部の位置合わせが困難となる結果、接続信頼性が低下する場合がある。
本発明の目的は、簡易な構成により、第1端子部と第2端子部との接続信頼性を向上させることのできる、配線回路基板の接続構造を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明の配線回路基板の接続構造は、第1配線回路基板と第2配線回路基板とが接続される配線回路基板の接続構造において、前記第1配線回路基板は、金属支持層と、前記金属支持層の上に形成される第1絶縁層と、前記第1絶縁層の上に形成され、第1端子部を有する第1導体パターンとを備え、前記金属支持層は、前記第1端子部と厚み方向において対向しないように、配置され、前記第1端子部および前記第1端子部と厚み方向において対向する前記第1絶縁層は、湾曲状に折り返されており、前記第2配線回路基板は、第2絶縁層と、前記第2絶縁層の上に形成され、第2端子部を有する第2導体パターンとを備え、前記第1端子部と前記第2端子部とが電気的に接続されていることを特徴としている。
この配線回路基板の接続構造は、第1端子部が湾曲状に折り返されているので、かかる第1端子部と第2端子部との接続における良好な視認性を確保することができる。
また、この配線回路基板の接続構造は、第1導体パターンが第1絶縁層に支持されているので、第1導体パターンの機械強度を補強することができる。
また、第1端子部は、金属支持層に支持されないので、第1端子部の湾曲形状を確実に確保することができる。
さらに、この配線回路基板の接続構造では、たとえ、湾曲状に折り返されている第1端子部に復元力が作用した場合でも、かかる復元力は、第1端子部が第2端子部を圧接する方向に移動するように作用する。そのため、そのような場合でも、第1端子部と第2端子部との接続信頼性を向上させることができる。
その結果、本発明の配線回路基板の接続構造は、第1端子部と第2端子部との接続信頼性を向上させることができる。
また、本発明の配線回路基板の接続構造では、前記第1端子部と前記第2端子部とが溶融金属を介して接続されていることが好適である。
そして、本発明の配線回路基板の接続構造は、接続信頼性が高いため、回路付サスペンション基板として好適に用いることができる。
本発明の配線回路基板の接続構造は、第1端子部と第2端子部との接続信頼性を向上させることができる。
図1は、本発明の配線回路基板の接続構造の一実施形態の要部拡大図であって、(a)は、平面図、(b)は、長手方向(後述する回路付サスペンション基板の延びる方向。以下同じ。)に沿う断面図である。図2は、回路付サスペンション基板の要部拡大図であって、(a)は、平面図、(b)は、底面図、(c)は、長手方向に沿う断面図であり、図3は、図2に示す回路付サスペンション基板の製造方法の工程図であり、図4は、外部配線回路基板の要部拡大図であって、(a)は、平面図、(b)は、外部配線回路基板の長手方向に沿う断面図である。
図1において、この配線回路基板の接続構造では、第1配線回路基板としての回路付サスペンション基板1と第2配線回路基板としての外部配線回路基板21とが電気的に接続されている。
回路付サスペンション基板1は、ハードディスクドライブの磁気ヘッド(図示せず)が実装される金属支持層2に、磁気ヘッドと外部配線回路基板21とを接続するための第1導体パターン4が一体的に形成されている。
金属支持層2は、図2に示すように、回路付サスペンション基板1の長手方向に延びるように形成されている。
第1導体パターン4は、回路付サスペンション基板1の前端部(長手方向一端部)に配置され、外部配線回路基板21(図1参照)と接続される第1端子部としての外部側端子部6と、回路付サスペンション基板1の後端部(長手方向他端部)に配置され、磁気ヘッドと接続される図示しない磁気ヘッド側端子部と、外部側端子部6および磁気ヘッド側端子部の間において、それらを互いに接続するための複数(11本)の第1配線7とを一体的に備えている。
