JP4091938B2 - 配線回路基板の製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、配線回路基板の製造方法、詳しくは、溶融金属を介して外部端子と接続される端子部を備える配線回路基板の製造方法に関する。
配線回路基板には、通常、外部端子と接続するための端子部が、導体パターンの一部として設けられている。
このような端子部に、外部端子を接続するには、例えば、はんだボールなどの溶融金属が用いられており、端子部の表面に、はんだボールを設置して、これを溶融することにより、外部端子と接続するようにしている。
しかし、端子部の表面が平坦であると、はんだボールが転がるため、例えば、基板上に形成された電極（端子部）の中央部に空洞部を設けて、はんだボールを安定して搭載できるようにすることが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
特開平１１−２６６０６６号公報
しかるに、特許文献１に記載される電極は、リング状に形成され、そのリング状に形成される電極の中央部に、空洞部が形成されているが、その空洞部の下端からは、基板が露出しており、つまり、空洞部は、基板によって閉塞されている。
一方、電極を外部端子と接続するときには、はんだボールを電極と外部端子との間に挟むようにして、その基板と外部基板とを対向配置する必要がある。しかし、基板と外部基板とを対向配置したときには、空洞部が基板によって閉塞されているため、はんだボールが基板で隠れて、電極の空洞部に正確に設置されているか否かを、確認することができないという不具合がある。
本発明の目的は、溶融金属を端子部に確実に配置して、外部端子と精度よく接続することのできる端子部を備える、配線回路基板の製造方法を提供することにある。
上記の目的を達成するため、本発明の配線回路基板の製造方法は、絶縁層を、前記絶縁層の厚さ方向を貫通する第２の孔が形成されるパターンで形成する工程と、前記絶縁層を形成する工程の後に、前記絶縁層の上に、溶融金属を介して外部端子と接続するために、前記絶縁層の側端部の上面と側面とに連続して形成され、前記第２の孔に対応して上面から下側に向かって凹む段部を含む端子部、および、前記第２の孔に連通するように前記端子部の厚さ方向を貫通する、前記第２の孔より小さい第１の孔、を有するパターンで導体パターンを形成する工程とを備えていることを特徴としている。
本発明の配線回路基板の製造方法によれば、端子部には、溶融金属が充填される第１の孔が形成されており、絶縁層には、第１の孔に連通する第２の孔が形成されている。そのため、端子部と外部端子との接続においては、第１の孔および第２の孔から溶融金属または外部端子の配置を確認しながら、端子部と外部端子とを接続することができる。その結果、溶融金属を端子部に確実に配置して、外部端子と精度よく接続することができる。
図１は、本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態または参考実施形態（第１参考実施形態および第２参考実施形態）により得られる回路付サスペンション基板を示す斜視図である。
図１において、この回路付サスペンション基板１は、ハードディスクドライブの磁気ヘッド（図示せず）を実装して、その磁気ヘッドを、磁気ヘッドと磁気ディスクとが相対的に走行する時の空気流に抗して、磁気ディスクとの間に微小な間隔を保持しながら支持するものであり、磁気ヘッドと、リード・ライト基板とを接続するための導体パターン４が一体的に形成されている。
この回路付サスペンション基板１は、金属支持層としての支持基板２の上に、絶縁層としてのベース絶縁層３が形成されており、そのベース絶縁層３の上に、導体パターン４が形成されている。
支持基板２は、長手方向に延びる薄板からなり、その先端部には、磁気ヘッドを実装するためのジンバル５が形成されており、また、その後端部には、後述する各外部側接続端子８を、支持基板２の長手方向に沿って配置するための端子配置部６が、幅方向（支持基板２の長手方向に直交する方向）の一方側に膨出するように形成されている。
ベース絶縁層３は、支持基板２における導体パターン４が形成される部分を含んで、所定のパターンとして形成されている。
導体パターン４は、複数の配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄと、磁気ヘッド側接続端子７と、端子部としての外部側接続端子８とを一体的に備えている。複数の配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄは、支持基板２の長手方向に沿って延び、その幅方向において、互いに間隔を隔てて並列配置されている。
磁気ヘッド側接続端子７は、支持基板２の先端部に配置され、各配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄに対応して、それぞれ設けられている。各磁気ヘッド側接続端子７は、各配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄの先端部から連続して一体的に形成されており、支持基板２の幅方向に沿って、互いに間隔を隔てて配置されている。この磁気ヘッド側接続端子７には、磁気ヘッド（図示せず。）が実装される。
外部側接続端子８は、支持基板２の後端部であって、端子配置部６に配置され、各配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄに対応して、それぞれ設けられている。各外部側接続端子８は、各配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄの後端部から連続して一体的に形成されており、支持基板２の長手方向に沿って、互いに間隔を隔てて配置されている。この外部側接続端子８には、外部端子としてのリード・ライト基板の接続端子（図示せず。）と、溶融金属としてのはんだボール２１（図６参照）を介して接続される。
また、各外部側接続端子８は、平面視略正方形状をなし、溶融したはんだボール２１が充填される平面視円形状の第１の孔としての第１貫通孔９が、各外部側接続端子８の厚さ方向を貫通するように、それぞれ形成されている（図６参照）。
また、各外部側接続端子８に対応するベース絶縁層３には、各第１貫通孔９に連通する第２の孔としての第２貫通孔１９が、第１貫通孔９よりも大きい平面視円形状で、ベース絶縁層３の厚さ方向を貫通するように、それぞれ形成されている。
さらに、各第２貫通孔１９に対応する支持基板２には、各第２貫通孔１９に連通する第３の孔としての第３貫通孔２０が、第２貫通孔１９よりも大きい平面視円形状で、支持基板２の厚さ方向を貫通するように、それぞれ形成されている。
なお、図１においては、図示されていないが、ベース絶縁層３の上には、導体パターン４を被覆するように、カバー絶縁層１０（図２（ｄ）参照）が、所定のパターンとして形成されている。
次に、後述する本発明の配線回路基板の製造方法に関して参考となる第１参考実施形態としての回路付サスペンション基板１の製造方法を、図２〜図５を参照しつつ説明する。なお、図２〜図５では、支持基板２の端子配置部６を、支持基板２の長手方向に沿う断面として示している。
この方法では、まず、図２（ａ）に示すように、支持基板２を用意する。支持基板２としては、金属箔または金属薄板が用いられ、その金属としては、例えば、ステンレス、４２アロイ、アルミニウム、銅−ベリリウム、りん青銅などが用いられる。剛性、耐食性および加工性の観点から、好ましくは、スレンレス箔が用いられる。また、支持基板２の厚さは、例えば、１０〜１００μｍ、好ましくは、１８〜３０μｍであり、その幅は、例えば、５０〜５００ｍｍ、好ましくは、１２５〜３００ｍｍである。
