JP2003188338A - 回路基板装置及びその製造方法 - Google Patents

回路基板装置及びその製造方法

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崇之 平林
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 薄型化を図ると共に、フィルタ特性の劣化を
防ぐ。 【解決手段】 ベース基板４と、ベース基板４上に実装
させた回路部２と、回路部４とベース基板４との間に配
置されたフィルタ素子５と、ベース基板４上、回路部２
と同一面上に実装された半導体部品３とを有し、この半
導体部品３を、ベース基板４上に回路部２を実装させた
ことで厚みが厚くなった厚板領域１６よりも薄い薄板領
域１７上に実装させることにより、回路基板装置１全体
の厚みを薄くすると共に、フィルタ素子５の周囲を充分
な厚みの誘電絶縁材で覆ってフィルタ特性の劣化を防
ぐ。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フィルタ素子を有
する回路基板装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年では、例えば無線ＬＡＮ、各種通信
端末等、マイクロ波帯もしくはミリ波帯をキャリアとす
る高周波アプリケーションにおいても、機器や回路基板
の小型化、薄型化の要求が強くなっている。このような
高周波アプリケーションの回路基板においては、例えば
ローパスフィルタ（ＬＰＦ）、ハイパスフィルタ（ＨＰ
Ｆ）、バンドパスフィルタ（ＢＰＦ）等のフィルタ素子
を、インダクタンスやコンデンサ等のチップ部品を用い
た集中定数設計ではなく、比較的に省スペース化が可能
なマイクロストリップラインやストリップライン等とい
った分布定数にて設計させている。
【０００３】例えば、図１５に示す回路基板１００に
は、分布定数で設計されたフィルタ素子として平面型構
造のＢＰＦ１０１を有している。この回路基板１００に
おいては、例えばプリント基板やセラミック基板等とい
った誘電体基板１０２上に、マイクロストリップライン
として銅や金めっきが施されたニッケル等による導体パ
ターン１０３が形成されることでＢＰＦ１０１を構成し
ている。なお、誘導体基板１０２には、裏面に全面に亘
ってグランド部（図示せず。）が形成されている。
【０００４】このようなＢＰＦ１０１では、導体パター
ン１０３の形状を最適化させることにより所望の周波数
帯域の信号を選択的に透過させることが可能となる。ま
た、このＢＰＦ１０１は、誘電体基板１０２上に形成さ
れたパターン配線全体の一部であり平面型構造を有して
いることから、誘電体基板１０２上に例えば印刷加工や
リソグラフィ加工等によってパターン配線を形成する際
に一括して形成させることが可能である。
【０００５】この回路基板１００では、ＢＰＦ１０１が
平面型構造であり、導体パターン１０３を通過波長λの
略λ／４の長さの重なりをもって配列させていることか
ら、導体パターン１０３の長さが通過波長λによって規
定される。これにより、この回路基板１００では、導体
パターン１０３の長さにある程度の大きさが必要とな
り、導体パターン１０３の占有面積を小さくすることが
困難なことから、小面積化に限界がある。
【０００６】このため、図１６に示す回路基板１１０で
は、占有面積が小さいフィルタ素子としてＢＰＦ１１１
を用いることにより小面積化させることが提案されてい
る。このＢＰＦ１１１は、例えば積層プリント基板等と
いった積層基板１１２の内層に略平行に配置された共振
器導体パターン１１３を形成させた三層構造、いわゆる
トリプレート構造を有している。
【０００７】具体的に、このＢＰＦ１１１おいては、二
つの共振器導体パターン１１３の長手方向の略中央部付
近に給電配線１１４がそれぞれ接続されており、これら
の共振器導体パターン１１３が誘電体層１１５を介して
上下が接地導体となる二つのグランド部１１６ａ、１１
６ｂで挟持されている。そして、このＢＰＦ１１１おい
て、二つのグランド部１１６ａ、１１６ｂは、ビア１１
７で層間接続されていると共に、層内の共振器導体パタ
ーン１１３をシールドしている。このＢＰＦ１１１おい
て、二つの共振器導体パターン１１３は、それぞれが図
１６中矢印Ｍで示す通過波長λの略１／４の長さを有し
ており、その長手方向の一端がビア１１７に接続されて
いると共に、他端が開放されている。このＢＰＦ１１１
においては、図１７に示すように、等価回路的に示した
場合、並列共振回路が容量結合された構成となる。具体
