JP2006048800A - 磁気ヘッドスライダ支持装置、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリおよび磁気ディスク装置 - Google Patents

Abstract

【課題】記録素子に接続された配線と再生素子に接続された配線との間でのクロストークを低減する。
【解決手段】磁気ヘッドスライダ支持装置は、スライダ２１０を弾性的に支持するサスペンションとフレキシブル配線板を備えている。サスペンションはロードビームを有し、フレキシブル配線板はロードビームに沿って配置されている。フレキシブル配線板は、スライダ２１０に含まれる記録素子と記録再生処理回路とを接続する配線３０１，３０２と、スライダ２１０に含まれる再生素子と記録再生処理回路とを接続する配線３０３，３０４とを含んでいる。フレキシブル配線板は、更に、配線３０１，３０２によって伝達される記録信号に起因して配線３０３と配線３０４との間に発生する電位差を低減するための寄生容量Ｃ５，Ｃ６を生成する導体部３３１，３３２を含んでいる。
【選択図】図２

Description

本発明は、記録媒体に対向する磁気ヘッドスライダを弾性的に支持する磁気ヘッドスライダ支持装置、およびこの磁気ヘッドスライダ支持装置を含むヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリおよび磁気ディスク装置に関する。

磁気ディスク装置に用いられる薄膜磁気ヘッド素子は、磁気ヘッドスライダ（以下、単にスライダとも記す。）に設けられている。スライダは、サスペンションによって弾性的に支持されて、記録媒体に対向するように配置される。記録媒体が回転すると、記録媒体とスライダとの間を通過する空気流によってスライダに揚力が生じ、スライダは、この揚力によって記録媒体の表面からわずかに浮上するようになっている。

サスペンションは、一般的に、板ばね状のロードビームと、このロードビームの一端部に設けられると共にスライダが接合され、スライダに適度な自由度を与えるフレクシャと、ロードビームの他端部に設けられ、スライダを記録媒体のトラック横断方向に移動させるためのアームに取り付けられる取り付け部とを有している。サスペンションにスライダを取り付けたものはヘッドジンバルアセンブリと呼ばれる。また、１つのアームにヘッドジンバルアセンブリを取り付けたものはヘッドアームアセンブリと呼ばれる。

薄膜磁気ヘッド素子は、記録媒体に情報を記録する記録素子と、記録媒体から情報を再生する再生素子とを有している。磁気ディスク装置は、記録素子と再生素子を制御する記録再生処理回路を備えている。記録素子と記録再生処理回路の間は２本の配線によって接続され、再生素子と記録再生処理回路の間は他の２本の配線によって接続される。これらの合計４本の配線は、サスペンションのロードビームに沿って近接して配置される。そのため、これらの配線間で寄生容量が発生し、この寄生容量を介して、記録素子に接続された配線と再生素子に接続された配線との間でクロストークが発生する可能性がある。

上記クロストークが発生すると、記録信号の大きな電圧変化に伴って、再生素子に接続された配線に比較的大きな電圧が誘起され、この電圧は再生素子に印加される。すると、再生素子におけるエレクトロマイグレーションが加速されて再生素子の寿命が短くなったり、再生素子を構成する各層間での原子の拡散が加速されて再生素子の特性が劣化するといった問題が発生する。この問題は、特に、近年の磁気ディスク装置における高記録密度化に伴って顕著になってきている。その原因の１つは、高記録密度化に伴って薄膜磁気ヘッド素子が小型化され、その結果、再生素子が配置される領域の面積の減少により放熱特性が悪化し、また、再生素子の断面積の減少により再生素子における電流密度が増加していることである。原因の他の１つは、高記録密度化に伴って記録信号の周波数が高くなり、記録信号の電圧の変化が急峻になってきていることである。

特許文献１には、スライダとサスペンションとリードパターンとを有するヘッドジンバルアセンブリにおいて、リードパターンの下方のフレクシャの一部およびロードビームの一部を除去することによって、リードパターンとグランドとの間の寄生容量を低減する技術が記載されている。

特許文献２には、サスペンションに用いられる配線部材における金属基板と導体との間のポリイミド層の厚みや導体の幅を変えることにより、導体間の距離を大きくしてクロストークを低減する技術が記載されている。

特許文献３には、記録素子に接続された２本の配線に、ほぼ対称な波形の電圧を印加することによって、クロストークを抑制する技術が記載されている。

特開２００１−２５６６２７号公報 特開２００３−３０８６６８号公報 特開２００２−１２３９０３号公報

特許文献１に記載された技術では、配線間の寄生容量を低減することはできず、そのため、配線間のクロストークも低減することはできない。

特許文献２に記載された技術では、導体間の距離を大きくすることには限界があり、そのため、クロストークを効果的に低減することは難しい。

特許文献３に記載された技術では、記録素子に接続された一方の配線上に現れる電圧スパイクによって再生素子に接続された配線上に誘起される電圧と、記録素子に接続された他方の配線上に現れる電圧スパイクによって再生素子に接続された配線上に誘起される電圧とを相殺させることを図っている。しかしながら、実際には、記録素子に接続された一方の配線から再生素子に接続された２本の配線までの各距離と、記録素子に接続された他方の配線から再生素子に接続された２本の配線までの各距離とは、互いに異なっている。そのため、記録素子に接続された２本の配線上に現れる電圧スパイクによって再生素子に接続された２本の配線の各々に誘起される電圧は等しくならない。従って、特許文献３に記載された技術によっても、やはりクロストークは発生する。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、記録素子に接続された配線と再生素子に接続された配線との間でのクロストークを低減できるようにした磁気ヘッドスライダ支持装置、およびこの磁気ヘッドスライダ支持装置を含むヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリおよび磁気ディスク装置を提供することにある。

本発明の磁気ヘッドスライダ支持装置は、記録素子と再生素子とを含む磁気ヘッドスライダを、記録媒体に対向するように弾性的に支持するサスペンションと、記録素子に接続され、記録素子に印加される記録信号を伝達する第１および第２の配線と、再生素子に接続され、再生素子より出力される再生信号を伝達する第３および第４の配線とを備えている。サスペンションは、板ばね状のロードビームを有している。第１ないし第４の配線は、それぞれ、ロードビームに沿って配置された部分を含んでいる。本発明の磁気ヘッドスライダ支持装置は、更に、第１ないし第４の配線の他に、第１および第２の配線によって伝達される記録信号に起因して第３の配線と第４の配線との間に発生する電位差を低減するための寄生容量を生成する導体部を備えている。

本発明の磁気ヘッドスライダ支持装置では、第１ないし第４の配線の他に設けられた導体部によって、第１および第２の配線によって伝達される記録信号に起因して第３の配線と第４の配線との間に発生する電位差を低減するための寄生容量が生成される。

本発明の磁気ヘッドスライダ支持装置において、第１ないし第４の配線のうちのロードビームに沿って配置された部分は、第１の配線、第２の配線、第３の配線、第４の配線の順に並べて配置され、磁気ヘッドスライダ支持装置は、導体部として、第２の配線と第４の配線との間に第１の寄生容量を生成する第１の導体部と、第１の配線と第４の配線との間に第２の寄生容量を生成する第２の導体部とを備えていてもよい。

上記の構成の場合には、第２の配線と第３の配線との間の寄生容量をＣ１とし、第１の配線と第３の配線との間の寄生容量をＣ２とし、第１の寄生容量を除いた第２の配線と第４の配線との間の寄生容量をＣ３とし、第２の寄生容量を除いた第１の配線と第４の配線との間の寄生容量をＣ４とし、第１の寄生容量をＣ５とし、第２の寄生容量をＣ６としたとき、Ｃ５＝Ｃ１−Ｃ３およびＣ６＝Ｃ２−Ｃ４が成り立つようにしてもよい。また、第１の導体部は、第４の配線に接続されると共に第２の配線に対して間隔を開けて隣接するように配置され、第２の導体部は、第４の配線に接続されると共に第１の配線に対して間隔を開けて隣接するように配置されていてもよい。

