JP6370619B2 - 回路付サスペンション基板およびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、回路付サスペンション基板、詳しくは、ハードディスクドライブに用いられる回路付サスペンション基板、および、その製造方法に関する。

従来、回路付サスペンション基板のジンバル部に磁気ヘッドを設け、ジンバル部を移動させることによって、磁気ヘッドの位置および角度を精細に調整することが知られている。

このような回路付サスペンション基板として、接続端子に対して圧電素子（ピエゾ素子）を電気的に接続し、圧電素子の伸縮動作で、ジンバル部を移動させることによって、磁気ヘッドの位置および角度を精細に調整する回路付サスペンション基板が知られている（例えば、特許文献１参照）。

特開２０１２−０９９２０４号公報

しかるに、上記した特許文献１に記載の回路付サスペンション基板において、磁気ヘッドの位置および角度を精細に調整するためには、圧電素子を安定して動作させる必要がある。一方、接続端子において、圧電素子が接続されるまでの間に、異物の付着や、腐食などが発生すると、圧電素子に対する接続信頼性が低下し、圧電素子の動作が不安定となる。

そこで、本発明の目的は、電子素子に対する接続信頼性を向上することのできる回路付サスペンション基板を提供することにある。

本発明の回路付サスペンション基板は、金属支持基板と、金属支持基板の厚み方向一方側に形成されるベース絶縁層と、導体層と、ベース絶縁層の厚み方向一方側に形成され、導体層を被覆するカバー絶縁層とを備え、ベース絶縁層、および、カバー絶縁層のいずれか一方は、厚み方向を貫通する開口部を備え、導体層は、ベース絶縁層の厚み方向一方側に形成される配線と、配線と電気的に接続され、かつ、開口部から露出され、電子素子と電気的に接続可能な接続端子とを備え、開口部から露出される接続端子を保護する保護層をさらに備えていることを特徴としている。

このような回路付サスペンション基板によれば、開口部から接続端子が露出されるが、接続端子が保護層によって保護されているので、回路付サスペンション基板が製造されてから電子素子と接続されるまでの間の、接続端子への異物の付着や、接続端子の腐食を抑制することができる。

そのため、接続端子の品質を保つことができ、電子素子に対する接続信頼性を向上することができる。

また、本発明の回路付サスペンション基板では、電子素子は、圧電素子であり、接続端子は、圧電素子の駆動により変位することが好適である。

このような回路付サスペンション基板によれば、圧電素子の駆動によって、接続端子がその駆動に追従して変位するために、変位しない接続端子よりも高い接続信頼性が要求されるが、接続端子が保護層によって保護されていることにより、電子素子に対して確実に接続することができる。

また、本発明の回路付サスペンション基板では、保護層は、導電性材料からなることが好適である。

このような回路付サスペンション基板によれば、保護層を介して、接続端子を電子素子に対して電気的に接続させることができる。

そのため、保護層を利用して回路付サスペンション基板に電子素子を実装することができる。

また、本発明の回路付サスペンション基板では、保護層は、はんだからなることが好適である。

このような回路付サスペンション基板によれば、はんだからなる保護層に対して、電子素子を接触させ、リフローするという簡易な方法により、回路付サスペンション基板に対して電子素子を実装することができる。

そのため、回路付サスペンション基板に対して電子素子を実装するための工程を簡素化することができ、コストの低減を図ることができる。

また、本発明の回路付サスペンション基板では、開口部は、厚み方向に投影したときに、金属支持基板と重ならないようにベース絶縁層に形成され、接続端子は、開口部に充填され、保護層は、厚み方向他方側に露出される接続端子を、厚み方向他方側から保護していることが好適である。

このような回路付サスペンション基板によれば、開口部の厚み方向他方側から露出される接続端子を保護して、回路付サスペンション基板が製造されてから電子素子と接続されるまでの間の、接続端子への異物の付着や、接続端子の腐食を抑制することができる。

また、本発明の回路付サスペンション基板では、ベース絶縁層は、開口部の周縁部において、厚み方向他方面から厚み方向一方側に向かって窪む窪部を備え、窪部は、金属支持基板の厚み方向一方面よりも厚み方向一方側に位置していることが好適である。

このような回路付サスペンション基板によれば、窪部が形成されていることにより、接続端子が金属支持基板の厚み方向一方面よりも厚み方向一方側に位置するので、接続端子に対して外部の部材が接触することを抑制することができる。

また、保護層が導電性材料からなる場合には、保護層に対して電子素子を接触させて、保護層を介して、接続端子を電子素子に対して容易に電気的に接続させることができる。

さらに、保護層の厚み方向高さを調整することで、電子素子の厚み方向における位置を調整することができる。

その結果、回路付サスペンション基板に対して、任意の位置に電子素子を実装することができる。

また、本発明の回路付サスペンション基板では、保護層は、窪部内に配置され、その厚み方向他方側が金属支持基板の厚み方向一方面よりも厚み方向他方側に位置していることが好適である。

このような回路付サスペンション基板によれば、窪部内に配置される保護層は、その厚み方向他方側が金属支持基板の厚み方向一方面よりも厚み方向他方側に位置するように大きく形成されているので、より確実に接続端子を保護することができる。

また、本発明の回路付サスペンション基板では、ベース絶縁層は、厚み方向一方側から厚み方向他方側に向かって窪み、接続端子が充填される凹部を備え、開口部は、厚み方向に投影したときに、凹部と重なるようにカバー絶縁層に形成され、保護層は、厚み方向一方側に露出される接続端子を、厚み方向一方側から保護していることが好適である。

このような回路付サスペンション基板によれば、ベース絶縁層の凹部に対して接続端子が充填されることで、接続端子は、配線よりも厚み方向他方側に窪むように位置している。

そのため、接続端子に対して外部の部材が接触することを抑制することができる。

さらに、保護層によって開口部の厚み方向一方側から露出される接続端子を保護して、回路付サスペンション基板が製造されてから電子素子と接続されるまでの間の、接続端子への異物の付着や、接続端子の腐食を抑制することができる。

また、本発明の回路付サスペンション基板では、保護層は、開口部内に配置され、その厚み方向一方側がカバー絶縁層の厚み方向一方面よりも厚み方向一方側に位置していることが好適である。

このような回路付サスペンション基板によれば、開口部内に配置される保護層は、その厚み方向一方側がカバー絶縁層の厚み方向一方面よりも厚み方向一方側に位置するように大きく形成されているので、より確実に接続端子を保護することができる。

また、本発明の回路付サスペンション基板の製造方法は、金属支持基板を用意する工程と、金属支持基板の厚み方向一方側に、厚み方向一方側から厚み方向他方側に窪む凹部を備える絶縁層を積層する工程と、絶縁層の厚み方向一方側に形成される配線と、配線と電気的に接続され、かつ、凹部に充填され、電子素子と電気的に接続可能な接続端子とを備える導体層を積層する工程と、金属支持基板を部分的に除去して、厚み方向に投影したときに少なくとも凹部と重なる領域における絶縁層の厚み方向他方面を露出させる工程と、絶縁層を部分的に除去して、接続端子の厚み方向他方面を露出させるように、凹部を厚み方向に貫通させて開口部を形成するとともに、開口部の周縁部において、絶縁層の厚み方向他方面から厚み方向一方側に向かって窪む窪部を形成する工程と、開口部から露出される接続端子の厚み方向他方面に、導電性材料からなる保護層を形成する工程とを備えていることを特徴としている。