的には、二つのうち一方の共振器導体パターン１１３と
グランド部１１６ａ、１１６ｂとの間に接続されたキャ
パシタＣ１とインダクタンスＬ１とからなる並列共振回
路ＰＲ１と、二つのうち他方の共振器導体パターン１１
３とグランド部１１６ａ、１１６ｂとの間に接続された
キャパシタＣ２とインダクタンスＬ２とからなる並列共
振回路ＰＲ２とが、キャパシタＣ３を介して容量結合さ
れた構成となっている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した回
路基板１１０では、図１８に示すように、フィルタ素子
の占有面積を小さくしたことにより全体の小面積化が可
能であるが、その主面上に例えばＩＣやチップ部品等の
半導体部品１１８を実装した場合、図中矢印ｔ１で示す
全体の厚みが厚くなるといった問題がある。
【０００９】この問題を解決するためには、図１９に示
すように、図中矢印ｔ２で示す回路基板１１０の厚みを
薄くして、半導体部品１１８を含む全体の厚みの薄型化
を図ることが考えられる。
【００１０】しかしながら、この場合、特願平１１−２
１５３９９号、特願平１１−２１５４００号、並びに特
願平１１−２１５４０１号等によって提供されている
が、回路基板１１０の厚み、すなわち誘電体層１１５の
厚みが薄くなると、ＢＰＦ１１１に電気信号が通過する
際の通過特性に影響を及ぼす共振器導体パターン１１３
間の電磁結合度が悪くなってしまう。このため、厚みを
薄くした回路基板１１０では、ＢＰＦ１１１の通過帯域
内損失が大きくなると共に、周波数帯域幅も小さくなり
所望のフィルタ特性を得ることが困難になる。
【００１１】そこで、本発明は、このような従来の事情
に鑑みて提案されたものであり、フィルタ素子のフィル
タ特性を損なうことなく、全体の厚みを薄くして薄型化
が図られた回路基板装置及びその製造方法を提供するこ
とを目的に提案されたものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
本発明に係る回路基板装置は、誘電絶縁材からなる絶縁
層を有するベース基板と、配線層と誘電絶縁層とによっ
て構成され、ベース基板の主面上に実装された回路部
と、ベース基板と回路部との間に配置されたフィルタ素
子と、ベース基板の主面上に実装された回路部と同一面
上に実装された半導体部品とを有し、半導体部品が、ベ
ース基板の主面上におけるベース基板と回路部との間に
フィルタ素子を配置することで厚みが厚くされた第１の
領域よりも厚みが薄い第２の領域上に実装されている。
【００１３】この回路基板装置では、半導体部品が、ベ
ース基板の主面上におけるベース基板と回路部との間に
フィルタ素子を配置することで厚くされた第１の領域よ
りも厚みが薄い第２の領域上に実装されていることか
ら、全体の厚みを薄くさせる。
【００１４】この回路基板装置では、フィルタ素子が厚
みの厚い第１の領域の内部であるベース基板と回路部と
の間に配置されており、これらのベース基板と回路部と
が誘電絶縁層を有していることから、フィルタ素子を充
分な厚みの誘電絶縁層で覆うことが可能となり、フィル
タ素子を覆う誘電絶縁層が薄くなることで生じるフィル
タ特性の劣化を防止させる。
【００１５】また、上述した目的を達成する本発明に係
る回路基板装置の製造方法は、誘電絶縁材からなる絶縁
層を有するベース基板を形成する基板形成工程と、配線
層と誘電絶縁層とによって構成される回路部を形成する
回路部形成工程と、ベース基板の主面、もしくは回路部
の主面にフィルタ素子を形成する素子形成工程と、ベー
ス基板の主面上に、ベース基板と回路部との間にフィル
タ素子が配置されるように回路部を実装する回路部実装
工程と、ベース基板の主面上に実装された回路部と同一
面上に、半導体部品を実装する半導体実装工程とを有
し、半導体実装工程において、半導体部品を、ベース基
板の主面上におけるベース基板と回路部との間にフィル
タ素子が配置されることで厚みが厚くされた第１の領域
よりも厚みが薄い第２の領域上に実装させる。
【００１６】この回路基板装置の製造方法では、半導体
部品を、ベース基板の主面上におけるベース基板と回路
部との間にフィルタ素子を配置することで厚みが厚くさ
れた第１の領域より厚みが薄い第２の領域上に実装させ
ることから、全体の厚みを薄くさせた回路基板装置を製
造させる。
【００１７】この回路基板装置の製造方法では、フィル
タ素子を、ベース基板と回路部との間に配置しており、
これらベース基板と回路部とが誘電絶縁層を有している
ことから、フィルタ素子を充分な厚みの誘電絶縁層で覆
