JP5174494B2 - 配線回路基板およびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、配線回路基板およびその製造方法に関する。

ハードディスクドライブ装置等のドライブ装置にはアクチュエータが用いられる。このようなアクチュエータは、回転軸に回転可能に設けられるアームと、アームに取り付けられる磁気ヘッド用のサスペンション基板とを備える。サスペンション基板は、磁気ディスクの所望のトラックに磁気ヘッドを位置決めするための配線回路基板である。

図１６は、従来のサスペンション基板の一例を示す縦断面図である。図１６のサスペンション基板９００においては、金属基板９０２上に絶縁層９０３が形成されている。絶縁層９０３上には、一対の書込用導体Ｗ１，Ｗ２および一対の読取用導体Ｒ１，Ｒ２が順に並ぶように形成されている。

導体Ｗ１，Ｗ２，Ｒ１，Ｒ２の一端はそれぞれ磁気ヘッド（図示せず）に接続される。また、導体Ｗ１，Ｗ２，Ｒ１，Ｒ２の他端はそれぞれ書込用および読取用の電気回路（図示せず）に電気的に接続されている。

このサスペンション基板９００において、書込用導体Ｗ１，Ｗ２に書込み電流が流れると、電磁誘導により読取用導体Ｒ１，Ｒ２に誘導起電力が発生する。

ここで、書込用導体Ｗ１，Ｗ２と読取用導体Ｒ１との間の距離は、書込用導体Ｗ１，Ｗ２と読取用導体Ｒ２との間の距離よりも小さい。これにより、読取用導体Ｒ１，Ｒ２に発生する誘導起電力に差が生じる。その結果、読取用導体Ｒ１，Ｒ２に電流が流れる。すなわち、書込用導体Ｗ１，Ｗ２と読取用導体Ｒ１，Ｒ２との間でクロストークが生じる。

そこで、特許文献１では、書込用導体Ｗ１，Ｗ２と読取用導体Ｒ１，Ｒ２との間のクロストークの発生を防止するために、図１７に示す配線回路基板が提案されている。

図１７は、従来のサスペンション基板の他の例を示す縦断面図である。このサスペンション基板９１０においては、金属基板９０２上に第１の絶縁層９０４が形成されている。第１の絶縁層９０４上には、書込用導体Ｗ２および読取用導体Ｒ２が距離Ｌ１離間するように形成されている。

第１の絶縁層９０４上には、書込用導体Ｗ２および読取用導体Ｒ２を覆うように第２の絶縁層９０５が形成されている。第２の絶縁層９０５上には、読取用導体Ｒ２の上方位置で書込用導体Ｗ１が形成され、書込用導体Ｗ２の上方位置で読取用導体Ｒ１が形成されている。

上下に位置する読取用導体Ｒ１と書込用導体Ｗ２との間の距離、および上下に位置する読取用導体Ｒ２と書込用導体Ｗ１との間の距離は、ともにＬ２である。

上記構成を有する図１７のサスペンション基板９１０においては、書込用導体Ｗ１，Ｗ２と読取用導体Ｒ１との間の距離が、書込用導体Ｗ１，Ｗ２と読取用導体Ｒ２との間の距離とそれぞれほぼ等しい。これにより、書込用導体Ｗ１，Ｗ２に書込み電流が流れる場合には、読取用導体Ｒ１，Ｒ２に発生する誘導起電力の大きさがほぼ等しくなると考えられる。

しかしながら、このサスペンション基板９１０においては、読取用導体Ｒ１と書込用導体Ｗ１との間の材料と、読取用導体Ｒ２と書込用導体Ｗ２との間の材料とが異なる。具体的には、読取用導体Ｒ１と書込用導体Ｗ１との間の材料は空気であり、読取用導体Ｒ２と書込用導体Ｗ２との間の材料は絶縁材料である。

この場合、空気と絶縁材料との比誘電率が異なるので、読取用導体Ｒ１と書込用導体Ｗ１との間の寄生容量と、読取用導体Ｒ２と書込用導体Ｗ２との間の寄生容量とが異なる。これにより、書込用導体Ｗ１，Ｗ２の特性インピーダンスが互いに異なり、読取用導体Ｒ１，Ｒ２の特性インピーダンスが互いに異なる。

その結果、書込用導体Ｗ１，Ｗ２に書込み電流が流れる場合には、読取用導体Ｒ１，Ｒ２の間で電位差が発生し、読取用導体Ｒ１，Ｒ２の間に電流が流れる。したがって、図１７のサスペンション基板９１０においても、書込用導体Ｗ１，Ｗ２と読取用導体Ｒ１，Ｒ２との間のクロストークの発生を防止することは困難である。
特開２００４−１３３９８８号公報

図１７のサスペンション基板９１０においては、例えば第２の絶縁層９０５上で書込用導体Ｗ１および読取用導体Ｒ１を覆うように第２の絶縁層９０５と同じ比誘電率を有する新たな絶縁層を形成することにより、書込用導体Ｗ１，Ｗ２と読取用導体Ｒ１，Ｒ２との間のクロストークの発生を防止することできると考えられる。

しかしながら、このような構成においても、実際には、書込用導体Ｗ１，Ｗ２と読取用導体Ｒ１，Ｒ２との間のクロストークの発生を十分に防止することができない。

本発明の目的は、複数の信号線路対間でのクロストークの発生を十分に防止できる配線回路基板およびその製造方法を提供することである。

（１）第１の絶縁層と、第１の絶縁層上に間隔をおいて形成される第１および第２の配線パターンと、第１および第２の配線パターンを覆うように第１の絶縁層上に形成される第２の絶縁層と、第２の絶縁層上に形成される第３および第４の配線パターンと、第３および第４の配線パターンを覆うように第２の絶縁層上に形成される第３の絶縁層と、金属基板とを備え、第１、第２、第３および第４の配線パターンは、第１の配線パターンの中線と第３の配線パターンの中線とが重なり、第２の配線パターンの中線と第４の配線パターンの中線とが重なるように設けられ、第１および第３の配線パターンは第１の信号線路対を構成し、第２および第４の配線パターンは第２の信号線路対を構成し、第１の信号線路対と第２の信号線路対との間を互いに分離するように第２および第３の絶縁層に開口部が形成され、開口部に導電性材料が設けられ、第１の絶縁層は金属基板上に形成され、第１、第２、第３および第４の配線パターンの下方における金属基板の領域にインピーダンス調整用の開口が形成されたものである。

