JP6687490B2 - 回路付サスペンション基板および回路付サスペンション基板の製造方法 - Google Patents

回路付サスペンション基板および回路付サスペンション基板の製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、回路付サスペンション基板および回路付サスペンション基板の製造方法、詳しくは、ハードディスクドライブに用いられる回路付サスペンション基板およびその製造方法に関する。
ヘッドスライダと、ヘッドスライダを変位させるために伸縮可能な圧電素子とが実装される回路付サスペンション基板が知られている。
例えば、圧電素子を、回路付サスペンション基板の圧電側端子に、銀ペーストなどの導電性接着剤により接続することが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
そのような方法では、回路付サスペンション基板の圧電側端子と、圧電素子の圧電端子との間に導電性接着剤を介在させた後、加熱して導電性接着剤を溶融させ、圧電側端子と圧電端子とを接着している。
特開２０１３−２００９０９号公報
しかるに、特許文献１に記載の方法において、圧電素子が所定位置からずれて配置され、その後の加熱により、圧電素子が所定位置からずれた状態で、圧電側端子と圧電端子とが導電性接着剤により接着される場合がある。
そのような場合を考慮して、導電性接着剤としてはんだを使用し、加熱溶融したはんだの表面張力を利用して、圧電素子をセルフアライメントさせ、圧電素子の位置精度の向上を図ることが検討される。
圧電素子を精度よくセルフアライメントさせるには、はんだの表面張力がはんだの体積に比例することから、圧電側端子と圧電端子との間に介在するはんだ量を十分に確保する必要がある。
しかし、図１０Ａに示すように、回路付サスペンション基板５０の圧電側端子５１の周端面５１Ａが露出している場合、圧電素子６０の圧電端子６１と圧電側端子５１との間に介在するはんだ７０が、加熱溶融時において、圧電側端子５１の周端面５１Ａを被覆するように濡れ広がり、圧電端子６１と圧電側端子５１との間のはんだ７０の体積が減少するという不具合がある。
この場合、はんだ７０の厚みが低下するとともに、はんだ７０の表面張力が低下するので、圧電素子６０を精度よくセルフアライメントさせることが困難であり、圧電素子６０の位置精度の向上を図るには限度がある。
そこで、図１０Ｂおよび図１０Ｃに示すように、圧電側端子５１の周端面５１Ａを、回路付サスペンション基板５０が備えるベース絶縁層５２により被覆することが検討される。
例えば、図１０Ｂに示すように、ベース絶縁層５２に開口５３を形成するとともに、圧電側端子５１を開口５３に充填し、圧電側端子５１と連続する連続部分５４を、ベース絶縁層５２における開口５３の周縁部上に配置する。これによって、圧電側端子５１の周端面５１Ａが、ベース絶縁層５２により被覆される。
しかし、回路付サスペンション基板５０では、導体パターンのファインピッチ化の観点から、圧電側端子５１の近傍に配線５５が引き回される場合がある。また、圧電素子６０のセルフアライメントの観点から、圧電側端子５１上のはんだ７０の体積の増加を図るべく、圧電側端子５１の大型化が望まれている。
そのため、配線５５が配置されるベース絶縁層５２と、連続部分５４が配置されるベース絶縁層５２とが近くなり、図１０Ｂの構成を確保することが困難となる場合がある。
そこで、図１０Ｃに示すように、配線５５の近傍に位置する連続部分５４を除去し、スペースを確保することが検討される。しかし、図１０Ｃの構成では、圧電側端子５１の周端面５１Ａと、周端面５１Ａを被覆するベース絶縁層５２との密着性を確保できず、ベース絶縁層５２が周端面５１Ａから剥離する場合や、ベース絶縁層５２と周端面５１Ａとの間に隙間が生じる場合がある。
そこで、本発明の目的は、導体パターンのファインピッチ化および端子の大型化を図ることができながら、端子の周端面の少なくとも一部を安定して被覆でき、圧電素子を位置精度よく実装できる回路付サスペンション基板および回路付サスペンション基板の製造方法を提供することにある。
本発明［１］は、金属支持層と、前記金属支持層の厚み方向一方側に配置されるベース絶縁層と、前記ベース絶縁層の前記厚み方向一方側に配置される配線を備える導体パターンと、前記配線を被覆するように、前記ベース絶縁層の前記厚み方向一方側に配置されるカバー絶縁層と、を備え、前記導体パターンは、圧電素子と接続するための端子であって、前記配線に接続され、前記厚み方向と直交する方向において前記ベース絶縁層と隣接される端子を備え、前記端子は、前記厚み方向の他方側から見て、前記金属支持層および前記ベース絶縁層から露出し、隣接する前記ベース絶縁層から離れるように、前記厚み方向と直交する方向に沿って延び、前記端子の周端面の少なくとも一部は、前記カバー絶縁層により被覆されている、回路付サスペンション基板を含んでいる。
このような構成によれば、端子の周端面の少なくとも一部が、カバー絶縁層により被覆されている。そのため、回路付サスペンション基板に圧電素子を実装するときに、回路付サスペンション基板の端子と、圧電素子の素子端子との間に位置するはんだ組成物が、端子の周端面に濡れ広がることを抑制でき、端子と素子端子との間に位置するはんだ組成物の量を十分に確保することができる。
また、端子が、隣接するベース絶縁層から離れるように厚み方向と直交する方向に沿って延びているので、上記した図１０Ｂの構成と比較して、導体パターンのファインピッチ化および端子の大型化を図ることができる。
また、端子の周端面を被覆する絶縁層がカバー絶縁層であるので、上記した図１０Ｃの構成と比較して、端子の周端面との密着性の向上を図ることができる。
その結果、導体パターンのファインピッチ化および端子の大型化を図ることができながら、端子の周端面の少なくとも一部を安定して被覆でき、圧電素子を位置精度よく実装できる。
本発明［２］は、前記端子の延びる方向および前記厚み方向の両方向と直交する幅方向における前記端子の寸法は、前記延びる方向における前記端子の寸法に対して、２倍以上８倍以下である、上記［１］に記載の回路付サスペンション基板を含んでいる。
このような構成によれば、幅方向における端子の寸法が、延びる方向における端子の寸法に対して上記の範囲内であるので、端子の幅方向における大型化を図ることができる。そのため、回路付サスペンション基板に圧電素子を実装するときに、端子上に配置できるはんだ組成物の体積の向上を図ることができ、ひいては、圧電素子の位置精度の向上を図ることができる。
本発明［３］は、金属支持層を準備する工程と、ベース絶縁層を前記金属支持層の厚み方向一方側に、厚肉部と薄肉部とが形成されるように階調露光により形成する工程と、配線を前記厚肉部の前記厚み方向一方側に形成し、端子を前記薄肉部の前記厚み方向一方側に形成する工程と、カバー絶縁層を前記ベース絶縁層の前記厚み方向一方側に、前記配線を被覆するように形成する工程と、前記金属支持層を除去して、前記薄肉部を露出させる工程と、前記薄肉部を除去して、前記端子を露出させる工程と、を含み、前記ベース絶縁層を形成する工程において、前記薄肉部を、前記厚肉部から離れるように、前記厚み方向と直交する方向に沿って延びるように形成し、前記配線および前記端子を形成する工程において、前記端子を、前記厚み方向と直交する方向において前記厚肉部と隣接するように、前記薄肉部の前記厚み方向一方側に形成し、前記カバー絶縁層を形成する工程において、前記カバー絶縁層を、前記端子の周端面の少なくとも一部を被覆するように形成する、回路付サスペンション基板の製造方法を含んでいる。
