JP2005135981A - 回路付サスペンション基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 金属支持層に起因する外観不良や製品不良を防止でき、さらには、均一な厚みの無電解ニッケルめっき層を確実に形成することのできる、回路付サスペンション基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】 支持基板２の上にベース絶縁層３を所定パターンで形成した後、ベース絶縁層３から露出する支持基板２の表面とベース絶縁層３の全面とにクロム薄膜１０および銅薄膜１１を順次形成する。その後、銅薄膜１１の表面に導体層４を配線回路パターンで形成した後、導体層４が形成されている部分以外の銅薄膜１１を除去し、次いで、無電解ニッケルめっき層１４を、導体層４を被覆するように形成する。その後、無電解ニッケルめっき層１４により被覆されている部分以外のクロム薄膜１０を除去し、カバー絶縁層１５を、導体層４を被覆するように形成し、回路付サスペンション基板１を得る。
【選択図】 図３

Description

本発明は、回路付サスペンション基板、詳しくは、ハードディスクドライブに用いられる回路付サスペンション基板に関する。

ハードディスクドライブに用いられる回路付サスペンション基板は、磁気ヘッドを支持するサスペンション基板に、磁気ヘッドと、その磁気ヘッドによって読み書きされるリード・ライト信号が伝送されるリード・ライト基板とを接続するための配線回路パターンとが、一体的に形成されている回路基板であり、磁気ヘッドと磁気ディスクとが相対的に走行する時の空気流に抗して、磁気ディスクとの間に微小な間隔を保持して、実装された磁気ヘッドの良好な浮上姿勢を得ることができるため、広く普及されつつある。

このような回路付サスペンション基板は、通常、図６が参照されるように、次に述べる方法により製造されている。すなわち、まず、ステンレス箔２１の表面に、ポリイミド樹脂からなる絶縁層２２を所定パターンで形成する（図６（ａ）参照）。次いで、絶縁層２２を含むステンレス箔２１の全面にクロム薄膜２３と銅薄膜２４とをスパッタリング法にて順次形成する（図６（ｂ）参照）。その後、銅薄膜２４の上に電解銅めっきにより導体層２５を配線回路パターンで形成した後（図６（ｃ）参照）、銅薄膜２４およびクロム薄膜２３をエッチング法により除去する（図６（ｄ）参照）。

そして、無電解ニッケルめっきにより、導体層２５の表面に、硬質ニッケル薄膜２６を形成して、導体層２５の表面を被覆保護する（図６（ｅ）参照）。なお、硬質ニッケル薄膜２６は、めっき電位の関係から、不可避的にステンレス箔２１の表面にも形成される。

その後、導体層２５を、端子部（図示せず）を残してポリイミド樹脂からなる被覆層２７で被覆保護した後（図６（ｆ）参照）、その端子部（図示せず）およびステンレス箔２５の表面の硬質ニッケル薄膜２６を剥離する（図６（ｇ）参照）。その後、端子部（図示せず）に、電解ニッケルめっきと電解金めっきとを順次施して、端子（図示せず）を形成する（例えば、特許文献１参照。）。
特開平１０−２６５５７２号公報

しかし、上記の方法においては、無電解ニッケルめっきにより、導体層２５の表面のみならず、ステンレス箔２１の表面にも、硬質ニッケル薄膜２６が不可避的に形成されるので、ステンレス箔２１の表面が、無電解ニッケルめっきの活性化処理で用いられる塩化パラジウム触媒液によって腐食したり、あるいは、その表面に、パラジウムが析出する。

ステンレス箔２１の表面が腐食すると、外観不良となる。また、ステンレス箔２１の表面にパラジウムが析出すると、その後に、端子部に電解金めっきする工程において、局部電池効果により、ステンレス箔２１の表面に金粒子が析出して、製品不良を生じる。

また、上記の方法では、ステンレス箔２１と導体層２５とが、絶縁層２２により電気的に絶縁されて、それらの各表面が露出した状態で、無電解ニッケルめっきするので、めっき電位が不安定となり、硬質ニッケル薄膜２６の厚みが不均一となり、さらには、部分的にめっきされない部分を生じる。