外部側端子部6は、回路付サスペンション基板1の前端部において、複数(11本)の配線7に対応して、幅方向(回路付サスペンション基板1の長手方向に直交する方向、以下同じ。)に互いに間隔を隔てて複数(11本)並列配置されている。
図示しない磁気ヘッド側端子部は、回路付サスペンション基板1の後端部において、複数(11本)の第1配線7に対応して、互いに幅方向において間隔を隔てて複数(11本)並列配置されている。
各第1配線7は、長手方向に沿って設けられ、それらは幅方向に互いに間隔を隔てて並列配置されている。各第1配線7は、前端部において各外部側端子部6と、後端部において図示しない各磁気ヘッド側端子部と、それぞれ連続するように形成されている。
そして、この回路付サスペンション基板1は、金属支持層2と、金属支持層2の上に形成される第1絶縁層としての第1ベース絶縁層3と、第1ベース絶縁層3の上に形成される第1導体パターン4と、第1ベース絶縁層3の上に、第1導体パターン4を被覆するように形成される第1カバー絶縁層5とを備えている。
金属支持層2は、長手方向に沿って延びる底面視略矩形状に形成されており、金属箔や金属薄板から形成されている。
また、金属支持層2には、外部側端子部6と厚み方向において対向しないように、配置されている。つまり、金属支持層2には、金属支持層2を厚み方向に開口することにより形成される支持側スリット8が形成されており、この支持側スリット8は、外部側端子部6と厚み方向において対向している。
具体的には、支持側スリット8は、第1導体パターン4を横切るように、幅方向に沿って形成されている。具体的には、支持側スリット8は、長手方向に延びる金属支持層2を分断するように、金属支持層2の幅方向一端部から幅方向他端部までの幅方向すべてにわたって形成されている。これによって、支持側スリット8は、すべての外部側端子部6を含むように形成されている。また、支持側スリット8は、幅方向にわたって同一幅(長手方向長さ)で形成されている。
これにより、金属支持層2は、支持側スリット8の後方に配置され、底面視略矩形状の本体支持部10と、支持側スリット8の前方に配置され、底面視略矩形状の前支持部11とを独立して備えるように設けられている。
支持側スリット8の幅(長手方向長さ)L1は、例えば、0.5〜5mm、好ましくは、1〜3mmであり、前支持部11の幅(長手方向長さ)L2は、例えば、100〜500μm、好ましくは、200〜400μmである。また、前支持部11の長さ(幅方向長さ)L3は、例えば、0.1〜3.0mm、好ましくは、0.2〜2.6mmである。
金属支持層2は、例えば、ステンレス、42アロイ、銅、銅合金などから形成されており、好ましくは、ステンレスから形成されている。また、金属支持層2の厚みは、例えば、5〜50μm、好ましくは、10〜30μmである。
第1ベース絶縁層3は、金属支持層2の表面において、回路付サスペンション基板1の外形形状に対応するように、長手方向に延びる平面視略矩形状に形成されている。
第1ベース絶縁層3は、例えば、ポリイミド、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニルなどの樹脂材料から形成されており、好ましくは、ポリイミドから形成されている。また、第1ベース絶縁層3の厚みは、例えば、3〜20μm、好ましくは、5〜15μmである。
第1導体パターン4は、第1ベース絶縁層3の表面に形成されており、上記したように、複数の第1配線7と、各第1配線7に接続される外部側端子部6(および図示しない磁気ヘッド側端子部)とを一体的に備える配線回路パターンとして形成されている。
第1導体パターン4は、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはそれらの合金などの金属材料から形成されている。好ましくは、銅から形成されている。また、第1導体パターン4の厚みは、例えば、3〜16μm、好ましくは、6〜13μmである。
