JP6169960B2 - 回路付サスペンション基板の製造方法 - Google Patents

回路付サスペンション基板の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6169960B2
JP6169960B2 JP2013251160A JP2013251160A JP6169960B2 JP 6169960 B2 JP6169960 B2 JP 6169960B2 JP 2013251160 A JP2013251160 A JP 2013251160A JP 2013251160 A JP2013251160 A JP 2013251160A JP 6169960 B2 JP6169960 B2 JP 6169960B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
opening
layer
terminal
base
electroless plating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2013251160A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2015109126A (ja
Inventor
浩之 田辺
浩之 田辺
金川 仁紀
仁紀 金川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
Priority to JP2013251160A priority Critical patent/JP6169960B2/ja
Priority to US14/558,070 priority patent/US9693467B2/en
Priority to CN201410734701.8A priority patent/CN104703400B/zh
Publication of JP2015109126A publication Critical patent/JP2015109126A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6169960B2 publication Critical patent/JP6169960B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4644Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
    • H05K3/4661Adding a circuit layer by direct wet plating, e.g. electroless plating; insulating materials adapted therefor
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/02Electroplating of selected surface areas
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/48Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
    • G11B5/4806Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed specially adapted for disk drive assemblies, e.g. assembly prior to operation, hard or flexible disk drives
    • G11B5/4873Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed specially adapted for disk drive assemblies, e.g. assembly prior to operation, hard or flexible disk drives the arm comprising piezoelectric or other actuators for adjustment of the arm
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/44Manufacturing insulated metal core circuits or other insulated electrically conductive core circuits
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/05Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
    • H05K1/056Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate the metal substrate being covered by an organic insulating layer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Adjustment Of The Magnetic Head Position Track Following On Tapes (AREA)
  • Supporting Of Heads In Record-Carrier Devices (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)
  • Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Description

