JP2009026909A - 配線回路基板およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】複数の導体間でのクロストークの発生を十分に防止できる配線回路基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】サスペンション本体部１０上に第１の絶縁層４１が形成され、第１の絶縁層４１上に書込用配線パターンＷ１および読取用配線パターンＲ１が形成される。配線パターンＷ１，Ｒ１は所定の間隔で並ぶ。第１の絶縁層４１上に配線パターンＷ１，Ｒ１を覆うように第２の絶縁層４２が形成され、第２の絶縁層４２上に第３の絶縁層４３が形成される。第３の絶縁層４３上には、書込用配線パターンＷ１の上方位置に書込用配線パターンＷ２が形成され、読込用配線パターンＲ１の上方位置に読込用配線パターンＲ２が形成される。第３の絶縁層４３上には、配線パターンＷ２，Ｒ２を覆うように第４の絶縁層４４が形成される。第３の絶縁層４３の比誘電率は、第２および第４の絶縁層４２，４４のいずれの比誘電率よりも小さい。
【選択図】図２

Description

本発明は、配線回路基板およびその製造方法に関する。

ハードディスクドライブ装置等のドライブ装置にはアクチュエータが用いられる。このようなアクチュエータは、回転軸に回転可能に設けられるアームと、アームに取り付けられる磁気ヘッド用のサスペンション基板とを備える。サスペンション基板は、磁気ディスクの所望のトラックに磁気ヘッドを位置決めするための配線回路基板である。

図７は、従来のサスペンション基板の一例を示す縦断面図である。図７のサスペンション基板９００においては、金属基板９０２上に絶縁層９０３が形成されている。絶縁層９０３上には、一対の書込用導体Ｗ１，Ｗ２および一対の読取用導体Ｒ１，Ｒ２が順に並ぶように形成されている。

導体Ｗ１，Ｗ２，Ｒ１，Ｒ２の一端はそれぞれ磁気ヘッド（図示せず）に接続される。また、導体Ｗ１，Ｗ２，Ｒ１，Ｒ２の他端はそれぞれ書込用および読取用の電気回路（図示せず）に電気的に接続されている。

このサスペンション基板９００において、書込用導体Ｗ１，Ｗ２に書き込み電流が流れると、電磁誘導により読取用導体Ｒ１，Ｒ２に誘導起電力が発生する。

ここで、書込用導体Ｗ１，Ｗ２と読取用導体Ｒ１との間の距離は、書込用導体Ｗ１，Ｗ２と読取用導体Ｒ２との間の距離よりも小さい。これにより、読取用導体Ｒ１，Ｒ２に発生する誘導起電力に差が生じる。その結果、読取用導体Ｒ１，Ｒ２に電流が流れる。すなわち、書込用導体Ｗ１，Ｗ２と読取用導体Ｒ１，Ｒ２との間でクロストークが生じる。

そこで、特許文献１では、書込用導体Ｗ１，Ｗ２と読取用導体Ｒ１，Ｒ２との間のクロストークの発生を防止するために、図８に示す配線回路基板が提案されている。

図８は、従来のサスペンション基板の他の例を示す縦断面図である。このサスペンション基板９１０においては、金属基板９０２上に第１の絶縁層９０４が形成されている。第１の絶縁層９０４上には、書込用導体Ｗ２および読取用導体Ｒ２が距離Ｌ１離間するように形成されている。

第１の絶縁層９０４上には、書込用導体Ｗ２および読取用導体Ｒ２を覆うように第２の絶縁層９０５が形成されている。第２の絶縁層９０２上には、読取用導体Ｒ２の上方位置で書込用導体Ｗ１が形成され、書込用導体Ｗ２の上方位置で読取用導体Ｒ１が形成されている。

上下に位置する読取用導体Ｒ１と書込用導体Ｗ２との間の距離、および上下に位置する読取用導体Ｒ２と書込用導体Ｗ１との間の距離は、ともにＬ２である。

上記構成を有する図８の配線回路基板９１０においては、書込用導体Ｗ１，Ｗ２と読取用導体Ｒ１との間の距離が、書込用導体Ｗ１，Ｗ２と読取用導体Ｒ２との間の距離とそれぞれほぼ等しい。これにより、書込用導体Ｗ１，Ｗ２に書き込み電流が流れる場合には、読取用導体Ｒ１，Ｒ２に発生する誘導起電力の大きさがほぼ等しくなると考えられる。