各第1配線7および外部側端子部6の幅(幅方向長さ)は、例えば、5〜100μm、好ましくは、10〜80μmである。各第1配線7間の間隔(幅方向間隔)および各第1端子部7の間隔は、例えば、例えば、5〜150μm、好ましくは、10〜140μmである。
第1カバー絶縁層5は、第1ベース絶縁層3の表面に、各第1配線7を被覆し、外部側端子部6(および図示しない磁気ヘッド側端子部)を露出するように、形成されている。すなわち、第1カバー絶縁層5には、外部側端子部6を露出する開口が、カバー側スリット9として形成されている。このカバー側スリット9は、平面視において支持側スリット8と同一位置に形成されている。
このカバー側スリット9により、第1カバー絶縁層5は、カバー側スリット9の後方に配置され、平面視略矩形状の本体カバー部12と、カバー側スリット9の前方に配置され、平面視略矩形状の前カバー部13とを独立して備えるように設けられている。
第1カバー絶縁層5は、第1ベース絶縁層3で例示した樹脂材料から形成され、好ましくは、ポリイミドから形成されている。また、第1カバー絶縁層5の厚みは、例えば、2〜20μm、好ましくは、4〜17μmである。
次に、この回路付サスペンション基板1を製造する方法について、図3を参照して、説明する。
この方法では、まず、図3(a)に示すように、金属支持層2を用意する。
次いで、図3(b)に示すように、その金属支持層2の表面に、第1ベース絶縁層3を、上記したパターンで形成する。
第1ベース絶縁層3を形成するには、例えば、樹脂溶液を金属支持層2の表面に塗布し、乾燥後に加熱硬化させる。
樹脂溶液は、上記した樹脂を、有機溶媒などに溶解して調製する。樹脂溶液としては、例えば、ポリイミドの前駆体であるポリアミック酸樹脂溶液(ワニス)などが用いられる。
また、樹脂溶液の塗布は、ドクターブレード法、スピンコート法などの公知の塗布方法が用いられる。そして、適宜加熱により乾燥させた後、例えば、250℃以上で加熱硬化させることにより、金属支持層2の表面に、第1ベース絶縁層3が、上記したパターンで形成される。
なお、樹脂溶液に感光剤を配合して、樹脂溶液の塗布後に、露光および現像することにより、上記したパターンとして、第1ベース絶縁層3を形成することができる。
また、第1ベース絶縁層3は、予め上記したパターンに形成した樹脂フィルムを、必要より接着剤を介して金属支持層2に貼着することにより、形成することもできる。
次いで、この方法では、図3(c)に示すように、第1ベース絶縁層3の表面に、第1導体パターン4を上記した配線回路パターンで形成する。第1導体パターン4は、例えば、サブトラクティブ法、アディティブ法などの公知のパターンニング法によって形成する。これらのパターンニング法のうちでは、第1導体パターン4をファインピッチで形成できる観点から、好ましくは、アディティブ法が用いられる。
すなわち、アディティブ法では、まず、第1ベース絶縁層3の表面に、例えば、真空蒸着法やスパッタ蒸着法などにより、金属薄膜、例えば、銅薄膜やクロム薄膜を形成する(図示せず)。次いで、金属薄膜の上に、第1導体パターン4の逆パターンで、めっきレジストを形成し、めっきレジストから露出する金属薄膜の上に、電解めっきにより、第1導体パターン4を形成する。その後、めっきレジストおよびめっきレジストが形成されている部分の金属薄膜をエッチングまたは剥離によって除去する。
これによって、第1導体パターン4が、上記した配線回路パターンで形成される。
この方法では、次いで、図3(d)に示すように、第1カバー絶縁層5を、各第1配線7を被覆し、かつ、外部側端子部6(および図示しない磁気ヘッド側端子部)を露出するように、形成する。
第1カバー絶縁層5を形成するには、第1ベース絶縁層3の形成と同様に、例えば、樹脂溶液、好ましくは、ポリアミック酸樹脂溶液を第1ベース絶縁層3の表面に塗布し、乾燥後に加熱硬化させる。その後、エッチングやレーザ加工などにより開口して、カバー側スリット9を形成する。