本発明は、回路付サスペンション基板の製造方法、詳しくは、ハードディスクドライブに用いられる回路付サスペンション基板の製造方法に関する。
導体層の設計の自由度を高めるべく、金属支持基板の上に、第1ベース絶縁層、第1導体層、第2ベース絶縁層、第2導体層が順次積層された回路付サスペンション基板が知られている。このような回路付サスペンション基板では、例えば、第1導体層に含まれる素子側端子をピエゾ素子と電気的に接続するとともに、第2導体層に含まれるヘッド側端子を磁気ヘッドと電気的に接続して、その後、ハードディスクドライブに用いられる。
このような回路付サスペンション基板の製造方法として、以下の工程を備えることが提案されている(例えば、下記特許文献1参照)。
(1)第1開口部を有する第1ベース絶縁層を、金属支持基板の上に形成する工程、
(2)第1端子および第1配線を含む第1導体層を、第1ベース絶縁層の上に、第1開口部内に充填されるように形成する工程、
(3)第2ベース絶縁層を、第1ベース絶縁層の上に、第1配線の一部を露出する第2開口部を有し、かつ、残部の第1配線を被覆するように形成する工程、
(4)第2端子および第2配線を含む第2導体層を、第2ベース絶縁層の上に、第2開口部内に充填するように形成する工程。
特開2013−62012号公報
しかるに、第1配線、および/または、第2配線を保護すべく、例えば、第1導体層および/または第2導体層を形成した後、無電解めっきによって、例えば、ニッケルなどからなる無電解めっき層を第1導体層および/または第2導体層の表面に形成することが検討される。
しかるに、無電解めっきを確実に実施するためには、めっき時間を長く確保する必要があり、その場合には、金属支持基板の表面にもめっき層(めっき粒子)が形成されてしまう場合がある。その場合には、めっき粒子をエッチングなどによって除去することが必要となる。その場合には、上記したエッチング時間を長く設定する必要があり、そうすると、第1端子および/または第2端子をオーバーエッチングしてしまうという不具合がある。そのため、第1端子および/または第2端子の接続信頼性が低下するという不具合がある。
一方、第1端子および/または第2端子の表面に、電解めっきによって、金などからなる電解めっき層により保護することの要求もあるが、そのためには、第1導体層および/または第2導体層に連続するめっきリードを別途形成する必要があり、手間となる場合がある。
本発明の目的は、安定した無電解めっきを実施して、無電解めっき層によって第1導体層および/または第2導体層を保護することができるとともに、簡単に電解めっきを実施して、電解めっき層によって第1端子および/または第2端子を保護することでき、さらに、第1導体層および第2導体層の設計の自由度が向上された回路付サスペンション基板の製造方法を提供することにある。
本発明の回路付サスペンション基板の製造方法は、(1)第1絶縁層を、厚み方向を貫通する第1開口部および第2開口部が設けられるように、金属支持基板の上に設ける工程、(2)第1端子を含む第1導体層を、前記第1絶縁層の上に、前記第1開口部内に充填されるように設ける工程、(3)第1無電解めっき層を、前記第1導体層の表面に、無電解めっきにより設ける工程、(4)第2絶縁層を、前記第1絶縁層の上に、厚み方向を貫通し、前記第1無電解めっき層を露出する第3開口部が設けられるように設ける工程であって、前記第3開口部を、前記第1導体層の表面に設けられる前記第1無電解めっき層の一部を露出するように形成する工程、(5)第2端子を含む第2導体層を、前記第2絶縁層の上に、前記第3開口部内に充填されるように、または、前記第2絶縁層および前記第1絶縁層の上に、前記第2開口部および前記第3開口部に充填されるように、設ける工程、(6)第2無電解めっき層を、前記第2導体層の表面に、無電解めっきにより設ける工程、(7)前記第1端子に対応する第1無電解めっき層、および/または、前記第2端子に対応する第2無電解めっき層を、エッチングにより除去する工程、(8)前記第1開口部内に充填される前記第1導体層の下面に接触する前記金属支持基板を除去する工程、および、(9)電解めっき層を、前記第1無電解めっき層が除去された前記第1端子の表面、および/または、前記第2無電解めっき層が除去された前記第2端子の表面と、前記第1開口部内から露出する第1導体層の下面とに、前記金属支持基板から給電する電解めっきにより設ける工程
を備えることを特徴としている。
この方法によれば、()第1端子を含む第1導体層を、第1絶縁層の上に、第1開口部内に充填されるように設けるので、第1導体層を金属支持基板と第1開口部を介して電気的に接続することができる。
また、(5)第2端子を含む第2導体層を、第2絶縁層の上に、第3開口部内に充填されるように、または、第2絶縁層および第1絶縁層の上に、第2開口部および第3開口部に充填されるように、設けるので、第2導体層を、金属支持基板と、第3開口部および第1開口部を介して、または、第2開口部を介して、電気的に接続することができる。
そのため、比較的短時間のエッチングによって、第1端子に対応する第1無電解めっき層、第2端子に対応する第2無電解めっき層、さらには、金属支持基板に析出する無電解めっき層を構成するためのめっき材料を確実に除去することができる。
その結果、第1端子および/または第2端子のオーバーエッチングを防止でき、第1端子および/または第2端子の接続信頼性の低下を防止することができる。
また、この方法によれば、(9)電解めっき層を、第1無電解めっき層が除去された第1端子の表面、および/または、第2無電解めっき層が除去された第2端子の表面と、第1開口部内から露出する第1導体層の下面とに、金属支持基板から給電する電解めっきにより設けるので、めっきリードを別途設けることなく、電解めっき層を第1無電解めっき層が除去された第1端子の表面、および/または、第2無電解めっき層が除去された第2端子の表面と、第1開口部内から露出する第1導体層の下面とに設けて、それらを保護することができる。
しかも、この方法によって得られた回路付サスペンション基板では、第1導体層および第2導体層のそれぞれは、第1絶縁層および第2絶縁層のそれぞれに設けられるので、第1導体層および第2導体層の設計の自由度を向上させることができる。
また、本発明の回路付サスペンション基板の製造方法において、(4)前記第2絶縁層を形成する工程では、第4開口部を、前記第2絶縁層に、前記第2開口部に連通するように形成し、(5)前記第2導体層を設ける工程では、前記第2導体層を、前記第2絶縁層の上に、前記第2開口部、前記第3開口部および前記第4開口部内に充填することが好適である。
この方法によれば、(4)第2絶縁層を形成する工程では、第4開口部を、第2開口部に連通するように形成し、(5)第2導体層を設ける工程では、第2導体層を、第2絶縁層の上に、第2開口部、第3開口部および第4開口部内に充填するので、第2導体層を第2開口部および第4開口部を介して金属支持基板と電気的に接続することができる。
そのため、電解めっき層を、金属支持基板から給電する電解めっきにより、第2端子の表面、さらに、第1端子の表面および第1開口部内から露出する第1導体層の下面により確実に設けることができる。
また、本発明の回路付サスペンション基板の製造方法は、(10)前記第2開口部内に充填される前記第2導体層の下面に接触する前記金属支持基板をその周囲の前記金属支持基板と絶縁する工程をさらに備えることが好適である。
また、この方法によれば、第2開口部内に充填される第2導体層の下面に接触する金属支持基板をその周囲の金属支持基板と絶縁するので、第2導体層を種々の用途に用いることができる。
また、本発明の回路付サスペンション基板の製造方法では、(4)前記第2絶縁層を設ける工程において、前記第3開口部を、厚み方向に投影したときに、前記第1開口部と同一位置に配置されるように、形成することが好適である。
この方法によれば、第2絶縁層を設ける工程において、第3開口部を、厚み方向に投影したときに、第1開口部と同一位置に配置するので、第1開口部および第3開口部の省スペース化を図ることができる。
また、本発明の回路付サスペンション基板の製造方法では、(4)前記第2絶縁層を設ける工程において、前記第3開口部を、厚み方向に投影したときに、前記第1開口部と異なる位置に配置されるように、形成することが好適である。
この方法によれば、(4)第2絶縁層を設ける工程において、第3開口部を、厚み方向に投影したときに、第1開口部と異なる位置に配置するので、第1開口部および第3開口部の設計の自由度を向上させることができる。
また、本発明の回路付サスペンション基板の製造方法では、前記金属支持基板は、長手方向に沿って配置され、(1)前記第1絶縁層を設ける工程では、前記第1開口部を複数設け、(8)前記第1開口部内に充填される前記第1導体層の下面に接触する前記金属支持基板を除去する工程では、前記第1開口部内に充填される前記第1導体層の下面に接触する前記金属支持基板を、厚み方向を貫通する支持開口部が複数設けられるように、除去し、前記複数の支持開口部が、前記長手方向に沿う基準線に対して対称に配置されていることが好適である。
この方法によれば、複数の支持開口部が、長手方向に沿う基準線に対して対称に配置されているので、得られる回路付サスペンション基板の基準線における両側のバランスをより一層向上させることができる。
また、本発明の回路付サスペンション基板の製造方法では、前記金属支持基板が、ステンレスからなり、前記第1無電解めっき層および/または前記第2無電解めっき層を、ニッケルから形成することが好適である。
この方法では、第1無電解めっき層および/または第2無電解めっき層を構成するためのニッケルからなるニッケル粒子が、ステンレスからなる金属支持基板に付着し易いところ、本発明では、上記した構成を有するので、上記した付着を有効に抑制することができる。
本発明によれば、第1端子および/または第2端子のオーバーエッチングを防止でき、第1端子および/または第2端子の接続信頼性の低下を防止するとともに、第1導体層および第2導体層の設計の自由度を向上させることができる。
図1は、本発明の回路付サスペンション基板の製造方法の一実施形態により製造される回路付サスペンション基板の平面図を示す。 図2は、図1に示す回路付サスペンション基板であって、金属支持基板と、導体層のうち、第1導体層とを示す平面図を示す。 図3は、図1に示す回路付サスペンション基板であって、金属支持基板と、導体層のうち、第2導体層とを示す平面図を示す。 図4は、図1の回路付サスペンション基板のA−A線に沿う正断面図を示す。 図5は、図1の回路付サスペンション基板の第1導体パターンに沿う断面図を示す。 図6は、図1の回路付サスペンション基板の第2導体パターンに沿う断面図を示す。 図7は、図1の回路付サスペンション基板の第7導体パターンに沿う断面図であり、最右側部分は、第7先側端子を示し、その左隣部分は、1対の第3支持開口部のうちの右側部分を示す。 図8は、図1の回路付サスペンション基板の製造方法における金属支持基板を用意する工程を示し、図8A〜図8Dのそれぞれは、図4〜図7のそれぞれに対応する。 図9は、図1の回路付サスペンション基板の製造方法における第1ベース絶縁層を設ける工程を示し、図9A〜図9Dのそれぞれは、図4〜図7のそれぞれに対応する。 図10は、図1の回路付サスペンション基板の製造方法における第1導体層を設ける工程を示し、図10A〜図10Dのそれぞれは、図4〜図7のそれぞれに対応する。 図11は、図1の回路付サスペンション基板の製造方法における第1無電解めっき層を設ける工程を示し、図11A〜図11Dのそれぞれは、図4〜図7のそれぞれに対応する。 図12は、図1の回路付サスペンション基板の製造方法における第2ベース絶縁層を設ける工程を示し、図12A〜図12Dのそれぞれは、図4〜図7のそれぞれに対応する。 図13は、図1の回路付サスペンション基板の製造方法における第2導体層を設ける工程を示し、図13A〜図13Dのそれぞれは、図4〜図7のそれぞれに対応する。 図14は、図1の回路付サスペンション基板の製造方法における第2無電解めっき層を設ける工程を示し、図14A〜図14Dのそれぞれは、図4〜図7のそれぞれに対応する。 図15は、図1の回路付サスペンション基板の製造方法におけるカバー絶縁層を設ける工程を示し、図15A〜図15Dのそれぞれは、図4〜図7のそれぞれに対応する。 図16は、図1の回路付サスペンション基板の製造方法における外部側端子およびスライダ側端子に設けられる第2無電解めっき層を除去する工程を示し、図16A〜図16Dのそれぞれは、図4〜図7のそれぞれに対応する。 図17は、図1の回路付サスペンション基板の製造方法における第1ベース開口部内に充填される第1導体層の下面に接触する金属支持基板を除去する工程を示し、図17A〜図17Dのそれぞれは、図4〜図7のそれぞれに対応する。 図18は、図1の回路付サスペンション基板の製造方法における第1ベース絶縁層を、発光側端子の下面を露出するように除去する工程を示し、図18A〜図18Dのそれぞれは、図4〜図7のそれぞれに対応する。 図19は、図1の回路付サスペンション基板の製造方法における電解めっき層を設ける工程を示し、図19A〜図19Dのそれぞれは、図4〜図7のそれぞれに対応する。 図20は、図1の回路付サスペンション基板の製造方法における第2ベース開口部内に充填される第2導体層の下面に接触する金属支持基板をその周囲の金属支持基板と絶縁する工程を示す。 図21は、図7に示す回路付サスペンション基板の変形例の第7導体パターンに沿う断面図を示す。 図22は、図21に示す回路付サスペンション基板の変形例の製造工程図であり、図22Aは、第2ベース絶縁層を設ける工程、図22Bは、第2導体層を設ける工程、図22Cは、第2無電解めっき層を設ける工程を示す。 図23は、図22に引き続き、図21に示す回路付サスペンション基板の変形例の製造工程図であり、図23Dは、カバー絶縁層を設ける工程、図23Eは、外部側端子およびスライダ側端子に設けられる第2無電解めっき層を除去する工程、図23Fは、、第1ベース開口部内に充填される第1導体層の下面に接触する金属支持基板を除去する工程を示す。 図24は、図23に引き続き、図21に示す回路付サスペンション基板の変形例の製造工程図であり、図24Gは、第1ベース絶縁層を、発光側端子の下面を露出するように除去する工程、図24Hは、電解めっき層を設ける工程、図24Iは、第2ベース開口部内に充填される第2導体層の下面に接触する金属支持基板をその周囲の金属支持基板と絶縁する工程を示す。
[本実施形態の構成]
図1において、紙面上側を先側(第1方向一方側)、紙面下側を後側(第1方向他方側)、紙面左側を左側(第1方向に直交する第2方向一方側、幅方向一方側)、紙面右側を右側(第2方向他方側、幅方向他方側)、紙面紙厚方向手前側を上側(第1方向および第2方向に直交する第3方向一方側、厚み方向一方側)、紙面紙厚方向奥側を下側(第3方向他方側、厚み方向他方側)とする。図2以降の各図の方向は、図1の方向を基準とする。
図1〜図3において、後述する金属支持基板3および導体層4の相対配置を明確に示すために、後述する第1ベース絶縁層62、第2ベース絶縁層65およびカバー絶縁層68と、第1無電解めっき層64および第2無電解めっき層67とを省略している。また、図2では、導体層4のうち、後述する第1導体層63を示し、図3では、導体層4のうち、後述する第2導体層66を示す。
<回路付サスペンション基板1の概略>
図1において、回路付サスペンション基板1は、磁気ヘッド(図示せず)を実装するスライダ2(図3における仮想線)を搭載するとともに、発光素子39(図2における仮想線)を搭載して、ハードディスクドライブ(図示せず)に搭載される。この回路付サスペンション基板1では、金属支持基板3に導体層4が支持されている。
金属支持基板3は、先後方向に延びる平面視略矩形平帯状を形成しており、金属支持基板3の外形は、金属支持基板3の幅方向中央を通過して先後方向に沿う基準線Vに対して対称形状を形成する。金属支持基板3は、本体部5と、本体部5の先側に設けられるジンバル部6とを一体的に備えている。