このような回路付サスペンション基板の製造方法によれば、絶縁層の凹部に対して接続端子を充填し、その厚み方向他方面を部分的に除去することで、開口部と窪部とを同時に形成することができる。

さらに、窪部が形成されていることにより、接続端子が金属支持基板の厚み方向一方面よりも厚み方向一方側に位置しているので、接続端子に対して外部の部材が接触することを抑制することができる。

そして、保護層が導電性材料からなるので、保護層に対して電子素子を接触させて、保護層を介して、接続端子を電子素子に対して容易に電気的に接続させることができる。

さらに、保護層の厚み方向高さを調整することで、電子素子の厚み方向における位置を調整することができる。

その結果、回路付サスペンション基板に対して、任意の位置に電子素子を実装することができる。

また、本発明の回路付サスペンション基板の製造方法は、金属支持基板を用意する工程と、金属支持基板の厚み方向一方側に、厚み方向一方側から厚み方向他方側に窪む凹部を備えるベース絶縁層を積層する工程と、ベース絶縁層の厚み方向一方側に形成される配線と、配線と電気的に接続され、かつ、凹部に充填され、電子素子と電気的に接続可能な接続端子とを備える導体層を積層する工程と、ベース絶縁層の厚み方向一方側に、配線を被覆し、接続端子が露出される開口部を備えるカバー絶縁層を形成する工程と、開口部から露出される接続端子の厚み方向一方面に、導電性材料からなる保護層を形成する工程とを備えていることを特徴としている。

このような回路付サスペンション基板の製造方法によれば、ベース絶縁層の凹部に対して接続端子を充填することで、接続端子は、配線よりも厚み方向他方側に窪むように形成される。

そのため、カバー絶縁層に接続端子を露出させる開口部が形成されていても、接続端子が配線よりも厚み方向他方側に窪むように位置しているので、接続端子に対して外部の部材が接触することを抑制することができる。

そして、保護層が導電性材料からなるので、保護層に対して電子素子を接触させて、保護層を介して、接続端子を電子素子に対して容易に電気的に接続させることができる。

さらに、保護層の厚み方向高さを調整することで、電子素子の厚み方向における位置を調整することができる。

その結果、回路付サスペンション基板に対して、任意の位置に電子素子を実装することができる。

本発明の回路付サスペンション基板およびその製造方法によれば、電子素子に対する接続信頼性を向上することができる。

図１は、本発明の回路付サスペンション基板の第１実施形態の平面図を示す。 図２は、図１に示す回路付サスペンション基板のジンバル部の平面図を示す。 図３は、図１に示す回路付サスペンション基板のジンバル部の底面図を示す。 図４は、図２に示すジンバル部のＡ−Ａ線に沿う断面図を示す。 図５Ａ〜図５Ｄは、回路付サスペンション基板の製造方法を説明するための工程図であって、図５Ａは、金属支持基板を用意する工程図５Ｂは、ベース絶縁層を用意する工程、図５Ｃは、導体層を形成する工程、図５Ｄは、カバー絶縁層を用意する工程を示す。 図６Ｅ〜図６Ｇは、図５Ｄに引き続き、回路付サスペンション基板の製造方法を説明するための工程図であって、図６Ｅは、金属支持基板を外形加工する工程、図６Ｆは、ベース絶縁層を部分的に除去し、窪部、および、端子開口部を形成する工程、図６Ｇは、保護層を形成する工程を示す。 図７Ａおよび図７Ｂは、図６Ｇで得られた回路付サスペンション基板に対するスライダ、および、ピエゾ素子の実装を説明するための工程図であって、図７Ａは、回路付サスペンション基板に対して、スライダ、および、ピエゾ素子をセットする工程、図７Ｂは、リフローする工程を示す。 図８は、図２に示すジンバル部のステージを揺動させた状態の底面図を示す。 図９は、本発明の回路付サスペンション基板の第２実施形態におけるジンバル部の断面図を示す。 図１０は、本発明の回路付サスペンション基板の第３実施形態におけるジンバル部の断面図を示す。

図１において、紙面左右方向は、先後方向（第１方向）であって、紙面左側が先側（第１方向一方側）、紙面右側が後側（第１方向他方側）である。また、紙面上下方向は、左右方向（幅方向、第２方向）であって、紙面上側が左側（幅方向一方側、第２方向一方側）、紙面下側が右側（幅方向他方側、第２方向他方側）である。また、紙面紙厚方向は、上下方向（厚み方向、第３方向）であって、紙面手前側が上側（厚み方向一方側、第３方向一方側）、紙面奥側が下側（厚み方向他方側、第３方向他方側）である。具体的には、各図の方向矢印に準拠する。

なお、図１において、ベース絶縁層９、および、カバー絶縁層１１を省略している。また、図２および図３においては、ベース絶縁層９を図示し、カバー絶縁層１１を省略している。

＜第１実施形態＞
図１および図４に示す回路付サスペンション基板１は、図７Ｂに示すように、磁気ヘッド３を搭載するスライダ４、および、電子素子および圧電素子の一例としてのピエゾ素子５を実装して、ハードディスクドライブ（図示せず）に搭載される。

回路付サスペンション基板１は、図１に示すように、先後方向に延びる平帯形状に形成されている。回路付サスペンション基板１では、金属支持基板８に導体層１０が支持されている。

金属支持基板８は、先後方向に延びる平帯形状に形成されており、本体部１３と、本体部１３の先側に形成されるジンバル部１４とを一体的に備えている。

本体部１３は、先後方向に延びる平面視略矩形状に形成されている。本体部１３は、回路付サスペンション基板１がハードディスクドライブに搭載されるときに、ハードディスクドライブのロードビーム（図示せず）に支持される。

ジンバル部１４は、本体部１３の先端から先側に延びるように形成されている。また、ジンバル部１４には、ジンバル部１４を厚み方向に貫通する平面視略矩形状の基板開口部１６が形成されている。

ジンバル部１４は、基板開口部１６の幅方向外側に仕切られる１対のアウトリガー部１７と、アウトリガー部１７に連結されるタング部１８とを備えている。

アウトリガー部１７は、本体部１３の幅方向両端部から先側に向かって直線状に延びるように１対として形成されている。

タング部１８は、図２および図３に示すように、１対のアウトリガー部１７の幅方向内側に設けられ、１対のアウトリガー部１７のそれぞれの先端部から幅方向内側斜め後方に向かって延びる１対の第１連結部１９を介して、１対のアウトリガー部１７のそれぞれに連結されている。

タング部１８は、幅方向両側に向かって開く平面視略Ｈ字状に形成されている。すなわち、タング部１８は、先後方向中央部の幅方向両端部が切り欠かれ（開口され）ている。

具体的には、タング部１８は、幅方向に長く延びる平面視略矩形状の基部２１と、基部２１の先側に間隔を隔てて配置され、幅方向に長く延びる平面視略矩形状のステージ２２と、基部２１およびステージ２２の幅方向中央を接続し、先後方向に延びる平面視略矩形状の中央部２３とを一体的に備えている。