この配線回路基板においては、第１の絶縁層上に間隔をおいて第１および第２の配線パターンが形成され、第１および第２の配線パターンを覆うように第１の絶縁層上に第２の絶縁層が形成される。また、第２の絶縁層上に第３および第４の配線パターンが形成され、第３および第４の配線パターンを覆うように第２の絶縁層上に第３の絶縁層が形成される。第１の配線パターンの中線と第３の配線パターンの中線とが重なり、第２の配線パターンの中線と第４の配線パターンの中線とが重なる。また、第１および第３の配線パターンが第１の信号線路対を構成し、第２および第４の配線パターンが第２の信号線路対を構成する。

ここで、この配線回路基板においては、第１の信号線路対と第２の信号線路対との間を互いに分離するように第２および第３の絶縁層に開口部が形成され、その開口部に導電性材料が設けられる。すなわち、第１の信号線路対と第２の信号線路対との間を遮断するように導電性材料が設けられている。

これにより、配線回路基板の使用時には、第１の信号線路対と第２の信号線路対との間のクロストークの発生が十分に防止される。
また、この配線回路基板においては、第１〜第４の配線パターンの下方における金属基板の領域にインピーダンス調整用の開口が形成されている。
この場合、第３の配線パターンと金属基板との間の距離に対して第１の配線パターンと金属基板との間の距離が小さくなり過ぎることを防止することができる。それにより、金属基板に対する第１の配線パターンの静電容量が金属基板に対する第３の配線パターンの静電容量に比べて大きくなり過ぎることを防止することができる。その結果、第１の配線パターンのインピーダンスと第３の配線パターンのインピーダンスとに大きな差が生じることを防止することができる。
同様に、第４の配線パターンと金属基板との間の距離に対して第２の配線パターンと金属基板との間の距離が小さくなり過ぎることを防止することができる。それにより、金属基板に対する第４の配線パターンの静電容量が金属基板に対する第２の配線パターンの静電容量に比べて大きくなり過ぎることを防止することができる。その結果、第２の配線パターンのインピーダンスと第４の配線パターンのインピーダンスとに大きな差が生じることを防止することができる。
以上の結果、第１の信号線路対の不平衡による信号の伝送エラーの発生および第２の信号線路対の不平衡による信号の伝送エラーの発生を十分に防止することができる。

（２）開口部は第１の絶縁層内に達するように設けられてもよい。

この場合、第１および第２の信号線の下端部よりも下方の位置まで延びるように開口部が形成される。それにより、第１および第２の信号線の下端部よりも下方の領域にも導電性材料を設けることができる。その結果、配線回路基板の使用時には、第１の信号線路対と第２の信号線路対との間のクロストークの発生がさらに十分に防止される。

（３）導電性材料は金属基板に電気的に接続されてもよい。

この場合、金属基板を用いて導電性材料を容易に接地電位に接続することができる。それにより、第１の信号線路対と第２の信号線路対との間のクロストークの発生を確実に防止することができる。

（４）配線回路基板は、金属基板に設けられ、信号の読み書きを行うためのヘッド部をさらに備え、第１、第２、第３および第４の配線パターンは、ヘッド部に電気的に接続されてもよい。

この場合、配線回路基板をハードディスクドライブ装置等のドライブ装置のサスペンション基板として用いることができる。

そして、第１の信号線路対を構成する第１および第３の配線パターン、および第２の信号線路対を構成する第２および第４の配線パターンにより、磁気ディスクに対する情報の書込みおよび読取りを行うことができる。

この場合、第１の信号線路対と第２の信号線路対との間のクロストークの発生が十分に防止されているので、書込み時および読取り時にエラーが発生することが確実に防止される。

（５）導電性材料は、第１の導電性材料と第２の導電性材料とを含み、開口部内に第１の導電性材料と第２の導電性材料とが積層されてもよい。

この場合、開口部内に少なくとも２つの異なる導電性材料を設けることができる。

（６）第２の発明に係る配線回路基板の製造方法は、金属基板上に形成された第１の絶縁層上に間隔をおいて第１および第２の配線パターンを形成する工程と、第１および第２の配線パターンを覆いかつ第１の配線パターンと第２の配線パターンとの間に第１の開口部が設けられるように第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成する工程と、第２の絶縁層上に第３および第４の配線パターンを形成する工程と、第３および第４の配線パターンを覆いかつ第３の配線パターンと第４の配線パターンとの間に第１の開口部に連通する第２の開口部が設けられるように第２の絶縁層上に第３の絶縁層を形成する工程と、第１および第２の開口部に導電性材料を設ける工程と、第１、第２、第３および第４の配線パターンの下方における金属基板の領域にインピーダンス調整用の開口を形成する工程とを備え、第１、第２、第３および第４の配線パターンは、第１の配線パターンの中線と第３の配線パターンの中線とが重なり、第２の配線パターンの中線と第４の配線パターンの中線とが重なるように設けられ、第１および第３の配線パターンは第１の信号線路対を構成し、第２および第４の配線パターンは第２の信号線路対を構成するものである。

この配線回路基板の製造方法によれば、第１の絶縁層上に間隔をおいて第１および第２の配線パターンが形成され、第１および第２の配線パターンを覆うように第１の絶縁層上に第２の絶縁層が形成される。また、第２の絶縁層上に第３および第４の配線パターンが形成され、第３および第４の配線パターンを覆うように第２の絶縁層上に第３の絶縁層が形成される。第１の配線パターンの中線と第３の配線パターンの中線とが重なり、第２の配線パターンの中線と第４の配線パターンの中線とが重なる。第１および第３の配線パターンは、第１の信号線路対を構成し、第２および第４の配線パターンは、第２の信号線路対を構成する。

ここで、この製造方法においては、第１の配線パターンと第２の配線パターンとの間に第１の開口部が設けられ、第３の配線パターンと第４の配線パターンとの間に第１の開口部に連通する第２の開口部が設けられる。そして、第１および第２の開口部に導電性材料が設けられる。

すなわち、この製造方法によって製造された配線回路基板においては、第１の信号線路対と第２の信号線路対との間を遮断するように導電性材料が設けられている。これにより、配線回路基板の使用時には、第１の信号線路対と第２の信号線路対との間のクロストークの発生が十分に防止される。
また、この製造方法においては、第１〜第４の配線パターンの下方における金属基板の領域にインピーダンス調整用の開口が形成されている。
この場合、第３の配線パターンと金属基板との間の距離に対して第１の配線パターンと金属基板との間の距離が小さくなり過ぎることを防止することができる。それにより、金属基板に対する第１の配線パターンの静電容量が金属基板に対する第３の配線パターンの静電容量に比べて大きくなり過ぎることを防止することができる。その結果、第１の配線パターンのインピーダンスと第３の配線パターンのインピーダンスとに大きな差が生じることを防止することができる。
同様に、第４の配線パターンと金属基板との間の距離に対して第２の配線パターンと金属基板との間の距離が小さくなり過ぎることを防止することができる。それにより、金属基板に対する第４の配線パターンの静電容量が金属基板に対する第２の配線パターンの静電容量に比べて大きくなり過ぎることを防止することができる。その結果、第２の配線パターンのインピーダンスと第４の配線パターンのインピーダンスとに大きな差が生じることを防止することができる。
以上の結果、第１の信号線路対の不平衡による信号の伝送エラーの発生および第２の信号線路対の不平衡による信号の伝送エラーの発生を十分に防止することができる。

