JP2021097233A - 配線回路基板 - Google Patents

Abstract

【課題】電子素子を厚み方向他方側において実装して、これと電気的に接続できながら、回路領域の強度に優れる配線回路基板を提供する。【解決手段】配線回路基板１は、電子素子３１を実装するための実装領域２と、実装領域２を囲む回路領域３とを備える。実装領域２は、端子１１を含む。回路領域３は、端子１１と電気的に接続される回路１２を含む。回路領域３は、金属支持層４と、ベース絶縁層５と、回路１２を含む導体層６とを備える。実装領域２は、金属支持層４を備えず、開口部１０を有するベース絶縁層５と、端子１１を含む導体層６とを備える。端子１１が、ベース絶縁層５の開口部１０に配置されている。【選択図】 図１

Description

本発明は、配線回路基板に関する。

従来、配線を包む配線領域と、端子を包む端子領域とを備える実装用配線基板が知られている（例えば、下記特許文献１参照。）。

特許文献１の実装用配線基板の配線領域では、ベース絶縁層、金属配線およびカバー絶縁層が配置されている。特許文献１の実装用配線基板の端子領域では、ベース絶縁層、端子およびカバー絶縁層が配置されており、端子の表面が、ベース絶縁層から露出する。

特許文献１では、端子領域に撮像素子が表側から実装され、撮像素子の電極が端子と電気的に接続される。

特開２０１９−６８０３２号公報

しかるに、用途および目的によっては、配線領域の優れた強度が要求されるところ、特許文献１に記載の実装用配線基板は、上記した要求を満足できないという不具合がある。
また、平坦性を確保する観点から、端子領域の裏側から撮像素子を実装したい場合がある。

本発明は、電子素子を厚み方向他方側において実装して、これと電気的に接続できながら、回路領域の強度に優れる配線回路基板を提供する。

本発明（１）は、端子を含んでおり、電子素子を実装して前記端子と電気的に接続するための実装領域と、前記端子と電気的に接続される回路を含み、前記実装領域を囲む回路領域とを備え、前記回路領域は、金属支持層と、前記金属支持層の厚み方向一方面に配置されるベース絶縁層と、前記ベース絶縁層の厚み方向一方面に対して厚み方向一方側に配置され、前記回路を含む導体層とを備え、前記実装領域は、金属支持層を備えず、開口部を有するベース絶縁層と、前記ベース絶縁層の厚み方向一方面に対して厚み方向一方側に配置され、前記端子を含む導体層とを備えており、前記端子が、前記ベース絶縁層の前記開口部に配置されている、配線回路基板を含む。