うことが可能となり、フィルタ素子を覆う誘電絶縁層の
厚みが薄くなることで生じるフィルタ特性の劣化が防止
された回路基板装置を製造させる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して詳細に説明する。実施の形態として
図１及び図２に示した回路基板装置１は、携帯通信端末
機器等に備えられた送受信部において高周波信号の処理
等を行う高周波回路を構成している。回路基板装置１
は、回路部２及び半導体部品３がベース基板４の主面
（以下、実装面と記す。）４ａに例えば半田を用いるフ
リップチップボンディング法等により電気的に接続され
て実装されており、回路部２とベース基板４との間にフ
ィルタ素子５が配置された構成となっている。
【００１９】回路部２は、誘電絶縁材からなる複数の絶
縁層６とパターン化された複数の配線層７が交互に積層
されて構成され、複数の配線層７が全層を貫通或いは上
下層を貫通するビア８によって電気的に層間接続されて
いる。
【００２０】回路部２は、詳細は後述するが、絶縁層６
及び配線層７が平坦な主面を有するダミー基板２０上に
剥離層２１を介して順次積層形成され、剥離層２１でダ
ミー基板２０より剥離されることで形成される。このた
め、回路部２は、例えばガラス基板やＳｉ基板等のコア
基板を用いることのない構成となっている。なお、ダミ
ー基板２０は、必要に応じて再利用される。
【００２１】回路部２においては、絶縁層６が低誘電率
でＴａｎδが低い、すなわち高周波特性に優れた誘電絶
縁材で形成されている。具体的には、例えばポリフェニ
レンエーテル（ＰＰＥ）、ビスマレイドトリアジン（Ｂ
Ｔ−ｒｅｓｉｎ）、ポリテトラフルオロエチレン、ポリ
イミド、液晶ポリマ（ＬＣＰ）、ポリノルボルネン（Ｐ
ＮＢ）、フェノール樹脂、ポリオレフィン樹脂等の有機
材料、セラミック等の無機材料、或いはガラスエポキシ
等の有機材料と無機材料の混合体等が用いられる。 回
路部２においては、配線層７が例えば銅や、ニッケルに
金めっきが施された導体によるパターン配線であり、例
えば印刷加工やリソグラフィ加工等によって形成されて
いる。
【００２２】半導体部品３は、例えば半導体チップやＬ
ＳＩ（Large-scale Integrated Circuit）チップ等の機
能性回路素子であり、例えばフリップチップボンディン
グ法等による素子用バンプ部９でベース基板４の実装面
４ａに実装されている。この半導体部品３は、ベース基
板４の実装面４ａ上に実装された回路部２と同一面上、
すなわちベース基板４上で回路部２と並ぶように実装さ
れている。
【００２３】ベース基板４は、複数の絶縁層１０と複数
の配線層１１とが交互に積層された構成であり、複数の
配線層１１は全層を貫通或いは複数層を貫通するビアホ
ール１２で層間接続されている。ベース基板４は、その
表裏主面に入出力端子部１３を複数備えており、これら
入出力端子部１３が例えば外部電源に対する接続端子
や、回路部２及び半導体部品３を実装する際の電気的接
続個所のベースとして機能する。また、ベース基板４に
おいては、複数の配線層１１が、入出力端子部１３から
供給された電力、コントロール信号、高周波信号等を回
路部２へ伝達させる配線として機能すると共に、グラン
ド（接地電極）としても機能する。
【００２４】ベース基板４においては、回路部２と同様
に絶縁層１０の材料に低誘電率でＴａｎδが低い、すな
わち高周波特性に優れた誘電絶縁材を用いる。具体的に
は、例えばポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）、ビスマ
レイドトリアジン（ＢＴ−ｒｅｓｉｎ）、ポリテトラフ
ルオロエチレン、ポリイミド、液晶ポリマ（ＬＣＰ）、
ポリノルボルネン（ＰＮＢ）、フェノール樹脂、ポリオ
レフィン樹脂等の有機材料、セラミック等の無機材料、
或いはガラスエポキシ等の有機材料と無機材料の混合体
等が用いられる。
【００２５】ベース基板４においては、配線層１１も回
路部２と同様に、例えば銅や、ニッケルに金めっきが施
された導体によるパターン配線であり、例えば印刷加工
やリソグラフィ加工等によって形成されている。なお、
ベース基板４は、一般的な多層配線基板製造工程を経る
ことによって製造される。
【００２６】フィルタ素子５は、回路部２のベース基板
４の実装面４ａと対向する面（以下、対向面と記す）２
ａで露出するように配線層７の一部として一対の共振器
導体パターン１４が配置されている。具体的には、フィ
ルタ素子５として、回路部２のベース基板４の実装面４
ａから数えて二層目の配線層７の一部にグランド部１５