次いで、この方法では、図２（ｂ）に示すように、支持基板２の上に、ベース絶縁層３を、所定のパターンで形成する。
ベース絶縁層３を形成するための絶縁材料としては、特に制限されないが、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの合成樹脂が用いられる。これらのうち、好ましくは、耐熱性および耐薬品性の観点から、ポリイミド樹脂が用いられる。また、好ましくは、パターンの微細加工の容易性の観点から、感光性の合成樹脂が用いられ、さらに好ましくは、感光性ポリイミド樹脂が用いられる。
そして、例えば、感光性ポリイミド樹脂を用いて、支持基板２の上に、ベース絶縁層３を所定のパターンで形成する場合には、まず、図３（ａ）に示すように、感光性ポリイミド樹脂の前駆体（感光性ポリアミック酸樹脂）の溶液を、支持基板２の全面に塗工した後、例えば、６０〜１５０℃、好ましくは、８０〜１２０℃で加熱して、感光性ポリイミド樹脂の前駆体の皮膜１１を形成する。
次に、図３（ｂ）に示すように、その皮膜１１を、フォトマスク１２を介して露光する。フォトマスク１２は、遮光部分１２ａおよび光全透過部分１２ｂを所定のパターンで備えている。
そして、支持基板２におけるベース絶縁層３を形成しない部分には、遮光部分１２ａが対向し、支持基板２におけるベース絶縁層３を形成する部分には、光全透過部分１２ｂが対向するように、フォトマスク１２を皮膜１１に対して対向配置する。
また、フォトマスク１２を介して照射する光（照射線）は、その露光波長が、例えば、３００〜４５０ｎｍ、好ましくは、３５０〜４２０ｎｍであり、その露光積算光量が、例えば、１００〜２０００ｍＪ／ｃｍ2である。
次いで、図３（ｃ）に示すように、露光された皮膜１１を、必要により所定温度に加熱した後、現像する。照射された皮膜１１の露光部分は、例えば、１３０℃以上１５０℃未満で加熱することにより、次の現像において可溶化（ポジ型）し、また、例えば、１５０℃以上２００℃以下で加熱することにより、次の現像において不溶化（ネガ型）する。
また、現像には、例えば、アルカリ現像液などの公知の現像液を用いて、浸漬法やスプレー法などの公知の方法が用いられる。なお、この方法においては、ネガ型でパターンを形成することが好ましく、図３においては、ネガ型でパターンを形成している。
この現像により、皮膜１１は、フォトマスク１２の遮光部分１２ａが対向していた周縁部が溶解して、支持基板２の周縁部が露出されるような、所定のパターンに形成される。
そして、図３（ｄ）に示すように、所定のパターンに形成された皮膜１１を、例えば、最終的に２５０℃以上に加熱することによって、硬化（イミド化）させる。これによって、ポリイミド樹脂からなるベース絶縁層３が、支持基板２の周縁部が露出されるような、所定のパターンとして形成される。
なお、感光性の合成樹脂を用いない場合には、例えば、支持基板２の上に、合成樹脂を、上記のパターンで塗工するか、あるいは、予め上記のパターンに加工されたドライフィルムを、必要により接着剤層を介して貼着する。
また、このようにして形成されるベース絶縁層３の厚さは、例えば、５〜２０μｍ、好ましくは、７〜１５μｍである。
次いで、この方法では、図２（ｃ）に示すように、導体パターン４を形成する。導体パターン４を形成するための導体材料としては、特に制限されないが、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などが用いられ、導電性、廉価性および加工性の観点から、好ましくは、銅が用いられる。
また、導体パターン４の形成は、サブトラクティブ法やアディティブ法などの公知のパターンニング法が用いられる。導体パターン４を、ファインピッチで微細に形成するには、好ましくは、アディティブ法が用いられる。
アディティブ法では、まず、図４（ａ）に示すように、ベース絶縁層３から露出する支持基板２の表面と、ベース絶縁層３の全面とに、種膜として、金属薄膜１４を形成する。金属薄膜１４を形成するための金属材料としては、例えば、クロム、ニッケル、銅およびこれらの合金などが用いられる。また、金属薄膜１４の形成は、特に制限されないが、例えば、スパッタリング法などの真空蒸着法が用いられる。金属薄膜１４の厚さは、例えば、１００〜２０００Åである。また、金属薄膜１４は、例えば、クロム薄膜と銅薄膜とを順次スパッタリング法により形成するなど、多層で形成することもできる。
次いで、アディティブ法では、図４（ｂ）に示すように、金属薄膜１４の表面に、めっきレジスト１５を、導体パターン４の反転パターンで形成する。より具体的には、めっきレジスト１５は、金属薄膜１４の表面に、複数の配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ、各磁気ヘッド側接続端子部７および各外部側接続端子部８に対応する部分の金属薄膜１４が露出するように形成される。
めっきレジスト１５は、例えば、ドライフィルムレジストなどを用いて、公知の方法により、上記した導体パターン４の反転パターンとして形成する。
次いで、アディティブ法では、図４（ｃ）に示すように、めっきレジスト１５から露出する金属薄膜１４の表面に、導体パターン４を形成する。導体パターン４の形成は、特に制限されないが、例えば、電解めっき、好ましくは、電解銅めっきが用いられる。
その後、図４（ｄ）に示すように、めっきレジスト１５を除去する。めっきレジスト１５の除去は、例えば、化学エッチング（ウェットエッチング）などの公知のエッチング法を用いるか、または、剥離する。
そして、図４（ｅ）に示すように、導体パターン４から露出する金属薄膜１４を除去する。金属薄膜１４の除去は、例えば、化学エッチング（ウェットエッチング）する。
これによって、導体パターン４として、図１に示すように、複数の配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ、各磁気ヘッド側接続端子部７および各外部側接続端子部８が一体的に形成される。なお、図１および図２では、図４で示す金属薄膜１４が省略されている。
導体パターン４の厚さは、例えば、５〜２０μｍ、好ましくは、７〜１５μｍであり、各配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄの幅は、例えば、５〜５００μｍ、好ましくは、１０〜２００μｍであり、各配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ間の間隔は、例えば、５〜５００μｍ、好ましくは、１０〜２００μｍである。
また、各外部側接続端子部８の幅（支持基板２の長手方向に沿う方向のカバー絶縁層１０から露出する部分の幅）Ｗ１（図６参照）は、例えば、１００〜１１００μｍ、好ましくは、１４０〜５４０μｍであり、各外部側接続端子部８間の間隔Ｗ２（図６参照）は、例えば、５０〜１５００μｍ、好ましくは、２００〜８００μｍである。
また、各外部側接続端子部８は、上記したように、外形が平面視略正方形状であって、その中央部に、平面視円形状の第１貫通孔９が、それぞれ形成されている。第１貫通孔９の直径Ｄ１（図６参照）は、例えば、５０〜１０００μｍ、好ましくは、１００〜５００μｍである。
なお、導体パターン４の表面には、その後に、無電解ニッケルめっきにより、ニッケルめっき層（図示せず。）を形成して、導体パターン４を保護することが好適である。
次いで、この方法では、図２（ｄ）に示すように、ベース絶縁層３の上に、導体パターン４のうち、各配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄが被覆され、かつ、各磁気ヘッド側接続端子部７および各外部側接続端子部８が露出されるように、カバー絶縁層１０を所定のパターンで形成する。