この配線回路基板において、厚み方向他方側から電子素子を実装領域に実装すれば、ベース絶縁層の開口部を介して、電子素子と端子とを電気的に接続できる。

また、この配線回路基板では、回路領域は、金属支持層を備えない実装領域と異なって、金属支持層を備えるので、強度に優れる。

従って、この配線回路基板によれば、実装領域においては、配線回路基板の厚み方向他方側から電子素子を実装できながら、回路領域は、強度に優れる。

本発明（２）は、前記実装領域の前記導体層が、前記回路領域の前記導体層より薄い、（１）に記載の配線回路基板を含む。

この配線回路基板では、実装領域の導体層が、回路領域の導体層より薄いので、実装領域を薄型化できる。

本発明（３）は、前記実装領域の前記ベース絶縁層が、前記回路領域の前記ベース絶縁層より薄い、（１）または（２）に記載の配線回路基板を含む。

この配線回路基板では、実装領域のベース絶縁層が、回路領域のベース絶縁層より薄いので、実装領域を薄型化できる。

本発明（４）は、前記端子の前記厚み方向他方面が、前記厚み方向他方側に露出している、（１）〜（３）のいずれか一項に記載の配線回路基板を含む。

この配線回路基板では、端子の厚み方向他方面が、厚み方向他方側に露出しているので、配線回路基板の厚み方向他方側において、電子素子の電極と端子とを確実に接続できる。

本発明（５）は、前記端子の前記厚み方向他方面と、前記実装領域における前記ベース絶縁層の前記厚み方向他方面とが、面一である、（４）に記載の配線回路基板を含む。

この配線回路基板では、端子の厚み方向他方面と、実装領域におけるベース絶縁層の厚み方向他方面とが、面一であるので、電子素子の実装が簡単である。

本発明（６）は、前記実装領域は、前記端子の前記厚み方向他方面に接触する導電層をさらに備える、（１）〜（３）のいずれか一項に記載の配線回路基板を含む。

この配線回路基板では、実装領域が導電層をさらに備えるので、電子素子が導電層と容易に接触できる。そのため、電子素子と端子との電気的な接続を容易にできる。

本発明（７）は、前記回路領域の前記導体層は、第２端子を含み、前記第２端子の厚み方向一方面が、前記厚み方向一方側に露出している、（１）〜（６）のいずれか一項に記載の配線回路基板を含む。

電子素子を厚み方向他方側から配線回路基板に実装でき、一方、電子素子と異なる外部基板を厚み方向一方側から配線回路基板に実装して、外部基板と第２端子とを電気的に接続できる。つまり、配線回路基板は、その厚み方向両側のそれぞれにおいて、電子素子および外部基板のそれぞれと接続できる。

本発明（８）は、前記回路領域の前記ベース絶縁層は、第２開口部を有し、前記回路領域の前記導体層は、前記第２開口部に配置されている第３端子を含む、（１）〜（６）のいずれか一項に記載の配線回路基板を含む。

この配線回路基板では、電子素子を厚み方向一方側から配線回路基板に実装でき、また、電子素子と異なる外部基板を厚み方向一方側から配線回路基板に実装すれば、ベース絶縁層の第２開口部を介して、外部基板と第２端子とを電気的に接続できる。つまり、配線回路基板は、その厚み方向一方側（同じ側）において、電子素子および外部基板と接続できる。

本発明（９）は、前記第３端子の前記厚み方向他方面が、前記厚み方向他方側に露出している、（８）に記載の配線回路基板を含む。

この配線回路基板では、第３端子が、厚み方向他方面に露出するので、配線回路基板の厚み方向他方側に配置される外部基板と確実に接続できる。

本発明（１０）は、前記回路領域は、前記第３端子の前記厚み方向他方面に接触する第２導電層をさらに備える、（８）に記載の配線回路基板を含む。

この配線回路基板では、回路領域が第２導電層をさらに備えるので、外部基板が第２導電層と容易に接触できる。そのため、外部基板と、第２端子との電気的な接続を容易にできる。

本発明の配線回路基板によれば、実装領域においては、配線回路基板の厚み方向他方側から電子素子を実装できながら、回路領域は、強度に優れる。

図１は、本発明の配線回路基板の一実施形態の断面図である。 図２Ａ〜図２Ｅは、図１に示す配線回路基板の製造工程図であり、図２Ａが、金属シートを準備する工程、図２Ｂが、ベース絶縁層を形成する工程、図２Ｃが、導体層を形成する工程、図２Ｄが、第１カバー絶縁層を形成する工程、図２Ｅが、導電層を形成する工程である。 図３Ｆ〜図３Ｉは、図２Ｅに引き続き、図１に示す配線回路基板の製造工程図および使用図であり、図３Ｆが、第２カバー絶縁層を形成する工程、図３Ｇが、金属支持層を形成する工程、図３Ｈが、端子を露出させる工程、図３Ｉが、電子素子を実装領域に実装する工程である。 図４は、図１に示す配線回路基板の変形例（実装領域が導電層をさらに備える態様）の断面図である。 図５は、図１に示す配線回路基板の変形例（回路領域が厚み方向一方側に露出する第３端子を備える態様）の断面図である。 図６は、図１に示す配線回路基板の変形例（回路領域が第２導電層をさらに備える態様）の断面図である。 図７は、図６に示す配線回路基板のさらなる変形例の断面図である。

＜一実施形態＞
本発明の配線回路基板の一実施形態を、図１〜図３Ｉを参照して説明する。

配線回路基板１は、所定厚みを有する平板形状を有する。配線回路基板１は、実装領域２と、回路領域３とを備える。

実装領域２は、断面（厚み方向に沿う断面、以下同様）において、面方向（厚み方向および後述する回路１２が延びる方向に直交する方向）両端部の間に位置する。この実装領域２は、後述する電子素子３１（図３Ｉ参照）を実装する。