（７）第１の絶縁層は第１の開口部に連通する第３の開口部を有し、導電性材料を設ける工程は、第３の開口部に導電性材料を設ける工程を含んでもよい。

この場合、第３の開口部は、第１および第２の信号線の下端部よりも下方の位置に形成される。それにより、第１および第２の信号線の下端部よりも下方の領域にも導電性材料を設けることができる。その結果、配線回路基板の使用時には、第１の信号線路対と第２の信号線路対との間のクロストークの発生がさらに十分に防止される。

（８）第１および第２の開口部に導電性材料を設ける工程は、第１の開口部に第１の導電性材料を設ける工程と第２の開口部に第２の導電性材料を設ける工程とを含んでもよい。

この場合、第１および第２の開口部に互いに異なる導電性材料を設けることができる。

（９）第３の発明に係る配線回路基板の製造方法は、金属基板上に形成された第１の絶縁層上に間隔をおいて第１および第２の配線パターンを形成する工程と、第１および第２の配線パターンを覆うように第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成する工程と、第２の絶縁層上に第３および第４の配線パターンを形成する工程と、第３および第４の配線パターンを覆うように第２の絶縁層上に第３の絶縁層を形成する工程と、第１の配線パターンと第２の配線パターンとの間の領域の第２の絶縁層および第３の配線パターンと第４の配線パターンとの間の領域の第３の絶縁層を除去することにより第２および第３の絶縁層に開口部を形成する工程と、開口部に導電性材料を設ける工程と、第１、第２、第３および第４の配線パターンの下方における金属基板の領域にインピーダンス調整用の開口を形成する工程とを備え、第１、第２、第３および第４の配線パターンは、第１の配線パターンの中線と第３の配線パターンの中線とが重なり、第２の配線パターンの中線と第４の配線パターンの中線とが重なるように設けられ、第１および第３の配線パターンは第１の信号線路対を構成し、第２および第４の配線パターンは第２の信号線路対を構成するものである。

この配線回路基板の製造方法によれば、第１の絶縁層上に間隔をおいて第１および第２の配線パターンが形成され、第１および第２の配線パターンを覆うように第１の絶縁層上に第２の絶縁層が形成される。また、第２の絶縁層上に第３および第４の配線パターンが形成され、第３および第４の配線パターンを覆うように第２の絶縁層上に第３の絶縁層が形成される。第１の配線パターンの中線と第３の配線パターンの中線とが重なり、第２の配線パターンの中線と第４の配線パターンの中線とが重なる。第１および第３の配線パターンは、第１の信号線路対を構成し、第２および第４の配線パターンは、第２の信号線路対を構成する。

ここで、この製造方法においては、第１の配線パターンと第２の配線パターンとの間の領域の第２の絶縁層および第３の配線パターンと第４の配線パターンとの間の領域の第３の絶縁層が除去される。それにより、第１の信号線路対と第２の信号線路対との間に開口部が形成される。そして、その開口部に導電性材料が設けられる。

すなわち、この製造方法によって製造された配線回路基板においては、第１の信号線路対と第２の信号線路対との間を遮断するように導電性材料が設けられている。これにより、配線回路基板の使用時には、第１の信号線路対と第２の信号線路対との間のクロストークの発生が十分に防止される。
また、この製造方法においては、第１〜第４の配線パターンの下方における金属基板の領域にインピーダンス調整用の開口が形成されている。
この場合、第３の配線パターンと金属基板との間の距離に対して第１の配線パターンと金属基板との間の距離が小さくなり過ぎることを防止することができる。それにより、金属基板に対する第１の配線パターンの静電容量が金属基板に対する第３の配線パターンの静電容量に比べて大きくなり過ぎることを防止することができる。その結果、第１の配線パターンのインピーダンスと第３の配線パターンのインピーダンスとに大きな差が生じることを防止することができる。
同様に、第４の配線パターンと金属基板との間の距離に対して第２の配線パターンと金属基板との間の距離が小さくなり過ぎることを防止することができる。それにより、金属基板に対する第４の配線パターンの静電容量が金属基板に対する第２の配線パターンの静電容量に比べて大きくなり過ぎることを防止することができる。その結果、第２の配線パターンのインピーダンスと第４の配線パターンのインピーダンスとに大きな差が生じることを防止することができる。
以上の結果、第１の信号線路対の不平衡による信号の伝送エラーの発生および第２の信号線路対の不平衡による信号の伝送エラーの発生を十分に防止することができる。

（１０）開口部を形成する工程は、第１の信号線路対と第２の信号線路対との間の領域下の第１の絶縁層を除去することにより第１〜第３の絶縁層に開口部を形成する工程を含んでもよい。

この場合、開口部は、第１および第２の信号線の下端部よりも下方の位置に形成される。それにより、第１および第２の信号線の下端部よりも下方の領域にも導電性材料を設けることができる。その結果、配線回路基板の使用時には、第１の信号線路対と第２の信号線路対との間のクロストークの発生がさらに十分に防止される。

本発明によれば、配線回路基板の使用時には、第１の信号線路対と第２の信号線路対との間のクロストークの発生が十分に防止される。

以下、本発明の実施の形態に係る配線回路基板およびその製造方法について図面を参照しながら説明する。以下、本発明の実施の形態に係る配線回路基板の一例として、ハードディスクドライブ装置のアクチュエータに用いられるサスペンション基板の構造およびその作製方法について説明する。

＜第１の参考形態＞
（１）サスペンション基板の構造
図１は第１の参考形態に係るサスペンション基板の上面図であり、図２は図１のサスペンション基板１のＡ−Ａ線縦断面図である。

図１に示すように、サスペンション基板１は、金属製の長尺状基板により形成されるサスペンション本体部１０を備える。サスペンション本体部１０上には、太い実線で示すように、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２が形成されている。

サスペンション本体部１０の先端部には、Ｕ字状の開口部１１を形成することにより磁気ヘッド搭載部（以下、タング部と呼ぶ）１２が設けられている。タング部１２は、サスペンション本体部１０に対して所定の角度をなすように破線Ｒの箇所で折り曲げ加工される。タング部１２の端部には４つの電極パッド２１，２２，２３，２４が形成されている。

