JP2010171040A - 配線回路基板およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】錫めっき層を正常に形成することが可能な配線回路基板の製造方法を提供することである。
【解決手段】サスペンション本体部１０ａの一端部の電極パッド２１〜２５と他端部の電極パッド３１〜３５とは、それぞれ書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２およびグランドパターンＧ１により電気的に接続されている。グランドパターンＧ１は、接地部ＧＰ１において、サスペンション本体部１０ａに接続されている。書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２およびグランドパターンＧ１は、分離部１０ｂ上において、延長パターン５０に一体化している。延長パターン５０は、接地部ＧＰ２において支持基板１０に接続されている。
【選択図】図１

Description

本発明は、配線回路基板およびその製造方法に関する。

ハードディスクドライブ装置等のドライブ装置に用いられるアクチュエータは、回転軸に回転可能に設けられるアームと、アームに取り付けられる磁気ヘッド用のサスペンション基板とを備える（例えば特許文献１参照）。サスペンション基板は、磁気ディスクの所望のトラックに磁気ヘッドを位置決めするための配線回路基板である。

サスペンション基板は、例えばステンレスからなる金属基板を備える。金属基板上にベース絶縁層が形成され、ベース絶縁層上に所定の配線パターンおよびグランドパターンが形成される。グランドパターンは、金属基板に電気的に接続される。

特開２００４−１３３９８８号公報

サスペンション基板の製造時には、配線パターンおよびグランドパターンの表面に無電解錫めっき処理が施される。これにより、配線パターンおよびグランドパターンの表面を覆うように錫めっき層が形成される。

ところで、配線パターンの表面とグランドパターンの表面とでは、無電解錫めっき処理時における錫の析出状態が異なる。そのため、共通の条件で無電解錫めっき処理を行った場合、配線パターンおよびグランドパターンの一方において、錫めっき層が正常に析出しないことがある。それにより、サスペンション基板の外観不良が発生する。また、配線パターンおよびグランドパターンの寸法精度が低下することもある。

本発明の目的は、錫めっき層を正常に形成することが可能な配線回路基板の製造方法を提供することである。

（１）第１の発明に係る配線回路基板は、互いに分離されるべき本体部および分離部を含む金属支持基板と、金属支持基板上に形成されるベース絶縁層と、第１の接地部において金属支持基板に電気的に接続されるようにベース絶縁層上に形成される配線パターンと、第２の接地部において金属支持基板に電気的に接続されるようにベース絶縁層上に形成されるグランドパターンと、配線パターンおよびグランドパターンの表面に形成される錫めっき層とを備え、第１の接地部は金属支持基板の分離部に設けられ、第２の接地部は金属支持基板の本体部に設けられたものである。

その配線回路基板においては、配線パターンが第１の接地部において金属支持基板に電気的に接続され、グランドパターンが第２の接地部において金属支持基板に電気的に接続される。配線パターンおよびグランドパターンの表面には、錫めっき層が形成される。

この場合、配線パターンおよびグランドパターンが金属支持基板に電気的に接続された状態で無電解錫めっき処理を行うことにより、配線パターンおよびグランドパターンの表面にほぼ均一に錫を析出させることができる。それにより、配線パターンおよびグランドパターンの表面に正常に錫めっき層を形成することができる。

また、第１の接地部が金属支持基板の分離部に設けられ、第２の接地部が金属支持基板の本体部に設けられているので、金属支持基板の本体部と分離部とが分離された場合、本体部上において、配線パターンが金属支持基板から絶縁された状態になり、グランドパターンが金属支持基板と電気的に接続された状態になる。そのため、本体部上において、配線パターンを信号伝送用として機能させ、グランドパターンを接地用として機能させることが可能になる。

（２）錫めっき層は、有機カルボン酸を含む無電解めっき液を用いて形成さてもよい。

この場合、配線パターンおよびグランドパターンの表面により良好に錫めっき層が形成される。

（３）配線パターンは複数の導体線からなり、複数の導体線は、金属支持基板の本体部上において互いに独立に延びるとともに分離部上において互いに一体化し、一体化した複数の導体線が第１の接地部において金属支持基板の分離部に接触してもよい。