カバー絶縁層１０を形成するための絶縁材料としては、ベース絶縁層３と同様の絶縁材料が用いられ、好ましくは、感光性ポリイミド樹脂が用いられる。
そして、例えば、感光性ポリイミド樹脂を用いて、ベース絶縁層３の上に、カバー絶縁層１０を所定のパターンで形成する場合には、まず、図５（ａ）に示すように、感光性ポリイミド樹脂の前駆体（感光性ポリアミック酸樹脂）の溶液を、導体パターン４を含むベース絶縁層３および支持基板２の全面に塗工した後、例えば、６０〜１５０℃、好ましくは、８０〜１２０℃で加熱して、感光性ポリイミド樹脂の前駆体の皮膜１６を形成する。
次に、図５（ｂ）に示すように、その皮膜１６を、フォトマスク１７を介して露光する。フォトマスク１７は、遮光部分１７ａおよび光全透過部分１７ｂを所定のパターンで備えている。
そして、支持基板２におけるベース絶縁層３が形成されていない部分、各磁気ヘッド側接続端子部７および各外部側接続端子部８に対応する部分には、遮光部分１７ａが対向し、各配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄを含むベース絶縁層３におけるカバー絶縁層１０を形成する部分には、光全透過部分１７ｂが対向するように、フォトマスク１７を皮膜１６に対して対向配置する。次いで、上記した皮膜１１の露光と同様に、露光する。
次いで、図５（ｃ）に示すように、露光された皮膜１６を、上記した皮膜１１の現像と同様に、現像する。なお、図５においては、ネガ型でパターンを形成している。
この現像により、皮膜１６は、フォトマスク１６の遮光部分１７ａが対向していた支持基板２におけるベース絶縁層３が形成されていない部分、各磁気ヘッド側接続端子部７および各外部側接続端子部８に対応する部分が溶解して、支持基板２の周縁部、各磁気ヘッド側接続端子部７および各外部側接続端子部８が露出する所定のパターンに形成される。
そして、図５（ｄ）に示すように、所定のパターンに形成された皮膜１６を、例えば、最終的に２５０℃以上に加熱することによって、硬化（イミド化）させる。これによって、ポリイミド樹脂からなるカバー絶縁層１０が、各配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄが被覆され、かつ、各磁気ヘッド側接続端子部７および各外部側接続端子部８が露出されるような、所定のパターンとして形成される。
なお、感光性の合成樹脂を用いない場合には、例えば、ベース絶縁層３の上に、合成樹脂を、上記のパターンで塗工するか、あるいは、予め上記のパターンに加工されたドライフィルムを、必要により接着剤層を介して貼着する。
なお、カバー絶縁層１０の厚さは、例えば、１〜３０μｍ、好ましくは、２〜２０μｍである。
その後、この方法では、図２（ｅ）に示すように、各外部側接続端子８に対応する支持基板２に、各第１貫通孔９に対応する（第１貫通孔９と中心が共通する）第３貫通孔２０を、支持基板２の厚さ方向を貫通するように形成する。各第３貫通孔２０の形成は、特に制限されないが、例えば、化学エッチング、ドリル加工、レーザ加工などが用いられる。好ましくは、化学エッチングが用いられる。第３貫通孔２０の直径Ｄ３（図６参照）は、例えば、１５０〜１２００μｍ、好ましくは、１８０〜６００μｍである。なお、図２（ｅ）において、各第１貫通孔９に対応する第３貫通孔２０を形成することなく、各第１貫通孔９を含むように開口部を形成してもよい。
さらに、この方法では、図２（ｆ）に示すように、各外部側接続端子８に対応し、各第３貫通孔２０から露出するベース絶縁層３に、各第１貫通孔９に対応する（第１貫通孔９と中心が共通する）第２貫通孔１９を、ベース絶縁層３の厚さ方向を貫通するように形成する。各第２貫通孔１９の形成は、特に制限されないが、例えば、化学エッチング、ドリル加工、レーザ加工などが用いられる。好ましくは、化学エッチングが用いられる。第２貫通孔１９の直径Ｄ２（図６参照）は、例えば、１００〜１１００μｍ、好ましくは、１４０〜５４０μｍである。
その後、この方法では、図２（ｇ）に示すように、各磁気ヘッド側接続端子部７および各外部側接続端子部８に、これらの表面を被覆保護するためのめっき層１８を形成する。めっき層１８を形成するためのめっき材料は、特に制限されず、例えば、ニッケルや金などが用いられる。
また、めっき層１８の形成は、例えば、電解めっきまたは無電解めっきが用いられる。また、めっき層１８は、ニッケルおよび金を順次めっきすることにより、多層として形成することもできる。めっき層１８の厚さは、例えば、ニッケルめっき層である場合には、例えば、０．５〜５μｍ、金めっき層である場合には、例えば、０．０５〜３μｍである。
そして、支持基板２を、化学エッチングなど公知の方法によって、ジンバル５の切り抜きとともに、外形加工し、洗浄および乾燥することにより、図１に示すような回路付サスペンション基板１を得る。なお、支持基板２の外形加工は、めっき層１８の形成前にすることもできる。
このようにして得られる回路付サスペンション基板１では、各外部側接続端子部８には、図６に示すように、第１貫通孔９が形成されており、ベース絶縁層３には、第１貫通孔９に連通し、第１貫通孔９より大きい第２貫通孔１９が形成されており、さらに、支持基板２には、第２貫通孔１９に連通し、第２貫通孔１９より大きい第３貫通孔２０が形成されている。
そのため、各外部側接続端子部８を、外部回路２２の各外部端子２３と、はんだボール２１を介して接続するときに、はんだボール２１を外部端子２３の上に載置して、その上から、回路付サスペンション基板１を配置しても、第１貫通孔９から、第２貫通孔１９および第３貫通孔２０を介して、そのはんだボール２１を、回路付サスペンション基板１の上方から確認することができる。
その結果、各外部側接続端子部８と各外部端子２３との接続においては、第１貫通孔９、第２貫通孔１９および第３貫通孔２０からはんだボール２１が正確に配置されているか否かを確認しながら、各外部側接続端子部８と各外部端子２３とを接続することができる。従って、はんだボール２１を各外部側接続端子部８に確実に配置して、各外部端子２３と精度よく接続することができる。
なお、はんだボール２１による接続は、特に制限されず、例えば、搬送によるリフロー、あるいは、レーザの熱による溶融などによって、はんだボール２１を溶融させる。
また、図６に示す接続方法では、外部端子２３の上にはんだボール２１を載置して、回路付サスペンション基板１を、支持基板２が下方でカバー絶縁層１０が上方となるように配置して、外部側接続端子部８と外部端子２３との間に、はんだボール２１を挟んだが、例えば、図７に示すように、外部端子２３の上にはんだボール２１を載置して、回路付サスペンション基板１を、カバー絶縁層１０が下方で支持基板２が上方となるように配置して、外部側接続端子部８と外部端子２３との間に、はんだボール２１を挟むようにすることもできる。
さらには、この回路付サスペンション基板１では、各外部側接続端子部８において、第１貫通孔９、第２貫通孔１９および第３貫通孔２０が、回路付サスペンション基板１の厚さ方向を貫通しているので、図８に示すように、外部端子２３に対して、支持基板２が下方でカバー絶縁層１０が上方となるように、外部側接続端子部８を対向配置して、その外部側接続端子部８の上から、はんだボール２１を溶融して落下させることにより、各外部側接続端子部８と各外部端子２３とを接続することもできる。