ａ、ベース基板４の実装面４ａに露出する入出力端子部
１３の一部にグランド部１５ｂが設けられ、これらのグ
ランド部１５ａ、１５ｂが回路部２の対向面２ａに露出
する一対の共振器導体パターン１４をシールドした構
造、いわゆるトリプレート構造のＢＰＦが回路部２とベ
ース基板４とに跨って配置されている。このフィルタ素
子５としては、例えば例えばローパスフィルタ（ＬＰ
Ｆ）、ハイパスフィルタ（ＨＰＦ）、バンドパスフィル
タ（ＢＰＦ）等のうちの何れかひとつを構成していても
良い。
【００２７】このような構成の回路基板装置１では、回
路部２がフィルタ素子５における一対の共振器導体パタ
ーン１４をベース基板４とで挟持するように、ベース基
板４の実装面４ａ上に実装されており、このベース基板
４上に回路部２が実装されて厚みが厚くなっている部分
を、いわゆる厚板領域１６とし、これに対し、この厚板
領域１６より薄く、ベース基板４上に回路部２が実装さ
れていない部分を薄板領域１７としている。
【００２８】この回路基板装置１では、半導体部品３が
回路部２と並ぶようにベース基板４の実装面４ａ上、す
なわち薄板領域１７上に実装されており、半導体部品３
を含む全体の厚みが薄くされることから、薄型化が図ら
れる。
【００２９】この回路基板装置１では、フィルタ素子５
における共振器導体パターン１４が厚板領域１６の内
層、すなわち回路部２とベース基板４との間に配置され
ており、これらの回路部２及びベース基板４が誘電絶縁
材からなる絶縁層６、１０を多層に亘って有しており、
フィルタ素子５の共振器導体パターン１４を充分な厚み
の誘電絶縁材で覆うことが可能となる。このため、この
回路基板装置１では、フィルタ素子５の一対の共振器導
体パターン１４を覆う誘電絶縁材が厚く、一対の共振器
導体パターン１４間の電磁結合度の劣化がないことか
ら、フィルタ素子５を覆う誘電絶縁材が薄くなることで
生じるフィルタ特性の劣化を防止する。
【００３０】この回路基板装置１では、比較的に高価で
ある回路部２がベース基板４の実装面４ａ上の全面でな
く、必要となる部分だけに実装されていることから、低
コスト化が図られる。
【００３１】この回路基板装置１においては、絶縁層６
及び絶縁層１０にそれぞれ異なる誘電絶縁材を用いるこ
とも可能である。例えば、回路基板装置１においては、
ベース基板４の絶縁層１０に誘電率の高い誘電絶縁材を
用いるとフィルタ素子５の共振器導体パターン１４の寸
法の短縮による小型化が図れ、絶縁層１０に誘電率の低
い誘電絶縁材を用いるとフィルタ素子５における寄生容
量成分の損失を低減させることが可能となる。また、回
路基板装置１においては、例えば回路部２の絶縁層６に
耐熱性を有する誘電絶縁材を用いることにより、回路部
２の配線層７の一部にキャパシタ素子、レジスタ素子、
インダクタ素子といった受動素子等を設けることが可能
となる。
【００３２】次に、上述した回路基板装置１の製造方法
について説明する。回路基板装置１は、先ず、回路部２
を形成する。回路部２を形成する際は、図３に示すよう
に、主面２０ａ上に剥離層２１が成膜されたダミー基板
２０を用意する。ダミー基板２０には、高い耐熱性を有
し、その主面が高度に平坦化されている例えばガラス基
板や、石英基板や、Ｓｉ基板等を用いる。剥離層２１
は、例えばスパッタリング法や化学蒸着（CVD:Chemical
Vapor Deposition）法等によってダミー基板２０の主
面２０ａ上の全面に亘って１０００Å程度の均一な厚み
に成膜された銅やアルミニウム等の金属膜２１ａと、こ
の金属膜２１ａ上にスピンコート法等で全面に亘って１
μｍ〜２μｍ程度の厚みに成膜されたポリイミド樹脂等
の樹脂膜２１ｂとによって構成されている。
【００３３】次に、剥離層２１上には、図４に示すよう
に、第１の絶縁層２２が均一な厚みに形成される。第１
の絶縁層２２は、従来の配線基板製造工程において上述
したような一般的に知られる誘電絶縁材を用いて例えば
スピンコート法、カーテンコート法、ロールコート法、
ディップコート法等によって剥離層２１上に塗布される
ことで成膜形成される。
【００３４】次に、第１の絶縁層２２には、所定の位置
にビア８となる開口部２２ａがパターンニング処理によ
り形成される。開口部２２ａは、第１の絶縁層２２に例
えば感光性の誘電絶縁材を用いた場合、フォトリソグラ
フ技術によるパターンニング処理が施されることで形成
される。また、開口部２２ａは、第１の絶縁層２２に例
えば非感光性の誘電絶縁材を用いた場合、フォトレジス
トやアルミニウム等のマスクを用いてドライエッチング