本発明の目的は、金属支持層に起因する外観不良や製品不良を防止でき、さらには、均一な厚みの無電解ニッケルめっき層を確実に形成することのできる、回路付サスペンション基板の製造方法を提供することにある。

上記目的を達成するため、本発明の回路付サスペンション基板の製造方法は、金属支持層の上に、前記金属支持層の表面が部分的に露出するように、絶縁層を形成する工程、前記絶縁層から露出する前記金属支持層の表面および前記絶縁層の表面に、クロム薄膜と銅薄膜とを順次形成する工程、前記絶縁層の上における前記銅薄膜の表面に、前記導体層を配線回路パターンで形成する工程、前記銅薄膜を除去した後、前記導体層を被覆する無電解ニッケルめっき層を形成し、次いで、前記クロム薄膜を除去する工程を備えていることを特徴としている。

このような方法によれば、金属支持層の表面にクロム薄膜が形成されている状態で、無電解ニッケルめっき層を導体層のみに形成し、その後に、クロム薄膜を除去する。そのため、無電解ニッケルめっき層の形成時には、金属支持層がクロム薄膜で被覆されているので、無電解ニッケルめっきにより、その金属支持層の表面が腐食したり、あるいは、その表面にパラジウムが析出することを防止することができる。その結果、金属支持層に起因する外観不良や製品不良を防止することができる。また、この方法では、クロム薄膜と導体層とが電気的に導通している状態で、無電解ニッケルめっきするので、めっき電位を安定化させることができ、均一な厚みの無電解ニッケルめっき層を導体層のみに確実に形成することができる。

また、本発明では、前記導体層を配線回路パターンで形成する工程は、前記銅薄膜の表面に、めっきレジストを、前記配線回路パターンの反転パターンで形成する工程、前記めっきレジストから露出する前記銅薄膜の表面に、導体層を形成する工程、前記めっきレジストを除去する工程を備えていてもよい。

この方法によれば、アディティブ法により、簡易かつ確実に、導体層を配線回路パターンとして形成することができる。

また、本発明では、前記導体層を配線回路パターンで形成する工程は、前記銅薄膜の表面に、導体層を形成する工程、前記導体層の上に、エッチングレジストを前記配線回路パターンと同一パターンで形成する工程、前記エッチングレジストから露出する導体層を、エッチングする工程、前記エッチングレジストを除去する工程を備えていてもよい。

この方法によれば、サブトラクティブ法により、簡易かつ確実に、導体層を配線回路パターンとして形成することができる。

本発明の回路付サスペンション基板の製造方法によれば、金属支持層に起因する外観不良や製品不良を防止でき、さらには、均一な厚みの無電解ニッケルめっき層を確実に形成することができる。

図１は、本発明の回路付サスペンション基板の製造方法により製造される回路付サスペンション基板の、一実施形態を示す斜視図である。

図１において、この回路付サスペンション基板１は、ハードディスクドライブの磁気ヘッド（図示せず）を実装して、その磁気ヘッドを、磁気ヘッドと磁気ディスクとが相対的に走行する時の空気流に抗して、磁気ディスクとの間に微小な間隔を保持しながら支持するものであり、磁気ヘッドと、リード・ライト基板とを接続するための配線回路パターンが一体的に形成されている。

この回路付サスペンション基板１は、長手方向に延びる金属支持層としての支持基板２の上に、絶縁層としてのベース絶縁層３が形成されており、そのベース絶縁層３の上に、導体層４が配線回路パターンとして形成されている。なお、この配線回路パターンは、互いに所定間隔を隔てて平行状に配置される複数の配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄを含んでいる。

支持基板２の先端部には、その支持基板２を切り込むことによって、磁気ヘッドを実装するためのジンバル５が形成されている。また、その支持基板２の先端部には、磁気ヘッドと各配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄとを接続するための磁気ヘッド側接続端子６が形成されている。

