JP4455301B2 - 配線回路基板およびその接続構造 - Google Patents

Description

本発明は、配線回路基板およびその接続構造、詳しくは、ハードディスクドライブなどに用いられる配線回路基板およびその接続構造に関する。

ハードディスクドライブには、通常、磁気ヘッドが搭載される回路付サスペンション基板と、その回路付サスペンション基板に接続される中継フレキシブル配線回路基板とが設けられている。
回路付サスペンション基板は、金属からなる支持基板の上に、フレキシブル配線回路基板が一体的に形成されており、そのフレキシブル配線回路基板には、磁気ヘッドに対して電気信号を伝達するための配線と、その配線の両端部に設けられる磁気ヘッド側端子部および中継側端子部とを一体的に備える導体パターンが形成されている。磁気ヘッド側端子部には、磁気ヘッドが接続されるとともに、中継側端子部には、中継フレキシブル配線回路基板の端子部が接続されている。

回路付サスペンション基板の中継側端子部と中継フレキシブル配線回路基板の端子部との接続は、たとえば、回路付サスペンション基板の支持基板の幅方向側端縁から、フレキシブル配線回路基板の中継側端子部を、機械加工により直角方向に折り曲げて、中継側端子部を金属支持板の表面に対して直交配置した後、その直交配置された中継側端子部に、中継フレキシブル配線回路基板の端子部を側方から接続することが知られている（例えば、特許文献１参照。)。
特開２０００-２３１７０９号公報

しかし、中継側端子部を機械加工によって精度よく折り曲げるには、精密な特殊機械加工が必要である。一方、近年、ハードディスクドライブの小型化に伴って、回路付サスペンション基板や中継フレキシブル配線回路基板の小型化が要求されており、そのような回路付サスペンション基板や中継フレキシブル配線回路基板の小型化に伴って、精密な特殊機械加工が困難になってきている。

本発明の目的は、配線回路路基板の小型化を図りつつ、簡易な構成により、互いに交差する方向での配線回路基板間の精度のよい接続を確保することのできる、配線回路基板、および、互いに交差する方向において接続された配線回路基板の接続構造を提供することにある。

上記の目的を達成するため、本発明の第１配線回路基板は、第１ベース絶縁層と、前記第１ベース絶縁層の上に形成され、前記第１ベース絶縁層の端縁が延びる方向に沿って間隔を隔てて設けられる複数の第１端子部を含む第１導体パターンと、前記第１ベース絶縁層において、前記第１導体パターンが形成されている表面と反対側の裏面に設けられる金属支持層とを備える第１配線回路基板であって、前記第１端子部には、前記第１配線回路基板の端縁に沿って配置され、前記第１端子部の端縁から、前記第１端子部の厚み方向と直交する方向に沿って切り欠かれる端子部側切欠部が形成されており、前記第１ベース絶縁層には、各前記第１端子部に対応して、前記端子部側切欠部によって囲まれる切欠領域に対応する部分が、前記第１端子部を前記厚み方向から露出させるように、前記端子部側切欠部の開口幅よりも広い開口幅で切り欠かれるベース絶縁層側切欠部が形成されており、前記金属支持層には、各前記第１端子部に対応して、前記切欠領域に対応する部分が、前記第１端子部を前記厚み方向から露出させるように、前記ベース絶縁層側切欠部の開口幅よりも広い開口幅で切り欠かれる金属支持層側切欠部が形成されていることを特徴としている。

この第１配線回路基板では、第１端子部には端子部側切欠部が、第１ベース絶縁層にはベース絶縁層側切欠部が、それぞれ形成されている。そのため、第１配線回路基板に接続するための第２配線回路基板の第２端子部を、端子部側切欠部およびベース絶縁層側切欠部に受け入れさせれば、第１端子部の厚み方向と第２端子部の厚み方向とが交差する方向において、これらを互いに接続することができる。その結果、小型化を図りつつ、簡易な構成によって、第２配線回路基板に対して交差する方向において、精度のよい接続を確保することができる。

また、第１配線回路基板に、金属支持層が形成されていると、第１配線回路基板の剛性を向上させることができる。また、金属支持層には、金属支持層側切欠部が形成されているので、上記した交差方向における第１端子部および第２端子部の接続が阻害されることがなく、第１配線回路基板を、第２配線回路基板に対して交差する方向において、円滑に接続することができる。

また、本発明の第１配線回路基板では、互いに隣接する各前記第１端子部の間に対応する前記金属支持層には、その端縁から、前記金属支持層の厚み方向と直交する方向に沿って突出する突出部が形成されていることが好適である。

突出部が形成されていると、その突出部を第２配線回路基板に対して位置決めさせることで、上記した交差方向において、第２配線回路基板に対する精度のよい相対配置を確保することができる。

また、本発明の配線回路基板の接続構造では、上記した第１配線回路基板、および、
第２ベース絶縁層と、前記第２ベース絶縁層の上に互いに間隔を隔てて複数形成され、前記第１配線回路基板の第１端子部と接続するための第２端子部を含む第２導体パターンとを備える第２配線回路基板を備え、前記第２配線回路基板には、互いに隣接する各前記第２端子部の間において、前記第２ベース絶縁層を厚み方向に貫通し、前記第１配線回路基板を位置決めするための位置決め孔が形成されており、前記第１配線回路基板の前記突出部が、前記第２配線回路基板の前記位置決め孔に嵌合されていることを特徴としている。