また、樹脂溶液に感光剤を配合して、樹脂溶液の塗布後に、露光および現像すれば、第1ベース絶縁層3の形成と同様に、上記したパターンとして、第1カバー絶縁層5を形成することができる。
また、第1カバー絶縁層5は、予め上記したパターンに形成した樹脂フィルムを、必要より接着剤を介して第1ベース絶縁層3の表面に貼着することにより、形成することもできる。
これにより、本体カバー部12および前カバー部13を備え、外部側端子部6を露出するカバー側スリット9が形成された第1カバー絶縁層5を形成する。
その後、この方法では、図3(e)に示すように、支持側スリット8を形成する。
支持側スリット8を形成するには、例えば、エッチング(例えば、ウエットエッチング)、レーザ加工など、好ましくは、ウエットエッチングにより開口する。
ウエットエッチングするには、まず、支持側スリット8が形成される部分以外の金属支持層2をエッチングレジストによって被覆した後、次いで、エッチングレジストから露出する金属支持層2を、塩化第二鉄溶液などの公知のエッチング溶液を用いて、除去する。その後、エッチングレジストを除去する。
その後、図示しないが、第1カバー絶縁層5から露出する外部側端子部6および図示しない磁気ヘッド側端子部に、必要により、金属めっき層を形成することにより、回路付サスペンション基板1を得る。金属めっき層は、例えば、電解めっき(例えば、電解金めっき、電解ニッケルめっき)により形成する。
図1および図4において、外部配線回路基板21は、回路付サスペンション基板1と電気的に接続される中継フレキシブル基板や、制御フレキシブル基板である。この外部配線回路基板21は、第2絶縁層としての第2ベース絶縁層22と、第2ベース絶縁層22の上に形成される第2導体パターン23と、第1ベース絶縁層3の上に、第2導体パターン23を被覆するように形成される第2カバー絶縁層24とを備えている。
第2ベース絶縁層22は、第1ベース絶縁層3より幅広で、長手方向に沿って延びる平面視略矩形状の平板からなり、例えば、第1ベース絶縁層3で例示した樹脂材料から形成され、好ましくは、ポリイミドから形成されている。また、第2ベース絶縁層22の厚みは、例えば、8〜50μm、好ましくは、10〜40μmである。
第2導体パターン23は、第2ベース絶縁層22の表面に形成され、複数(11本)の第2配線26と、各第2配線26に対応する第2端子部としての接続端子部25とを備えている。なお、第2導体パターン23は、図示しないが、各接続端子部25の長手方向反対側に、各種電子部品や各種配線回路基板と接続するための端子部を備えている。
各第2配線26は、長手方向に沿って設けられ、それらは幅方向に互いに間隔を隔てて並列配置されている。また、各第2配線26は、後端部(長手方向一端部)において各接続端子部25と、それぞれ連続するように形成されている。
各接続端子部25は、第2ベース絶縁層22の後端部において、幅方向に沿って互いに間隔を隔てて設けられ、各第2配線26から連続して後方に延びている。また、各接続端子部25の後端縁は、第2ベース絶縁層22の後端部の表面が露出するように、長手方向において第2ベース絶縁層22の後端縁の前方に配置されている。これにより、接続端子部25の後端縁と第2ベース絶縁層22との後端縁との間の領域が、第1カバー絶縁層5の前カバー部13が載置される載置領域30とされている。
載置領域30の長さ(長手方向長さ)L4は、例えば、0.1〜4mm、好ましくは、0.2〜3mmである。
第2導体パターン23は、第1導体パターン4で例示した金属材料から形成され、好ましくは、銅から形成されている。また、第2導体パターン23の厚みは、例えば、3〜40μm、好ましくは、6〜30μmである。
また、各接続端子部25は、各外部側端子部6に対応して設けられており、各外部側端子部6と長手方向に対向できる幅および間隔で形成されている。