回路領域３は、実装領域２を囲む。回路領域３は、断面において、配線回路基板１の面方向両端部に位置する。

また、この配線回路基板１は、金属支持層４と、ベース絶縁層５と、導体層６と、カバー絶縁層７と、第２導体層１７とを備える。

金属支持層４は、実装領域２に含まれず、回路領域３に含まれる。

金属支持層４は、回路領域３において、平板形状を有する。金属支持層４の平面視における形状は、回路領域３のそれと同様である。金属支持層４の材料は、特に限定されず、遷移金属、典型金属のいずれであってもよい。具体的には、金属支持層４の材料としては、例えば、カルシウムなどの第２族金属元素、チタン、ジルコニウムなどの第４族金属元素、バナジウムなどの第５族金属元素、クロム、モリブデン、タングステンなどの第６族金属元素、マンガンなどの第７族金属元素、鉄などの第８族金属元素、コバルトなどの第９族金属元素、ニッケル、白金などの第１０族金属元素、銅、銀、金などの第１１族金属元素、亜鉛などの第１２族金属元素、アルミニウム、ガリウムなどの第１３族金属元素、ゲルマニウム、錫などの第１４族金属元素が挙げられる。これらは、単独使用または併用することができる。

金属支持層４の厚みは、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上であり、また、例えば、１０ｍｍ以下、好ましくは、１ｍｍ以下である。

ベース絶縁層５は、実装領域２および回路領域３に含まれる。ベース絶縁層５は、回路領域３においては、金属支持層４の厚み方向一方面に配置されている。また、ベース絶縁層５は、実装領域２において、厚み方向両側に露出している。

また、実装領域２のベース絶縁層５は、後述する端子１１が配置される開口部１０を有する。開口部１０は、ベース絶縁層５を厚み方向に貫通する。開口部１０は、実装領域２の面方向中央部に位置する。ベース絶縁層５において開口部１０を仕切る内側面は、厚み方向他方側に向かうに従って開口断面積が小さくなる断面テーパ形状を有する。

実装領域２のベース絶縁層５は、回路領域３のベース絶縁層５より薄い。詳しくは、実装領域２のベース絶縁層５の厚み方向一方面は、回路領域３のベース絶縁層５の厚み方向一方面より、厚み方向他方側に位置する。また、実装領域２のベース絶縁層５の厚み方向他方面は、回路領域３のベース絶縁層５の厚み方向他方面より、厚み方向一方側に位置する。つまり、面方向に投影したときに、ベース絶縁層５において、回路領域３における他方面と、実装領域２における他方面と、実装領域２における一方面と、回路領域３における一方面とが、厚み方向一方側に向かって順に位置する。

実装領域２のベース絶縁層５の厚みＴ１は、例えば、２０μｍ以下、好ましくは、１５μｍ以下、より好ましくは、１０μｍ以下であり、また、例えば、１μｍ以上である。回路領域３のベース絶縁層５の厚みＴ２は、例えば、１μｍ以上、好ましくは、３μｍ以上、より好ましくは、５μｍ以上であり、また、例えば、３０μｍ以下である。

回路領域３のベース絶縁層５の厚みＴ２に対する実装領域２のベース絶縁層５の厚みＴ１の比（Ｔ１／Ｔ２）は、例えば、０．８以下、好ましくは、０．５未満、より好ましくは、０．３以下であり、また、例えば、０．０１以上、好ましくは、０．１以上である。