本体部5は、先後方向に延びる平面視略矩形状を形成する。なお、本体部5の後端部は、金属支持基板3と同じ層(板)から形成されるフレーム7に連結されている。フレーム7は、左右方向に延びる平面視略矩形状を形成する。本体部5には、金属支持基板3の厚み方向を貫通する支持開口部としての第1支持開口部18および支持開口部としての第2支持開口部19が設けられている。
第1支持開口部18は、本体部5の後端部の右側部分に設けられており、具体的には、平面視において、第1後側端子31、第2後側端子32、第3後側端子33および第4後側端子34(後述)を含む、幅方向に長く延びる略矩形状を形成する。第1支持開口部18内には、複数の端子支持部96が設けられている。
複数の端子支持部96のそれぞれは、第1後側端子31、第2後側端子32、第3後側端子33および第4後側端子34のそれぞれに対応して設けられており、複数の端子支持部96は、第1支持開口部18の周側面の内側に間隔を隔てて設けられている。複数の端子支持部96は、幅方向に互いに間隔を隔てて配置されている。複数の端子支持部96のそれぞれは、先後方向に延びる平面視略矩形状を形成する。
第2支持開口部19は、本体部5の先後方向途中の右側部分に設けられており、具体的には、第1交差部48(後述)を含み、先側に向かうに従って幅方向左側に傾斜する長軸を有する平面視略楕円形状を形成する。
ジンバル部6は、本体部5の先端縁から先側に連続して設けられており、本体部5に対して幅方向両外側に膨出する平面視略矩形状を形成する。ジンバル部6の中央部には、金属支持基板3の厚み方向を貫通し、先側に向かって開放される平面視略U字形状のスリット11が設けられている。スリット11は、基準線Vに対して線対称形状を形成する。そして、ジンバル部6は、スリット11の幅方向外側のそれぞれに配置されるアウトリガー部12と、スリット11の幅方向内側に挟まれるタング部13と、アウトリガー部12およびタング部13の先側に配置される折返部14とを備えている。
アウトリガー部12は、ジンバル部6の幅方向両側のそれぞれに設けられている。1対のアウトリガー部12のそれぞれは、長手方向に延びる平面視略矩形状を形成する。
タング部13は、折返部14から後方に向かって平面視略矩形舌状に延びるような形状を形成する。なお、図4に示すように、タング部13の上側には、スライダ2(仮想線参照)が搭載され、また、タング部13の下側には、発光素子39(仮想線参照)が搭載される。図1に示すように、タング部13の先側部分には、金属支持基板3の厚み方向を貫通する端子開口部10が設けられている。
端子開口部10は、複数の先側端子40(後述)を囲み、左右方向に延びる平面視略矩形状を形成する。また、端子開口部10は、スリット11の左右方向内側に間隔を隔てて配置されている。端子開口部10は、基準線Vに対して線対称形状を形成する。
折返部14は、幅方向に延びる平面視略矩形状を形成する。折返部14には、支持開口部としての1対の第3支持開口部38が設けられている。1対の第3支持開口部38は、金属支持基板3の厚み方向を貫通しており、基準線Vに対して対称形状を形成する。1対の第3支持開口部38のそれぞれは、先側に向かうに従って幅方向外側に傾斜する長軸を有する平面視略楕円形状を形成する。
導体層4は、回路付サスペンション基板1の先後方向にわたって設けられる複数の導体パターン20を備えており、具体的には、第1導体パターン21と、第2導体パターン22と、第3導体パターン23と、第4導体パターン24と、第5導体パターン25と、第6導体パターン26と、第7導体パターン27とを備える。複数の導体パターン20のそれぞれは、本体部5に設けられる第2端子としての複数の後側端子30と、ジンバル部6に設けられる複数の先側端子40と、複数の先側端子40のそれぞれおよび複数の後側端子30のそれぞれを接続する複数の配線50とを備える。
複数の後側端子30は、本体部5の後端部に設けられており、幅方向に互いに間隔を隔て配置されている。複数の後側端子30のそれぞれは、先後方向に延びる平面視略矩形状を形成する。複数の後側端子30は、第1導体パターン21に備えられる第1後側端子31と、第2導体パターン22に備えられる第2後側端子32と、第3導体パターン23に備えられる第3後側端子33と、第4導体パターン24に備えられる第4後側端子34と、第5導体パターン25に備えられる第5後側端子35と、第6導体パターン26に備えられる第6後側端子36と、第7導体パターン27に備えられる第7後側端子37とを備える。第1後側端子31、第2後側端子32、第3後側端子33、第4後側端子34、第5後側端子35、第6後側端子36および第7後側端子37は、右側から左側に向かって順次配置されている。第3後側端子33〜第6後側端子36は、具体的には、リード/ライト基板などの外部回路基板(図示せず)と電気的に接続される外部用端子である。一方、第1後側端子31、第2後側端子32および第7後側端子37は、電源29と電気的に接続される電源用端子である。また、第1後側端子31〜第4後側端子34は、本体部5の後端部において基準線Vに対して右側半分部分に配置されており、より具体的には、平面視において、第1支持開口部18に含まれるように、配置されている。第5後側端子35〜第7後側端子37は、本体部5の後端部において、基準線Vに対して左側半分部分に配置されている。
複数の先側端子40は、端子開口部10内において、幅方向に互いに間隔を隔て配置されている。複数の先側端子40のそれぞれは、先後方向に延びる平面視略矩形状を形成する。なお、複数の先側端子40は、後述するが、図4に示すように、第2ベース絶縁層65によって支持されている。図1に示すように、複数の先側端子40は、第1導体パターン21に備えられる第1先側端子41と、第2導体パターン22に備えられる第2先側端子42と、第3導体パターン23に備えられる第3先側端子43と、第4導体パターン24に備えられる第4先側端子44と、第5導体パターン25に備えられる第5先側端子45と、第6導体パターン26に備えられる第6先側端子46と、第7導体パターン27に備えられる第7先側端子47とを備える。第4先側端子44、第3先側端子43、第1先側端子41、第2先側端子42、第7先側端子47、第6先側端子46および第5先側端子45は、右側から左側に向かって順次配置されている。複数の先側端子40のうち、幅方向外側に配置される先側端子40、具体的には、第3先側端子43〜第6先側端子46は、スライダ2(図3の仮想線参照)と電気的に接続されるスライダ側端子16である。一方、複数の先側端子40のうち、スライダ側端子16の幅方向内側に配置される先側端子40、具体的には、第1先側端子41、第2先側端子42および第7先側端子47は、発光素子39(図2の仮想線参照)と電気的に接続される第1端子としての発光側端子17である。また、第1先側端子41〜第4先側端子44は、ジンバル部6の右側半分部分に配置され、具体的には、端子開口部10において基準線Vに対して右側半分部分に配置されている。第5先側端子45〜第7先側端子47は、ジンバル部6の左側半分部分に配置され、具体的には、端子開口部10において基準線Vに対して左側半分部分に配置されている。
複数の配線50は、本体部5およびジンバル部6にわたって配置されている。複数の配線50のそれぞれは、第1導体パターン21に備えられる第1配線51と、第2導体パターン22に備えられる第2配線52と、第3導体パターン23に備えられる第3配線53と、第4導体パターン24に備えられる第4配線54と、第5導体パターン25に備えられる第5配線55と、第6導体パターン26に備えられる第6配線56と、第7導体パターン27に備えられる第7配線57とを備える。複数の配線50のうち、本体部5において幅方向外側に配置される外側配線、つまり、第1配線51、第2配線52および第7配線57は、電源29から供給される電流を発光素子39に通電するパワー配線である。一方、複数の配線50のうち、本体部5においてパワー配線の内側に配置される内側配線、つまり、第3配線53〜第6配線56は、差動信号(リード信号および/またはライト信号)を伝送する差動配線である。
また、第1配線51〜第4配線54は、金属支持基板3において基準線Vに対して右側半分部分に配置されており、具体的には、第1配線51〜第4配線54のそれぞれは、本体部5において、第1後側端子31〜第4後側端子34のそれぞれの先端から先側に向かって延びるように配置されている。第1配線51〜第4配線54のそれぞれは、右側のアウトリガー部12に至るように屈曲し、右側のアウトリガー部12を通過するように先側に延び、折返部14において左側に屈曲し、続いて、後側に屈曲し、タング部13の端子開口部10に至り、続いて、第1先側端子41〜第4先側端子44のそれぞれの先端に至るように配置されている。なお、第1配線51と第2配線52とは、後で詳述するが、本体部5の先後方向途中において、厚み方向に投影したときに、互いに交差するように配置されている。第3配線53および第4配線54は、互いに間隔を隔てて配置されている。さらに、第1配線51および第3配線53は、互いに間隔を隔てて配置され、また、第2配線52および第3配線53も、互いに間隔を隔てて配置されている。
第5配線55〜第7配線57は、金属支持基板3において基準線Vに対して左側半分部分に配置されており、具体的には、第5配線55〜第7配線57のそれぞれは、本体部5において、第5後側端子35〜第7後側端子37のそれぞれの先端から先側に向かって延びるように配置されている。第5配線55〜第7配線57のそれぞれは、左側のアウトリガー部12に至るように屈曲し、左側のアウトリガー部12を通過するように先側に延び、折返部14において右側に屈曲し、続いて、後側に屈曲し、タング部13の端子開口部10に至り、続いて、第5先側端子45〜第7先側端子47のそれぞれの先端に至るように配置されている。第5配線55〜第7配線57のそれぞれは、互いに間隔を隔てて配置されている。
なお、導体層4は、第5後側端子35〜第7後側端子37のそれぞれに接続される補助配線58と、第7配線57から分岐する分岐配線59とを備える。
補助配線58は、本体部5において、第5後側端子35、第6後側端子36および第7後側端子37のそれぞれの後端縁から後側に集束状に延び、フレーム7に至るように配置されている。
分岐配線59は、折返部14において、幅方向に延びる第7配線57(後述する第3連絡部78)の途中から分岐した後、上側に延び、左側の第3支持開口部38に至る直線形状を形成する。
<回路付サスペンション基板の層構成>
図4に示すように、回路付サスペンション基板1は、金属支持基板3と、第1絶縁層としての第1ベース絶縁層62と、第1導体層63と、第1無電解めっき層64と、第2絶縁層としての第2ベース絶縁層65と、第2導体層66と、第2無電解めっき層67と、カバー絶縁層68と、電解めっき層69とを備える。
金属支持基板3は、回路付サスペンション基板1の外形形状に対応して形成されている。図1に示すように、金属支持基板3には、上記した端子開口部10、スリット11、第1支持開口部18、第2支持開口部19、および、1対の第3支持開口部38が設けられている。金属支持基板3を構成する材料としては、例えば、ステンレス、42アロイ、アルミニウム、銅−ベリリウム、りん青銅などの金属材料が挙げられる。好ましくは、ステンレスが挙げられる。金属支持基板3の厚みは、例えば、5μm以上、好ましくは、10μm以上であり、また、例えば、60μm以下、好ましくは、25μm以下である。第1支持開口部18、第2支持開口部19および第3支持開口部38の最大長さは、例えば、0.01mm以上、好ましくは、0.03mm以上であり、また、例えば、100mm以下、好ましくは、1mm以下である。
第1ベース絶縁層62は、図4、図5および図9に示すように、金属支持基板3の上に配置されており、次に説明する第1導体層63に対応するように設けられている。具体的には、第1ベース絶縁層62は、金属支持基板3の周端部を露出するパターンに形成される。また、図5〜図7に示すように、第1ベース絶縁層62は、タング部13の端子開口部10の先側部分において、発光側端子17(に対応する電解めっき層69)を露出するパターンに形成される。つまり、端子開口部10内において、第1ベース絶縁層62の後端縁は、発光側端子17の後端縁より先側に配置されている。第1ベース絶縁層62には、図9が参照されるように、第1開口部としての第1ベース開口部71、および、第2開口部としての第2ベース開口部72が設けられている。
第1ベース開口部71および第2ベース開口部72のそれぞれは、図1が参照されるように、例えば、平面視略円形状を形成する。第1ベース開口部71は、複数(1対)の第3支持開口部38および単数の第2支持開口部19に対応して複数設けられている。第2ベース開口部72は、第1支持開口部18およびフレーム7に対応して複数設けられている。
第1ベース絶縁層62を構成する材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの合成樹脂などの絶縁材料が挙げられる。好ましくは、ポリイミド樹脂が挙げられる。第1ベース絶縁層62の厚みは、例えば、1μm以上、好ましくは、4μm以上であり、また、例えば、30μm以下、好ましくは、10μm以下である。
第1導体層63は、図6および図10が参照されるように、第1ベース絶縁層62の上に設けられる。なお、第1導体層63は、後で詳述するが、第1ベース絶縁層62の第1ベース開口部71(後述)に充填されている。第1導体層63は、複数の導体パターン20の一部を含んでおり、具体的には、図2に示すように、第1先側端子41、第2先側端子42および第7先側端子47(発光側端子17)と、第1配線51の一部(先側部分(後述する第1連絡部49)および先後方向途中部分(後述する第1交差部48))、第2配線52の一部(先側部分(後述する第2連絡部77))および第7配線57の一部(先側部分(後述する第3連絡部78))と、分岐配線59とを備える。
第1導体層63を構成する材料としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだまたはこれらの合金などの導体材料が挙げられる。好ましくは、銅が挙げられる。第1導体層63の厚みは、例えば、1μm以上、好ましくは、4μm以上であり、また、例えば、30μm以下、好ましくは、20μm以下である。複数の発光側端子17のそれぞれの幅および長さ(先後方向長さ)は、例えば、15μm以上、好ましくは、20μm以上であり、また、例えば、1000μm以下、好ましくは、800μm以下である。第1導体層63に含まれる複数の配線50のそれぞれの幅は、例えば、5μm以上、好ましくは、9μm以上であり、また、例えば、500μm以下、好ましくは、200μm以下である。後側端子30間の間隔、第1導体層63に含まれる先側端子40間の間隔、および、第1導体層63に含まれる配線50間の間隔は、例えば、5μm以上、好ましくは、9μm以上であり、また、例えば、200μm以下、好ましくは、100μm以下である。
第1無電解めっき層64は、図4、図5および図11に示すように、第1導体層63の表面(上面および側面)であって、発光側端子17(第1先側端子41、第2先側端子42および第7先側端子47)の表面を除く部分に、形成されている。すなわち、第1無電解めっき層64は、次に説明する第2ベース絶縁層65に被覆される第1導体層63の表面に形成されている。つまり、第1無電解めっき層64は、発光側端子17の上面および側面と、第1導体層63における上記した第1配線51の一部、第2配線52の一部、第7配線57の一部および分岐配線59の上面および側面とに形成されている。第1無電解めっき層64を形成するめっき材料としては、例えば、ニッケル、スズなどの金属保護材料が挙げられる。好ましくは、第1導体層63を良好に保護する観点から、ニッケルが挙げられる。第1無電解めっき層64の厚みは、例えば、0.001μm以上、好ましくは、0.01μm以上であり、また、例えば、5μm以下、好ましくは、1μm以下である。