このような接続構造では、第１配線回路基板の突出部が、第２配線回路基板の位置決め孔に嵌合されているので、上記した交差方向において、第１配線回路基板と第２配線回路基板との精度のよい相対配置を確保することができる。そのため、第１端子部と第２端子部の接続信頼性の向上を図ることができる。

本発明の第１配線回路基板によれば、小型化を図りつつ、簡易な構成によって、第２配線回路基板に対して交差する方向において、精度のよい接続を確保することができる。
また、本発明の接続構造によれば、第１配線回路基板と第２配線回路基板との交差方向における精度のよい相対配置を確保することができ、第１端子部と第２端子部の接続信頼性の向上を図ることができる。

図１は、本発明の第１配線回路基板の一実施形態としての回路付サペンション基板を示す概略平面図であり、図２は、図１に示す回路付サスペンション基板の要部底面図、図３は、図１のＡ−Ａ線断面図である。
図１において、この回路付サスペンション基板１は、ハードディスクドライブの磁気ヘッド（図示せず）を実装して、その磁気ヘッドを、磁気ヘッドと磁気ディスクとが相対的に走行する時の空気流に抗して、磁気ディスクとの間に微小な間隔を保持しながら支持するものであり、磁気ヘッドと、中継フレキシブル配線回路基板２１とを接続するための導体パターン４が一体的に形成されている。

この回路付サスペンション基板１は、図３に示すように、金属支持層としての支持基板２の上に、第１ベース絶縁層としてのベース絶縁層３（図１では省略）が形成されており、そのベース絶縁層３の上に、第１導体パターンとしての導体パターン４が形成されている。また、ベース絶縁層３の上に、導体パターン４を被覆するように、第１カバー絶縁層としてのカバー絶縁層５（図１では省略）が形成されている。

支持基板２は、図１に示すように、長手方向に延びる薄板からなり、その先端部には、磁気ヘッドを実装するためのジンバルなどからなる磁気ヘッド搭載部６が形成されている。また、その後端部には、後述する各中継側端子９を、支持基板２の長手方向に沿って配置するための端子配置部７が、幅方向（支持基板２の長手方向に直交する方向）の一方側に膨出するように形成されている。

ベース絶縁層３は、支持基板２における導体パターン４が形成される部分を含んで、所定のパターンとして形成されている。
導体パターン４は、複数の配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄと、磁気ヘッド側端子８と、第１端子部としての中継側端子９とを一体的に備えている。複数の配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄは、回路付サスペンション基板１の長手方向に沿って延び、その幅方向において、互いに間隔を隔てて並列配置されている。

磁気ヘッド側端子８は、回路付サスペンション基板１の先端部に配置され、各配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄに対応して、それぞれ設けられている。各磁気ヘッド側端子８は、各配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄの先端部から連続して一体的に形成されており、回路付サスペンション基板１の幅方向に沿って、互いに間隔を隔てて配置されている。各磁気ヘッド側端子８には、磁気ヘッド搭載部６に搭載される磁気ヘッド（図示せず。）が接続される。

中継側端子９は、回路付サスペンション基板１の後端部であって、端子配置部７に配置され、各配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄに対応して、それぞれ設けられている。各中継側端子９は、各配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄの後端部から連続して一体的に形成されており、回路付サスペンション基板１の長手方向に沿って、互いに間隔を隔てて配置されている。各中継側端子９には、後述するが、中継フレキシブル配線回路基板２１の各サスペンション側端子２６と、バンプ２９を介して接続される（図７参照）。

また、各中継側端子９は、端子配置部７において、回路付サスペンション基板１の幅方向一端縁に沿って配置されている。そして、各中継側端子９には、その一端縁から、回路付サスペンション基板１の幅方向（中継側端子９の厚み方向と直交する方向）に沿って、幅方向内方（他端縁）に向かって、平面視略半略円弧状に切り欠かれる端子部側切欠部１０が形成されている。

また、第１ベース絶縁層３には、図２に示すように、各中継側端子９に対応して、端子部側切欠部１０によって囲まれる切欠領域１１に対応する領域が切り欠かれるベース絶縁層側切欠部１２が形成されている。
各ベース絶縁層側切欠部１２は、中継側端子９が底面側から底面視略半略円弧状に露出するように、ベース絶縁層３の幅方向一端縁から、幅方向（ベース絶縁層３の厚み方向と直交する方向）に沿って、幅方向内方（他端縁）に向かって、端子部側切欠部１０よりも大きな半略円弧状に切り欠かれるように形成されている。

また、支持基板２には、各中継側端子９に対応して、端子部側切欠部１０によって囲まれる切欠領域１１に対応する領域が切り欠かれる金属支持層側切欠部としての支持基板側切欠部１３が形成されている。
各支持基板側切欠部１３は、ベース絶縁層３が底面側から底面視略半略円弧状に露出するように、支持基板２の幅方向一端縁から、幅方向（支持基板２の厚み方向と直交する方向）に沿って、幅方向内方（他端縁）に向かって、ベース絶縁層側切欠部１２よりも大きな半略円弧状に切り欠かれている。

カバー絶縁層５は、図３に示すように、ベース絶縁層３の上に、各配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄを被覆し、かつ、各磁気ヘッド側端子８および各中継側端子９が露出するような、所定のパターンとして形成されている。
次に、この回路付サスペンション基板１の製造方法を、図４を参照しつつ説明する。なお、図４では、図１のＡ−Ａ線断面図として示している。