また、支持基板２の後端部には、リード・ライト基板と各配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄとを接続するための外部側接続端子７が形成されている。

なお、図１においては、図示されていないが、実際には、導体層４の上には、カバー絶縁層８が被覆されている（図３（ｌ）参照）。

次に、本発明の回路付サスペンション基板の製造方法の一実施形態を、図１に示す回路付サスペンション基板１の製造方法を例示して、図２〜図５を参照しつつ説明する。なお、図２〜図５においては、回路付サスペンション基板１の長手方向途中を、その回路付サスペンション基板１の長手方向に直交する幅方向に沿う断面として示している。

この方法では、まず、図２（ａ）に示すように、支持基板２を用意する。支持基板２としては、金属箔または金属薄板を用いることが好ましく、金属としては、例えば、ステンレス、４２アロイ、アルミニウム、銅−ベリリウム、りん青銅などが好ましく用いられる。また、その厚さが、１０〜６０μｍ、さらには、１５〜３０μｍ、その幅が、５０〜５００ｍｍ、さらには、１２５〜３００ｍｍのものが好ましく用いられる。

次いで、この方法では、支持基板２の上に、ベース絶縁層３を、支持基板２の表面が部分的に露出する所定パターンで形成する。

ベース絶縁層３を形成するための絶縁体としては、回路付サスペンション基板の絶縁体として使用できるものであれば、特に制限されることなく使用することができる。このような絶縁体としては、例えば、ポリイミド系樹脂、ポリアミドイミド系樹脂、アクリル系樹脂、ポリエーテルニトリル系樹脂、ポリエーテルスルホン系樹脂、ポリエチレンテレフタレート系樹脂、ポリエチレンナフタレート系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂などの合成樹脂が挙げられる。これらのうち、感光性の合成樹脂が好ましく用いられ、感光性ポリイミド樹脂がさらに好ましく用いられる。

そして、例えば、感光性ポリイミド樹脂を用いて、支持基板２の上に、ベース絶縁層３を所定パターンで形成する場合には、まず、図２（ｂ）に示すように、感光性ポリイミド樹脂の前駆体（ポリアミック酸樹脂）の溶液を、その支持基板２の全面に塗工した後、例えば、６０〜１５０℃、好ましくは、８０〜１２０℃で加熱することにより、感光性ポリイミド樹脂の前駆体の皮膜８を形成する。

次に、図２（ｃ）に示すように、その皮膜８を、フォトマスク９を介して露光させ、必要により露光部分を所定温度に加熱した後、現像することにより、図２（ｄ）に示すように、皮膜８を、支持基板２の表面の一部（例えば、支持基板２の表面の幅方向両端部）が露出するような所定パターンとする。なお、フォトマスク９を介して照射する照射線は、その露光波長が、３００〜４５０ｎｍ、さらには、３５０〜４２０ｎｍであることが好ましく、その露光積算光量が、１００〜２０００ｍＪ／ｃｍ^２であることが好ましい。

また、照射された皮膜８の露光部分は、例えば、１３０℃以上１５０℃未満で加熱することにより、次の現像処理において可溶化（ポジ型）し、また、例えば、１５０℃以上２００℃以下で加熱することにより、次の現像処理において不溶化（ネガ型）する。

また、現像は、例えば、アルカリ現像液などの公知の現像液を用いて、浸漬法やスプレー法などの公知の方法によって処理することができる。なお、この方法においては、ネガ型でパターンを得ることが好ましく、図２においては、ネガ型でパターンニングする態様として示されている。

そして、図２（ｅ）に示すように、このように所定パターンとされた感光性ポリイミド樹脂の前駆体からなる皮膜８を、例えば、最終的に２５０℃以上に加熱することによって、硬化（イミド化）させ、これによって、ポリイミド樹脂からなるベース絶縁層３が、支持基板２の表面の一部（例えば、支持基板２の表面の幅方向両端部）が露出する所定パターンで形成される。

