JP5091719B2 - 配線回路基板 - Google Patents

Description

本発明は、配線回路基板に関する。

ハードディスクドライブ装置等のドライブ装置にはアクチュエータが用いられる。このようなアクチュエータは、回転軸に回転可能に設けられるアームと、アームに取り付けられる磁気ヘッド用のサスペンション基板とを備える。サスペンション基板は、磁気ディスクの所望のトラックに磁気ヘッドを位置決めするための配線回路基板である。

図６は、従来のサスペンション基板の一例を示す縦断面図である。図６のサスペンション基板９００においては、金属基板９０２上に絶縁層９０３が形成されている。絶縁層９０３上には、一対の書込用導体Ｗ１，Ｗ２および一対の読取用導体Ｒ１，Ｒ２が順に並ぶように形成されている。

導体Ｗ１，Ｗ２，Ｒ１，Ｒ２の一端はそれぞれ磁気ヘッド（図示せず）に接続される。また、導体Ｗ１，Ｗ２，Ｒ１，Ｒ２の他端はそれぞれ書込用および読取用の電気回路（図示せず）に電気的に接続されている。

このサスペンション基板９００において、書込用導体Ｗ１，Ｗ２に書込み電流が流れると、電磁誘導により読取用導体Ｒ１，Ｒ２に誘導起電力が発生する。

ここで、書込用導体Ｗ１，Ｗ２と読取用導体Ｒ１との間の距離は、書込用導体Ｗ１，Ｗ２と読取用導体Ｒ２との間の距離よりも小さい。これにより、読取用導体Ｒ１，Ｒ２に発生する誘導起電力に差が生じる。その結果、読取用導体Ｒ１，Ｒ２に電流が流れる。すなわち、書込用導体Ｗ１，Ｗ２と読取用導体Ｒ１，Ｒ２との間でクロストークが生じる。

そこで、特許文献１では、書込用導体Ｗ１，Ｗ２と読取用導体Ｒ１，Ｒ２との間のクロストークの発生を防止するために、図７に示す配線回路基板が提案されている。

図７は、従来のサスペンション基板の他の例を示す縦断面図である。このサスペンション基板９１０においては、金属基板９０２上に第１の絶縁層９０４が形成されている。第１の絶縁層９０４上には、書込用導体Ｗ２および読取用導体Ｒ２が距離Ｌ１離間するように形成されている。

第１の絶縁層９０４上には、書込用導体Ｗ２および読取用導体Ｒ２を覆うように第２の絶縁層９０５が形成されている。第２の絶縁層９０５上には、読取用導体Ｒ２の上方位置で書込用導体Ｗ１が形成され、書込用導体Ｗ２の上方位置で読取用導体Ｒ１が形成されている。

上下に位置する読取用導体Ｒ１と書込用導体Ｗ２との間の距離、および上下に位置する読取用導体Ｒ２と書込用導体Ｗ１との間の距離は、ともにＬ２である。

上記構成を有する図７のサスペンション基板９１０においては、書込用導体Ｗ１，Ｗ２と読取用導体Ｒ１との間の距離が、書込用導体Ｗ１，Ｗ２と読取用導体Ｒ２との間の距離とそれぞれほぼ等しい。これにより、書込用導体Ｗ１，Ｗ２に書込み電流が流れる場合には、読取用導体Ｒ１，Ｒ２に発生する誘導起電力の大きさがほぼ等しくなると考えられる。
特開２００４−１３３９８８号公報

ところで、図６および図７に示すサスペンション基板９００，９１０においては、導体Ｗ１，Ｗ２，Ｒ１，Ｒ２のインピーダンスは、導体Ｗ１，Ｗ２，Ｒ１，Ｒ２と金属基板９０２との間の結合容量の大きさによって変化する。

ここで、図７のサスペンション基板９１０においては、書込用導体Ｗ１および金属基板９０２の間の距離と書込用導体Ｗ２および金属基板９０２の間の距離とが異なる。また、読取用導体Ｒ１および金属基板９０２の間の距離と読取用導体Ｒ２および金属基板９０２の間の距離とが異なる。

この場合、書込用導体Ｗ１および金属基板９０２の間の結合容量と書込用導体Ｗ２および金属基板９０２の間の結合容量とが異なる。また、読取用導体Ｒ１および金属基板９０２の間の結合容量と読取用導体Ｒ２および金属基板９０２の間の結合容量とが異なる。

そのため、サスペンション基板９１０の構成では、書込用導体Ｗ１と書込用導体Ｗ２とでインピーダンスに差が生じ、読取用導体Ｒ１と読取用導体Ｒ２とでインピーダンスに差が生じる。それにより、書込用導体Ｗ１，Ｗ２による差動信号の伝送エラーおよび読取用導体Ｒ１，Ｒ２による差動信号の伝送エラーが発生するおそれがある。