この方法では、まず、図４（ａ）に示すように、支持基板２を用意する。支持基板２としては、金属箔または金属薄板が用いられ、その金属材料としては、特に制限されないが、例えば、ステンレス、４２アロイ、アルミニウム、銅−ベリリウム、りん青銅などが用いられる。剛性、耐食性および加工性の観点から、好ましくは、ステンレス箔が用いられる。また、支持基板２の厚さは、例えば、１０〜１００μｍ、好ましくは、１８〜３０μｍであり、その幅は、例えば、５０〜５００ｍｍ、好ましくは、１２５〜３００ｍｍである。

次いで、この方法では、図４（ｂ）に示すように、支持基板２の上に、ベース絶縁層３を、所定のパターンで形成する。
ベース絶縁層３を形成するための絶縁材料としては、特に制限されないが、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの合成樹脂が用いられる。これらのうち、好ましくは、耐熱性および耐薬品性の観点から、ポリイミド樹脂が用いられる。また、好ましくは、パターンの微細加工の容易性の観点から、感光性樹脂が用いられ、さらに好ましくは、感光性ポリイミド樹脂（感光性ポリアミック酸樹脂）が用いられる。

ベース絶縁層３を形成するには、例えば、感光性樹脂（感光性ポリアミック酸樹脂）のワニスを、支持基板２の全面に塗工した後、フォトマスクを介して露光し、続いて、現像することにより、導体パターン４が形成される部分、すなわち、各磁気ヘッド側端子８、各配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄおよび各中継側端子９（すなわち、端子配置部７）が形成される部分を含む所定のパターンに形成する。そして、ワニスを乾燥後、加熱により硬化させれば、所定のパターンのベース絶縁層３が形成される。

また、ベース絶縁層３の厚みは、例えば、５〜２０μｍ、好ましくは、７〜１５μｍである。
次に、この方法では、図４（ｃ）に示すように、ベース絶縁層３の上に、導体パターン４を形成する。導体パターン４を形成するための導体材料としては、特に制限されないが、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などが用いられ、導電性、廉価性および加工性の観点から、好ましくは、銅が用いられる。

また、導体パターン４を形成するには、特に制限されず、例えば、アディティブ法やサブトラクティブ法など、公知のパターンニング法が用いられる。
すなわち、アディティブ法では、まず、ベース絶縁層３の全面に、種膜となる金属薄膜を形成する。金属薄膜は、クロム、ニッケル、銅およびこれらの合金などから、スパッタリング法などの薄膜形成法により形成する。次いで、その金属薄膜の表面に、導体パターン４の反転パターンで、めっきレジストを形成する。めっきレジストは、ドライフィルムレジストなどを用いて、公知の方法により形成する。その後、めっきレジストから露出するベース絶縁層３の表面に、導体パターン４を形成する。導体パターン４は、例えば、電解めっき、好ましくは、電解銅めっきにより形成する。その後、めっきレジストをエッチングまたは剥離により除去し、導体パターン４から露出する金属薄膜を、エッチングにより除去する。

また、サブトラクティブ法では、まず、ベース絶縁層４の全面に、必要により接着剤層を介して、銅箔などの金属箔を積層する。次いで、その金属箔の表面に、導体パターン４に対応するパターンで、エッチングレジストを形成する。エッチングレジストは、ドライフィルムレジストなどを用いて、公知の方法により形成する。その後、エッチングレジストから露出する金属箔をエッチングした後、エッチングレジストをエッチングまたは剥離により除去する。

これによって、導体パターン４として、図１に示すように、複数の配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ、各磁気ヘッド側端子８および各中継側端子部９が一体的に形成される。
導体パターン４の厚さは、例えば、３〜３０μｍ、好ましくは、８〜１８μｍであり、各配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄの幅は、例えば、５〜５００μｍ、好ましくは、１０〜２００μｍであり、各配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ間の間隔は、例えば、５〜５００μｍ、好ましくは、１０〜２００μｍである。

また、各中継側端子９の厚みは、例えば、０．１〜２０μｍであり、端子部側切欠部１０の開口幅Ｗ１（図２参照）は、例えば、４０〜１０００μｍであり、切欠深さＤ１（図２参照）は、２０〜５００μｍである。また、各中継側端子９間の間隔Ｓ（図１参照）は、例えば、０．１５〜０．４５μｍである。
次に、この方法では、図４（ｄ）に示すように、導体パターン４を被覆するように、ベース絶縁層３の上に、カバー絶縁層５を形成する。

カバー絶縁層５を形成するための絶縁材料としては、特に制限されないが、例えば、ベース絶縁層１と同様の合成樹脂が用いられ、好ましくは、感光性樹脂が用いられ、さらに好ましくは、感光性ポリイミド樹脂（感光性ポリアミック酸樹脂）が用いられる。
カバー絶縁層５を形成するには、例えば、感光性樹脂（感光性ポリアミック酸樹脂）のワニスを、導体パターン４を被覆するように、ベース絶縁層３の全面に塗工した後、フォトマスクを介して露光し、続いて、現像することにより、各配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄが被覆され、その各配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄの両端部において、各磁気ヘッド側端子８および各中継側端子９に対応する部分が開口される所定のパターンに形成する。そして、ワニスを乾燥後、加熱により硬化させれば、各配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄが被覆され、各磁気ヘッド側端子８および各中継側端子９が露出する所定のパターンのカバー絶縁層５が形成される。