この場合にも、第１貫通孔９、第２貫通孔１９および第３貫通孔２０から、外部端子２３が正確に配置されているか否かを確認しながら、各外部側接続端子部８と各外部端子２３とを接続することができる。従って、はんだボール２１を各外部側接続端子部８に確実に配置して、各外部端子２３と精度よく接続することができる。
また、この場合にも、図９に示すように、外部端子２３に対して、カバー絶縁層１０が下方で支持基板２が上方となるように、外部側接続端子部８を対向配置して、その外部側接続端子部８の上から、はんだボール２１を溶融して落下させるようにすることもできる。
また、上記の製造方法に代替して、図１０〜図１３に示す後述する本発明の配線回路基板の製造方法に関して参考となる第２参考実施形態のように、ベース絶縁層３における第２貫通孔１９の形成部分の厚みを薄く形成すれば、製造効率の向上を図ることができる。なお、図１０〜図１３では、支持基板２の端子配置部６を、支持基板２の長手方向に沿う断面として示している。
すなわち、この方法では、まず、図１０（ａ）に示すように、支持基板２を用意した後、図１０（ｂ）に示すように、その支持基板２の上に、ベース絶縁層３を、各外部側接続端子部８の第２貫通孔１９の形成部分に対応して、凹部１３が形成される所定のパターンで形成する。支持基板２およびベース絶縁層３としては、上記と同様のものが用いられる。
そして、例えば、感光性ポリイミド樹脂を用いて、支持基板２の上に、ベース絶縁層３を所定のパターンで形成する場合には、まず、図１１（ａ）に示すように、感光性ポリイミド樹脂の前駆体（感光性ポリアミック酸樹脂）の溶液から、上記と同様に皮膜１１を形成した後、図１１（ｂ）に示すように、その皮膜１１を、フォトマスク２７を介して露光する。フォトマスク２７は、遮光部分２７ａ、光全透過部分２７ｂおよび光半透過部分２７ｃを所定のパターンで備えている。なお、光半透過部分２７ｃは、光を、全透過１００％に対して１０〜９０％の範囲、好ましくは、３０〜６０％の範囲から適宜選択された透過率で透過させる。
そして、支持基板２におけるベース絶縁層３を形成しない部分には、遮光部分２７ａが対向し、支持基板２におけるベース絶縁層３を形成する部分には、光全透過部分２７ｂが対向し、さらには、各凹部１３を形成する部分には、光半透過部分２７ｃが対向するように、フォトマスク２７を皮膜１１に対して対向配置し、上記と同様に露光する。
次いで、図１１（ｃ）に示すように、露光された皮膜１１を、上記と同様に現像する。この現像により、皮膜１１は、フォトマスク２７の遮光部分２７ａが対向していた周縁部が溶解して、支持基板２の周縁部が露出し、かつ、フォトマスク２７の光半透過部分２７ｃが対向していた凹部１３を形成する部分が一部溶解して、その部分の厚さが、光全透過部分２７ｂが対向していた部分の厚さよりも、薄く形成されるように、所定のパターンに形成される。
そして、図１１（ｄ）に示すように、所定のパターンに形成された皮膜１１を、例えば、最終的に２５０℃以上に加熱することによって、硬化（イミド化）させる。これによって、ポリイミド樹脂からなるベース絶縁層３が、支持基板２の周縁部が露出し、かつ、各外部側接続端子８の第２貫通孔１９の形成部分には、その他の部分よりも厚さが薄くなる凹部１３が形成されるような、所定のパターンとして形成される。なお、凹部１３は、より具体的には、ベース絶縁層３のその他の部分の厚みに対して、１０〜５０％の厚みで、平面視略円形状に形成される。
次いで、この方法では、図１０（ｃ）に示すように、上記と同様に、導体パターン４を形成する。例えば、アディティブ法では、まず、図１２（ａ）に示すように、上記と同様に、ベース絶縁層３から露出する支持基板２の表面と、ベース絶縁層３の全面とに、種膜として、金属薄膜１４を形成した後、図１２（ｂ）に示すように、金属薄膜１４の表面に、めっきレジスト１５を、導体パターン４の反転パターンで形成する。次いで、図１２（ｃ）に示すように、上記と同様に、めっきレジスト１５から露出する金属薄膜１４の表面に、導体パターン４を形成した後、図１２（ｄ）に示すように、めっきレジスト１５を除去し、続いて、図１２（ｅ）に示すように、導体パターン４から露出する金属薄膜１４を除去する。
これによって、導体パターン４として、図１に示すように、複数の配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ、各磁気ヘッド側接続端子部７および各外部側接続端子部８が一体的に形成される。なお、図１および図１０では、図１２で示す金属薄膜１４が省略されている。
また、各外部側接続端子部８においては、ベース絶縁層３の凹部１３に対応して、第１貫通孔９の開口部分に、環状の段部２６が形成される。
次いで、この方法では、図１０（ｄ）に示すように、ベース絶縁層３の上に、導体パターン４のうち、各配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄが被覆され、かつ、各磁気ヘッド側接続端子部７および各外部側接続端子部８が露出されるように、カバー絶縁層１０を所定のパターンで形成する。カバー絶縁層１０としては、上記と同様のものが用いられる。
そして、例えば、感光性ポリイミド樹脂を用いて、ベース絶縁層３の上に、カバー絶縁層１０を所定のパターンで形成する場合には、まず、図１３（ａ）に示すように、感光性ポリイミド樹脂の前駆体（感光性ポリアミック酸樹脂）の溶液から、上記と同様に皮膜１６を形成した後、図１３（ｂ）に示すように、その皮膜１６を、上記と同様にフォトマスク１７を介して露光し、図１３（ｃ）に示すように、露光された皮膜１６を、上記した皮膜１１の現像と同様に、現像する。そして、図１３（ｄ）に示すように、所定のパターンに形成された皮膜１６を、上記と同様に硬化（イミド化）させる。これによって、ポリイミド樹脂からなるカバー絶縁層１０が、各配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄが被覆され、かつ、各磁気ヘッド側接続端子部７および各外部側接続端子部８が露出されるような、所定のパターンとして形成される。
その後、図１０（ｅ）に示すように、上記と同様に、各外部側接続端子８に対応する支持基板２に、第３貫通孔２０を形成した後、図１０（ｆ）に示すように、上記と同様に、各外部側接続端子８に対応して、各第３貫通孔２０から露出するベース絶縁層３において、各凹部１３を除去することにより、第２貫通孔１９を形成する。第２貫通孔１９の形成においては、各凹部１３の厚みが、ベース絶縁層３の各凹部１３以外の厚みよりも、薄いことから、その分、除去時間（例えば、エッチング時間など）を短くすることができる。そのため、製造効率よく回路付サスペンション基板１を製造することができる。
その後、図１０（ｇ）に示すように、各磁気ヘッド側接続端子部７および各外部側接続端子部８に、上記と同様に、これらの表面を被覆保護するためのめっき層１８を形成した後、支持基板２を、化学エッチングなど公知の方法によって、ジンバル５の切り抜きとともに、外形加工し、洗浄および乾燥することにより、図１に示すような回路付サスペンション基板１を得る。なお、各外部側接続端子部８の要部断面図を、図１４に示す。
また、上記の方法に代替して、図１５〜図１８に示す本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態のように、ステンレス基板２の上に導体パターン４を形成すれば、ベース絶縁層３のエッチングが不要になり、製造工程を短縮することができる。なお、図１５〜図１８では、支持基板２の端子配置部６を、支持基板２の長手方向に沿う断面として示している。
すなわち、この方法では、まず、図１５（ａ）に示すように、支持基板２を用意した後、図１５（ｂ）に示すように、その支持基板２の上に、ベース絶縁層３を、第２貫通孔１９が形成される所定のパターンで形成する。支持基板２およびベース絶縁層３としては、上記と同様のものが用いられる。