しかしながら、このサスペンション基板９１０においては、読取用導体Ｒ１と書込用導体Ｗ１との間の材料と、読取用導体Ｒ２と書込用導体Ｗ２との間の材料とが異なる。具体的には、読取用導体Ｒ１と書込用導体Ｗ１との間の材料は空気であり、読取用導体Ｒ２と書込用導体Ｗ２との間の材料は絶縁材料である。

この場合、空気と絶縁材料との比誘電率が異なるので、読取用導体Ｒ１と書込用導体Ｗ１との間の寄生容量と、読取用導体Ｒ２と書込用導体Ｗ２との間の寄生容量とが異なる。これにより、書込用導体Ｗ１，Ｗ２の特性インピーダンスが互いに異なり、読取用導体Ｒ１，Ｒ２の特性インピーダンスが互いに異なる。

その結果、書込用導体Ｗ１，Ｗ２に書き込み電流が流れる場合には、読取用導体Ｒ１，Ｒ２の間で電位差が発生し、読取用導体Ｒ１，Ｒ２の間に電流が流れる。したがって、図８のサスペンション基板９１０においても、書込用導体Ｗ１，Ｗ２と読取用導体Ｒ１，Ｒ２との間のクロストークの発生を防止することは困難である。
特開２００４−１３３９８８号公報

図８のサスペンション基板９１０においては、例えば第２の絶縁層９０５上で書込用導体Ｗ１および読取用導体Ｒ１を覆うように第２の絶縁層９０５と同じ比誘電率を有する新たな絶縁層を形成することにより、書込用導体Ｗ１，Ｗ２と読取用導体Ｒ１，Ｒ２との間のクロストークの発生を防止することできると考えられる。

しかしながら、このような構成においても、実際には、書込用導体Ｗ１，Ｗ２と読取用導体Ｒ１，Ｒ２との間のクロストークの発生を十分に防止することができない。

本発明の目的は、複数の信号線路対間でのクロストークの発生を十分に防止できる配線回路基板およびその製造方法を提供することである。

（１）第１の発明に係る配線回路基板は、第１の絶縁層と、第１の絶縁層上に間隔をおいて形成される第１および第２の配線パターンと、第１および第２の配線パターンを覆うように第１の絶縁層上に形成される第２の絶縁層と、第２の絶縁層上に形成される第３の絶縁層と、第３の絶縁層上に形成される第３および第４の配線パターンと、第３および第４の配線パターンを覆うように第３の絶縁層上に形成される第４の絶縁層とを備え、第１の配線パターンと第３の配線パターンとは第３の絶縁層を挟んで対向するように配置され、第２の配線パターンと第４の配線パターンとは第３の絶縁層を挟んで対向するように配置され、第３の絶縁層の比誘電率は第２の絶縁層の比誘電率および第４の絶縁層の比誘電率よりも低く、第１および第３の配線パターンは第１の信号線路対を構成し、第２および第４の配線パターンは第２の信号線路対を構成するものである。

この配線回路基板においては、第１の絶縁層上に間隔をおいて第１および第２の配線パターンが形成され、第１および第２の配線パターンを覆うように第１の絶縁層上に第２の絶縁層が形成される。また、第２の絶縁層上に第３の絶縁層が形成され、第３の絶縁層上に第３および第４の配線パターンを形成され、第３および第４の配線パターンを覆うように第３の絶縁層上に第４の絶縁層が形成される。

ここで、第１および第３の配線パターンが第１の信号線路対を構成する。第１の配線パターンと第３の配線パターンとは、第２の絶縁層の比誘電率および第４の絶縁層の比誘電率よりも低い比誘電率を有する第３の絶縁層を挟んで対向するように配置される。また、第２および第４の配線パターンが第２の信号線路対を構成する。第２の配線パターンと第４の配線パターンとは、第２の絶縁層の比誘電率および第４の絶縁層の比誘電率よりも低い比誘電率を有する第３の絶縁層を挟んで対向するように配置される。

これにより、配線回路基板の使用時には、第１の信号線路対と第２の信号線路対との間のクロストークの発生が十分に防止される。

（２）第２の絶縁層の比誘電率および第４の絶縁層の比誘電率は等しくてもよい。

この場合、第１および第２の配線パターンの特性インピーダンスと、第３および第４の配線パターンの特性インピーダンスとを等しくすることができる。それにより、第１の信号線路対と第２の信号線路対との間のクロストークの発生がより十分に防止される。