この場合、複数の導体線が一箇所において金属支持基板に電気的に接続されるので、製造が容易になるとともに、省スペース化が可能になる。

（４）配線パターンは複数の導体線からなり、第１の接地部は複数設けられ、複数の導体線は、複数の第１の接地部において金属支持基板の分離部にそれぞれ接触してもよい。

この場合、複数の導体線をより確実に金属支持基板に電気的に接続することができる。

（５）第２の発明に係る配線回路基板の製造方法は、本体部および分離部を含む金属支持基板上にベース絶縁層を形成する工程と、金属支持基板の分離部に設けられた第１の接地部において金属支持基板に電気的に接続されるようにベース絶縁層上に配線パターンを形成し、金属支持基板の本体部に設けられた第２の接地部において金属支持基板に電気的に接続されるようにベース絶縁層上にグランドパターンを形成する工程と、配線パターンおよびグランドパターンの表面に無電解錫めっき処理を行う工程と、無電解錫めっき処理後に、金属支持基板の本体部と分離部とを分離する工程とを備えたものである。

その製造方法においては、配線パターンが第１の接地部において金属支持基板に電気的に接続され、グランドパターンが第２の接地部において金属支持基板に電気的に接続される。その状態で、無電解錫めっき処理により配線パターンおよびグランドパターンの表面に錫めっき層が形成される。この場合、配線パターンおよびグランドパターンの表面にほぼ均一に錫を析出させることができる。それにより、配線パターンおよびグランドパターンの表面に正常に錫めっき層を形成することができる。

また、第１の接地部が金属支持基板の分離部に設けられ、第２の接地部が金属支持基板の本体部に設けられるので、金属支持基板の本体部と分離部とが分離されることにより、本体部上において、配線パターンが金属支持基板と絶縁された状態になり、グランドパターンが金属支持基板と電気的に接続された状態になる。それにより、本体部上において、配線パターンを信号伝送用として機能させ、グランドパターンを接地用として機能させることが可能になる。

（６）無電解錫めっき処理を行う工程において、有機カルボン酸を含む無電解錫めっき液を用いてもよい。

この場合、配線パターンおよびグランドパターンの表面により良好に錫めっき層を形成することができる。

本発明によれば、配線パターンおよびグランドパターンの表面にほぼ均一に錫を析出させることができる。それにより、配線パターンおよびグランドパターンの表面に正常に錫めっき層を形成することができる。

本実施の形態に係るサスペンション基板の上面図である。 図１のサスペンション基板のＡ−Ａ線断面図である。 接地部の詳細を示す縦断面図である。 サスペンション基板の製造工程を示す縦断面図である。 実施例１〜３において形成された錫めっき層が示される。 比較例において形成された錫めっき層が示される。 本発明の他の実施の形態に係るサスペンション基板の部分平面図である。

以下、本発明の実施の形態に係る配線回路基板およびその製造方法について図面を参照しながら説明する。以下、本発明の実施の形態に係る配線回路基板として、ハードディスクドライブ装置のアクチュエータに用いられるサスペンション基板の構造およびその製造方法について説明する。

（１）サスペンション基板の構造
図１は、本実施の形態に係るサスペンション基板の上面図である。図２は、図１のサスペンション基板のＡ−Ａ線断面図である。

図１に示すように、サスペンション基板１は、金属製の支持基板１０を備える。支持基板１０は、長尺状のサスペンション本体部１０ａおよび分離部１０ｂを有する。後述のように、サスペンション基板１の使用時には、分離部１０ｂがサスペンション本体部１０ａから境界線ＢＬに沿って切り離される。

サスペンション本体部１０ａおよび分離部１０ｂ上には、太い点線で示すように、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２およびグランドパターンＧ１が形成されている。書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２はそれぞれ信号線路対を形成する。

サスペンション本体部１０ａには複数の孔部Ｈが形成されている。また、サスペンション本体部１０ａの先端部には、Ｕ字状の開口部１１を形成することにより磁気ヘッド搭載部（以下、タング部と呼ぶ）１２が設けられている。タング部１２は、サスペンション本体部１０ａに対して所定の角度をなすように破線Ｒの箇所で折り曲げ加工される。タング部１２の端部には５つの電極パッド２１，２２，２３，２４，２５が形成されている。

サスペンション本体部１０ａの他端部には５つの電極パッド３１，３２，３３，３４，３５が形成されている。タング部１２上の電極パッド２１〜２４とサスペンション本体部１０の他端部の電極パッド３１〜３４とは、それぞれ書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２により電気的に接続されている。

タング部１２上の電極パッド２５とサスペンション本体部１０の他端部の電極パッド３５とは、グランドパターンＧ１により電気的に接続されている。グランドパターンＧ１は、タング部１２の近傍の接地部ＧＰ１において、サスペンション本体部１０ａに接続されている。接地部ＧＰ１の詳細については後述する。