本発明の目的は、信号の伝送エラーの発生を十分に防止できる配線回路基板を提供することである。

（１）第１の発明に係る配線回路基板は、導電性基板と、導電性基板上に形成される第１の絶縁層と、第１の絶縁層上に形成される第１の配線パターンと、第１の配線パターンを覆うように第１の絶縁層上に形成される第２の絶縁層と、第２の絶縁層上に形成される第２の配線パターンと、第２の配線パターンの一方側において第２の配線パターンに対して間隔をおいて第２の絶縁層上に形成される第１のグランドパターンと、第２の配線パターンの他方側において第２の配線パターンに対して間隔をおいて第２の絶縁層上に形成される第２のグランドパターンと、第２の配線パターン、および第１のグランドパターンおよび第２のグランドパターンを覆うように第２の絶縁層上に形成される第３の絶縁層とを備え、第１の配線パターンと第２の配線パターンとは第２の絶縁層を挟んで対向するように配置され、第１および第２の配線パターンは第１の信号線路対を構成し、第２の配線パターンの一方の側面と第１のグランドパターンの一方の側面とは、第３の絶縁層の部分を挟んで互いに対向し、第２の配線パターンの他方の側面と第２のグランドパターンの一方の側面とは、第３の絶縁層の部分を挟んで互いに対向し、第１および第２の配線パターンの下方における導電性基板の領域に開口部が形成されたものである。

この配線回路基板においては、導電性基板上に第１の絶縁層が形成され、第１の絶縁層上に第１の配線パターンが形成される。また、第１の配線パターンを覆うように第１の絶縁層上に第２の絶縁層が形成され、第２の絶縁層上に第２の配線パターンが形成される。また、第２の配線パターンの一方側において第２の配線パターンに対して間隔をおいて第２の絶縁層上に第１のグランドパターンが形成され、第２の配線パターンの他方側において第２の配線パターンに対して間隔をおいて、第２の絶縁層上に第２のグランドパターンが形成される。そして、第２の配線パターン、第１のグランドパターンおよび第２のグランドパターンを覆うように第２の絶縁層上に第３の絶縁層が形成される。第１の配線パターンの下方における導電性基板の領域には開口部が形成される。このような構成において、第１および第２の配線パターンにより第１の信号線路対が構成される。

ここで、この配線回路基板においては、導電性基板と第１の配線パターンとの間の距離が導電性基板と第２の配線パターンとの間の距離に比べて小さくなるので、導電性基板に対する第１の配線パターンの静電容量が導電性基板に対する第２の配線パターンの静電容量よりも大きくなる。

一方、第１のグランドパターンと第１の配線パターンとの間の距離は第１のグランドパターンと第２の配線パターンとの間の距離に比べて大きいので、第１のグランドパターンに対する第１の配線パターンの静電容量は、第１のグランドパターンに対する第２の配線パターンの静電容量よりも小さくなる。また、第２のグランドパターンと第１の配線パターンとの間の距離は第２のグランドパターンと第２の配線パターンとの間の距離に比べて大きいので、第２のグランドパターンに対する第１の配線パターンの静電容量は、第２のグランドパターンに対する第２の配線パターンの静電容量よりも小さくなる。

この場合、導電性基板に対して第１の配線パターンと第２の配線パターンとの間で生じる静電容量の差を、第１のグランドパターンに対して第１の配線パターンと第２の配線パターンとの間で生じる静電容量の差および第２のグランドパターンに対して第１の配線パターンと第２の配線パターンとの間で生じる静電容量の差によって相殺することができる。それにより、第１の配線パターンのインピーダンスと第２の配線パターンのインピーダンスとを同等の値にすることができる。

また、この配線回路基板においては、第１および第２の配線パターンの下方における導電性基板の領域に開口部が形成されている。

この場合、第２の配線パターンと導電性基板との間の距離に対して第１の配線パターンと導電性基板との間の距離が小さくなり過ぎることを防止することができる。それにより、導電性基板に対する第１の配線パターンの静電容量が導電性基板に対する第２の配線パターンの静電容量に比べて大きくなり過ぎることを防止することができる。その結果、上述した第１および第２のグランドパターンの効果により、第１の配線パターンのインピーダンスと第２の配線パターンのインピーダンスとを容易に同等の値にすることができる。

以上の結果、第１の信号線路対の不平衡による信号の伝送エラーが発生することを十分に防止することができる。
また、第２の配線パターンの両側にグランドパターンが形成されるので、第１の信号線路対と他の信号線路対との間にクロストークが発生することを防止することができる。