サスペンション本体部１０の他端部には４つの電極パッド３１，３２，３３，３４が形成されている。タング部１２上の電極パッド２１〜２４とサスペンション本体部１０の他端部の電極パッド３１〜３４とは、それぞれ配線パターンＷ１，Ｗ２，Ｒ１，Ｒ２により電気的に接続されている。また、サスペンション本体部１０には複数の孔部Ｈが形成されている。

サスペンション基板１において、複数の配線パターンＷ１，Ｗ２，Ｒ１，Ｒ２の形成領域には、各配線パターンＷ１，Ｗ２，Ｒ１，Ｒ２を覆うように、複数の層からなる絶縁層４０が形成されている。

図２に示すように、絶縁層４０は、第１の絶縁層４１、第２の絶縁層４２および第３の絶縁層４３を有する。

サスペンション本体部１０上には第１の絶縁層４１が形成されている。第１の絶縁層４１の中央部には、開口部５０ａが形成されている。

開口部５０ａの一方側の第１の絶縁層４１上には、図示しない磁気ディスクに対して情報の書込みを行うための書込用配線パターンＷ１が形成され、開口部５０ａの他方側の第１の絶縁層４１上には、磁気ディスクに対して情報の読取りを行うための読取用配線パターンＲ１が形成されている。書込用配線パターンＷ１および読取用配線パターンＲ１は、所定の間隔で互いに平行に並んでいる。

また、第１の絶縁層４１上には、書込用配線パターンＷ１および読取用配線パターンＲ１を覆うように第２の絶縁層４２が形成されている。第２の絶縁層４２の中央部には、開口部５０ｂが形成されている。開口部５０ｂは、開口部５０ａ上に設けられる。

開口部５０ｂの一方側の第２の絶縁層４２上には、磁気ディスクに対して情報の書込みを行うための書込用配線パターンＷ２が形成され、開口部５０ｂの他方側の第２の絶縁層４２上には、磁気ディスクに対して情報の読取りを行うための読取用配線パターンＲ２が形成されている。書込用配線パターンＷ２および読取用配線パターンＲ２は、所定の間隔で互いに平行に並んでいる。

また、第２の絶縁層４２上には、書込用配線パターンＷ２および読取用配線パターンＲ２を覆うように第３の絶縁層４３が形成されている。第３の絶縁層４３の中央部には、開口部５０ｃが形成されている。開口部５０ｃは、開口部５０ｂ上に設けられる。

開口部５０ａ、開口部５０ｂおよび開口部５０ｃにより、絶縁層４０の中央部に開口部５０が形成される。開口部５０内には、導電性材料６０が充填されている。なお、導電性材料６０は接地電位に接続されることが好ましい。

サスペンション基板１を備える図示しないハードディスク装置においては、磁気ディスクに対する情報の書込み時に一対の書込用配線パターンＷ１，Ｗ２に電流が流れる。また、磁気ディスクに対する情報の読取り時に一対の読取用配線パターンＲ１，Ｒ２に電流が流れる。

（２）サスペンション基板の製造
サスペンション基板１の製造方法を説明する。以下では、図１のタング部１２、電極パッド２１〜２４，３１〜３４、および孔部Ｈの形成工程についての説明は省略する。

図３および図４は、第１の参考形態に係るサスペンション基板１の製造工程を示す縦断面図である。初めに、図３（ａ）に示すように、ステンレス鋼（ＳＵＳ）からなる長尺状基板をサスペンション本体部１０として用意する。そして、図３（ｂ）に示すように、サスペンション本体部１０上に主としてポリイミド樹脂からなる第１の絶縁層４１を形成する。第１の絶縁層４１は、開口部５０ａを有する。開口部５０ａは、例えばエッチングにより形成される。

サスペンション本体部１０としては、ステンレス鋼に代えて銅（Ｃｕ）またはアルミニウム（Ａｌ）等の他の材料からなる長尺状基板を用いてもよい。

続いて、図３（ｃ）に示すように、開口部５０ａの一方側の第１の絶縁層４１上に銅（Ｃｕ）からなる書込用配線パターンＷ１を形成し、開口部５０ａの他方側の第１の絶縁層４１上に銅（Ｃｕ）からなる読取用配線パターンＲ１を形成する。書込用配線パターンＷ１および読取用配線パターンＲ１は所定の間隔で互いに平行となるように形成する。

書込用配線パターンＷ１および読取用配線パターンＲ１は、例えばセミアディティブ法を用いて形成してもよく、サブトラクティブ法等の他の方法を用いて形成してもよい。

書込用配線パターンＷ１および読取用配線パターンＲ１は、銅に限らず、金（Ａｕ）、アルミニウム等の他の金属、または銅合金、アルミニウム合金等の合金を用いて形成することができる。

書込用配線パターンＷ１および読取用配線パターンＲ１の厚みｔ１は例えば３μｍ以上１６μｍ以下であり、６μｍ以上１３μｍ以下であることが好ましい。書込用配線パターンＷ１および読取用配線パターンＲ１の幅ｓ１，ｓ２は例えば５μｍ以上３０μｍ以下であり、１０μｍ以上２５μｍ以下であることが好ましい。

書込用配線パターンＷ１と読取用配線パターンＲ１との間の間隔ｄ１は、例えば５μｍ以上１００μｍ以下であり、１０μｍ以上６０μｍ以下であることが好ましい。

上記構成において、第１の絶縁層４１と書込用配線パターンＷ１との間および第１の絶縁層４１と読取用配線パターンＲ１との間にそれぞれ金属薄膜を形成してもよい。この場合、第１の絶縁層４１と書込用配線パターンＷ１との密着性および第１の絶縁層４１と読取用配線パターンＲ１との密着性が向上される。

その後、図４（ｄ）に示すように、書込用配線パターンＷ１および読取用配線パターンＲ１を覆うように、第１の絶縁層４１上に主としてポリイミド樹脂からなる第２の絶縁層４２を形成する。第２の絶縁層４２は、開口部５０ｂを有する。開口部５０ｂは、開口部５０ａ上に設けられる。開口部５０ｂは、例えばエッチングにより形成される。

次に、図４（ｅ）に示すように、開口部５０ｂの一方側の第２の絶縁層４２上に銅からなる書込用配線パターンＷ２を形成し、開口部５０ｂの他方側の第２の絶縁層４２上に銅からなる読取用配線パターンＲ２を形成する。