ベース絶縁層５の材料としては、ポリイミドなどの絶縁樹脂が挙げられる。

導体層６は、実装領域２および回路領域３に含まれる。導体層６は、ベース絶縁層５の厚み方向一方面に配置されている。

導体層６は、端子パターン８と、回路パターン９とを備える。

端子パターン８は、実装領域２に含まれる。端子パターン８は、端子１１を有する。

端子１１は、ベース絶縁層５の開口部１０に配置されている。端子１１は、面方向に広がる形状を有する。詳しくは、端子１１は、面方向における中央部（後述する面方向周端部に囲まれる中央部、以下同様）が、開口部１０内に充填され、周端部が、ベース絶縁層５における開口部１０の周囲の厚み方向一方面に配置されている。端子１１の中央部の厚み方向他方面は、ベース絶縁層５から厚み方向他方側に露出する。端子１１の中央部の厚み方向他方面は、実装領域２のベース絶縁層５の厚み方向他方面と面一である。なお、図示しないが、端子１１は、面方向に間隔を隔てて複数配置されてもよい。

回路パターン９は、回路領域３に含まれる。回路パターン９は、回路１２を有する。

回路１２は、例えば、信号配線、電源配線などの配線である。回路１２は、面方向に延びる。なお、回路１２は、面方向において間隔を隔てて複数配置されていてもよい。

また、回路パターン９は、さらに、第２端子１３を有する。第２端子１３は、回路１２と連続しており（連続構造は図示せず）、これによって、回路１２と接続される。

また、回路パターン９は、端子パターン８と電気的に接続される。具体的には、回路１２が、端子１１に連続する（連続構造は図示せず）。

導体層６の材料としては、例えば、銅、銀、金、クロム、ニッケル、チタン、それらの合金などの導体が挙げられる。

導体層６の厚みは、例えば、１μｍ以上、また、１，０００μｍ以下である。

また、端子パターン８は、回路パターン９より薄い。具体的には、端子パターン８の厚みＴ３は、例えば、２０μｍ以下、好ましくは、１０μｍ以下、より好ましくは、５μｍ以下であり、また、例えば、１μｍ以上である。回路パターン９の厚みＴ４は、例えば、３μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上、より好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、３０μｍ以下である。回路パターン９の厚みＴ４に対する端子パターン８の厚みＴ３の比（Ｔ３／Ｔ４）は、例えば、０．８以下、好ましくは、０．５未満、より好ましくは、０．３以下であり、また、例えば、０．０１以上、好ましくは、０．１以上である。

なお、回路パターン９において、回路１２の厚み、および、第２端子１３の厚みは、同一である。

カバー絶縁層７は、第１カバー絶縁層１４と、第２カバー絶縁層１５とを備える。

第１カバー絶縁層１４は、実装領域２および回路領域３に含まれる。

実装領域２における第１カバー絶縁層１４は、端子パターン８を被覆するように、ベース絶縁層５の厚み方向一方面に配置されている。具体的には、実装領域２における第１カバー絶縁層１４は、端子１１の厚み方向一方面に接触する。

回路領域３における第１カバー絶縁層１４は、回路パターン９を被覆するように、ベース絶縁層５の厚み方向一方面に配置されている。第１カバー絶縁層１４は、第２端子１３の周側面および厚み方向一方面の周端部と、回路１２の両側面および厚み方向一方面とに接触する。第１カバー絶縁層１４は、第２端子１３の厚み方向一方面の中央部を露出する。

第２カバー絶縁層１５は、回路領域３に含まれず、実装領域２に含まれる。実装領域２における第２カバー絶縁層１５は、第１カバー絶縁層１４の厚み方向一方面に配置されている。

カバー絶縁層７の厚みは、例えば、２μｍ以上、例えば、３０μｍ以下である。第１カバー絶縁層１４および第２カバー絶縁層１５のそれぞれの厚みは、例えば、１μｍ以上、例えば、１５μｍ以下である。

カバー絶縁層７の材料としては、ポリイミドなどの絶縁樹脂が挙げられる。

第２導体層１７は、実装領域２に含まれる。第２導体層１７は、カバー絶縁層７に埋設される。第２導体層１７は、厚み方向において、第１カバー絶縁層１４および第２カバー絶縁層１５に挟まれている。第２導体層１７は、厚み方向に投影したときに、端子パターン８と重なるように、第１カバー絶縁層１４の厚み方向一方面に配置されている。第２導体層１７は、端子パターン８に対するシールド層として作用する。第２導体層１７の材料としては、例えば、銅、銀、金、クロム、ニッケル、チタン、それらの合金などの導体が挙げられる。第２導体層１７の厚みは、例えば、１０ｎｍ以上、また、例えば、１０μｍ以下である。