タング部１８において、切り欠かれた部分には、１対の連通空間２４が仕切られている。

１対の連通空間２４は、中央部２３の幅方向両側に仕切られており、１対の連通空間２４は、金属支持基板８を厚み方向に貫通するように形成されている。

基部２１は、その幅方向両端部が１対の第１連結部１９の幅方向内側端部に接続されている。

ステージ２２の幅方向中央および先後方向中央には、図２に示すように、スライダ４が実装される実装領域２５が区画されている。

また、ステージ２２は、図２および図３に示すように、可撓性を有する第２連結部２７によって、アウトリガー部１７に接続されている。

第２連結部２７は、１対のアウトリガー部１７の先端と、ステージ２２の幅方向両端とを湾曲状に連結する１対の湾曲部２８と、１対のアウトリガー部１７の先端と、ステージ２２の先端とを連結するＥ字部２９とを備えている。

湾曲部２８は、アウトリガー部１７の先端から幅方向内側斜め先側に向かって湾曲状に延び、ステージ２２の幅方向両端に至っている。

Ｅ字部２９は、平面視略Ｅ字状をなし、具体的には、両アウトリガー部１７の先端から先側に向かって延び、その後、幅方向内側に屈曲し、幅方向内側に延びて合一となった後、後側に屈曲して、ステージ２２の先端の幅方向中央に至っている。

中央部２３は、幅方向に湾曲可能な幅狭に形成されている。

導体層１０は、図１に示すように、外部側端子３１と、ヘッド側端子３２と、接続端子の一例としてのピエゾ端子３４（図２参照）と、配線３５とを備えている。

外部側端子３１は、本体部１３の後端部に設けられ、先後方向に互いに間隔を隔てて複数（６つ）配置されている。外部側端子３１は、信号端子３１Ａと、電源端子３１Ｂとを備えている。

信号端子３１Ａは、外部側端子３１の複数（６つ）の内の先後方向中央の４つであり、リード・ライト基板（図示せず）に電気的に接続される。

電源端子３１Ｂは、外部側端子３１の複数（６つ）の内の先側の１つ、および、後側の１つであり、電源（図示せず）に電気的に接続される。

ヘッド側端子３２は、図１および図２に示すように、ステージ２２の先端部に設けられ、幅方向に互いに間隔を隔てて複数（４つ）配置されている。

ピエゾ端子３４は、連通空間２４において、複数（４つ）配置されている。具体的には、ピエゾ端子３４は、基部２１の先端縁よりも先側における連通空間２４において、中央部２３を跨いで幅方向に間隔を隔てて配置される１対の後側ピエゾ端子３４Ａと、後側ピエゾ端子３４Ａよりも先側であって、ステージ２２の後端縁よりも後側における連通空間２４において、中央部２３を跨いで幅方向に間隔を隔てて配置される１対の先側ピエゾ端子３４Ｂとを備えている。

配線３５は、図１に示すように、本体部１３において、幅方向に互いに間隔を隔てて複数（６つ）形成されている。配線３５は、信号配線３５Ａと、電源配線３５Ｂとを備えている。

信号配線３５Ａは、複数（６つ）の配線３５の内の幅方向内側の４つであり、信号端子３１Ａと、ヘッド側端子３２とに電気的に接続されている。信号配線３５Ａは、磁気ヘッド３（図７Ｂ参照）、および、リード・ライト基板（図示せず）間に電気信号を伝達する。

具体的には、信号配線３５Ａは、本体部１３の後端部において、信号端子３１Ａから先側に向かって延び、本体部１３の先後方向途中において、幅方向両側に向かって２束に分岐状に屈曲した後、幅方向両端部において先側に屈曲し、本体部１３の先端部に向けて、幅方向外端縁に沿って延び、図２に示すように、ジンバル部１４において、基板開口部１６を通過しながら、基部２１の後側で集束状に至り、中央部２３に沿って先側へ延び、その後、ステージ２２の後端部において、幅方向両側に向かって再度、２束に分岐状に屈曲した後、ステージ２２の周端縁に沿いながら先側に向かって延び、ステージ２２の先端部において、折り返されて、ヘッド側端子３２に至るように形成されている。

電源配線３５Ｂは、図１に示すように、複数（６つ）の配線３５の内、信号配線３５Ａよりも幅方向両外側の２つであり、電源端子３１Ｂと、後側ピエゾ端子３４Ａとに電気的に接続されている。電源配線３５Ｂは、ピエゾ素子５（図７Ｂ参照）、および、電源（図示せず）間に電気信号を伝達する。

具体的には、電源配線３５Ｂは、本体部１３の後端部において、電源端子３１Ｂから先側に向かって、信号配線３５Ａに沿って基部２１まで延び、図２に示すように、基部２１において、幅方向両側に向かって分岐状に屈曲した後、先側に向かって屈曲し、後側ピエゾ端子３４Ａに至るように形成されている。

また、配線３５は、ジンバル部１４において、幅方向に互いに間隔を隔てて複数（２つ）形成されるグランド配線３５Ｃを備えている。

グランド配線３５Ｃは、先側ピエゾ端子３４Ｂを接地するために設けられている。

具体的には、グランド配線３５Ｃは、先側ピエゾ端子３４Ｂから先側に向かって延び、信号配線３５Ａの後側において、下側に屈曲（図４参照）し、金属支持基板８と接触している。

この回路付サスペンション基板１は、図４に示すように、金属支持基板８、金属支持基板８の上に形成される絶縁層の一例としてのベース絶縁層９、ベース絶縁層９の上に形成される導体層１０、および、ベース絶縁層９の上に、導体層１０を被覆するように形成されるカバー絶縁層１１を備えている。

金属支持基板８は、図１に示すように、回路付サスペンション基板１の外形形状に対応する形状に形成されている。

金属支持基板８は、例えば、ステンレス、４２アロイ、アルミニウム、銅−ベリリウム、りん青銅などの金属材料から形成されている。好ましくは、ステンレスから形成されている。

金属支持基板８の厚みは、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、例えば、３０μｍ以下、好ましくは、２５μｍ以下である。

ベース絶縁層９は、図１および図２が参照されるように、金属支持基板８の上面に、上記した導体層１０に対応するパターンに形成されている。具体的には、ベース絶縁層９は、本体部１３に対応する本体部絶縁層３７と、ジンバル部１４に対応するジンバル部絶縁層３８とを備えている。

本体部絶縁層３７は、本体部１３において、外部側端子３１と、配線３５とに対応するように形成されている。

ジンバル部絶縁層３８は、図２に示すように、基板開口部１６に対応する基板開口部絶縁層３９と、タング部１８に対応するタング部絶縁層４０とを備えている。

基板開口部絶縁層３９は、基板開口部１６における導体層１０に対応して形成されている。具体的には、基板開口部絶縁層３９は、基板開口部１６を通過する配線３５に対応して、後側において幅方向両側に分岐されており、基部２１よりも後側で合一となり、基部２１の先後方向途中まで延びる平面視略Ｙ字状に形成されている。