書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２およびグランドパターンＧ１は、電極パッド３１〜３５から分離部１０ｂ上の領域に延びている。分離部１０ｂ上において、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２およびグランドパターンＧ１は、延長パターン５０に一体化している。延長パターン５０は、接地部ＧＰ２において支持基板１０に接続されている。これにより、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２およびグランドパターンＧ１がそれぞれ支持基板１０に電気的に接続される。接地部ＧＰ２の詳細については後述する。

図２に示すように、支持基板１０上には、ベース絶縁層４１が形成されている。ベース絶縁層４１上に、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２およびグランドパターンＧ１が形成されている。書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２およびグランドパターンＧ１の表面には、錫めっき層Ｓ１が形成されている。書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２およびグランドパターンＧ１を覆うように、ベース絶縁層４１上にカバー絶縁層４２が形成されている。

次に、接地部ＧＰ１，ＧＰ２の詳細について説明する。図３は、接地部ＧＰ２の詳細を示す縦断面図である。接地部ＧＰ１の構成は、図３に示す接地部ＧＰ２の構成と同様である。

図３に示すように、接地部ＧＰ２においては、ベース絶縁層４１に開口ＳＨが形成されている。ベース絶縁層４１の開口ＳＨの側面および支持基板１０の上面に沿って延長パターン５０が形成されている。これにより、ベース絶縁層４１の開口ＳＨ内で延長パターン５０が支持基板１０に接続される。

（２）製造方法
次に、サスペンション基板１の製造方法について説明する。図４は、サスペンション基板１の製造工程を示す縦断面図である。なお、図４においては、図２に示した断面（図１のＡ−Ａ線断面）おける製造工程が示される。

まず、図４（ａ）に示すように、例えばステンレスからなる支持基板１０上に接着剤等を用いて例えばポリイミドからなるベース絶縁層４１を積層する。

支持基板１０の厚みは例えば５μｍ以上５０μｍ以下であり、１０μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましい。支持基板１０としては、ステンレスに代えてアルミニウム等の他の金属または合金等を用いてもよい。

ベース絶縁層４１の厚みは例えば１μｍ以上１５μｍ以下であり、２μｍ以上１２μｍ以下であることが好ましい。ベース絶縁層４１としては、ポリイミドに代えてエポキシ等の他の絶縁材料を用いてもよい。

次に、図４（ｂ）に示すように、ベース絶縁層４１上に例えば銅からなる書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２およびグランドパターンＧ１を形成する。同時に、支持基板１０の分離部１０ｂ上の領域に延長パターン５０（図１）を形成する。この場合、図３に示したように、ベース絶縁層４１に開口ＳＨを形成することにより、グランドパターンＧ１を接地部ＧＰ１において支持基板１０に接続し、延長パターン５０を接地部ＧＰ２において支持基板１０に接続する。

書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２、グランドパターンＧ１および延長パターン５０は、例えばセミアディティブ法を用いて形成してもよく、サブトラクティブ法等の他の方法を用いて形成してもよい。

書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２、グランドパターンＧ１および延長パターン５０の厚みは例えば３μｍ以上１６μｍ以下であり、６μｍ以上１３μｍ以下であることが好ましい。また、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２およびグランドパターンＧ１の幅は例えば５μｍ以上３０μｍ以下であり、１０μｍ以上２５μｍ以下であることが好ましい。延長パターン５０の幅は例えば４０μｍ以上２００μｍ以下であり、８０μｍ以上１５０μｍ以下であることが好ましい。

書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２、グランドパターンＧ１および延長パターン５０としては、銅に限らず、金（Ａｕ）、アルミニウム等の他の金属、または銅合金、アルミニウム合金等の合金を用いてもよい。

次に、図４（ｃ）に示すように、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２、グランドパターンＧ１および延長パターン５０（図１）の表面に無電解錫めっき処理を施す。これにより、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２、グランドパターンＧ１および延長パターン５０の表面に錫めっき層Ｓ１が形成される。錫めっき層Ｓ１の厚みは例えば０．１５μｍ以上１μｍ以下であることが好ましい。

ここで、無電解錫めっき処理に用いられる無電解錫めっき液について説明する。無電解錫めっき液は、メタンスルフォン酸錫等の有機酸錫および硫酸錫等の無機酸錫の少なくとも一方から分離した錫イオン（Ｓｎ^２＋）を含む。また、無電解錫めっき液は、クエン酸等の有機カルボン酸を含むことが好ましい。この場合、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２およびグランドパターンＧ１に良好に錫めっき層Ｓ１を形成することができる。