（２）第１の配線パターンの幅および第２の配線パターンの幅が略等しくてもよい。

この場合、導電性基板に対する第１の配線パターンの静電容量と導電性基板に対する第２の配線パターンの静電容量とを容易に同等の値にすることができる。したがって、第１の配線パターンのインピーダンスと第２の配線パターンのインピーダンスとを容易に同等の値にすることができる。
（３）第２の発明に係る配線回路基板は、導電性基板と、導電性基板上に形成される第１の絶縁層と、第１の絶縁層上に形成される第１の配線パターンと、第１の配線パターンに対して間隔をおいて第１の絶縁層上に形成される第２の配線パターンと、第１の配線パターンおよび第２の配線パターンを覆うように第１の絶縁層上に形成される第２の絶縁層と、第２の絶縁層上に形成される第３の配線パターンと、第３の配線パターンに対して間隔をおいて第２の絶縁層上に形成される第４の配線パターンと、第２の絶縁層上において第３の配線パターンに関して第４の配線パターンと反対側に、第３の配線パターンに対して間隔をおいて形成される第１のグランドパターンと、第２の絶縁層上において第４の配線パターンに関して第３の配線パターンと反対側に、第４の配線パターンに対して間隔をおいて形成される第２のグランドパターンと、第３の配線パターン、第４の配線パターン、第１のグランドパターンおよび第２のグランドパターンを覆うように第２の絶縁層上に形成される第３の絶縁層とを備え、第１の配線パターンと第３の配線パターンとは第２の絶縁層を挟んで対向するように配置され、第２の配線パターンと第４の配線パターンとは第２の絶縁層を挟んで対向するように配置され、第１および第３の配線パターンは第１の信号線路対を構成し、第２および第４の配線パターンは第２の信号線路対を構成し、第３の配線パターンの一方の側面と第１のグランドパターンの一方の側面とは、第３の絶縁層の部分を挟んで互いに対向し、第４の配線パターンの一方の側面と第２のグランドパターンの一方の側面とは、第３の絶縁層の部分を挟んで互いに対向し、第１および第３の配線パターンの下方における導電性基板の領域に開口部が形成されたものである。
この配線回路基板においては、導電性基板上に第１の絶縁層が形成され、第１の絶縁層上に第１の配線パターンおよび第２の配線パターンが形成される。また、第１の配線パターンおよび第２の配線パターンを覆うように第１の絶縁層上に第２の絶縁層が形成される。第２の絶縁層上に第３の配線パターンおよび第４の配線パターンが形成される。また、第２の絶縁層上において第３の配線パターンに関して第４の配線パターンと反対側に、第３の配線パターンに対して間隔をおいて第１のグランドパターンが形成され、第２の絶縁層上において第４の配線パターンに関して第３の配線パターンと反対側に、第４の配線パターンに対して間隔をおいて第２のグランドパターンが形成される。そして、第３の配線パターン、第４の配線パターン、第１のグランドパターンおよび第２のグランドパターンを覆うように第２の絶縁層上に第３の絶縁層が形成される。第１および第３の配線パターンの下方における導電性基板の領域には開口部が形成される。このような構成において、第１および第３の配線パターンにより第１の信号線路対が構成され、第２および第４の配線パターンにより第２の信号線路対が構成される。
ここで、この配線回路基板においては、導電性基板と第１の配線パターンとの間の距離が導電性基板と第３の配線パターンとの間の距離に比べて小さくなるので、導電性基板に対する第１の配線パターンの静電容量が導電性基板に対する第３の配線パターンの静電容量よりも大きくなる。また、導電性基板と第２の配線パターンとの間の距離が導電性基板と第４の配線パターンとの間の距離に比べて小さくなるので、導電性基板に対する第２の配線パターンの静電容量が導電性基板に対する第４の配線パターンの静電容量よりも大きくなる。
一方、第１のグランドパターンと第１の配線パターンとの間の距離は第１のグランドパターンと第３の配線パターンとの間の距離に比べて大きいので、第１のグランドパターンに対する第１の配線パターンの静電容量は、第１のグランドパターンに対する第３の配線パターンの静電容量よりも小さくなる。また、第２のグランドパターンと第２の配線パターンとの間の距離は第２のグランドパターンと第４の配線パターンとの間の距離に比べて大きいので、第２のグランドパターンに対する第２の配線パターンの静電容量は、第２のグランドパターンに対する第４の配線パターンの静電容量よりも小さくなる。
この場合、導電性基板に対して第１の配線パターンと第３の配線パターンとの間で生じる静電容量の差を、第１のグランドパターンに対して第１の配線パターンと第３の配線パターンとの間で生じる静電容量の差によって相殺することができる。それにより、第１の配線パターンのインピーダンスと第３の配線パターンのインピーダンスとを同等の値にすることができる。また、導電性基板に対して第２の配線パターンと第４の配線パターンとの間で生じる静電容量の差を、第２のグランドパターンに対して第２の配線パターンと第４の配線パターンとの間で生じる静電容量の差によって相殺することができる。それにより、第２の配線パターンのインピーダンスと第４の配線パターンのインピーダンスとを同等の値にすることができる。
また、この配線回路基板においては、第１および第３の配線パターンの下方における導電性基板の領域に開口部が形成されている。
この場合、第３の配線パターンと導電性基板との間の距離に対して第１の配線パターンと導電性基板との間の距離が小さくなり過ぎることを防止することができる。それにより、導電性基板に対する第１の配線パターンの静電容量が導電性基板に対する第３の配線パターンの静電容量に比べて大きくなり過ぎることを防止することができる。また、第４の配線パターンと導電性基板との間の距離に対して第２の配線パターンと導電性基板との間の距離が小さくなり過ぎることを防止することができる。それにより、導電性基板に対する第２の配線パターンの静電容量が導電性基板に対する第４の配線パターンの静電容量に比べて大きくなり過ぎることを防止することができる。その結果、上述した第１および第２のグランドパターンの効果により、第１の配線パターンのインピーダンスと第３の配線パターンのインピーダンスとを容易に同等の値にすることができ、第２の配線パターンのインピーダンスと第４の配線パターンのインピーダンスとを容易に同等の値にすることができる。
以上の結果、第１の信号線路対の不平衡による信号の伝送エラーおよび第２の信号線路対の不平衡による信号の伝送エラーが発生することを十分に防止することができる。
また、第１の信号線路対および第２の信号線路対を用いて異なる情報を示す信号を伝送することができる。

（４）第１の配線パターンの幅および第２の配線パターンの幅が略等しく、第３の配線パターンの幅および第４の配線パターンの幅が略等しくてもよい。

（５）第２の絶縁層上において第３の配線パターンと第４の配線パターンとの間に形成される第３のグランドパターンをさらに備えてもよい。

（６）配線回路基板は、導電性基板に設けられ、信号の読み書きを行うためのヘッド部をさらに備え、第１、第２、第３および第４の配線パターンは、ヘッド部に電気的に接続されてもよい。