第2ベース絶縁層65は、図4、図5および図12に示すように、第1ベース絶縁層62の上に、第1無電解めっき層64を被覆するように配置されている。第2ベース絶縁層65は、次に説明する第2導体層66に対応して形成されている。また、第2ベース絶縁層65は、端子開口部10の先側部分において、厚み方向に投影したときに、先側端子40を含むパターンを形成する。つまり、第2ベース絶縁層65の後端縁は、発光側端子17の後端縁より後側に配置されている。また、第2ベース絶縁層65には、図1が参照されるように、後で詳述する第3開口部としての第3ベース開口部73、第4ベース開口部74、第5ベース開口部75、および、第3開口部としての第6ベース開口部76が設けられている。第2ベース絶縁層65を構成する材料としては、第1ベース絶縁層62で例示した絶縁材料が挙げられる。第2ベース絶縁層65の厚みは、例えば、1μm以上、好ましくは、2μm以上であり、また、例えば、30μm以下、好ましくは、10μm以下である。
第2導体層66は、図4、図5および図13に示すように、第2ベース絶縁層65の上に設けられている。なお、第2導体層66は、後で詳述するが、第3ベース開口部73〜第6ベース開口部76に充填されている。第2導体層66は、複数の導体パターン20のうち、第1導体層63以外の残部を含んでおり、具体的には、図3に示すように、複数の後側端子30の全部(第1後側端子31〜第7後側端子37)と、スライダ側端子16(第3先側端子43〜第6先側端子46)と、第1配線51の残部(すなわち、後述する後分割部82および先分割部83)、第2配線52〜第6配線56、および、第7配線57の残部(後側部分)とを備える。なお、第2導体層66は、補助配線58をさらに備える。第2導体層66を構成する材料としては、第1導体層63で例示した導体材料が挙げられる。第2導体層66の厚みは、例えば、1μm以上、好ましくは、4μm以上であり、また、例えば、30μm以下、好ましくは、20μm以下である。複数の後側端子30のそれぞれ、および、スライダ側端子16のそれぞれの幅および長さは、上記した発光側端子17のそれらと同様である。第2導体層66に含まれる複数の配線50のそれぞれの幅は、第1導体層63に含まれる複数の配線50のそれらと同様である。後側端子30間の間隔、スライダ側端子16間の間隔、および、第2導体層66に含まれる配線50間の間隔は、例えば、10μm以上、好ましくは、20μm以上であり、また、例えば、200μm以下、好ましくは、100μm以下である。
第2無電解めっき層67は、図4、図5および図14に示すように、第2導体層66の表面(上面および側面)であって、後側端子30およびスライダ側端子16(先側端子40)の表面を除く部分に、形成されている。つまり、第2無電解めっき層67は、第2導体層66に含まれる複数の配線50の上面および側面に形成されている。第2無電解めっき層67を構成するめっき材料としては、第1無電解めっき層64で例示しためっき材料が挙げられる。第2無電解めっき層67の厚みは、第1無電解めっき層64の厚みと同様である。
カバー絶縁層68は、図4、図5および図15に示すように、第2ベース絶縁層65の上に、第2無電解めっき層67を被覆するように配置されている。一方、カバー絶縁層68は、スライダ側端子16の表面(上面および側面)を露出するパターンを形成する。カバー絶縁層68を構成する材料としては、第1ベース絶縁層62で例示した絶縁材料が挙げられる。カバー絶縁層68の厚みは、例えば、1μm以上、好ましくは、2μm以上であり、また、例えば、30μm以下、好ましくは、5μm以下である。
電解めっき層69は、図4、図5および図19に示すように、後側端子30(外部側端子15)の表面(上面および側面)、先側端子40におけるスライダ側端子16(上面および側面)、および、発光側端子17の裏面(下面)に形成されている。また、電解めっき層69は、第1ベース開口部71に充填される第1導体層63の裏面(下面)にも形成されている。電解めっき層69を構成する材料としては、例えば、金、クロム、ニッケル、それらの合金など金属保護材料が挙げられる。好ましくは、金、ニッケル、より好ましくは、ニッケルが挙げられる。電解めっき層69の厚みは、例えば、0.01μm以上であり、また、例えば、10μm以下、好ましくは、5μm以下である。
<ベース絶縁層の開口部および導体パターンの詳細>
次に、第1ベース絶縁層62および第2ベース絶縁層65の開口部、および、それらに対応する複数の導体パターン20のそれぞれについて詳述する。
<第1ベース絶縁層62>
第1ベース絶縁層62には、図9が参照されるように、第1ベース絶縁層62の厚み方向を貫通する第1ベース開口部71および第2ベース開口部72が設けられている。
(第1ベース開口部71)
図1が参照されるように、第1ベース開口部71は、第1導体層63における第1導体パターン21、第2導体パターン22および第7導体パターン27に対応して複数設けられる。複数の第1ベース開口部71のそれぞれは、平面視略円形状を形成する。第1ベース開口部71は、第2支持開口部19に対応するベース開口部と、第3支持開口部38に対応するベース開口部とを有する。
第2支持開口部19に対応する第1ベース開口部71は、図1および図5が参照されるように、平面視において、第2支持開口部19に含まれるように設けられており、具体的には、第2支持開口部19の後側部分に配置されている。
第3支持開口部38に対応する第1ベース開口部71は、平面視において、第3支持開口部38に含まれるように設けられている。
(第2ベース開口部72)
第2ベース開口部72は、図1および図3が参照されるように、第2導体層66における第1導体パターン21〜第7導体パターン27に対応して複数設けられる。具体的には、第1導体パターン21〜第4導体パターン24に対応する第2ベース開口部72は、外部側端子15に対応しており、より具体的には、第1後側端子31、第2後側端子32、第3後側端子33および第4後側端子34のそれぞれに対応して設けられる。第1導体パターン21〜第4導体パターン24に対応する第2ベース開口部72は、図5および図6が参照されるように、平面視において、第1支持開口部18に含まれるように設けられている。
一方、第7導体パターン27に対応する第2ベース開口部72は、フレーム7の上に設けられている。
<第2ベース絶縁層65>
図1が参照されるように、第2ベース絶縁層65には、第2ベース絶縁層65の厚み方向を貫通する第3ベース開口部73〜第6ベース開口部76が設けられている。
(第3ベース開口部73)
第3ベース開口部73は、第1ベース開口部71に対応して複数設けられている。具体的には、第3ベース開口部73は、第2支持開口部19に対応する単数のベース開口部と、第3支持開口部38に対応する複数(2つ)のベース開口部とを有する。複数の(3つ)の第3ベース開口部73のそれぞれは、図12に示すように、平面視において、複数(3つ)の第1ベース開口部71のそれぞれと同一位置に配置されており、これによって、複数(3つ)の第1ベース開口部71のそれぞれと連通する。複数(3つ)の第3ベース開口部73のそれぞれは、複数(3つ)の第1ベース開口部71のそれぞれよりわずかに大きい平面視略円形状を形成する。複数の第3ベース開口部73のそれぞれは、平面視において、複数の第1ベース開口部71のそれぞれを含むパターンを形成する。
(第4ベース開口部74)
第4ベース開口部74は、第2ベース絶縁層65の厚み方向を貫通するように、第2ベース開口部72に対応して複数(4つ)設けられている。具体的には、図1が参照されるように、複数(4つ)の第4ベース開口部74のそれぞれは、第1後側端子31、第2後側端子32、第3後側端子33および第4後側端子34のそれぞれに対応して設けられている。さらに、第4ベース開口部74は、第7導体パターン27における補助配線58の後端部にも対応して設けられている。複数(5つ)の第4ベース開口部74のそれぞれは、図12に示すように、平面視において、複数(5つ)の第2ベース開口部72のそれぞれと同一位置に配置されて、これによって、複数(5つ)の第2ベース開口部72と連通している。複数(5つ)の第4ベース開口部74のそれぞれは、複数(5つ)の第2ベース開口部72よりわずかに大きい平面視略円形状を形成する。複数の第4ベース開口部74のそれぞれは、平面視において、複数の第2ベース開口部72のそれぞれを含むパターンを形成する。
(第5ベース開口部75)
第5ベース開口部75は、図1が参照されるように、第2ベース絶縁層65の厚み方向を貫通する形状をなし、第2支持開口部19に対応する単数の第3ベース開口部73と対をなすように、単数設けられている。すなわち、第5ベース開口部75は、第2支持開口部19に対応するの第3ベース開口部73に対して、先側斜め左側に間隔を隔てて対向配置されている。また、第5ベース開口部75は、図12Bに示すように、第1交差部48(後述)に設けられる第1無電解めっき層64を露出する。第5ベース開口部75は、平面視略円形状を形成する。
(第6ベース開口部76)
第6ベース開口部76は、図1および図12Dが参照されるように、第2ベース絶縁層65の厚み方向を貫通する形状をなし、左側の第3支持開口部38における第1ベース開口部71と異なる位置に配置されている。具体的には、第6ベース開口部76は、折返部14の左端部に設けられており、詳しくは、第6ベース開口部76は、左側の第3支持開口部38における第1ベース開口部71に対して、左側斜め下側に間隔を隔てて配置されている。第6ベース開口部76は、第3連絡部78(後述)の左端部に設けられる第1無電解めっき層64を露出する。第6ベース開口部76は、平面視略円形状を形成する。
<複数の導体パターン20>
図1に示すように、複数の導体パターン20は、互いに絶縁される第1導体パターン21〜第7導体パターン27を備える。以下、複数の導体パターン20のうち、本発明の第1開口部〜第4開口部の一実施形態に一部が充填される第1導体パターン21、第2導体パターン22および第7導体パターン27を詳述する。
<第1導体パターン21>
第1導体パターン21は、第1後側端子31と、第1先側端子41と、第1後側端子31および第1先側端子41を電気的に接続する第1配線51とを備える。
(第1後側端子31)
第1後側端子31は、後側端子30において、最右側に配置される外部側端子15であって、図3および図5に示すように、第2導体層66に含まれている。第1後側端子31の先端部および先後方向途中部分は、第2ベース絶縁層65の上面に設けられる一方、第1後側端子31の後端部は、第2ベース開口部72および第4ベース開口部74内に充填されるように、端子支持部96の上面に設けられている。詳しくは、第1後側端子31の後端部は、第2ベース開口部72および第4ベース開口部74の内周側面に沿って設けられている。第1後側端子31の後端部において、第2ベース開口部72および第4ベース開口部74内に充填される部分、具体的には、落ち込む部分には、第2ベース絶縁層65の上面に設けられる部分から内側に向かうに従って下側に凹む第1凹部80が設けられる。また、第1後側端子31の後端部には、第1膨出部81が、第1凹部80の外周縁から外側に膨出する平面視略円環形状を形成するように、第2ベース絶縁層65の上面に設けられている。
(第1先側端子41)
第1先側端子41は、図2および図5に示すように、発光素子39と電気的に接続される発光側端子17であって、第1導体層63に含まれている。第1先側端子41の表面(上面および側面)は、第無電解めっき層64を介して第2ベース絶縁層65に被覆されている。一方、第1先側端子41の裏面(下面)には、電解めっき層69が積層されている。
(第1配線51)
図1および図5に示すように、第1配線51は、第1後側端子31および第1先側端子41に連続しており、第1導体層63および第2導体層66に含まれている。
〔第1導体層63に含まれる第1配線51〕
第1導体層63に含まれる第1配線51は、図2および図5に示すように、第2支持開口部19に対応する第1交差部48と、第1先側端子41に連絡する第1連絡部49とを備える。
第1交差部48は、図2に示すように、平面視において、第2支持開口部19に含まれるように設けられており、具体的には、先側に向かうに従って左側に傾斜する直線形状を形成する。図5に示すように、第1交差部48の先端部および先後方向途中部分は、第1ベース絶縁層62の上面に設けられる一方、第1交差部48の後端部は、第2支持開口部19内の第1ベース開口部71内に充填されている。詳しくは、第1交差部48の後端部は、第1ベース開口部71の内周側面に沿って設けられている。第1後側端子31の後端部において、第1ベース開口部71内に充填される部分、具体的には、落ち込む部分には、第2ベース絶縁層65の上面に設けられる部分から内側に向かうに従って下側に凹む第2凹部84が設けられる。一方、第2凹部84の裏面(下面)は、第1ベース開口部71から露出している。また、第1後側端子31の後端部には、第2膨出部85が、第2凹部84の外周縁から外側に膨出する平面視略円環形状を形成するように、第1ベース絶縁層62の上面に設けられている。
第1連絡部49は、図2に示すように、第1先側端子41から先側に向かって延び、端子開口部10の先端縁を横切り、折返部14に至り、その後、第1ベース開口部71に至る略直線パターンを形成する。また、第1連絡部49の先端部は、折返部14に設けられる第1ベース開口部71内に充填されている。第1連絡部49の先端部において、第1ベース開口部71に充填される部分、具体的には、落ち込む部分には、第1ベース絶縁層62の上面に設けられる部分から内側に向かうに従って下側に凹む第3凹部86が設けられる。第3凹部86の裏面(下面)には、電解めっき層69が積層されている。また、第1連絡部49の先端部には、第3膨出部87が、第3凹部86から外側に膨出する平面視略円環形状を形成するように、第1ベース絶縁層62の上面に設けられている。
〔第2導体層66に含まれる第1配線51〕
第2導体層66に含まれる第1配線51は、図3に示すように、後分割部82と、後分割部82の側に設けられる先分割部83を備える。
後分割部82は、平面視において、第2配線52に対して外側(本体部5においては、右側)に設けられており、具体的には、図3および図5に示すように、第2ベース絶縁層65の上面において、第1後側端子31から先側に向かって延び、第2支持開口部19の後端縁を横切る直線パターンを形成する。そして、後分割部82は、第2支持開口部19内の第3ベース開口部73に至る略直線形状を形成する。また、後分割部82の先端部は、第2ベース絶縁層65の第3ベース開口部73、および、第1導体層63の第2凹部84内に充填される。具体的には、後分割部82の先端部は、第3ベース開口部73の内周側面と、第2凹部84の内周側面および底面(上面)とに沿って連続して設けられている。詳しくは、後分割部82の先端部と、第2凹部84との間には、第1無電解めっき層64が介在されている。これによって、後分割部82の先端部は、第1交差部48における第2凹部84に設けられる第1無電解めっき層64に接触する。
先分割部83は、図3に示すように、平面視において、第2配線52に対して内側(本体部5においては、左側)に設けられている。詳しくは、先分割部83は、図1および図5に示すように、第2ベース絶縁層65の上面において、第3支持開口部38内の第3ベース開口部73と、第2支持開口部19内の第5ベース開口部75とを結ぶパターンを形成する。具体的には、先分割部83は、折返部14において、第3支持開口部38内の第3ベース開口部73から、右側に延び、アウトリガー部12に沿って後方に延び、本体部5の右端部において先後方向に延びる略直線形状に沿って延び、その後、本体部5における第2支持開口部19内の第5ベース開口部75に至るパターンを形成する。先分割部83は、その後端部が、第2支持開口部19内の第5ベース開口部75内に充填されている。詳しくは、先分割部83の後端部は、第5ベース開口部75の内周側面および底面(上面)に沿って連続して設けられている。さらに、図13Bに示すように、先分割部83の後端部は、第5ベース開口部75から露出する第1無電解めっき層64の上面に形成される。つまり、先分割部83の後端部は、第1交差部48の先端部に設けられる第1無電解めっき層64に接触する。一方、図5に示すように、先分割部83は、その先端部が、第3支持開口部38内の第3ベース開口部73および第1導体層63の第3凹部86内に充填されている。詳しくは、先分割部83の先端部は、第3ベース開口部73の内周側面と、第3凹部86の内周側面および底面(上面)とに沿って連続して設けられている。詳しくは、先分割部83の先端部は、第3凹部86との間には、第1無電解めっき層64が介在されている。