（３）第２の絶縁層および第４の絶縁層は、高誘電率材料を含む樹脂により形成されてもよい。

この場合、高誘電率材料の添加量を調整することにより、第２の絶縁層および第４の絶縁層の比誘電率を、容易に第３の絶縁層の比誘電率よりも高くすることができる。その結果、配線回路基板の製造が容易となる。

（４）高誘電率材料はチタン酸バリウムを含んでもよい。この場合、チタン酸バリウムを用いることにより、第２および第４の絶縁層の比誘電率を第３の絶縁層の比誘電率よりも容易に高くすることができる。

（５）配線回路基板は、長尺状の金属基板と、金属基板に設けられ、信号の読み書きを行うためのヘッド部とをさらに備え、第１の絶縁層は、金属基板上に形成され、第１、第２、第３および第４の配線パターンは、ヘッド部に電気的に接続されてもよい。

この場合、配線回路基板をハードディスクドライブ装置等のドライブ装置のサスペンション基板として用いることができる。

そして、第１の信号線路対を構成する第１および第３の配線パターン、および第２の信号線路対を構成する第２および第４の配線パターンにより、磁気ディスクに対する情報の書込みおよび読込みを行うことができる。

これにより、第１の信号線路対と第２の信号線路対との間のクロストークの発生が十分に防止されるので、書込み時および読込み時にエラーが発生することが確実に防止される。

（６）第２の発明に係る配線回路基板の製造方法は、第１の絶縁層上に間隔をおいて第１および第２の配線パターンを形成する工程と、第１および第２の配線パターンを覆うように第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成する工程と、第２の絶縁層上に第３の絶縁層を形成する工程と、第３の絶縁層上に第３および第４の配線パターンを形成する工程と、第３および第４の配線パターンを覆うように第３の絶縁層上に第４の絶縁層を形成する工程とを備え、第３および第４の配線パターンを形成する工程は、第１の配線パターンと第３の配線パターンとが第３の絶縁層を挟んで対向するように第３の配線パターンを配置する工程と、第２の配線パターンと第４の配線パターンとが第３の絶縁層を挟んで対向するように第４の配線パターンを配置する工程とを含み、第３の絶縁層の比誘電率は第２の絶縁層の比誘電率および第４の絶縁層の比誘電率よりも低く、第１および第３の配線パターンは第１の信号線路対を構成し、第２および第４の配線パターンは第２の信号線路対を構成してもよい。

この発明に係る配線回路基板の製造方法においては、第１の絶縁層上に間隔をおいて第１および第２の配線パターンが形成され、第１および第２の配線パターンを覆うように第１の絶縁層上に第２の絶縁層が形成される。また、第２の絶縁層上に第３の絶縁層が形成され、第３の絶縁層上に第３および第４の配線パターンを形成され、第３および第４の配線パターンを覆うように第３の絶縁層上に第４の絶縁層が形成される。

ここで、第１および第３の配線パターンは第３の絶縁層を挟んで互いに対向するように配置され、第２および第４の配線パターンは第３の絶縁層を挟んで互いに対向するように配置される。

このようにして作製された配線回路基板においては、第１および第３の配線パターンが第１の信号線路対を構成する。第１の配線パターンと第３の配線パターンとは、第２の絶縁層の比誘電率および第４の絶縁層の比誘電率よりも低い比誘電率を有する第３の絶縁層を挟んで対向するように配置される。また、第２および第４の配線パターンが第２の信号線路対を構成する。第２の配線パターンと第４の配線パターンとは、第２の絶縁層の比誘電率および第４の絶縁層の比誘電率よりも低い比誘電率を有する第３の絶縁層を挟んで対向するように配置される。

これにより、配線回路基板の使用時には、第１の信号線路対と第２の信号線路対との間のクロストークの発生が十分に防止される。

本発明によれば、複数の信号線路対間でのクロストークの発生を十分に防止することができる。

［１］実施の形態
以下、本発明の一実施の形態に係る配線回路基板およびその製造方法について図面を参照しながら説明する。以下、本発明の一実施の形態に係る配線回路基板の一例として、ハードディスクドライブ装置のアクチュエータに用いられるサスペンション基板の構造およびその作製方法について説明する。

（１−１）サスペンション基板の構造
図１は本発明の一実施の形態に係るサスペンション基板の上面図であり、図２は図１のサスペンション基板１のＡ−Ａ線縦断面図である。

図１に示すように、サスペンション基板１は、金属製の長尺状基板により形成されるサスペンション本体部１０を備える。サスペンション本体部１０上には、太い実線で示すように、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２が形成されている。