なお、感光性の合成樹脂を用いない場合には、例えば、支持基板２の上に、合成樹脂を、所定パターンで塗工するか、あるいは、予め所定パターンとされたドライフィルムを、必要により接着剤層を介して貼着する。

また、このようにして形成されるベース絶縁層３の厚みは、例えば、２〜３０μｍ、好ましくは、５〜２５μｍである。

次いで、この方法では、図２（ｆ）および（ｇ）に示すように、ベース絶縁層３から露出する支持基板２の表面と、ベース絶縁層３の全面とに、クロム薄膜１０と銅薄膜１１とを順次形成する。

クロム薄膜１０および銅薄膜１１の形成は、真空蒸着法、とりわけ、スパッタ蒸着法が好ましく用いられる。より具体的には、例えば、ベース絶縁層３から露出する支持基板２の表面とベース絶縁層３の全面とに、図２（ｆ）に示すように、クロム薄膜１０をスパッタ蒸着法によって形成した後、次いで、そのクロム薄膜１０の全面に、図２（ｇ）に示すように、銅薄膜１１をスパッタ蒸着法によって形成する。

なお、クロム薄膜１０の厚みが、１００〜６００Å、銅薄膜１１の厚みが、５００〜２０００Åであることが好ましい。

そして、この方法では、図３（ｈ）に示すように、ベース絶縁層３の上に形成されている銅薄膜１１の表面に、導体層４を配線回路パターンで形成する。なお、図３（ｈ）には、導体層４を形成した後に、導体層４が形成された部分以外の銅薄膜１１を除去した状態が示されている。

導体層４を形成するための導体としては、回路付サスペンション基板の導体として使用できるものであれば、特に制限されることなく使用することができる。このような導体としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などが用いられ、好ましくは、銅が用いられる。

配線回路パターンは、例えば、図１に示されるように、互いに所定間隔を隔てて平行状に配置される、複数の配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄパターンとして形成する。導体層４の厚みは、例えば、２〜５０μｍ、好ましくは、５〜３０μｍであり、各配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄの幅は、例えば、５〜５００μｍ、好ましくは、１０〜２００μｍであり、各配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ間の間隔は、例えば、５〜５００μｍ、好ましくは、１０〜２００μｍである。

導体層４を配線回路パターンとして形成するには、例えば、アディティブ法、サブトラクティブ法などの公知のパターンニング法が用いられる。アディティブ法によれば、簡易かつ確実に、導体層４を配線回路パターンとして形成することができる。

アディティブ法では、図４（ａ）に示すように、銅薄膜１１の表面に、めっきレジスト１２を、配線回路パターンの反転パターンで形成する。めっきレジスト１２は、例えば、ドライフィルムレジストなどを用いて公知の方法により、上記した配線回路パターンの反転パターンとして形成する。

次いで、図４（ｂ）に示すように、めっきレジスト１２から露出する銅薄膜１１の表面に、導体層４を形成する。導体層４の形成は、特に制限されないが、例えば、電解めっき、好ましくは、電解銅めっきが用いられる。

その後、図４（ｃ）に示すように、めっきレジスト１２を除去することにより、導体層４を配線回路パターンとして形成する。めっきレジスト１２の除去は、例えば、化学エッチング（ウェットエッチング）などの公知のエッチング法を用いるか、または、剥離する。

そして、図４（ｄ）に示すように、導体層４が形成されている部分以外の銅薄膜１１を除去する。銅薄膜１１の除去は、例えば、硝酸過酸化水素混合液などをエッチング液として用いて、化学エッチング（ウェットエッチング）する。このように、銅薄膜１１を除去すれば、次に述べるように、導体層４のみに無電解ニッケルめっき層１４を形成することができる。

また、サブトラクティブ法では、図５（ａ）に示すように、まず、銅薄膜１１の全面に、導体層４を形成する。導体層４の形成は、特に制限されないが、例えば、電解めっき、好ましくは、電解銅めっきが用いられる。