このような方法によれば、ベース絶縁層を金属支持層の厚み方向一方側に、厚肉部と薄肉部とが形成されるように階調露光により形成した後、端子を厚み方向と直交する方向において厚肉部と隣接するように、薄肉部の厚み方向一方側に形成し、次いで、カバー絶縁層を、端子の周端面の少なくとも一部を被覆するように形成する。その後、金属支持層を除去して、薄肉部を露出させた後、薄肉部を除去して端子を露出させる。
これによって、隣接するベース絶縁層から離れるように延びる端子の周端面がカバー絶縁層により被覆される回路付サスペンション基板が製造できる。
つまり、導体パターンのファインピッチ化および端子の大型化を図ることができながら、端子の周端面の少なくとも一部を安定して被覆でき、圧電素子を位置精度よく実装できる回路付サスペンション基板を円滑に製造できる。
本発明の回路付サスペンション基板では、導体パターンのファインピッチ化および端子の大型化を図ることができながら、端子の周端面の少なくとも一部を安定して被覆でき、圧電素子を位置精度よく実装できる。
本発明の回路付サスペンション基板の製造方法では、圧電素子を位置精度よく実装できる回路付サスペンション基板を円滑に製造できる。
図１は、本発明の回路付サスペンション基板の一実施形態の平面図であって、カバー絶縁層を除いた状態を示す。 図２は、図１に示す回路付サスペンション基板の底面図である。 図３は、図１に示す第１端子の拡大図である。 図４Ａは、図２に示す第１端子および第２端子のＡ−Ａ断面図である。図４Ｂは、図３に示す第１端子のＢ−Ｂ断面図である。 図５Ａは、図１に示す回路付サスペンション基板の製造方法を説明するための説明図であって、支持基板を準備する工程を示す。図５Ｂは、図５Ａに続いて、支持基板上に、厚肉部および薄肉部を備えるベース絶縁層を形成する工程を示す。図５Ｃは、図５Ｂに続いて、ベース絶縁層上に導体パターンを形成する工程を示す。図５Ｄは、図５Ｃに続いて、カバー絶縁層を、配線を被覆するようにベース絶縁層上に形成する工程を示す。 図６Ａは、図５Ｄに続いて、支持基板を外形加工する工程を示す。図６Ｂは、図６Ａに続いて、ベース絶縁層の薄肉部を除去して、第１端子および第２端子を露出させる工程を示す。図６Ｃは、図６Ｂに続いて、第１端子および第２端子にめっき層を形成する工程を示す。 図７Ａは、図６Ｃに示す回路付サスペンション基板に圧電素子を実装する工程を説明するための説明図であって、第１端子および第２端子上にはんだ組成物を配置する工程を示す。図７Ｂは、図７Ａに続いて、第１素子端子および第２素子端子がはんだ組成物と接触するように、圧電素子を配置する工程を示す。図７Ｃは、図７Ｂに続いて、はんだ組成物を溶融させてはんだ層を形成する工程を示す。 図８は、図７Ｃに示す圧電素子のセルフアライメントを説明するための説明図である。 図９は、図４Ａに示す第１端子および第２端子の形状および配置を説明するための説明図である。 図１０Ａは、従来技術の説明図であって、圧電側端子の周端面が露出している態様を示す。図１０Ｂは、従来技術の説明図であって、圧電側端子の周端面がベース絶縁層により被覆され、圧電側端子と連続する連続部分がベース絶縁層上に配置される態様を示す。図１０Ｃは、従来技術の説明図であって、圧電側端子の周端面がベース絶縁層により被覆され、連続部分が除去された態様を示す。 図１１は、実施例１および比較例１の回路付サスペンション基板に圧電素子が実装されたときの工程能力指数（Ｃｐｋ）を示すグラフである。
図１において、紙面厚み方向は、上下方向（第１方向、厚み方向）であり、紙面手前側が上側（第１方向一方側、厚み方向一方側）、紙面奥側が下側（第１方向他方側、厚み方向他方側）である。
図１において、紙面上下方向は、先後方向（第１方向と直交する第２方向、厚み方向と直交する直交方向）であり、紙面上側が先側（第２方向一方側、直交方向一方側）、紙面下側が後側（第２方向他方側、直交方向他方側）である。
図１において、紙面左右方向は、左右方向（第１方向および第２方向の両方向に直交する第３方向、厚み方向および直交方向の両方向と直交する幅方向）であり、紙面右側が右側（第３方向一方側、幅方向一方側）、紙面左側が左側（第３方向他方側、幅方向他方側）である。具体的には、方向は、各図に記載の方向矢印従う。
１．回路付サスペンション基板
以下、図１〜図４Ｂを参照して、本発明の回路付サスペンション基板の一実施形態である回路付サスペンション基板１について説明する。
図１に示すように、回路付サスペンション基板１は、先後方向に延びる略平帯状を有している。また、図４Ａに示すように、回路付サスペンション基板１は、積層構造を有しており、金属支持層の一例としての支持基板５と、ベース絶縁層６と、導体パターン７と、カバー絶縁層８とを、下側から上側に向かって順に備えている。なお、図１では、便宜上、カバー絶縁層８を省略している。
図２に示すように、支持基板５は、先後方向に延びている。支持基板５は、ステージ１２と、２つのアウトリガー１５と、外部接続部１１とを備えている。
ステージ１２は、支持基板５の先端部分であって、平面視略Ｈ字形状を有している。詳しくは、ステージ１２の先側部分および後側部分は、左右方向に延びる平面視略矩形状を有しており、先後方向に延びる略矩形状の中央部分により連結されている。
また、ステージ１２は、第１基準穴１７を有している。第１基準穴１７は、ステージ１２の先後方向中央部分に形成されおり、支持基板５の左右方向中央に位置している。第１基準穴１７は、平面視略円形状を有しており、ステージ１２を上下方向に貫通している。
２つのアウトリガー１５は、後側に向かって開放される略コ字状を有している。各アウトリガー１５は、ステージ１２の後側部分の左右方向端部と外部接続部１１の先端部とを連結している。
これにより、支持基板５には、先側に向かって開放される凹形状の開口部１０が形成されている。開口部１０は、ステージ１２の後側部分と、２つのアウトリガー１５と、外部接続部１１の先端部とにより区画されている。
外部接続部１１は、ロードビーム（図示せず）に支持される部分であって、ステージ１２に対して後側に間隔を空けて配置されている。外部接続部１１は、先後方向に延びる略平板形状を有している。
また、外部接続部１１は、第２基準穴１８を有している。第２基準穴１８は、外部接続部１１の先端部分における左右方向中央に形成されており、支持基板５の左右方向中央に位置している。第２基準穴１８は、平面視略円形状を有しており、外部接続部１１を上下方向に貫通している。