例えば、感光性ポリイミド樹脂を用いて、支持基板２の上に、ベース絶縁層３を所定のパターンで形成する場合には、まず、図１６（ａ）に示すように、感光性ポリイミド樹脂の前駆体（感光性ポリアミック酸樹脂）の溶液から、上記と同様に皮膜１１を形成した後、図１６（ｂ）に示すように、その皮膜１１を、フォトマスク２８を介して露光する。フォトマスク２８は、遮光部分２８ａおよび光全透過部分２８ｂを備えており、支持基板２におけるベース絶縁層３を形成しない部分（支持基板２の周縁部および各外部側接続端子８の第２貫通孔１９の形成部分）には、遮光部分２８ａが対向し、支持基板２におけるベース絶縁層３を形成する部分には、光全透過部分２８ｂが対向するように対向配置する。
次いで、図１６（ｃ）に示すように、露光された皮膜１１を、上記と同様に現像する。この現像により、皮膜１１は、フォトマスク２８の遮光部分２８ａが対向していた周縁部および各外部側接続端子８の第２貫通孔１９の形成部分が溶解して、支持基板２の周縁部および支持基板２における第２貫通孔１９が露出されるような、所定パターンに形成される。
そして、図１６（ｄ）に示すように、所定のパターンに形成された皮膜１１を、例えば、最終的に２５０℃以上に加熱することによって、硬化（イミド化）させる。これによって、ポリイミド樹脂からなるベース絶縁層３が、支持基板２の周縁部および支持基板２における第２貫通孔１９が露出されるような、所定パターンとして形成される。
次いで、この方法では、図１５（ｃ）に示すように、上記と同様に、導体パターン４を形成する。例えば、アディティブ法では、まず、図１７（ａ）に示すように、上記と同様に、ベース絶縁層３から露出する支持基板２の表面と、ベース絶縁層３の全面とに、種膜として、金属薄膜１４を形成した後、図１７（ｂ）に示すように、金属薄膜１４の表面に、めっきレジスト１５を、導体パターン４の反転パターンで形成する。次いで、図１７（ｃ）に示すように、上記と同様に、めっきレジスト１５から露出する金属薄膜１４の表面に、導体パターン４を形成した後、図１７（ｄ）に示すように、めっきレジスト１５を除去し、続いて、図１７（ｅ）に示すように、導体パターン４から露出する金属薄膜１４を除去する。
これによって、導体パターン４として、図１に示すように、複数の配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ、各磁気ヘッド側接続端子部７および各外部側接続端子部８が一体的に形成される。なお、図１および図１５では、図１７で示す金属薄膜１４が省略されている。
また、各外部側接続端子部８においては、ベース絶縁層３が形成されていない部分に対応して、第１貫通孔９の開口部分に、環状の段部２６が形成される。
次いで、この方法では、図１５（ｄ）に示すように、ベース絶縁層３の上に、導体パターン４のうち、各配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄが被覆され、かつ、各磁気ヘッド側接続端子部７および各外部側接続端子部８が露出されるように、カバー絶縁層１０を所定のパターンで形成する。カバー絶縁層１０としては、上記と同様のものが用いられる。
例えば、感光性ポリイミド樹脂を用いて、ベース絶縁層３の上に、カバー絶縁層１０を所定のパターンで形成する場合には、まず、図１８（ａ）に示すように、感光性ポリイミド樹脂の前駆体（感光性ポリアミック酸樹脂）の溶液から、上記と同様に皮膜１６を形成した後、図１８（ｂ）に示すように、その皮膜１６を、上記と同様にフォトマスク１７を介して露光し、図１８（ｃ）に示すように、露光された皮膜１６を、上記した皮膜１１の現像と同様に、現像する。そして、図１８（ｄ）に示すように、所定のパターンに形成された皮膜１６を、上記と同様に硬化（イミド化）させる。これによって、ポリイミド樹脂からなるカバー絶縁層１０が、各配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄが被覆され、かつ、各磁気ヘッド側接続端子部７および各外部側接続端子部８が露出されるような、所定のパターンとして形成される。
その後、図１５（ｅ）に示すように、上記と同様に、各外部側接続端子８に対応する支持基板２に、第３貫通孔２０を形成する。
その後、図１５（ｆ）に示すように、各磁気ヘッド側接続端子部７および各外部側接続端子８に、上記と同様に、これらの表面を被覆保護するためのめっき層１８を形成した後、支持基板２を、化学エッチングなど公知の方法によって、ジンバルの切り抜きとともに、外形加工し、洗浄および乾燥することにより、図１に示すような回路付きサスペンション基板１を得る。なお、各外部側接続端子部の要部断面図を、図１９に示す。
なお、上記の説明では、各外部側接続端子８を平面視略正方形状に形成し、各第１貫通孔９、各第２貫通孔１９および各第３貫通孔２０を、平面視略円形状に形成したが、これら各外部側接続端子８と、各第１貫通孔９、各第２貫通孔１９および各第３貫通孔２０との形状は、特に制限されず、目的および用途によって適宜選択することができる。例えば、各第１貫通孔９、各第２貫通孔１９および各第３貫通孔２０を平面視略矩形状に形成してもよく、その場合には、一辺の長さが、例えば、上記した各第１貫通孔９、各第２貫通孔１９および各第３貫通孔２０の直径の長さと同じに設定される。
また、上記の説明では、本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態、第１参考実施形態および第２参考実施形態により得られる配線回路基板を、回路付サスペンション基板１を例示して説明したが、本発明の配線回路基板の製造方法により得られる配線回路基板には、片面フレキシブル配線回路基板、両面フレキシブル配線回路基板、さらには、多層フレキシブル配線回路基板などが含まれる。
例えば、図２０には、そのような片面フレキシブル配線回路基板３１が例示されている。
図２０において、この片面フレキシブル配線回路基板３１では、ベース絶縁層３２と、そのベース絶縁層３２の上に、導体パターンと一体的に形成される複数の端子部３３が形成されており、さらに、導体パターンが被覆され、各端子部３３が露出するように、ベース絶縁層３２の上にカバー絶縁層３４が形成されている。
そして、この片面フレキシブル配線回路基板３１では、端子部３３には、その厚さ方向を貫通する第１貫通孔３５が形成され、ベース絶縁層３２には、第１貫通孔３５に連通するように、その厚さ方向を貫通する第２貫通孔３６が形成されている。また、端子部３３の表面には、めっき層３７が形成されている。
また、本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態である上記した回路付サスペンション基板１の製造方法は、工業的には、例えば、ロールツーロール法などの公知の方法により、製造することができる。
以下に参考実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら参考実施例および比較例に限定されることはない。
参考実施例１
幅３００ｍｍ、厚さ２５μｍのステンレス（ＳＵＳ３０４）箔からなる支持基板２を用意した（図２（ａ）参照）。
次いで、感光性ポリイミド樹脂の前駆体（感光性ポリアミック酸樹脂）の溶液を、支持基板２の全面に塗工した後、１２０℃で２分間加熱して、感光性ポリイミド樹脂の前駆体からなる皮膜１１を形成した（図３（ａ）参照）。
その後、支持基板２におけるベース絶縁層３を形成しない部分には、遮光部分１２ａが対向し、支持基板２におけるベース絶縁層３を形成する部分には、光全透過部分１２ｂが対向するように、フォトマスク１２を皮膜１１に対して対向配置し、皮膜１１を、紫外線（露光積算光量７２０ｍＪ／ｃｍ2）で露光した（図３（ｂ）参照）。