やレーザ加工等によるパターンニング処理が施されるこ
とで形成される。
【００３５】次に、第１の絶縁層２２には、図５に示す
ように、エッチング処理が施されて配線溝２３が形成さ
れる。配線溝２３は、第１の絶縁層２２上に配線溝２３
のパターンに対応した開口部を有するエッチングマスク
が形成され、第１の絶縁層２２のエッチングマスク以外
の領域に例えば酸素プラズマによる反応性イオンエッチ
ング法（RIE:Reactive Ion Etching）等のドライエッチ
ング処理が施された後に、エッチングマスクが除去され
ることで形成される。
【００３６】次に、配線溝２３が形成された第１の絶縁
層２２上には、図６に示すように、金属めっき処理が施
されることによって、金属めっき層２４が形成される。
金属めっき層２４は、例えば銅等、導電性の高い金属に
よって形成されている。金属めっき処理は、電解めっき
或いは無電解めっきの何れを用いても良く、第１の絶縁
層２２の配線溝２３が設けられている主面全面及び開口
部２２ａを金属めっき層２４が埋めて、金属めっき層２
４の最厚部が第１の絶縁層２２の最厚部よりも厚くなる
ように施される。金属めっき処理は、電解めっきによっ
て金属めっき層２４を形成する場合に、剥離層２１の金
属膜２１ａが電圧印加電極として機能することになる。
【００３７】次に、第１の絶縁層２２の主面には、図７
に示すように、第１の絶縁層２２が露出するまで金属め
っき層２４に平坦化処理が施されることによって、第１
の絶縁層に埋め込まれた状態の第１の配線層２５が形成
される。平坦化処理は、材質が異なる第１の絶縁層２２
と金属めっき層２４とを同時に研磨することから、例え
ば化学−機械研磨法（CMP:Chemical-Mechanical Polish
ing）等が用いられる。このＣＭＰ法は、銅等の金属か
らなる金属めっき層２４の研磨レートを大きくさせるよ
うに材料に選択性をもった研磨を施すことが可能であり
研磨面を高精度に平坦化させる。このとき、第１の配線
層２５の一部には、フィルタ素子５における一対の共振
器導体パターン１４の上方に配置されるグランド部１５
ａが設けられる。
【００３８】次に、第１の配線層２５が埋め込まれた第
１の絶縁層２２上には、図８に示すように、第２の絶縁
層２６及び第２の配線層２７が積層形成される。これら
の第２の絶縁層２６及び第２の配線層２７は、第１の絶
縁層２２及び第１の配線層２５と同様の材料を用いると
共に同様の工程を経ることによって形成される。このと
き、第２の配線層２７には、一部にフィルタ素子５にお
ける一対の共振器導体パターン１４と、この一対の共振
器導体パターン１４を囲むシールドとして複数のビア等
からなる第１のシールド部２８ａと、第１の配線層２５
と第２の配線層２７とを層間接続させるビア８とが一括
して形成される。
【００３９】第２の配線層２７においては、図９に示す
ように、一対の共振器導体パターン１４がそれぞれ直線
状を呈し、幅方向が対向するように略平行に配置されて
おり、一対の共振器導体パターン１４の長手方向の略中
央部付近から、それぞれ対向する方向とは反対の方向に
突出するように給電部２９が形成されている。また、第
２の配線層２７において、一対の共振器導体パターン１
４は、それぞれの長手方向が通過波長λに対して略１／
４程度の長さを有しており、長手方向の一端が第１のシ
ールド部２８ａに接続されていると共に、他端が開放さ
れている。
【００４０】そして、第２の配線層２７が埋め込まれた
第２の絶縁層２６の表面は、第１の絶縁層２２と同様に
平坦化処理により高精度な平坦面にされており、フィル
タ素子５における一対の共振器導体パターン１４が露出
する対向面２ａとなる。なお、本実施の形態では、第１
の配線層２５及び第２の配線層２７による２層構造の配
線層としているが、このことに限定されることはなく、
第１の絶縁層２２及び第１の配線層２５の形成工程を繰
り返すことによって配線層を三層以上有する構成にする
こともできる。
【００４１】次に、対向面２ａには、図１０に示すよう
に、露出している第１のシールド部２８ａ上に例えば半
田等による第２のシールド部２８ｂが形成されると共
に、同様にしてビア８上にバンプ部３０が形成される。
第２のシールド部２８ｂは、ベース基板４に回路部２が
実装されるとベース基板４の実装面４ａに露出するグラ
ンド部１５ｂと電気的に接続されて、一対の共振器導体
パターン１４をシールドすることになる。バンプ部３０
は、ベース基板３に回路部２を実装する際の電気的接続
部として機能し、例えば電解めっきや無電解めっき等に
よりニッケル／銅めっき層として形成しても良い。
