JP7236321B2 - 配線回路基板 - Google Patents
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Description
本発明は、配線回路基板に関する。
従来、金属支持基板と、金属支持基板上に配置されるベース絶縁層と、ベース絶縁層上に配置される導体層とを備え、導体層が、2つの端子を電気的に接続する配線回路パターンと、端子と金属支持基板とを電気的に接続するグランドパターンとを含む、配線回路基板が知られている。
このような配線回路基板において、導体層の表面に無電解めっき層を形成する場合がある。しかし、配線回路パターンにおける無電解めっきの析出速度と、グランドパターンにおける無電解めっきの析出速度とは、それらパターンと金属支持基板との電気的な接続の有無に起因して異なり、導体層において均一な無電解めっき層を形成することが困難である。
そこで、配線回路基板の製造において、配線回路パターンを金属支持基板と電気的に接続した状態で、導体層を無電解めっきし、その後、配線回路パターンと金属支持基板との電気的な接続を切断することが検討される。
例えば、金属支持基板上に第2開口部を有するベース絶縁層を形成した後、ベース絶縁層および第2開口部において露出する金属支持基板上に金属薄膜を形成し、続いて、金属薄膜上に配線回路パターンを形成して、配線回路パターンを無電解めっきした後、金属支持基板に第2開口部を囲む第1開口部を形成して、配線回路パターンと金属支持基板との電気的な接続を切断する、回路付サスペンション基板の製造方法が提案されている(例えば、特許文献1参照。)。
しかし、特許文献1に記載の回路付サスペンション基板の製造方法では、金属支持基板に第1開口部を形成して、配線回路パターンと金属支持基板との電気的な接続を切断するので、回路付サスペンション基板の強度が低下するという不具合がある。
本発明は、導体層に均一な無電解めっき層を形成可能でありながら、強度の低下を抑制できる配線回路基板、および、製造効率のよい配線回路基板の製造方法を提供する。
本発明[1]は、金属支持層と、前記金属支持層の厚み方向の一方側に配置される絶縁層と、前記絶縁層の前記厚み方向の一方側に配置され、端子部と、前記端子部と電気的に接続されるグランドリード残余部分とを備える導体層と、を備え、前記絶縁層は、前記厚み方向に貫通する貫通穴を有し、前記グランドリード残余部分は、前記貫通穴を囲むように連続する開口を有する、配線回路基板を含む。
しかるに、グランドリード残余部分は、配線回路基板の製造において、端子部と金属支持層とを電気的に接続するグランドリードの一部が除去されて形成される。そのため、グランドリードが除去される前において、端子部と金属支持層とが電気的に接続されているので、導体層に無電解めっき層を均一に形成可能である。
また、上記の構成によれば、グランドリード残余部分は、絶縁層の貫通穴を囲むように連続する開口を有する。そのため、金属支持層に開口を形成することなく、グランドリード残余部分と金属支持層とを絶縁でき、配線回路基板の強度が低下することを抑制できる。
本発明[2]は、前記開口は、前記貫通穴と連通する、上記[1]に記載の配線回路基板を含む。
このような構成によれば、グランドリード残余部分の開口が、絶縁層の貫通穴と連通するので、グランドリード残余部分と金属支持層とを確実に絶縁できる。
本発明[3]は、前記グランドリード残余部分は、前記開口内に配置され、前記貫通穴に充填されるビア部と、前記開口を画定し、前記ビア部に対して間隔を空けて位置する周縁部と、を備える、上記[1]に記載の配線回路基板を含む。
このような構成によれば、グランドリード残余部分の周縁部が、貫通穴に充填されるビア部に対して、間隔を空けて位置するので、グランドリード残余部分と金属支持層とを確実に絶縁できる。
本発明[4]は、金属支持層を準備する工程と、前記金属支持層の厚み方向の一方側に、前記厚み方向に貫通する貫通穴を有する絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層の前記厚み方向の一方側に配置される端子部と、前記端子部と前記金属支持層とを電気的に接続するグランドリードとを備える導体層を形成する工程と、前記導体層を無電解めっきする工程と、前記端子部と前記金属支持層とが絶縁されるように、前記グランドリードの一部を除去して、グランドリード残余部分を形成する工程と、を含み、前記グランドリード残余部分は、前記貫通穴を囲むように連続する開口を有する、配線回路基板の製造方法を含む。
このような方法によれば、貫通穴を有する絶縁層を形成した後、端子部と、端子部と金属支持層とを電気的に接続するグランドリードとを備える導体層を形成し、次いで、導体層を無電解めっきした後、端子部と金属支持層とが絶縁されるように、グランドリードの一部を除去して、グランドリード残余部分を形成する。
