JP5249870B2 - 配線回路基板およびその製造方法 - Google Patents
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Description
参考形態に係る配線回路基板は、第1の絶縁層と、第1の絶縁層上に形成される配線パターンと、配線パターンの一部に設けられる端子部と、第1の絶縁層上に配線パターンから延びるように形成されるめっき用リード部と、端子部を除いて配線パターンおよびめっき用リード部を覆うように第1の絶縁層上に形成される第2の絶縁層とを備え、めっき用リード部に重なる領域の実効比誘電率が配線パターンに重なる領域の実効比誘電率よりも小さく設定されたものである。
その配線回路基板においては、第1の絶縁層上に、配線パターン、配線パターンの一部に設けられる端子部および配線パターンから延びるめっき用リード部が形成される。また、端子部を除いて配線パターンおよびめっき用リード部を覆うように第1の絶縁層上に第2の絶縁層が形成される。さらに、配線パターンに重なる領域の実効比誘電率よりもめっき用リード部に重なる領域の実効比誘電率が小さく設定される。
この状態で、配線パターンを通して電気信号が伝送される場合、めっき用リード部における共振周波数が高くなり、共振により減衰される信号成分の周波数が高くなる。それにより、めっき用リード部における共振による信号成分の減衰が電気信号の波形に与える影響を低減することができる。その結果、めっき用リード部を除去することなく電気信号の波形の歪みを低減することができる。
めっき用リード部に重なる第1および第2の絶縁層の部分のうち少なくとも一方の部分の厚さが配線パターンに重なる第1および第2の絶縁層の部分のうち少なくとも一方の部分の厚さよりも小さく設定されてもよい。
この場合、めっき用リード部に重なる一定の厚みの領域における空気層の厚さを大きくすることができる。空気(大気)の比誘電率は第1および第2の絶縁層の比誘電率よりも小さいので、めっき用リード部に重なる領域の実効比誘電率を小さくすることができる。それにより、比誘電率が小さい追加の材料を用いることなく共振により減衰される信号成分の周波数を高くすることができる。
めっき用リード部に重なる第1および第2の絶縁層の部分のうち少なくとも一方の部分に開口部が形成されてもよい。
この場合、めっき用リード部に重なる一定の厚みの領域に空間が形成される。空気(大気)の比誘電率は第1および第2の絶縁層の比誘電率よりも小さいので、めっき用リード部に重なる領域の実効比誘電率を小さくすることができる。それにより、比誘電率が小さい追加の材料を用いることなく共振により減衰される信号成分の周波数を高くすることができる。
開口部内に第1または第2の絶縁層よりも低い比誘電率を有する材料が充填されてもよい。
この場合、開口部内の実効比誘電率を第1および第2の絶縁層の比誘電率よりも小さくすることができる。それにより、めっき用リード部を露出させることなくめっき用リード部に重なる領域の実効比誘電率を小さくすることができる。その結果、配線回路基板の信頼性を確保することができる。
第1および第2の絶縁層のうち少なくとも一方は、めっき用リード部が露出するように形成されてもよい。
この場合、めっき用リード部に重なる領域を空気層に置き換えることができる。空気(大気)の比誘電率は第1および第2の絶縁層の比誘電率よりも小さいので、めっき用リード部に重なる領域の実効比誘電率を十分に小さくすることができる。それにより、比誘電率が小さい追加の材料を用いることなく、共振により減衰される信号成分の周波数を十分に高くすることができる。
参考形態に係る配線回路基板の製造方法は、第1の絶縁層上に、配線パターン、配線パターンの一部に設けられる端子部および配線パターンから延びるめっき用リード部を含む導体パターンを形成する工程と、端子部を除いて配線パターンおよびめっき用リード部を覆うように第1の絶縁層上に第2の絶縁層を形成する工程と、めっき用リード部を通して配線パターンに給電することにより配線パターンの一部にめっき層で被覆された端子部を形成する工程と、配線パターンに重なる領域の実効比誘電率よりもめっき用リード部に重なる領域の実効比誘電率を小さくする工程とを備えたものである。
その配線回路基板の製造方法においては、第1の絶縁層上に導体パターンが形成される。導体パターンは、配線パターン、配線パターンの一部に設けられる端子部および配線パターンから延びるめっき用リード部を含む。また、端子部を除いて配線パターンおよびめっき用リード部を覆うように第1の絶縁層上に第2の絶縁層が形成される。この場合、第1の絶縁層を形成する工程および第2の絶縁層を形成する工程の少なくとも一方では、配線パターンに重なる領域の実効比誘電率よりもめっき用リード部に重なる領域の実効比誘電率が小さく設定される。めっき用リード部を通して配線パターンに給電されることにより、配線パターンの一部にめっき層で被覆された端子部が形成される。