この場合、配線回路基板をハードディスクドライブ装置等のドライブ装置のサスペンション基板として用いることができる。

そして、第１の信号線路対を構成する第１および第２の配線パターン、および第２の信号線路対を構成する第３および第４の配線パターンにより、磁気ディスクに対する情報の書込みおよび読取りを行うことができる。

この場合、第１の信号線路対の不平衡による信号の伝送エラーおよび第２の信号線路対の不平衡による信号の伝送エラーの発生が十分に防止されているので、書込み時および読取り時にエラーが発生することが確実に防止される。

本発明によれば、信号の伝送エラーの発生を防止することができる。

以下、本発明の実施の形態に係る配線回路基板およびその製造方法について図面を参照しながら説明する。以下、本発明の実施の形態に係る配線回路基板の一例として、ハードディスクドライブ装置のアクチュエータに用いられるサスペンション基板の構造およびその作製方法について説明する。

＜第１の実施の形態＞
（１−１）サスペンション基板の構造
図１は本発明の第１の実施の形態に係るサスペンション基板の上面図であり、図２は図１のサスペンション基板１の縦断面図である。なお、図２において、（ａ）は図１のＡ−Ａ線矢視断面図を示し、（ｂ）はＢ−Ｂ線矢視断面図を示し、（Ｃ）はＣ−Ｃ線矢視断面図を示す。

図１に示すように、サスペンション基板１は、金属製の長尺状基板により形成されるサスペンション本体部１０を備える。サスペンション本体部１０上には、太い実線で示すように、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２が形成されている。

サスペンション本体部１０の先端部には、Ｕ字状の開口部１１を形成することにより磁気ヘッド搭載部（以下、タング部と呼ぶ）１２が設けられている。タング部１２は、サスペンション本体部１０に対して所定の角度をなすように破線Ｒの箇所で折り曲げ加工される。タング部１２の端部には４つの電極パッド２１，２２，２３，２４が形成されている。

サスペンション本体部１０の他端部には４つの電極パッド３１，３２，３３，３４が形成されている。タング部１２上の電極パッド２１〜２４とサスペンション本体部１０の他端部の電極パッド３１〜３４とは、それぞれ配線パターンＷ１，Ｗ２，Ｒ１，Ｒ２により電気的に接続されている。また、サスペンション本体部１０には複数の孔部Ｈが形成されている。

サスペンション基板１において、複数の配線パターンＷ１，Ｗ２，Ｒ１，Ｒ２の形成領域には、各配線パターンＷ１，Ｗ２，Ｒ１，Ｒ２を覆うように、複数の層からなる絶縁層４０が形成されている。

図２に示すように、配線パターンＷ１，Ｗ２，Ｒ１，Ｒ２の下方におけるサスペンション本体部１０の領域には、長尺状の開口部１０ａが形成されている。絶縁層４０は、第１、第２および第３の絶縁層４１，４２，４３からなる。サスペンション本体部１０上には第１の絶縁層４１が形成されている。

第１の絶縁層４１上には、図示しない磁気ディスクに対して情報の書込みを行うための書込用配線パターンＷ１、および磁気ディスクに対して情報の読取りを行うための読取用配線パターンＲ１が形成されている。書込用配線パターンＷ１および読取用配線パターンＲ１は、所定の間隔で互いに平行に並んでいる。なお、配線パターンＷ１，Ｒ１は、開口部１０ａの上方の領域に設けられる。

第１の絶縁層４１上には、書込用配線パターンＷ１および読取用配線パターンＲ１を覆うように第２の絶縁層４２が形成されている。

第２の絶縁層４２上には、書込用配線パターンＷ１の上方位置に書込用配線パターンＷ２が形成され、読込用配線パターンＲ１の上方位置に読込用配線パターンＲ２が形成されている。

また、第２の絶縁層４２上において、書込用配線パターンＷ２の一方側にグランドパターンＧ１が形成され、読込用配線パターンＲ２の一方側にグランドパターンＧ２が形成されている。書込用配線パターンＷ２およびグランドパターンＧ１は、所定の間隔で互いに平行に並んでいる。また、読込用配線パターンＲ２およびグランドパターンＧ２は、所定の間隔で互いに平行に並んでいる。

第２の絶縁層４２上には、配線パターンＷ２，Ｒ２およびグランドパターンＧ１，Ｇ２を覆うように第３の絶縁層４３が形成されている。

サスペンション基板１を備える図示しないハードディスク装置においては、磁気ディスクに対する情報の書込み時に一対の書込用配線パターンＷ１，Ｗ２に電流が流れる。また、磁気ディスクに対する情報の読取り時に一対の読込用配線パターンＲ１，Ｒ２に電流が流れる。

（１−２）サスペンション基板の製造
サスペンション基板１の製造方法を説明する。以下では、図１のタング部１２、電極パッド２１〜２４，３１〜３４、および孔部Ｈの形成工程についての説明は省略する。また、以下では、簡便のために、図１のＡ−Ａ線矢視断面図に示される領域を例に挙げて説明するが、図１のＢ−Ｂ線矢視断面図およびＣ−Ｃ線矢視断面図に示される領域についても同様の工程により形成される。