つまり、導体層を無電解めっきするときに、グランドリードが端子部および金属支持層を電気的に接続しているので、導体層に均一な無電解めっき層を形成することができる。
また、グランドリードの一部を除去して形成されるグランドリード残余部分が、貫通穴を囲むように連続する開口を有するので、金属支持層に開口を形成することなく、グランドリード残余部分と金属支持層とを絶縁できる。そのため、配線回路基板の強度が低下することを抑制できる。
本発明[5]は、前記グランドリードの一部を除去する工程において、前記開口を前記貫通穴と連通させる、上記[4]に記載の配線回路基板の製造方法を含む。
このような方法によれば、グランドリード残余部分の開口を貫通穴と連通させるので、グランドリード残余部分と金属支持層とを確実に絶縁できる。
本発明[6]は、前記グランドリードの一部を除去する工程において、前記開口内に配置され、前記貫通穴に充填されるビア部と、前記開口を画定し、前記ビア部に対して間隔を空けて位置する周縁部とを形成する、上記[4]に記載の配線回路基板の製造方法を含む。
このような方法によれば、グランドリード残余部分の周縁部を、貫通穴に充填されるビア部に対して間隔を空けて形成するので、グランドリード残余部分と金属支持層とを確実に絶縁できる。
本発明[7]は、前記絶縁層を形成する工程後、かつ、前記導体層を形成する工程前において、前記絶縁層の前記厚み方向の一方面、および、前記絶縁層から露出する金属支持層の前記厚み方向の一方面に、種膜を形成する工程と、前記導体層を形成する工程後、かつ、前記無電解めっきする工程前において、前記導体層から露出する種膜を除去する工程と、前記グランドリードの一部を除去する工程後、前記グランドリードの除去により露出した種膜を除去する工程と、をさらに含む、上記[4]~[6]のいずれか一項に記載の配線回路基板の製造方法を含む。
このような方法によれば、絶縁層上および絶縁層から露出する金属支持層上に種膜を形成した後、種膜上に導体層を形成し、続いて導体層を無電解めっきした後、グランドリードの一部を除去してグランドリード残余部分を形成し、その後、グランドリードの除去により露出した種膜を除去する。
しかるに、グランドリードの除去により露出した種膜が残存すると、グランドリード残余部分と金属支持層とが、種膜を介して電気的に接続されるおそれがある。一方、上記の方法によれば、グランドリードの除去により露出した種膜を除去するので、グランドリード残余部分と金属支持層とをより一層確実に絶縁することができる。
本発明の配線回路基板によれば、導体層に均一な無電解めっき層を形成可能でありながら、強度の低下を抑制できる。
また、本発明の配線回路基板の製造方法によれば、上記した配線回路基板を効率よく製造することができる。
<第1実施形態>
1.配線回路基板
本発明の配線回路基板の第1実施形態としての配線回路基板1を、図1および図2を参照して説明する。
1.配線回路基板
本発明の配線回路基板の第1実施形態としての配線回路基板1を、図1および図2を参照して説明する。
図1および図2に示すように、配線回路基板1は、厚みを有するシート形状を有する。配線回路基板1は、例えば、平面視矩形状を有する。配線回路基板1として、例えば、金属支持層2を補強層として備える補強層付フレキシブルプリント配線板、金属支持層2をサスペンション(バネ)層として備える回路付サスペンション基板などが挙げられる。
具体的には、図2に示すように、配線回路基板1は、金属支持層2と、絶縁層の一例としてのベース絶縁層3と、種膜6と、導体層4と、第1めっき層7と、カバー絶縁層5と、第2めっき層8とを備える。
金属支持層2は、平板形状を有する。金属支持層2は、配線回路基板1と同一の外形形状を有する。金属支持層2の厚みは、特に制限されない。
金属支持層2の材料は、例えば、公知ないし慣用の金属系材料(具体的には、金属材料)から適宜選択して用いることができる。金属系材料として、具体的には、周期表で第1族~第16族に分類されている金属元素や、これらの金属元素を2種類以上含む合金などが挙げられる。なお、金属元素は、遷移金属、典型金属のいずれであってもよい。
金属元素として、より詳しくは、カルシウムなどの第2族金属元素、チタン、ジルコニウムなどの第4族金属元素、バナジウムなどの第5族金属元素、クロム、モリブデン、タングステンなどの第6族金属元素、マンガンなどの第7族金属元素、鉄などの第8族金属元素、コバルトなどの第9族金属元素、ニッケル、白金などの第10族金属元素、銅、銀、金などの第11族金属元素、亜鉛などの第12族金属元素、アルミニウム、ガリウムなどの第13族金属元素、ゲルマニウム、錫などの第14族金属元素が挙げられる。