タング部絶縁層４０は、タング部１８に対応して、平面視略Ｈ字状に形成されており、基板開口部絶縁層３９と連続され、幅方向に長く延びる平面視略矩形状の基部絶縁層４１と、基部絶縁層４１の先側に間隔を隔てて配置され、幅方向に長く延びる平面視略矩形状のステージ絶縁層４２と、基部絶縁層４１およびステージ絶縁層４２の幅方向中央を接続し、先後方向に長い平面視略矩形状の中央部絶縁層４３とを一体的に備えている。

基部絶縁層４１は、タング部１８の基部２１における導体層１０に対応して形成されている。基部絶縁層４１は、タング部１８の基部２１の先側において、基板開口部絶縁層３９から連続して、幅方向両外側に延びている。また、基部絶縁層４１は、基部２１の先端縁よりも先方まで延びるように形成されている。基部絶縁層４１において、図３に示すように、中央部２３を跨いで連通空間２４から露出される部分が、１対の後側ピエゾ端子形成部４５として区画されている。

ステージ絶縁層４２は、図２に示すように、タング部１８のステージ２２における導体層１０に対応して形成されている。ステージ絶縁層４２は、タング部１８のステージ２２の先側から、ステージ２２の後端縁よりも後方まで延びるように形成されている。ステージ絶縁層４２において、図３に示すように、中央部２３を跨いで連通空間２４から露出される部分が、１対の前側ピエゾ端子形成部４６として画定されている。また、ステージ絶縁層４２には、実装領域２５に対応する略矩形の開口が形成されている。さらに、ステージ絶縁層４２には、複数（２つ）の接地開口部４４が形成されている。

接地開口部４４は、図４に示すように、厚み方向に投影したときに、ステージ２２の後端部と重なる部分において、ステージ絶縁層４２を厚み方向に貫通するように形成されている。

接地開口部４４の幅および長さ（先後方向長さ）は、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１５μｍ以上であり、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１５０μｍ以下である。

中央部絶縁層４３は、図２に示すように、タング部１８の中央部２３における導体層１０に対応しており、中央部２３よりも幅狭となるように形成されている。

なお、１対の後側ピエゾ端子形成部４５と、１対の前側ピエゾ端子形成部４６とを、あわせて、ピエゾ端子形成部４７とする。

ピエゾ端子形成部４７は、図３および図４に示すように、窪部４８と、開口部の一例としての端子開口部４９とを備えている。

窪部４８は、１対の後側ピエゾ端子形成部４５のそれぞれ、および、１対の前側ピエゾ端子形成部４６のそれぞれに、すなわち４つ設けられており、図４に示すように、金属支持基板８の連通空間２４に臨む端縁から、金属支持基板８の上面よりも上側に向かって窪むように形成されている。

窪部４８の金属支持基板８の上面からの深さＬ１（上下方向高さ）の、ベース絶縁層９の厚みに対する割合は、例えば、０．１％以上、好ましくは、５％以上であり、例えば、９０％以下、好ましくは、６０％以下である。具体的には、窪部４８の金属支持基板８の上面からの深さＬ１（上下方向高さ）は、例えば、０．０１μｍ以上、好ましくは、０．５μｍ以上であり、例えば、９μｍ以下、好ましくは、６μｍ以下である。

端子開口部４９は、図３に示すように、基部絶縁層４１の後側ピエゾ端子形成部４５、および、ステージ絶縁層４２の前側ピエゾ端子形成部４６に、１つずつ形成されている。具体的には、端子開口部４９は、図４に示すように、基部絶縁層４１の後側ピエゾ端子形成部４５、および、ステージ絶縁層４２の前側ピエゾ端子形成部４６を厚み方向に略矩形状に貫通するように形成されている。

端子開口部４９の幅および長さ（先後方向長さ）は、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、２０μｍ以上であり、例えば、１５０μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。

また、ベース絶縁層９は、図２に示すように、第２連結部２７を形成するパターンとしても形成されている。

ベース絶縁層９は、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの合成樹脂などの絶縁材料から形成されている。好ましくは、ポリイミド樹脂から形成されている。

ベース絶縁層９の厚み（最大厚み）は、例えば、１μｍ以上、好ましくは、３μｍ以上であり、例えば、３５μｍ以下、好ましくは、３３μｍ以下である。

導体層１０は、上記したように、外部側端子３１（図１）、ヘッド側端子３２、ピエゾ端子３４、および、配線３５を備えるパターンとして形成されている。

なお、ピエゾ端子３４は、図４に示すように、ベース絶縁層９の端子開口部４９の内側に落ち込むように形成されており、それにより、ピエゾ端子３４の下面がベース絶縁層９から下側に露出している。また、ピエゾ端子３４の下面は、その周縁部に形成されるベース絶縁層９の下面と、幅方向、および、先後方向において、すなわち、面方向において面一に形成されている。

また、グランド配線３５Ｃの先端部は、接地開口部４４に落ち込むように充填されており、それにより、グランド配線３５Ｃにおける先側ピエゾ端子３４Ｂと反対側の端部は、金属支持基板８の上面と接触している。

導体層１０は、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、または、これらの合金などの導体材料から形成されている。好ましくは、銅から形成されている。

導体層１０の厚みは、例えば、３μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上であり、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、２０μｍ以下である。

配線３５の幅は、例えば、５μｍ以上、好ましくは、８μｍ以上であり、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。

また、複数の配線３５間の間隔は、例えば、５μｍ以上、好ましくは、８μｍ以上であり、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。

また、外部側端子３１、および、ヘッド側端子３２の幅および長さ（先後方向長さ）は、例えば、２０μｍ以上、好ましくは、３０μｍ以上であり、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、８００μｍ以下である。

また、複数の外部側端子３１間の間隔、および、複数のヘッド側端子３２間の間隔は、例えば、２０μｍ以上、好ましくは、３０μｍ以上であり、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、８００μｍ以下である。

また、ピエゾ端子３４の幅および長さ（先後方向長さ）は、端子開口部４９と同一であり、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、２０μｍ以上であり、例えば、１５０μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。

なお、ピエゾ端子３４のヘッド側端子３２に対する幅および長さ（先後方向長さ）の割合は、例えば、１２％以上、好ましくは、１５％以上であり、例えば、６６％以下、好ましくは、５０％以下である。

また、図示しないが、複数の端子、具体的には、外部側端子３１、ヘッド側端子３２、ピエゾ端子３４の表面には、例えば、無電解めっき、電解めっきなどのめっき、好ましくは、電解めっきによって、めっき層が形成されている。めっき層は、例えば、ニッケル、金などの金属材料から形成されている。好ましくは、金から形成されている。このめっき層の厚みは、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、１μｍ以上であり、例えば、８μｍ以下、好ましくは、４μｍ以下である。

カバー絶縁層１１は、図１が参照されるように、本体部１３およびジンバル部１４にわたって形成され、図４に示すように、ベース絶縁層９の上に、平面視において導体層１０を含むパターンに形成されている。

具体的には、カバー絶縁層１１は、配線３５、ピエゾ端子３４の上面を被覆し、外部側端子３１（図１参照）、および、ヘッド側端子３２の上面を露出するパターンに形成されている。

カバー絶縁層１１は、ベース絶縁層９を形成する絶縁材料と同一の絶縁材料から形成されている。カバー絶縁層１１の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、３μｍ以上であり、例えば、４０μｍ以下、好ましくは、１０μｍ以下である。