この第1導体パターン21の第1配線51では、先分割部83および後分割部82が、第1交差部48を介して電気的に接続されている。また、先分割部83の先端部は、第1ベース開口部71および第3ベース開口部73内において、第1連絡部49に接続されており、先分割部83は、第1連絡部49を介して第1先側端子41と電気的に接続されている。一方、後分割部82の後端部は、第1後側端子31と電気的に接続されている。
<第2導体パターン22>
図1に示すように、第2導体パターン22は、第2後側端子32と、第2先側端子42と、第2後側端子32および第2先側端子42を電気的に接続する第2配線52とを備える。
(第2後側端子32)
第2後側端子32は、第1後側端子31の左側に間隔を隔てて配置されており、第1後側端子31と同一の形状を形成する。すなわち、図6に示すように、第2後側端子32は、第2導体層66に含まれており、第1後側端子31と同一構成の第1凹部80および第1膨出部81を備える。
(第2先側端子42)
第2先側端子42は、図2に示すように、第1先側端子41の左側に間隔を隔て配置されており、第1先側端子41と同一の形状を形成する。すなわち、第2後側端子32は、図6に示すように、第1導体層63に含まれている。
(第2配線52)
第2配線52は、図1に示すように、第2後側端子32および第2先側端子42に連続しており、さらに、図1および図5に示すように、第1配線51の後分割部82および先分割部83に挟まれるように配置されている。第2配線52は、図6に示すように、第1導体層63および第2導体層66に含まれている。
〔第1導体層63に含まれる第2配線52〕
第1導体層63に含まれる第2配線52は、図2に示すように、第2先側端子42に連絡する第2連絡部77を備える。
第2連絡部77は、平面視において、第1連絡部49の左側および先側に間隔を隔てて設けられる以外は、第1連絡部49と実質的に同一の層構成を有する。すなわち、第2連絡部77の先端部は、図5および図6が参照されるように、第1連絡部49と同一構成の第3凹部86および第3膨出部87を備える。
〔第2導体層66に含まれる第2配線52〕
第2導体層66に含まれる第2配線52は、図3に示すように、厚み方向に投影したときに、先後方向に連続して延び、かつ、第1交差部48を交差する第2交差部88を有する交差パターンを形成する。具体的には、第2導体層66に含まれる第2配線52は、図3および図6に示すように、平面視において、第2ベース絶縁層65の上面において、第2後側端子32から先側に向かって延び、第2支持開口部19の後端縁および先端縁を順次横切るパターンを形成する。なお、第2支持開口部19内において、第2導体層66に含まれる第2配線52が、第2交差部88を構成する。第2交差部88は、先側に向かうに従って右側に傾斜する直線形状を形成する。また、第2導体層66に含まれる第2配線52は、第3支持開口部38内の第3凹部86内に至り、そして、第3凹部86内に充填される。第2配線52が第3凹部86に充填される態様は、第1配線51が第3凹部86に充填される態様と同様である。
<第7導体パターン27>
図1に示すように、第7導体パターン27は、第7後側端子37と、第7先側端子47と、第7後側端子37および第7先側端子47を電気的に接続する第7配線57と、補助配線58と、分岐配線59とを備える。
(第7後側端子37)
第7後側端子37は、図3および図7に示すように、最左側に配置される外部側端子15であって、第2導体層66に含まれている。
(第7先側端子47)
第7先側端子47は、図2および図7に示すように、平面視において、第2先側端子42の左側に間隔を隔てて対向配置され、また、第5先側端子45〜第7先側端子47のうち、第7先側端子47が、最右側に配置されている。第7先側端子47は、第1先側端子41と同一の形状を形成する。すなわち、第7先側端子47は、第1導体層63に含まれている。第7先側端子47の裏面(下面)は、電解めっき層69によって被覆されている。
(第7配線57)
図1および図7に示すように、第7配線57は、第7後側端子37および第7先側端子47に連続しており、第1導体層63および第2導体層66に含まれている。
〔第1導体層63に含まれる第7配線57〕
第1導体層63に含まれる第7配線57は、図2に示すように、第7先側端子47に連絡する第3連絡部78を備える。
第3連絡部78は、平面視略L字形状をなし、その屈曲部が第3支持開口部38内に含まれ、これによって、第3支持開口部38を通過するパターンで設けられている。第3連絡部78は、具体的には、第7先側端子47から先側に向かって延び、折返部14において、左側の第3支持開口部38の後端縁を横切り、その後、左側に屈曲し、続いて、第3支持開口部38の左端縁を横切り、折返部14の左側部分の先端部に至る。
〔第2導体層66に含まれる第7配線57〕
第2導体層66に含まれる第7配線57は、図3に示すように、本体部5およびジンバル部6において先後方向に延びるパターンに設けられており、その先端部が、折返部14の左側部分に位置し、その後端部が、第7後側端子37の先端部に連続して連絡するパターンに配置されている。第2導体層66に含まれる第7配線57の先端部は、図7に示すように、第6ベース開口部76(図12Dおよび図13D参照)内に充填されるように、第6ベース開口部76から露出する第1無電解めっき層64の上面に設けられている。より具体的には、第2導体層66に含まれる第7配線57の先端部は、第6ベース開口部76の内周側面と、第6ベース開口部76から露出する第1無電解めっき層64の上面とに沿って連続して設けられている。
(補助配線58)
補助配線58は、図3および図7に示すように、第2導体層66に含まれており、第7後側端子37の後端部から後側に向かって延びる形状を形成しており、補助配線58は、その後端部がフレーム7に至るパターンを形成する。補助配線58の後端部は、フレーム7における第1ベース絶縁層62の第2ベース開口部72、および、第2ベース絶縁層65の第4ベース開口部74内に充填されるように、フレーム7の上面に設けられている。具体的には、補助配線58の後端部は、第2ベース開口部72および第4ベース開口部74の内周側面と、第2ベース開口部72および第4ベース開口部74から露出するフレーム7の上面とに沿って連続して設けられている。
(分岐配線59)
分岐配線59は、図2および図7に示すように、第1導体層63に含まれる第7配線57から分岐して先側に延びる配線であって、第1ベース絶縁層62の上面に設けられている。また、分岐配線59の先端部は、左側の第3支持開口部38内の第1ベース開口部71内に充填されている。分岐配線59の先端部には、上記した第1交差部48と同一構成の第2凹部84および第2膨出部85が設けられる。
第7導体パターン27では、第2導体層66に含まれる第7配線57が、第7後側端子37に電気的に接続されるとともに、第7後側端子37は、補助配線58を介してフレーム7と電気的に接続されている。また、第2導体層66に含まれる第7配線57は、第1導体層63に含まれる第3連絡部78を介して、第7先側端子47と電気的に接続されている。
<第3導体パターン23〜第6導体パターン26>
次に、第1導体パターン21、第2導体パターン22および第7導体パターン27以外の導体パターン(すなわち、第3導体パターン23〜第6導体パターン26)を簡単に説明する。
図1に示すように、第3導体パターン23は、第3後側端子33、第3先側端子43、第3配線53を一体的に備える。第4導体パターン24は、第4後側端子34、第4先側端子44および第4配線54を一体的に備える。第5導体パターン25は、第5後側端子35、第5先側端子45、第5配線55および補助配線58を一体的に備える。第6導体パターン26は、第6後側端子36、第6先側端子46、第6配線56および補助配線58を一体的に備える。
第3後側端子33および第4後側端子34の層構成は、上記した第1後側端子31(図5参照)の層構成と同一である。第5後側端子35および第6後側端子36の層構成は、上記した第後側端子37(図7参照)の層構成と同一である。
第3先側端子43〜第6先側端子46と、第3配線53〜第6配線56とは、第2ベース絶縁層65の上面に設けられている。
補助配線58の層構成は、第7導体パターン27の補助配線58と同一構成である。補助配線58は、第5後側端子35〜第7後側端子37の後端部から後方に向かって集束状に延び、複数の補助配線58は、フレーム7において合一するパターンを形成する。
[回路付サスペンション基板1の製造方法]
次に、回路付サスペンション基板1の製造方法について、図8〜図20を参照して説明する。
まず、この方法では、図8(図8A〜図8D)に示すように、金属支持基板3を用意する。例えば、略矩形状の金属支持基板3を用意する。
<第1ベース絶縁層62を設ける工程>
((1)第1絶縁層を設ける工程の一例)
次いで、この方法では、図9(図9A〜図9D)に示すように、第1ベース絶縁層62を、上記した第1ベース開口部71および第2ベース開口部72が設けられるように、金属支持基板3の上面に設ける。
第1ベース絶縁層62を金属支持基板3の上面に設けるには、例えば、感光性の絶縁材料のワニスを金属支持基板3の上に塗布して乾燥させた後、露光および現像して、加熱硬化する。あるいは、第1ベース開口部71および第2ベース開口部72が予め設けられた絶縁材料のシートを金属支持基板3の上に貼着する。好ましくは、感光性の絶縁材料のワニスを金属支持基板3の上に塗布して乾燥させた後、露光および現像して、加熱硬化する。
<第1導体層63を設ける工程>
((2)第1導体層を設ける工程の一例)
次いで、この方法では、図10(図10A〜図10D)に示すように、第1導体層63を、第1ベース絶縁層62および金属支持基板3の上に、第1ベース開口部71内に充填されるように設ける。
第1導体層63を設ける方法としては、例えば、アディティブ法、サブトラクティブ法などが挙げられる。好ましくは、アディティブ法が挙げられる。
<第1無電解めっき層64を設ける工程>
((3)第1無電解めっき層を設ける工程の一例)
次いで、この方法では、図11(図11A〜図11D)に示すように、第1無電解めっき層64を第1導体層63の表面(上面および側面)に無電解めっきにより設ける。
無電解めっきは、例えば、上記しためっき材料(好ましくは、ニッケル)のイオンを含むめっき液に、上記した金属支持基板3、第1ベース絶縁層62および第1導体層63の積層体を浸漬させる。上記した無電解めっきの条件は、公知の条件に準拠することができ、とりわけ、本実施形態では、無電解めっきの時間、すなわち、浸漬時間を短く設定することのできる。浸漬時間を短く設定しても、図10B〜図10Dに示すように、第1導体層63が、第1ベース開口部71から露出する金属支持基板3の上面に接触しているので、第1導体層63の表面における第1無電解めっき層64を確実かつ安定的に析出させることができる。そのため、金属支持基板3の表面において、第1無電解めっき層64を構成するためのめっき材料の付着を抑制することができる。浸漬時間は、めっき液の組成、目標とする第1無電解めっき層64の厚みなどに依存するが、例えば、10分以下、好ましくは、5分以下、より好ましくは、2分以下であり、また、0.1分以上である。
<第2ベース絶縁層65を設ける工程>
((4)第2絶縁層を設ける工程の一例)
次いで、この方法では、図12(図12A〜図12D)に示すように、第2ベース絶縁層65を、第1ベース絶縁層62の上に、第1無電解めっき層64を被覆するように、設ける。また、第2ベース絶縁層65を、第3ベース開口部73〜第6ベース開口部76が設けられるように、設ける。
第2ベース絶縁層65を設けるには、感光性の絶縁材料のワニスを金属支持基板3、第1ベース絶縁層62および第1無電解めっき層64の上に塗布して乾燥させた後、露光および現像して、加熱硬化する。あるいは、第3ベース開口部73〜第6ベース開口部76が予め設けられた絶縁材料のシートを金属支持基板3、第1ベース絶縁層62および第1無電解めっき層64の上に貼着する。好ましくは、感光性の絶縁材料のワニスを金属支持基板3、第1ベース絶縁層62および第1無電解めっき層64の上に塗布して乾燥させた後、露光および現像して、加熱硬化する。
このようにして設けられる第3ベース開口部73は、第1導体層63の表面に設けられる第1無電解めっき層64の一部、すなわち、第1交差部48の先端部の第2凹部84に設けられる第1無電解めっき層64、および、第1連絡部49の後端部の第3凹部86に設けられる第1無電解めっき層64を、露出する。第4ベース開口部74は、第2ベース開口部72を介して金属支持基板3の上面を露出する。第5ベース開口部75は、第1交差部48の先端部に設けられる第1無電解めっき層64を露出する。第6ベース開口部76は、第3連絡部78の左端部に設けられる第1無電解めっき層64を露出する。
<第2導体層66を設ける工程>
((5)第2導体層を設ける工程の一例)
次いで、この方法では、図13(図13A〜図13D)に示すように、第2導体層66を、第2ベース絶縁層65の上に、第3ベース開口部73〜第6ベース開口部76内に、充填されるように設ける。
第2導体層66を設ける方法としては、例えば、アディティブ法、サブトラクティブ法などが挙げられる。好ましくは、アディティブ法が挙げられる。
<第2無電解めっき層67を設ける工程>
((6)第2無電解めっき層を設ける工程の一例)
次いで、この方法では、図14(図14A〜図14D)に示すように、第2無電解めっき層67を、第2導体層66の表面(上面および側面)に設ける。
無電解めっきの条件は、上記した第1無電解めっき層64における無電解めっきの条件と同様である。とりわけ、無電解めっきの時間、すなわち、浸漬時間を短く設定することができる。すなわち、第1導体パターン21、第2導体パターン22および第7導体パターン27において、第2導体層66が第3ベース開口部73〜第6ベース開口部76内に充填されており、これによって、図14Bおよび図14Cに示すように、第1ベース開口部71および第3ベース開口部73において、第2導体層66が、第1導体層63を介して金属支持基板3と電気的に接続されている。さらに、図14A〜図14Cに示すように、第2ベース開口部72および第4ベース開口部74において、第2導体層66が、金属支持基板3の上面に接触し、これによって、金属支持基板3と電気的に接続されている。そのため、第2導体層66の表面における第2無電解めっき層67を安定的に析出させることができる。その結果、金属支持基板3の表面において、第2無電解めっき層67を構成するためのめっき材料の付着を抑制することができる。浸漬時間は、めっき液の組成、目標とする第2無電解めっき層67の厚みなどに依存するが、例えば、10分以下、好ましくは、5分以下、より好ましくは、2分以下であり、また、0.1分以上である。
<カバー絶縁層68を設ける工程>
次いで、この方法では、図15(図15A〜図15D)に示すように、カバー絶縁層68を、複数の配線50に設けられる第2無電解めっき層67を被覆するように、設ける。また、カバー絶縁層68を、外部側端子15およびスライダ側端子16に設けられる第2無電解めっき層67を露出するように、設ける。
カバー絶縁層68を設けるには、例えば、感光性の絶縁材料のワニスを第2ベース絶縁層65および第2導体層66の上に塗布して乾燥させた後、露光および現像して、加熱硬化する。あるいは、上記したパターンに予め形成された絶縁材料のシートを第2ベース絶縁層65および第2導体層66の上に貼着する。好ましくは、感光性の絶縁材料のワニスを第2ベース絶縁層65および第2導体層66の上に塗布して乾燥させた後、露光および現像して、加熱硬化する。