【００４２】このようにして、対向面２ａにフィルタ素
子５における一対の共振器導体パターン１４が配置され
た回路部２が形成される。なお、回路部２においては、
第１の絶縁層２２及び第２の絶縁層２６が上述した複数
の絶縁層６を構成し、第１の配線層２５及び第２の配線
層２７が上述した複数の配線層７を構成している。
【００４３】次に、ダミー基板２０は、図１１に示すよ
うに、回路部２から剥離層２１と共に除去される。具体
的には、ダミー基板２０及び剥離層２１を回路部２ごと
例えば塩酸や硝酸等の酸性溶液中に浸漬させることで酸
性溶液が剥離層２１の金属膜２１ａを僅かに溶解させつ
つ金属膜２１ａと樹脂膜２１ｂとの間に浸入していき、
金属膜２１ａと樹脂膜２１ｂとの間で剥離が進行し、回
路部２の第１の絶縁層２２側の主面（以下、他主面と記
す。）２ｂに樹脂膜２１ｂが残留した状態でダミー基板
２０が除去される。このとき、回路部２には、対向面２
ａ上に酸性溶液から第２の配線層２７を保護する保護層
を形成しておいても良い。また、ダミー基板２０は、例
えばレーザアブレーション処理によって回路部２から除
去されるようにしても良い。
【００４４】次に、回路部２の他主面２ｂ上に残留した
樹脂膜２１ｂは、例えば酸素プラズマによるドライエッ
チング法等によって除去される。これにより、回路部２
の他主面２ｂには、ビア８が露出することになる。回路
部２は、相対していたダミー基板２０の主面が高度に平
坦化されていることから、その他主面２ｂが高度に平坦
化されることになる。
【００４５】次に、回路部２は、図１２に示すように、
対向面２ａに露出している一対の共振器導体パターン１
４と、ベース基板４の実装面４ａに露出している入出力
端子部１３の一部からなるグランド部１５ｂとが対向す
るようにベース基板４上に実装される。ベース基板４
は、層内にグランド等を備える配線層１１と、絶縁層１
０とを複数有し、回路部２が実装される実装面４ａ上に
レジスト等によって形成される保護層３１から露出する
入出力端子部１３、及び実装面４ａのフィルタ素子５に
相対する位置に一対の共振器導体パターン１４に対する
接地導体としてグランド部１５ｂが形成されている。
【００４６】そして、回路部２は、ベース基板４の実装
面４ａに露出している入出力端子部１３にバンプ部３０
を介して電気的に接続されることでベース基板４に実装
されることになる。具体的には、バンプ部３０と入出力
端子部１３とが相対している状態の回路部２とベース基
板４との間にアンダーフィル３２が充填され、例えば半
田リフロー槽等で加熱されることによってバンプ部３０
と入出力端子部１３とが接合されて、回路部２がベース
基板４の実装面４ａに実装される。このとき、第２のシ
ールド部２８ｂもグランド部１５ｂと電気的に接続され
ることになる。なお、バンプ部３０と入出力端子部１３
との接合は、半田リフロー法に限定されることはなく、
例えば回路部２とベース基板４との間に充填する樹脂材
が固化する際の収縮による圧接であっても良い。
【００４７】これにより、ベース基板４では、その実装
面４ａ上に回路部２が実装されている部分が厚板領域１
６となり、実装面４ａ上に回路部２が実装されていない
部分、すなわち実装面４ａが露出している部分が薄板領
域１７となる。
【００４８】次に、ベース基板４の実装面４ａには、図
１３に示すように、薄板領域１７に例えば半導体チップ
やＬＳＩチップ等といった半導体部品３が実装される。
この半導体部品３は、フリップチップボンディング法に
よりベース基板４の実装面４ａに素子用バンプ部９を介
して電気的に接続されている。なお、半導体部品３を実
装する際は、フリップチップボンディング法を用いるこ
とに限定されず、例えばＴＡＢ（Tape Automated Bondi
ng）法やリードビームボンディング法等のフェースダウ
ン実装法を用いても良い。
【００４９】これにより、半導体部品３は、ベース基板
４の実装面４ａ上に実装された回路部２と同一面上、す
なわちベース基板４上で回路部２と並ぶように実装され
ることになる。このようにして、回路基板装置１が製造
される。
【００５０】以上のような回路基板装置１の製造方法で
は、半導体部品３を回路部２と並ぶようにベース基板４
の実装面４ａ上、すなわち薄板領域１７上に実装させて
半導体部品３を含む全体の厚みが薄くなるように、ベー
ス基板４上に回路部２と半導体部品３とを実装させてい
ることから、薄型化が図られた回路基板装置１が得られ
る。
【００５１】この回路基板装置１の製造方法では、フィ
ルタ素子５の一対の共振器導体パターン１４が厚板領域