図３および図４は、本実施の形態に係るサスペンション基板１の製造工程を示す縦断面図である。初めに、図３（ａ）に示すように、ステンレス鋼（ＳＵＳ）からなる長尺状基板をサスペンション本体部１０として用意する。そして、サスペンション本体部１０上に主としてポリイミド樹脂からなる第１の絶縁層４１を形成する。

サスペンション本体部１０としては、ステンレス鋼に代えてアルミニウム（Ａｌ）等の他の金属材料からなる長尺状基板を用いてもよい。サスペンション本体部１０の厚みｔ１は例えば５μｍ以上５０μｍ以下であり、１０μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましい。第１の絶縁層４１の厚みｔ２は例えば３μｍ以上２０μｍ以下であり、５μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。

続いて、図３（ｂ）に示すように、第１の絶縁層４１上に銅（Ｃｕ）からなる書込用配線パターンＷ１および読取用配線パターンＲ１を形成する。書込用配線パターンＷ１および読取用配線パターンＲ１は所定の間隔で互いに平行となるように形成する。

書込用配線パターンＷ１および読取用配線パターンＲ１は、例えばセミアディティブ法を用いて形成してもよく、サブトラクティブ法等の他の方法を用いて形成してもよい。

書込用配線パターンＷ１および読取用配線パターンＲ１は、銅に限らず、金（Ａｕ）、アルミニウム等の他の金属、または銅合金、アルミニウム合金等の合金を用いて形成することができる。

書込用配線パターンＷ１および読取用配線パターンＲ１の厚みｔ３は例えば３μｍ以上１６μｍ以下であり、６μｍ以上１３μｍ以下であることが好ましい。書込用配線パターンＷ１および読取用配線パターンＲ１の幅ｓ１，ｓ２は例えば５μｍ以上４０μｍ以下であり、１０μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましい。

書込用配線パターンＷ１と読取用配線パターンＲ１との間の間隔ｄ１は、例えば５μｍ以上１００μｍ以下であり、１０μｍ以上６０μｍ以下であることが好ましい。

上記構成において、第１の絶縁層４１と書込用配線パターンＷ１との間および第１の絶縁層４１と読取用配線パターンＲ１との間にそれぞれ金属薄膜を形成してもよい。この場合、第１の絶縁層４１と書込用配線パターンＷ１との密着性および第１の絶縁層４１と読取用配線パターンＲ１との密着性が向上される。

その後、図３（ｃ）に示すように、書込用配線パターンＷ１および読取用配線パターンＲ１を覆うように第１の絶縁層４１上に主としてポリイミド樹脂からなる第２の絶縁層４２を形成する。

第２の絶縁層４２の厚みｔ４は例えば４μｍ以上２０μｍ以下であり、７μｍ以上１７μｍ以下であることが好ましい。また、書込用配線パターンＷ１および読取用配線パターンＲ１の上面から第２の絶縁層４２の上面までの厚みｈ１は、例えば１μｍ以上５μｍ以下である。

次に、図４（ｄ）に示すように、第２の絶縁層４２上に銅からなる書込用配線パターンＷ２、読取用配線パターンＲ２、グランドパターンＧ１およびグランドパターンＧ２を形成する。ここで、書込用配線パターンＷ２および読取用配線パターンＲ２は、それぞれ書込用配線パターンＷ１および読取用配線パターンＲ１の上方位置に形成する。

これにより、書込用配線パターンＷ１の上面と書込用配線パターンＷ２の下面とが対向し、読取用配線パターンＲ１の上面と読取用配線パターンＲ２の下面とが対向する。

なお、グランドパターンＧ１は書込用配線パターンＷ２に対して平行に並ぶように形成し、グランドパターンＧ２は読込用配線パターンＲ１に対して平行に並ぶように形成する。

配線パターンＷ２，Ｒ２およびグランドパターンＧ１，Ｇ２は、配線パターンＷ１，Ｒ１と同様にして形成する。配線パターンＷ２，Ｒ２およびグランドパターンＧ１，Ｇ２は、銅に限らず、金（Ａｕ）、アルミニウム等の他の金属、または銅合金、アルミニウム合金等の合金を用いて形成することができる。

配線パターンＷ２，Ｒ２およびグランドパターンＧ１，Ｇ２の厚みｔ５は例えば３μｍ以上１６μｍ以下であり、６μｍ以上１３μｍ以下であることが好ましい。書込用配線パターンＷ２および読取用配線パターンＲ２の幅ｓ３，ｓ４は例えば５μｍ以上４０μｍ以下であり、１０μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましい。グランドパターンＧ１およびグランドパターンＧ２の幅ｓ５，ｓ６は例えば５μｍ以上５０μｍ以下であり、１０μｍ以上４０μｍ以下であることが好ましい。なお、配線パターンＷ２，Ｒ２の厚みとグランドパターンＧ１，Ｇ２の厚みとが異なっていてもよく、等しくてもよい。

書込用配線パターンＷ２と読取用配線パターンＲ２との間の間隔ｄ２は、例えば５μｍ以上１００μｍ以下であり、１０μｍ以上６０μｍ以下であることが好ましい。

書込用配線パターンＷ２とグランドパターンＧ１との間の間隔ｄ３および読込用配線パターンＲ２とグランドパターンＧ２との間の間隔ｄ４は、例えば１０μｍ以上２００μｍ以下であり、２０μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。