その後、書込用配線パターンＷ２および読取用配線パターンＲ２を覆うように、第２の絶縁層４２上に主としてポリイミド樹脂からなる第３の絶縁層４３を形成する。第３の絶縁層４３は、開口部５０ｃを有する。開口部５０ｃは、開口部５０ｂ上に設けられる。これにより、絶縁層４０の中央部に開口部５０が形成される。開口部５０ｃは、例えばエッチングにより形成される。

なお、配線パターンＷ２，Ｒ２は、銅に限らず、金（Ａｕ）、アルミニウム等の他の金属、または銅合金、アルミニウム合金等の合金を用いて形成することができる。

配線パターンＷ２，Ｒ２は、それぞれ配線パターンＷ１，Ｒ１の上方位置に形成される。これにより、書込用配線パターンＷ１の上面と書込用配線パターンＷ２の下面とが対向し、読取用配線パターンＲ１の上面と読取用配線パターンＲ２の下面とが対向する。配線パターンＷ２，Ｒ２は、配線パターンＷ１，Ｒ１と同様にして形成される。

最後に、図４（ｆ）に示すように、開口部５０内に導電性材料６０を充填する。なお、導電性材料６０の上端部が、配線パターンＷ２，Ｒ２の上面より上方に位置することが好ましい。

開口部５０内の導電性材料６０は、例えば、ペーストを印刷マスクを用いて開口部５０内に充填することにより設けられる。また、導電性材料６０は、導電性の高い金属であることが好ましい。導電性材料６０は、例えば、銀（Ａｇ）、銅、金（Ａｕ）、錫（Ｓｎ）、またはそれらの合金からなることが好ましい。

なお、導電性材料６０は、例えば電解めっき法を用いて開口部５０内に設けられてもよく、インクジェット技術等の他の技術を用いて設けられてもよい。

書込用配線パターンＷ１，Ｗ２と読取用配線パターンＲ１，Ｒ２との間における導電性材料６０の幅は、３μｍ以上９６μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上５０μｍ以下であることがより好ましい。なお、図４（ｆ）においては、開口部５０内の空間を完全に埋めるように導電性材料６０が充填されているが、開口部５０内の空間が導電性材料６０により完全に埋められていなくてもよい。例えば、導電性材料６０を書込用配線パターンＷ１，Ｗ２側と読取用配線パターンＲ１，Ｒ２側とに分断するように導電性材料６０の中線上に空間が形成されていてもよい。

第２の絶縁層４２と書込用配線パターンＷ２との間および第２の絶縁層４２と読取用配線パターンＲ２との間にそれぞれ金属薄膜を形成してもよい。この場合、第２の絶縁層４２と書込用配線パターンＷ２との密着性および第２の絶縁層４２と読取用配線パターンＲ２との密着性が向上される。

上記のように、サスペンション本体部１０上に複数の配線パターンＷ１，Ｗ２，Ｒ１，Ｒ２、絶縁層４０および導電性材料６０を形成することにより、サスペンション基板１が完成する。

サスペンション基板１においては、書込用配線パターンＷ２の幅は書込用配線パターンＷ１の幅ｓ１に等しく、読取用配線パターンＲ２の幅は読取用配線パターンＲ１の幅ｓ２に等しい。

書込用配線パターンＷ１の幅ｓ１および読取用配線パターンＲ１の幅ｓ２は互いに等しくてもよいし、異なってもよい。書込用配線パターンＷ２および読取用配線パターンＲ２の幅も互いに等しくてもよいし、異なってもよい。

（３）効果
第１の参考形態に係るサスペンション基板１においては、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２と読取用配線パターンＲ１，Ｒ２との間を遮断するように導電性材料６０が設けられる。

これにより、サスペンション基板１の使用時には、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２と読取用配線パターンＲ１，Ｒ２との間のクロストークの発生が十分に防止される。

したがって、サスペンション基板１を備える図示しないハードディスク装置においては、磁気ディスクに対する情報の書込み時および読取り時にエラーが発生することが確実に防止される。

（４）変形例
第１の参考形態においては、書込用配線パターンＷ１と書込用配線パターンＷ２とが互いに対向しかつ読取用配線パターンＲ１と読取用配線パターンＲ２とが互いに対向しているが、書込用配線パターンＷ１と書込用配線パターンＷ２とが互いに対向していなくてもよく、読取用配線パターンＲ１と読取用配線パターンＲ２とが互いに対向していなくてもよい。

なお、書込用配線パターンＷ１と書込用配線パターンＷ２との中線と読取用配線パターンＲ１と読取用配線パターンＲ２との中線とが重なるように配線パターンＷ１，Ｗ２，Ｒ１，Ｒ２が設けられることが好ましい。

また、絶縁層４０には、ポリイミド樹脂に代えてエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂またはポリ塩化ビニル樹脂等の他の樹脂材料を用いてもよい。

また、第１の絶縁層４１、第２の絶縁層４２および第３の絶縁層４３がそれぞれ異なる絶縁材料により形成されてもよい。

＜第２の参考形態＞
第２の参考形態に係るサスペンション基板が第１の参考形態に係るサスペンション基板１と異なるのは以下の点である。

（１）サスペンション基板の構造
図５は、第２の参考形態に係るサスペンション基板２の断面図である。

図５に示すように、第２の参考形態においては、第１の絶縁層４１に開口部５０ａ（図２参照）が形成されておらず、第２の絶縁層４２および第３の絶縁層４３に開口部５１ｂおよび開口部５１ｃが形成されている。開口部５１ｂおよび開口部５１ｃの大きさは略等しい。開口部５１ｂおよび開口部５１ｃにより絶縁層４０の中央部に開口部５１が形成されている。開口部５１内に導電性材料６０が充填されている。

（２）サスペンション基板の製造
サスペンション基板２の製造方法を説明する。

図６および図７は、サスペンション基板２の製造工程を示す縦断面図である。初めに、図６（ａ）に示すように、ステンレス鋼（ＳＵＳ）またはアルミニウム（Ａｌ）等からなる長尺状基板をサスペンション本体部１０として用意する。そして、図６（ｂ）に示すように、サスペンション本体部１０上に第１の絶縁層４１を形成する。

続いて、図６（ｃ）に示すように、第１の絶縁層４１上に配線パターンＷ１，Ｒ１を形成する。配線パターンＷ１，Ｒ１は所定の間隔で互いに平行となるように形成する。

次に、図６（ｄ）に示すように、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２を覆うように第１の絶縁層４１上に第２の絶縁層４２を形成する。

次に、図７（ｅ）に示すように、第２の絶縁層４２上に配線パターンＷ２，Ｒ２を形成する。配線パターンＷ２，Ｒ２は所定の間隔で互いに平行となるように形成する。続いて、配線パターンＷ２，Ｒ２を覆うように第２の絶縁層４２上に第３の絶縁層４３を形成する。