さらに、無電解錫めっき液は、チオ尿素、次亜リン酸および界面活性剤を含んでもよい。この場合、チオ尿素は、キレート効果によって配線パターンＷ１およびグランドパターンＧ１の銅の電位を卑にする。次亜リン酸は、錫イオンの酸化防止剤として作用する。

次に、図４（ｄ）に示すように、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２およびグランドパターンＧ１を覆うようにベース絶縁層４１上に例えばポリイミドからなるカバー絶縁層４２を形成する。

カバー絶縁層４２の厚みは例えば４μｍ以上２６μｍ以下であり、５μｍ以上２１μｍ以下であることが好ましい。第２の絶縁層４２としては、ポリイミドに代えてエポキシ等の他の絶縁材料を用いてもよい。

その後、図１の境界線ＢＬに沿ってサスペンション本体部１０ａと分離部１０ｂとが分離され、その状態でサスペンション基板１が使用される。

（３）効果
本実施の形態では、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２およびグランドパターンＧ１がそれぞれ支持基板１０に電気的に接続される。この場合、無電解錫めっき処理時に、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２およびグランドパターンＧ１の表面にほぼ均一に錫を析出させることができる。それにより、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２およびグランドパターンＧ１の表面に正常に錫めっき層Ｓ１を形成することができる。

また、錫めっき層Ｓ１上にさらに金めっき層等の他のめっき層を形成する場合、錫めっき層Ｓ１が正常に形成されていることにより、これらの他のめっき層を良好に形成することが可能になる。

なお、最終的に支持基板１０はサスペンション本体部１０ａと分離部１０ｂとに分離される。そのため、使用時には、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２が支持基板１０から絶縁される。また、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２およびグランドパターンＧ１がそれぞれ電気的に独立した状態になる。

（４）実施例および比較例
（４−１）実施例１〜３
実施例１〜３では、上記実施の形態のサスペンション基板１を作製した。なお、実施例１では、無電解錫めっき処理時に、錫イオン、メタンスルフォン酸、チオ尿素、次亜リン酸および界面活性剤を含む無電解錫めっき液を用いた。実施例２では、無電解錫めっき処理時に、錫イオン、クエン酸、メタンスルフォン酸、チオ尿素、次亜リン酸および界面活性剤を含む無電解錫めっき液を用いた。実施例３では、無電解錫めっき処理時に、錫イオン、クエン酸、フェノールスルホン酸、メタンスルフォン酸、チオ尿素、次亜リン酸および界面活性剤を含む無電解錫めっき液を用いた。

（４−２）比較例
比較例では、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２を支持基板１０に電気的に接続しない点を除いて上記実施例１と同様にサスペンション基板を作製した。

（４−３）錫めっき層の形成状態
図５には、実施例１〜３において形成された錫めっき層Ｓ１が示され、図６には、比較例において形成された錫めっき層Ｓ１が示される。なお、図５および図６においては、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２およびグランドパターンＧ１の表面に形成された錫めっき層Ｓ１が示される。

図５に示すように、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２が支持基板１０に電気的に接続された実施例１〜３においては、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２およびグランドパターンＧ１の表面にほぼ均一に錫めっき層Ｓ１が形成された。

一方、図６に示すように、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２が支持基板１０に電気的に接続されない比較例においては、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の表面に形成された錫めっき層Ｓ１の状態とグランドパターンＧ１の表面に形成された錫めっき層Ｓ１の状態とが異なった。具体的には、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の表面に形成された錫めっき層Ｓ１の表面に比べてグランドパターンＧ１の表面に形成された錫めっき層Ｓ１の表面が粗くなった。

これらの結果から、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２が支持基板１０に電気的に接続されることにより、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２およびグランドパターンＧ１の表面に正常に錫めっき層Ｓ１が形成されることがわかった。

また、図５に示すように、有機カルボン酸（クエン酸）を含む無電解錫めっき液を用いた実施例２，３においては、有機カルボン酸を含まない無電解錫めっき液を用いた実施例１に比べて錫めっき層Ｓ１の表面がより滑らかになった。これにより、有機カルボン酸を含む無電解錫めっき液を用いて無電解錫めっき処理を行うことにより、より良好に錫めっき層Ｓ１が形成されることがわかった。