サスペンション本体部１０の先端部には、Ｕ字状の開口部１１を形成することにより磁気ヘッド搭載部（以下、タング部と呼ぶ）１２が設けられている。タング部１２は、サスペンション本体部１０に対して所定の角度をなすように破線Ｒの箇所で折り曲げ加工される。タング部１２の端部には４つの電極パッド２１，２２，２３，２４が形成されている。

サスペンション本体部１０の他端部には４つの電極パッド３１，３２，３３，３４が形成されている。タング部１２上の電極パッド２１〜２４とサスペンション本体部１０の他端部の電極パッド３１〜３４とは、それぞれ配線パターンＷ１，Ｗ２，Ｒ１，Ｒ２により電気的に接続されている。また、サスペンション本体部１０には複数の孔部Ｈが形成されている。

サスペンション基板１において、複数の配線パターンＷ１，Ｗ２，Ｒ１，Ｒ２の形成領域には、各配線パターンＷ１，Ｗ２，Ｒ１，Ｒ２を覆うように、複数の層からなる絶縁層４０が形成されている。

図２に示すように、絶縁層４０は、第１、第２、第３および第４の絶縁層４１，４２，４３，４４からなる。サスペンション本体部１０上には第１の比誘電率を有する第１の絶縁層４１が形成されている。

第１の絶縁層４１上には、図示しない磁気ディスクに対して情報の書込みを行うための書込用配線パターンＷ１、および磁気ディスクに対して情報の読み取りを行うための読取用配線パターンＲ１が形成されている。書込用配線パターンＷ１および読取用配線パターンＲ１は、所定の間隔で互いに平行に並んでいる。

さらに、第１の絶縁層４１上には、書込用配線パターンＷ１および読取用配線パターンＲ１を覆うように、第２の比誘電率を有する第２の絶縁層４２が形成されている。

第２の絶縁層４２上には、第３の比誘電率を有する第３の絶縁層４３が形成されている。

第３の絶縁層４３上には、書込用配線パターンＷ１の上方位置に書込用配線パターンＷ２が形成され、読込用配線パターンＲ１の上方位置に読込用配線パターンＲ２が形成されている。

さらに、第３の絶縁層４３上には、書込用配線パターンＷ２および読取用配線パターンＲ２を覆うように、第４の比誘電率を有する第４の絶縁層４４が形成されている。

サスペンション基板１を備える図示しないハードディスク装置においては、磁気ディスクに対する情報の書込み時に一対の書込用配線パターンＷ１，Ｗ２に電流が流れる。また、磁気ディスクに対する情報の読込み時に一対の読込用配線パターンＲ１，Ｒ２に電流が流れる。

本実施の形態において、第１、第２および第４の比誘電率はほぼ等しい。これに対して、第３の比誘電率は第１、第２および第４のいずれの比誘電率よりも小さい。

（１−２）サスペンション基板の製造
サスペンション基板１の製造方法を説明する。以下では、図１のタング部１２、電極パッド２１〜２４，３１〜３４、および孔部Ｈの形成工程についての説明は省略する。

図３および図４は、本発明の一実施の形態に係るサスペンション基板１の製造工程を示す縦断面図である。初めに、図３（ａ）に示すように、ステンレス鋼（ＳＵＳ）からなる長尺状基板をサスペンション本体部１０として用意する。そして、サスペンション本体部１０上に主としてポリイミド樹脂からなる第１の絶縁層４１を形成する。

サスペンション本体部１０としては、ステンレス鋼に代えてアルミニウム（Ａｌ）等の他の材料からなる長尺状基板を用いてもよい。サスペンション本体部１０の厚みｔ１は例えば５μｍ以上５０μｍ以下であり、１０μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましい。第１の絶縁層４１の厚みｔ２は例えば３μｍ以上２０μｍ以下であり、５μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。

第１の絶縁層４１は、例えばポリイミド樹脂に高い比誘電率を有するチタン酸バリウムを添加して分散させることにより形成する。ポリイミド樹脂へのチタン酸バリウムの添加量を調整することにより、第１の絶縁層４１の第１の比誘電率を調整することができる。