このような金属系材料は、単独使用または2種以上併用することができる。金属系材料のなかでは、好ましくは、2種以上の金属元素を含む合金が挙げられ、さらに好ましくは、導体層4と同時にエッチング可能な合金が挙げられ、とりわけ好ましくは、ステンレス、銅を含む合金が挙げられる。
ベース絶縁層3は、金属支持層2の厚み方向の一方側、具体的には、金属支持層2の厚み方向の一方面に配置される。ベース絶縁層3は、厚みを有しており、平坦な厚み方向一方面および他方面を有する。
図1に示すように、ベース絶縁層3は、第1端子配置部分30と、第2端子配置部分31と、配線配置部分32とを備える。第1端子配置部分30および第2端子配置部分31は、配線配置部分32を挟むように、互いに間隔を空けて位置する。第1端子配置部分30は、配線配置部分32と連続する。
第1端子配置部分30は、複数の貫通穴30Aを有する。つまり、ベース絶縁層3は、複数の貫通穴30Aを有する。複数の貫通穴30Aは、第1端子配置部分30の厚み方向と直交する方向において、互いに間隔を空けて位置する。より詳しくは、複数の貫通穴30Aは、後述する第1端子15の幅方向において、互いに間隔を空けて位置する。貫通穴30Aは、第1端子配置部分30を厚み方向に貫通する(図2参照)。貫通穴30Aは、平面視円形状を有する。
第2端子配置部分31は、配線配置部分32に対して第1端子配置部分30の反対側に位置する。第2端子配置部分31は、配線配置部分32と連続する。第1端子配置部分30および第2端子配置部分31のそれぞれは、カバー絶縁層5に被覆されず、カバー絶縁層5から露出している。配線配置部分32Cは、第1端子配置部分30および第2端子配置部分31の間に位置する。配線配置部分32Cは、カバー絶縁層5に被覆されている。
ベース絶縁層3の材料として、例えば、ポリイミドなどの樹脂(絶縁性樹脂材料)などが挙げられる。ベース絶縁層3の厚みは、特に限定されないが、例えば、1μm以上1000μm以下である。
図2に示すように、種膜6は、ベース絶縁層3の厚み方向の一方面に配置される。種膜6は、導体層4に対応するパターンを有する。種膜6の材料として、例えば、銅、クロム、ニッケルなどの金属およびそれらの合金などが挙げられる。種膜6は、1層から形成されてもよく、2層以上から形成されてもよい。種膜6の厚みは、例えば、0.01μm以上、例えば、1μm以下、好ましくは、0.1μm以下である。
導体層4は、ベース絶縁層3の厚み方向の一方側、具体的には、種膜6の厚み方向の一方面に配置される。図1に示すように、導体層4は、グランドパターン10と、複数の配線パターン11とを含む。
グランドパターン10は、グランド端子12と、グランド配線13とを備える。
グランド端子12は、第1端子配置部分30の厚み方向の一方側に配置される。詳しくは、グランド端子12は、種膜6を介して、第1端子配置部分30の厚み方向の一方面に配置される。グランド端子12は、所定方向に延びる平面視矩形状(角ランド)を有する。
グランド配線13は、グランド端子12と金属支持層2とを電気的に接続する。グランド配線13は、グランド端子12から連続して、第1端子配置部分30上から配線配置部分32C上まで延びる。詳しくは、グランド配線13は、種膜6を介して、第1端子配置部分30の厚み方向の一方面および配線配置部分32の厚み方向の一方面にわたって配置される。グランド配線13は、配線配置部分32Cを厚み方向に貫通して金属支持層2に接地している。グランド配線13の幅方向(長手方向と直交する方向)の寸法は、グランド端子12の幅方向(長手方向と直交する方向)よりも小さい。
複数の配線パターン11のそれぞれは、端子部の一例としての第1端子15と、第2端子16と、接続配線17と、グランドリード残余部分18とを備える。つまり、導体層4は、複数の第1端子15と、複数のグランドリード残余部分18とを備える。
第1端子15は、第1端子配置部分30の厚み方向の一方側に配置される。詳しくは、第1端子15は、種膜6を介して、第1端子配置部分30の厚み方向の一方面に配置される(図2参照)。第1端子15は、所定方向に延びる平面視矩形状(角ランド)を有する。第1端子15は、第1端子15の長手方向において、貫通穴30Aとカバー絶縁層5との間に位置する。複数の第1端子15とグランド端子12とは、第1端子15の幅方向(長手方向と直交する方向)に、互いに間隔を空けて配置される。
第2端子16は、第2端子配置部分31の厚み方向の一方側に配置される。詳しくは、第2端子16は、種膜6を介して、第2端子配置部分31の厚み方向の一方面に配置される。第2端子16は、所定方向に延びる平面視矩形状(角ランド)を有する。複数の第2端子16は、第2端子16の幅方向(長手方向と直交する方向)に、互いに間隔を空けて配置されている。