（５）他の実施の形態
上記実施の形態では、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２が延長パターン５０に一体化し、その延長パターン５０が支持基板１０に接続されることにより、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２が支持基板１０に電気的に接続されるが、他の構成で書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２が支持基板１０に電気的に接続されてもよい。

図７は、本発明の他の実施の形態に係るサスペンション基板１の部分平面図である。図７の例が図１の例と異なるのは、以下の点である。

図７の例では、分離部１０ｂ上において書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２およびグランドパターンＧ１が一体化せずにそれぞれ独立に延びる。書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２およびグランドパターンＧ１は、接地部ＧＰ１１〜ＧＰ１５においてそれぞれベース絶縁層４１（図２）に形成される開口を通して支持基板１０に接触するように形成される。接地部ＧＰ１１〜ＧＰ１５の構成は、図３に示した接地部ＧＰ２の構成と同様である。

この場合も、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２およびグランドパターンＧ１がそれぞれ支持基板１０に電気的に接続される。それにより、無電解錫めっき処理時に、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２およびグランドパターンＧ１にほぼ均一に錫を析出させることができる。その結果、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２およびグランドパターンＧ１に正常に錫めっき層Ｓ１を形成することができる。

また、上記実施の形態では、グランドパターンＧ１が接地点ＧＰ２，ＧＰ１５において支持基板１０の分離部１０ｂに接続されるが、グランドパターンＧ１が支持基板１０の分離部１０ｂに接続されなくてもよい。

（６）請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。

上記実施の形態では、支持基板１０が金属支持基板の例であり、サスペンション本体部１０ａが本体部の例であり、接地部ＧＰ２が第１の接地部の例であり、接地部ＧＰ１が第２の接地部の例であり、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２が配線パターンおよび導体線の例である。

請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。

本発明は、種々の配線回路基板に有効に利用することができる。

１ サスペンション基板
１０ 支持基板
１０ａ サスペンション本体部
１０ｂ 分離部
４１ ベース絶縁層
４２ カバー絶縁層
５０ 延長パターン
Ｇ１ グランドパターン
ＧＰ１、ＧＰ２ 接地部
Ｒ１，Ｒ２ 読取用配線パターン
Ｓ１ 錫めっき層
Ｗ１，Ｗ２ 書込用配線パターン

Claims (6)

1. 互いに分離されるべき本体部および分離部を含む金属支持基板と、
   前記金属支持基板上に形成されるベース絶縁層と、
   第１の接地部において前記金属支持基板に電気的に接続されるように前記ベース絶縁層上に形成される配線パターンと、
   第２の接地部において前記金属支持基板に電気的に接続されるように前記ベース絶縁層上に形成されるグランドパターンと、
   前記配線パターンおよびグランドパターンの表面に形成される錫めっき層とを備え、
   前記第１の接地部は前記金属支持基板の前記分離部に設けられ、前記第２の接地部は前記金属支持基板の前記本体部に設けられることを特徴とする配線回路基板。
2. 前記錫めっき層は、有機カルボン酸を含む無電解めっき液を用いて形成されることを特徴とする請求項１記載の配線回路基板。
3. 前記配線パターンは複数の導体線からなり、
   前記複数の導体線は、前記金属支持基板の前記本体部上において互いに独立に延びるとともに前記分離部上において互いに一体化し、
   一体化した前記複数の導体線が前記第１の接地部において前記金属支持基板の前記分離部に接触することを特徴とする請求項１または２記載の配線回路基板。
4. 前記配線パターンは複数の導体線からなり、
   前記第１の接地部は複数設けられ、
   前記複数の導体線は、前記複数の第１の接地部において前記金属支持基板の前記分離部にそれぞれ接触することを特徴とする請求項１または２記載の配線回路基板。
5. 本体部および分離部を含む金属支持基板上にベース絶縁層を形成する工程と、
   前記金属支持基板の前記分離部に設けられた第１の接地部において前記金属支持基板に電気的に接続されるように前記ベース絶縁層上に配線パターンを形成し、前記金属支持基板の前記本体部に設けられた第２の接地部において前記金属支持基板に電気的に接続されるように前記ベース絶縁層上にグランドパターンを形成する工程と、
   前記配線パターンおよびグランドパターンの表面に無電解錫めっき処理を行う工程と、
   無電解錫めっき処理後に、前記金属支持基板の前記本体部と前記分離部とを分離する工程とを備えたことを特徴とする配線回路基板の製造方法。
6. 前記無電解錫めっき処理を行う工程において、有機カルボン酸を含む無電解錫めっき液を用いることを特徴とする請求項５記載の配線回路基板の製造方法。

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