本実施の形態において、第１の比誘電率は例えば２以上１２以下であり、３以上８以下であることが好ましい。第１の絶縁層４１には、ポリイミド樹脂に代えてエポキシ樹脂を用いてもよい。また、チタン酸バリウムに代えて、チタン酸鉛等の他のチタン酸塩、ジルコン酸バリウム等のジルコン酸塩、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等の他の高誘電率物質を用いてもよい。

続いて、図３（ｂ）に示すように、第１の絶縁層４１上に銅（Ｃｕ）からなる書込用配線パターンＷ１および読取用配線パターンＲ１を形成する。書込用配線パターンＷ１および読取用配線パターンＲ１は所定の間隔で互いに平行となるように形成する。

書込用配線パターンＷ１および読取用配線パターンＲ１は、例えばセミアディティブ法を用いて形成してもよく、サブトラクティブ法等の他の方法を用いて形成してもよい。

書込用配線パターンＷ１および読取用配線パターンＲ１は、銅に限らず、金（Ａｕ）、アルミニウム等の他の金属、または銅合金、アルミニウム合金等の合金を用いて形成することができる。

書込用配線パターンＷ１および読取用配線パターンＲ１の厚みｔ３は例えば３μｍ以上１６μｍ以下であり、６μｍ以上１３μｍ以下であることが好ましい。書込用配線パターンＷ１および読取用配線パターンＲ１の幅ｓ１，ｓ２は例えば５μｍ以上３０μｍ以下であり、１０μｍ以上２５μｍ以下であることが好ましい。

書込用配線パターンＷ１と読取用配線パターンＲ１との間の間隔ｄ１は、例えば５μｍ以上１００μｍ以下であり、１０μｍ以上６０μｍ以下であることが好ましい。

上記構成において、第１の絶縁層４１と書込用配線パターンＷ１との間および第１の絶縁層４１と読取用配線パターンＲ１との間にそれぞれ金属薄膜を形成してもよい。この場合、第１の絶縁層４１と書込用配線パターンＷ１との密着性および第１の絶縁層４１と読取用配線パターンＲ１との密着性が向上される。

その後、図３（ｃ）に示すように、書込用配線パターンＷ１および読取用配線パターンＲ１を覆うように第１の絶縁層４１上に、第１の絶縁層４１と同じ材料からなる第２の絶縁層４２を形成する。

第２の絶縁層４２の厚みｔ４は例えば４μｍ以上２０μｍ以下であり、７μｍ以上１７μｍ以下であることが好ましい。また、書込用配線パターンＷ１および読取用配線パターンＲ１の上面から第２の絶縁層４２の上面までの厚みｈ１は、例えば１μｍ以上５μｍ以下である。

上述のように、第２の絶縁層４２は第１の絶縁層４１と同じ材料により形成する。したがって、第２の比誘電率は、第１の比誘電率と同じである。第１の絶縁層４１と第２の絶縁層４２とが異なる絶縁材料により形成されてもよい。

次に、図３（ｄ）に示すように、第２の絶縁層４２上に主としてポリイミド樹脂からなる第３の絶縁層４３を形成する。第１の絶縁層４１と異なり、第３の絶縁層４３にはポリイミド樹脂にチタン酸バリウムを添加しない。これにより、第３の比誘電率が第１の比誘電率よりも小さくなる。

本実施の形態において、第３の比誘電率は例えば１．５以上５以下であり、２以上４以下であることが好ましい。第３の絶縁層４３には、ポリイミド樹脂に代えてエポキシ樹脂を用いてもよい。

第３の絶縁層４３にも、ポリイミド樹脂に高い比誘電率を有するチタン酸バリウムを添加してもよいが、チタン酸バリウムの添加量は第１の絶縁層４１におけるチタン酸バリウムの添加量よりも少なくする。

第３の絶縁層４３の厚みｔ５は例えば４μｍ以上２０μｍ以下であり、６μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。

図４（ｅ）に示すように、第３の絶縁層４３上に銅からなる書込用配線パターンＷ２および読取用配線パターンＲ２を形成する。ここで、書込用配線パターンＷ２および読取用配線パターンＲ２は、それぞれ書込用配線パターンＷ１および読取用配線パターンＲ１の上方位置に形成する。

これにより、書込用配線パターンＷ１の上面と書込用配線パターンＷ２の下面とが対向し、読取用配線パターンＲ１の上面と読取用配線パターンＲ２の下面とが対向する。

書込用配線パターンＷ２および読取用配線パターンＲ２は、第１の絶縁層４１と同様にして形成する。書込用配線パターンＷ２および読取用配線パターンＲ２は、銅に限らず、金（Ａｕ）、アルミニウム等の他の金属、または銅合金、アルミニウム合金等の合金を用いて形成することができる。