第２の絶縁層４２と書込用配線パターンＷ２との間、第２の絶縁層４２と読取用配線パターンＲ２との間、第２の絶縁層４２とグランドパターンＧ１との間、第２の絶縁層４２とグランドパターンＧ２との間にそれぞれ金属薄膜を形成してもよい。この場合、第２の絶縁層４２と配線パターンＷ２，Ｒ２との密着性および第２の絶縁層４２とグランドパターンＧ１，Ｇ２との密着性が向上される。

次に、図４（ｅ）に示すように、配線パターンＷ２，Ｒ２およびグランドパターンＧ１，Ｇ２を覆うように第２の絶縁層４２上に主としてポリイミド樹脂からなる第３の絶縁層４３を形成する。

第３の絶縁層４３の厚みｔ６は例えば４μｍ以上２０μｍ以下であり、７μｍ以上１７μｍ以下であることが好ましい。また、書込用配線パターンＷ２および読取用配線パターンＲ２の上面から第３の絶縁層４３の上面までの厚みｈ２は、例えば１μｍ以上５μｍ以下である。

最後に、図４（ｆ）に示すように、配線パターンＷ１，Ｗ２，Ｒ１，Ｒ２の下の領域を含む所定の領域のサスペンション本体部１０をエッチングにより除去する。これにより、サスペンション基板１が完成する。

なお、サスペンション基板１の幅方向において、開口部１０ａの一方の側面と書込用配線パターンＷ１の一方の側面との間の間隔ｄ５および開口部１０ａの他方の側面と読込用配線パターンＲ１の一方の側面との間の間隔ｄ６は、例えば５μｍ以上１５０μｍ以下であり、１０μｍ以上８０μｍ以下であることが好ましい。

サスペンション基板１においては、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の幅ｓ１，ｓ３が互いに等しく、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２の幅ｓ２，ｓ４も互いに等しい。

書込用配線パターンＷ１および読取用配線パターンＲ１の幅ｓ１，ｓ２は互いに等しくてもよいし、異なってもよい。書込用配線パターンＷ２と読取用配線パターンＲ２との幅ｓ３，ｓ４も互いに等しくてもよいし、異なってもよい。

第１〜第３の絶縁層４１〜４３には、ポリイミド樹脂に代えてエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂等の他の樹脂材料を用いてもよい。

第１〜第３の絶縁層４１〜４３がそれぞれ異なる絶縁材料により形成されてもよく、同じ絶縁材料により形成されてもよい。

（１−３）効果
本実施の形態に係るサスペンション基板１においては、第１の絶縁層４１上に書込用配線パターンＷ１が形成され、第２の絶縁層４２上に書込用配線パターンＷ２が形成されている。また、第２の絶縁層４２上において書込用配線パターンＷ２の一方側にグランドパターンＧ１が形成されている。

この場合、サスペンション本体部１０と書込用配線パターンＷ１との間の距離がサスペンション本体部１０と書込用配線パターンＷ２との間の距離に比べて小さくなるので、サスペンション本体部１０に対する書込用配線パターンＷ１の静電容量がサスペンション本体部１０に対する書込用配線パターンＷ２の静電容量よりも大きくなる。

一方、グランドパターンＧ１と書込用配線パターンＷ１との間の距離はグランドパターンＧ１と書込用配線パターンＷ２との間の距離に比べて大きいので、グランドパターンＧ１に対する書込用配線パターンＷ１の静電容量は、グランドパターンＧ１に対する書込用配線パターンＷ２の静電容量よりも小さくなる。

この場合、サスペンション本体部１０に対して書込用配線パターンＷ１と書込用配線パターンＷ２との間で生じる静電容量の差を、グランドパターンＧ１に対して書込用配線パターンＷ１と書込用配線パターンＷ２との間で生じる静電容量の差によって相殺することができる。それにより、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２により差動信号を伝送する際に、書込用配線パターンＷ１のインピーダンスと書込用配線パターンＷ２のインピーダンスとを同等の値にすることができる。

同様に、第１の絶縁層４１上に読込用配線パターンＲ１が形成され、第２の絶縁層４２上に読込用配線パターンＲ２が形成されている。また、第２の絶縁層４２上において読込用配線パターンＲ２の一方側にグランドパターンＧ２が形成されている。

この場合、上記書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の場合と同様に、サスペンション本体部１０に対して読込用配線パターンＲ１と読込用配線パターンＲ２との間で生じる静電容量の差を、グランドパターンＧ２に対して読込用配線パターンＲ１と読込用配線パターンＲ２との間で生じる静電容量の差によって相殺することができる。それにより、読込用配線パターンＲ１，Ｒ２により差動信号を伝送する際に、読込用配線パターンＲ１のインピーダンスと読込用配線パターンＲ２のインピーダンスとを同等の値にすることができる。

また、本実施の形態に係るサスペンション基板１においては、配線パターンＷ１，Ｗ２，Ｒ１，Ｒ２が形成される領域の下方におけるサスペンション本体部１０の領域に開口部１０ａが形成されている。

この場合、書込用配線パターンＷ２とサスペンション本体部１０との間の距離に対して書込用配線パターンＷ１とサスペンション本体部１０との間の距離が小さくなり過ぎることを防止することができる。それにより、サスペンション本体部１０に対する書込用配線パターンＷ１の静電容量がサスペンション本体部１０に対する書込用配線パターンＷ２の静電容量に比べて大きくなり過ぎることを防止することができる。その結果、上述したグランドパターンＧ１の効果により、書込用配線パターンＷ１のインピーダンスと書込用配線パターンＷ２のインピーダンスとを容易に同等の値にすることができる。