次いで、図５（ｂ）に示すように、導体層４の上に、エッチングレジスト１３を配線回路パターンと同一パターンで形成する。エッチングレジスト１３は、例えば、ドライフィルムレジストなどを用いて公知の方法により、上記したレジストパターンとして形成する。

その後、図５（ｃ）に示すように、エッチングレジスト１３から露出する導体層４、および、その露出する導体層４が形成されている部分の銅薄膜１１を、エッチングする。エッチングは、例えば、上記と同様のエッチング液などを用いる化学エッチング（ウェットエッチング）などの公知のエッチング法が用いられる。

そして、図５（ｄ）に示すように、エッチングレジスト１３を除去することにより、導体層４を配線回路パターンとして形成する。エッチングレジスト１３の除去は、例えば、化学エッチング（ウェットエッチング）などの公知のエッチング法を用いるか、または、剥離する。

次いで、この方法では、図３（ｉ）に示すように、導体層４を被覆する無電解ニッケルめっき層１４を形成する。

無電解ニッケルめっき層１４の形成は、例えば、塩化パラジウム触媒液で活性化処理した後、無電解ニッケルめっき液に浸漬して、無電解ニッケルめっきする。これによって、導体層４の表面（上面および側面）を被覆するように、無電解ニッケルめっき層１４が形成される。この無電解ニッケルめっき層１４は、硬質のニッケル薄膜として形成され、その厚みは、導体層４の表面が露出しない程度であればよく、例えば、０．０５〜０．２μｍである。

次いで、この方法では、図３（ｊ）に示すように、無電解ニッケルめっき層１４によって被覆されている部分以外のクロム薄膜１０を除去する。クロム薄膜１０の除去は、例えば、フェリシアン化カリウム溶液、過マンガン酸カリウム溶液、メタケイ酸ナトリウム溶液などをエッチング液として用いて、化学エッチング（ウェットエッチング）する。

その後、この方法では、図３（ｋ）に示すように、導体層４を被覆するためのカバー絶縁層１５を、所定パターンで形成する。カバー絶縁層１５を形成するための絶縁体としては、ベース絶縁層３と同様の絶縁体が用いられ、好ましくは、感光性ポリイミド樹脂が用いられる。

また、感光性ポリイミド樹脂を用いて、カバー絶縁層１５を形成する場合には、ベース絶縁層３と同様に、ベース絶縁層３および無電解ニッケルめっき層１４の上に、感光性ポリイミド樹脂の前駆体（ポリアミック酸樹脂）の溶液を塗工した後、加熱により感光性ポリイミド樹脂の前駆体の皮膜を形成し、次いで、その皮膜を、フォトマスクを介して露光させ、必要により露光部分を所定の温度に加熱した後、現像することにより、皮膜を所定パターンに形成し、その後、皮膜を、例えば、最終的に２５０℃以上に加熱することによって、硬化（イミド化）させる。これによって、ポリイミド樹脂からなるカバー絶縁層１５が、無電解ニッケルめっき層１４によって被覆されている導体層４を含むベース絶縁層３の上に形成される。なお、カバー絶縁層１５の厚みは、例えば、１〜３０μｍ、好ましくは、２〜２０μｍである。

なお、このカバー絶縁層１５の形成においては、カバー絶縁層１５は、図示しないが、磁気ヘッド側接続端子６および外部側接続端子７を形成するための端子部分と、電解めっきのためのリード部分とが露出する所定パターンとして形成しておき、各端子部分において、まず、無電解ニッケルめっき層１４を剥離した後、露出した導体層４の表面に、ニッケルめっき層および金めっき層を電解めっきにより順次形成することにより、磁気ヘッド側接続端子６および外部側接続端子７を形成する。

ニッケルめっき層および金めっき層の形成は、例えば、露出した導体層４の表面に、電解ニッケルめっきによりニッケルめっき層を形成し、そのニッケルめっき層の上に、電解金めっきにより金めっき層を形成する。なお、ニッケルめっき層および金めっき層の厚さは、いずれも、０．２〜５μｍ程度であることが好ましい。