書込用配線パターンＷ２および読取用配線パターンＲ２の厚みｔ６は例えば３μｍ以上１６μｍ以下であり、６μｍ以上１３μｍ以下であることが好ましい。書込用配線パターンＷ２および読取用配線パターンＲ２の幅ｓ３，ｓ４は例えば５μｍ以上３０μｍ以下であり、１０μｍ以上２５μｍ以下であることが好ましい。

書込用配線パターンＷ２と読取用配線パターンＲ２との間の間隔ｄ２は、例えば５μｍ以上１００μｍ以下であり、１０μｍ以上６０μｍ以下であることが好ましい。

第３の絶縁層４３と書込用配線パターンＷ２との間および第３の絶縁層４３と読取用配線パターンＲ２との間にそれぞれ金属薄膜を形成してもよい。この場合、第３の絶縁層４３と書込用配線パターンＷ２との密着性および第３の絶縁層４３と読取用配線パターンＲ２との密着性が向上される。

最後に、図４（ｆ）に示すように、書込用配線パターンＷ２および読取用配線パターンＲ２を覆うように第３の絶縁層４３上に、第１の絶縁層４１とほぼ同じ材料からなる第４の絶縁層４４を形成する。

第４の絶縁層４４の厚みｔ７は例えば４μｍ以上２０μｍ以下であり、７μｍ以上１７μｍ以下であることが好ましい。また、書込用配線パターンＷ２および読取用配線パターンＲ２の上面から第４の絶縁層４４の上面までの厚みｈ２は、例えば１μｍ以上５μｍ以下である。

第４の絶縁層４４は第１の絶縁層４１と同じ材料により形成される。したがって、第４の比誘電率は、第１の比誘電率と同じである。なお、第４の絶縁層４４と第１の絶縁層４１とが異なる絶縁材料により形成されてもよい。

上記のように、サスペンション本体部１０上に複数の配線パターンＷ１，Ｗ２，Ｒ１，Ｒ２および絶縁層４０を形成することにより、サスペンション基板１が完成する。

サスペンション基板１においては、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の幅ｓ１，ｓ３が互いに等しく、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２の幅ｓ２，ｓ４も互いに等しい。

書込用配線パターンＷ１および読取用配線パターンＲ１の幅ｓ１，ｓ２は互いに等しくてもよいし、異なってもよい。書込用配線パターンＷ２と読取用配線パターンＲ２との幅ｓ３，ｓ４も互いに等しくてもよいし、異なってもよい。

（１−３）効果
本実施の形態に係るサスペンション基板１においては、書込用配線パターンＷ１の上面と、書込用配線パターンＷ２の下面とが第３の絶縁層４３を挟んで対向する。また、読取用配線パターンＲ１の上面と、読取用配線パターンＲ２の下面とが第３の絶縁層４３を挟んで対向する。そして、第３の絶縁層４３の第３の比誘電率は、第１、第２および第４のいずれの比誘電率よりも小さい。

これにより、サスペンション基板１の使用時には、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２と読取用配線パターンＲ１，Ｒ２との間のクロストークの発生が十分に防止される。

したがって、サスペンション基板１を備える図示しないハードディスク装置においては、磁気ディスクに対する情報の書込み時および読込み時にエラーが発生することが確実に防止される。

（１−４） 請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。

上記実施の形態においては、書込用配線パターンＷ１が第１の配線パターンの例であり、読取用配線パターンＲ１が第２の配線パターンの例であり、書込用配線パターンＷ２が第３の配線パターンの例であり、読取用配線パターンＲ２が第４の配線パターンの例であり、サスペンション本体部１０が金属基板の例であり、タング部１２がヘッド部の例である。

請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。

［２］実施例
本発明者は、実施例に係るサスペンション基板１および比較例１〜３に係るサスペンション基板を作製した。

（２−１）実施例
上記実施の形態において説明したサスペンション基板１の製造方法に基づいて実施例に係るサスペンション基板１を作製した。図５は、実施例のサスペンション基板１を示す縦断面図である。