支持基板５は、例えば、ステンレス、４２アロイ、アルミニウム、銅−ベリリウム、りん青銅などの金属材料から形成され、好ましくは、ステンレスから形成される。支持基板５の厚みは、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、１５μｍ以上、例えば、３５μｍ以下、好ましくは、２５μｍ以下である。
図４Ａに示すように、ベース絶縁層６は、支持基板５の上面（厚み方向一方側）に配置されており、図１に示すように、導体パターン７に対応する所定のパターンとして設けられている。ベース絶縁層６は、第１ステージベース１９と、第２ステージベース２２と、第３ステージベース２０と、２つのアウトリガベース２３と、外部接続ベース２４とを備えている。
第１ステージベース１９は、平面視略矩形状を有しており、ステージ１２の先側部分の上面に配置されている。第１ステージベース１９の後端縁は、ステージ１２の先側部分の後端縁よりも後側に位置している。
第２ステージベース２２は、第１ステージベース１９に対して後側に配置されている。第２ステージベース２２は、平面視略Ｔ字状を有しており、帯状部１４と、架橋部２１とを備えている。
帯状部１４は、左右方向に延びる平帯状を有しており、第１ステージベース１９に対して後側に間隔を空けて配置されている。帯状部１４の左右両端部は、上側から見て開口部１０内に位置している。
架橋部２１は、第１ステージベース１９と帯状部１４との間に配置されている。架橋部２１は、第１ステージベース１９の後端部における左右方向中央部分と、帯状部１４の先端部における左右方向中央部分とを接続している。
架橋部２１の左右方向寸法は、ステージ１２の中央部分の左右方向寸法よりも大きい。架橋部２１の左右方向中央部分は、ステージ１２の中央部分上に配置されている。架橋部２１の左右方向両端縁のそれぞれは、ステージ１２の中央部分の左右方向両端縁よりも左右方向外側に配置されている。つまり、架橋部２１は、ステージ１２の中央部分よりも左右方向外側に位置する外側部分２１Ａを２つ有している。
第３ステージベース２０は、第２ステージベース２２の帯状部１４に対して後側に間隔を空けて配置され、ステージ１２の後側部分の上面に配置されている。第３ステージベース２０は、左右方向に延びる平面視略矩形状を有している。第３ステージベース２０の先端縁は、ステージ１２の後側部分の先端縁よりも先側に位置している。また、第３ステージベース２０の左右両端部は、各アウトリガー１５上において、帯状部１４に連続している。
２つのアウトリガベース２３は、上側から見て開口部１０内に位置しており、帯状部１４の左右方向両端部のそれぞれと、外部接続ベース２４の先端部とを連結している。
外部接続ベース２４は、先後方向に延びる平面視矩形状を有しており、外部接続部１１の上面に配置されている。
ベース絶縁層６は、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテル樹脂、ニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの合成樹脂から形成され、好ましくは、ポリイミド樹脂から形成される。
ベース絶縁層６の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、３μｍ以上、例えば、２５μｍ以下、好ましくは、１５μｍ以下である。
導体パターン７は、端子群２６と、配線２７とを備えている。
端子群２６は、磁気ヘッド端子２８と、外部接続端子２９と、端子の一例としての第１端子３０および第２端子３１と、電源端子３２とを含んでいる。
磁気ヘッド端子２８は、スライダ９の端子（図示せず）と接続するための端子である。磁気ヘッド端子２８は、第１ステージベース１９上において、左右方向に互いに間隔を空けて複数（４つ）整列配置されている。
外部接続端子２９は、複数の磁気ヘッド端子２８に対応しており、磁気ヘッド端子２８と同数設けられる。外部接続端子２９は、外部接続ベース２４の後端部において、左右方向に互いに間隔を空けて複数（４つ）整列配置されている。
第１端子３０および第２端子３１は、圧電素子３（後述）の第１素子端子４０および第２素子端子４１（後述、図４Ａ参照）と接続するための端子である。第１端子３０および第２端子３１は、回路付サスペンション基板１に実装される圧電素子３の個数と同数設けられる。そのため、回路付サスペンション基板１がｎ個の圧電素子３を実装する場合、第１端子３０および第２端子３１は、ｎ対設けられる。
なお、本実施形態では、回路付サスペンション基板１が２つの圧電素子３を実装するため、第１端子３０および第２端子３１は、２対設けられる。２対の第１端子３０および第２端子３１は、第１ステージベース１９と第３ステージベース２０との間において、左右方向に互いに間隔を空けて配置されている。
第１端子３０および第２端子３１は、先後方向に互いに間隔を空けて配置されている。第１端子３０と第２端子３１との前後方向の間には、第２ステージベース２２の帯状部１４が配置されている。
図３および図４Ａに示すように、第１端子３０は、左右方向に延びる平面視略矩形状を有している。第１端子３０は、第１ステージベース１９の後端縁に対して後側に隣接しており、帯状部１４に対して先側に間隔を空けて配置されている。つまり、第１端子３０は、先後方向において第１ステージベース１９と隣接している。
また、図４Ｂに示すように、第１端子３０は、架橋部２１の外側部分２１Ａに対して、左右方向外側に僅かに間隔を空けて配置されている。
また、図４Ａに示すように、第１端子３０は、第１ステージベース１９から離れるように、先後方向に沿って後側に延びている。また、第１端子３０の後端部および左右両端部は、遊端部であって、導体パターン７の他の部分と接続されていない。
これにより、図４Ａおよび図４Ｂに示すように、第１端子３０の周端面３０Ａは、第１ステージベース１９と隣接する先端面３０Ｂと、ベース絶縁層６に隣接されていない後端面３０Ｃ、右端面３０Ｄおよび左端面３０Ｅとを備えている。
第１端子３０の周端面３０Ａのうち、ベース絶縁層６に隣接されていない部分の面積（具体的には、後端面３０Ｃ、右端面３０Ｄおよび左端面３０Ｅの面積の総和）は、周端面３０Ａ全体の面積（具体的には、先端面３０Ｂ、後端面３０Ｃ、右端面３０Ｄおよび左端面３０Ｅの面積の総和）に対して、例えば、４０％以上、好ましくは、４５％以上、例えば、９０％以下、好ましくは、８５％以下である。
また、第１端子３０は、下側（厚み方向の他方側）から見て、支持基板５およびベース絶縁層６から露出されている。
第１端子３０の先後方向の寸法は、例えば、３０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上、例えば、１００μｍ以下、好ましくは、９０μｍ以下、さらに好ましくは、８０μｍ以下である。
第１端子３０の左右方向の寸法は、例えば、１２０μｍ以上、好ましくは、２１０μｍ以上、例えば、２５０μｍ以下、好ましくは、２３０μｍ以下である。
第１端子３０の左右方向の寸法は、第１端子３０の先後方向の寸法に対して、例えば、１．２倍以上、好ましくは、１．５倍以上、さらに好ましくは、２倍以上、例えば、１０倍以下、好ましくは、８倍以下、さらに好ましくは、４倍以下である。