<第2無電解めっき層67を除去する工程>
((7)第2無電解めっき層をエッチングにより除去する工程の一例)
次いで、この方法では、図16(図16A〜図16D)に示すように、外部側端子15およびスライダ側端子16に設けられる第2無電解めっき層67を除去する。
上記した第2無電解めっき層67を除去するには、例えば、ウエット法、例えば、プラズマ処理やレーザー光処理などのドライ法などが用いられる。好ましくは、ウエット法が用いられる。ウエット法としては、例えば、エッチング液およびエッチングレジストを用いるエッチング(ウエットエッチング)などが挙げられる。具体的には、エッチングでは、まず、エッチングレジストを、除去したい部分以外の第2無電解めっき層67の表面に設け、次いで、エッチングレジストが設けられた積層体をエッチング液に浸漬して、除去した部分の第2無電解めっき層67を除去する。その後、エッチングレジストを除去する。
なお、エッチングレジストを、例えば、金属支持基板3の表面を露出するように、設ける。これによって、金属支持基板3の表面に付着し得る第1無電解めっき層64および第2無電解めっき層67を構成するためのめっき材料を除去することができる。なお、第1無電解めっき層64および第2無電解めっき層67を構成するためのめっき材料の金属支持基板3への付着が抑制されていることから、エッチング時間(エッチング液への浸漬時間)を短く設定することができる。エッチング時間は、エッチング液の組成、除去した第2無電解めっき層67の厚みなどに依存するが、例えば、5分以下、好ましくは、2分以下、より好ましくは、1分以下であり、また、0.1分以上である。
<第1ベース開口部71内に充填される第1導体層63の下面に接触する金属支持基板3を除去する工程>
((8)第1開口部内に充填される第1導体層の下面に接触する金属支持基板を除去する工程の一例)
次いで、この方法では、図17(図17A〜図17D)に示すように、第1ベース開口部71内に充填される第1導体層63の下面に接触する金属支持基板3を除去する。
具体的には、金属支持基板3に、端子開口部10、スリット11、第2支持開口部19および第3支持開口部38を形成する。
上記した金属支持基板3を除去する方法としては、例えば、エッチング、レーザー加工などが挙げられる。
これによって、第2支持開口部19および第3支持開口部38から、第1ベース絶縁層62が下方に露出する。
<第1ベース絶縁層62を、発光側端子17の下面を露出するように除去する工程>
次いで、この方法では、図18(図18A〜図18D)に示すように、第1ベース絶縁層62を、発光側端子17の下面を露出するように除去する。第1ベース絶縁層62を除去する方法としては、例えば、エッチング、レーザー加工などが挙げられる。
<電解めっき層69を設ける工程>
((9)電解めっき層を設ける工程の一例)
次いで、この方法では、図19(図19A〜図19D)に示すように、電解めっき層69を、発光側端子17の裏面(下面、図19A〜図19D参照)と、スライダ側端子16の表面(上面および側面、つまり、第2無電解めっき層67が除去された発光側端子17の面、図19A参照)と、外部側端子15の表面(上面および側面、つまり、第2無電解めっき層67が除去された外部側端子15の表面、図19A〜図19D参照)と、第2支持開口部19および第1ベース開口部71から露出する第1導体層63の裏面(下面、図19Bおよび図19C参照)と、支持開口部38および第1ベース開口部71から露出する第1導体層63の裏面(下面、図19B〜図19D参照)とに、金属支持基板3から給電する電解めっきにより設ける。
電解めっきの条件は、特に限定されない。第2ベース開口部72に充填される第2導体層66と、金属支持基板3とが接触しているため、金属支持基板3と複数の導体パターン20とが電気的に接続されている。そのため、金属支持基板3に給電することにより、上記した各層の表面および裏面とに、電解めっき層69を積層する。
<第2ベース開口部72内に充填される第2導体層66の下面に接触する金属支持基板3をその周囲の金属支持基板3と絶縁する工程>
((10)第2開口部内に充填される第2導体層の下面に接触する金属支持基板をその周囲の金属支持基板と絶縁する工程の一例)
次いで、この方法では、図20(図20A〜図20D)に示すように、第2ベース開口部72内に充填される第2導体層66の下面に接触する金属支持基板3をその周囲の金属支持基板3と絶縁する。
具体的には、図20Bおよび図20Cに示すように、金属支持基板3に、互いに独立する複数の端子支持部96が形成されるように、第1支持開口部18を形成する。これと同時に、図20Dに示すように、金属支持基板3を、補助配線58を分断する切断線60に沿って切断し、これによって、回路付サスペンション基板1の金属支持基板3をフレーム7から切り取る。
金属支持基板3を加工する方法としては、例えば、ウエット法、例えば、プラズマ処理やレーザー光処理などのドライ法などが用いられる。
これによって、第1支持開口部18内に端子支持部96が形成され、それによって、端子支持部96と、第1支持開口部18の周囲の金属支持基板3とが絶縁される。
これによって、回路付サスペンション基板1を得る。
その後、図5〜図7に示すように、回路付サスペンション基板1の本体部5に電源29および外部回路基板(図示せず)を実装するとともに、図4に示すように、ジンバル部6にスライダ2および発光素子39を実装する。具体的には、図5〜図7に示すように、外部側端子15に、電源29および外部回路基板(図示せず)の端子とを電気的に接続するとともに、図4に示すように、スライダ側端子16に、スライダ2を電気的に接続し、さらに、発光側端子17に、発光素子39を電気的に接続する。その後、電源29、外部回路基板(図示せず)、スライダ2および発光素子39を実装した回路付サスペンション基板1を、ハードディスクドライブに搭載する。
[本実施形態の作用効果]
そして、この方法によれば、(1)発光側端子17を含む第1導体層63を、第1ベース絶縁層62の上に、第1ベース開口部71内に充填されるように設けるので、第1導体層63を金属支持基板3と第1ベース開口部71を介して電気的に接続することができる。
また、(5)後側端子30を含む第2導体層66を、第2ベース絶縁層65の上に、第3ベース開口部73内に充填されるように設けるので、第2導体層66を、金属支持基板3と、第3ベース開口部73および第1ベース開口部71を介して電気的に接続することができる。
そのため、比較的短時間のエッチングによって、後側端子30に対応する第2無電解めっき層67、さらには、金属支持基板3に析出する第1無電解めっき層64および第2無電解めっき層67を構成するためのめっき材料を確実に除去することができる。
その結果、後側端子30のオーバーエッチングを防止でき、後側端子30の接続信頼性の低下を防止することができる。
また、この方法によれば、第1導体パターン21および第2導体パターン22においては、(9)電解めっき層69を、第2無電解めっき層67が除去された後側端子30の表面と、第1ベース開口部71内から露出する第1導体層63の下面とに、金属支持基板3から給電する電解めっきにより設けるので、めっきリードを別途設けることなく、第2無電解めっき層67が除去された後側端子30の表面と、第1ベース開口部71内から露出する第1導体層63の下面とに設けて、それらを保護することができる。
しかも、この方法によって得られた回路付サスペンション基板1では、第1導体層63および第2導体層66のそれぞれは、第1ベース絶縁層62および第2ベース絶縁層65のそれぞれに設けられるので、第1導体層63および第2導体層66の設計の自由度を向上させることができる。
この方法によれば、(4)第2ベース絶縁層65を形成する工程では、第4ベース開口部74を、第2ベース開口部72に連通するように形成し、(5)第2導体層66を設ける工程では、第2導体層66を、第2ベース絶縁層65の上に、第2ベース開口部72、第3ベース開口部73および第4ベース開口部74内に充填するので、第2導体層66を第2ベース開口部72および第4ベース開口部74を介して金属支持基板3と電気的に接続することができる。
そのため、電解めっき層69を、金属支持基板3から給電する電解めっきにより、後側端子30の表面、さらに、発光側端子17の裏面および第1ベース開口部71内から露出する第1導体層63の下面により確実に設けることができる。
また、この方法によれば、第2ベース開口部72内に充填される第2導体層66の下面に接触する金属支持基板3をその周囲の金属支持基板3と絶縁するので、第2導体層66を種々の用途、具体的には、差動層や電源層(詳しくは、第1導体パターン21、第2導体パターン22および第7導体パターン27では、電源層)とすることができる。
この方法によれば、第2ベース絶縁層65を設ける工程において、第1導体パターン21および第2導体パターン22が充填される第3ベース開口部73を、厚み方向に投影したときに、第1ベース開口部71と同一位置に配置するので、第1ベース開口部71および第3ベース開口部73の省スペース化を図ることができる。
一方、この方法によれば、(4)第2ベース絶縁層65を設ける工程において、第7導体パターン27が充填される第6ベース開口部76を、厚み方向に投影したときに、第1ベース開口部71と異なる位置に配置するので、第1ベース開口部71および第6ベース開口部76の設計の自由度を向上させることができる。
この方法によれば、1対の第3支持開口部38が、長手方向に沿う基準線Vに対して対称に配置されているので、得られる回路付サスペンション基板1の基準線Vにおける左右方向両側のバランスをより一層向上させることができる。
さらに、この方法において、金属支持基板3が、ステンレスからなり、第1無電解めっき層64および第2無電解めっき層67を構成するためのニッケル粒子の金属支持基板3への付着を有効に抑制することができる。
<変形例>
上記した実施形態では、図7および図13Dに示すように、第7導体パターン27において、第2導体層66に含まれる補助配線58を、第2ベース絶縁層65の上に設けているが、例えば、図21に示すように、第1ベース絶縁層62および第2ベース絶縁層65の両方の上に設けることもできる。
図21に示すように、補助配線58に対応する第2ベース絶縁層65の後端縁は、第2ベース開口部72の前側に間隔を隔てて配置されている。第7導体パターン27における補助配線58は、第2ベース絶縁層65の上面において後方に延び、第2ベース絶縁層65の後端面に沿って下側に下りて、続いて、第1ベース絶縁層62の上面に至った後、さらに後方に延び、第2ベース開口部72内に充填される。
この変形例では、第7導体パターン27に対応する第2ベース絶縁層65を、第4ベース開口部74を設けることなく、設ける。
このような回路付サスペンション基板1を得る方法では、図8D〜図11Dに示すように、上記した方法と同様の方法によって、金属支持基板3を用意し(図8D参照)、続いて、第1ベース絶縁層62(図9D参照)、第1導体層63(図10D参照)および第1無電解めっき層64(図11D参照)を順次設ける。
その後、この方法では、図22Aに示すように、第2ベース絶縁層65を、第4ベース開口部74(図12D参照)を設けることなく、第1ベース絶縁層62の上に設ける。
次いで、この方法では、図22Bに示すように、第2導体層66を、第1ベース絶縁層62の上および第2ベース絶縁層65の上に設ける。具体的には、第2無電解めっき層67を、第1ベース絶縁層62の第2ベース開口部72、および、第2ベース絶縁層65第6ベース開口部76に充填されるように、設ける。第2ベース開口部72に充填される第2導体層66は、第2ベース開口部72から露出する金属支持基板3の上面に積層される。一方、第6ベース開口部76に充填される第2導体層66は、第6ベース開口部76から露出する第1無電解めっき層64の上面に積層される。
次いで、この方法では、図22Cに示すように、第2無電解めっき層67を、第2導体層66の表面に設ける。
次いで、この方法では、図23Dに示すように、カバー絶縁層68を、第1ベース絶縁層62および第2ベース絶縁層65の上に、第2無電解めっき層67を被覆するように設ける。
次いで、この方法では、図23Eに示すように、カバー絶縁層68から露出する第2無電解めっき層67をエッチングにより除去する。
次いで、この方法では、図23Fに示すように、第1ベース開口部71内に充填される第1導体層63の下面に接触する金属支持基板3を除去する。
次いで、この方法では、図24Gに示すように、第1ベース絶縁層62を、発光側端子17の下面を露出するように除去する。
次いで、この方法では、図24Hに示すように、電解めっき層69を、発光側端子17の裏面と、スライダ側端子16の表面(図19A参照)と、外部側端子15の表面と、第1ベース開口部71から露出する第1導体層63の裏面とに、金属支持基板3から給電する電解めっきにより設ける。
その後、この方法では、図24Iに示すように、第2ベース開口部72内に充填される第2導体層66の下面に接触する金属支持基板3をその周囲の金属支持基板3と絶縁する。
そして、この方法では、(5)後側端子30を含む第2導体層66を、第2ベース絶縁層65および第1ベース絶縁層62の上に、第2ベース開口部72および第6ベース開口部76に充填されるように、設けるので、第2導体層66を、金属支持基板3と、第2ベース開口部72を介して電気的に接続させることができる。
さらに、図4では、発光側端子17を、第2ベース絶縁層65に埋設するように設けているが、例えば、図示しないが、発光側端子17は、厚み方向に直交する方向(先後方向または幅方向)に投影したときに、第1ベース絶縁層62の上にあればよく、例えば、第1ベース絶縁層62の上面に設けることもできる。
その場合には、図示しないが、第1無電解めっき層64を、発光側端子17の表面(上面および側面)にも設け、続いて、図12が参照されるように、第2ベース絶縁層65を、発光側端子17の第1無電解めっき層64を露出するように設け、続いて、図13および図14が参照されるように、第2導体層66および第2無電解めっき層67を設ける。その後、図15が参照されるように、カバー絶縁層68を、発光側端子17の第1無電解めっき層64を露出するように設け、図16が参照されるように、発光側端子17の第1無電解めっき層64を、スライダ側端子16および外部側端子15の第2無電解めっき層67とともに、エッチングにより除去する。その後、図17が参照されるように、第1ベース開口部71内に充填される第1導体層63の下面に接触する金属支持基板3を除去する。次いで、第1ベース絶縁層62を除去する。その後、図19が参照されるように、電解めっき層69を、スライダ側端子16、発光側端子17および後側端子30の表面と、第1ベース開口部71内から露出する第1導体層63の裏面とに設ける。
この方法によれば、発光側端子17のオーバーエッチングを防止でき、発光側端子17の接続信頼性の低下を防止することができる。
また、この方法によれば、(9)電解めっき層69を、第1無電解めっき層64が除去された発光側端子17の表面、および、第2無電解めっき層67が除去されたスライダ側端子16および後側端子30の表面と、第1ベース開口部71内から露出する第1導体層63の裏面とに、金属支持基板3から給電する電解めっきにより設けるので、めっきリードを別途設けることなく、第1無電解めっき層64が除去された発光側端子17の表面、および、第2無電解めっき層67が除去されたスライダ側端子16および後側端子30の表面と、第1ベース開口部71内から露出する第1導体層63の下面とに設けて、それらを保護することができる。
1 回路付サスペンション基板
3 金属支持基板
15 外部側端子
17 発光側端子
18 第1支持開口部
19 第2支持開口部
38 第3支持開口部
62 第1ベース絶縁層
63 第1導体層
64 第1無電解めっき層
65 第2ベース絶縁層
66 第2導体層
67 第2無電解めっき層
71 第1ベース開口部
72 第2ベース開口部
73 第3ベース開口部
74 第4ベース開口部
V 基準線