図５に示される実施例のサスペンション基板１においては、サスペンション本体部１０としてＳＵＳ３０４からなる長尺状基板を用いた。第１〜第４の絶縁層４１〜４４は主としてポリイミド樹脂により形成した。第１〜第４の絶縁層４１〜４４のうち、第１、第２および第４の絶縁層４１，４２，４４には、ポリイミド樹脂にチタン酸バリウムを１０体積％添加して分散させた。これにより、第１、第２および第４の絶縁層４１，４２，４４の第１、第２および第４の比誘電率を５に調整した。

一方、第３の絶縁層４３においては、ポリイミド樹脂にチタン酸バリウムを添加しなかった。第３の絶縁層４３の第３の比誘電率は３．２である。

サスペンション本体部１０の厚みｔ１は２０μｍであり、第１、第２、第３および第４の絶縁層４１，４２，４３，４４の厚みｔ２，ｔ４，ｔ５，ｔ７は、それぞれ１０μｍ、１１μｍ、１０μｍおよび１４μｍである。

書込用配線パターンＷ１および読取用配線パターンＲ１の厚みｔ３は１０μｍであり、書込用配線パターンＷ１および読取用配線パターンＲ１の幅ｓ１，ｓ２はともに１５μｍである。書込用配線パターンＷ１と読取用配線パターンＲ１との間の間隔ｄ１は４０μｍである。また、書込用配線パターンＷ１および読取用配線パターンＲ１の上面から第２の絶縁層４２の上面までの厚みｈ１は１μｍである。

書込用配線パターンＷ２および読取用配線パターンＲ２の厚みｔ６は１０μｍであり、書込用配線パターンＷ２および読取用配線パターンＲ２の幅ｓ３，ｓ４はともに１５μｍである。書込用配線パターンＷ２と読取用配線パターンＲ２との間の間隔ｄ２は４０μｍである。また、書込用配線パターンＷ２および読取用配線パターンＲ２の上面から第４の絶縁層４４の上面までの厚みｈ２は４μｍである。

（２−２）比較例１
図６（ａ）は、比較例１のサスペンション基板を示す縦断面図である。比較例１のサスペンション基板１Ａは、第３の絶縁層４３を形成せず、第２の絶縁層４２の厚みｔ４を２１μｍとしたことを除き、実施例のサスペンション基板１と同様に作製した。

（２−３）比較例２
図６（ｂ）は、比較例２のサスペンション基板を示す縦断面図である。比較例２のサスペンション基板１Ｂは、書込用配線パターンＷ２および読取用配線パターンＲ２の配置を変更したことを除き、比較例１のサスペンション基板１Ａと同様に作製した。

本例のサスペンション基板１Ｂにおいては、書込用配線パターンＷ１の上方位置に読取用配線パターンＲ２が形成され、読取用配線パターンＲ１の上方位置に書込用配線パターンＷ２が形成されている。

（２−４）比較例３
図６（ｃ）は、比較例３のサスペンション基板を示す縦断面図である。比較例３のサスペンション基板１Ｃは、書込用配線パターンＷ２および読取用配線パターンＲ２の配置を変更したことを除き、実施例のサスペンション基板１と同様に作製した。

本例のサスペンション基板１Ｃにおいては、書込用配線パターンＷ１の上方位置に読取用配線パターンＲ２が形成され、読取用配線パターンＲ１の上方位置に書込用配線パターンＷ２が形成されている。

（２−５）評価
実施例および比較例１〜３のサスペンション基板１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃのそれぞれの書込用配線パターンＷ１，Ｗ２に２００ＭＨｚの高周波デジタル信号を入力した。

この場合、実施例のサスペンション基板１においては、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２と読取用配線パターンＲ１，Ｒ２との間にクロストークが発生せず、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２にはほとんど電位差が生じなかった。

一方、比較例１のサスペンション基板１Ａにおいては、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２と読取用配線パターンＲ１，Ｒ２との間にクロストークが発生し、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２に電位差が生じた。比較例１のサスペンション基板１Ａにおいては、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２に、入力した高周波デジタル信号の約１／１０の電位差が生じた。

比較例２のサスペンション基板１Ｂにおいては、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２と読取用配線パターンＲ１，Ｒ２との間にクロストークが発生し、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２に電位差が生じた。比較例２のサスペンション基板１Ｂにおいては、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２に、入力した高周波デジタル信号の約１／５の電位差が生じた。

比較例３のサスペンション基板１Ｃにおいては、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２と読取用配線パターンＲ１，Ｒ２との間にクロストークが発生し、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２に電位差が生じた。特に、比較例３のサスペンション基板１Ｃにおいては、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２に、入力した高周波デジタル信号の約１／５の電位差が生じた。

