JP2006166230A - マイクロホン - Google Patents

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Abstract

【課題】半田バンプの抜け落ちや不連続の発生を防止する。
【解決手段】基板67の搭載面67a側でモジュール68の電極と電気的に接続され、実装面67b側にかしめ部611の厚さと同等あるいはそれ以上の厚さを有して突出する釘状のピン1や金属チップ2を備えた。釘状のピン1や金属チップ2は、リフロー槽の加熱温度に対し形状変形を生じない耐熱性を有する。円筒カプセル61の開口端にかしめられた基板67の実装面67b側より突出する釘状のピン1や金属チップ2を実装基板上に半田付けにて固定した。
【選択図】 図1

Description

本発明は、製造にあたってリフロー槽での半田付け処理を伴うマイクロホンに関する。
この従来技術では、エレクトレットコンデンサマイクロホン(以下ECMと称する)を例にとって述べる。図8は、ECMの従来の断面構成例を示し、特許文献1に記載されている構成と略同一の構成を示したものである。図8においては、円筒状のカプセル61内にECMが内蔵される構成となっている。このECMとしては、カプセル61の前部に位置する音波通過開口部610から、かしめ部611が形成される後部にわたって振動板62、振動板リング63、背極64、リング状絶縁スペーサ65、導電性筒状体66、および回路基板67が、順に組み込まれている。カプセル61の開口部に位置する振動板62は、例えばポリフェニレンサルファイド(PPSともいう)フィルムの一面に導電層としてNi、Alなどの金属膜が形成されたものであり、この金属膜の周縁には振動板リング63が固定されている。振動板リング63の厚さを隔てて振動板62の後方に配置された背極64は、リング状絶縁スペーサ65にて支持され、背極64と回路基板67との間に導電性筒状体66が介在されてこれらが電気的に接続されている。回路基板67には、その上面(前面)にFET(電界効果トランジスタ)などの素子モジュール68が搭載され、その底面(後面)に外部接続信号電極である半田バンプ電極69が底面より突出するように形成されている。
特開2003−153392号公報
上述のECMにおいては、カプセル61内に図8に示す振動板62から回路基板67までを組み込んで、カプセル61の端部(開口端)によって回路基板67の底部にてかしめ、このかしめ部611にて全体を一体として組み立てるものである。このようなECMの組立体は、実装面側の半田バンプ電極69を相手方の実装基板(図8図示省略)に取り付けるに当たってリフロー槽による半田の加熱・溶融を行うことになるが、図8に示すように回路基板67の底面に半田バンプ電極69が突出する状態にあっても回路基板67の底面でカプセル61の端部にかしめ部611が存在する状態にあっては、このかしめ部611の板厚によってリフロー槽での半田の加熱・溶融において半田溶融熱により回路基板67と実装基板との間の半田の抜け落ちあるいは半田の不連続により出力の確保が困難になるという問題が生じている。
図9は、リフロー処理により半田バンプ電極69の半田が抜け落ちた典型的な例を示したもので、かしめ部611自体を接地端子として実装基板70上のパターン71にクリーム半田72にて半田付けした場合、外部接続信号電極の半田バンプが溶融して抜けた状態を示しており、回路基板67の導体パターン67dと実装基板70のパターン71とが離れ出力の確保ができない。
本発明は、上述の問題に鑑み発明されたもので、リフロー処理に伴う半田の抜け落ちや半田の不連続を防止するようにしたマイクロホンの提供を目的とする。
上述の目的を達成するため本発明は、円筒カプセル内に備えた振動板の振動を電気信号として入力しインピーダンス変換する素子モジュールを基板に搭載し、この円筒カプセルの開口端で上記基板を上記素子モジュールの搭載面と反対の実装面にてかしめたマイクロホンにおいて、上記基板の搭載面側で上記素子モジュールの電極と電気的に接続され、実装面側に上記かしめ部の厚さと同等あるいはそれ以上の厚さを有して突出する導電性端子部を備えたことを特徴とする。
本発明によれば、基板の実装面側に導電性端子部を備えてかしめ部の板厚以上の板厚を確保するようにしたことにより、半田バンプの抜け落ちや不連続の発生を防止することができた。
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
〔第1実施形態〕
図1は、本実施形態に係るマイクロホンを示す断面図である。この図1は、従来技術説明の図8に対応する本実施形態を示す。図1においては、円筒状のカプセル61内にECMが内蔵される構成となっている。このECMとしては、カプセル61の前部に位置する音波通過開口部610から、かしめ部611が形成される後部にわたって振動板62、振動板リング63、背極64、リング状絶縁スペーサ65、導電性筒状体66、および回路基板67が、順に組み込まれている。カプセル61の開口部に位置する振動板62は、例えばポリフェニレンサルファイド(PPSともいう)フィルムの一面に導電層としてNi、Alなどの金属膜が形成されたものであり、この金属膜の周縁には振動板リング63が固定されている。振動板リング63の厚さを隔てて振動板62の後方に配置された背極64は、リング状絶縁スペーサ65にて支持され、背極64と回路基板67との間に導電性筒状体66が介在されてこれらが電気的に接続されている。回路基板67には、その上面(搭載面)67aにインピーダンス変換を行なうFET(電界効果トランジスタ)などの素子モジュール68が搭載され、その下面(実装面)67bに外部接続信号電極である釘状のピン1が底面より突出するように形成されている。