この配線回路基板１における実装領域２は、配線回路基板１における回路領域３より薄い。

配線回路基板１における実装領域２の厚みＴ５は、ベース絶縁層５の厚み方向他方面およびカバー絶縁層７の厚み方向一方面の距離であって、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、４０μｍ以下、より好ましくは、２５μｍ以下であり、また、例えば、１μｍ以上である。配線回路基板１における回路領域３の厚みＴ６は、金属支持層４の厚み方向他方面およびカバー絶縁層７の厚み方向一方面の距離であって、例えば、５０μｍ超過、好ましくは、６０μｍ以上、より好ましくは、７５μｍ以上であり、また、例えば、１，０００μｍ以下である。

回路領域３の厚みＴ６に対する実装領域２の厚みＴ５の比（Ｔ５／Ｔ６）は、例えば、０．８以下、好ましくは、０．５未満、より好ましくは、０．３以下であり、また、例えば、０．０１以上、好ましくは、０．１以上である。

次に、この配線回路基板１の製造方法を、図２Ａ〜図３Ｈを参照して説明する。

図２Ａに示すように、この方法では、まず、金属シート１８を準備する。金属シート１８は、面方向に延びるシートである。金属シート１８は、金属支持層４を形成するためのシートである。

図２Ｂに示すように、次いで、この方法では、ベース絶縁層５を、金属シート１８の厚み方向一方面に形成する。例えば、絶縁樹脂を含む感光性のワニスを、金属シート１８の厚み方向一方面に塗布および乾燥して、感光性のベース皮膜を形成し、これをフォトリソグラフィーして、ベース絶縁層５を形成する。なお、このベース絶縁層５は、まだ開口部１０（図３Ｈ参照）を有しておらず、フォトリソグラフィーにおける階調露光に基づいて、厚みがそれぞれ異なる第１ベース部２１、第２ベース部２２および第３ベース部２３を有する。第１ベース部２１および第２ベース部２２は、実装領域２に配置される。第３ベース部２３は、回路領域３に配置される。第１ベース部２１は、第２ベース部２２より厚い。第１ベース部２１は、第３ベース部２３より薄い。

図２Ｃに示すように、次いで、この方法では、導体層６を、ベース絶縁層５の厚み方向一方面に形成する。導体層６を、例えば、アディティブ法、サブトラクティブ法などのパターン形成法によって、端子パターン８と、回路パターン９とを備えるように、形成する。例えば、まず、端子パターン８および回路パターン９のうち、いずれか一方を形成し、その後、他方を形成する。または、アディティブ法であれば、まず、端子パターン８と、回路パターン９の厚み方向他方側部分とを形成し、次いで、回路パターン９の厚み方向一方側部分を積層する。
端子１１の中央部は、第２ベース部２２の厚み方向一方面に形成される。端子１１の周端部は、第１ベース部２１の厚み方向一方面に形成される。

図２Ｄに示すように、次いで、この方法では、第１カバー絶縁層１４を、ベース絶縁層５の厚み方向一方面に形成する。例えば、絶縁樹脂を含む感光性のワニスを、ベース絶縁層５および導体層６の厚み方向一方面に塗布および乾燥して、感光性のカバー皮膜を形成し、これをフォトリソグラフィーして、第１カバー絶縁層１４を形成する。第１カバー絶縁層１４は、端子１１および回路１２を被覆する。第１カバー絶縁層１４は、第２端子１３の周側面および厚み方向一方面の周端部を被覆する。第１カバー絶縁層１４は、第２端子１３の厚み方向一方面の中央部を露出する。

図２Ｅに示すように、次いで、この方法では、第２導体層１７を、実装領域２の第１カバー絶縁層１４の厚み方向一方面に形成する。例えば、スパッタリング、めっきなどによって、第２導体層１７を形成する。

図３Ｆに示すように、次いで、この方法では、第２カバー絶縁層１５を、実装領域２の第１カバー絶縁層１４の厚み方向一方面に、第２導体層１７を被覆するように形成する。
第２カバー絶縁層１５の形成方法は、第１カバー絶縁層１４の形成方法と同様である。