次に、図７（ｆ）に示すように、第１の絶縁層４１の側面、第２の絶縁層４２の側面、第３の絶縁層４３の側面および第３の絶縁層４３の上面の中央部を除く領域を覆うようにレジスト膜４４を形成する。レジスト膜４４は、例えば、ドライフィルムレジスト等により形成することができる。

次に、図７（ｇ）に示すように、レジスト膜４４下の領域を除く第３の絶縁層４３および第２の絶縁層４２をエッチングにより除去する。それにより、第３の絶縁層４３の中央部に開口部５１ｃが形成され、第２の絶縁層４２の中央部に開口部５１ｂが形成される。その結果、絶縁層４０の中央部に開口部５１が形成される。その後、剥離液によりレジスト膜４４を除去する。

最後に、図７（ｈ）に示すように、開口部５１内に導電性材料６０を充填する。以上により、サスペンション基板２が完成する。

（３）効果
第２の参考形態に係るサスペンション基板２においては、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２と読取用配線パターンＲ１，Ｒ２との間を遮断するように導電性材料６０が設けられる。

これにより、サスペンション基板２の使用時には、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２と読取用配線パターンＲ１，Ｒ２との間のクロストークの発生が十分に防止される。

＜第３の参考形態＞
第３の参考形態に係るサスペンション基板が第２の参考形態に係るサスペンション基板２（図５〜図７参照）と異なるのは以下の点である。

（１）サスペンション基板の構造
図８は、第３の参考形態に係るサスペンション基板３の断面図である。

図８に示すように、第３の参考形態においては、第１の絶縁層４１の中央部に開口部５１ａが形成されており、開口部５１ａ、開口部５１ｂおよび開口部５１ｃにより絶縁層４０の中央部に開口部５１０が形成されている。開口部５１０内に導電性材料６０が充填されている。

（２）サスペンション基板の製造
サスペンション基板３の製造方法を説明する。

図９は、サスペンション基板３の製造工程を示す断面図である。

まず、図６、図７（ｅ）および図７（ｆ）で説明したようにして、サスペンション本体部１０上に、第１〜第３の絶縁層４１〜４３、配線パターンＷ１，Ｗ２，Ｒ１，Ｒ２およびレジスト膜４４を形成する。

次に、図９（ａ）に示すように、レジスト膜４４下の領域を除く第３の絶縁層４３、第２の絶縁層４２および第１の絶縁層４１をエッチングにより除去する。それにより、第３の絶縁層４３の中央部に開口部５１ｃが形成され、第２の絶縁層４２の中央部に開口部５１ｂが形成され、第１の絶縁層４１の中央部に開口部５１ａが形成される。その結果、絶縁層４０の中央部に開口部５１０が形成される。その後、剥離液によりレジスト膜４４を除去する。

最後に、図９（ｂ）に示すように、開口部５１０内に導電性材料６０を充填する。以上により、サスペンション基板３が完成する。

（３）効果
第３の参考形態に係るサスペンション基板３においては、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２と読取用配線パターンＲ１，Ｒ２との間を遮断するように導電性材料６０が設けられる。

これにより、サスペンション基板３の使用時には、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２と読取用配線パターンＲ１，Ｒ２との間のクロストークの発生が十分に防止される。

＜第４の参考形態＞
第４の参考形態に係るサスペンション基板が第１の参考形態に係るサスペンション基板１（図２〜図４）と異なるのは以下の点である。

（１）サスペンション基板の構造
図１０は、第４の参考形態に係るサスペンション基板４の断面図である。

図１０に示すように、第４の参考形態においては、第１の絶縁層４１に開口部５０ａ（図２参照）が形成されておらず、開口部５０ｂおよび開口部５０ｃにより絶縁層４０の中央部に開口部５００が形成されている。開口部５００内に導電性材料６０が充填されている。

（２）サスペンション基板の製造
サスペンション基板４の製造方法を説明する。

図１１は、サスペンション基板４の製造工程を示す断面図である。

まず、図６（ａ）〜図６（ｃ）で説明したようにして、サスペンション本体部１０に第１の絶縁層４１および配線パターンＷ１，Ｒ１を形成する。

次に、図１１（ａ）に示すように、書込用配線パターンＷ１および読取用配線パターンＲ１を覆うように、第１の絶縁層４１上に開口部５０ｂを有する第２の絶縁層４２を形成する。

次に、図１１（ｂ）に示すように、開口部５０ｂの一方側の第２の絶縁層４２上に書込用配線パターンＷ２を形成し、開口部５０ｂの他方側の第２の絶縁層４２上に読取用配線パターンＲ２を形成する。続いて、書込用配線パターンＷ２および読取用配線パターンＲ２を覆うように、第２の絶縁層４２上に開口部５０ｃを有する第３の絶縁層４３を形成する。

開口部５０ｃは開口部５０ｂ上に配置される。これにより、開口部５０ｂおよび開口部５０ｃにより絶縁層４０の中央部に開口部５００が形成される。

最後に、図１１（ｃ）に示すように、開口部５００内に導電性材料６０を充填する。以上により、サスペンション基板４が完成する。

（３）効果
第４の参考形態に係るサスペンション基板４においては、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２と読取用配線パターンＲ１，Ｒ２との間を遮断するように導電性材料６０が設けられる。

これにより、サスペンション基板４の使用時には、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２と読取用配線パターンＲ１，Ｒ２との間のクロストークの発生が十分に防止される。

＜第５の参考形態＞
第５の参考形態に係るサスペンション基板が第４の参考形態に係るサスペンション基板４（図１０および図１１）と異なるのは以下の点である。

（１）サスペンション基板の構造
図１２は、第５の参考形態に係るサスペンション基板５の断面図である。

図１２に示すように、第５の参考形態においては、開口部５００内に第１の導電性材料６１および第２の導電性材料６２が積層されている。

（２）サスペンション基板の製造
サスペンション基板５の製造方法を説明する。

図１３は、サスペンション基板５の製造工程を示す断面図である。

まず、図１１（ａ）で説明したようにして、サスペンション本体部１０上に絶縁層４１、書込用配線パターンＷ１、読取用配線パターンＲ１および第２の絶縁層４２を形成する。

次に、図１３（ａ）に示すように、第１の絶縁層４１上に配線パターンＷ２，Ｒ２を形成するとともに、開口部５０ｂ内に第１の導電性材料６１を充填する。第１の導電性材料６１は、例えば、銀（Ａｇ）、銅、金（Ａｕ）、錫（Ｓｎ）、またはそれらの合金からなることが好ましい。