また、この回路付サスペンション基板１は、さらに、図３および図４に示すように、保護層５０を備えている。

保護層５０は、下側から見たときに、端子開口部４９から露出されるピエゾ端子３４の下面に形成され、ピエゾ端子３４を保護している。保護層５０は、例えば、低融点のはんだ、または、導電性接着剤などの導電性材料から形成されている。好ましくは、低融点のはんだから形成されている。この低融点のはんだとしては、例えば、錫、銀、銅の合金からなるはんだ、錫、銀、ビスマス、インジウムの合金からなるはんだ、錫、亜鉛の合金からなるはんだ、錫、ビスマスの合金からなるはんだ、錫、ビスマス、銀の合金からなるはんだなどが挙げられる。低融点のはんだの融点は、好ましくは２２０℃以下である。また、導電性接着剤としては、例えば、銀ペーストなどが挙げられる。

保護層５０の厚みＬ２は、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、１μｍ以上であり、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、２０μｍ以下である。好ましくは、保護層５０の厚みＬ２は、窪部４８の金属支持基板８の上面からの深さＬ１（上下方向高さ）よりも大きい。つまり、保護層５０の下端部は、金属支持基板８の上面よりも下側に位置している。

また、保護層５０の幅および長さ（先後方向長さ）の、ピエゾ端子３４の幅および長さ（先後方向長さ）に対する割合は、例えば、１０％以上、好ましくは、２０％以上であり、例えば、１２０％以下、好ましくは、１００％以下である。好ましくは、ピエゾ端子３４の幅および長さ（先後方向長さ）と同じか、ピエゾ端子３４の幅および長さ（先後方向長さ）よりも小さい。具体的には、保護層５０の幅および長さ（先後方向長さ）は、例えば、１μｍ以上、好ましくは、４μｍ以上であり、例えば、１８０μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。

次に、この回路付サスペンション基板１の製造方法について、図５Ａ〜図６Ｇを参照して説明する。

この方法では、図５Ａに示すように、まず、金属支持基板８を用意する。

次いで、図５Ｂに示すように、ベース絶縁層９を金属支持基板８の上に形成する。

具体的には、ベース絶縁層９を、本体部絶縁層３７、および、ジンバル部絶縁層３８に対応するパターンとして、金属支持基板８の上に形成する。ジンバル部絶縁層３８においては、ピエゾ端子形成部４７の端子開口部４９に対応する部分に凹部５５を備え、ステージ絶縁層４２に接地開口部４４を備えるパターンとして形成する。

凹部５５は、ベース絶縁層９の上面から下側に向かって窪むように形成される。

凹部５５のベース絶縁層９の上面からの深さ（上下方向高さ）の、ベース絶縁層９の厚みに対する割合は、例えば、１％以上、好ましくは、５％以上であり、例えば、８０％以下、好ましくは、６０％以下である。具体的には、凹部５５のベース絶縁層９の上面からの深さ（上下方向高さ）は、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、０．５μｍ以上であり、例えば、８μｍ以下、好ましくは、６μｍ以下である。

また、凹部５５の幅および長さ（先後方向長さ）は、端子開口部４９の幅および長さ（先後方向長さ）と同一である。

凹部５５、および、接地開口部４４が形成されるベース絶縁層９を形成するには、感光性の絶縁材料のワニスを金属支持基板８の上に塗布して乾燥させて、ベース皮膜を形成する。

その後、ベース皮膜を、図示しない階調露光フォトマスクを介して露光する（階調露光）。階調露光フォトマスクは、遮光部分、光半透過部分および光全透過部分をパターンで備えており、ベース絶縁層９（凹部５５、および、接地開口部４４を形成する部分を除く。）を形成する部分には光全透過部分を、凹部５５を形成する部分には光半透過部分を、ベース絶縁層９を形成しない部分、および、接地開口部４４を形成する部分には遮光部分を、ベース皮膜に対して、対向配置する。

その後、ベース皮膜を現像し、必要により加熱硬化させることにより、凹部５５、および、接地開口部４４を備えるベース絶縁層９を、上記したパターンで形成する。

次いで、図５Ｃに示すように、導体層１０を、ベース絶縁層９の上面に、アディティブ法またはサブトラクティブ法などのパターン形成法、好ましくは、アディティブ法によって形成する。

つまり、図１が参照されるように、導体層１０を、ベース絶縁層９の上面に、外部側端子３１、ヘッド側端子３２、ピエゾ端子３４、および、配線３５を備えるように形成する。なお、ピエゾ端子３４については、凹部５５内に充填し、落ち込むように形成し、グランド配線３５Ｃにおける先側ピエゾ端子３４Ｂと反対側の端部については、接地開口部４４内に落ち込むように形成する。

次いで、図５Ｄに示すように、カバー絶縁層１１を、ベース絶縁層９の上面に形成する。カバー絶縁層１１を形成するには、感光性の絶縁材料のワニスを塗布して乾燥させて、カバー皮膜を形成した後、カバー皮膜を露光し、続いて、現像して、加熱硬化することにより、上記したパターンで形成する。

次いで、図５Ｅに示すように、金属支持基板８を、例えば、エッチングなどによって、基板開口部１６を形成するとともに、ベース絶縁層９における基部絶縁層４１の後側ピエゾ端子形成部４５の下面、および、ステージ絶縁層４２の前側ピエゾ端子形成部４６の下面が露出されるように、外形加工する。

次いで、図６Ｆに示すように、ベース絶縁層９において、基板開口部１６から露出する基部絶縁層４１の後側ピエゾ端子形成部４５、および、ステージ絶縁層４２の前側ピエゾ端子形成部４６を部分的に除去する。具体的には、エッチング、好ましくは、ウェットエッチングなどによって、除去する。

これにより、窪部４８を形成するとともに、ピエゾ端子３４の下面を露出させる。

また、これにより、基部絶縁層４１の後側ピエゾ端子形成部４５、および、ステージ絶縁層４２の前側ピエゾ端子形成部４６において、凹部５５の下面が貫通されることにより、端子開口部４９が形成される。

次いで、図６Ｇに示すように、端子開口部４９から露出されるピエゾ端子３４の下面に対して、保護層５０を形成する。具体的には、上記した導電性材料を公知の印刷機による印刷、または、ディスペンサーで塗布することで、保護層５０を形成し、ピエゾ端子３４を保護する。

このようにして、回路付サスペンション基板１が得られる。この回路付サスペンション基板１は、その後、出荷され、スライダ４、および、ピエゾ素子５が実装されるまでの間、保管される。

そして、この回路付サスペンション基板１をハードディスクドライブに実装するために、回路付サスペンション基板１には、図７Ａおよび図７Ｂに示すように、スライダ４およびピエゾ素子５が実装される。回路付サスペンション基板１に対して、スライダ４と、ピエゾ素子５とを組み付ける工程について、図７Ａおよび図７Ｂを参照して説明する。

スライダ４は、平面視略矩形箱形状に形成されている。

そして、図７Ａに示すように、接着剤層５１を介して、スライダ４を実装領域２５に載置する。スライダ４の先端縁は、ヘッド側端子３２に沿って形成されており、具体的には、ヘッド側端子３２の後側に微小間隔を隔てて形成される。