また、カバー絶縁層５の厚みは、例えば、５〜２０μｍ、好ましくは、７〜１５μｍである。
次に、この方法では、図４（ｅ）に示すように、支持基板２に、各支持基板側切欠部１３を形成する。各支持基板側切欠部１３の形成は、化学エッチングなどの公知の方法が用いられる。なお、各支持基板側切欠部１３の形成においては、磁気ヘッド搭載部６の切り抜きや回路付サスペンション基板１の外形加工を同時にすることもできる。また、各支持基板側切欠部１３の開口幅Ｗ３（図２参照）は、例えば、２５０〜１０００μｍであり、切欠深さＤ３（図２参照）は、１５０〜８００μｍである。

その後、この方法では、図４（ｆ）に示すように、支持基板２の各支持基板側切欠部１３から露出するベース絶縁層３に、各ベース絶縁層側切欠部１２を形成する。各ベース絶縁層側切欠部１２の形成は、化学エッチングなどの公知の方法が用いられる。また、各ベース絶縁層側切欠部１２の開口幅Ｗ２（図２参照）は、例えば、２５０〜９００μｍであり、切欠深さＤ２（図２参照）は、９５〜６３０μｍである。

これによって、各中継側端子９では、図２に示すように、回路付サスペンション基板１の底面において、端子部側切欠部１０が、５０〜２００μｍの帯幅Ｗ４の略円弧形状として露出され、ベース絶縁層側切欠部１２が、露出する端子部側切欠部１０を囲むように、１００〜５００μｍの帯幅Ｗ５の略円弧形状として露出される。
このように、露出する端子部側切欠部１０と支持基板２との間に、ベース絶縁層側切欠部１２を露出させることで、各中継側端子９の支持基板２を介した短絡を防止することができる。

なお、各磁気ヘッド側端子８および各中継側端子９には、その表面に、例えば、無電解めっきなどによって、はんだや金からなるめっき層を形成する。めっき層の厚みは、例えば、０．１〜２０μｍである。
そして、このように得られた回路付サスペンション基板１では、各中継側端子９には端子部側切欠部１０が、ベース絶縁層３にはベース絶縁層側切欠部１２が、支持基板２には各支持基板側切欠部１３が、それぞれ形成されている。そのため、後述するように、この回路付サスペンション基板１と接続する中継フレキシブル配線回路基板２１のサスペンション側端子２６のバンプ２９を、端子部側切欠部１０に受け入れさせれば、回路付サスペンション基板１と中継フレキシブル配線回路基板２１とを、これらが互いに直交する方向で接続することができる。その結果、小型化を図りつつ、簡易な構成によって、中継フレキシブル配線回路基板２１に対して直交する方向において、精度のよい接続を確保することができる。

また、回路付サスペンション基板１では、支持基板２が設けられており、これによって、剛性の向上を図ることができる。また、支持基板２には、支持基板側切欠部１３が形成されているので、上記した直交方向における回路付サスペンション基板１および中継フレキシブル配線回路基板２１の接続が阻害されることがなく、回路付サスペンション基板１を、中継フレキシブル配線回路基板２１に対して直交する方向において、円滑に接続することができる。

なお、上記の説明では、中継側端子９の端子部側切欠部１０、および、それに対応するベース絶縁層側切欠部１２および支持基板側切欠部１３を、略半円弧状、つまり、略半円の切欠形状に形成したが、その切欠形状は、特に制限されず、例えば、略楕円、略Ｖ字状、略Ｕ字状などの凹みであれば、その目的および用途に応じて、適宜選択することができる。次に述べる中継フレキシブル配線回路基板２１のサスペンション端子２６に形成されるバンプ２９を食い込ませることが容易な、略半円、略楕円が好適である。

また、ベース絶縁層側切欠部１２は、例えば、上記したように、後工程でエッチングによって形成する以外に、ベース絶縁層３の形成時に形成しておくこともできる。
図５は、本発明の第２配線回路基板の一実施形態としての中継フレキシブル配線回路基板を示す概略平面図である。
図５において、この中継フレキシブル配線回路基板２１は、図示しないプリアンプＩＣを実装して、磁気ヘッドからのリード・ライト信号を、そのプリアンプＩＣで増幅して、各種制御デバイスに伝達するものであり、回路付サスペンション基板１と接続するための導体パターン２３が一体的に形成されている。

この中継フレキシブル配線回路基板２１は、第２ベース絶縁層としてのベース絶縁層２２が形成されており、そのベース絶縁層２２の上に、第２導体パターンとしての導体パターン２３が形成されている。なお、図５では省略しているが、ベース絶縁層２２の上に、導体パターン２３を被覆するように、第２カバー絶縁層としてのカバー絶縁層２４（図６参照）が形成されている。

ベース絶縁層２２は、可撓性を有し、長手方向に延びる帯状のフィルムから形成されている。
導体パターン２３は、複数の配線２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄと、第２端子部としてのサスペンション側端子２６と、外部側端子２７と、プリアンプＩＣ端子２８とを一体的に備えている。複数の配線２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄは、ベース絶縁層２２の長手方向に沿って延び、その幅方向において、互いに間隔を隔てて並列配置されている。

サスペンション側端子２６は、中継フレキシブル配線回路基板２１の先端部に配置され、各配線２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄに対応して、それぞれ設けられている。各サスペンション側端子２６は、各配線２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄの先端部から連続して一体的に形成されており、中継フレキシブル配線回路基板２１の幅方向に沿って、互いに間隔を隔てて配置されている。各サスペンション側端子２６は、後述するが、回路付サスペンション基板１の各中継側端子９と、バンプ２９を介して接続される（図７参照）。