このように製造された配線回路基板において、配線パターンを通して電気信号が伝送される場合、めっき用リード部における共振周波数が高くなり、共振により減衰される信号成分の周波数が高くなる。それにより、共振による信号成分の減衰が電気信号の波形に与える影響を低減することができる。その結果、めっき用リード部を除去することなく電気信号の波形の歪みを低減することができる。
実効比誘電率を小さくする工程は、めっき用リード部に重なる第1および第2の絶縁層の部分のうち少なくとも一方の部分の厚さを配線パターンに重なる第1および第2の絶縁層の部分のうち少なくとも一方の部分の厚さよりも小さく設定する工程を含んでもよい。
この場合、めっき用リード部に重なる一定の厚みの領域における空気層の厚さを大きくすることができる。空気(大気)の比誘電率は第1および第2の絶縁層の比誘電率よりも小さいので、めっき用リード部に重なる領域の実効比誘電率を小さくすることができる。それにより、比誘電率が小さい追加の材料を用いることなく共振により減衰される信号成分の周波数を高くすることができる。
実効比誘電率を小さくする工程は、めっき用リード部に重なる第1および第2の絶縁層の部分のうち少なくとも一方の部分に開口部を形成する工程を含んでもよい。
この場合、めっき用リード部に重なる一定の厚みの領域に空間が形成される。空気(大気)の比誘電率は第1および第2の絶縁層の比誘電率よりも小さいので、めっき用リード部に重なる領域の実効比誘電率を小さくすることができる。それにより、比誘電率が小さい追加の材料を用いることなく共振により減衰される信号成分の周波数を高くすることができる。
実効比誘電率を小さくする工程は、開口部内に第1また第2の絶縁層よりも低い比誘電率を有する材料を充填する工程をさらに含んでもよい。
この場合、開口部内の実効比誘電率を第1および第2の絶縁層の比誘電率よりも小さくすることができる。それにより、めっき用リード部を露出させることなくめっき用リード部に重なる領域の実効比誘電率を小さくすることができる。その結果、配線回路基板の信頼性が向上する。
実効比誘電率を小さくする工程は、第1および第2の絶縁層のうち少なくとも一方をめっき用リード部が露出するように形成する工程を含んでもよい。
この場合、めっき用リード部に重なる領域を空気層に置き換えることができる。空気(大気)の比誘電率は第1および第2の絶縁層の比誘電率よりも小さいので、めっき用リード部に重なる領域の実効比誘電率を小さくすることができる。それにより、比誘電率が小さい追加の材料を用いることなく、共振により減衰される信号成分の周波数を高くすることができる。
(1−1)サスペンション基板の構造
図1は本発明の実施の形態に係るサスペンション基板の上面図である。図1に示すように、サスペンション基板1は、金属製の長尺状基板により形成されるサスペンション本体部10を備える。サスペンション本体部10には複数の孔部Hが形成されている。サスペンション本体部10上には、複数の配線パターン20が形成されている。各配線パターンの一端部および他端部には、電極パッド23,30がそれぞれ設けられている。
以下、実施の形態に係るサスペンション基板1の製造方法について説明する。ここでは、図1のタング部12、複数の電極パッド23および孔部Hの形成工程についての説明は省略する。
サスペンション基板1の複数の電極パッド30は、他の配線回路基板(例えばフレキシブル配線回路基板)の端子部と接合される。以下、サスペンション基板1の電極パッド30とフレキシブル配線回路基板(以下、FPC基板と呼ぶ)の端子部との接合例について説明する。
ここで、サスペンション基板1とFPC基板100aとの間で電気信号が伝送される際のめっき用リード線Sによる周波数成分の減衰について説明する。
場合の電気信号の透過特性が実線で示され、めっき用リード線Sが形成されていない場合の電気信号の透過特性が点線で示される。
めっき用リード線Sの周囲の実効比誘電率をεrとすると、電気信号の伝送速度vは、次式(2)で表される。ここで、実効比誘電率εrは、めっき用リード線Sの周囲の要素(例えば、ベース絶縁層11、カバー絶縁層13および大気を含む)の比誘電率の合成値である。
式(1)および式(2)から次式(3)が導かれる。
式(3)からわかるように、実効比誘電率εrを小さくすることにより、めっき用リード線Sにおける電気信号の共振周波数frを高くすることができる。それにより、めっき用リード線Sの共振周波数frを、電気信号の波形に与える影響が小さい値に設定することが可能となる。
本実施の形態に係るサスペンション基板1においては、複数のめっき用リード線Sが形成されるベース絶縁層11の領域R1上におけるカバー絶縁層13の部分の厚みが、ベース絶縁層11の他の領域上におけるカバー絶縁層13の厚みよりも小さく設定される。それにより、複数のめっき用リード線Sの周囲の実効比誘電率εrが小さくなり、めっき用リード線Sにおける電気信号の共振周波数が高くなる。したがって、めっき用リード線Sにおける共振が電気信号の波形に与える影響が小さくなる。その結果、めっき用リード線Sでの共振による電気信号の波形の鈍りが抑制される。