同様に、読込用配線パターンＲ２とサスペンション本体部１０との間の距離に対して読込用配線パターンＲ１とサスペンション本体部１０との間の距離が小さくなり過ぎることを防止することができる。それにより、サスペンション本体部１０に対する読込用配線パターンＲ１の静電容量がサスペンション本体部１０に対する読込用配線パターンＲ２の静電容量に比べて大きくなり過ぎることを防止することができる。その結果、上述したグランドパターンＧ２の効果により、読込用配線パターンＲ１のインピーダンスと読込用配線パターンＲ２のインピーダンスとを容易に同等の値にすることができる。

以上の結果、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の不平衡による差動信号の伝送エラーおよび読込用配線パターンＲ１，Ｒ２の不平衡による差動信号の伝送エラーが発生することを十分に防止することができる。

また、本実施の形態においては、書込用配線パターンＷ１の上方に書込用配線パターンＷ２が配置され、読取用配線パターンＲ１の上方に読取用配線パターンＲ２が配置されている。そのため、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２と読取用配線パターンＲ１との間の距離が、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２と読取用配線パターンＲ２との間の距離とそれぞれほぼ等しい。それにより、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２に書込み電流が流れる場合に、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２に発生する誘導起電力の大きさがほぼ等しくなると考えられる。

これにより、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２と読取用配線パターンＲ１，Ｒ２との間のクロストークの発生が防止される。

これらの結果、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２による信号伝送時および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２による信号伝送時にエラーが発生することを確実に防止することができる。

以上の結果、サスペンション基板１を備える図示しないハードディスク装置においては、磁気ディスクに対する情報の書込み時および読取り時にエラーが発生することが確実に防止される。

＜第２の実施の形態＞
図５は、本発明の第２の実施の形態に係るサスペンション基板を示す縦断面図である。なお、図５において、（ａ）は図１のＡ−Ａ線矢視断面図を示し、（ｂ）はＢ−Ｂ線矢視断面図を示し、（Ｃ）はＣ−Ｃ線矢視断面図を示す。

本実施の形態に係るサスペンション基板２が図２のサスペンション基板１と異なるのは以下の点である。

図５（ａ）に示すように、本実施の形態においては、Ａ−Ａ線矢視断面においては、第３の絶縁層４３上において書込用配線パターンＷ２と読込用配線パターンＲ２との間にグランドパターンＧ３が形成されている。

この場合、グランドパターンＧ３により、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２と読込用配線パターンＲ１，Ｒ２との間のクロストークの発生を十分に防止することができる。

また、図５（ｂ）に示すように、Ｂ−Ｂ矢視断面においては、書込用配線パターンＷ２の他方側にグランドパターンＧ３が形成されている。また、図５（ｃ）に示すように、Ｃ−Ｃ矢視断面においては、読込用配線パターンＲ２の他方側にグランドパターンＧ３が形成されている。

すなわち、本実施の形態においては、書込用配線パターンＷ２の両側にグランドパターンが形成され、読込用配線パターンＲ２の両側にグランドパターンが形成されている。この場合、書込用配線パターンＷ１のインピーダンスと書込用配線パターンＷ２のインピーダンスとを容易に同等の値にすることができる。また、読込用配線パターンＲ１のインピーダンスと読込用配線パターンＲ２のインピーダンスとを容易に同等の値にすることができる。

以上の結果、サスペンション基板１を備える図示しないハードディスク装置においては、磁気ディスクに対する情報の書込み時および読取り時にエラーが発生することがより確実に防止される。

なお、グランドパターンＧ１およびグランドパターンＧ２を形成せずに、グランドパターンＧ３のみを形成してもよい。

＜請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係＞
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。

上記実施の形態においては、サスペンション本体部１０が導電性基板の例であり、図５（ｂ）の書込用配線パターンＷ１または図５（ｃ）の読取用配線パターンＲ１が請求項１，２の第１の配線パターンの例であり、図５（ｂ）の書込用配線パターンＷ２または図５（ｃ）の読取用配線パターンＲ２が請求項１，２の第２の配線パターンの例であり、図５（ｂ）のグランドパターンＧ１，Ｇ３の一方または図５（ｃ）のグランドパターンＧ３，Ｇ２の一方が請求項１の第１のグランドパターンの例であり、図５（ｂ）のグランドパターンＧ１，Ｇ３の他方または図５（ｃ）のグランドパターンＧ３，Ｇ２の他方が請求項１の第２のグランドパターンの例である。また、図２（ａ）および図５（ａ）の書込用配線パターンＷ１および読取用配線パターンＲ１の一方が請求項３，４の第１の配線パターンの例であり、図２（ａ）および図５（ａ）の書込用配線パターンＷ１および読取用配線パターンＲ１の他方が請求項３，４の第２の配線パターンの例であり、図２（ａ）および図５（ａ）の書込用配線パターンＷ２および読取用配線パターンＲ２の一方が請求項３〜５の第３の配線パターンの例であり、図２（ａ）および図５（ａ）の書込用配線パターンＷ２および読取用配線パターンＲ２の他方が請求項３〜５の第４の配線パターンの例であり、図２（ａ）および図５（ａ）のグランドパターンＧ１，Ｇ２の一方が請求項３の第１のグランドパターンの例であり、図２（ａ）および図５（ａ）のグランドパターンＧ１，Ｇ２の他方が請求項３の第２のグランドパターンの例である。さらに、図５（ａ）のグランドパターンＧ３が請求項５の第３のグランドパターンの例であり、タング部１２がヘッド部の例である。