第１端子３０の面積は、例えば、０．００１ｍｍ２以上、好ましくは、０．０１ｍｍ２以上、例えば、０．０２５ｍｍ２以下、好ましくは、０．０２０ｍｍ２以下である。
図１に示すように、第２端子３１は、左右方向に延びる平面視略矩形状を有している。第２端子３１は、第２端子３１の左右方向中央部分が、第１端子３０の左右方向中央部分を通り、先後方向に沿う仮想線上に位置するように配置されている。
また、図４Ａに示すように、第２端子３１は、第３ステージベース２０の先端縁に対して先側に隣接しており、帯状部１４に対して後側に間隔を空けて配置されている。つまり、第２端子３１は、先後方向において第３ステージベース２０と隣接している。
また、第２端子３１は、第３ステージベース２０から離れるように、先後方向に沿って先側に延びている。また、第２端子３１の先端部および左右両端部は、遊端部であって、導体パターン７の他の部分と接続されていない。
これにより、第２端子３１の周端面３１Ａは、第３ステージベース２０と隣接する後端面３１Ｃと、ベース絶縁層６に隣接されていない先端面３１Ｂ、右端面（図示せず）および左端面（図示せず）とを備えている。第２端子３１の周端面３１Ａのうちベース絶縁層６に隣接されていない部分の面積の範囲は、上記の第１端子３０の周端面３０Ａのうちベース絶縁層６に隣接されていない部分の面積の範囲と同じである。
また、第２端子３１は、下側（厚み方向の他方側）から見て、支持基板５およびベース絶縁層６から露出されている。
第２端子３１のサイズの範囲（先後方向の寸法および左右方向の寸法）は、上記の第１端子３０のサイズの範囲と同じである。第２端子３１の面積の範囲は、上記の第１端子３０の面積の範囲と同じである。
また、第１端子３０および第２端子３１のそれぞれの下面には、めっき層３８が設けられている。めっき層３８は、例えば、ニッケル、金などの金属材料から形成され、好ましくは、金から形成される。めっき層３８の厚みは、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、０．２５μｍ以上、例えば、５μｍ以下、好ましくは、２．５μｍ以下である。
なお、本実施形態では、第１端子３０および第２端子３１は、先後方向に沿って延びる略平坦状を有している。「略平坦状」とは、図９に示すように、第１端子３０および第２端子３１の下面（詳しくは、めっき層３８の下面）において、最も上側に位置する部分と最も下側に位置する部分との間の上下方向の間隔が、０μｍ以上１０μｍ以下の範囲内（図９においてＲ１として示す。）であることを意味する。そのため、第１端子３０および第２端子３１が、わずかに屈曲しても、上記の間隔が範囲Ｒ１内であれば、略平坦状に含まれる。
図１に示すように、電源端子３２は、第２端子３１に対応しており、第２端子３１と同数設けられる。本実施形態では、電源端子３２は、２つの第２端子３１に対応して２つ設けられる。２つの電源端子３２は、外部接続ベース２４の後端部において、外部接続端子２９の間に配置されている。２つの電源端子３２は、左右方向に互いに間隔を空けて配置されている。
配線２７は、図４Ａに示すように、ベース絶縁層６の上面（厚み方向一方側）に配置されている。図１に示すように、配線２７は、信号配線３３と、グランド配線３４と、電源配線３５とを含んでいる。
信号配線３３は、磁気ヘッド端子２８に対応しており、磁気ヘッド端子２８と同数設けられる。信号配線３３は、磁気ヘッド端子２８と外部接続端子２９とを電気的に接続している。詳しくは、信号配線３３は、磁気ヘッド端子２８から連続して、第１ステージベース１９上を引き回された後、架橋部２１の外側部分２１Ａ、第２ステージベース２２、アウトリガベース２３および外部接続ベース２４上を順次通過した後、外部接続端子２９に接続されている。
これによって、本実施形態では、複数の信号配線３３が、２つの第１端子３０の左右方向の間を通過するように引き回された後、第１端子３０と第２端子３１との先後方向の間を通過するように引き回されている。
そのため、図４Ａおよび図４Ｂに示すように、第１端子３０の後端面３０Ｃと信号配線３３とは先後方向に互いに間隔Ｌ１を空けて配置され、第１端子３０の左端面３０Ｅと信号配線３３とは左右方向に互いに間隔Ｌ２を空けて配置されている。
第１端子３０の後端面３０Ｃと信号配線３３（詳しくは、先後方向において第１端子３０に最も近い信号配線３３）との先後方向の間の間隔Ｌ１は、例えば、２００μｍ以上、好ましくは、２５０μｍ以上、例えば、４００μｍ以下、好ましくは、３５０μｍ以下である。
第１端子３０の左端面３０Ｅと信号配線３３（詳しくは、左右方向において第１端子３０に最も近い信号配線３３）との左右方向の間の間隔Ｌ２は、例えば、２０μｍ以上、好ましくは、３０μｍ以上、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。
図１に示すように、グランド配線３４は、第１端子３０に対応しており、第１端子３０と同数設けられる。グランド配線３４は、第１端子３０と支持基板５とを電気的に接続している。詳しくは、グランド配線３４は、第１端子３０から連続して先側に向かって延び、第１ステージベース１９上に配置された後、第１ステージベース１９を貫通してステージ１２に接触（接地）している。
電源配線３５は、第２端子３１に対応しており、第２端子３１と同数設けられる。電源配線３５は、第２端子３１と電源端子３２とを電気的に接続している。詳しくは、図４Ａに示すように、電源配線３５は、第２端子３１から連続して後側に向かって延び、第３ステージベース２０上に配置された後、図１に示すように、アウトリガベース２３および外部接続ベース２４上を順次通過し、電源端子３２に接続されている。
導体パターン７は、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などの導体材料から形成され、好ましくは、銅から形成されている。
導体パターン７の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、３μｍ以上であり、例えば、２０μｍ以下、好ましくは、１２μｍ以下である。
図４Ａおよび図４Ｂに示すように、カバー絶縁層８は、配線２７を被覆するように、ベース絶縁層６の上面（厚み方向一方側）に配置されている。また、カバー絶縁層８は、上側（厚み方向一方側）から見て、磁気ヘッド端子２８、外部接続端子２９および電源端子３２を露出し、第１端子３０および第２端子３１を被覆するパターン形状を有している。
詳しくは、カバー絶縁層８は、第１端子３０の上面および第２端子３１の上面に加えて、第１端子３０の周端面の少なくとも一部、および、第２端子３１の周端面の少なくとも一部を被覆している。
カバー絶縁層８は、第１端子カバー３７と、第２端子カバー３９とを含んでいる。
第１端子カバー３７は、カバー絶縁層８のうち第１端子３０を被覆する部分である。第１端子カバー３７は、第１上面カバー３７Ａと、第１周面カバー３７Ｂとを備えている。