Claims (7)

  1. (1)第1絶縁層を、厚み方向を貫通する第1開口部および第2開口部が設けられるように、金属支持基板の上に設ける工程、
    (2)第1端子を含む第1導体層を、前記第1絶縁層の上に、前記第1開口部内に充填されるように設ける工程、
    (3)第1無電解めっき層を、前記第1導体層の表面に、無電解めっきにより設ける工程、
    (4)第2絶縁層を、前記第1絶縁層の上に、厚み方向を貫通し、前記第1無電解めっき層を露出する第3開口部が設けられるように設ける工程であって、前記第3開口部を、前記第1導体層の表面に設けられる前記第1無電解めっき層の一部を露出するように形成する工程、
    (5)第2端子を含む第2導体層を、前記第2絶縁層の上に、前記第3開口部内に充填されるように、または、前記第2絶縁層および前記第1絶縁層の上に、前記第2開口部および前記第3開口部に充填されるように、設ける工程、
    (6)第2無電解めっき層を、前記第2導体層の表面に、無電解めっきにより設ける工程、
    (7)前記第1端子に対応する第1無電解めっき層、および/または、前記第2端子に対応する第2無電解めっき層を、エッチングにより除去する工程、
    (8)前記第1開口部内に充填される前記第1導体層の下面に接触する前記金属支持基板を除去する工程、および、
    (9)電解めっき層を、前記第1無電解めっき層が除去された前記第1端子の表面、および/または、前記第2無電解めっき層が除去された前記第2端子の表面と、前記第1開口部内から露出する第1導体層の下面とに、前記金属支持基板から給電する電解めっきにより設ける工程
    を備えることを特徴とする、回路付サスペンション基板の製造方法。
  2. (4)前記第2絶縁層を形成する工程では、第4開口部を、前記第2開口部に連通するように形成し、
    (5)前記第2導体層を設ける工程では、前記第2導体層を、前記第2絶縁層の上に、前記第2開口部、前記第3開口部および前記第4開口部内に充填することを特徴とする、請求項1に記載の回路付サスペンション基板の製造方法。
  3. (10)前記第2開口部内に充填される前記第2導体層の下面に接触する前記金属支持基板をその周囲の前記金属支持基板と絶縁する工程をさらに備えることを特徴とする、請求項2に記載の回路付サスペンション基板の製造方法。
  4. (4)前記第2絶縁層を設ける工程において、前記第3開口部を、厚み方向に投影したときに、前記第1開口部と同一位置に配置されるように、形成することを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載の回路付サスペンション基板の製造方法。
  5. (4)前記第2絶縁層を設ける工程において、前記第3開口部を、厚み方向に投影したときに、前記第1開口部と異なる位置に配置されるように、形成することを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載の回路付サスペンション基板の製造方法。
  6. 前記金属支持基板は、長手方向に沿って配置され、
    (1)前記第1絶縁層を設ける工程では、前記第1開口部を複数設け、
    (8)前記第1開口部内に充填される前記第1導体層の下面に接触する前記金属支持基板を除去する工程では、前記第1開口部内に充填される前記第1導体層の下面に接触する前記金属支持基板を、厚み方向を貫通する支持開口部が複数設けられるように、除去し、
    前記複数の支持開口部が、前記長手方向に沿う基準線に対して対称に配置されていることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか一項に記載の回路付サスペンション基板の製造方法。
  7. 前記金属支持基板が、ステンレスからなり、
    前記第1無電解めっき層および/または前記第2無電解めっき層を、ニッケルから形成することを特徴とする、請求項1〜6のいずれか一項に記載の回路付サスペンション基板の製造方法。
JP2013251160A 2013-12-04 2013-12-04 回路付サスペンション基板の製造方法 Active JP6169960B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013251160A JP6169960B2 (ja) 2013-12-04 2013-12-04 回路付サスペンション基板の製造方法
US14/558,070 US9693467B2 (en) 2013-12-04 2014-12-02 Producing method of suspension board with circuit
CN201410734701.8A CN104703400B (zh) 2013-12-04 2014-12-04 带电路的悬挂基板的制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013251160A JP6169960B2 (ja) 2013-12-04 2013-12-04 回路付サスペンション基板の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015109126A JP2015109126A (ja) 2015-06-11
JP6169960B2 true JP6169960B2 (ja) 2017-07-26