次いで、露光された皮膜１１を、露光後加熱（１６０℃、３分加熱）した後、アルカリ現像液で現像することにより、皮膜１１を、支持基板２の周縁部が露出する所定のパターンに形成した（図３（ｃ）参照）。その後、皮膜１１を４２０℃で加熱することによって、ポリイミド樹脂からなる厚さ１０μｍのベース絶縁層３を形成した（図３（ｄ）参照）。
そして、ベース絶縁層３から露出する支持基板２の表面と、ベース絶縁層３の全面とに、クロム薄膜と銅薄膜とを、スパッタリング法によって順次形成し、厚さ、３００〜１０００Åの金属薄膜１４を形成した（図４（ａ）参照）。その後、金属薄膜１４の表面に、ドライフィルムレジストを積層して、紫外線（露光積算光量２３５ｍＪ／ｃｍ2）で露光した後、アルカリ現像液で現像することにより、導体パターン４の反転パターンのめっきレジスト１５を、形成した（図４（ｂ）参照）。
次いで、めっきレジスト１５から露出する金属薄膜１４の表面に、電解銅めっきにより、厚さ１０μｍの導体パターン４を形成した後（図４（ｃ）参照）、めっきレジスト１５を剥離し（図４（ｄ）参照）、続いて、導体パターン４から露出する金属薄膜１４を、化学エッチングにより除去した（図４（ｅ）参照）。
これによって、導体パターン４として、複数の配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ、各磁気ヘッド側接続端子部７、および、各外部側接続端子部８が一体的に形成された。各外部側接続端子部８の幅は、４５０μｍであり、各外部側接続端子部８間の間隔は、３００μｍであった。また、各外部側接続端子部８には、第１貫通孔９が形成された。第１貫通孔９の直径は、１５０μｍであった。
次いで、導体パターン４の表面を、パラジウム液により活性化した後、その表面に、無電解ニッケルめっきにより、厚さ０．０５μｍのニッケルめっき層を形成した。その後、感光性ポリイミド樹脂の前駆体の溶液を、ニッケルめっき層およびベース絶縁層３の全面に塗工した後、１２０℃で２分間加熱して、感光性ポリイミド樹脂の前駆体からなる皮膜１６を形成した（図５（ａ）参照）。
その後、支持基板２におけるベース絶縁層３が形成されていない部分、各磁気ヘッド側接続端子部７および各外部側接続端子部８に対応する部分には、遮光部分１７ａが対向し、各配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄを含むベース絶縁層３におけるカバー絶縁層１０を形成する部分には、光全透過部分１７ｂが対向するように、フォトマスク１７を皮膜１６に対して対向配置し、皮膜１６を、紫外線（露光積算光量７２０ｍＪ／ｃｍ2）で露光した（図５（ｂ）参照）。
次いで、露光された皮膜１６を、露光後加熱（１６０℃、３分加熱）した後、アルカリ現像液で現像することにより、皮膜１６を、各配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄが被覆され、各磁気ヘッド側接続端子部７および各外部側接続端子部８が露出する所定のパターンに形成した（図５（ｃ）参照）。その後、皮膜１６を４２０℃で加熱することによって、ポリイミド樹脂からなる厚さ４μｍのカバー絶縁層１０を形成した（図５（ｄ）参照）。
次いで、ドライフィルムレジストを積層して、紫外線（露光積算光量１０５ｍＪ／ｃｍ2）で露光した後、アルカリ現像液で現像することにより、支持基板２における各第３貫通孔２０を形成する部分を除いて、回路付サスペンション基板１をドライフィルムレジストで被覆した後、支持基板２における各第３貫通孔２０を形成する部分を化学エッチングして、各第３貫通孔２０を形成した（図２（ｅ）参照）。
さらに、ベース絶縁層３における各第２貫通孔１９を形成する部分を、同様に化学エッチングして、各第２貫通孔１９を形成した（図２（ｆ）参照）。
次いで、各磁気ヘッド側接続端子部７および各外部側接続端子部８の表面のニッケルめっき層を化学エッチングにより除去した後、ドライフィルムレジストを積層して、紫外線（露光積算光量１０５ｍＪ／ｃｍ2）で露光した後、アルカリ現像液で現像することにより、回路付サスペンション基板１の外形をドライフィルムレジストで被覆し、次いで、支持基板２を塩化第二鉄溶液でエッチングして、ジンバル５を切り抜くとともに回路付サスペンション基板１の外形を加工した。
その後、各磁気ヘッド側接続端子部７および各外部側接続端子部８に、無電解ニッケルめっきと無電解金めっきにより、ニッケルめっき層および金めっき層からなる厚さ３μｍのめっき層１８を形成した（図２（ｇ）参照）。
参考実施例２
幅３００ｍｍ、厚さ２５μｍのステンレス（ＳＵＳ３０４）箔からなる支持基板２を用意した（図１０（ａ）参照）。
次いで、感光性ポリイミド樹脂の前駆体（感光性ポリアミック酸樹脂）の溶液を、支持基板２の全面に塗工した後、１２０℃で２分間加熱して、感光性ポリイミド樹脂の前駆体からなる皮膜１１を形成した（図１１（ａ）参照）。
その後、支持基板２におけるベース絶縁層３を形成しない部分には、遮光部分２７ａが対向し、支持基板２におけるベース絶縁層３を形成する部分には、光全透過部分２７ｂが対向し、さらには、各外部側接続端子８の第２貫通孔１９を形成する部分には、光半透過部分２７ｃが対向するように、フォトマスク２７を皮膜１１に対して対向配置し、皮膜１１を、紫外線（露光積算光量７２０ｍＪ／ｃｍ2）で露光した（図１１（ｂ）参照）。
次いで、露光された皮膜１１を、露光後加熱（１６０℃、３分加熱）した後、アルカリ現像液で現像することにより、皮膜１１を、支持基板２の周縁部が露出し、第２貫通孔１９を形成する部分がその他の部分の厚さよりも薄くなる所定のパターンに形成した（図１１（ｃ）参照）。その後、皮膜１１を４２０℃で加熱することによって、ポリイミド樹脂からなる厚さ１０μｍのベース絶縁層３を形成した（図１１（ｄ）参照）。
そして、ベース絶縁層３から露出する支持基板２の表面と、ベース絶縁層３の全面とに、クロム薄膜と銅薄膜とを、スパッタリング法によって順次形成し、厚さ、３００〜１０００Åの金属薄膜１４を形成した（図１２（ａ）参照）。その後、金属薄膜１４の表面に、ドライフィルムレジストを積層して、紫外線（露光積算光量２３５ｍＪ／ｃｍ2）で露光した後、アルカリ現像液で現像することにより、導体パターン４の反転パターンのめっきレジスト１５を、形成した（図１２（ｂ）参照）。
次いで、めっきレジスト１５から露出する金属薄膜１４の表面に、電解銅めっきにより、厚さ１０μｍの導体パターン４を形成した後（図１２（ｃ）参照）、めっきレジスト１５を剥離し（図１２（ｄ）参照）、続いて、導体パターン４から露出する金属薄膜１４を、化学エッチングにより除去した（図１２（ｅ）参照）。
これによって、導体パターン４として、複数の配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ、各磁気ヘッド側接続端子部７、および、各外部側接続端子部８が一体的に形成された。各外部側接続端子部８の幅は、４５０μｍであり、各外部側接続端子部８間の間隔は、３００μｍであった。また、各外部側接続端子部８には、第１貫通孔９および段部２６が形成された。第１貫通孔９の直径は、１５０μｍであった。
次いで、導体パターン４の表面を、パラジウム液により活性化した後、その表面に、無電解ニッケルめっきにより、厚さ０．０５μｍのニッケルめっき層を形成した。その後、感光性ポリイミド樹脂の前駆体の溶液を、ニッケルめっき層およびベース絶縁層３の全面に塗工した後、１２０℃で２分間加熱して、感光性ポリイミド樹脂の前駆体からなる皮膜１６を形成した（図１３（ａ）参照）。