第１上面カバー３７Ａは、第１端子３０の上面を被覆しており、第１端子３０の上面（厚み方向一方側）に配置されている。第１上面カバー３７Ａは、第１端子３０の上面において、ベース絶縁層６に隣接されていない周端面３０Ａの部分（具体的には、後端面３０Ｃ、右端面３０Ｄおよび左端面３０Ｅ）と連続する周縁部分（具体的には、上面における後端部、右端部および左端部）に少なくとも配置されている。なお、本実施形態では、第１上面カバー３７Ａは、第１端子３０の上面全体に広がっている。
第１周面カバー３７Ｂは、第１端子３０の周端面３０Ａのうちベース絶縁層６に隣接されていない部分を被覆しており、周端面３０Ａ上に配置されている。第１周面カバー３７Ｂは、第１上面カバー３７Ａの周端部から連続して、下側に向かって延びている。なお、本実施形態では、第１周面カバー３７Ｂは、後端面３０Ｃ、右端面３０Ｄおよび左端面３０Ｅの少なくとも一部を被覆している。
第１周面カバー３７Ｂが被覆する周端面３０Ａの面積は、周端面３０Ａ全体の面積（具体的には、先端面３０Ｂ、後端面３０Ｃ、右端面３０Ｄおよび左端面３０Ｅの面積の総和）を１００％としたときに、例えば、１５％以上、好ましくは、２５％以上、例えば、９０％以下、好ましくは、８０％以下である。
また、第１周面カバー３７Ｂが被覆する周端面３０Ａの面積は、第１端子３０の周端面３０Ａのうちベース絶縁層６に隣接されていない部分の面積（具体的には、後端面３０Ｃ、右端面３０Ｄおよび左端面３０Ｅの面積の総和）を１００％としたときに、例えば、３０％以上、好ましくは、４０％以上、例えば、９５％以下、好ましくは、９０％以下である。
第２端子カバー３９は、カバー絶縁層８のうち第２端子３１を被覆する部分である。第２端子カバー３９は、第２上面カバー３９Ａと、第２周面カバー３９Ｂとを備えている。
第２上面カバー３９Ａは、第２端子３１の上面を被覆しており、第２端子３１の上面（厚み方向一方側）に配置されている。第２上面カバー３９Ａは、第２端子３１の上面において、ベース絶縁層６に隣接されていない周端面３１Ａの部分（具体的には、先端面３１Ｂ、右端面および左端面（図示せず））と連続する周縁部分（具体的には、上面における先端部、右端部および左端部）に少なくとも配置されている。なお、本実施形態では、第２上面カバー３９Ａは、第２端子３１の上面全体に広がっている。
第２周面カバー３９Ｂは、第２端子３１の周端面３１Ａのうちベース絶縁層６に隣接されていない部分を被覆しており、周端面３１Ａ上に配置されている。第２周面カバー３９Ｂは、第２上面カバー３９Ａの周端部から連続して、下側に向かって延びている。なお、本実施形態では、第２周面カバー３９Ｂは、先端面３１Ｂ、右端面および左端面（図示せず）の少なくとも一部を被覆している。
第２周面カバー３９Ｂが被覆する周端面３１Ａの面積の範囲は、上記の第１周面カバー３７Ｂが被覆する周端面３０Ａの面積の範囲と同じである。
カバー絶縁層８は、ベース絶縁層６と同じ合成樹脂から形成され、好ましくは、ポリイミド樹脂から形成される。カバー絶縁層８の厚みは、適宜設定される。
２．回路付サスペンション基板の製造方法
次に、図５Ａ〜図６Ｃを参照して、回路付サスペンション基板１の製造方法について説明する。
回路付サスペンション基板１を製造するには、図５Ａに示すように、支持基板５を準備する。
次いで、図５Ｂに示すように、ベース絶縁層６を、支持基板５の上面（厚み方向一方側面）に、厚肉部４５と薄肉部４６とが形成されるように階調露光により形成する。
具体的には、感光性の合成樹脂を含むワニスを、支持基板５の上に塗布して乾燥させて、ベース皮膜を形成する。その後、ベース皮膜を、図示しないフォトマスクを介して階調露光した後、ベース皮膜を現像し、必要により加熱硬化させる。
これによって、厚肉部４５は、上記したベース絶縁層６（第１ステージベース１９、第２ステージベース２２、第３ステージベース２０、アウトリガベース２３および外部接続ベース２４）に対応する部分に形成される。また、薄肉部４６は、上記した第１端子３０および第２端子３１に対応する部分に形成される。
このとき、第１端子３０に対応する薄肉部４６は、第１ステージベース１９に対応する厚肉部４５から離れるように、先後方向に沿って後側に延びるように形成される。
また、第２端子３１に対応する薄肉部４６は、第３ステージベース２０に対応する厚肉部４５から離れるように、先後方向に沿って先側に延びるように形成される。
次いで、図５Ｃに示すように、導体パターン７を、例えば、アディティブ法またはサブトラクティブ法によって、ベース絶縁層６（厚肉部４５および薄肉部４６）上に上記したパターンに形成する。
具体的には、配線２７、磁気ヘッド端子２８、外部接続端子２９および電源端子３２を厚肉部４５の上面（厚み方向一方側の面）に形成し、第１端子３０および第２端子３１を薄肉部４６の上面（厚み方向一方側の面）に形成する。
これによって、第１端子３０が、先後方向において第１ステージベース１９に対応する厚肉部４５の後側に隣接するように、薄肉部４６の上面に形成される。また、第２端子３１が、先後方向において第３ステージベース２０に対応する厚肉部４５の先側に隣接するように、薄肉部４６の上面に形成される。
次いで、図５Ｄに示すように、カバー絶縁層８を、ベース絶縁層６の上面（厚み方向一方側）に上記したパターンに形成する。
具体的には、感光性の合成樹脂を含むワニスを、ベース絶縁層６および導体パターン７（磁気ヘッド端子２８、外部接続端子２９および電源端子３２を除く）上に塗布して乾燥させて、カバー皮膜を形成する。その後、カバー皮膜を露光して現像し、必要により加熱硬化させる。
これによって、カバー絶縁層８が、配線２７、第１端子３０および第２端子３１を被覆し、磁気ヘッド端子２８、外部接続端子２９および電源端子３２を露出させるように形成される。
詳しくは、第１端子カバー３７の第１上面カバー３７Ａが、第１端子３０の上面を被覆するとともに、第１端子カバー３７の第１周面カバー３７Ｂが、第１端子３０の周端面３０Ａを被覆する。
また、第２端子カバー３９の第２上面カバー３９Ａが、第２端子３１の上面を上記のように被覆するとともに、第２端子カバー３９の第２周面カバー３９Ｂが、第２端子３１の周端面３１Ａを上記のように被覆する。
次いで、図６Ａに示すように、支持基板５を、上記のパターンとなるように外形加工する。これによって、薄肉部４６の下側に位置した支持基板５が除去されて、薄肉部４６が下側から露出する。
次いで、図６Ｂに示すように、薄肉部４６を、公知のエッチング（例えば、ウェットエッチングなど）によって除去する。これによって、第１端子３０および第２端子３１の下面がベース絶縁層６から露出される。
なお、このとき、第１周面カバー３７Ｂおよび第２端子カバー３９のそれぞれの下端部が、薄肉部４６とともにエッチングされてもよい。
次いで、図６Ｃに示すように、第１端子３０および第２端子３１の下面に、公知のめっき方法（例えば、電解めっき、無電解めっきなど）によって、めっき層３８を形成する。
これによって、回路付サスペンション基板１が製造される。
３．回路付サスペンション基板に対する圧電素子の実装
次に、図７Ａ〜図７Ｃを参照して、回路付サスペンション基板１に対する圧電素子３の実装について説明する。