外部側端子２７は、中継フレキシブル配線回路基板２１の後端部に配置され、各配線２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄに対応して、それぞれ設けられている。各外部側端子２７は、各配線２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄの後端部から連続して一体的に形成されており、中継フレキシブル配線回路基板２１の幅方向に沿って、互いに間隔を隔てて配置されている。各外部側端子２７は、各種の制御デバイスと接続される。

プリアンプＩＣ端子２８は、中継フレキシブル配線回路基板２１の長手方向途中に設けられるプリアンプＩＣ搭載部２５に配置され、各配線２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄに対応して、それぞれ設けられている。各プリアンプＩＣ端子２８は、プリアンプＩＣと接続するために、各配線２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄにおいて、その長手方向途中を分断して、長手方向に間隔を隔てて１対として対向配置されている。

カバー絶縁層５は、図５に示されていないが、ベース絶縁層３の上に、各配線２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄを被覆し、かつ、各サスペンション側端子２６、各外部側端子２７および各プリアンプＩＣ端子２８が露出するような、所定のパターンとして形成されている。
次に、この中継フレキシブル配線回路基板２１の製造方法を、図６を参照しつつ説明する。なお、図６では、図１の中継フレキシブル配線回路基板２１の長手方向に沿う断面図として示している。

この方法では、まず、図６（ａ）に示すように、ベース絶縁層２２を用意する。ベース絶縁層２２を形成するための絶縁材料としては、特に制限されないが、例えば、上記した回路付サスペンション基板１のベース絶縁層３と同様の合成樹脂が用いられる。好ましくは、ポリイミド樹脂が用いられる。
また、ベース絶縁層２２の厚みは、例えば、５〜５０μｍ、好ましくは、１０〜２５μｍである。

次いで、図６（ｂ）に示すように、ベース絶縁層２２の上に、導体パターン２３を形成する。導体パターン２３を形成するための導体材料としては、特に制限されないが、例えば、回路付サスペンション基板１の導体パターン２３と同様の金属が用いられる。
また、導体パターン２３を形成するには、特に制限されず、例えば、アディティブ法やサブトラクティブ法など、公知のパターンニング法が用いられる。

例えば、サブトラクティブ法において、ベース絶縁層２２の全面に、接着剤層（図示せず。）を介して金属箔を積層し、あるいは、ベース絶縁層２２に金属箔が積層された市販の二層基材を用意して、その金属箔の表面に、導体パターン２３に対応するパターンで、エッチングレジストを形成し、その後、エッチングレジストから露出する金属箔をエッチングした後、エッチングレジストを剥離により除去する。

なお、接着剤層は、エポキシ系接着剤、ポリイミド系接着剤などからなり、その厚みが、例えば、５〜５０μｍである。
これによって、導体パターン２３として、図５に示すように、各配線２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄ、各サスペンション側端子２６、各外部側端子２７および各プリアンプＩＣ端子２８が一体的に形成される。

導体パターン２３の厚さは、例えば、５〜５０μｍ、好ましくは、８〜１８μｍであり、各配線２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄの幅は、例えば、５〜５００μｍ、好ましくは、１０〜２００μｍであり、各配線２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄ間の間隔は、例えば、５〜５００μｍ、好ましくは、１０〜２００μｍである。
また、各サスペンション側端子２６は、例えば、４０〜１０００μｍ□で形成される。

次に、この方法では、図６（ｃ）に示すように、導体パターン２３を被覆するように、ベース絶縁層２２の上に、カバー絶縁層２４を形成する。
カバー絶縁層２４を形成するための絶縁材料としては、特に制限されないが、例えば、ベース絶縁層２２と同様の合成樹脂が用いられ、好ましくは、ポリイミド樹脂が用いられる。

カバー絶縁層２４を形成するには、例えば、予め各サスペンション側端子２６、各外部側端子２７および各プリアンプＩＣ端子２８に対向する部分が開口されているフィルムを用意して、そのフィルムを、接着剤層を介して、ベース絶縁層３の上に貼着する。これによって、各配線２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄが被覆され、各サスペンション側端子２６、各外部側端子２７および各プリアンプＩＣ端子２８が露出する所定のパターンとしてのカバー絶縁層２４が形成される。

また、カバー絶縁層２４の厚みは、例えば、４〜５０μｍ、好ましくは、５〜２５μｍである。
次に、この方法では、図６（ｄ）に示すように、各サスペンション側端子２６および各外部側端子２７に、溶融金属からなるバンプ２９を形成する。溶融金属としては、特に制限されないが、製造効率およびコストの観点より、例えば、Ｓｎ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ｂｉ系、Ｓｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｐｂ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系などのＳｎ合金（はんだ合金）が用いられる。バンプ２９は、公知の方法により、好ましくは、略半球形状（図７参照）に形成する。この場合、バンプ２９の高さは、好ましくは、２０〜５００μｍであり、底面が、好ましくは、４０〜１０００μｍφである。

なお、各プリアンプＩＣ端子２８には、その表面に、例えば、無電解めっきによって、厚み１〜５μｍのニッケルめっき層や、厚み０．１〜３μｍの金めっき層などからなるめっき層３０を、単独または積層にて形成する。
さらに、各サスペンション側端子２６、各外部側端子２７および各プリアンプＩＣ端子２８に対応するベース絶縁層２２の裏面（ベース絶縁層２２における導体パターン２３が形成されている表面と反対側の裏面）には、図示しないが、例えば、金属箔などからなる補強板を、必要により接着剤層を介して貼着することもできる。