これによって、第１カバー絶縁層１４および第２カバー絶縁層１５を備えるカバー絶縁層７を形成する。

図３Ｇに示すように、次いで、この方法では、金属支持層４を金属シート１８から形成する。具体的には、実装領域２における金属シート１８を除去する。金属支持層４を形成するには、例えば、エッチングなどによって、金属シート１８を外形加工する。これによって、実装領域２におけるベース絶縁層５の厚み方向他方面が露出する。

図３Ｈに示すように、次いで、この方法では、実装領域２のベース絶縁層５の厚み方向他方側部分を除去する。これによって、第２ベース部２２を除去し、また、第１ベース部２１の厚み方向他方側部分を除去する。実装領域２におけるベース絶縁層５を、例えば、厚み方向他方側から、エッチングする。

第２ベース部２２の除去によって、実装領域２のベース絶縁層５の第１ベース部２１に、開口部１０が形成される。これによって、端子１１の厚み方向他方面が、第２ベース部２２から露出する。また、第１ベース部２１から、実装領域２のベース絶縁層５が形成される。

これによって、配線回路基板１が得られる。

この配線回路基板１は、例えば、電子素子３１を実装する実装用基板である。

電子素子３１としては、例えば、ＣＭＯＳセンサ、ＣＣＤセンサなどの固体撮像素子などが挙げられる。電子素子３１は、平板形状を有する。電子素子３１は、厚み方向一方面に電極３２を有する。

その後、電子素子３１を、配線回路基板１の厚み方向他方側から、実装領域２に実装する。電極３２と端子１１とが、電気的に接続される。電子素子３１は、厚み方向に投影したときに、実装領域２と重複し、回路領域３に重複しない。一方、面方向に投影したときに、電子素子３１は、金属支持層４と重複する。

さらに、仮想線で示す外部基板３３を、配線回路基板１の厚み方向一方側から、回路領域３に実装することができる。外部基板３３は、厚み方向他方面に端子３４を有する。外部基板３３の端子３４と第２端子１３とが、電気的に接続される。

（一実施形態の作用効果）
そして、この配線回路基板１では、その厚み方向他方側から電子素子３１を実装領域２に実装し、ベース絶縁層５の開口部１０を介して、電子素子３１の電極３２と端子１１とを電気的に接続できる。

また、この配線回路基板１では、回路領域３は、金属支持層４を備えない実装領域２と異なって、金属支持層４を備えるので、強度に優れる。そうすると、外部基板３３を回路領域３に実装しても、これを強固に支持できる。

従って、この配線回路基板１によれば、実装領域２においては、配線回路基板１の厚み方向他方側から電子素子３１を実装できながら、回路領域３は、強度に優れる。

また、この配線回路基板１では、実装領域２の端子パターン８が、回路領域３の回路パターン９より薄いので、実装領域２を薄型化できる。

また、この配線回路基板１では、実装領域２のベース絶縁層５が、回路領域３のベース絶縁層５より薄いので、実装領域２を薄型化できる。

また、この配線回路基板１では、端子１１の厚み方向他方面が、厚み方向他方側に露出しているので、配線回路基板１の厚み方向他方側において、電子素子３１の電極３２と端子１１とを確実に接続できる。

また、この配線回路基板１では、端子１１の厚み方向他方面と、実装領域２におけるベース絶縁層５の厚み方向他方面とが、面一であるので、電子素子３１の実装が簡単である。

また、この配線回路基板１では、電子素子３１を厚み方向他方側から配線回路基板１に実装でき、一方、外部基板３３を厚み方向一方側から配線回路基板１に実装できる。つまり、配線回路基板１は、その厚み方向両側のそれぞれにおいて、電子素子３１および外部基板３３のそれぞれと接続できる。

（変形例）
以下の各変形例において、上記した一実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、各変形例は、特記する以外、一実施形態と同様の作用効果を奏することができる。さらに、一実施形態およびその変形例を適宜組み合わせることができる。

図示しないが、端子パターン８は、回路パターン９より厚くても、または、回路パターン９と同じ厚さであってもよい。好ましくは、一実施形態のように、端子パターン８は、回路パターン９より薄い。これによって、実装領域２を薄型化できる。