接続配線17は、第1端子15と第2端子16とを電気的に接続する。接続配線17は、第1端子15から連続して第1端子配置部分30上を延びた後、配線配置部分32C上を通過して、第2端子配置部分31上において第2端子16に接続される。詳しくは、接続配線17は、種膜6を介して、第1端子配置部分30の厚み方向の一方面、配線配置部分32の厚み方向の一方面および第2端子配置部分31の厚み方向の一方面にわたって配置される。接続配線17の幅方向(長手方向と直交する方向)の寸法は、第1端子15の幅方向(長手方向と直交する方向)よりも小さい。
グランドリード残余部分18は、後述する配線回路基板1の製造方法において、グランドリード19の一部が除去されたグランドリード19の残部である(図5参照)。グランドリード残余部分18は、第1端子配置部分30の厚み方向の一方側に配置される(図2参照)。詳しくは、グランドリード残余部分18は、種膜6を介して、第1端子配置部分30の厚み方向の一方面に配置される。グランドリード残余部分18は、第1端子15と電気的に接続される。
グランドリード残余部分18は、第1残余部分18Aと、第2残余部分18Bとを備える。第1残余部分18Aは、第1端子15と第2残余部分18Bとを接続する。第1残余部分18Aは、第1端子15から連続して接続配線17の反対側に延びる。第2残余部分18Bは、第1残余部分18Aに対して、第1端子15の反対側に位置する。第2残余部分18Bは、開口18Cを有し、平面視円環形状を有する。つまり、グランドリード残余部分18は、開口18Cを有する。
開口18Cは、厚み方向から見て、貫通穴30Aを囲むように連続している。開口18Cは、貫通穴30Aと厚み方向に連通する(図2参照)。開口18Cは、平面視円形状を有する。開口18Cの内径は、貫通穴30Aの内径よりも大きい。開口18Cの中心と貫通穴30Aの中心とは、互いに一致する。つまり、開口18Cと貫通穴30Aとは、厚み方向から見て同心円状を有する。
このような導体層4の厚みは、例えば、1μm以上、例えば、200μm以下、好ましくは、100μm以下である。
なお、本実施形態では、導体層4は、1層から構成されるが、導体層4を複数の層から構成することもできる。例えば、第1端子15を複数層から構成し、グランドリード残余部分18を1つの層から構成することもできる。
このような導体層4の材料として、例えば、銅、銀、金、鉄、アルミニウム、クロムなどの金属元素、および、それら金属元素を2種以上含む合金などの金属が挙げられ、好ましくは、銅、銅合金などの銅を含む金属が挙げられる。
図2に示すように、第1めっき層7は、導体層4とカバー絶縁層5との密着性を向上させる。第1めっき層7は、無電解めっき層であって、導体層4とカバー絶縁層5との間に位置する。具体的には、第1めっき層7は、配線配置部分32上に位置するグランド配線13および接続配線17の表面を被覆するように設けられる。第1めっき層7の材料として、例えば、ニッケル、錫、銀、パラジウムなどの金属元素、および、それら金属元素を2種以上含む合金などの金属が挙げられ、好ましくは、ニッケルが挙げられる。第1めっき層7は、1層から形成されてもよく、2層以上から形成されてもよい。第1めっき層7の厚みは、例えば、0.01μm以上、好ましくは、0.02μm以上、例えば、1μm以下、好ましくは、0.5μm以下である。
カバー絶縁層5は、グランド配線13および接続配線17を被覆するように、配線配置部分32の厚み方向一方面に配置される。また、カバー絶縁層5は、グランド端子12と、複数の第1端子15と、複数のグランドリード残余部分18と、複数の第2端子16とを露出させている(図1参照)。カバー絶縁層5の材料として、例えば、ベース絶縁層3の材料と同様のものが挙げられる。カバー絶縁層5の厚みは、特に限定されず、例えば、1μm以上1000μm以下である。
第2めっき層8は、無電解めっき層であって、カバー絶縁層5から露出する導体層4(具体的には、グランド端子12、複数の第1端子15、複数のグランドリード残余部分18および複数の第2端子16)の表面と、金属支持層2の表面とを被覆するように設けられる。第2めっき層8の材料は、例えば、ニッケル、金などの金属元素、および、それら金属元素を含む合金などが挙げられる。第2めっき層8は、1層から形成されてもよく、2層以上から形成されてもよい。例えば、第2めっき層8は、ニッケルを含む第1層と、金を含む第2層とが積層されて形成されてもよい。第2めっき層8の厚みは、例えば、0.1μm以上、好ましくは、0.25μm以上、例えば、5μm以下、好ましくは、2.5μm以下である。
2.配線回路基板の製造方法
次に、配線回路基板1の製造方法について、図3A~図5を参照して説明する。
次に、配線回路基板1の製造方法について、図3A~図5を参照して説明する。