そして、このようにして得られた中継フレキシブル配線回路基板２１は、図７および図８が参照されるように、回路付サスペンション基板１と、直交する方向において、接続される。（なお、中継フレキシブル配線回路基板２１と回路付サスペンション基板１とを接続するときには、回路付サスペンション基板１の各磁気ヘッド側端子８には、図示しない磁気ヘッドが実装され、中継フレキシブル配線回路基板２１のプリアンプＩＣ端子２８には、図示しないプリアンプＩＣが実装されている。）
すなわち、図７に示すように、これらの接続は、まず、回路付サスペンション基板１の各中継側端子９と、中継フレキシブル配線回路基板２１の各サスペンション側端子２６とを、回路付サスペンション基板１と中継フレキシブル配線回路基板２１とが直交するような状態で対向させて、図８に示すように、各中継側端子９の端子部側切欠部１０に、各サスペンション側端子２６のバンプ２９を、回路付サスペンション基板１の幅方向内方に向けて受け入れさせることにより、各中継側端子９の端子部側切欠部１０に、各サスペンション側端子２６のバンプ２９を嵌合させる。これによって、各中継側端子９と各サスペンション側端子２６とが電気的に接続される。そして、このように接続された状態では、回路付サスペンション基板１と中継フレキシブル配線回路基板２１とが、互いに約９０°の角度で直角状に配置される。

回路付サスペンション基板１と中継フレキシブル配線回路基板２１とを、このように接続すると、たとえば、回路付サスペンション基板１の端子配置部７を、機械加工により直角に折り曲げて、各中継側端子９を支持基板２の表面に対して直交配置した後、その直交配置された各中継側端子９に、中継フレキシブル配線回路基板２１の各サスペンション側端子２６を側方から接続しなくても、各中継側端子９の端子部側切欠部１０に、各サスペンション側端子２６のバンプ２９を嵌合させるのみで、簡易な構成により、作業効率よく、回路付サスペンション基板１と中継フレキシブル配線回路基板２１とを直交配置した状態で接続することができる。

また、上記の接続においては、図９に示すように、回路付サスペンション基板１において、互いに隣接する各中継側端子９の間に対応する支持基板２に、その端縁から、回路付サスペンション基板１の幅方向外方に突出する突出部３１を形成し、一方、中継フレキシブル配線回路基板２１において、互いに隣接する各サスペンション側端子２６の間には、ベース絶縁層２２を厚み方向に貫通し、回路付サスペンション基板１を位置決めするための位置決め孔３２を形成して、図１０に示すように、各突出部３１を各位置決め孔３２に嵌合させれば、上記した直交方向において、回路付サスペンション基板１と中継フレキシブル配線回路基板２１との精度のよい相対配置を確保することができる。そのため、各中継側端子９と各サスペンション側端子２６との接続信頼性の向上を図ることができる。

突出部３１は、支持基板２から連続して設けられており、端子配置部７における回路付サスペンション基板１の幅方向端縁において、各中継側端子９の間から幅方向外方に向かって略矩形板状に突出するように、それぞれ形成されている。
各突出部３１は、例えば、図４（ｅ）に示す工程において、支持基板２に各支持基板側切欠部１３を形成するとともに、回路付サスペンション基板１を外形加工するときに、同時に形成することができる。

また、各突出部３１は、例えば、その厚みが１０〜５０μｍで、幅Ｗ６が３０〜１００μｍ、突出長さＬが１０〜１００μｍとして形成する。
なお、各突出部３１にも、カバー絶縁層３、導体パターン４およびカバー絶縁層５を形成することができる。
このような突出部３１を形成することで、その突出部３１を位置決め孔３２に対して位置決めさせることで、上記した直交方向において、回路付サスペンション基板１の中継フレキシブル配線回路基板２１に対する精度のよい相対配置を確保することができる。

また、位置決め孔３２は、互いに隣接する各サスペンション側端子２６の間に、ベース絶縁層２２の厚み方向に貫通する略矩形孔として、それぞれ形成されている。
各位置決め孔３２は、ベース絶縁層２２を所定のパターンで形成する場合には、そのパターンと同時に形成することができる。また、予めフィルムとして用意される場合には、レーザ加工やパンチ加工などの穿孔加工により形成することができる。

また、各位置決め孔３２は、例えば、その幅Ｗ７が３０〜１００μｍ、奥行きＤ４が２０〜１００μｍとして形成する。幅Ｗ７が１００μｍを超えると、各配線２３の間隔が広くなり、微細なパターン形成が困難になる場合がある。
このような位置決め孔３２を形成することで、この位置決め孔３２において、突出部３１を位置決めすれば、中継フレキシブル配線回路基板２１の回路付サスペンション基板１に対する精度のよい相対配置を確保することができる。

以下、実施例および比較例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。
実施例１（回路付サスペンション基板の製造）
厚み２５μｍのステンレス箔からなる支持基板を用意して（図４（ａ）参照）、その支持基板の上に、厚み１０μｍのポリイミド樹脂からなるベース絶縁層を所定のパターンで形成した（図４（ｂ）参照）。