次に、図１３（ｂ）に示すように、書込用配線パターンＷ２および読取用配線パターンＲ２を覆うように第２の絶縁層４２上に第３の絶縁層４３を形成する。第３の絶縁層４３には、開口部５０ｃが形成されている。開口部５０ｃは、開口部５０ｂ上に設けられる。

最後に、図１３（ｃ）に示すように、開口部５０ｃおよび開口部５０ｂ内に第２の導電性材料６２を充填する。第２の導電性材料６２は、例えば、銀（Ａｇ）、銅、金（Ａｕ）、錫（Ｓｎ）、またはそれらの合金からなることが好ましい。

以上により、サスペンション基板５が完成する。

また、第１の導電性材料６１と第２の導電性材料６２とは、同じ材料により形成されてもよく、異なる材料により形成されてもよい。

（３）効果
第５の参考形態に係るサスペンション基板５においては、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２と読取用配線パターンＲ１，Ｒ２との間を遮断するように第１および第２の導電性材料６１，６２が設けられる。

これにより、サスペンション基板５の使用時には、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２と読取用配線パターンＲ１，Ｒ２との間のクロストークの発生が十分に防止される。

＜実施の形態＞
図１４は、本発明の一実施の形態に係るサスペンション基板を示す図である。図１４に示すサスペンション基板６が図５に示すサスペンション基板５と異なるのは以下の点である。

図１４に示すように、本例のサスペンション基板６においては、配線パターンＷ１，Ｗ２，Ｒ１，Ｒ２の下方におけるサスペンション本体部１０の領域に、長尺状の開口部１０ａが形成されている。

この場合、書込用配線パターンＷ２とサスペンション本体部１０との間の距離に対して書込用配線パターンＷ１とサスペンション本体部１０との間の距離が小さくなり過ぎることを防止することができる。それにより、サスペンション本体部１０に対する書込用配線パターンＷ１の静電容量がサスペンション本体部１０に対する書込用配線パターンＷ２の静電容量に比べて大きくなり過ぎることを防止することができる。その結果、書込用配線パターンＷ１のインピーダンスと書込用配線パターンＷ２のインピーダンスとに大きな差が生じることを防止することができる。

同様に、読込用配線パターンＲ２とサスペンション本体部１０との間の距離に対して読込用配線パターンＲ１とサスペンション本体部１０との間の距離が小さくなり過ぎることを防止することができる。それにより、サスペンション本体部１０に対する読込用配線パターンＲ１の静電容量がサスペンション本体部１０に対する読込用配線パターンＲ２の静電容量に比べて大きくなり過ぎることを防止することができる。その結果、読込用配線パターンＲ１のインピーダンスと読込用配線パターンＲ２のインピーダンスとに大きな差が生じることを防止することができる。

以上の結果、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の不平衡による差動信号の伝送エラーおよび読込用配線パターンＲ１，Ｒ２の不平衡による差動信号の伝送エラーが発生することを十分に防止することができる。

開口部１０ａは、例えばエッチングによりサスペンション本体部１０の所定の領域を除去することにより形成することができる。

なお、図２に示すサスペンション基板１、図８に示すサスペンション基板３、図１０に示すサスペンション基板４および図１２に示すサスペンション基板５においても、図１４と同様に開口部１０ａを形成してもよい。この場合、図２の開口部５０ａ，５０ｂ，５０ｃの幅は等しいことが好ましく、図１０の開口部５０ｂ，５０ｃの幅は等しいことが好ましく、図１３（ｂ）の開口部５０ｂ，５０ｃの幅は等しいことが好ましい。

図１５は、第６の参考形態に係るサスペンション基板を示す図である。図１５に示すサスペンション基板７が図５に示すサスペンション基板５と異なるのは以下の点である。

図１５に示すように、本例のサスペンション基板７においては、開口部５１の壁面および第１の絶縁層４１の上面に導電性材料からなる薄膜６０ａが形成されている。薄膜６０ａの材料としては、例えば、銀、銅、金、錫、またはそれらの合金を用いることができる。薄膜６０ａは、例えば、スパッタにより形成される。

薄膜６０ａの膜厚は、０．１μｍ以上５μｍ以下であることが好ましく、０．３μｍ以上３μｍ以下であることがより好ましい。書込用配線パターンＷ１，Ｗ２側の壁面に形成される薄膜６０ａと読取用配線パターンＲ１，Ｒ２側の壁面に形成される薄膜６０ａとの間の間隔は、３μｍ以上９６μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上５０μｍ以下であることがより好ましい。

なお、図２に示すサスペンション基板１、図８に示すサスペンション基板３、図１０に示すサスペンション基板４、図１２に示すサスペンション基板５および図１４に示すサスペンション基板６においても、図１５と同様の薄膜６０ａを形成してもよい。

また、上記参考形態においては、配線回路基板の例としてサスペンション基板について説明したが、本発明は種々の配線回路基板に適用することができる。したがって、配線回路基板の使用形態によっては、サスペンション本体部１０を設けなくてもよい。この場合、上記の各参考形態で説明した最後の工程でサスペンション本体部１０を除去すればよい。

また、図５、図１０、図１２、図１４および図１５に示すように第１の絶縁層４１に開口が形成されない場合には、サスペンション本体部１０を用いることなく配線回路基板を製造してもよい。この場合、サスペンション本体部１０を用意しなくてよいので、配線回路基板の製造コストを低減することができるとともに製造工程を簡略化することができる。

なお、サスペンション本体部１０を設けない場合には、図２の開口部５０ａ，５０ｂ，５０ｃの幅は等しいことが好ましく、図１０の開口部５０ｂ，５０ｃの幅は等しいことが好ましく、図１３（ｂ）の開口部５０ｂ，５０ｃの幅は等しいことが好ましい。

＜請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係＞
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。

上記実施の形態においては、書込用配線パターンＷ１が第１の配線パターンの例であり、読取用配線パターンＲ１が第２の配線パターンの例であり、書込用配線パターンＷ２が第３の配線パターンの例であり、読取用配線パターンＲ２が第４の配線パターンの例であり、サスペンション本体部１０が金属基板の例であり、タング部１２がヘッド部の例であり、開口部５０ｂが第１の開口部の例であり、開口部５０ｃが第２の開口部の例であり、開口部５０ａが第３の開口部の例である。