そして、図示しないリード部分を、化学エッチングなどにより除去し、支持基板２を、化学エッチングなど公知の方法によって、ジンバル５などの所定形状に切り抜き、洗浄および乾燥することにより、図１に示すような回路付サスペンション基板１を得る。

このような方法によれば、金属基板２の表面にクロム薄膜１０が形成されている状態で、無電解ニッケルめっき層１４を導体層４のみに形成し、その後に、クロム薄膜１０を除去する。そのため、無電解ニッケルめっき層１４の形成時には、支持基板２がクロム薄膜１０で被覆されているので、無電解ニッケルめっきにより、その支持基板２の表面が腐食したり、あるいは、その表面にパラジウムが析出することを防止することができる。その結果、支持基板２に起因する外観不良や製品不良を防止することができる。また、この方法では、クロム薄膜１０と導体層４とが電気的に導通している状態で、無電解ニッケルめっきするので、めっき電位を安定化させることができ、均一な厚みの無電解ニッケルめっき層１４を導体層４のみに確実に形成することができる。

なお、上記した回路付サスペンション基板１の製造方法は、工業的には、例えば、ロールツーロール法などの公知の方法により、製造することができる。

以下に実施例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例に限定されることはない。

実施例１
幅３００ｍｍ、厚さ２０μｍ、長さ１２０ｍのロール状のステンレス箔を用意して（図２（ａ）参照）、ロールツーロール法により、以下のように回路付サスペンション基板を製造した。すなわち、まず、ステンレス箔の上に、ポリアミック酸樹脂の溶液を塗工した後、１３０℃で加熱することにより、ポリアミック酸樹脂の皮膜を形成し（図２（ｂ）参照）、次いで、その皮膜を、フォトマスクを介して露光（４０５ｎｍ、１５００ｍＪ／ｃｍ^２）させ（図２（ｃ）参照）、露光部分を１８０℃に加熱した後、アルカリ現像液を用いて現像することにより、その皮膜をネガ型の画像で、ステンレス箔の表面の幅方向両端部が露出する所定パターンに形成した（図２（ｄ）参照）。

次いで、所定パターンに形成されたポリアミック酸樹脂の皮膜を、３５０℃で加熱して、硬化（イミド化）させ、これによって、厚さ２５μｍのポリイミド樹脂からなるベース絶縁層を、ステンレス箔の表面の幅方向両端部が露出する所定パターンで形成した（図２（ｅ）参照）。

次いで、ベース絶縁層から露出するステンレス箔の表面とベース絶縁層の全面とに、厚さ５００Åのクロム薄膜と厚さ１０００Åの銅薄膜とをスパッタ蒸着法によって順次形成した（図２（ｆ）、（ｇ）参照）。

その後、銅薄膜の表面に、アディティブ法により、導体層を配線回路パターンで形成した（図３（ｈ）参照）。すなわち、アディティブ法では、銅薄膜の表面に、配線回路パターンと反転するパターンのめっきレジストを、ドライフィルムレジストを用いて形成し（図４（ａ）参照）、次いで、めっきレジストから露出する銅薄膜の表面に、電解銅めっきにより、導体層を配線回路パターンで形成した（図４（ｂ）参照）。なお、この導体層は、厚さ１５μｍで、その配線回路パターンを、各配線の幅２０μｍ、各配線間の間隔が３０μｍの、互いに所定間隔を隔てて平行状に配置される、４本の配線パターンとした。その後、めっきレジストを化学エッチングによって除去した（図４（ｃ）参照）。

次いで、導体層が形成されている部分以外の銅薄膜を、硝酸過酸化水素混合液を用いて、化学エッチング（ウェットエッチング）により除去した（図４（ｄ）参照）。

その後、導体層の表面に、無電解ニッケルめっきによって、厚さ０．１μｍの硬質の無電解ニッケルめっき層を形成した後（図３（ｉ）参照）、無電解ニッケルめっき層によって被覆されている部分以外のクロム薄膜を、フェリシアン化カリウム溶液を用いて、化学エッチング（ウェットエッチング）により除去した（図３（ｊ）参照）。