ベース絶縁層は、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを、支持基板の全面に塗工した後、フォトマスクを介して露光し、続いて、現像することにより、導体パターンが形成される部分を含む所定のパターンに形成した後、そのワニスを乾燥後、加熱により硬化させることにより形成した。
次に、複数の配線、各磁気ヘッド側端子および各中継側端子部を一体的に備える導体パターンを、アディティブ法により形成した（図４（ｃ）参照）。

なお、アディティブ法では、まず、ベース絶縁層の全面に金属薄膜を形成した後、その金属薄膜の上に、厚み２０μｍのめっきレジストを、導体パターンの反転パターンで形成し、その後、電解銅めっきにより、厚み１０μｍの銅からなる導体パターンを形成した。その後、水酸化ナトリウム水溶液によりめっきレジストを除去し、さらに、導体パターンから露出する金属薄膜をウェットエッチングにより除去した。

なお、この導体パターンの形成では、各中継側端子部に、開口幅４５０μｍ、切欠深さ４５０μｍの端子部側切欠部を形成した。
その後、導体パターンを被覆するように、ベース絶縁層の上に、厚み４μｍのポリイミド樹脂からなるカバー絶縁層を形成した（図４（ｄ）参照）。
カバー絶縁層は、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを、導体パターンを被覆するように、ベース絶縁層の全面に塗工した後、フォトマスクを介して露光し、続いて、現像することにより、各配線が被覆され、その各配線の両端部において、各磁気ヘッド側端子および各中継側端子に対応する部分が開口される所定のパターンに形成した後、ワニスを乾燥後、加熱により硬化させることにより、各配線が被覆され、各磁気ヘッド側端子および各中継側端子が露出する所定のパターンとして形成した。

次に、支持基板に、開口幅５５０μｍ、切欠深さ５５０μｍの各支持基板側切欠部を、塩化第二鉄水溶液を用いて化学エッチングにより形成した後（図４（ｅ）参照）、ベース絶縁層に、開口幅３５０μｍ、切欠深さ３５０μｍの各ベース絶縁層側切欠部を、アルカリ水溶液を用いて化学エッチングにより形成した（図４（ｆ）参照）。
その後、各磁気ヘッド側端子および各中継側端子部に、厚み３μｍのニッケルめっき層と、厚み１μｍの金めっき層とを、無電解めっきにより順次形成し、これによって、回路付サスペンション基板を得た。

実施例２（中継フレキシブル配線回路基板の製造）
厚み１２．５μｍのポリイミド樹脂フィルムからなるベース絶縁層を用意し（図６（ａ）参照）、そのベース絶縁層の全面に、厚み１５μｍのエポキシ系接着剤を塗工して接着剤層を形成した後、その接着剤層を介して、ベース絶縁層に、厚みの１８μｍの圧延銅箔を貼着した。

次いで、銅箔の表面に、厚み１０μｍのエッチングレジストを、導体パターンに対応するパターンで形成し、その後、エッチングレジストから露出する銅箔を、塩化第二鉄水溶液を用いてエッチングした後、エッチングレジストを剥離により除去した。これによってベース絶縁層の上に、各配線、各サスペンション側端子、各外部側端子および各プリアンプＩＣ端子を一体的に備えるの導体パターンを形成した（図６（ｂ）参照）。

次いで、導体パターンを被覆するように、ベース絶縁層の上に、カバー絶縁層を形成した（図６（ｃ）参照）。
カバー絶縁層は、予め各サスペンション側端子、各外部側端子および各プリアンプＩＣ端子に対向する部分が開口されている厚み１２．５μｍのポリイミド樹脂フィルムに、厚み１５μｍのエポキシ系接着剤を塗工して接着剤層を形成した後、その接着剤層を介して、ベース絶縁層に、各配線が被覆され、各サスペンション側端子、各外部側端子および各プリアンプＩＣ端子が露出する所定のパターンとして形成した。

その後、各サスペンション側端子および各外部側端子に、クリームはんだを用いて、底面が６００μｍφ、高さが３００μｍの略半球状のバンプを形成した（図６（ｄ）参照）。その後、各サスペンション側端子、各外部側端子および各プリアンプＩＣ端子に対応するベース絶縁層の裏面に、厚み２５μｍの接着剤層を介して厚み３００μｍのアルミニウム補強板を貼着した。これによって、中継フレキシブル配線回路基板を得た。

実施例３（接続構造）
実施例１の回路付サスペンション基板の各中継側端子と、実施例２の中継フレキシブル配線回路基板の各サスペンション側端子とを、回路付サスペンション基板と中継フレキシブル配線回路基板とが直交するような状態で対向させて、各中継側端子の端子部側切欠部に、各サスペンション側端子のバンプを、回路付サスペンション基板の幅方向内方に向けて受け入れさせることにより、各中継側端子の端子部側切欠部に、各サスペンション側端子のバンプを嵌合させた。これによって、各中継側端子と各サスペンション側端子とが電気的に接続された。

実施例４（回路付サスペンション基板の製造）
支持基板に、各支持基板側切欠部を形成するときに、互いに隣接する各中継側端子の間に対応する端縁から、回路付サスペンション基板の幅方向外方に突出する突出部が形成されるように、化学エッチングした以外は、実施例１と同様の方法により、回路付サスペンション基板を得た。なお、各突出部は、その幅を８０μｍ、突出長さを５０μｍとして形成した。

実施例５（中継フレキシブル配線回路基板の製造）
補強板を貼着した後、ＹＡＧレーザ加工により、互いに隣接する各サスペンション側端子の間に、ベース絶縁層を厚み方向に貫通する位置決め孔を形成した以外は、実施例２と同様の方法により、回路付サスペンション基板を得た。
なお、各位置決め孔は、その幅を８０μｍ、奥行きを４０μｍとして形成した。