本発明の磁気ヘッドスライダ支持装置において、第１ないし第４の配線のうちのロードビームに沿って配置された部分は、第１の配線、第２の配線、第３の配線、第４の配線の順に並べて配置され、導体部は、第１の配線と第３の配線との間に寄生容量を生成してもよい。

上記の構成の場合には、第２の配線と第３の配線との間の寄生容量をＣ１とし、導体部によって生成される寄生容量を除いた第１の配線と第３の配線との間の寄生容量をＣ２とし、第２の配線と第４の配線との間の寄生容量をＣ３とし、第１の配線と第４の配線との間の寄生容量をＣ４とし、導体部によって生成される寄生容量をＣ７としたとき、Ｃ７＝（Ｃ１−Ｃ２）−（Ｃ３−Ｃ４）が成り立つようにしてもよい。また、導体部は、第３の配線に接続されると共に第１の配線に対して間隔を開けて隣接するように配置されていてもよい。

本発明の磁気ヘッドスライダ支持装置において、第１ないし第４の配線のうちのロードビームに沿って配置された部分は、第１の配線、第２の配線、第３の配線、第４の配線の順に並べて配置され、導体部は、第２の配線と第４の配線との間に寄生容量を生成してもよい。

上記の構成の場合には、第２の配線と第３の配線との間の寄生容量をＣ１とし、第１の配線と第３の配線との間の寄生容量をＣ２とし、導体部によって生成される寄生容量を除いた第２の配線と第４の配線との間の寄生容量をＣ３とし、第１の配線と第４の配線との間の寄生容量をＣ４とし、導体部によって生成される寄生容量をＣ８としたとき、Ｃ８＝（Ｃ１−Ｃ２）−（Ｃ３−Ｃ４）が成り立つようにしてもよい。また、導体部は、第４の配線に接続されると共に第２の配線に対して間隔を開けて隣接するように配置されていてもよい。

本発明のヘッドジンバルアセンブリは、記録素子と再生素子とを含む磁気ヘッドスライダと、本発明の磁気ヘッドスライダ支持装置とを備えたものである。

本発明のヘッドアームアセンブリは、記録素子と再生素子とを含む磁気ヘッドスライダと、本発明の磁気ヘッドスライダ支持装置と、磁気ヘッドスライダを記録媒体のトラック横断方向に移動させるためのアームとを備え、磁気ヘッドスライダ支持装置に含まれるサスペンションがアームに取り付けられているものである。

本発明の第１の磁気ディスク装置は、記録素子と再生素子とを含む磁気ヘッドスライダと、本発明の磁気ヘッドスライダ支持装置と、スライダ支持装置を移動させて、磁気ヘッドスライダを記録媒体に対して位置決めする位置決め装置と、スライダ支持装置に含まれる第１および第２の配線を介して記録素子に記録信号を印加すると共に、スライダ支持装置に含まれる第３および第４の配線を介して再生素子より出力される再生信号が入力される記録再生処理回路とを備えたものである。

本発明の第２の磁気ディスク装置は、記録素子と再生素子とを含む磁気ヘッドスライダと、本発明の磁気ヘッドスライダ支持装置と、スライダ支持装置を移動させて、磁気ヘッドスライダを記録媒体に対して位置決めする位置決め装置と、スライダ支持装置に含まれる第１および第２の配線を介して記録素子に記録信号を印加すると共に、スライダ支持装置に含まれる第３および第４の配線を介して再生素子より出力される再生信号が入力される記録再生処理回路とを備え、記録再生処理回路は、第１の配線と第２の配線に、記録信号として非対称な波形の電圧を印加するものである。

本発明の第３の磁気ディスク装置は、記録素子と再生素子とを含む磁気ヘッドスライダと、本発明の磁気ヘッドスライダ支持装置と、スライダ支持装置を移動させて、磁気ヘッドスライダを記録媒体に対して位置決めする位置決め装置と、スライダ支持装置に含まれる第１および第２の配線を介して記録素子に記録信号を印加すると共に、スライダ支持装置に含まれる第３および第４の配線を介して再生素子より出力される再生信号が入力される記録再生処理回路とを備え、記録再生処理回路は、第１の配線と第２の配線に、記録信号として実質的に対称な波形の電圧を印加するものである。なお、実質的に対称とは、両波形の振幅の差が、一方の波形の振幅の１０％以下の場合を含む。

本発明の磁気ヘッドスライダ支持装置、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリまたは磁気ディスク装置では、第１ないし第４の配線の他に設けられた導体部によって、第１および第２の配線によって伝達される記録信号に起因して第３の配線と第４の配線との間に発生する電位差を低減するための寄生容量が生成される。これにより、本発明によれば、記録素子に接続された配線と再生素子に接続された配線との間でのクロストークを低減することができるという効果を奏する。

［第１の実施の形態］
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。始めに、図５を参照して、本発明の第１の実施の形態に係るヘッドジンバルアセンブリに含まれる磁気ヘッドスライダ（以下、単にスライダと記す。）について説明する。本実施の形態に係る磁気ディスク装置において、スライダ２１０は、回転駆動される円盤状の記録媒体に対向するように配置される。このスライダ２１０は、基体２１１を備えている。基体２１１は、ほぼ六面体形状をなしている。基体２１１の六面のうちの一面は、記録媒体に対向するようになっている。この一面には、エアベアリング面２０が形成されている。記録媒体が図５におけるＺ方向に回転すると、記録媒体とスライダ２１０との間を通過する空気流によって、スライダ２１０に、図５におけるＹ方向の下方に揚力が生じる。スライダ２１０は、この揚力によって記録媒体の表面から浮上するようになっている。なお、図５におけるＸ方向は、記録媒体のトラック横断方向である。基体２１１の空気流出側の端部（図５における左下の端部）の近傍であって、且つエアベアリング面２０の近傍には、薄膜磁気ヘッド素子１００が設けられている。また、基体２１１の空気流出側の面には、４つの端子２９１，２９２，２９３，２９４が設けられている。

次に、図６を参照して、本実施の形態に係るヘッドジンバルアセンブリ２２０について説明する。ヘッドジンバルアセンブリ２２０は、スライダ２１０と、このスライダ２１０を、記録媒体２６２に対向するように弾性的に支持するサスペンション２２１とを備えている。サスペンション２２１は、例えばステンレス鋼によって形成された板ばね状のロードビーム２２２、このロードビーム２２２の一端部に設けられると共にスライダ２１０が接合され、スライダ２１０に適度な自由度を与えるフレクシャ２２３と、ロードビーム２２２の他端部に設けられたベースプレート２２４とを有している。フレクシャ２２３において、スライダ２１０が取り付けられる部分には、スライダ２１０の姿勢を一定に保つためのジンバル部が設けられている。ベースプレート２２４は、スライダ２１０を記録媒体２６２のトラック横断方向Ｘに移動させるためのアクチュエータのアーム２３０に取り付けられるようになっている。アクチュエータは、アーム２３０と、このアーム２３０を駆動するボイスコイルモータとを有している。アクチュエータは、本発明における位置決め装置に対応し、ヘッドジンバルアセンブリ２２０を移動させて、スライダ２１０を記録媒体２６２に対して位置決めする。

１つのアーム２３０にヘッドジンバルアセンブリ２２０を取り付けたものはヘッドアームアセンブリと呼ばれる。また、複数のアームを有するキャリッジの各アームにヘッドジンバルアセンブリ２２０を取り付けたものはヘッドスタックアセンブリと呼ばれる。