そして、ベース絶縁層および無電解ニッケルめっき層の上に、ポリアミック酸樹脂の溶液を塗工した後、１３０℃で加熱することにより、ポリアミック酸樹脂の皮膜を形成し、次いで、皮膜を、フォトマスクを介して露光（４０５ｎｍ、１５００ｍＪ／ｃｍ２）させ、露光部分を１８０℃に加熱した後、アルカリ現像液を用いて現像することにより、この皮膜を、導体層が被覆されるような所定パターンに形成した。

次いで、所定パターンに形成されたポリアミック酸樹脂の皮膜を、３５０℃で加熱して、硬化（イミド化）させ、これによって、厚さ２０μｍのポリイミド樹脂からなるカバー絶縁層を形成した（図３（ｋ）参照）。

なお、このカバー絶縁層は、導体層における磁気ヘッド側接続端子および外部側接続端子を形成する端子部分には、導体層が露出する所定パターンで形成した。

その後、導体層における磁気ヘッド側接続端子および外部側接続端子の端子部分に形成されている無電解ニッケルめっき層を剥離し、露出した導体層の表面に、電解ニッケルめっきと電解金めっきとを順次実施して、厚さ２μｍのニッケルめっき層および厚さ１μｍの金めっき層を形成した。

その後、電解めっきで用いた図示しないリード部分を、化学エッチングにより除去し、ステンレス箔を、化学エッチングによって所定形状に切り抜き、洗浄および乾燥することにより、回路付サスペンション基板を得た。

得られた回路付サスペンション基板のステンレス箔を観察し、腐食やパラジウムの析出がないことを確認した。

実施例２
銅薄膜の表面に、サブトラクティブ法により、導体層を配線回路パターンで形成した以外は、実施例１と同様の操作により、回路付サスペンション基板を得た。

すなわち、実施例２では、銅薄膜の全面に、電解銅めっきにより導体層を形成した後（図５（ａ）参照）、その導体層の上に、ドライフィルムレジストからなるエッチングレジストを配線回路パターンと同一パターンで形成した（図５（ｂ）参照）。その後、エッチングレジストから露出する導体層、および、その露出する導体層の部分に形成されている銅薄膜を、化学エッチングにより除去し（図５（ｃ）参照）、続いて、エッチングレジストを、化学エッチングによって除去した（図５（ｄ）参照）。上記以外は、すべて、実施例１と同様の操作により、回路付サスペンション基板を得た。

