JP4366342B2 - 実装基板及びそれに載置されるマイクロホン - Google Patents
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Description
実装基板13にマイクロホンを搭載するに際しては、実装基板13の半田パターン14、15上に半田バンプ電極11、12を置き、リフロー槽を通すことにより半田を溶融させて半田パターン14、15と半田バンプ電極11、12を接続することで、マイクロホンが実装基板13に搭載され電気的に接続されることになる。
また、半田接続に当たって、リフロー槽の通過時は、半田バンプ電極11、12及び半田パターン14、15の溶融により多くの部分に半田が行き渡り、半田パターン14、15の全域が回路基板10の外部の半田バンプ電極11、12やレジスト膜10bと接触する。この場合、回路基板10の多くの部分が溶融半田と密着することになり、回路基板10を通じてマイクロホン内部へ熱が伝導する。この場合、マイクロホンに熱によるストレスが生じ例えばエレクトレットの感度低下等が発生するという悪影響が生ずる。
〔実施形態〕
図1は、実装基板13上にマイクロホンを搭載した場合の断面図を示す。この図1において、カプセル1の内部に収納されカプセル1の端部にてかしめられて内蔵部品と共に固定された回路基板10には、その外部(下部)に一般に出力端子となる中央端子20(図1図示省略)及び一般に接地端子となる周囲端子21が形成される。この回路基板10、中央端子20、及び周囲端子21は、図2に示す構造を有し、図1の周囲端子21及び回路基板10は、図2(a)に示す切断線A−Aでの断面を示している。図2(a)において、回路基板10の外部(下部)には、円形の出力端子である中央端子20が形成され、この中央端子20の周りには接地端子であるリング状の周囲端子21が形成されている。この中央端子20及び周囲端子21は、カプセル1の端部のかしめ部分よりも突出して高くなっており、例えばかしめ部分の高さを0.1mmとした場合、それ以上の高さ例えば0.3mmのように突出して形成される。この中央端子20及び周囲端子21は、図2(b)及びこの図2(b)のB−B線断面を示す図2(c)にも示すように回路基板10上に形成された導体パターン10a上に重ねて被着形成される。この場合、中央端子20及び周囲端子21は、例えば銅箔に酸化防止膜であるニッケルや金を被覆した構造が挙げられ、例えば導体パターン10aのメッキ条件を変えることにより導体パターン10aと同時に容易に形成することができる。なお、この導体パターン10aを形成するに当たり、回路基板10に被着した銅箔を削ることにより形成する方法もある。
このようにして図5(b)であるC−C線断面を示す図1のように、実装基板13にマイクロホンを搭載するに当たり、マイクロホンの回路基板10から突出する中央端子20及び周囲端子21を実装基板13の中央パターン24の半田部材28である半田パターン22上及び外側パターン25の半田部材28である半田パターン23上にそれぞれ置き、リフロー槽での半田の溶融にて中央端子20及び周囲端子21を半田部材28にて中央パターン24及び外側パターン25に接続するものである。
また、実装基板13上の導体パターンが形成された部分においてレジスト膜26を被着させない構造でも回路基板10の接触が防止できるので、熱伝導の軽減に寄与する。こうしてみると、図5に示す中央パターン24及び外側パターン25上の半田部材28を囲むようにレジスト膜26を形成する必要があるが、それ以外のマイクロホンの回路基板10と重なる部分はこれまで説明のレジスト膜非形成部分27、29を含めてレジスト膜26を除去するのが熱伝導軽減のためには好ましい。この場合、導体パターンを露出させないためこの導体パターン部分のみに重なるようにレジスト膜を被着しても良い。したがって、レジスト膜は、半田パターンの半田部材を囲みそれ以外は図4、図5のレジスト膜非形成部分27を除き覆うように形成する場合、半田パターンの半田部材を囲みそれ以外は接続パターンを含む導体パターンのみを覆うように形成する場合、あるいは半田パターンの半田部材を囲みそれ以外は接続パターンを横断するようなレジスト膜非形成部分を除き覆うように形成する場合等があげられる。
Claims (3)
- カプセル内に配置された回路基板の内部に内蔵部品が収納されて外部に中央端子及びその外周の周囲端子が形成されたマイクロホンを表面実装技術にて実装する実装基板において、
マイクロホンの中央端子に対応して形成される中央パターンと、上記マイクロホンの周囲端子に対応し上記中央パターンを取り囲んで複数個形成された外側パターンと、この外側パターンを接続する接続パターンと、上記中央パターン上及び外側パターン上にそれぞれ形成された半田部材と、この半田部材と半田部材の形成されていない部分の一部であるレジスト膜非形成部分を除いて被着されたレジスト膜と、を有し、
上記接続パターンは、上記中央パターンを囲むように環状であり、上記外側パターンは、上記接続パターン内縁から上記中央パターンに向かって突出し、
上記複数配置された外側パターンの間のうちの少なくとも一箇所にレジスト膜非形成部分を設け、上記レジスト膜非形成部分は、上記マイクロホンの周囲端子の内側から周囲端子の外側にかけて形成されることを特徴とする実装基板。 - 上記中央パターンとこの中央パターンを取り囲む外側パターンとの間に、上記中央パターンを囲むようにレジスト膜非形成部分を設けたことを特徴とする請求項1に記載の実装基板。
- 上記請求項1または2に記載の実装基板に搭載されるマイクロホンにおいて、
回路基板の外側に形成される中央端子及び周囲端子は、カプセル端部でのかしめ部分よりも突出して形成され、上記周囲端子はリング状に形成されたことを特徴とするマイクロホン。
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