その後、支持基板２におけるベース絶縁層３が形成されていない部分、各磁気ヘッド側接続端子部７および各外部側接続端子部８に対応する部分には、遮光部分１７ａが対向し、各配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄを含むベース絶縁層３におけるカバー絶縁層１０を形成する部分には、光全透過部分１７ｂが対向するように、フォトマスク１７を皮膜１６に対して対向配置し、皮膜１６を、紫外線（露光積算光量７２０ｍＪ／ｃｍ2）で露光した（図１３（ｂ）参照）。
次いで、露光された皮膜１６を、露光後加熱（１６０℃、３分加熱）した後、アルカリ現像液で現像することにより、皮膜１６を、各配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄが被覆され、各磁気ヘッド側接続端子部７および各外部側接続端子部８が露出する所定のパターンに形成した（図１３（ｃ）参照）。その後、皮膜１６を４２０℃で加熱することによって、ポリイミド樹脂からなる厚さ４μｍのカバー絶縁層１０を形成した（図１３（ｄ）参照）。
次いで、ドライフィルムレジストを積層して、紫外線（露光積算光量１０５ｍＪ／ｃｍ2）で露光した後、アルカリ現像液で現像することにより、支持基板２における各第３貫通孔２０を形成する部分を除いて、回路付サスペンション基板１をドライフィルムレジストで被覆した後、支持基板２における各第３貫通孔２０を形成する部分を化学エッチングして、各第３貫通孔２０を形成した（図１０（ｅ）参照）。
さらに、ベース絶縁層３における各第２貫通孔１９を形成する部分を、同様に化学エッチングして、各第２貫通孔１９を形成した（図１０（ｆ）参照）。
次いで、各磁気ヘッド側接続端子部７および各外部側接続端子部８の表面のニッケルめっき層を化学エッチングにより除去した後、ドライフィルムレジストを積層して、紫外線（露光積算光量１０５ｍＪ／ｃｍ2）で露光した後、アルカリ現像液で現像することにより、回路付サスペンション基板１の外形をドライフィルムレジストで被覆し、次いで、支持基板２を塩化第二鉄溶液でエッチングして、ジンバル５を切り抜くとともに回路付サスペンション基板１の外形を加工した。
その後、各磁気ヘッド側接続端子部７および各外部側接続端子部８に、無電解ニッケルめっきと無電解金めっきにより、ニッケルめっき層および金めっき層からなる厚さ３μｍのめっき層１８を形成した（図１０（ｇ）参照）。
比較例１
幅３００ｍｍ、厚さ２５μｍのステンレス（ＳＵＳ３０４）箔からなる支持基板２を用意した（図２１（ａ）参照）。
次いで、参考実施例１と同様の方法によって、ポリイミド樹脂からなるベース絶縁層３を形成した（図２１（ｂ）参照）。
そして、参考実施例１と同様の方法によって、ベース絶縁層３の上に、複数の配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ、各磁気ヘッド側接続端子部７、および、各外部側接続端子部８を一体的に備える導体パターン４を形成した（図２１（ｃ）参照）。なお、各外部側接続端子部８には、参考実施例１と同様に、第１貫通孔９を形成した。
その後、参考実施例１と同様の方法によって、導体パターン４の表面に、厚さ０．０５μｍのニッケルめっき層を形成した後、ベース絶縁層３の上に、各配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄが被覆され、各磁気ヘッド側接続端子部７および各外部側接続端子部８が露出されるポリイミド樹脂からなるカバー絶縁層１０を形成した（図２１（ｄ）参照）。
次いで、参考実施例１と同様の方法によって、各磁気ヘッド側接続端子部７および各外部側接続端子部８の表面のニッケルめっき層を除去した後、ジンバル５を切り抜くとともに回路付サスペンション基板１の外形を加工し、その後、ニッケルめっき層および金めっき層からなるめっき層１８を形成した（図２１（ｅ）参照）。
比較例２
幅３００ｍｍ、厚さ２５μｍのステンレス（ＳＵＳ３０４）箔からなる支持基板２を用意した（図２２（ａ）参照）。
次いで、参考実施例１と同様の方法によって、ポリイミド樹脂からなるベース絶縁層３を形成した（図２２（ｂ）参照）。
そして、参考実施例１と同様の方法によって、ベース絶縁層３の上に、複数の配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ、各磁気ヘッド側接続端子部７、および、各外部側接続端子部８を一体的に備える導体パターン４を形成した（図２２（ｃ）参照）。なお、各外部側接続端子部８は、第１貫通孔９を形成することなく、均一な厚さで形成した。
その後、参考実施例１と同様の方法によって、導体パターン４の表面に、厚さ０．０５μｍのニッケルめっき層を形成した後、ベース絶縁層３の上に、各配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄが被覆され、各磁気ヘッド側接続端子部７および各外部側接続端子部８が露出されるポリイミド樹脂からなるカバー絶縁層１０を形成した（図２２（ｄ）参照）。
次いで、参考実施例１と同様の方法によって、各磁気ヘッド側接続端子部７および各外部側接続端子部８の表面のニッケルめっき層を除去した後、ジンバル５を切り抜くとともに回路付サスペンション基板１の外形を加工し、その後、ニッケルめっき層および金めっき層からなるめっき層１８を形成した（図２２（ｅ）参照）。
評価
参考実施例１、２および比較例１、２で得られた回路付サスペンション基板の各外部側接続端子部８と、リード・ライト基板の接続端子とを、はんだボール２１を介して接続した。参考実施例１、２の回路付サスペンション基板は、リード・ライト基板と確実に接続できた。しかし、比較例１の回路付サスペンション基板では、導通不良を生じ、また、比較例２の回路付サスペンション基板では、はんだボール２１が転がり落ちるなど、接続時の作業効率が不良であった。
本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態または参考実施形態により得られる回路付サスペンション基板を示す斜視図である。 本発明の配線回路基板の製造方法に関して参考となる第１参考実施形態を示す工程図であって、（ａ）は、支持基板を用意する工程、（ｂ）は、支持基板の上に、ベース絶縁層を所定のパターンで形成する工程、（ｃ）は、ベース絶縁層の上に、導体パターンを形成する工程、（ｄ）は、ベース絶縁層の上に、カバー絶縁層を所定のパターンで形成する工程、（ｅ）は、支持基板に、第３貫通孔を形成する工程、（ｆ）は、ベース絶縁層に、第２貫通孔を形成する工程、（ｇ）は、各磁気ヘッド側接続端子部および各外部側接続端子部に、めっき層を形成する工程を示す。 図２に示す支持基板の上にベース絶縁層を形成する工程の詳細の工程図であって、（ａ）は、支持基板の全面に、感光性ポリイミド樹脂の前駆体の皮膜を形成する工程、（ｂ）は、皮膜を、フォトマスクを介して露光する工程、（ｃ）は、皮膜を、現像する工程、（ｄ）は、皮膜を硬化させて、ポリイミド樹脂からなるベース絶縁層を形成する工程を示す。 図２に示すベース絶縁層の上に導体パターンを形成する工程の詳細の工程図であって、（ａ）は、ベース絶縁層から露出する支持基板の表面と、ベース絶縁層の全面とに、金属薄膜を形成する工程、（ｂ）は、金属薄膜の表面に、めっきレジストを導体パターンの反転パターンで形成する工程、（ｃ）は、めっきレジストから露出する金属薄膜の表面に、導体パターンを形成する工程、（ｄ）は、めっきレジストを除去する工程、（ｅ）は、導体パターンから露出する金属薄膜を除去する工程を示す。 