そして、ヘッド側端子３２と、磁気ヘッド３との間に、はんだボール５２を配置する。

ピエゾ素子５は、先後方向に伸縮可能なアクチュエータであって、先後方向に延びる平面視略矩形状に形成されている。ピエゾ素子５は、電気が供給され、その電圧が制御されることによって、伸縮する。

そして、１対のピエゾ素子５を、図８に示すように、幅方向に間隔を隔てて配置する。このとき、図７Ａに示すように、ピエゾ素子５を、後側ピエゾ端子３４Ａ、および、先側ピエゾ端子３４Ｂを架設し、ピエゾ端子３４に対して下側から、ピエゾ素子５の端子が接触するように配置する。

なお、ピエゾ素子５は、その端子が保護層５０の下端部に当接しており、その上面が金属支持基板８の上面よりも下側となるように配置される。

次いで、スライダ４と、ピエゾ素子５とが配置された回路付サスペンション基板１をリフローする。具体的には、図７Ｂに示すように、スライダ４と、ピエゾ素子５とが配置された回路付サスペンション基板１をリフロー炉内で保護層５０、および、はんだボール５２が溶融する１００〜２５０℃まで加熱する。

これにより、はんだボール５２が溶融され、ヘッド側端子３２と磁気ヘッド３の端子とが電気的に接続される。

また、保護層５０は、溶融することにより、端子開口部４９から露出されるピエゾ端子３４の下面全体に広がるようにして、ピエゾ端子３４と、ピエゾ素子５の端子とを接着する。

これにより、ピエゾ素子５が回路付サスペンション基板１に対して実装される。つまり、ピエゾ素子５の後端部の端子、および、先端部の端子は、後側ピエゾ端子３４Ａ、および、先側ピエゾ端子３４Ｂに、保護層５０を介して電気的に接続されるとともに、それらにそれぞれ固定される。

次に、図８を参照して、ピエゾ素子５の伸縮によるスライダ４の揺動について説明する。

まず、ピエゾ素子５は、先側ピエゾ端子３４Ｂが金属支持基板８に接地された状態で、電気が後側ピエゾ端子３４Ａを介して供給され、電圧が制御されることによって、一方が収縮する。すると、一方のピエゾ素子５を固定する一方の後側ピエゾ端子３４Ａと、一方の先側ピエゾ端子３４Ｂとが相対的に近接する。つまり、ステージ絶縁層４２に支持される一方の先側ピエゾ端子３４Ｂが、基部絶縁層４１に支持される一方の後側ピエゾ端子３４Ａに対して後側に移動する。

これと同時に、電気がピエゾ端子３４を介して供給され、電気の電圧が制御されることによって、他方のピエゾ素子５が伸長する。すると、他方のピエゾ素子５を固定する他方の後側ピエゾ端子３４Ａと、他方の先側ピエゾ端子３４Ｂとが相対的に離間する。つまり、ステージ絶縁層４２に支持される他方の先側ピエゾ端子３４Ｂが、基部絶縁層４１に支持される後側ピエゾ端子３４Ａに対して、先側に移動する。

これにより、中央部２３の先端および先後方向途中が、幅方向一方側（図８における左側）に湾曲しながら、ステージ２２が、中央部２３の後端を支点として、幅方向一方側に向かって揺動する。これとともに、スライダ４が幅方向一方側に向かって揺動する。

なお、ピエゾ素子５の一方を伸長させ、他方を収縮させれば、スライダ４が上記と逆向き（幅方向他方側、図８における右側）に揺動する。

このように、各ピエゾ素子５が伸縮することにより、磁気ヘッド３の位置、および、角度が精密に調整される。このとき、各ピエゾ素子５の伸縮により、その端子と接続されるピエゾ端子３４は、わずかに変位する。

そして、この回路付サスペンション基板１によれば、図３および図４に示すように、端子開口部４９からピエゾ端子３４が露出されるが、ピエゾ端子３４が保護層５０によって保護されているので、回路付サスペンション基板１が製造されてからピエゾ素子５と接続されるまでの間の、ピエゾ端子３４への異物の付着や、ピエゾ端子３４の腐食を抑制することができる。

そのため、ピエゾ端子３４の品質を保つことができ、ピエゾ素子５に対する接続信頼性を向上することができる。

また、この回路付サスペンション基板１によれば、図８に示すように、ピエゾ素子５の駆動によって、ピエゾ端子３４がその駆動に追従して変位するために、変位しない接続端子よりも高い接続信頼性が要求されるが、ピエゾ端子３４が保護層５０によって保護されていることにより、ピエゾ素子５に対して確実に接続することができる。

また、この回路付サスペンション基板１によれば、図７Ａおよび図７Ｂに示すように、導電性を有する保護層５０を介して、ピエゾ端子３４をピエゾ素子５に対して電気的に接続させることができる。

そのため、保護層５０を利用して回路付サスペンション基板１にピエゾ素子５を実装することができる。

また、この回路付サスペンション基板１によれば、図７Ａおよび図７Ｂに示すように、はんだからなる保護層５０に対して、ピエゾ素子５の端子を接触させ、リフローするという簡易な方法により、回路付サスペンション基板１に対してピエゾ素子５を実装することができる。

そのため、回路付サスペンション基板１に対してピエゾ素子５を実装するための工程を簡素化することができ、コストの低減を図ることができる。

また、この回路付サスペンション基板１によれば、図３および図４に示すように、端子開口部４９から露出されるピエゾ端子３４の下面を保護して、回路付サスペンション基板１が製造されてからピエゾ素子５と接続されるまでの間の、ピエゾ端子３４への異物の付着や、ピエゾ端子３４の腐食を抑制することができる。

また、この回路付サスペンション基板１によれば、図４に示すように、窪部４８が形成されていることにより、ピエゾ端子３４の下面が金属支持基板８の上面よりも上側に位置するので、ピエゾ端子３４に対して外部の部材が接触することを抑制することができる。

また、保護層５０が導電性材料からなるために、図７Ｂに示すように、保護層５０に対してピエゾ素子５を接触させて、保護層５０を介して、ピエゾ端子３４をピエゾ素子５に対して容易に電気的に接続させることができる。

さらに、保護層５０の厚みＬ２を調整することで、ピエゾ素子５の上下方向位置を調整することができる。

その結果、回路付サスペンション基板１に対して、任意の位置にピエゾ素子５を実装することができる。

また、この回路付サスペンション基板１によれば、窪部４８内に配置される保護層５０は、その下端部が金属支持基板８の上面よりも下側に位置するように大きく形成されているので、より確実にピエゾ端子３４を保護することができる。

また、この回路付サスペンション基板１の製造方法によれば、図６Ｅおよび図６Ｆに示すように、ベース絶縁層９の凹部５５に対してピエゾ端子３４を充填し、ベース絶縁層９の下側を部分的に除去することで、端子開口部４９と窪部４８とを同時に形成することができる。

さらに、窪部４８が形成されていることにより、ピエゾ端子３４が金属支持基板８の上面よりも上側に位置しているので、ピエゾ端子３４に対して外部の部材が接触することを抑制することができる。