Family

ID=53266512

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013251160A Active JP6169960B2 (ja) 2013-12-04 2013-12-04 回路付サスペンション基板の製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9693467B2 (ja)
JP (1) JP6169960B2 (ja)
CN (1) CN104703400B (ja)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5147591B2 (ja) * 2008-08-06 2013-02-20 日東電工株式会社 回路付サスペンション基板、その製造方法および回路付サスペンション基板の位置決め方法
JP6169960B2 (ja) * 2013-12-04 2017-07-26 日東電工株式会社 回路付サスペンション基板の製造方法
JP6466680B2 (ja) * 2014-10-14 2019-02-06 日東電工株式会社 回路付サスペンション基板
JP6788442B2 (ja) * 2016-09-07 2020-11-25 日東電工株式会社 回路付サスペンション基板および回路付サスペンション基板の製造方法
JP6802688B2 (ja) * 2016-11-02 2020-12-16 日東電工株式会社 配線回路基板
CN110178181B (zh) * 2017-01-23 2021-06-08 日东电工株式会社 布线电路基板及其制造方法
JP6951240B2 (ja) * 2017-12-27 2021-10-20 日東電工株式会社 回路付サスペンション基板および回路付サスペンション基板の製造方法
JP2021097233A (ja) * 2019-12-18 2021-06-24 日東電工株式会社 配線回路基板

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6030877A (en) * 1997-10-06 2000-02-29 Industrial Technology Research Institute Electroless gold plating method for forming inductor structures
US6083842A (en) * 1999-02-19 2000-07-04 Advanced Micro Devices Inc. Fabrication of a via plug having high aspect ratio with a diffusion barrier layer effectively surrounding the via plug
JP4017303B2 (ja) * 1999-09-30 2007-12-05 日東電工株式会社 磁気ヘッドサスペンションの製造方法および磁気ヘッドサスペンション用の金属基板の検査方法
JP3593497B2 (ja) * 2000-11-08 2004-11-24 アルプス電気株式会社 薄膜磁気ヘッドの製造方法
TW508987B (en) * 2001-07-27 2002-11-01 Phoenix Prec Technology Corp Method of forming electroplated solder on organic printed circuit board
US7006330B1 (en) * 2003-03-10 2006-02-28 Western Digital Technologies, Inc. Head stack assembly including a ground conductive pad for grounding a slider to a gimbal
JP4790447B2 (ja) * 2006-03-02 2011-10-12 日東電工株式会社 回路付サスペンション基板
US7749885B2 (en) * 2006-12-15 2010-07-06 Micron Technology, Inc. Semiconductor processing methods, methods of forming contact pads, and methods of forming electrical connections between metal-containing layers
JP5288362B2 (ja) * 2007-01-17 2013-09-11 奥野製薬工業株式会社 多層めっき皮膜及びプリント配線板
KR20110070987A (ko) * 2008-10-21 2011-06-27 아토테크더치랜드게엠베하 기판 상에 땜납 용착물을 형성하는 방법
JP5002574B2 (ja) * 2008-11-11 2012-08-15 日東電工株式会社 回路付サスペンション基板およびその製造方法
KR101095202B1 (ko) * 2010-06-15 2011-12-16 삼성전기주식회사 하이브리드형 방열기판 및 그 제조방법
JP5592740B2 (ja) * 2010-09-22 2014-09-17 日東電工株式会社 ハードディスクドライブのスライダ用回路付きサスペンション基板
JP5996850B2 (ja) * 2010-10-12 2016-09-21 日東電工株式会社 回路付サスペンション基板およびその製造方法
US9241410B2 (en) * 2011-05-31 2016-01-19 Nitto Denko Corporation Wired circuit board and producing method thereof
CN102915746B (zh) * 2011-08-04 2016-08-24 新科实业有限公司 悬臂件、磁头折片组合以及硬盘驱动单元
JP5896845B2 (ja) 2011-08-22 2016-03-30 日東電工株式会社 配線回路基板
JP5896846B2 (ja) * 2011-08-22 2016-03-30 日東電工株式会社 回路付サスペンション基板
JP5084944B1 (ja) * 2011-11-28 2012-11-28 日東電工株式会社 配線回路基板
JP6103916B2 (ja) * 2012-02-20 2017-03-29 日東電工株式会社 回路付サスペンション基板およびハードディスクドライブ
JP6169960B2 (ja) * 2013-12-04 2017-07-26 日東電工株式会社 回路付サスペンション基板の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN104703400B (zh) 2018-09-11
US20150156892A1 (en) 2015-06-04
CN104703400A (zh) 2015-06-10
US9693467B2 (en) 2017-06-27
JP2015109126A (ja) 2015-06-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6169960B2 (ja) 回路付サスペンション基板の製造方法
JP6103916B2 (ja) 回路付サスペンション基板およびハードディスクドライブ
JP2009259357A (ja) 回路付サスペンション基板の製造方法
JP4866812B2 (ja) 配線回路基板の接続構造
JP6151654B2 (ja) 配線回路基板およびその製造方法
JP5249870B2 (ja) 配線回路基板およびその製造方法
US10201077B2 (en) Suspension board assembly sheet having circuits, method of manufacturing the same and method of inspecting the same
JP2009104712A (ja) 回路付サスペンション基板
JP6466680B2 (ja) 回路付サスペンション基板
JP6484073B2 (ja) 回路付サスペンション基板
US10028378B2 (en) Suspension board with circuit and producing method thereof
JP6420643B2 (ja) 回路付サスペンション基板
JP2016018570A (ja) 回路付サスペンション基板
CN105976836B (zh) 带电路的悬挂基板及其制造方法
JP6539194B2 (ja) 回路付サスペンション基板およびその製造方法
JP2011044228A (ja) 回路付サスペンション基板集合体シートの製造方法
JP5382558B2 (ja) サスペンション用基板、サスペンション、ヘッド付サスペンション、およびハードディスクドライブ
JP6382605B2 (ja) 回路付サスペンション基板およびその製造方法
JP2018200742A (ja) 回路付サスペンション基板およびその製造方法
WO2021095421A1 (ja) 配線回路基板およびその製造方法
JP5591384B2 (ja) 配線回路基板およびその製造方法
JP6818169B2 (ja) 回路付サスペンション基板
JP2011198814A (ja) 配線回路基板および配線回路基板の製造方法
JP2017107622A (ja) 回路付サスペンション基板、および、回路付サスペンション基板の製造方法
JP2008028199A (ja) 混成集積回路基板の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160923

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20170314

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170404

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170601

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20170613

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20170629

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6169960

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250