１６の内層、すなわち回路部２とベース基板４との間に
成形され、フィルタ素子５の上下層に誘電絶縁材からな
る複数の絶縁層６、１０が配置されることから、フィル
タ素子５における一対の共振器導体パターン１４の周囲
を充分な厚みの誘電絶縁材で覆うことが可能となり、一
対の共振器導体パターン１４を覆う誘電絶縁材が薄くな
ることで生じるフィルタ特性の劣化が防止された回路基
板装置１が得られる。
【００５２】この回路基板装置１の製造方法では、比較
的に高価である回路部２をベース基板４の実装面４ａ上
の全面でなく、必要となる部分だけに実装させているこ
とから、低コスト化が図られた回路基板装置１が得られ
る。
【００５３】上述した実施の形態では、ベース基板４の
実装面４ａ上に、回路部２と半導体部品３とが並ぶよう
に実装された回路基板装置１について説明したが、この
ことに限定されることはなく、例えば、図１４に示すよ
うな構成の回路基板装置４０にも適用可能である。な
お、図１４においては、上述した回路基板装置１と同等
な構成、部位についての説明を省略すると共に、図面に
おいて同じ符号を付するものとする。
【００５４】この回路基板装置４０には、厚みが厚い、
すなわち回路部２より厚みが厚い厚半導体部品４１と、
厚みが薄い、すなわち回路部２より厚みが薄い薄半導体
部品４２とが実装されている。この場合、例えば薄板領
域１７に厚半導体部品４１を実装し、回路部２の他主面
２ｂ上に薄半導体部品４２を実装させることも可能であ
る。これにより、回路基板装置４０においては、厚みが
厚く、大型の半導体部品を実装させる場合でも、全体の
厚みを薄くして薄型化を図ることが可能となる。
【００５５】なお、本実施の形態においては、上述した
ように回路基板装置１にトリプレート構造のフィルタ素
子５を配置しているが、このことに限定されることはな
く、例えば平面型構造のフィルタ素子や、フィルタ素子
の代わりにカップラー素子、アンテナ素子、集中定数設
計によるキャパシタ素子、レジスタ素子、インダクタ素
子等を配置した場合にも適用可能である。
【００５６】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、半導体部品を、ベース基板の主面上におけるベ
ース基板と回路部との間にフィルタ素子を配置すること
で厚みが厚くされた第１の領域よりも薄い第２の領域の
直上に実装させており、回路基板装置全体の厚みを薄く
させることから、小型化が図られる。
【００５７】本発明によれば、フィルタ素子を、厚みが
厚くされている第１の領域の内部、すなわち誘電絶縁層
を有するベース基板と回路部との間に配置しており、フ
ィルタ素子を充分な厚みの誘電絶縁層で覆うことが可能
なことから、フィルタ素子を覆う誘電絶縁層が薄くなる
ことで生じるフィルタ特性の劣化を防止させた回路基板
装置が得られる。
【００５８】本発明によれば、比較的高価である回路部
をベース基板の主面全面でなく、必要となる部分だけに
実装させていることから、回路基板装置の低コスト化が
図られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る回路基板装置を示す縦断面図であ
る。
【図２】同回路基板装置を一部透視して示す概略平面図
である。
【図３】同回路基板装置の製造工程を説明するため図で
あり、ダミー基板の縦断面図である。
【図４】同回路基板装置の製造工程を説明するため図で
あり、ダミー基板に第１の絶縁層が形成された状態を示
す縦断面図である。
【図５】同回路基板装置の製造工程を説明するため図で
あり、第１の絶縁層に配線溝が形成された状態を示す縦
断面図である。
【図６】同回路基板装置の製造工程を説明するため図で
あり、第１の絶縁層上に金属めっき層が形成された状態
を示す縦断面図である。
【図７】同回路基板装置の製造工程を説明するため図で
あり、第１の配線層が形成された状態を示す縦断面図で
ある。
【図８】同回路基板装置の製造工程を説明するため図で
あり、第２の絶縁層及び第２の配線層が形成された状態
を示す縦断面図である。
【図９】同回路基板装置の製造工程を説明するため図で
あり、対向面２ａに露出する一対の共振器導体パターン
を示す要部平面図である。
【図１０】同回路基板装置の製造工程を説明するため図
であり、第２の配線層上に第２のシールド部及びバンプ
部が形成された状態を示す縦断面図である。
【図１１】同回路基板装置の製造工程を説明するため図
であり、回路部を示す縦断面図である。
【図１２】同回路基板装置の製造工程を説明するため図
であり、回路部がベース基板に実装されることで設けら