すなわち、各第2配線26および各接続端子部25の幅は、例えば、20〜200μm、好ましくは、30〜150μmである。各第2配線26間の間隔(幅方向間隔)および各接続端子部25間の間隔は、例えば、20〜150μm、好ましくは、30〜100μmである。
また、各接続端子部25の長さ(後述する第2カバー絶縁層24の後端縁から接続端子部25の後端縁までの長手方向長さ)L5は、例えば、0.5〜5mm、好ましくは、0.2〜2mmである。
第2カバー絶縁層24は、第2ベース絶縁層22の表面に、各第2配線26を被覆し、接続端子部25を露出するように、形成されている。第2カバー絶縁層24は、その後端縁が、各接続端子部25および搭載領域30が露出するように、各接続端子部25よりも前方に配置されており、幅方向に沿って第2導体パターン23を横切る直線状に形成されている。
これにより、第2カバー絶縁層24の後端縁、各接続端子部25の後端縁および第2ベース絶縁層22の後端縁は、長手方向後方に向かって間隔を隔てて順次配置されている。つまり、外部配線回路基板21の後端部は、第2カバー絶縁層24の後端縁、各接続端子部25の後端縁および第2ベース絶縁層22の後端縁によって、後方に向かうに従って段数が減少する、断面視階段状に形成されている。
第2カバー絶縁層24は、第1ベース絶縁層3で例示した樹脂材料から形成され、好ましくは、ポリイミドから形成されている。また、第2カバー絶縁層24の厚みは、例えば、5〜35μm、好ましくは、7〜20μmである。
なお、外部配線回路基板21は、上記した回路付サスペンション基板1に準拠して、あるいは、公知の方法に準拠して形成されている。
そして、回路付サスペンション基板1と外部配線回路基板21とを電気的に接続するには、まず、図1に示すように、回路付サスペンション基板1において、外部側端子部6が山折りされるように、外部側端子部6を湾曲状(U字状)に180度折り返す。これにより、本体支持部10の前端部分と前支持部11とが厚み方向において対向配置されるとともに、外部側端子部6が、本体支持部10の前方に向かって露出する。
次いで、第1カバー絶縁層5の前カバー部13を、載置領域30に載置するとともに、各外部側端子部6を各接続端子部25の後端部、より具体的には、折り返された各外部側端子部6を各接続端子部25の後端縁(後端面と上面との稜線)に当接させる。
その後、溶融金属としてのはんだボール31を、各外部側端子部6の表面と、各接続端子部25の後端部の上面との両方に接触するように、加熱により溶融することにより、設ける。
この配線回路基板の接続構造では、回路付サスペンション基板1の外部側端子部6が湾曲状に折り返されており、外部側端子部6と、外部配線回路基板21の各接続端子部25とが、長手方向において対向配置されて、外部側端子部6の表面と接続端子部25の後端部とが接触して突き合わされている。
これによって、この配線回路基板の接続構造では、回路付サスペンション基板1の各外部側端子部6と、外部配線回路基板21の各接続端子部25とが、はんだボール31を介して電気的に接続されている。
そして、この配線回路基板の接続構造は、外部側端子部6が湾曲状に折り返されているので、かかる外部側端子部6と接続端子部25との接続における上方、具体的には、破線の矢印で示すような上方斜め前方からの良好な視認性を確保することができる。
また、この接続構造は、第1導体パターン4が第1ベース絶縁層3に支持されているので、第1導体パターン4の機械強度を補強することができる。
また、外部側端子部6が金属支持層2に支持されないので、外部側端子部6の湾曲形状を確実に確保することができる。
さらに、この接続構造では、たとえ、湾曲状に形成されている外部側端子部6に復元力が作用した場合でも、かかる復元力は、外部側端子部6が接続端子部25を圧接する方向、すなわち、前方に移動するように作用する。そのため、そのような場合でも、外部側端子部6と接続端子部25との接続信頼性を向上させることができる。