配線回路基板1の製造方法は、金属支持層2を準備する工程(図3A参照)と、ベース絶縁層3を形成する工程(図3B参照)と、種膜6を形成する工程(図3C参照)と、導体層4Aを形成する工程(図3D参照)と、導体層4Aから露出する種膜6を除去する工程(図3E参照)と、第1めっき層7を形成する工程(図3E参照)と、カバー絶縁層5を形成する工程(図4F参照)と、カバー絶縁層5から露出する第1めっき層7を除去する工程(図4G参照)と、グランドリード残余部分18を形成する工程(図4H参照)と、グランドリード残余部分18の形成により露出した種膜6を除去する工程(図4I参照)と、第2めっき層8を形成する工程(図4J参照)と、を含む。
図3Aに示すように、まず、金属支持層2を準備する。
次いで、図3Bに示すように、金属支持層2の厚み方向の一方側に、貫通穴30Aを有するベース絶縁層3を形成する。具体的には、上記した樹脂を含むワニスを、金属支持層2の厚み方向の一方面に塗布して乾燥させて、ベース皮膜を形成する。その後、ベース皮膜を、図示しないフォトマスクを介して露光および現像し、必要により加熱硬化させて、ベース絶縁層3を上記したパターンに形成する。
次いで、図3Cに示すように、ベース絶縁層3の厚み方向の一方面、および、ベース絶縁層3から露出する金属支持層2の厚み方向の一方面に、種膜6を形成する。種膜6の形成方法として、例えば、スパッタリング、電解めっきまたは無電解めっきなどが挙げられ、好ましくは、スパッタリングが挙げられる。
次いで、図3Dに示すように、種膜6の厚み方向の一方面に、導体層4Aを形成する。図5に示すように、導体層4Aは、複数のグランドリード残余部分18に代えて複数のグランドリード19を備えること以外は、導体層4と同様の構成を有する。なお、以下では、グランドリード19を備える導体層4Aを、プレ導体層4Aとして、グランドリード残余部分18を備える導体層4と区別する。
グランドリード19は、第1端子15と、貫通穴30Aから露出する金属支持層2の部分とを電気的に接続する。グランドリード19は、第1部分19Aと、第2部分19Bとを備える。
第1部分19Aは、第1端子配置部分30の厚み方向の一方側に位置し、詳しくは、種膜6を介して第1端子配置部分30の厚み方向の一方面に配置される(図3D参照)。第1部分19Aは、第1端子15と連続する。第2部分19Bは、第1部分19Aと金属支持層2とを、貫通穴30Aを介して電気的に接続する。第2部分19Bは、第1部分19Aと連続し、貫通穴30A内において金属支持層2の厚み方向の一方側に位置する。詳しくは、第2部分19Bは、貫通穴30Aに充填され、種膜6を介して、金属支持層2の厚み方向の一方面と接触する(図3E参照)。
このようなプレ導体層4Aを形成するには、図示しないが、プレ導体層4Aの逆パターンを有するレジストを種膜6上に配置して、例えば、電解めっき(好ましくは、電解銅めっき)する。その後、レジストを除去する。
以上によって、第1端子15と、グランドリード19とを備えるプレ導体層4Aが形成される。
次いで、図3Eに示すように、プレ導体層4Aから露出する種膜6を、公知のエッチング(例えば、ウェットエッチングなど)により除去する。種膜6のエッチング液として、例えば、苛性ソーダ水溶液、過マンガン酸カリウム溶液、メタケイ酸ナトリウム溶液などが挙げられる。
次いで、上記した第1めっき層7の材料の金属イオン(例えば、ニッケルイオン)を含む第1無電解めっき液を用いて、プレ導体層4Aを無電解めっきする。
これによって、露出するプレ導体層4A(グランド端子12、グランド配線13、第1端子15、第2端子16、接続配線17およびグランドリード19)を被覆するように、第1めっき層7が形成される。
次いで、図4Fに示すように、カバー絶縁層5を、ベース絶縁層3の厚み方向の一方側、具体的には、配線配置部分32の厚み方向の一方面に、グランド配線13および接続配線17を被覆するように形成する。なお、カバー絶縁層5は、上記したパターンに形成される。
具体的には、上記した樹脂を含むワニスを、ベース絶縁層3の厚み方向の一方面に塗布して乾燥させて、カバー皮膜を形成する。その後、カバー皮膜を、図示しないフォトマスクを介して露光および現像し、必要により加熱硬化させて、カバー絶縁層5を上記したパターンに形成する。
次いで、図4Gに示すように、カバー絶縁層5から露出する第1めっき層7を、公知のエッチング(例えば、ウェットエッチングなど)により除去する。第1めっき層7のエッチング液として、例えば、硫酸過水、硝酸過水などが挙げられる。
次いで、図4Hに示すように、第1端子15と金属支持層2とが絶縁されるように、第2部分19Bの中央部分をエッチングにより除去する。具体的には、上記した開口18Cが形成されるように、第2部分19Bの中央部分をウェットエッチングにより除去する。そのようなエッチング液として、例えば、塩化第二鉄溶液などが挙げられる。