図１に示すように、圧電素子３は、先後方向に伸縮可能なアクチュエータであって、電気が供給され、その電圧が制御されることによって伸縮する。本実施形態において、圧電素子３は、回路付サスペンション基板１に２つ実装される。
圧電素子３は、例えば、公知の圧電材料、より具体的には、圧電セラミックスなどから形成されている。
圧電セラミックスとしては、例えば、ＢａＴｉＯ３（チタン酸バリウム）、ＰｂＴｉＯ３（チタン酸鉛）、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３（ジルコン酸チタン酸鉛（ＰＺＴ））、ＳｉＯ２（水晶）、ＬｉＮｂＯ３（ニオブ酸リチウム）、ＰｂＮｂ２Ｏ６（メタニオブ酸鉛）などが挙げられ、好ましくは、ＰＺＴが挙げられる。
また、図７Ｂに示すように、圧電素子３は、第１素子端子４０および第２素子端子４１を備えている。第１素子端子４０および第２素子端子４１は、第１端子３０および第２端子３１に対応して、先後方向に互いに間隔を空けて配置されている。
詳しくは、第１素子端子４０は、第１端子３０に対応しており、圧電素子３の上面における先側部分に設けられている。第１素子端子４０は、左右方向に延びる平面視略矩形状を有している。
第２素子端子４１は、第２端子３１に対応しており、圧電素子３の上面における後側部分に設けられている。第２素子端子４１は、左右方向に延びる平面視略矩形状を有している。
このような圧電素子３の回路付サスペンション基板１に対する実装では、図７Ａに示すように、まず、はんだ組成物４Ａを準備する。
はんだ組成物４Ａは、Ｓｎと、Ａｇと、Ｃｕとを含有しており、好ましくは、ＳｎとＡｇとＣｕとのみからなる。以下、はんだ組成物４ＡをＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだ組成物とする。
Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだ組成物において、Ａｇの含有割合は、例えば、１質量％以上、好ましくは、２質量％以上、例えば、５質量％以下、好ましくは、４質量％以下、さらに好ましくは、３質量％である。
ＡｇのＣｕに対する含有割合（Ａｇ／Ｃｕ）は、例えば、４以上、好ましくは、５以上、例えば、８以下、好ましくは、７以下である。
Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだ組成物において、Ｃｕの含有割合は、例えば、０．３質量％以上、好ましくは、０．４質量％以上、例えば、０．７質量％以下、好ましくは、０．６質量％以下、さらに好ましくは、０．５質量％である。
Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだ組成物において、Ｓｎの含有割合は、上記のＡｇおよびＣｕの含有割合の残部である。
具体的には、はんだ組成物として、Ｓｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕと表されるものが挙げられる。そのようなはんだ組成物として、市販品を用いることができる。
このようなはんだ組成物の融点は、例えば、２００℃以上、好ましくは、２１０℃以上、例えば、２３０℃以下、好ましくは、２２０℃以下である。
そして、はんだ組成物４Ａを公知の方法（例えば、公知の印刷機による印刷、ディスペンサーによる塗布など）により、第１端子３０のめっき層３８の下面、および、第２端子３１のめっき層３８の下面に配置する。
各端子に配置されるはんだ組成物４Ａの体積は、例えば、１×１０−８ｃｍ３以上、好ましくは、１×１０−７ｃｍ３以上、例えば、１×１０−５ｃｍ３以下、好ましくは、１×１０−６ｃｍ３以下である。
はんだ組成物４Ａの最大厚みは、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、２０μｍ以上、例えば、６０μｍ以下、好ましくは、５０μｍ以下である。
次いで、図７Ｂに示すように、圧電素子３を、第１素子端子４０が第１端子３０上のはんだ組成物４Ａと接触するとともに、第２素子端子４１が第２端子３１上のはんだ組成物４Ａと接触するように配置する。
つまり、圧電素子３は、第１端子３０および第２端子３１に対して下側（厚み方向他方側）に配置される。また、圧電素子３は、第１端子３０と第２端子３１とに架設している。また、圧電素子３の先後方向中央部分の上側には、第２ステージベース２２の帯状部１４が間隔を空けて配置される。
次いで、図７Ｃに示すように、圧電素子３が配置された回路付サスペンション基板１をリフローする。
リフロー温度は、例えば、２３０℃以上、好ましくは、２４０℃以上、例えば、２６０℃以下、好ましくは、２５０℃以下である。リフロー時間は、例えば、３秒以上、好ましくは、５秒以上、例えば、３００秒以下、好ましくは、２００秒以下である。
これによって、はんだ組成物４Ａが、第１端子３０および第２端子３１のそれぞれの下面全体に濡れ広がるように溶融する。このとき、第１周面カバー３７Ｂが第１端子３０の周端面３０Ａを被覆しているので、はんだ組成物４Ａが、周端面３０Ａを被覆するように濡れ広がることが抑制される。また、第２周面カバー３９Ｂが第２端子３１の周端面３１Ａを被覆しているので、はんだ組成物４Ａが、周端面３１Ａを被覆するように濡れ広がることが抑制される。
そして、圧電素子３がセルフアライメントされる。詳しくは、図７Ｂに示す圧電素子３を配置する工程において、図８に示すように、圧電素子３が所定位置からずれて、左右方向に傾くように配置される場合がある。この場合、上下方向から見て、第１素子端子４０の中央と第１端子３０の中央とがずれて位置するとともに、第２素子端子４１の中央と第２端子３１の中央とがずれて位置する。
次いで、圧電素子３が配置された回路付サスペンション基板１がリフローされると、はんだ組成物４Ａが、第１端子３０および第２端子３１のそれぞれの下面全体に濡れ広がるように溶融する（図７Ｃ参照）。
このとき、溶融したはんだ組成物４Ａの表面張力により、上下方向から見て、第１素子端子４０の中央と第１端子３０の中央とが一致するとともに、第２素子端子４１の中央と第２端子３１の中央とが一致するように、圧電素子３に力が加わる。これによって、図２に示すように、圧電素子３が、所定位置からずれた状態から所定位置に向かってセルフアライメントされる。
そして、図７Ｃに示すように、はんだ組成物４Ａがはんだ層４を形成して、第１端子３０および第１素子端子４０と、第２端子３１および第２素子端子４１とを接合する。
つまり、はんだ層４は、第１端子３０（詳しくは、第１端子３０のめっき層３８）と第１素子端子４０との間、および、第２端子３１（詳しくは、第２端子３１のめっき層３８）と第２素子端子４１との間に配置される。
これにより、第１端子３０と第１素子端子４０とは電気的に接続され、第２端子３１と第２素子端子４１とは電気的に接続されている。
はんだ層４の厚みＴは、例えば、３μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上、例えば、３０μｍ以下、好ましくは、１５μｍ以下である。