そして、保護層５０が導電性材料からなるために、図７Ａおよび図７Ｂに示すように、保護層５０に対してピエゾ素子５を接触させて、保護層５０を介して、ピエゾ端子３４をピエゾ素子５に対して容易に電気的に接続させることができる。

さらに、保護層５０の厚みＬ２を調整することで、ピエゾ素子５の上下方向位置を調整することができる。

その結果、回路付サスペンション基板１に対して、任意の位置にピエゾ素子５を実装することができる。

＜第２実施形態＞
図９を参照して、第２実施形態の回路付サスペンション基板１について説明する。なお、第２実施形態において、上記した第１実施形態と同様の部材には同様の符号を付し、その説明を省略する。

上記した第１実施形態では、図４が参照されるように、ベース絶縁層９に窪部４８が形成されることにより、凹部５５の下面が貫通されて端子開口部４９が形成されているが、第２実施形態では、ベース絶縁層９に窪部４８が形成されておらず、そのため、ベース絶縁層９を厚み方向に貫通する端子開口部４９が形成されず、製造工程において形成される凹部５５が存置されている。

なお、導体層１０のピエゾ端子３４は、凹部５５に充填し、落ち込むように形成されることにより、ピエゾ端子３４の上面が配線３５の上面よりも下側に位置している。

そして、カバー絶縁層１１に開口部の一例としての端子開口部５６が形成されている。

端子開口部５６は、厚み方向に投影したときに、凹部５５と重なり、カバー絶縁層１１を厚み方向に貫通するように形成されている。

そして、保護層５０は、上側から見たときに、端子開口部５６から露出されるピエゾ端子３４の上面に形成され、ピエゾ端子３４を保護している。保護層５０の上端部は、カバー絶縁層１１の上面よりも上側に位置している。

このような回路付サスペンション基板１を得るには、上記した第１実施形態と同様に、金属支持基板８を用意し、金属支持基板８の上にベース絶縁層９を形成し、ベース絶縁層９の上面に導体層１０を形成する。

そして、カバー絶縁層１１を、ピエゾ端子３４の上面が露出されるように端子開口部５６を有するパターンとして形成する。

また、図示しないが、複数の端子、具体的には、外部側端子３１、ヘッド側端子３２、ピエゾ端子３４の表面には、例えば、無電解めっき、電解めっきなどのめっき、好ましくは、電解めっきによって、めっき層が形成されている。

次いで、金属支持基板８を、厚み方向に投影したときに、端子開口部５６と重なる部分を残すようにして、外形加工する。

そして、端子開口部５６から露出されるピエゾ端子３４の上面に対して、保護層５０を、その上端部がカバー絶縁層１１の上面よりも上側に位置するように形成する。

このようにして、第２実施形態の回路付サスペンション基板１が得られる。

このようにして得られた回路付サスペンション基板１は、その後、出荷され、スライダ４、および、ピエゾ素子５が実装されるまでの間、保管される。

そして、この回路付サスペンション基板１をハードディスクドライブに実装するために、回路付サスペンション基板１には、実装領域２５にスライダ４が実装される。また、回路付サスペンション基板１には、ピエゾ素子５が、ピエゾ端子３４に対して上側から実装され、保護層５０を介して電気的に接続される。

回路付サスペンション基板１に対して、スライダ４と、ピエゾ素子５とを組み付けるには、上記した第１実施形態と同様に、接着剤層５１を介して、スライダ４を載置し、はんだボール５２を配置する。

また、ピエゾ素子５を、保護層５０に対して上側から、ピエゾ素子５の端子が接触するように配置する。

そして、スライダ４と、ピエゾ素子５とが配置された回路付サスペンション基板１をリフローし、ヘッド側端子３２と磁気ヘッド３の端子とを電気的に接続し、ピエゾ端子３４とピエゾ素子５の端子とを電気的に接続する。

そして、第２実施形態の回路付サスペンション基板１によれば、図９に示すように、ベース絶縁層９の凹部５５に対してピエゾ端子３４が充填されることで、ピエゾ端子３４は、配線３５よりも下側に窪むように位置している。

そのため、ピエゾ端子３４に対して外部の部材が接触することを抑制することができる。

さらに、保護層５０によって端子開口部５６の上側から露出されるピエゾ端子３４を保護して、回路付サスペンション基板１が製造されてからピエゾ素子５と接続されるまでの間の、ピエゾ端子３４への異物の付着や、ピエゾ端子３４の腐食を抑制することができる。

また、第２実施形態の回路付サスペンション基板１によれば、図９に示すように、端子開口部５６内に配置される保護層５０は、その上端部がカバー絶縁層１１の上面よりも上側に位置するように大きく形成されているので、より確実にピエゾ端子３４を保護することができる。

また、第２実施形態の回路付サスペンション基板１の製造方法によれば、図９に示すように、ベース絶縁層９の凹部５５に対してピエゾ端子３４を充填することで、ピエゾ端子３４は、配線３５よりも下側に窪むように形成される。

そのため、カバー絶縁層１１にピエゾ端子３４を露出させる端子開口部５６が形成されていても、ピエゾ端子３４が配線３５よりも下側に窪むように位置しているので、ピエゾ端子３４に対して外部の部材が接触することを抑制することができる。

そして、保護層５０が導電性材料からなるので、保護層５０に対してピエゾ素子５を接触させて、保護層５０を介して、ピエゾ端子３４をピエゾ素子５に対して容易に電気的に接続させることができる。

さらに、保護層５０の厚みを調整することで、ピエゾ素子５の上下方向位置を調整することができる。

その結果、回路付サスペンション基板１に対して、任意の位置にピエゾ素子５を実装することができる。

＜第３実施形態＞
図１０を参照して、第３実施形態の回路付サスペンション基板１について説明する。なお、第３実施形態において、上記した第２実施形態と同様の部材には同様の符号を付し、その説明を省略する。

上記した第２実施形態では、図９が参照されるように、ベース絶縁層９に凹部５５が形成されているが、第３実施形態では、図１０に示すように、ベース絶縁層９は凹部５５を備えていない。

そして、保護層５０は、上側から見たときに、端子開口部５６から露出されるピエゾ端子３４の上面に形成され、ピエゾ端子３４を保護している。

このような回路付サスペンション基板１を得るには、上記した第２実施形態と同様に、金属支持基板８を用意し、金属支持基板８の上に凹部５５を備えていないベース絶縁層９を形成し、ベース絶縁層９の上面に導体層１０を形成する。

そして、カバー絶縁層１１を、ピエゾ端子３４の上面が露出されるように端子開口部５６を有するパターンとして形成する。

次いで、金属支持基板８を、厚み方向に投影したときに、端子開口部５６と重なる部分を残すようにして、外形加工する。

そして、端子開口部５６から露出されるピエゾ端子３４の上面に対して、保護層５０を、その上端部がカバー絶縁層１１の上面よりも上側に位置するように形成する。

このようにして、第３実施形態の回路付サスペンション基板１が得られる。

このようにして得られた回路付サスペンション基板１は、その後、出荷され、スライダ４、および、ピエゾ素子５が実装されるまでの間、保管される。

そして、第２実施形態と同様の手順により、回路付サスペンション基板１にスライダ４と、ピエゾ素子５とを実装する。

第３実施形態によれば、上記した第２実施形態と同様の作用効果を得ることができる。

＜変形例＞
端子開口部４９の形状は、略矩形状に限定されず、例えば、略円形状や略三角形状にすることもできる。また、その場合、端子開口部４９に落ち込むように形成されるピエゾ端子３４の形状についても、端子開口部４９に対応する形状に形成することができる。