これによって、開口18Cを有するグランドリード残余部分18が形成される。開口18Cは、貫通穴30Aを囲むように連続して形成され、貫通穴30Aと連通する。また、開口18Cは、開口18C内に位置する種膜6を露出させる。
また、このとき、グランドリード19のエッチングと同時に、金属支持層2の一部をエッチングすることができる。なお、金属支持層2のエッチングは、グランドリード19のエッチングと別に実施してもよい。
次いで、図4Iに示すように、グランドリード19の除去により露出した種膜6を除去する。具体的には、開口18C内に位置する種膜6を、公知のエッチング(例えば、ウェットエッチングなど)により除去する。これによって、開口18Cは、貫通穴30Aを介して、金属支持層2の一部を露出させる。
次いで、図4Jに示すように、上記した第2めっき層8の材料の金属イオンを含む第2無電解めっき液を用いて、カバー絶縁層5から露出する導体層4(具体的には、グランド端子12、第1端子15、グランドリード残余部分18および第2端子16)と、金属支持層2とを無電解めっきする。なお、第2めっき層8が複数層から形成される場合、無電解めっきを繰り返す。例えば、第1の金属イオン(例えば、ニッケルイオン)含む第2無電解めっき液を用いて無電解めっきした後、第2の金属イオン(例えば、金イオン)含む第2無電解めっき液を用いて無電解めっきする。
これによって、露出する導体層4(具体的には、グランド端子12、第1端子15、グランドリード残余部分18および第2端子16)と、金属支持層2とを被覆するように、第2めっき層8が形成される。
以上によって、配線回路基板1が製造される。
このような配線回路基板1の用途は、特に限定されず、各種分野に用いられる。配線回路基板1は、例えば、電子機器用配線回路基板(電子部品用配線回路基板)、電気機器用配線回路基板(電気部品用配線回路基板)などの各種用途で用いられる。電子機器用配線回路基板および電気機器用配線回路基板として、例えば、位置情報センサー、障害物検知センサー、温度センサーなどのセンサーで用いられるセンサー用配線回路基板、例えば、自動車、電車、航空機、工作車両などの輸送車両で用いられる輸送車両用配線回路基板、例えば、フラットパネルディスプレイ、フレキシブルディスプレイ、投影型映像機器などの映像機器で用いられる映像機器用配線回路基板、例えば、ネットワーク機器、大型通信機器などの通信中継機器で用いられる通信中継機器用配線回路基板、例えば、コンピュータ、タブレット、スマートフォン、家庭用ゲームなどの情報処理端末で用いられる情報処理端末用配線回路基板、例えば、ドローン、ロボットなどの可動型機器で用いられる可動型機器用配線回路基板、例えば、ウェアラブル型医療用装置、医療診断用装置などの医療機器で用いられる医療機器用配線回路基板、例えば、冷蔵庫、洗濯機、掃除機、空調機器などの電気機器で用いられる電気機器用配線回路基板、例えば、デジタルカメラ、DVD録画装置などの録画電子機器で用いられる録画電子機器用配線回路基板などが挙げられる。
図1に示すように、グランドリード残余部分18は、配線回路基板1の製造において、第1端子15と金属支持層2とを電気的に接続するグランドリード19の一部が除去されて形成される(図4G参照)。そのため、グランドリード19が除去される前において、第1端子15と金属支持層2とが電気的に接続されているので、導体層4に第1めっき層7を均一に形成可能である。
また、グランドリード残余部分18は、ベース絶縁層3の貫通穴30Aを囲むように連続する開口18Cを有する。そのため、金属支持層2に開口を形成することなく、グランドリード残余部分18と金属支持層2とを絶縁でき、配線回路基板1の強度が低下することを抑制できる。
その結果、配線回路基板1の強度の低下を考慮せずに、グランドリード残余部分18を配置できるので、グランドリード残余部分18の配置の自由度の向上を図ることができる。
また、図2に示すように、グランドリード残余部分18の開口18Cは、ベース絶縁層3の貫通穴30Aと連通する。そのため、グランドリード残余部分18と金属支持層2とを確実に絶縁できる。
また、図3B~図4Hに示すように、貫通穴30Aを有するベース絶縁層3を形成した後(図3B参照)、第1端子15と、第1端子15と金属支持層2とを電気的に接続するグランドリード19とを備えるプレ導体層4Aを形成し(図3D参照)、次いで、プレ導体層4Aを無電解めっきした後(図3E参照)、第1端子15と金属支持層2とが絶縁されるように、第2部分19Bの中央部分を除去して、グランドリード残余部分18を形成する(図4H参照)。