得られた回路付サスペンション基板のステンレス箔を観察し、腐食やパラジウムの析出がないことを確認した。

本発明の回路付サスペンション基板の製造方法により製造された回路付サスペンション基板の、一実施形態を示す斜視図である。 図１に示す回路付サスペンション基板の製造方法の一実施形態を示す工程図であって、（ａ）は、支持基板を用意する工程、（ｂ）は、支持基板の全面に感光性ポリイミド樹脂の前駆体の皮膜を形成する工程、（ｃ）は、皮膜を、フォトマスクを介して露光させる工程、（ｄ）は、皮膜を、現像する工程（ｅ）は、皮膜を硬化させ、ベース絶縁層を所定パターンで形成する工程、（ｆ）は、ベース絶縁層から露出する支持基板の表面と、ベース絶縁層の全面とに、クロム薄膜を形成する工程、（ｇ）は、クロム薄膜の全面に銅薄膜を形成する工程を示す。 図２に続いて、回路付サスペンション基板の製造方法の一実施形態を示す工程図であって、（ｈ）は、ベース絶縁層の上に形成されている銅薄膜の表面に、導体層を配線回路パターンで形成し、導体層の配線回路パターンが形成されている部分以外の銅薄膜を除去する工程、（ｉ）は、導体層を被覆する無電解ニッケルめっき層を形成する工程、（ｊ）は、無電解ニッケルめっき層で被覆されている部分以外のクロム薄膜を除去する工程、（ｋ）は、導体層を被覆するためのカバー絶縁層を、所定パターンで形成する工程を示す。 図３（ｈ）に示す、ベース絶縁層の上に形成されている銅薄膜の表面に、導体層を配線回路パターンで形成する工程において、アディティブ法により導体層を形成する態様であって、（ａ）は、銅薄膜の表面に、めっきレジストを、配線回路パターンの反転パターンで形成する工程、（ｂ）は、めっきレジストから露出する銅薄膜の表面に、導体層を形成する工程、（ｃ）は、めっきレジストを除去する工程（ｄ）は、銅薄膜を除去する工程を示す。 図３（ｈ）に示す、ベース絶縁層の上に形成されている銅薄膜の表面に、導体層を配線回路パターンで形成する工程において、サブトラクティブ法により導体層を形成する態様であって、（ａ）は、銅薄膜の全面に、導体層を形成する工程、（ｂ）は、導体層の上に、エッチングレジストを配線回路パターンと同一パターンで形成する工程、（ｃ）は、エッチングレジストから露出する導体層およびその露出する導体層に形成されている部分の銅薄膜を、エッチングする工程、（ｄ）は、エッチングレジストを除去する工程を示す。 従来の回路付サスペンション基板の製造方法の一実施形態を示す工程図であって、（ａ）は、ステンレス箔の表面に、絶縁層を所定パターンで形成する工程、（ｂ）は、絶縁層を含むステンレス箔の全面にクロム薄膜と銅薄膜とをスパッタリング法にて順次形成する工程、（ｃ）は、銅薄膜の上に電解銅めっきにより導体層を配線回路パターンで形成する工程、（ｄ）は、銅薄膜およびクロム薄膜をエッチング法により除去する工程、（ｅ）は、無電解ニッケルめっきにより、導体層の表面およびステンレス箔の表面に、硬質ニッケル薄膜を形成する工程、（ｆ）は、導体層を、被覆層で被覆保護する工程（ｇ）は、ステンレス箔の表面の硬質ニッケル薄膜を剥離する工程を示す。

符号の説明

１ 回路付サスペンション基板
２ 支持基板
３ ベース絶縁層
４ 導体層
１０ クロム薄膜
１１ 銅薄膜
１２ めっきレジスト
１３ エッチングレジスト
１４ 無電解ニッケルめっき層

Claims (3)

1. 金属支持層の上に、前記金属支持層の表面が部分的に露出するように、絶縁層を形成する工程、
   前記絶縁層から露出する前記金属支持層の表面および前記絶縁層の表面に、クロム薄膜と銅薄膜とを順次形成する工程、
   前記絶縁層の上における前記銅薄膜の表面に、前記導体層を配線回路パターンで形成する工程、
   前記銅薄膜を除去した後、前記導体層を被覆する無電解ニッケルめっき層を形成し、次いで、前記クロム薄膜を除去する工程
   を備えていることを特徴とする、回路付サスペンション基板の製造方法。
2. 前記導体層を配線回路パターンで形成する工程は、
   前記銅薄膜の表面に、めっきレジストを、前記配線回路パターンの反転パターンで形成する工程、
   前記めっきレジストから露出する前記銅薄膜の表面に、導体層を形成する工程、
   前記めっきレジストを除去する工程
   を備えていることを特徴とする、請求項１に記載の回路付サスペンション基板の製造方法。
3. 前記導体層を配線回路パターンで形成する工程は、
   前記銅薄膜の表面に、導体層を形成する工程、
   前記導体層の上に、エッチングレジストを前記配線回路パターンと同一パターンで形成する工程、
   前記エッチングレジストから露出する導体層を、エッチングする工程、
   前記エッチングレジストを除去する工程
   を備えていることを特徴とする、請求項１に記載の回路付サスペンション基板の製造方法。

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