また、図示しないが、実装領域２のベース絶縁層５が、回路領域３のベース絶縁層５より厚くても、または、回路領域３のベース絶縁層５と同じ厚さであってもよい。好ましくは、一実施形態のように、実装領域２のベース絶縁層５は、回路領域３のベース絶縁層５より薄い。これによって、実装領域２を薄型化できる。

また、図示しないが、配線回路基板１は、第２導体層１７を備えなくてもよい。この場合には、カバー絶縁層７は、１つの層からなる。

図４に示すように、配線回路基板１では、実装領域２は、端子１１の厚み方向他方面に接触する導電層２５をさらに備える。

導電層２５は、端子１１の厚み方向他方面全面と、ベース絶縁層５における開口部１０の周囲の厚み方向他方面とに接触する。導電層２５は、平板形状を有する。導電層２５は、回路領域３の金属支持層４と間隔が隔てられる。導電層２５は、金属支持層４に対して、電気的に独立する。具体的には、導電層２５は、断面において、回路領域３の金属支持層４に間隔を隔てて囲まれる。導電層２５の材料としては、例えば、銅、銀、金、クロム、ニッケル、チタン、それらの合金などの導体が挙げられ、好ましくは、金属支持層４の材料と同一である。

例えば、導電層２５は、図２Ａに示す金属シート１８を外形加工して形成される。具体的には、導電層２５は、金属支持層４と同じタイミングで形成される。そのため、導電層２５は、金属支持層４と同一層であり、また、同じ厚みを有する。

または、導電層２５は、金属支持層４と別のタイミングで形成され、金属支持層４とは別層であってもよい。例えば、金属支持層４を形成した後、別途、導電層２５を端子１１の厚み方向他方面に形成する。その場合には、導電層２５は、金属支持層４と厚みが異なる。

導電層２５の厚みは、好ましくは、１μｍ以上であり、また、好ましくは、２００μｍ以下である。

図４に示す配線回路基板１では、実装領域２が導電層２５をさらに備えるので、電子素子３１の電極３２が導電層２５と容易に接触できる。そのため、電極３２と、端子１１との電気的な接続を容易にできる。

図５に示すように、配線回路基板１では、回路パターン９は、厚み方向一方側に露出する第２端子１３（図１参照）に代えて、厚み方向他方側に露出する第３端子２８を備える。

回路領域３の金属支持層４は、金属開口部２６を有する。金属開口部２６は、金属支持層４を厚み方向に貫通する。

回路領域３のベース絶縁層５は、金属開口部２６に連通する第２開口部２７を備える。第２開口部２７の厚み方向一方側部分に、第３端子２８が配置されている。第２開口部２７は、第３端子２８の厚み方向他方面を露出する。

つまり、金属開口部２６および第２開口部２７は、第３端子２８の厚み方向他方面を露出する。

図５に示す配線回路基板１では、電子素子３１を厚み方向他方側から配線回路基板１に実装でき、また、外部基板３３を厚み方向他方側から配線回路基板に実装すれば、ベース絶縁層５の第２開口部２７を介して、外部基板３３と第３端子２８とを電気的に接続できる。つまり、配線回路基板１は、その厚み方向他方側（同じ側）において、電子素子３１および外部基板３３と接続できる。

また、第３端子２８は、厚み方向他方面に露出するので、配線回路基板１の厚み方向他方側に配置される外部基板３３と確実に接続できる。

図６に示す配線回路基板１では、回路領域３は、第３端子２８の厚み方向他方面に接触する第２導電層２９をさらに備える。

第２導電層２９は、第３端子２８の厚み方向他方面全面と、ベース絶縁層５における第２開口部２７の周囲の厚み方向他方面とに接触する。第２導電層２９は、平板形状を有する。第２導電層２９は、断面において、回路領域３において、周囲の金属支持層４と間隔が隔てられる。第２導電層２９は、金属支持層４に対して、電気的に独立する。第２導電層２９の材料としては、例えば、銅、銀、金、クロム、ニッケル、チタン、それらの合金などの導体が挙げられ、好ましくは、金属支持層４の材料と同一である。