これにより、書込用配線パターンＷ１の上面と書込用配線パターンＷ２の下面とを誘電率の低い第３の絶縁層４３を挟んで対向させ、読取用配線パターンＲ１の上面と読取用配線パターンＲ２の下面とを誘電率の低い第３の絶縁層４３を挟んで対向させることにより、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２間および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２間でのクロストークの発生を十分に防止できることが明らかとなった。

本発明は、種々の電気機器または電子機器等に利用することができる。

本発明の一実施の形態に係るサスペンション基板の平面図である。 図１のサスペンション基板のＡ−Ａ線縦断面図である。 本発明の一実施の形態に係るサスペンション基板の製造工程を示す図である。 本発明の一実施の形態に係るサスペンション基板の製造工程を示す図である。 実施例のサスペンション基板を示す縦断面図である。 比較例のサスペンション基板を示す縦断面図である。 従来のサスペンション基板の一例を示す縦断面図である。 従来のサスペンション基板の他の例を示す縦断面図である。

符号の説明

１ サスペンション基板
１０ サスペンション本体部
１２ タング部
４１ 第１の絶縁層
４２ 第２の絶縁層
４３ 第３の絶縁層
４４ 第４の絶縁層
Ｗ１，Ｗ２ 書込用配線パターン
Ｒ１，Ｒ２ 読取用配線パターン

Claims (6)

1. 第１の絶縁層と、
   前記第１の絶縁層上に間隔をおいて形成される第１および第２の配線パターンと、
   前記第１および第２の配線パターンを覆うように前記第１の絶縁層上に形成される第２の絶縁層と、
   前記第２の絶縁層上に形成される第３の絶縁層と、
   前記第３の絶縁層上に形成される第３および第４の配線パターンと、
   前記第３および第４の配線パターンを覆うように前記第３の絶縁層上に形成される第４の絶縁層とを備え、
   前記第１の配線パターンと前記第３の配線パターンとは前記第３の絶縁層を挟んで対向するように配置され、前記第２の配線パターンと前記第４の配線パターンとは前記第３の絶縁層を挟んで対向するように配置され、
   前記第３の絶縁層の比誘電率は前記第２の絶縁層の比誘電率および前記第４の絶縁層の比誘電率よりも低く、
   前記第１および第３の配線パターンは第１の信号線路対を構成し、前記第２および第４の配線パターンは第２の信号線路対を構成することを特徴とする配線回路基板。
2. 前記第２の絶縁層の比誘電率および第４の絶縁層の比誘電率は等しいことを特徴とする請求項１記載の配線回路基板。
3. 前記第２の絶縁層および第４の絶縁層は、高誘電率材料を含む樹脂により形成されることを特徴とする請求項１または２記載の配線回路基板。
4. 高誘電率材料はチタン酸バリウムを含むことを特徴とする請求項３記載の配線回路基板。
5. 長尺状の金属基板と、
   前記金属基板に設けられ、信号の読み書きを行うためのヘッド部とをさらに備え、
   前記第１の絶縁層は、前記金属基板上に形成され、
   前記第１、第２、第３および第４の配線パターンは、前記ヘッド部に電気的に接続されることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の配線回路基板。
6. 第１の絶縁層上に間隔をおいて第１および第２の配線パターンを形成する工程と、
   前記第１および第２の配線パターンを覆うように前記第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成する工程と、
   前記第２の絶縁層上に第３の絶縁層を形成する工程と、
   前記第３の絶縁層上に第３および第４の配線パターンを形成する工程と、
   前記第３および第４の配線パターンを覆うように前記第３の絶縁層上に第４の絶縁層を形成する工程とを備え、
   前記第３および第４の配線パターンを形成する工程は、前記第１の配線パターンと前記第３の配線パターンとが前記第３の絶縁層を挟んで対向するように前記第３の配線パターンを配置する工程と、前記第２の配線パターンと前記第４の配線パターンとが前記第３の絶縁層を挟んで対向するように前記第４の配線パターンを配置する工程とを含み、
   前記第３の絶縁層の比誘電率は前記第２の絶縁層の比誘電率および前記第４の絶縁層の比誘電率よりも低く、
   前記第１および第３の配線パターンは第１の信号線路対を構成し、前記第２および第４の配線パターンは第２の信号線路対を構成することを特徴とする配線回路基板の製造方法。

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