また、第１端子３０と第１素子端子４０との間に位置するはんだ層４の体積は、例えば、１×１０−８ｃｍ３以上、好ましくは、１×１０−７ｃｍ３以上、例えば、１×１０−５ｃｍ３以下、好ましくは、１×１０−６ｃｍ３以下である。
第１端子３０と第１素子端子４０との間に位置するはんだ層４の体積は、第１端子３０の単位面積当たり、例えば、０．０００３ｃｍ３／ｃｍ２以上、好ましくは、０．００１０ｃｍ３／ｃｍ２以上、例えば、０．００３０ｃｍ３／ｃｍ２以下、好ましくは、０．００１５ｃｍ３／ｃｍ２以下である。
はんだ層４の体積が上記下限以上であれば、圧電素子３を確実にセルフアライメントさせることができ、圧電素子３の位置精度の向上を図ることができる。はんだ層４の体積が上記上限以下であれば、圧電素子３の実装する部分の厚みの低減を確実に図ることができる。
なお、第２端子３１と第２素子端子４１との間に位置するはんだ層４の体積の範囲は、上記の第１端子３０と第１素子端子４０との間に位置するはんだ層４の体積の範囲と同じである。
以上によって、圧電素子３が実装される回路付サスペンション基板１が製造される。このような回路付サスペンション基板１は、圧電素子３と、圧電素子３を接続するはんだ層４とを備えている。
なお、図１に示すように、回路付サスペンション基板１は、磁気ヘッドを有するスライダ９を備えてもよく、スライダ９を備えなくてもよい。回路付サスペンション基板１がスライダ９を備える場合、スライダ９は、第１ステージベース１９に対して上側（厚み方向一方側）に配置される。つまり、スライダ９は、回路付サスペンション基板１に対して、圧電素子３の反対側に配置される。
３．作用効果
図４Ａに示すように、第１端子３０の周端面３０Ａにおける後端面３０Ｃ、右端面３０Ｄおよび左端面３０Ｅ、および、第２端子３１の周端面３１Ａにおける先端面３１Ｂ、右端面および左端面が、カバー絶縁層８により被覆されている。
そのため、図７Ａ〜図７Ｃに示すように、回路付サスペンション基板１に圧電素子３を実装するときに、第１端子３０と第１素子端子４０との間に位置するはんだ組成物４Ａが、第１端子３０の周端面３０Ａに濡れ広がることを抑制できるとともに、第２端子３１と第２素子端子４１との間に位置するはんだ組成物４Ａが、第２端子３１の周端面３１Ａに濡れ広がることを抑制できる。
その結果、第１端子３０と第１素子端子４０との間、および、第２端子３１と第２素子端子４１との間に位置するはんだ組成物４Ａの量を十分に確保することができる。
また、第１端子３０が第１ステージベース１９から離れるように先後方向に沿って後側に延び、第２端子３１が第３ステージベース２０から離れるように先後方向に沿って先側に延びている。
そのため、図４Ａおよび図４Ｂに示すように、複数の信号配線３３を第１端子３０の近傍に引き回すことができ、導体パターン７のファインピッチ化を図ることができる。また、第１端子３０および第２端子３１の大型化を図ることができる。
また、第１端子カバー３７が第１端子３０の周端面３０Ａを被覆し、第２端子カバー３９が第２端子３１の周端面３１Ａを被覆している。そのため、第１端子カバー３７と第１端子３０の周端面３０Ａとの密着性、および、第２端子カバー３９と第２端子３１の周端面３１Ａとの密着性の向上を図ることができる。
その結果、導体パターン７のファインピッチ化および第１端子３０および第２端子３１の大型化を図ることができながら、第１端子３０および第２端子３１の周端面の少なくとも一部を安定して被覆でき、圧電素子３を位置精度よく実装できる。
また、左右方向における第１端子３０の寸法が、先後方向における第１端子３０の寸法に対して、好ましくは、２倍以上８倍以下である。また、第２端子３１の寸法についても同様である。そのため、第１端子３０および第２端子３１の左右方向における大型化を図ることができる。
その結果、図７Ａ〜図７Ｃに示すように、回路付サスペンション基板１に圧電素子３を実装するときに、第１端子３０および第２端子３１上に配置できるはんだ組成物４Ａの体積の向上を図ることができ、ひいては、圧電素子３の位置精度の向上を図ることができる。
図５Ｂ〜図６Ｃに示すように、ベース絶縁層６を支持基板５の上面に、厚肉部４５と薄肉部４６とが形成されるように階調露光により形成した後、第１端子３０および第２端子３１を先後方向において厚肉部４５と隣接するように、薄肉部４６の上面に形成し、次いで、カバー絶縁層８を、第１端子３０の周端面３０Ａおよび第２端子３１の周端面３１Ａの少なくとも一部を被覆するように形成する。その後、支持基板５を除去して、薄肉部４６を露出させた後、薄肉部４６を除去して第１端子３０および第２端子３１を露出させる。
これによって、上記の回路付サスペンション基板１を製造できる。つまり、導体パターン７のファインピッチ化および第１端子３０および第２端子３１の大型化を図ることができながら、第１端子３０および第２端子３１の周端面の少なくとも一部を安定して被覆でき、圧電素子３を位置精度よく実装できる回路付サスペンション基板１を円滑に製造できる。
しかるに、図１０Ｂおよび図１０Ｃに示すように、圧電側端子５１をベース絶縁層５２の開口５３内に形成するには、例えば、仮想線で示すように、ベース絶縁層５２を支持基板５８の上面に、開口５３に対応する薄肉部５６と、開口５３の周縁部に対応する厚肉部５７とが形成されるように階調露光により形成する。
この場合、先後方向において、厚肉部５７が薄肉部５６を挟むように配置され、薄肉部５６の先後両端部が厚肉部５７に接続される。しかし、階調露光によって、薄肉部５６と厚肉部５７との接続部分を精度よく形成することは困難であり、薄肉部５６の寸法精度が不安定となる場合がある。
そのため、薄肉部５６上に形成される圧電側端子５１の寸法精度が低下するという不具合がある。
一方、本実施形態では、図５Ｂに示すように、薄肉部４６を厚肉部４５から離れるように、先後方向に沿って延びるように形成しており、薄肉部４６の先後方向の一端部のみが厚肉部４５と連続している。
そのため、薄肉部５６の先後両端部が厚肉部５７に接続される場合と比較して、薄肉部４６の寸法精度の向上を図ることができ、ひいては、薄肉部４６上に形成される第１端子３０および第２端子３１の寸法精度の向上を図ることができる。
これによって、圧電素子３を実装させるときに、圧電素子３を安定してセルフアライメントさせることができ、圧電素子３圧電素子の位置精度のさらなる向上を図ることができる。
４．変形例
上記の実施形態では、カバー絶縁層８が、第１端子３０の周端面３０Ａおよび第２端子３１の周端面３１Ａの両方を被覆しているが、これに限定されない。カバー絶縁層８は、第１端子３０の周端面３０Ａおよび第２端子３１の周端面３１Ａのいずれか一方のみを被覆してもよい。
また、上記の実施形態では、第１端子カバー３７が、第１端子３０の周端面３０Ａのうち、後端面３０Ｃ、右端面３０Ｄおよび左端面３０Ｅを被覆するが、これに限定されない。第１端子カバー３７は、後端面３０Ｃ、右端面３０Ｄおよび左端面３０Ｅの少なくともいずれか１つを被覆していればよい。また、第２端子カバー３９は、先端面３１Ｂ、右端面および左端面の少なくともいずれか１つを被覆していればよい。
これら変形例によっても、上記の実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