図６は、ヘッドアームアセンブリの一例を示している。このヘッドアームアセンブリでは、アーム２３０の一端部にヘッドジンバルアセンブリ２２０が取り付けられている。アーム２３０の他端部には、ボイスコイルモータの一部となるコイル２３１が取り付けられている。アーム２３０の中間部には、アーム２３０を回動自在に支持するための軸２３４に取り付けられる軸受け部２３３が設けられている。

次に、図７および図８を参照して、ヘッドスタックアセンブリの一例と本実施の形態に係る磁気ディスク装置について説明する。図７は磁気ディスク装置の要部を示す説明図、図８は磁気ディスク装置の平面図である。ヘッドスタックアセンブリ２５０は、複数のアーム２５２を有するキャリッジ２５１を有している。複数のアーム２５２には、複数のヘッドジンバルアセンブリ２２０が、互いに間隔を開けて垂直方向に並ぶように取り付けられている。キャリッジ２５１においてアーム２５２とは反対側には、ボイスコイルモータの一部となるコイル２５３が取り付けられている。ヘッドスタックアセンブリ２５０は、磁気ディスク装置に組み込まれる。磁気ディスク装置は、スピンドルモータ２６１に取り付けられた複数枚の記録媒体２６２を有している。各記録媒体２６２毎に、記録媒体２６２を挟んで対向するように２つのスライダ２１０が配置される。また、ボイスコイルモータは、ヘッドスタックアセンブリ２５０のコイル２５３を挟んで対向する位置に配置された永久磁石２６３を有している。キャリッジ２５１およびボイスコイルモータは、アクチュエータを構成する。アクチュエータは、本発明における位置決め装置に対応し、ヘッドジンバルアセンブリ２２０を移動させて、スライダ２１０を記録媒体２６２に対して位置決めする。

本実施の形態に係る磁気ディスク装置では、アクチュエータによって、スライダ２１０を記録媒体２６２のトラック横断方向に移動させて、スライダ２１０を記録媒体２６２に対して位置決めする。スライダ２１０に含まれる薄膜磁気ヘッド素子は、記録素子によって、記録媒体２６２に情報を記録し、再生素子によって、記録媒体２６２に記録されている情報を再生する。

なお、磁気ディスク装置は、ヘッドスタックアセンブリ２５０の代わりに、図５に示したヘッドアームアセンブリを備えていてもよい。

本実施の形態に係る磁気ヘッドスライダ支持装置は、サスペンション２２１と、後述する配線および導体部を備えている。本実施の形態に係るヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリおよび磁気ディスク装置も、上記配線および導体部を含んでいる。配線および導体部については、後で詳しく説明する。

次に、図９および図１０を参照して、スライダ２１０に含まれる薄膜磁気ヘッド素子１００の構成および製造方法について説明する。図９は薄膜磁気ヘッド素子１００のエアベアリング面および基板に垂直な断面を示す断面図、図１０は薄膜磁気ヘッド素子１００の磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示す断面図である。

この薄膜磁気ヘッド素子１００の製造方法では、まず、アルティック（Ａｌ₂Ｏ₃・ＴｉＣ）等のセラミック材料よりなる基板１の上に、スパッタリング法等によって、アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）等の絶縁材料よりなる絶縁層２を、例えば１〜５μｍの厚さに形成する。次に、絶縁層２の上に、スパッタリング法またはめっき法等によって、パーマロイ（ＮｉＦｅ）等の磁性材料よりなる再生素子用の下部シールド層３を、例えば約３μｍの厚さに形成する。

次に、下部シールド層３の上に、スパッタリング法等によって、絶縁材料よりなる下部シールドギャップ膜４を、例えば１０〜２００ｎｍの厚さに形成する。次に、下部シールドギャップ膜４の上に、再生用のＭＲ（磁気抵抗効果）素子５と、図示しない一対のバイアス磁界印加層と、一対の電極層６を、それぞれ、例えば数十ｎｍの厚さに形成する。次に、下部シールドギャップ膜４およびＭＲ素子５の上に、スパッタリング法等によって、絶縁材料よりなる上部シールドギャップ膜７を、例えば１０〜２００ｎｍの厚さに形成する。

次に、上部シールドギャップ膜７の上に、磁性材料からなり、記録素子の下部磁極層を兼ねた再生素子の上部シールド層８を、例えば３〜４μｍの厚さに形成する。なお、上部シールド層８に用いる磁性材料は、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＮｉ、ＦｅＮ等の軟磁性材料である。上部シールド層８は、スパッタリング法またはめっき法等によって形成される。なお、上部シールド層８の代わりに、上部シールド層と、この上部シールド層の上にスパッタリング法等によって形成されたアルミナ等の非磁性材料よりなる分離層と、この分離層の上に形成された下部磁極層とを設けてもよい。

次に、上部シールド層８の上に、スパッタリング法等によって、アルミナ等の非磁性材料よりなる記録ギャップ層９を、例えば５０〜３００ｎｍの厚さに形成する。次に、磁路形成のために、後述する薄膜コイル１０の中心部分において、記録ギャップ層９を部分的にエッチングしてコンタクトホール９ａを形成する。

次に、記録ギャップ層９の上に、例えば銅（Ｃｕ）よりなる薄膜コイル１０の第１層部分１０Ａを、例えば２〜３μｍの厚さに形成する。薄膜コイル１０は、この第１層部分１０Ａと、後述する第２層部分１０Ｂとを有している。なお、図９において、符号１０Ａａは、第１層部分１０Ａのうち、第２層部分１０Ｂに接続される接続部を表している。第１層部分１０Ａは、コンタクトホール９ａの周囲に巻回される。

次に、第１層部分１０Ａおよびその周辺の記録ギャップ層９を覆うように、フォトレジスト等の、加熱時に流動性を有する有機絶縁材料よりなる絶縁層１１を所定のパターンに形成する。次に、絶縁層１１の表面を平坦にするために所定の温度で熱処理する。この熱処理により、絶縁層１１の外周および内周の各端縁部分は、丸みを帯びた斜面形状となる。

次に、絶縁層１１のうちの後述するエアベアリング面２０側の斜面部分からエアベアリング面２０側にかけての領域において、記録ギャップ層９および絶縁層１１の上に、記録素子用の磁性材料によって、上部磁極層１２のトラック幅規定層１２ａを形成する。上部磁極層１２は、このトラック幅規定層１２ａと、後述する連結部分層１２ｂおよびヨーク部分層１２ｃとで構成される。

トラック幅規定層１２ａは、記録ギャップ層９の上に形成され、上部磁極層１２の磁極部分となる先端部と、絶縁層１１のエアベアリング面２０側の斜面部分の上に形成され、ヨーク部分層１２ｃに接続される接続部とを有している。先端部の幅は記録トラック幅と等しくなっている。接続部の幅は、先端部の幅よりも大きくなっている。

トラック幅規定層１２ａを形成する際には、同時に、コンタクトホール９ａの上に磁性材料よりなる連結部分層１２ｂを形成すると共に、接続部１０Ａａの上に磁性材料よりなる接続層１３を形成する。連結部分層１２ｂは、上部磁極層１２のうち、上部シールド層８に磁気的に連結される部分を構成する。

次に、磁極トリミングを行う。すなわち、トラック幅規定層１２ａの周辺領域において、トラック幅規定層１２ａをマスクとして、記録ギャップ層９および上部シールド層８の磁極部分における記録ギャップ層９側の少なくとも一部をエッチングする。これにより、図１０に示したように、上部磁極層１２の磁極部分、記録ギャップ層９および上部シールド層８の磁極部分の少なくとも一部の各幅が揃えられたトリム（Trim）構造が形成される。このトリム構造によれば、記録ギャップ層９の近傍における磁束の広がりによる実効的なトラック幅の増加を防止することができる。