また、保護層５０は、上記した第１実施形態、および、第２実施形態では、ピエゾ端子３４の幅および長さ（先後方向長さ）よりも小さく形成されているが、ピエゾ端子３４の幅および長さ（先後方向長さ）よりも大きくし、端子開口部４９、および、端子開口部５６の周縁にかかるように形成することもできる。

また、保護層５０は、導電性を有さない剥離可能な樹脂からなっていてもよく、この場合、回路付サスペンション基板１に対してピエゾ素子５を実装するときに、保護層５０を剥離し、はんだ付けすることで、ピエゾ端子３４とピエゾ素子５の端子とを電気的に接続するようにすることもできる。

１ 回路付サスペンション基板
５ ピエゾ素子
８ 金属支持基板
９ ベース絶縁層
１０ 導体層
１１ カバー絶縁層
３４ ピエゾ端子
３５ 配線
４８ 窪部
４９ 端子開口部
５０ 保護層
５５ 凹部
５６ 端子開口部

Claims (10)

1. 金属支持基板と、前記金属支持基板の厚み方向一方側に形成されるベース絶縁層と、導体層と、前記ベース絶縁層の前記厚み方向一方側に形成され、前記導体層を被覆するカバー絶縁層とを備え、
   前記ベース絶縁層は、前記厚み方向を貫通する開口部を備え、
   前記導体層は、前記ベース絶縁層の前記厚み方向一方側に形成される配線と、前記配線と電気的に接続され、かつ、前記開口部から露出され、電子素子と電気的に接続可能な接続端子とを備え、
   前記開口部から露出される前記接続端子を保護する保護層をさらに備え、
   前記開口部は、前記厚み方向に投影したときに、前記金属支持基板と重ならないように前記ベース絶縁層に形成され、
   前記接続端子は、前記開口部の内側に落ち込むように充填され、
   前記保護層は、前記厚み方向他方側に露出される前記接続端子を、前記厚み方向他方側から保護し、
   前記ベース絶縁層は、前記開口部の周縁部において、前記厚み方向他方面から前記厚み方向一方側に向かって窪む窪部を備え、
   前記窪部は、前記金属支持基板の前記厚み方向一方面よりも前記厚み方向一方側に位置し、
   前記窪部の前記金属支持基板の前記厚み方向一方面からの深さの、前記ベース絶縁層の厚みに対する割合は、５％以上９０％以下である
   ことを特徴とする、回路付サスペンション基板。
2. 前記電子素子は、圧電素子であり、
   前記接続端子は、前記圧電素子の駆動により変位する
   ことを特徴とする、請求項１に記載の回路付サスペンション基板。
3. 前記保護層は、導電性材料からなることを特徴とする、請求項１または２に記載の回路付サスペンション基板。
4. 前記保護層は、はんだからなることを特徴とする、請求項３に記載の回路付サスペンション基板。
5. 前記接続端子の前記厚み方向他方面は、前記接続端子の周縁部に形成される前記ベース絶縁層の前記厚み方向他方面と面一であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の回路付サスペンション基板。
6. 前記保護層は、前記窪部内に配置され、その前記厚み方向他方側が前記金属支持基板の前記厚み方向一方面よりも前記厚み方向他方側に位置していることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の回路付サスペンション基板。
7. 金属支持基板と、前記金属支持基板の厚み方向一方側に形成されるベース絶縁層と、導体層と、前記ベース絶縁層の前記厚み方向一方側に形成され、前記導体層を被覆するカバー絶縁層とを備え、
   前記カバー絶縁層は、前記厚み方向を貫通する開口部を備え、
   前記導体層は、前記ベース絶縁層の前記厚み方向一方側に形成される配線と、前記配線と電気的に接続され、かつ、前記開口部から露出され、電子素子と電気的に接続可能な接続端子とを備え、
   前記開口部から露出される前記接続端子を保護する保護層をさらに備え、
   前記ベース絶縁層は、前記厚み方向一方側から前記厚み方向他方側に向かって窪み、前記接続端子が充填される凹部を備え、
   前記開口部は、前記厚み方向に投影したときに、前記凹部と重なるように前記カバー絶縁層に形成され、
   前記保護層は、前記厚み方向一方側に露出される前記接続端子を、前記厚み方向一方側から保護している
   ことを特徴とする、回路付サスペンション基板。
8. 前記保護層は、前記開口部内に配置され、その前記厚み方向一方側が前記カバー絶縁層の前記厚み方向一方面よりも前記厚み方向一方側に位置していることを特徴とする、請求項７に記載の回路付サスペンション基板。
9. 金属支持基板を用意する工程と、
   前記金属支持基板の厚み方向一方側に、前記厚み方向一方側から前記厚み方向他方側に窪む凹部を備える絶縁層を積層する工程と、
   前記絶縁層の前記厚み方向一方側に形成される配線と、前記配線と電気的に接続され、かつ、前記凹部の内側に落ち込むように充填され、電子素子と電気的に接続可能な接続端子とを備える導体層を積層する工程と、
   前記金属支持基板を部分的に除去して、前記厚み方向に投影したときに少なくとも前記凹部と重なる領域における前記絶縁層の前記厚み方向他方面を露出させる工程と、
   前記絶縁層を部分的に除去して、前記接続端子の前記厚み方向他方面を露出させるように、前記凹部を前記厚み方向に貫通させて開口部を形成するとともに、前記開口部の周縁部において、前記絶縁層の前記厚み方向他方面から前記厚み方向一方側に向かって窪む窪部を形成する工程と、
   前記開口部から露出される前記接続端子の前記厚み方向他方面に、導電性材料からなる保護層を形成する工程と
   を備え、
   前記開口部を形成するとともに前記窪部を形成する工程において、
   前記窪部が、前記金属支持基板の前記厚み方向一方面よりも前記厚み方向一方側に位置するように形成され、
   前記窪部の前記金属支持基板の前記厚み方向一方面からの深さが、前記絶縁層の厚みに対して、５％以上９０％以下に形成される
   ことを特徴とする、回路付サスペンション基板の製造方法。
10. 金属支持基板を用意する工程と、
    前記金属支持基板の厚み方向一方側に、前記厚み方向一方側から前記厚み方向他方側に窪む凹部を備えるベース絶縁層を積層する工程と、
    前記ベース絶縁層の前記厚み方向一方側に形成される配線と、前記配線と電気的に接続され、かつ、前記凹部に充填され、電子素子と電気的に接続可能な接続端子とを備える導体層を積層する工程と、
    前記ベース絶縁層の前記厚み方向一方側に、前記配線を被覆し、前記接続端子が露出される開口部を備えるカバー絶縁層を形成する工程と、
    前記開口部から露出される前記接続端子の前記厚み方向一方面に、導電性材料からなる保護層を形成する工程と
    を備えていることを特徴とする、回路付サスペンション基板の製造方法。
    

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