請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。

本発明は、種々の電気機器または電子機器等に利用することができる。

本発明の第１の実施の形態に係るサスペンション基板の平面図である。 図１のサスペンション基板のＡ−Ａ線縦断面図である。 第１の実施の形態に係るサスペンション基板の製造工程を示す図である。 第１の実施の形態に係るサスペンション基板の製造工程を示す図である。 本発明の第２の実施の形態に係るサスペンション基板を示す断面図である。 従来のサスペンション基板の一例を示す縦断面図である。 従来のサスペンション基板の他の例を示す縦断面図である。

符号の説明

１ サスペンション基板
１０ サスペンション本体部
１０ａ 開口部
１２ タング部
４１ 第１の絶縁層
４２ 第２の絶縁層
４３ 第３の絶縁層
Ｗ１，Ｗ２ 書込用配線パターン
Ｒ１，Ｒ２ 読取用配線パターン
Ｇ１〜Ｇ３ グランドパターン

Claims (6)

1. 導電性基板と、
   前記導電性基板上に形成される第１の絶縁層と、
   前記第１の絶縁層上に形成される第１の配線パターンと、
   前記第１の配線パターンを覆うように前記第１の絶縁層上に形成される第２の絶縁層と、
   前記第２の絶縁層上に形成される第２の配線パターンと、
   前記第２の配線パターンの一方側において前記第２の配線パターンに対して間隔をおいて前記第２の絶縁層上に形成される第１のグランドパターンと、
   前記第２の配線パターンの他方側において前記第２の配線パターンに対して間隔をおいて前記第２の絶縁層上に形成される第２のグランドパターンと、
   前記第２の配線パターン、前記第１のグランドパターンおよび前記第２のグランドパターンを覆うように前記第２の絶縁層上に形成される第３の絶縁層とを備え、
   前記第１の配線パターンと前記第２の配線パターンとは前記第２の絶縁層を挟んで対向するように配置され、
   前記第１および第２の配線パターンは第１の信号線路対を構成し、
   前記第２の配線パターンの一方の側面と前記第１のグランドパターンの一方の側面とは、前記第３の絶縁層の部分を挟んで互いに対向し、
   前記第２の配線パターンの他方の側面と前記第２のグランドパターンの一方の側面とは、前記第３の絶縁層の部分を挟んで互いに対向し、
   前記第１および第２の配線パターンの下方における前記導電性基板の領域に開口部が形成されたことを特徴とする配線回路基板。
2. 前記第１の配線パターンの幅および前記第２の配線パターンの幅が略等しいことを特徴とする請求項１記載の配線回路基板。
3. 導電性基板と、
   前記導電性基板上に形成される第１の絶縁層と、
   前記第１の絶縁層上に形成される第１の配線パターンと、
   前記第１の配線パターンに対して間隔をおいて前記第１の絶縁層上に形成される第２の配線パターンと、
   前記第１の配線パターンおよび第２の配線パターンを覆うように前記第１の絶縁層上に形成される第２の絶縁層と、
   前記第２の絶縁層上に形成される第３の配線パターンと、
   前記第３の配線パターンに対して間隔をおいて前記第２の絶縁層上に形成される第４の配線パターンと、
   前記第２の絶縁層上において前記第３の配線パターンに関して前記第４の配線パターンと反対側に、前記第３の配線パターンに対して間隔をおいて形成される第１のグランドパターンと、
   前記第２の絶縁層上において前記第４の配線パターンに関して前記第３の配線パターンと反対側に、前記第４の配線パターンに対して間隔をおいて形成される第２のグランドパターンと、
   前記第３の配線パターン、前記第４の配線パターン、前記第１のグランドパターンおよび前記第２のグランドパターンを覆うように前記第２の絶縁層上に形成される第３の絶縁層とを備え、
   前記第１の配線パターンと前記第３の配線パターンとは前記第２の絶縁層を挟んで対向するように配置され、
   前記第２の配線パターンと前記第４の配線パターンとは前記第２の絶縁層を挟んで対向するように配置され、
   前記第１および第３の配線パターンは第１の信号線路対を構成し、前記第２および第４の配線パターンは第２の信号線路対を構成し、
   前記第３の配線パターンの一方の側面と前記第１のグランドパターンの一方の側面とは、前記第３の絶縁層の部分を挟んで互いに対向し、
   前記第４の配線パターンの一方の側面と前記第２のグランドパターンの一方の側面とは、前記第３の絶縁層の部分を挟んで互いに対向し、
   前記第１および第３の配線パターンの下方における前記導電性基板の領域に開口部が形成されたことを特徴とする配線回路基板。
4. 前記第１の配線パターンの幅および前記第３の配線パターンの幅が略等しく、前記第２の配線パターンの幅および前記第４の配線パターンの幅が略等しいことを特徴とする請求項３記載の配線回路基板。
5. 前記第２の絶縁層上において前記第３の配線パターンと前記第４の配線パターンとの間に形成される第３のグランドパターンをさらに備えることを特徴とする請求項３または４記載の配線回路基板。
6. 前記導電性基板に設けられ、信号の読み書きを行うためのヘッド部をさらに備え、
   前記第１、第２、第３および第４の配線パターンは、前記ヘッド部に電気的に接続されることを特徴とする請求項３〜５のいずれかに記載の配線回路基板。

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