次に、全体に、アルミナ等の無機絶縁材料よりなる絶縁層１４を、例えば３〜４μｍの厚さに形成する。次に、この絶縁層１４を、例えば化学機械研磨によって、トラック幅規定層１２ａ、連結部分層１２ｂおよび接続層１３の表面に至るまで研磨して平坦化する。

次に、平坦化された絶縁層１４の上に、例えば銅（Ｃｕ）よりなる第２層部分１０Ｂを、例えば２〜３μｍの厚さに形成する。なお、図９において、符号１０Ｂａは、第２層部分１０Ｂのうち、接続層１３を介して第１層部分１０Ａの接続部１０Ａａに接続される接続部を表している。第２層部分１０Ｂは、連結部分層１２ｂの周囲に巻回される。

次に、第２層部分１０Ｂおよびその周辺の絶縁層１４を覆うように、フォトレジスト等の、加熱時に流動性を有する有機絶縁材料よりなる絶縁層１６を所定のパターンに形成する。次に、絶縁層１６の表面を平坦にするために所定の温度で熱処理する。この熱処理により、絶縁層１６の外周および内周の各端縁部分は、丸みを帯びた斜面形状となる。

次に、トラック幅規定層１２ａ、絶縁層１４，１６および連結部分層１２ｂの上に、パーマロイ等の記録素子用の磁性材料によって、上部磁極層１２のヨーク部分を構成するヨーク部分層１２ｃを形成する。ヨーク部分層１２ｃのエアベアリング面２０側の端部は、エアベアリング面２０から離れた位置に配置されている。また、ヨーク部分層１２ｃは、連結部分層１２ｂを介して上部シールド層８に接続されている。

次に、全体を覆うように、例えばアルミナよりなるオーバーコート層１７を形成する。次に、このオーバーコート層１７の上面に、端子２９１〜２９４を形成する。最後に、エアベアリング面２０を形成して、薄膜磁気ヘッド素子１００を含むスライダ２１０が完成する。スライダ２１０の基体２１１は、主に基板１およびオーバーコート層１７によって構成される。

このようにして製造される薄膜磁気ヘッド素子１００は、記録素子１０１と再生素子１０２とを備えている。記録素子１０１は、エアベアリング面２０側において互いに対向する磁極部分を含むと共に、互いに磁気的に連結された下部磁極層（上部シールド層８）および上部磁極層１２と、この下部磁極層の磁極部分と上部磁極層１２の磁極部分との間に設けられた記録ギャップ層９と、少なくとも一部が下部磁極層および上部磁極層１２の間に、これらに対して絶縁された状態で配設された薄膜コイル１０とを有している。

この薄膜磁気ヘッド素子１００では、図９に示したように、エアベアリング面２０から、絶縁層１１のエアベアリング面２０側の端部までの長さが、スロートハイトＴＨとなる。なお、スロートハイトとは、エアベアリング面２０から、２つの磁極層の間隔が開き始める位置までの長さ（高さ）をいう。

再生素子１０２は、エアベアリング面２０の近傍に配置されたＭＲ素子５と、エアベアリング面２０側の一部がＭＲ素子５を挟んで対向するように配置された、ＭＲ素子５をシールドするための下部シールド層３および上部シールド層８とを有している。

薄膜コイル１０の各端部は、それぞれ図５に示した端子２９１，２９２に接続されている。ＭＲ素子５の各端部は、それぞれ電極層６を介して、図５に示した端子２９３，２９４に接続されている。

この薄膜磁気ヘッド素子１００は、記録素子１０１によって記録媒体２６２に情報を記録し、再生素子１０２によって、記録媒体２６２に記録されている情報を再生する。本実施の形態に係る磁気ディスク装置は、情報の記録時に記録素子１０１中の薄膜コイル１０に記録信号を印加すると共に、情報の再生時に再生素子１０２中のＭＲ素子５より出力される再生信号が入力される記録再生処理回路を備えている。

次に、図３ないし図４を参照して、本実施の形態に係る磁気ヘッドスライダ支持装置について詳しく説明する。図３は、本実施の形態に係る磁気ヘッドスライダ支持装置を示す斜視図である。図４は、図３に示した磁気ヘッドスライダ支持装置の先端近傍を拡大して示す平面図である。なお、図３はスライダ２１０を取り付けた状態の磁気ヘッドスライダ支持装置を示し、図４はスライダ２１０を取り外した状態の磁気ヘッドスライダ支持装置を示している。

図３に示したように、磁気ヘッドスライダ支持装置は、記録素子１０１と再生素子１０２とを含むスライダ２１０を、記録媒体２６２に対向するように弾性的に支持するサスペンション２２１を備えている。前述のように、サスペンション２２１は、ロードビーム２２２と、フレクシャ２２３と、ベースプレート２２４とを有している。図４に示したように、フレクシャ２２３において、スライダ２１０が取り付けられる部分には、スライダ２１０の姿勢を一定に保つためのジンバル部２２５が設けられている。

図３に示したように、磁気ヘッドスライダ支持装置は、更に、ロードビーム２２２に沿って配置されたフレキシブル配線板３００を備えている。フレキシブル配線板３００の一端部は、フレクシャ２２３の先端部に配置されている。フレキシブル配線板３００の他端部は、ベースプレート２２４よりもフレクシャ２２３から離れた位置に配置されている。フレキシブル配線板３００は、フレキシブル配線板３００の一端部に配置された素子接続用端子３１１，３１２，３１３，３１４と、フレキシブル配線板３００の他端部に配置された外部接続用端子３２１，３２２，３２３，３２４と、端子３１１，３２１を接続する第１の配線３０１と、端子３１２，３２２を接続する第２の配線３０２と、端子３１３，３２３を接続する第３の配線３０３と、端子３１４，３２４を接続する第４の配線３０４とを含んでいる。

端子３１１，３１２，３１３，３１４は、それぞれ、スライダ２１０の端子２９１，２９２，２９３，２９４に接続されている。端子３２１，３２２，３２３，３２４は、記録再生処理回路に接続されるようになっている。配線３０１，３０２は、端子３１１，３１２および端子２９１，２９２を介して、スライダ２１０内の記録素子１０１に接続され、記録素子１０１に印加される記録信号を伝達する。配線３０３，３０４は、端子３１３，３１４および端子２９３，２９４を介して、スライダ２１０内の再生素子１０２に接続され、再生素子１０２より出力される再生信号を伝達する。

また、配線３０１〜３０４は、それぞれ、ロードビーム２２２に沿って配置された部分を含んでいる。配線３０１〜３０４のうちのロードビーム２２２に沿って配置された部分は、第１の配線３０１、第２の配線３０２、第３の配線３０３、第４の配線３０４の順に並べて配置されている。

図１は、本実施の形態に係る磁気ヘッドスライダ支持装置における配線３０１〜３０４と薄膜磁気ヘッド素子１００と記録再生処理回路４００とを示す回路図である。図１に示したように、記録再生処理回路４００は、記録信号を出力する増幅器４０１と、再生信号を増幅する増幅器４０２とを有している。増幅器４０１の２つの出力端は、端子３２１，３２２、配線３０１，３０２、端子３１１，３１２および端子２９１，２９２を介して、記録素子１０１内の薄膜コイル１０の両端に接続されている。なお、以下、端子２９１，２９２を、それぞれ記録端子Ｘ，Ｙとも言う。増幅器４０２の２つの入力端は、端子３２３，３２４、配線３０３，３０４、端子３１３，３１４および端子２９３，２９４を介して、再生素子１０２内のＭＲ素子５の両端に接続されている。