れた厚板領域と薄板領域とを示す縦断面図である。
【図１３】同回路基板装置の製造工程を説明するため図
であり、完成した回路基板装置を示す縦断面図である。
【図１４】同回路基板装置において、厚半導体部品と薄
半導体部品とを実装させた状態を示す縦断面図である。
【図１５】平面型構造のバンドパスフィルタを有する回
路基板を示す概略平面図である。
【図１６】トリプレート構造のバンドパスフィルタを有
する回路基板であり、同図（ａ）は一部を透視して示す
縦断面図、同図（ｂ）は上層のグランド部を示す平面
図、同図（ｃ）は導体パターンを示す平面図、同図
（ｄ）は下層のグランド部を示す平面図である。
【図１７】トリプレート構造のバンドパスフィルタを等
価回路的に示す模式図である。
【図１８】従来の回路基板を一部透視して示す縦断面図
である。
【図１９】同回路基板において、厚みを薄くした状態を
一部透視して示す縦断面図である。
【符号の説明】
１，４０ 回路基板装置、２ 回路部、３ 半導体部
品、４ ベース基板、５フィルタ素子、６，１０ 絶縁
層、７，１１ 配線層、８ ビア、９ 素子用バンプ
部、１２ 入出力端子部、１３ ビアホール、１４ 共
振器導体パターン、１５ａ，１５ｂ グランド部、１６
厚板領域、１７薄板領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 1/18 Ｈ０５Ｋ 1/18 Ｓ 3/46 3/46 Ｑ Ｆターム(参考） 4E351 BB03 BB05 BB09 BB22 BB26 BB27 BB33 DD04 GG06 GG20 5E336 AA11 AA12 AA16 BB03 BC31 CC51 CC55 GG09 5E346 AA12 AA15 AA32 AA43 AA51 BB16 BB20 CC32 DD02 DD12 DD22 FF45 HH01 HH06 HH24 5J006 HB04 HB05 HB22 LA23 PA03 PA10 5J011 CA12

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 誘電絶縁材からなる絶縁層を有するベー
    ス基板と、 配線層と誘電絶縁層とによって構成され、上記ベース基
    板の主面上に実装された回路部と、 上記ベース基板と上記回路部との間に配置されたフィル
    タ素子と、 上記ベース基板の主面上に実装された上記回路部と同一
    面上に実装された半導体部品とを有し、 上記半導体部品が、上記ベース基板の主面上における上
    記ベース基板と上記回路部との間に上記フィルタ素子を
    配置することで厚みが厚くされた第１の領域よりも厚み
    が薄い第２の領域上に実装されている回路基板装置。
  2. 【請求項２】 上記フィルタ素子が、上記ベース基板の
    主面、もしくは上記回路部の上記ベース基板と対向する
    主面に配置されている請求項１記載の回路基板装置。
  3. 【請求項３】 上記フィルタ素子が、バンドパスフィル
    タ、バンドストップフィルタ、ローパスフィルタ、ハイ
    パスフィルタ、アンテナ、方向性結合器のうちの何れか
    である請求項１記載の回路基板装置。
  4. 【請求項４】 誘電絶縁材からなる絶縁層を有するベー
    ス基板を形成する基板形成工程と、 配線層と誘電絶縁層とによって構成される回路部を形成
    する回路部形成工程と、 上記ベース基板の主面、もしくは上記回路部の主面にフ
    ィルタ素子を形成する素子形成工程と、 上記ベース基板の主面上に、上記ベース基板と上記回路
    部との間に上記フィルタ素子が配置されるように上記回
    路部を実装する回路部実装工程と、 上記ベース基板の主面上に実装された上記回路部と同一
    面上に、半導体部品を実装する半導体実装工程とを有
    し、 上記半導体実装工程において、上記半導体部品を、上記
    ベース基板の主面上における上記ベース基板と上記回路
    部との間に上記フィルタ素子が配置されることで厚みが
    厚くされた第１の領域よりも厚みが薄い第２の領域上に
    実装させる回路基板装置の製造方法。
  5. 【請求項５】 上記素子形成工程においては、上記フィ
    ルタ素子を、バンドパスフィルタ、バンドストップフィ
    ルタ、ローパスフィルタ、ハイパスフィルタ、アンテ
    ナ、方向性結合器のうちの何れかとして形成する請求項
    ４記載の回路基板装置の製造方法。
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