例えば、第２導電層２９は、図２Ａに示す金属シート１８を外形加工して形成される。具体的には、第２導電層２９は、金属支持層４と同じタイミングで形成される。そのため、第２導電層２９は、金属支持層４と同一層であり、また、同じ厚みを有する。

または、第２導電層２９は、金属支持層４と別のタイミングで形成され、金属支持層４とは別層であってもよい。例えば、金属支持層４を形成した後、別途、第２導電層２９を第３端子２８の厚み方向他方面に形成する。その場合には、第２導電層２９は、金属支持層４と厚みが異なる。第２導電層２９の厚みは、好ましくは、１μｍ以上であり、また、好ましくは、２００μｍ以下である。

図６に示す配線回路基板１では、回路領域３が第２導電層２９をさらに備えるので、外部基板３３の端子３４が第２導電層２９と容易に接触できる。そのため、外部基板３３の端子３４と、第３端子２８との電気的な接続を容易にできる。

図７に示す配線回路基板１では、実装領域２の面方向外側に位置する回路領域３では、金属支持層４は、２つの第３端子２８の間に配置される。詳しくは、回路領域３のベース絶縁層５の厚み方向他方面は、断面において、金属支持層４の外側に位置する第３端子２８の外側において、露出する。また、回路領域３のベース絶縁層５の厚み方向他方面は、断面において、金属支持層４の内側に位置する第３端子２８の内側において、露出する。

図７に示す配線回路基板１では、外部基板３３の第３端子２８への接続が容易である。

１ 配線回路基板
２ 実装領域
３ 回路領域
４ 金属支持層
５ ベース絶縁層
６ 導体層
１１ 端子
１２ 回路
１３ 第２端子
２５ 導電層
２７ 第２開口部
２８ 第３端子
２９ 第２導電層
３１ 電子素子

Claims (10)

1. 端子を含んでおり、電子素子を実装して前記端子と電気的に接続するための実装領域と、
   前記端子と電気的に接続される回路を含み、前記実装領域を囲む回路領域とを備え、
   前記回路領域は、
   金属支持層と、
   前記金属支持層の厚み方向一方面に配置されるベース絶縁層と、
   前記ベース絶縁層の厚み方向一方面に対して厚み方向一方側に配置され、前記回路を含む導体層とを備え、
   前記実装領域は、
   金属支持層を備えず、
   開口部を有するベース絶縁層と、
   前記ベース絶縁層の厚み方向一方面に対して厚み方向一方側に配置され、前記端子を含む導体層とを備えており、
   前記端子が、前記ベース絶縁層の前記開口部に配置されていることを特徴とする、配線回路基板。
2. 前記実装領域の前記導体層が、前記回路領域の前記導体層より薄いことを特徴とする、
   請求項１に記載の配線回路基板。
3. 前記実装領域の前記ベース絶縁層が、前記回路領域の前記ベース絶縁層より薄いことを特徴とする、請求項１または２に記載の配線回路基板。
4. 前記端子の前記厚み方向他方面が、前記厚み方向他方側に露出していることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の配線回路基板。
5. 前記端子の前記厚み方向他方面と、前記実装領域における前記ベース絶縁層の前記厚み方向他方面とが、面一であることを特徴とする、請求項４に記載の配線回路基板。
6. 前記実装領域は、前記端子の前記厚み方向他方面に接触する導電層をさらに備えることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の配線回路基板。
7. 前記回路領域の前記導体層は、第２端子を含み、
   前記第２端子の厚み方向一方面が、前記厚み方向一方側に露出していることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載の配線回路基板。
8. 前記回路領域の前記ベース絶縁層は、第２開口部を有し、
   前記回路領域の前記導体層は、前記第２開口部に配置されている第３端子を含むことを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載の配線回路基板。
9. 前記第３端子の前記厚み方向他方面が、前記厚み方向他方側に露出していることを特徴とする、請求項８に記載の配線回路基板。
10. 前記回路領域は、前記第３端子の前記厚み方向他方面に接触する第２導電層をさらに備えることを特徴とする、請求項８に記載の配線回路基板。

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