図5は、本発明の配線回路基板の接続構造の他の実施形態の外部配線回路基板の長手方向に沿う要部拡大断面図である。なお、図5において、上記した部材と同様の部材には、同一の参照符号を付し、その説明を省略する。
上記した説明では、回路付サスペンション基板1と外部配線回路基板21との接続において、回路付サスペンション基板1の前カバー部13を載置領域30に載置したが、これに限定されず、例えば、図5に示すように、湾曲状に形成した回路付サスペンション基板1を上下反転させて、本体カバー部12の前端部分を載置領域30に載置することもできる。
このような配線回路基板の接続構造では、載置領域30に載置されていない前カバー部13および前支持部11は、本体カバー部12および本体支持部10に比べて、小さく軽量であるため、復元力が外部側端子部6により強く作用する。そのため、外部側端子部6と接続端子部25との接続信頼性をより一層向上させることができる。
また、上記の説明では、第1配線回路基板を、回路付サスペンション基板1として説明したが、第1配線回路基板は、これに限定されず、例えば、フレキシブル配線回路基板、リジッド配線回路基板など種々の配線回路基板が含まれる。
また、上記の説明では、支持側スリット8を、金属支持層2を分断するように金属支持層2の幅方向一端部から幅方向他端部までの幅方向すべてにわたって形成したが、例えば、金属支持層2を分断することなく、金属支持層2の幅方向一端部および/または幅方向他端部を残存させるように、支持側スリット8を形成することもできる。
好ましくは、外部側端子部6を容易に折り返す観点から、支持側スリット8を、金属支持層2を分断するように幅方向すべてにわたって形成する。
以下に実施例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例に限定されない。
実施例1
(回路付サスペンション基板の形成)
幅2.1mm、厚さ20μmのステンレス箔からなる金属支持層を用意し(図3(a)参照)、次いで、その金属支持層の表面に、感光性ポリアミック酸樹脂溶液(ワニス)を塗布し、乾燥した。これを、フォトマスクを介して露光し、露光後加熱、アルカリ現像液によって現像した後、加熱硬化させて、厚さ10μmのポリイミドからなる第1ベース絶縁層を形成した(図3(b)参照)。
次いで、第1ベース絶縁層の全面に、スパッタ蒸着法により、厚さ30nmのクロム薄膜および厚さ70nmの銅薄膜を順次形成することにより、金属薄膜を形成した。
その後、金属薄膜の上に、第1導体パターンの逆パターンで、めっきレジストを形成した後、めっきレジストから露出する金属薄膜の上に、電解銅めっきにより厚み10μmの第1導体パターンを、第1配線と外部側端子部および磁気ヘッド側端子部とを備える配線回路パターンとして形成した(図3(c)参照)。その後、めっきレジストをウェットエッチングにより除去した後、そのめっきレジストが形成されていた部分の金属薄膜を剥離により除去した。
なお、各外部側端子部の長さは2mmであった。また、各外部側端子部および各第1配線の幅は60μm、各外部側端子部間の間隔および各第1配線間の間隔は120μmであった。
その後、第1ベース絶縁層の上に、感光性ポリアミック酸樹脂溶液(ワニス)を塗布し、乾燥した。これを、フォトマスクを介して露光し、アルカリ現像液によって現像した後、加熱硬化させて、厚さ5μmのポリイミドからなる第1カバー絶縁層を形成した(図3(d)参照)。
この第1カバー絶縁層は、前端部において、各外部側端子部が露出し、後端部において、磁気ヘッド側端子部が露出するパターンとして形成した。第1カバー絶縁層には、カバー側スリットが形成されており、このカバー側スリットの幅(長手方向長さ)は2mm、前カバー部の幅(長手方向長さ)は250μmであった。
次いで、金属支持層を、塩化第二鉄溶液を用いるウェットエッチングによって開口することにより、支持側スリットを、カバー側スリットと同一の寸法で形成した。