つまり、導体層4を無電解めっきするときに、グランドリード19が第1端子15および金属支持層2を電気的に接続しているので、プレ導体層4Aに均一な無電解めっき層を形成することができる。
また、第2部分19Bの中央部分を除去して形成されるグランドリード残余部分18が、貫通穴30Aを囲むように連続する開口18Cを有するので、金属支持層2に開口を形成することなく、グランドリード残余部分18と金属支持層2とを絶縁できる。そのため、配線回路基板1の強度が低下することを抑制できる。
また、図4Hに示すように、グランドリード19の除去により露出した種膜6を除去する。そのため、グランドリード残余部分18と金属支持層2とをより確実に絶縁することができる。
<第2実施形態>
次に、図6を参照して、本発明の配線回路基板の第2実施形態について説明する。なお、第2実施形態では、上記した第1実施形態と同様の部材には同様の符号を付し、その説明を省略する。
次に、図6を参照して、本発明の配線回路基板の第2実施形態について説明する。なお、第2実施形態では、上記した第1実施形態と同様の部材には同様の符号を付し、その説明を省略する。
上記した第1実施形態では、図2に示すように、開口18Cが、貫通穴30Aと連通するが、グランドリード残余部分の構成は、これに限定されない。
第2実施形態では、図6および図7に示すように、グランドリード残余部分18は、第1残余部分18Aおよび第2残余部分18Bに加えて、ビア部の一例としての第3残余部分18Dを備える。
第3残余部分18Dは、開口18C内に配置され、貫通穴30Aに充填される。そして、第3残余部分18Dは、種膜6を介して、金属支持層2の厚み方向の一方面と接触する。第3残余部分18Dは、厚み方向から見て円形状を有する。
この場合、第2残余部分18Bは、周縁部の一例である。第2残余部分18Bは、開口18Cを画定し、第3残余部分18Dを囲むように、第3残余部分18Dに対して間隔を空けて位置する。開口18Cの中心と第3残余部分18Dの中心とは、互いに一致する。つまり、開口18Cと第3残余部分18Dとは、厚み方向から見て同心円状を有する。
第2実施形態の配線回路基板1を製造するには、第1実施形態と同様にして、プレ導体層4Aを形成し(図3D参照)、プレ導体層4Aを無電解めっきして第1めっき層7を形成した後(図3E参照)、カバー絶縁層5を形成し(図4F参照)、次いで、カバー絶縁層5から露出する第1めっき層7を除去し(図4G参照)、その後、図6に示すように、グランドリード19の第2部分19Bにおける径方向途中部分を周方向の全体にわたって除去して、第2残余部分18Bと第3残余部分18Dとを形成する。これによって、グランドリード残余部分18が形成され、その後、図7に示すように、グランドリード21の除去により露出した種膜6を除去し、次いで、露出する導体層4に第2めっき層8を形成する。
以上によって、第2実施形態の配線回路基板1が製造される。
このような第2実施形態によっても、上記した第1実施形態と同様の作用効果を奏することができる。一方、第2実施形態では、第2残余部分18Bと第3残余部分18Dとの間において、種膜6の一部が残存するおそれがある。そのため、第1端子15と金属支持層2との絶縁性確保の観点から、第2実施形態よりも第1実施形態が好ましい。
<第3実施形態>
次に、図8を参照して、本発明の配線回路基板の第3実施形態について説明する。なお、第3実施形態では、上記した第1実施形態と同様の部材には同様の符号を付し、その説明を省略する。
次に、図8を参照して、本発明の配線回路基板の第3実施形態について説明する。なお、第3実施形態では、上記した第1実施形態と同様の部材には同様の符号を付し、その説明を省略する。
上記した第1実施形態では、図1に示すように、グランドリード残余部分18が、第1端子15に対して接続配線17の反対側に配置されるが、グランドリード残余部分の配置は、これに限定されない。とりわけ、グランドリード残余部分は、配線回路基板1の強度の低下を考慮せずに自由に配置できるので、配線回路基板1の内側部分に配置することもできる。
第3実施形態では、図8に示すように、グランドリード残余部分18は、接続配線17と一体に形成されている。この場合、グランドリード残余部分18は、第1端子15と第2端子16との間において、接続配線17の途中に設けられる。
このような第3実施形態によっても、上記した第1実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
<変形例>
上記した第1実施形態~第3実施形態では、図3Eに示されるように、プレ導体層4Aから露出する種膜6を除去した後、図4Gに示すように、グランドリードの除去により露出した種膜6を除去するが、プレ導体層の形成後に種膜を除去せず、グランドリードの除去後に、導体層から露出する種膜を一括して除去してもよい。