図２は、配線３０１〜３０４の位置関係を模式的に示す説明図である。図２および図４に示したように、フレキシブル配線板３００は、配線３０１〜３０４の他に、配線３０１，３０２によって伝達される記録信号に起因して配線３０３と配線３０４との間に発生する電位差を低減するための寄生容量を生成する第１および第２の導体部３３１，３３２を含んでいる。導体部３３１，３３２は、いずれも、端子３１４から延びるように配置されている。導体部３３１は、端子３１４を介して配線３０４に接続されると共に配線３０２に対して間隔を開けて隣接するように配置されている。これにより、導体部３３１は、配線３０２と配線３０４との間に第１の寄生容量を生成する。また、導体部３３２は、配線３０４に接続されると共に配線３０１に対して間隔を開けて隣接するように配置されている。これにより、導体部３３２は、配線３０１と配線３０４との間に第２の寄生容量を生成する。

ここで、配線３０２と配線３０３との間の寄生容量をＣ１とし、配線３０１と配線３０３との間の寄生容量をＣ２とし、第１の寄生容量を除いた配線３０２と配線３０４との間の寄生容量をＣ３とし、第２の寄生容量を除いた配線３０１と配線３０４との間の寄生容量をＣ４とし、第１の寄生容量をＣ５とし、第２の寄生容量をＣ６とする。本実施の形態では、Ｃ５＝Ｃ１−Ｃ３およびＣ６＝Ｃ２−Ｃ４が成り立っている。

以下、本実施の形態の特徴について詳しく説明する。まず、図１１ないし図１４を参照して、導体部３３１，３３２がない場合には、記録素子１０１に接続された配線３０１，３０２と再生素子１０２に接続された配線３０３，３０４との間でクロストークが発生することについて説明する。

図１１は、導体部３３１，３３２がない比較例における配線３０１〜３０４と薄膜磁気ヘッド素子１００と記録再生処理回路４００とを示す回路図である。この回路図は、寄生容量Ｃ５，Ｃ６がないことを除いて、図１に示した回路図と同じである。ここで、図１１に示した構成において、図１２に示すような波形の記録電流を記録素子１０１の薄膜コイル１０に流す場合を考える。図１２において、横軸は時間であり、縦軸は記録電流である。なお、記録電流は、記録端子Ｙから薄膜コイル１０を経て記録端子Ｘに向かう方向を正とし、逆方向を負として表している。

図１３は、図１２に示した記録電流を流すために記録端子Ｘ，Ｙに印加される電圧の波形の一例を示している。図１３において、横軸は時間であり、縦軸は記録端子Ｘ，Ｙに印加される電圧である。記録端子Ｘに印加される電圧は配線３０１に印加され、記録端子Ｙに印加される電圧は配線３０２に印加される。図１３に示した例では、配線３０１に印加される電圧の波形と配線３０２に印加される電圧の波形は非対称になっている。

図１３に示したように、配線３０１，３０２に印加される電圧が急峻に変化すると、寄生容量Ｃ１〜Ｃ４を介して、再生素子１０２に接続された配線３０３，３０４に電圧が誘起される。ここで、配線３０２，３０３間の距離は、配線３０２，３０４間の距離よりも短い。従って、寄生容量Ｃ１は、寄生容量Ｃ３よりも大きくなる。その結果、配線３０２における電圧変化に応じて配線３０３，３０４に誘起される各電圧は互いに異なる値となる。同様に、配線３０１，３０３間の距離は、配線３０１，３０４間の距離よりも短い。従って、寄生容量Ｃ２は、寄生容量Ｃ４よりも大きくなる。その結果、配線３０１における電圧変化に応じて配線３０３，３０４に誘起される各電圧は互いに異なる値となる。

これらのことから、配線３０１，３０２に印加される電圧の変化に起因して、配線３０３，３０４間に電位差が発生する。このようにして、記録素子１０１に接続された配線３０１，３０２と再生素子１０２に接続された配線３０３，３０４との間でクロストークが発生する。以下、配線３０１，３０２に印加される電圧の変化に起因して配線３０３，３０４間に発生する電位差をクロストーク電圧と言う。図１４は、このクロストーク電圧の波形を示している。図１４において、横軸は時間であり、縦軸はクロストーク電圧である。

本実施の形態では、前述のように、導体部３３１によって配線３０２と配線３０４との間に第１の寄生容量Ｃ５を生成させ、Ｃ５＝Ｃ１−Ｃ３が成り立つようにしている。その結果、配線３０２と配線３０４との間の合計の寄生容量はＣ３＋Ｃ５となり、これは、配線３０２と配線３０３との間の寄生容量Ｃ１と等しい。従って、本実施の形態では、配線３０２における電圧変化に応じて配線３０３，３０４に誘起される各電圧は等しい値となる。

また、本実施の形態では、前述のように、導体部３３２によって配線３０１と配線３０４との間に第２の寄生容量Ｃ６を生成させ、Ｃ６＝Ｃ２−Ｃ４が成り立つようにしている。その結果、配線３０１と配線３０４との間の合計の寄生容量はＣ４＋Ｃ６となり、これは、配線３０１と配線３０３との間の寄生容量Ｃ２と等しい。従って、本実施の形態では、配線３０１における電圧変化に応じて配線３０３，３０４に誘起される各電圧は等しい値となる。

これらのことから、本実施の形態では、配線３０１，３０２に印加される電圧の変化に起因して配線３０３，３０４間に発生する電位差は、原理的にはゼロとなる。従って、本実施の形態によれば、記録素子１０１に接続された配線３０１，３０２と再生素子１０２に接続された配線３０３，３０４との間でのクロストークを、大幅に低減することができる。

ここまでは、Ｃ５＝Ｃ１−Ｃ３およびＣ６＝Ｃ２−Ｃ４が成り立つ場合について説明したが、寄生容量Ｃ５，Ｃ６が、０＜Ｃ５＜２（Ｃ１−Ｃ３）および０＜Ｃ６＜２（Ｃ２−Ｃ４）の範囲内であれば、寄生容量Ｃ５，Ｃ６がない場合に比べてクロストークを低減することができる。なお、上記範囲内では、寄生容量Ｃ５，Ｃ６が、それぞれ、Ｃ１−Ｃ３、Ｃ２−Ｃ４に近いほど、クロストークは小さくなる。

また、本実施の形態では、配線３０１，３０２に記録信号として非対称な波形の電圧を印加する場合に限らず、配線３０１，３０２に記録信号として実質的に対称な波形の電圧を印加する場合においても、クロストークを低減することができる。配線３０１，３０２に記録信号として実質的に対称な波形の電圧を印加する場合には、寄生容量Ｃ５，Ｃ６がなくとも、（Ｃ１−Ｃ２）＝（Ｃ３−Ｃ４）であれば、配線３０１，３０２に印加される電圧の変化に起因して、配線３０３，３０４間に電位差は生じない。しかし、実際には、（Ｃ１−Ｃ２）＞（Ｃ３−Ｃ４）となる。従って、配線３０１，３０２に記録信号として実質的に対称な波形の電圧を印加する場合には、寄生容量Ｃ５，Ｃ６がなければ、クロストークが発生する。本実施の形態では、前述のように、寄生容量Ｃ５，Ｃ６を発生させることにより、配線３０１における電圧変化に応じて配線３０３，３０４に誘起される各電圧を等しい値にし、且つ配線３０２における電圧変化に応じて配線３０３，３０４に誘起される各電圧を等しい値にすることができる。従って、本実施の形態によれば、配線３０１，３０２に記録信号として実質的に対称な波形の電圧を印加する場合においても、クロストークを低減することができる。