その後、外部側端子部および磁気ヘッド側端子部に、無電解ニッケルめっきと無電解金めっきとを順次実施することにより、ニッケルめっき層および金めっき層からなる厚み2μmの金属めっき層を形成して、回路付サスペンション基板を得た。
(回路付サスペンション基板と外部回路基板との接続)
厚み25μmのポリイミドからなる第2ベース絶縁層(幅2.5mm)と、第2ベース絶縁層の上に形成される、厚み18μmの銅箔からなる第2導体パターン(各接続端子部の長さ1mm、幅100μm、間隔80μm)と、第2ベース絶縁層の上に、第2導体パターンを被覆し、各接続端子部を露出するように形成される、厚み5μmのポリイミドからなる第2カバー絶縁層とを備える外部配線回路基板を用意した。なお、接続端子部の後端縁を、第2ベース絶縁層の後端部の表面が露出するように、第2ベース絶縁層の後端縁の前方に配置することにより、第2ベース絶縁層において、長手方向長さが2mmの載置領域を確保した。
回路付サスペンション基板において、外部側端子部が山折りされるように、外部側端子部を湾曲状に180度折り返した。次いで、第1カバー絶縁層の前カバー部を、第2ベース絶縁層の載置領域に載置するとともに、各外部側端子部を各接続端子部の後端部に当接させた。その後、溶融したはんだボールを、各外部側端子部の表面と、各接続端子部の後端部の上面との両方に接触させた。
これにより、回路付サスペンション基板と外部配線回路基板とを電気的に接続させた(図1参照)。
実施例2
実施例1の回路付サスペンション基板を上下反転させて、第1カバー絶縁層の本体カバー部の前端部分を、第2ベース絶縁層の載置領域に載置した以外は、実施例1と同様にして、回路付サスペンション基板と外部配線回路基板とを電気的に接続させた(図5参照)。
本発明の配線回路基板の接続構造の一実施形態の要部拡大図であって、(a)は、平面図、(b)は、長手方向に沿う断面図である。 回路付サスペンション基板の要部拡大図であって、(a)は、平面図、(b)は、底面図、(c)は、長手方向に沿う断面図である。 図2に示す回路付サスペンション基板の製造方法の工程図である。 外部配線回路基板の要部拡大図であって、(a)は、平面図、(b)は、外部配線回路基板の長手方向に沿う断面図である。 本発明の配線回路基板の接続構造の他の実施形態の要部拡大図であって、外部配線回路基板の長手方向に沿う断面図である。
符号の説明
1 回路付サスペンション基板
2 金属支持層
3 第1ベース絶縁層
4 第1導体パターン
6 外部側端子部
21 外部配線回路基板
22 第2ベース絶縁層
23 第2導体パターン
25 接続端子部
31 はんだボール

Claims (3)

  1. 第1配線回路基板と第2配線回路基板とが接続される配線回路基板の接続構造において、
    前記第1配線回路基板は、
    金属支持層と、前記金属支持層の上に形成される第1絶縁層と、前記第1絶縁層の上に形成され、第1端子部を有する第1導体パターンとを備え、
    前記金属支持層は、前記第1端子部と厚み方向において対向しないように、配置され、
    前記第1端子部および前記第1端子部と厚み方向において対向する前記第1絶縁層は、湾曲状に折り返されており、
    前記第2配線回路基板は、
    第2絶縁層と、前記第2絶縁層の上に形成され、第2端子部を有する第2導体パターンとを備え、
    前記第1端子部と前記第2端子部とが電気的に接続されていることを特徴とする、配線回路基板の接続構造。
  2. 前記第1端子部と前記第2端子部とが溶融金属を介して接続されていることを特徴とする、請求項1に記載の配線回路基板の接続構造。
  3. 前記第1配線回路基板が回路付サスペンション基板であることを特徴とする、請求項1または2に記載の配線回路基板の接続構造。
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