以下に、実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されない。また、以下の記載において用いられる配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなど該当記載の上限（「以下」、「未満」として定義されている数値）または下限（「以上」、「超過」として定義されている数値）に代替することができる。
実施例１
第１端子（端子の先後方向寸法／素子端子の先後方向寸法１００％、端子の左右方向寸法／素子端子の左右方向寸法９０％）および第２端子（端子の先後方向寸法／素子端子の先後方向寸法１００％、端子の左右方向寸法／素子端子の左右方向寸法１００％）を２対備える回路付サスペンション基板を準備した。
この回路付サスペンション基板では、カバー絶縁層が、第１端子の周端面（後端面、右端面および左端面）および第２端子の周端面（先端面、右端面および左端面）を被覆していた。詳しくは、カバー絶縁層が被覆する第１端子の周端面の面積は、第１端子の周端面全体の面積を１００％としたときに３０％であり、カバー絶縁層が被覆する第２端子の周端面の面積は、第２端子の周端面全体の面積を１００％としたときに１８％であった。
次いで、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだ組成物（Ｓｎ含有割合：残部、Ａｇ含有割合：３±１質量％、Ｃｕ含有割合：０．５±０．１質量％）５×１０−７ｃｍ３を、第１端子および第２端子のそれぞれの下面に配置した。
次いで、第１素子端子および第２素子端子を備える圧電素子を２つ準備し、各圧電素子を、第１素子端子が第１端子上のはんだ組成物と接触するとともに、第２素子端子が第２端子上のはんだ組成物と接触するように配置した。
次いで、圧電素子が配置されたサスペンション基板をリフロー炉に投入して、２４０℃で１５秒間加熱した。これによって、はんだ組成物が、第１端子および第２端子のそれぞれの下面全体に濡れ広がるように溶融して、圧電素子がセルフアライメントされた。
その後、はんだ組成物がはんだ層を形成して、第１端子および第１素子端子と、第２端子および第２素子端子とが接合された。
以上によって、圧電素子が実装される回路付サスペンション基板を得た。これを繰り返して、２０個の回路付サスペンション基板を準備した。
比較例１
回路付サスペンション基板において、カバー絶縁層が、第１端子の周端面および第２端子の周端面を被覆していないこと（図１０Ａ参照）以外、実施例１と同様にして、圧電素子が実装される回路付サスペンション基板を、２０個準備した。
＜評価＞
以下により、実施例および比較例の回路付サスペンション基板の工程能力指数（Ｃｐｋ）を算出した。なお、ＣｐＫは、定められた規格限度内で製品を生産できる能力を示し、数値が高いほど生産能力が高い。
第１基準穴および第２基準穴の位置に基づいて、回路付サスペンション基板のＹ軸基準線（回路付サスペンション基板の左右方向中央を通り、先後方向に沿う仮想線）を規定した。
次いで、Ｙ軸基準線に対して垂直であり、かつ、第１基準穴の中心を通るＸ軸基準線（第１基準穴の中心を通り、左右方向に沿う仮想線）を規定した。なお、第１基準穴の中心を基準（０，０）とした。
次いで、圧電素子の左右両端縁（エッジ）に沿う第１仮想線を抽出した。そして、Ｙ軸基準線に対して、第１仮想線（圧電素子の左右両端縁）が形成する角度（傾きθ）を測定した。
次いで、圧電素子の先後両端縁（エッジ）に沿う第２仮想線を抽出した。そして、第１仮想線と第２仮想線との交点から、圧電素子の頂点（４隅）を抽出した。
次いで、圧電素子の頂点の座標から圧電素子の中心座標を算出した。そして、基準点（第１基準穴の中心）から、圧電素子の中心座標のずれ量（Ｘ座標ずれ量、Ｙ座標ずれ量）を算出した。次いで、複数の回路付サスペンション基板における、傾きθ、Ｘ座標ずれ量およびＹ座標ずれ量の平均値を算出した。
また、傾きθ、Ｘ座標ずれ量およびＹ座標ずれ量のデータのばらつきの大きさ（σ、標準偏差）を算出した。
次いで、下記式（１）および（２）のうち、値の小さい方をＣｐｋとした。その結果を図１１に示す。
式（１）
（上限規格−平均値）／３σ＝Ｃｐｕ
式（２）
（下限規格−平均値）／３σ＝Ｃｐｌ
＜考察＞
図１１に示すように、実施例１では、比較例１と比較して、Ｙ座標および傾きθのＣｐＫの向上を図ることができる旨、確認された。
１ 回路付サスペンション基板
３ 圧電素子
５ 支持基板
６ ベース絶縁層
７ 導体パターン
３０ 第１端子
３０Ａ 第１端子の周端面
３１ 第２端子
３１Ａ 第２端子の周端面
４５ 厚肉部
４６ 薄肉部

Claims (3)

  1. 金属支持層と、
    前記金属支持層の厚み方向一方側に配置されるベース絶縁層と、
    前記ベース絶縁層の前記厚み方向一方側に配置される配線を備える導体パターンと、
    前記配線を被覆するように、前記ベース絶縁層の前記厚み方向一方側に配置されるカバー絶縁層と、を備え、
    前記導体パターンは、圧電素子と接続するための端子であって、前記配線に接続され、前記厚み方向と直交する方向において前記ベース絶縁層と隣接される端子を備え、
    前記端子は、
    前記厚み方向の他方側から見て、前記金属支持層および前記ベース絶縁層から露出し、
    隣接する前記ベース絶縁層から離れるように、前記厚み方向と直交する方向に沿って延び、
    前記端子の周端面の少なくとも一部は、前記カバー絶縁層により被覆されていることを特徴とする、回路付サスペンション基板。
  2. 前記端子の延びる方向および前記厚み方向の両方向と直交する幅方向における前記端子の寸法は、前記延びる方向における前記端子の寸法に対して、２倍以上８倍以下であることを特徴とする、請求項１に記載の回路付サスペンション基板。
  3. 金属支持層を準備する工程と、
    ベース絶縁層を前記金属支持層の厚み方向一方側に、厚肉部と薄肉部とが形成されるように階調露光により形成する工程と、
    配線を前記厚肉部の前記厚み方向一方側に形成し、端子を前記薄肉部の前記厚み方向一方側に形成する工程と、
    カバー絶縁層を前記ベース絶縁層の前記厚み方向一方側に、前記配線を被覆するように形成する工程と、
    前記金属支持層を除去して、前記薄肉部を露出させる工程と、
    前記薄肉部を除去して、前記端子を露出させる工程と、を含み、
    前記ベース絶縁層を形成する工程において、前記薄肉部を、前記厚肉部から離れるように、前記厚み方向と直交する方向に沿って延びるように形成し、
    前記配線および前記端子を形成する工程において、前記端子を、前記厚み方向と直交する方向において前記厚肉部と隣接するように、前記薄肉部の前記厚み方向一方側に形成し、
    前記カバー絶縁層を形成する工程において、前記カバー絶縁層を、前記端子の周端面の少なくとも一部を被覆するように形成することを特徴とする、回路付サスペンション基板の製造方法。
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