図２に示すベース絶縁層の上にカバー絶縁層を所定のパターンで形成する工程の詳細の工程図であって、（ａ）は、導体パターンを含むベース絶縁層および支持基板の全面に、感光性ポリイミド樹脂の前駆体の皮膜を形成する工程、（ｂ）は、皮膜を、フォトマスクを介して露光する工程、（ｃ）は、皮膜を、現像する工程、（ｄ）は、皮膜を硬化させて、ポリイミド樹脂からなるカバー絶縁層を形成する工程を示す。 図１に示す回路付サスペンション基板（本発明の配線回路基板の製造方法の第１参考実施形態により得られる回路付サスペンション基板）の外部側接続端子部と、外部回路の外部端子とを接続する状態を説明するための要部断面図である。 図１に示す回路付サスペンション基板（本発明の配線回路基板の製造方法の第１参考実施形態により得られる回路付サスペンション基板）の外部側接続端子部と、外部回路の外部端子との接続状態を説明するための要部断面図（図６に対して回路付サスペンション基板が上下反対の態様）である。 図１に示す回路付サスペンション基板（本発明の配線回路基板の製造方法の第１参考実施形態により得られる回路付サスペンション基板）の外部側接続端子部と、外部回路の外部端子との接続状態を説明するための要部断面図（はんだボールを落下させる態様）である。 図１に示す回路付サスペンション基板（本発明の配線回路基板の製造方法の第１参考実施形態により得られる回路付サスペンション基板）の外部側接続端子部と、外部回路の外部端子との接続状態を説明するための要部断面図（図８に対して回路付サスペンション基板が上下反対の態様）である。 本発明の配線回路基板の製造方法に関して参考となる第２参考実施形態を示す工程図であって、（ａ）は、支持基板を用意する工程、（ｂ）は、支持基板の上に、ベース絶縁層を凹部が形成される所定のパターンで形成する工程、（ｃ）は、ベース絶縁層の上に、導体パターンを形成する工程、（ｄ）は、ベース絶縁層の上に、カバー絶縁層を所定のパターンで形成する工程、（ｅ）は、支持基板に、第３貫通孔を形成する工程、（ｆ）は、ベース絶縁層に、第２貫通孔を形成する工程、（ｇ）は、各磁気ヘッド側接続端子部および各外部側接続端子部に、めっき層を形成する工程を示す。 図１０に示す支持基板の上にベース絶縁層を形成する工程の詳細の工程図であって、（ａ）は、支持基板の全面に、感光性ポリイミド樹脂の前駆体の皮膜を形成する工程、（ｂ）は、皮膜を、フォトマスクを介して露光する工程、（ｃ）は、皮膜を、現像する工程、（ｄ）は、皮膜を硬化させて、ポリイミド樹脂からなる凹部が形成されるベース絶縁層を形成する工程を示す。 図１０に示すベース絶縁層の上に導体パターンを形成する工程の詳細の工程図であって、（ａ）は、ベース絶縁層から露出する支持基板の表面と、ベース絶縁層の全面とに、金属薄膜を形成する工程、（ｂ）は、金属薄膜の表面に、めっきレジストを導体パターンの反転パターンで形成する工程、（ｃ）は、めっきレジストから露出する金属薄膜の表面に、導体パターンを形成する工程、（ｄ）は、めっきレジストを除去する工程、（ｅ）は、導体パターンから露出する金属薄膜を除去する工程を示す。 図１０に示すベース絶縁層の上にカバー絶縁層を所定のパターンで形成する工程の詳細の工程図であって、（ａ）は、導体パターンを含むベース絶縁層および支持基板の全面に、感光性ポリイミド樹脂の前駆体の皮膜を形成する工程、（ｂ）は、皮膜を、フォトマスクを介して露光する工程、（ｃ）は、皮膜を、現像する工程、（ｄ）は、皮膜を硬化させて、ポリイミド樹脂からなるカバー絶縁層を形成する工程を示す。 図１に示す回路付サスペンション基板（本発明の配線回路基板の製造方法の第２参考実施形態により得られる回路付サスペンション基板）の外部側接続端子部の要部断面図である。 本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態を示す工程図であって、（ａ）は、支持基板を用意する工程、（ｂ）は、支持基板の上に、ベース絶縁層を第２貫通孔が形成される所定のパターンで形成する工程、（ｃ）は、ベース絶縁層および支持基板の上に、導体パターンを形成する工程、（ｄ）は、ベース絶縁層の上に、カバー絶縁層を所定のパターンで形成する工程、（ｅ）は、支持基板に、第３貫通孔を形成する工程、（ｆ）は、各磁気ヘッド側接続端子部および各外部側接続端子部に、めっき層を形成する工程を示す。 図１５に示す支持基板の上にベース絶縁層を形成する工程の詳細の工程図であって、（ａ）は、支持基板の全面に、感光性ポリイミド樹脂の前駆体の皮膜を形成する工程、（ｂ）は、皮膜を、フォトマスクを介して露光する工程、（ｃ）は、皮膜を、現像する工程、（ｄ）は、皮膜を硬化させて、第２貫通孔が形成されるベース絶縁層を形成する工程を示す。 図１５に示すベース絶縁層の上に導体パターンを形成する工程の詳細の工程図であって、（ａ）は、ベース絶縁層から露出する支持基板の表面と、ベース絶縁層の全面とに、金属薄膜を形成する工程、（ｂ）は、金属薄膜の表面に、めっきレジストを導体パターンの反転パターンで形成する工程、（ｃ）は、めっきレジストから露出する金属薄膜の表面に、導体パターンを形成する工程、（ｄ）は、めっきレジストを除去する工程、（ｅ）は、導体パターンから露出する金属薄膜を除去する工程を示す。 図１５に示すベース絶縁層の上にカバー絶縁層を所定のパターンで形成する工程の詳細の工程図であって、（ａ）は、導体パターンを含むベース絶縁層および支持基板の全面に、感光性ポリイミド樹脂の前駆体の皮膜を形成する工程、（ｂ）は、皮膜を、フォトマスクを介して露光する工程、（ｃ）は、皮膜を、現像する工程、（ｄ）は、皮膜を硬化させて、ポリイミド樹脂からなるカバー絶縁層を形成する工程を示す。 図１に示す回路付サスペンション基板（本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態により得られる回路付サスペンション基板）の外部側接続端子部の要部断面図である。 片面フレキシブル配線回路基板を示す断面図である。 比較例１の回路付サスペンション基板の製造方法を示す工程図であって、（ａ）は、支持基板を用意する工程、（ｂ）は、支持基板の上に、ベース絶縁層を所定のパターンで形成する工程、（ｃ）は、ベース絶縁層の上に、導体パターンを形成する工程、（ｄ）は、ベース絶縁層の上に、カバー絶縁層を所定のパターンで形成する工程、（ｅ）は、各磁気ヘッド側接続端子部および各外部側接続端子部に、めっき層を形成する工程を示す。 比較例２の回路付サスペンション基板の製造方法を示す工程図であって、（ａ）は、支持基板を用意する工程、（ｂ）は、支持基板の上に、ベース絶縁層を所定のパターンで形成する工程、（ｃ）は、ベース絶縁層の上に、導体パターンを形成する工程、（ｄ）は、ベース絶縁層の上に、カバー絶縁層を所定のパターンで形成する工程、（ｅ）は、各磁気ヘッド側接続端子部および各外部側接続端子部に、めっき層を形成する工程を示す。
符号の説明
１ 回路付サスペンション基板
２ 支持基板
３ ベース絶縁層
４ 導体パターン
８ 外部側接続端子部
９ 第１貫通孔
１９ 第２貫通孔
２０ 第３貫通孔
２１ はんだボール

Claims (1)

  1. 絶縁層を、前記絶縁層の厚さ方向を貫通する第２の孔が形成されるパターンで形成する工程と、
    前記絶縁層を形成する工程の後に、前記絶縁層の上に、溶融金属を介して外部端子と接続するために、前記絶縁層の側端部の上面と側面とに連続して形成され、前記第２の孔に対応して上面から下側に向かって凹む段部を含む端子部、および、前記第２の孔に連通するように前記端子部の厚さ方向を貫通する、前記第２の孔より小さい第１の孔、を有するパターンで導体パターンを形成する工程と
    を備えていることを特徴とする、配線回路基板の製造方法。
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