第1の参考形態に係るサスペンション基板について、上記実施の形態と異なる点を説明する。
の領域R1上におけるカバー絶縁層13の部分に複数の開口部15が形成されている。例えば、メッシュ状に複数の開口部15が形成されてもよく、スリット状に複数の開口部15が形成されてもよい。
本発明の第2の参考形態に係るサスペンション基板1bについて、上記実施の形態と異なる点を説明する。
本発明の第3の参考形態に係るサスペンション基板1cについて、上記第1の参考形態と異なる点を説明する。
上記実施の形態の構成に上記第1〜第3の参考形態の構成が組み合わされてもよい。例えば、複数のめっき用リード線Sが形成されるベース絶縁層11の領域R1上におけるカバー絶縁層13の部分の厚みが、ベース絶縁層11の他の領域上におけるカバー絶縁層13の部分の厚みよりも小さく設定されるとともに、ベース絶縁層11の領域R1上におけるカバー絶縁層13の部分に複数の開口部15が形成されてもよい。また、その開口部15内にカバー絶縁層13よりも低い誘電率を有する誘電体16が充填されてもよい。
(6−1)実施例
次の条件で上記実施の形態のサスペンション基板1を作製した。
カバー絶縁層13の厚みを均一に6μmとした点を除いて上記実施例と同様にサスペンション基板1を形成した。
図8に示したように、実施例および比較例のサスペンション基板1の電極パッド30とFPC基板100aの端子部45とを接合し、サスペンション基板1の配線パターン20からFPC基板100aの配線パターン42に電気信号を伝送した。
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
10 サスペンション本体部
11 ベース絶縁層
12 タング部
13 カバー絶縁層
14,H 孔部
14a 電解めっき
14b 接続端子
15,21 開口部
16 誘電体
20 配線パターン
23,30 電極パッド
30a,45a めっき層
50 支持基板
100a FPC基板
S めっき用リード線
Claims (6)
- 第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層上に形成される配線パターンと、
前記配線パターンの一部に設けられる端子部と、
前記第1の絶縁層上に前記配線パターンから延びるように形成されるめっき用リード部と、
前記端子部を除いて前記配線パターンおよび前記めっき用リード部を覆うように前記第1の絶縁層上に形成される第2の絶縁層とを備え、
前記めっき用リード部に重なる領域の実効比誘電率が前記配線パターンに重なる領域の実効比誘電率よりも小さくなるように、前記めっき用リード部に重なる前記第2の絶縁層の部分の厚さが前記配線パターンに重なる前記第2の絶縁層の部分の厚さよりも小さく設定されたことを特徴とする配線回路基板。 - 前記めっき用リード部に重なる前記第1および第2の絶縁層の部分のうち少なくとも一方の部分に開口部が形成されたことを特徴とする請求項1記載の配線回路基板。
- 前記開口部内に前記第1または第2の絶縁層よりも低い比誘電率を有する材料が充填されたことを特徴とする請求項2記載の配線回路基板。
- 第1の絶縁層上に、配線パターン、前記配線パターンの一部に設けられる端子部および前記配線パターンから延びるめっき用リード部を含む導体パターンを形成する工程と、
前記端子部を除いて前記配線パターンおよび前記めっき用リード部を覆うように前記第1の絶縁層上に第2の絶縁層を形成する工程と、
前記めっき用リード部を通して前記配線パターンに給電することにより前記配線パターンの一部にめっき層で被覆された端子部を形成する工程と、
前記配線パターンに重なる領域の実効比誘電率よりも前記めっき用リード部に重なる領域の実効比誘電率を小さくする工程とを備え、
実効比誘電率を小さくする前記工程は、前記めっき用リード部に重なる前記第2の絶縁層の部分の厚さを前記配線パターンに重なる前記第2の絶縁層の部分の厚さよりも小さく設定する工程を含むことを特徴とする配線回路基板の製造方法。 - 実効比誘電率を小さくする前記工程は、前記めっき用リード部に重なる前記第1および第2の絶縁層の部分のうち少なくとも一方の部分に開口部を形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項4記載の配線回路基板の製造方法。
- 実効比誘電率を小さくする前記工程は、前記開口部内に前記第1また第2の絶縁層よりも低い比誘電率を有する材料を充填する工程をさらに含むことを特徴とする請求項5記載の配線回路基板の製造方法。
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