次に、本実施の形態による効果を確認するシミュレーションの結果について説明する。図１５は、このシミュレーションで使用した回路を示す回路図である。このシミュレーション用の回路は、配線３０１〜３０４に対応する線路５０１〜５０４を備えている。線路５０１の一端には電圧源５１１が接続され、線路５０２の一端には電圧源５１２が接続されている。線路５０１の他端と線路５０２の他端との間には、直列に接続されたコイル５１３および抵抗器５１４が設けられている。このコイル５１３および抵抗器５１４は、記録素子１０１に対応する。コイル５１３のインダクタンスは４ｎＨである。抵抗器５１４の抵抗値は２Ωである。この回路において、線路５０１とコイル５１３との接続点を記録端子Ｘとし、線路５０２と抵抗器５１４との接続点を記録端子Ｙとする。

線路５０３の一端は抵抗器５２１を介して接地され、線路５０４の一端は抵抗器５２２を介して接地されている。また、線路５０３の一端と線路５０４の一端は、キャパシタ５２３を介して接続されている。抵抗器５２１，５２２の抵抗値は、いずれも１．５ｋΩである。キャパシタ５２３のキャパシタンスは７ｐＦである。線路５０３の他端と線路５０４の他端は、抵抗器５２４を介して接続されている。また、線路５０３の他端と線路５０４の他端は、キャパシタ５２５を介して接続されている。抵抗器５２４およびキャパシタ５２５は、再生素子１０２に対応する。抵抗器５２４の抵抗値は３００Ωである。キャパシタ５２５のキャパシタンスは０．４ｐＦである。抵抗器５２４の両端には、電圧計５２６が接続されている。

線路５０２と線路５０３は、寄生容量Ｃ１に対応するキャパシタ５３１を介して接続されている。線路５０１と線路５０３は、寄生容量Ｃ２に対応するキャパシタ５３２を介して接続されている。線路５０２と線路５０４は、寄生容量Ｃ３に対応するキャパシタ５３３を介して接続されている。線路５０１と線路５０４は、寄生容量Ｃ４に対応するキャパシタ５３４を介して接続されている。また、線路５０２と線路５０４は、寄生容量Ｃ５に対応するキャパシタ５３５を介して接続されている。線路５０１と線路５０４は、寄生容量Ｃ６に対応するキャパシタ５３６を介して接続されている。キャパシタ５３１〜５３６の各キャパシタンスは、それぞれ、０．６５ｐＦ、０．２５ｐＦ、０．１６ｐＦ、０．１０ｐＦ、０．４９ｐＦ、０．１５ｐＦである。これらの数値は、Ｃ５＝Ｃ１−Ｃ３およびＣ６＝Ｃ２−Ｃ４という条件を満たしている。

シミュレーションでは、まず、図１５に示した回路からキャパシタ５３５，５３６を除き、電圧源５１１，５１２によって、線路５０１，５０２を介して記録端子Ｘ，Ｙに記録信号として、図１３に示した非対称な波形の電圧を印加した。そして、このときの抵抗器５２４の両端の電位差を電圧計５２６によって測定し、この電位差をクロストーク電圧とした。このクロストーク電圧を、図１７において、符号５４１を付した実線で示す。図１７において、横軸は時間であり、縦軸はクロストーク電圧である。

シミュレーションでは、次に、図１５に示した回路からキャパシタ５３５，５３６を除き、電圧源５１１，５１２によって、線路５０１，５０２を介して記録端子Ｘ，Ｙに記録信号として、図１６に示した実質的に対称な波形の電圧を印加した。そして、このときの抵抗器５２４の両端の電位差を電圧計５２６によって測定し、この電位差をクロストーク電圧とした。このクロストーク電圧を、図１７において、符号５４２を付した破線で示す。

図１７から、寄生容量Ｃ５，Ｃ６に対応するキャパシタ５３５，５３６がない場合には、記録端子Ｘ，Ｙに非対称な波形の電圧を印加する場合と、記録端子Ｘ，Ｙに実質的に対称な波形の電圧を印加する場合のいずれにおいても、クロストークが発生することが分かる。

シミュレーションでは、次に、キャパシタ５３５，５３６を含む図１５に示した回路において、電圧源５１１，５１２によって、線路５０１，５０２を介して記録端子Ｘ，Ｙに記録信号として、図１３に示した非対称な波形の電圧を印加した。そして、このときの抵抗器５２４の両端の電位差を電圧計５２６によって測定し、この電位差をクロストーク電圧とした。このクロストーク電圧は、ほぼゼロであった。

シミュレーションでは、次に、キャパシタ５３５，５３６を含む図１５に示した回路において、電圧源５１１，５１２によって、線路５０１，５０２を介して記録端子Ｘ，Ｙに記録信号として、図１６に示した実質的に対称な波形の電圧を印加した。そして、このときの抵抗器５２４の両端の電位差を電圧計５２６によって測定し、この電位差をクロストーク電圧とした。このクロストーク電圧は、ほぼゼロであった。

以上のシミュレーションの結果から、本実施の形態によれば、記録端子Ｘ，Ｙに非対称な波形の電圧を印加する場合と、記録端子Ｘ，Ｙに実質的に対称な波形の電圧を印加する場合のいずれにおいても、クロストークを大幅に低減できることが分かる。

［第２の実施の形態］
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。本実施の形態は、配線３０１，３０２に記録信号として実質的に対称な波形の電圧を印加する場合に適用される。図１８は、本実施の形態に係る磁気ヘッドスライダ支持装置における配線３０１〜３０４と薄膜磁気ヘッド素子１００と記録再生処理回路４００とを示す回路図である。図１９は、本実施の形態における配線３０１〜３０４の位置関係を模式的に示す説明図である。図１９に示したように、本実施の形態では、第１の実施の形態における導体部３３１，３３２の代わりに、導体部３３３が設けられている。この導体部３３３は、フレキシブル配線板３００に含まれている。導体部３３３は、端子３１３を介して配線３０３に接続されると共に配線３０１に対して間隔を開けて隣接するように配置されている。これにより、導体部３３３は、配線３０１と配線３０３との間に寄生容量を生成する。この寄生容量は、配線３０１，３０２によって伝達される記録信号に起因して配線３０３と配線３０４との間に発生する電位差を低減するためのものである。

ここで、配線３０２と配線３０３との間の寄生容量をＣ１とし、導体部３３３によって生成される寄生容量を除いた配線３０１と配線３０３との間の寄生容量をＣ２とし、配線３０２と配線３０４との間の寄生容量をＣ３とし、配線３０１と配線３０４との間の寄生容量をＣ４とし、導体部３３３によって生成される寄生容量をＣ７とする。本実施の形態では、Ｃ７＝（Ｃ１−Ｃ２）−（Ｃ３−Ｃ４）が成り立っている。本実施の形態におけるその他の構成は、第１の実施の形態と同様である。

本実施の形態では、配線３０１，３０２に記録信号として実質的に対称な波形の電圧を印加する。この場合、配線３０１，３０２のそれぞれにおける電圧変化に応じて配線３０３に誘起される電圧は、Ｃ１−（Ｃ２＋Ｃ７）に依存する。一方、配線３０１，３０２のそれぞれにおける電圧変化に応じて配線３０４に誘起される電圧は、Ｃ３−Ｃ４に依存する。本実施の形態では、前述のようにＣ７＝（Ｃ１−Ｃ２）−（Ｃ３−Ｃ４）が成り立っていることから、Ｃ１−（Ｃ２＋Ｃ７）＝Ｃ３−Ｃ４となる。従って、配線３０３に誘起される電圧と配線３０４に誘起される電圧は、ほぼ等しい値となる。すなわち、配線３０１，３０２に印加される電圧の変化に起因して配線３０３，３０４間に発生する電位差は、ほぼゼロとなる。従って、本実施の形態によれば、記録素子１０１に接続された配線３０１，３０２と再生素子１０２に接続された配線３０３，３０４との間でのクロストークを、大幅に低減することができる。