請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。

本発明は、種々の電気機器または電子機器等に利用することができる。

第１の参考形態に係るサスペンション基板の平面図である。 図１のサスペンション基板のＡ−Ａ線縦断面図である。 第１の参考形態に係るサスペンション基板の製造工程を示す図である。 第１の参考形態に係るサスペンション基板の製造工程を示す図である。 第２の参考形態に係るサスペンション基板の断面図である。 第２の参考形態に係るサスペンション基板の製造工程を示す図である。 第２の参考形態に係るサスペンション基板の製造工程を示す図である。 第３の参考形態に係るサスペンション基板の断面図である。 第３の参考形態に係るサスペンション基板の製造工程を示す図である。 第４の参考形態に係るサスペンション基板の断面図である。 第４の参考形態に係るサスペンション基板の製造工程を示す図である。 第５の参考形態に係るサスペンション基板の断面図である。 第５の参考形態に係るサスペンション基板の製造工程を示す図である。 本発明の一実施の形態に係るサスペンション基板を示す図である。 第６の参考形態に係るサスペンション基板を示す図である。 従来のサスペンション基板の一例を示す縦断面図である。 従来のサスペンション基板の他の例を示す縦断面図である。

符号の説明

１〜７ サスペンション基板
１０ サスペンション本体部
１２ タング部
４１ 第１の絶縁層
４２ 第２の絶縁層
４３ 第３の絶縁層
５０，５０ａ〜５０ｃ，５１，５１ａ〜５１ｃ，５００，５１０ 開口
６０ 導電性材料
６１ 第１の導電性材料
６２ 第２の導電性材料
Ｗ１，Ｗ２ 書込用配線パターン
Ｒ１，Ｒ２ 読取用配線パターン

Claims (10)

1. 第１の絶縁層と、
   前記第１の絶縁層上に間隔をおいて形成される第１および第２の配線パターンと、
   前記第１および第２の配線パターンを覆うように前記第１の絶縁層上に形成される第２の絶縁層と、
   前記第２の絶縁層上に形成される第３および第４の配線パターンと、
   前記第３および第４の配線パターンを覆うように前記第２の絶縁層上に形成される第３の絶縁層と、
   金属基板とを備え、
   前記第１、第２、第３および第４の配線パターンは、前記第１の配線パターンの中線と前記第３の配線パターンの中線とが重なり、前記第２の配線パターンの中線と前記第４の配線パターンの中線とが重なるように設けられ、
   前記第１および第３の配線パターンは第１の信号線路対を構成し、前記第２および第４の配線パターンは第２の信号線路対を構成し、
   前記第１の信号線路対と前記第２の信号線路対との間を互いに分離するように前記第２および第３の絶縁層に開口部が形成され、
   前記開口部に導電性材料が設けられ、
   前記第１の絶縁層は前記金属基板上に形成され、
   前記第１、第２、第３および第４の配線パターンの下方における前記金属基板の領域にインピーダンス調整用の開口が形成されたことを特徴とする配線回路基板。
2. 前記開口部は前記第１の絶縁層内に達するように設けられたことを特徴とする請求項１記載の配線回路基板。
3. 前記導電性材料は前記金属基板に電気的に接続されていることを特徴とする請求項１または２記載の配線回路基板。
4. 前記金属基板に設けられ、信号の読み書きを行うためのヘッド部をさらに備え、
   前記第１、第２、第３および第４の配線パターンは、前記ヘッド部に電気的に接続されることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の配線回路基板。
5. 前記導電性材料は、第１の導電性材料と第２の導電性材料とを含み、
   前記開口部内に前記第１の導電性材料と前記第２の導電性材料とが積層されたことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の配線回路基板。
6. 金属基板上に形成された第１の絶縁層上に間隔をおいて第１および第２の配線パターンを形成する工程と、
   前記第１および第２の配線パターンを覆いかつ前記第１の配線パターンと前記第２の配線パターンとの間に第１の開口部が設けられるように前記第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成する工程と、
   前記第２の絶縁層上に第３および第４の配線パターンを形成する工程と、
   前記第３および第４の配線パターンを覆いかつ前記第３の配線パターンと前記第４の配線パターンとの間に前記第１の開口部に連通する第２の開口部が設けられるように前記第２の絶縁層上に第３の絶縁層を形成する工程と、
   前記第１および第２の開口部に導電性材料を設ける工程と、
   前記第１、第２、第３および第４の配線パターンの下方における前記金属基板の領域にインピーダンス調整用の開口を形成する工程とを備え、
   前記第１、第２、第３および第４の配線パターンは、前記第１の配線パターンの中線と前記第３の配線パターンの中線とが重なり、前記第２の配線パターンの中線と前記第４の配線パターンの中線とが重なるように設けられ、
   前記第１および第３の配線パターンは第１の信号線路対を構成し、前記第２および第４の配線パターンは第２の信号線路対を構成することを特徴とする配線回路基板の製造方法。
7. 前記第１の絶縁層は前記第１の開口部に連通する第３の開口部を有し、
   前記導電性材料を設ける工程は、前記第３の開口部に導電性材料を設ける工程を含むことを特徴とする請求項６記載の配線回路基板の製造方法。
8. 前記第１および第２の開口部に導電性材料を設ける工程は、前記第１の開口部に第１の導電性材料を設ける工程と前記第２の開口部に第２の導電性材料を設ける工程とを含むことを特徴とする請求項６記載の配線回路基板の製造方法。
9. 金属基板上に形成された第１の絶縁層上に間隔をおいて第１および第２の配線パターンを形成する工程と、
   前記第１および第２の配線パターンを覆うように前記第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成する工程と、
   
   前記第２の絶縁層上に第３および第４の配線パターンを形成する工程と、 前記第３および第４の配線パターンを覆うように前記第２の絶縁層上に第３の絶縁層を形成する工程と、
   前記第１の配線パターンと前記第２の配線パターンとの間の領域の前記第２の絶縁層および前記第３の配線パターンと前記第４の配線パターンとの間の領域の前記第３の絶縁層を除去することにより前記第２および第３の絶縁層に開口部を形成する工程と、
   前記開口部に導電性材料を設ける工程と、
   前記第１、第２、第３および第４の配線パターンの下方における前記金属基板の領域にインピーダンス調整用の開口を形成する工程とを備え、
   前記第１、第２、第３および第４の配線パターンは、前記第１の配線パターンの中線と前記第３の配線パターンの中線とが重なり、前記第２の配線パターンの中線と前記第４の配線パターンの中線とが重なるように設けられ、
   前記第１および第３の配線パターンは第１の信号線路対を構成し、前記第２および第４の配線パターンは第２の信号線路対を構成することを特徴とする配線回路基板の製造方法。
10. 前記開口部を形成する工程は、さらに前記第１の信号線路対と前記第２の信号線路対との間の領域下の前記第１の絶縁層を除去することにより前記第１〜第３の絶縁層に開口部を形成する工程を含むことを特徴とする請求項９記載の配線回路基板の製造方法。

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