上記した第1実施形態~第3実施形態では、図3Eに示されるように、プレ導体層4Aから露出する種膜6を除去した後、図4Gに示すように、グランドリードの除去により露出した種膜6を除去するが、プレ導体層の形成後に種膜を除去せず、グランドリードの除去後に、導体層から露出する種膜を一括して除去してもよい。
また、上記した第1実施形態~第3実施形態では、図4Fおよび図4Gに示されるように、カバー絶縁層5から露出する第1めっき層7が除去された後に、グランドリード19の一部が除去されるが、第1めっき層の除去と、グランドリードの除去の順序は、これに限定されない。グランドリードの一部を除去した後、カバー絶縁層から露出する第1めっき層を除去してもよい。
また、上記した第1実施形態~第3実施形態では、図4Jに示すように、第2めっき層8が、無電解めっきにより形成されるが、第2めっき層の形成方法は、これに限定されない。例えば、第1めっき層の除去後、グランドリードの一部を除去する前に、グランドリードをめっきリードとして利用して、第2めっき層を電解めっきにより形成することもできる(図4G参照)。
また、上記した第1実施形態~第3実施形態では、種膜を形成した後、種膜上に導体層を形成するアディティブ法によって、導体層を形成しているが、導体層の形成方法は、これに限定されない。導体層を、サブトラクティブ法により形成することもできる。
このような変形例によっても、上記した第1実施形態と同様の作用効果を奏することができます。また、第1実施形態~第3実施形態および変形例は、適宜組み合わせることができる。
1 配線回路基板
2 金属支持層
3 ベース絶縁層
4 導体層
4A プレ導体層
6 種膜
15 第1端子
18 グランドリード残余部分
18A 第1残余部分
18B 第2残余部分
18C 開口
18D 第3残余部分
19 グランドリード
30A 貫通穴
2 金属支持層
3 ベース絶縁層
4 導体層
4A プレ導体層
6 種膜
15 第1端子
18 グランドリード残余部分
18A 第1残余部分
18B 第2残余部分
18C 開口
18D 第3残余部分
19 グランドリード
30A 貫通穴
Claims (7)
- 金属支持層と、
前記金属支持層の厚み方向の一方側に配置される絶縁層と、
前記絶縁層の前記厚み方向の一方側に配置され、端子部と、前記端子部と電気的に接続されるグランドリード残余部分とを備える導体層と、を備え、
前記絶縁層は、前記厚み方向に貫通する貫通穴を有し、
前記グランドリード残余部分は、前記貫通穴を囲むように連続する開口を有することを特徴とする、配線回路基板。 - 前記開口は、前記貫通穴と連通することを特徴とする、請求項1に記載の配線回路基板。
- 前記グランドリード残余部分は、
前記開口内に配置され、前記貫通穴に充填されるビア部と、
前記開口を画定し、前記ビア部に対して間隔を空けて位置する周縁部と、を備えることを特徴とする、請求項1に記載の配線回路基板。 - 金属支持層を準備する工程と、
前記金属支持層の厚み方向の一方側に、前記厚み方向に貫通する貫通穴を有する絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層の前記厚み方向の一方側に配置される端子部と、前記端子部と前記金属支持層とを電気的に接続するグランドリードとを備える導体層を形成する工程と、
前記導体層を無電解めっきする工程と、
前記端子部と前記金属支持層とが絶縁されるように、前記グランドリードの一部を除去して、グランドリード残余部分を形成する工程と、を含み、
前記グランドリード残余部分は、前記貫通穴を囲むように連続する開口を有することを特徴とする、配線回路基板の製造方法。 - 前記グランドリードの一部を除去する工程において、前記開口を前記貫通穴と連通させることを特徴とする、請求項4に記載の配線回路基板の製造方法。
- 前記グランドリードの一部を除去する工程において、前記開口内に配置され、前記貫通穴に充填されるビア部と、前記開口を画定し、前記ビア部に対して間隔を空けて位置する周縁部とを形成することを特徴とする、請求項4に記載の配線回路基板の製造方法。
- 前記絶縁層を形成する工程後、かつ、前記導体層を形成する工程前において、前記絶縁層の前記厚み方向の一方面、および、前記絶縁層から露出する金属支持層の前記厚み方向の一方面に、種膜を形成する工程と、
前記導体層を形成する工程後、かつ、前記無電解めっきする工程前において、前記導体層から露出する種膜を除去する工程と、
前記グランドリードの一部を除去する工程後、前記グランドリードの除去により露出した種膜を除去する工程と、をさらに含むことを特徴とする、請求項4~6のいずれか一項に記載の配線回路基板の製造方法。
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