次に、本実施の形態による効果を確認するシミュレーションの結果について説明する。このシミュレーションで使用した回路は、図１５に示した回路において、キャパシタ５３５，５３６を除き、代わりに、線路５０１と線路５０３を接続するように、寄生容量Ｃ７に対応するキャパシタを加えた構成になっている。シミュレーションでは、寄生容量Ｃ７に対応するキャパシタのキャパシタンスとクロストーク電圧との関係を調べた。その結果を図２０に示す。図２０において、横軸は寄生容量Ｃ７に対応するキャパシタのキャパシタンス、縦軸はクロストーク電圧である。図２０から分かるように、Ｃ７＝（Ｃ１−Ｃ２）−（Ｃ３−Ｃ４）が成り立つときに、クロストーク電圧が最小となっている。

ここまでは、Ｃ７＝（Ｃ１−Ｃ２）−（Ｃ３−Ｃ４）が成り立つ場合について説明したが、寄生容量Ｃ７が、０＜Ｃ７＜２｛（Ｃ１−Ｃ２）−（Ｃ３−Ｃ４）｝の範囲内であれば、寄生容量Ｃ７がない場合に比べてクロストークを低減することができる。なお、上記範囲内では、寄生容量Ｃ７が（Ｃ１−Ｃ２）−（Ｃ３−Ｃ４）に近いほど、クロストークは小さくなる。

本実施の形態におけるその他の作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。

［第３の実施の形態］
次に、本発明の第３の実施の形態について説明する。本実施の形態は、配線３０１，３０２に記録信号として実質的に対称な波形の電圧を印加する場合に適用される。図２１は、本実施の形態に係る磁気ヘッドスライダ支持装置における配線３０１〜３０４と薄膜磁気ヘッド素子１００と記録再生処理回路４００とを示す回路図である。図２２は、本実施の形態における配線３０１〜３０４の位置関係を模式的に示す説明図である。図２１に示したように、本実施の形態では、第１の実施の形態における導体部３３１，３３２の代わりに、導体部３３４が設けられている。この導体部３３４は、フレキシブル配線板３００に含まれている。導体部３３４は、端子３１４を介して配線３０４に接続されると共に配線３０２に対して間隔を開けて隣接するように配置されている。これにより、導体部３３４は、配線３０２と配線３０４との間に寄生容量を生成する。この寄生容量は、配線３０１，３０２によって伝達される記録信号に起因して配線３０３と配線３０４との間に発生する電位差を低減するためのものである。

ここで、配線３０２と配線３０３との間の寄生容量をＣ１とし、配線３０１と配線３０３との間の寄生容量をＣ２とし、導体部３３４によって生成される寄生容量を除いた配線３０２と配線３０４との間の寄生容量をＣ３とし、配線３０１と配線３０４との間の寄生容量をＣ４とし、導体部３３４によって生成される寄生容量をＣ８とする。本実施の形態では、Ｃ８＝（Ｃ１−Ｃ２）−（Ｃ３−Ｃ４）が成り立っている。本実施の形態におけるその他の構成は、第１の実施の形態と同様である。

本実施の形態では、配線３０１，３０２に記録信号として実質的に対称な波形の電圧を印加する。この場合、配線３０１，３０２のそれぞれにおける電圧変化に応じて配線３０３に誘起される電圧は、Ｃ１−Ｃ２に依存する。一方、配線３０１，３０２のそれぞれにおける電圧変化に応じて配線３０４に誘起される電圧は、（Ｃ３＋Ｃ８）−Ｃ４に依存する。本実施の形態では、前述のようにＣ８＝（Ｃ１−Ｃ２）−（Ｃ３−Ｃ４）が成り立っていることから、Ｃ１−Ｃ２＝（Ｃ３＋Ｃ８）−Ｃ４となる。従って、配線３０３に誘起される電圧と配線３０４に誘起される電圧は、ほぼ等しい値となる。すなわち、配線３０１，３０２に印加される電圧の変化に起因して配線３０３，３０４間に発生する電位差は、ほぼゼロとなる。従って、本実施の形態によれば、記録素子１０１に接続された配線３０１，３０２と再生素子１０２に接続された配線３０３，３０４との間でのクロストークを、大幅に低減することができる。

ここまでは、Ｃ８＝（Ｃ１−Ｃ２）−（Ｃ３−Ｃ４）が成り立つ場合について説明したが、寄生容量Ｃ８が、０＜Ｃ８＜２｛（Ｃ１−Ｃ２）−（Ｃ３−Ｃ４）｝の範囲内であれば、寄生容量Ｃ８がない場合に比べてクロストークを低減することができる。なお、上記範囲内では、寄生容量Ｃ８が（Ｃ１−Ｃ２）−（Ｃ３−Ｃ４）に近いほど、クロストークは小さくなる。

本実施の形態におけるその他の作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。

なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、本発明における配線および導体部は、サスペンションのフレクシャと一体化されていてもよい。

また、各実施の形態における導体部のパターンは、一例であり、各実施の形態における条件を満たす寄生容量を発生させるものであれば、他のパターンであってもよい。

また、実施の形態では、基体側に再生素子を形成し、その上に、記録素子を積層した構造の薄膜磁気ヘッド素子について説明したが、この積層順序を逆にしてもよい。

本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドスライダ支持装置における配線と薄膜磁気ヘッド素子と記録再生処理回路とを示す回路図である。 本発明の第１の実施の形態における配線の位置関係を模式的に示す説明図である。 本発明の第１の実施の形態に磁気ヘッドスライダ支持装置を示す斜視図である。 図３に示した磁気ヘッドスライダ支持装置の先端近傍を拡大して示す平面図である。 本発明の第１の実施の形態に係るヘッドジンバルアセンブリに含まれるスライダを示す斜視図である。 本発明の第１の実施の形態に係るヘッドアームアセンブリを示す斜視図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気ディスク装置の要部を説明するための説明図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気ディスク装置の平面図である。 本発明の第１の実施の形態における薄膜磁気ヘッド素子のエアベアリング面および基板に垂直な断面を示す断面図である。 本発明の第１の実施の形態における薄膜磁気ヘッド素子の磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示す断面図である。 本発明の第１の実施の形態に対する比較例における配線と薄膜磁気ヘッド素子と記録再生処理回路とを示す回路図である。 図１１における薄膜コイルに流す記録電流の波形を示す波形図である。 図１２に示した記録電流を流すために記録端子に印加される電圧の波形の一例を示す波形図である。 図１１における再生素子に接続された配線に発生するクロストーク電圧の波形を示す波形図である。 本発明の第１の実施の形態の効果を確認するためのシミュレーションで使用した回路を示す回路図である。 本発明の第１の実施の形態の効果を確認するためのシミュレーションにおいて使用した記録信号の波形を示す波形図である。 本発明の第１の実施の形態の効果を確認するためのシミュレーションの結果を示す波形図である。 本発明の第２の実施の形態に係る磁気ヘッドスライダ支持装置における配線と薄膜磁気ヘッド素子と記録再生処理回路とを示す回路図である。 本発明の第２の実施の形態における配線の位置関係を模式的に示す説明図である。 本発明の第２の実施の形態の効果を確認するためのシミュレーションの結果を示す特性図である。 本発明の第３の実施の形態に係る磁気ヘッドスライダ支持装置における配線と薄膜磁気ヘッド素子と記録再生処理回路とを示す回路図である。 本発明の第３の実施の形態における配線の位置関係を模式的に示す説明図である。