実施例６（接続構造）
実施例４の回路付サスペンション基板の各中継側端子と、実施例５の中継フレキシブル配線回路基板の各サスペンション側端子とを、回路付サスペンション基板と中継フレキシブル配線回路基板とが直交するような状態で対向させて、各突出部を各位置決め孔に差し込むと同時に、各中継側端子の端子部側切欠部に、各サスペンション側端子のバンプを、回路付サスペンション基板の幅方向内方に向けて受け入れさせることにより、各中継側端子の端子部側切欠部に、各サスペンション側端子のバンプを嵌合させた。これによって、各中継側端子と各サスペンション側端子とが電気的に接続された。

本発明の第１配線回路基板の一実施形態としての回路付サスペンション基板を示す概略平面図である。 図１に示す回路付サスペンション基板の要部底面図である。 図１のＡ−Ａ線断面図である。 図１に示す回路付サスペンション基板の製造方法を示す製造工程図であって、（ａ）は、支持基板を用意する工程、（ｂ）は、支持基板の上に、ベース絶縁層を形成する工程、（ｃ）は、ベース絶縁層の上に、導体パターンを形成する工程、（ｄ）は、導体パターンを被覆するように、ベース絶縁層の上にカバー絶縁層を形成する工程、（ｅ）は、支持基板に、各支持基板側切欠部を形成する工程、（ｆ）は、ベース絶縁層に、各ベース絶縁層側切欠部を形成する工程を示す。 本発明の第２配線回路基板の一実施形態としての中継フレキシブル配線回路基板を示す概略平面図である。 図５に示す中継フレキシブル配線回路基板の製造方法を示す製造工程図であって、（ａ）は、ベース絶縁層を用意する工程、（ｂ）は、ベース絶縁層の上に、導体パターンを形成する工程、（ｃ）は、導体パターンを被覆するように、ベース絶縁層の上にカバー絶縁層を形成する工程、（ｅ）は、各サスペンション側端子および各外部側端子に、バンプを形成する工程を示す。 図１に示す回路付サスペンション基板と、図５に示す中継フレキシブル配線回路基板との接続を説明するための要部斜視図である。 図１に示す回路付サスペンション基板と、図５に示す中継フレキシブル配線回路基板との接続状態を示す要部断面図である。 回路付サスペンション基板の他の実施形態と、中継フレキシブル配線回路基板の他の実施形態との接続を説明するための要部斜視図である。 回路付サスペンション基板の他の実施形態と、中継フレキシブル配線回路基板他の実施形態との接続状態を示す要部断面図である。

符号の説明

１ 回路付サスペンション基板
２ 支持基板
３ ベース絶縁層
４ 導体パターン
９ 中継側端子
１０ 端子部側切欠部
１１ 切欠領域
１２ ベース絶縁層側切欠部
１３ 支持基板側切欠部
２１ 中継フレキシブル配線回路基板
２２ ベース絶縁層
２３ 導体パターン
２４ カバー絶縁層
２６ サスペンション側端子
２９ バンプ
３１ 突出部
３２ 位置決め孔

Claims (3)

1. 第１ベース絶縁層と、
   前記第１ベース絶縁層の上に形成され、前記第１ベース絶縁層の端縁が延びる方向に沿って間隔を隔てて設けられる複数の第１端子部を含む第１導体パターンと、
   前記第１ベース絶縁層において、前記第１導体パターンが形成されている表面と反対側の裏面に設けられる金属支持層とを備える第１配線回路基板であって、
   前記第１端子部には、前記第１配線回路基板の端縁に沿って配置され、前記第１端子部の端縁から、前記第１端子部の厚み方向と直交する方向に沿って切り欠かれる端子部側切欠部が形成されており、
   前記第１ベース絶縁層には、各前記第１端子部に対応して、前記端子部側切欠部によって囲まれる切欠領域に対応する部分が、前記第１端子部を前記厚み方向から露出させるように、前記端子部側切欠部の開口幅よりも広い開口幅で切り欠かれるベース絶縁層側切欠部が形成されており、
   前記金属支持層には、各前記第１端子部に対応して、前記切欠領域に対応する部分が、前記第１端子部を前記厚み方向から露出させるように、前記ベース絶縁層側切欠部の開口幅よりも広い開口幅で切り欠かれる金属支持層側切欠部が形成されていることを特徴とする、第１配線回路基板。
2. 互いに隣接する各前記第１端子部の間に対応する前記金属支持層には、その端縁から、前記金属支持層の厚み方向と直交する方向に沿って突出する突出部が形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の第１配線回路基板。
3. 請求項２に記載の第１配線回路基板、および、
   第２ベース絶縁層と、前記第２ベース絶縁層の上に互いに間隔を隔てて複数形成され、前記第１配線回路基板の第１端子部と接続するための第２端子部を含む第２導体パターンとを備える第２配線回路基板を備え、
   前記第２配線回路基板には、互いに隣接する各前記第２端子部の間において、前記第２ベース絶縁層を厚み方向に貫通し、前記第１配線回路基板を位置決めするための位置決め孔が形成されており、
   前記第１配線回路基板の前記突出部が、前記第２配線回路基板の前記位置決め孔に嵌合されていることを特徴とする、配線回路基板の接続構造。

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