ここで、回路基板67への釘状のピン1の取り付け状態を図3、図4にて説明する。図3は、回路基板67に貫通された孔67cに対して釘状のピン1を圧入する様子を示している。ここでは、回路基板67の中央に出力信号用の外部接続信号電極を備える構造を例示する。図3において、釘状のピン1は、回路基板67の孔67cに実装面67b側から圧入される。この場合、釘状のピン1は、真鍮やステンレスにニッケルメッキを施し、更に酸化防止のために金メッキを施したピンであり、導電性とリフロー槽での例えば260℃もの加熱に対しても変形することのないような耐熱性とを有するものである。圧入に当たっては、工具によりピン1の軸が孔67c内に押圧されてはめ込まれ、この圧入によって抜けに強い実装強度が大きなピン1を備えることができる。また、リフロー槽での高温に対してもピン1が外れないように圧入される。
図4(a)は、回路基板67に釘状のピン1が圧入された状態を示す。ここで、ピン1の頭部の厚さは、図4(b)に示すようにカプセル61の後部が内側に折り曲げられたかしめ部611の厚さと同等の厚さあるいはそれ以上の厚さを有する。図4(b)では、ピン1の頭部の厚さとかしめ部611の厚さとは略同じ厚さとなっている。従って、釘状のピン1を例えば金型にて作る場合には、カプセル61の折り曲げに際してかしめ部611の厚さのばらつきあるいは導体パターン67dの有無を考慮して、釘状のピン1の頭部の厚さをかしめ部611の厚さと同等以上となるように決定する必要がある。また、図2に示すようにかしめ部611と外部接続信号電極である釘状のピン1との双方をクリーム半田にて直接実装基板70の導体パターン71に半田付けするときには、釘状のピン1の頭部の厚さをかしめ部611の厚さと同じにすることにより、極めて確実で安定した半田付けが可能である。
〔第2実施形態〕
図5、図6は、本発明の第2実施形態を示すものである。この図5、図6において、第1実施形態と同一部分は同符号を付し、その説明を省略する。図5においては、回路基板67の中央のスルーホール67sに対応して金属チップ2を接着する様子を示している。この金属チップ2は、例えば銅箔や真鍮あるいはステンレスにニッケルメッキと金メッキを施したものが挙げられる。そして、この金属チップ2も図6(a)のように接着された状態で第1実施形態と同様導電性と耐熱性を有する。また、この金属チップ2の厚さは、かしめ部611の厚さと同等の厚さあるいはそれ以上の厚さを有する。図6(b)では、図4(b)と同様金属チップ2の頭部の厚さとかしめ部611の厚さとは略同じ厚さとなっている。
図6のように回路基板67に金属チップ2が接着された状態では、金属チップ2は、回路基板67に導電性接着剤3にてスルーホール67sを覆うように接続され、半田の隅肉4によって補強あるいは導電性の確保がされる。なお、金属チップ2が回路基板67に非導電性接着剤5にて接着されている場合には、この隅肉4の導電性が必要不可欠となる。また、非導電性接着剤5による接着では、図6(c)のように隅肉4から導体パターン67dにて引き回し、スルーホール67sに接続するようにしても良い。
図1〜図6までは、出力である外部接続信号電極一つを対象にして釘状のピン1や金属チップ2の説明をしてきたのであるが、回路基板67の実装面側から出る電極は出力端子のみならず、接地端子あるいはマイクロホンによってはバイアス端子等が必要になり、それぞれの端子にて釘状のピン1や金属チップ2の端子が備えられる。図7は、マイクロホンにあって回路基板67の中央に出力端子を備え、両側(平面から見れば同じ円周上)に接地端子である釘状のピン1を備えた構成を示している。また、このような同じ円周上のピン配置は、実装基板70に対して中心ピンさえ決まれば実装基板70上の円周の導体パターン71にピンが接続することになり、回路基板67実装に対して方向性を考慮しなくて良い。
こうして、回路基板67の実装面67a側に釘状のピン1や金属チップ2を備えたことにより、かしめ部611と同等あるいはそれ以上の高さにて実装基板67に対する半田付け代を確実に確保することができる。
なお、この発明はカプセルの開口端にかしめ部を有する種々のマイクロホンの表面実装技術として適応することができる。
本発明の第1実施形態のマイクロホンの断面図である。 釘状のピンの頭部厚さにかかる説明図である。 回路基板への釘状のピンの取り付け状態図である。 釘状のピンの取り付け状態図である。 第2実施形態の回路基板への金属チップの取り付け状態図である。 金属チップの取り付け状態図である。 接地端子を含むマイクロホンの断面図である。 従来のマイクロホンの一例の断面図である。 従来の半田抜け落ち状態の説明図である。

Claims (4)

  1. 円筒カプセル内に備えた振動板の振動を電気信号として入力しインピーダンス変換する素子モジュールを基板に搭載し、この円筒カプセルの開口端で上記基板を上記素子モジュールの搭載面と反対の実装面にてかしめたマイクロホンにおいて、
    上記基板の搭載面側で上記素子モジュールの電極と電気的に接続され、実装面側に上記かしめ部の厚さと同等あるいはそれ以上の厚さを有して突出する導電性端子部を備えたことを特徴とするマイクロホン。
  2. 導電性端子部は、リフロー槽の加熱温度に対し形状変形を生じない耐熱性を有することを特徴とする請求項1に記載のマイクロホン。
  3. 導電性端子部は、金属チップあるいは基板本体を貫通する釘状のピンのいずれかであることを特徴とする請求項1または2に記載のマイクロホン。
  4. 円筒カプセルの開口端にかしめられた基板の実装面側より突出する導電性端子部を実装基板上に半田付けにて固定したことを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載のマイクロホン。




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