符号の説明

５…ＭＲ素子、１０…薄膜コイル、１００…薄膜磁気ヘッド素子、１０１…記録素子、１０２…再生素子、２１０…スライダ、２２１…サスペンション、２２２…ロードビーム、２２３…フレクシャ、２２４…ベースプレート、３００…フレキシブル配線板、３０１〜３０４…配線、３３１，３３２…導体部、４００…記録再生処理回路、Ｃ１〜Ｃ６…寄生容量。

Claims (15)

1. 記録素子と再生素子とを含む磁気ヘッドスライダを、記録媒体に対向するように弾性的に支持するサスペンションと、
   前記記録素子に接続され、前記記録素子に印加される記録信号を伝達する第１および第２の配線と、
   前記再生素子に接続され、前記再生素子より出力される再生信号を伝達する第３および第４の配線とを備え、
   前記サスペンションは、板ばね状のロードビームを有し、
   前記第１ないし第４の配線は、それぞれ、前記ロードビームに沿って配置された部分を含む磁気ヘッドスライダ支持装置であって、
   更に、前記第１ないし第４の配線の他に、前記第１および第２の配線によって伝達される記録信号に起因して前記第３の配線と第４の配線との間に発生する電位差を低減するための寄生容量を生成する導体部を備えたことを特徴とする磁気ヘッドスライダ支持装置。
2. 前記第１ないし第４の配線のうちの前記ロードビームに沿って配置された部分は、第１の配線、第２の配線、第３の配線、第４の配線の順に並べて配置され、
   前記導体部として、前記第２の配線と第４の配線との間に第１の寄生容量を生成する第１の導体部と、前記第１の配線と第４の配線との間に第２の寄生容量を生成する第２の導体部とを備えたことを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドスライダ支持装置。
3. 前記第２の配線と第３の配線との間の寄生容量をＣ１とし、
   前記第１の配線と第３の配線との間の寄生容量をＣ２とし、
   前記第１の寄生容量を除いた前記第２の配線と第４の配線との間の寄生容量をＣ３とし、
   前記第２の寄生容量を除いた前記第１の配線と第４の配線との間の寄生容量をＣ４とし、
   前記第１の寄生容量をＣ５とし、
   前記第２の寄生容量をＣ６としたとき、
   Ｃ５＝Ｃ１−Ｃ３およびＣ６＝Ｃ２−Ｃ４が成り立つことを特徴とする請求項２記載の磁気ヘッドスライダ支持装置。
4. 前記第１の導体部は、前記第４の配線に接続されると共に前記第２の配線に対して間隔を開けて隣接するように配置され、
   前記第２の導体部は、前記第４の配線に接続されると共に前記第１の配線に対して間隔を開けて隣接するように配置されていることを特徴とする請求項２または３記載の磁気ヘッドスライダ支持装置。
5. 前記第１ないし第４の配線のうちの前記ロードビームに沿って配置された部分は、第１の配線、第２の配線、第３の配線、第４の配線の順に並べて配置され、
   前記導体部は、前記第１の配線と第３の配線との間に寄生容量を生成することを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドスライダ支持装置。
6. 前記第２の配線と第３の配線との間の寄生容量をＣ１とし、
   前記導体部によって生成される寄生容量を除いた前記第１の配線と第３の配線との間の寄生容量をＣ２とし、
   前記第２の配線と第４の配線との間の寄生容量をＣ３とし、
   前記第１の配線と第４の配線との間の寄生容量をＣ４とし、
   前記導体部によって生成される寄生容量をＣ７としたとき、
   Ｃ７＝（Ｃ１−Ｃ２）−（Ｃ３−Ｃ４）が成り立つことを特徴とする請求項５記載の磁気ヘッドスライダ支持装置。
7. 前記導体部は、前記第３の配線に接続されると共に前記第１の配線に対して間隔を開けて隣接するように配置されていることを特徴とする請求項５または６記載の磁気ヘッドスライダ支持装置。
8. 前記第１ないし第４の配線のうちの前記ロードビームに沿って配置された部分は、第１の配線、第２の配線、第３の配線、第４の配線の順に並べて配置され、
   前記導体部は、前記第２の配線と第４の配線との間に寄生容量を生成することを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドスライダ支持装置。
9. 前記第２の配線と第３の配線との間の寄生容量をＣ１とし、
   前記第１の配線と第３の配線との間の寄生容量をＣ２とし、
   前記導体部によって生成される寄生容量を除いた前記第２の配線と第４の配線との間の寄生容量をＣ３とし、
   前記第１の配線と第４の配線との間の寄生容量をＣ４とし、
   前記導体部によって生成される寄生容量をＣ８としたとき、
   Ｃ８＝（Ｃ１−Ｃ２）−（Ｃ３−Ｃ４）が成り立つことを特徴とする請求項８記載の磁気ヘッドスライダ支持装置。
10. 前記導体部は、前記第４の配線に接続されると共に前記第２の配線に対して間隔を開けて隣接するように配置されていることを特徴とする請求項８または９記載の磁気ヘッドスライダ支持装置。
11. 記録素子と再生素子とを含む磁気ヘッドスライダと、
    請求項１ないし１０のいずれかに記載の磁気ヘッドスライダ支持装置と
    を備えたことを特徴とするヘッドジンバルアセンブリ。
12. 記録素子と再生素子とを含む磁気ヘッドスライダと、
    請求項１ないし１０のいずれかに記載の磁気ヘッドスライダ支持装置と、
    前記磁気ヘッドスライダを記録媒体のトラック横断方向に移動させるためのアームとを備え、
    前記磁気ヘッドスライダ支持装置に含まれるサスペンションが前記アームに取り付けられていることを特徴とするヘッドアームアセンブリ。
13. 記録素子と再生素子とを含む磁気ヘッドスライダと、
    請求項１ないし１０のいずれかに記載の磁気ヘッドスライダ支持装置と、
    前記スライダ支持装置を移動させて、前記磁気ヘッドスライダを記録媒体に対して位置決めする位置決め装置と、
    前記スライダ支持装置に含まれる第１および第２の配線を介して前記記録素子に記録信号を印加すると共に、前記スライダ支持装置に含まれる第３および第４の配線を介して前記再生素子より出力される再生信号が入力される記録再生処理回路と
    を備えたことを特徴とする磁気ディスク装置。
14. 記録素子と再生素子とを含む磁気ヘッドスライダと、
    請求項１ないし４のいずれかに記載の磁気ヘッドスライダ支持装置と、
    前記スライダ支持装置を移動させて、前記磁気ヘッドスライダを記録媒体に対して位置決めする位置決め装置と、
    前記スライダ支持装置に含まれる第１および第２の配線を介して前記記録素子に記録信号を印加すると共に、前記スライダ支持装置に含まれる第３および第４の配線を介して前記再生素子より出力される再生信号が入力される記録再生処理回路とを備え、
    前記記録再生処理回路は、前記第１の配線と第２の配線に、前記記録信号として非対称な波形の電圧を印加することを特徴とする磁気ディスク装置。
15. 記録素子と再生素子とを含む磁気ヘッドスライダと、
    請求項１ないし１０のいずれかに記載の磁気ヘッドスライダ支持装置と、
    前記スライダ支持装置を移動させて、前記磁気ヘッドスライダを記録媒体に対して位置決めする位置決め装置と、
    前記スライダ支持装置に含まれる第１および第２の配線を介して前記記録素子に記録信号を印加すると共に、前記スライダ支持装置に含まれる第３および第４の配線を介して前記再生素子より出力される再生信号が入力される記録再生処理回路とを備え、
    前記記録再生処理回路は、前記第１の配線と第２の配線に、前記記録信号として実質的に対称な波形の電圧を印加することを特徴とする磁気ディスク装置。
    
    

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