JP6092505B2 - サスペンション用基板、サスペンション、素子付サスペンション、ハードディスクドライブ、およびサスペンション用基板の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明のサスペンション用基板は、2つの実施態様に大別できる。以下、本発明のサスペンション用基板について、第一実施態様と第二実施態様とに分けて説明する。
第一実施態様のサスペンション用基板は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、上記配線層を覆うように形成されたカバー層とを有するサスペンション用基板であって、上記配線層が、隣り合う第一配線層および第二配線層を有し、上記カバー層が、上記第一配線層および上記第二配線層の間に長手方向に沿って形成されたカバー層切れ込み部を有することを特徴とするものである。
以下、第一実施態様のサスペンション用基板について、サスペンション用基板の部材と、サスペンション用基板の構成とに分けて説明する。
まず、第一実施態様のサスペンション用基板の部材について説明する。第一実施態様のサスペンション用基板は、金属支持基板、絶縁層、配線層およびカバー層を少なくとも有するものである。
次に、第一実施態様のサスペンション用基板の構成について説明する。第一実施態様のサスペンション用基板は、カバー層が、第一配線層および第二配線層の間に長手方向に沿って形成されたカバー層切れ込み部を有することを大きな特徴とする。カバー層切れ込み部の平面視形状は、特に限定されるものではないが、例えばスリット状を挙げることができる。
次に、第二実施態様のサスペンション用基板について説明する。第二実施態様のサスペンション用基板は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成されたベース絶縁層と、上記ベース絶縁層上に形成された下部配線層と、上記下部配線層上に形成されたミドル絶縁層と、上記ミドル絶縁層上に形成された上部配線層と、上記上部配線層を覆うように形成されたカバー層とを有するサスペンション用基板であって、上記下部配線層および上記上部配線層の少なくとも一方が、平面視上、隣り合う第一配線層および第二配線層を有し、上記カバー層が、上記第一配線層および上記第二配線層の間に長手方向に沿って形成されたカバー層切れ込み部を有することを特徴とするものである。
以下、第二実施態様のサスペンション用基板について、サスペンション用基板の部材と、サスペンション用基板の構成とに分けて説明する。
まず、第二実施態様のサスペンション用基板の部材について説明する。第二実施態様のサスペンション用基板は、金属支持基板、ベース絶縁層、下部配線層、ミドル絶縁層、上部配線層およびカバー層を少なくとも有するものである。なお、金属支持基板およびカバー層については、上述した第一実施態様と同様である。また、第二実施態様におけるベース絶縁層は、第一実施態様における絶縁層に相当するものであり、第一実施態様における絶縁層の記載と同様である。また、第二実施態様における下部配線層および上部配線層についても、第一実施態様における配線層と同様である。
次に、第二実施態様のサスペンション用基板の構成について説明する。第二実施態様のサスペンション用基板は、カバー層が、第一配線層および第二配線層の間に長手方向に沿って形成されたカバー層切れ込み部を有することを大きな特徴とする。カバー層切れ込み部の形状、形成位置等については、上述した第一実施態様に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。
図9(a)はカバー層切れ込み部を示す概略平面図であり、図9(b)〜(g)は図9(a)のA−A断面図である。図9(b)〜(d)は、いずれも、第一配線層31が下部配線層3xおよび上部配線層3yの両方から構成されており、第二配線層32は、下部配線層3xおよび上部配線層3yの両方から構成されていても良く(図9(b))、下部配線層3xのみから構成されていても良く(図9(c))、上部配線層3yのみから構成されていても良い図9(d))。なお、「下部配線層のみ」とは、下部配線層が存在し、上部配線層が存在しない状態をいい、「上部配線層のみ」とは、上部配線層が存在し、下部配線層が存在しない状態をいう。
図12(a)はカバー層切れ込み部を示す概略平面図であり、図12(b)〜(g)は図12(a)のA−A断面図である。図12(b)〜(d)は、いずれも、第一配線層31が下部配線層3xのみから構成されており、第二配線層32は、下部配線層3xおよび上部配線層3yの両方から構成されていても良く(図12(b))、下部配線層3xのみから構成されていても良く(図12(c))、上部配線層3yのみから構成されていても良い図12(d))。
図13(a)はカバー層切れ込み部を示す概略平面図であり、図13(b)〜(g)は図13(a)のA−A断面図である。図13(b)〜(d)は、いずれも、第一配線層31が上部配線層3yのみから構成されており、第二配線層32は、下部配線層3xおよび上部配線層3yの両方から構成されていても良く(図13(b))、下部配線層3xのみから構成されていても良く(図13(c))、上部配線層3yのみから構成されていても良い図13(d))。特に、図13(d)に示すサスペンション用基板は、第一配線層31および第二配線層32がミドル絶縁層2y上に形成されているため、例えば図12(c)に示すサスペンション用基板に比べて、金属支持基板1の影響(金属支持基板1に吸収されるエネルギー損失)を受けにくくなるという利点がある。
次に、本発明のサスペンションについて説明する。本発明のサスペンションは、上述したサスペンション用基板と、上記サスペンション用基板の上記金属支持基板側の表面に設けられたロードビームと、を有することを特徴とするものである。
次に、本発明の素子付サスペンションについて説明する。本発明の素子付サスペンションは、上述したサスペンションと、上記サスペンションに実装された素子と、を有することを特徴とするものである。
次に、本発明のハードディスクドライブについて説明する。本発明のハードディスクドライブは、上述した素子付サスペンションを有することを特徴とするものである。
次に、本発明のサスペンション用基板の製造方法について説明する。本発明のサスペンション用基板の製造方法は、2つの実施態様に大別できる。以下、本発明のサスペンション用基板について、第一実施態様と第二実施態様とに分けて説明する。
第一実施態様のサスペンション用基板の製造方法は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、上記配線層を覆うように形成されたカバー層とを有するサスペンション用基板の製造方法であって、上記配線層が隣り合う第一配線層および第二配線層を有するように、上記配線層を形成する配線層形成工程と、上記第一配線層および上記第二配線層の間に長手方向に沿って形成されたカバー層切れ込み部を有する上記カバー層を形成するカバー層形成工程と、を有することを特徴とするものである。
以下、第一実施態様のサスペンション用基板の製造方法の一例として、サブトラクティブ法による製造方法について、工程ごとに説明する。
積層部材準備工程は、金属支持部材と、上記金属支持部材上に形成された絶縁部材と、上記絶縁部材上に形成された導体部材とを有する積層部材を準備する工程である。
配線層形成工程は、上記導体部材をエッチングし、配線層を形成する工程である。第一実施態様においては、配線層が隣り合う第一配線層および第二配線層を有するように、配線層を形成する。
カバー層形成工程は、上記配線層を覆うようにカバー層を形成する工程である。第一実施態様においては、第一配線層および第二配線層の間に長手方向に沿って形成されたカバー層切れ込み部を有するカバー層を形成する。
絶縁層形成工程は、上記絶縁部材をエッチングし、絶縁層を形成する工程である。
金属支持基板形成工程は、上記金属支持部材をエッチングし金属支持基板を形成する工程である。また、本工程において、通常は、金属支持基板の外形加工を行う。
第一実施態様のサスペンション用基板の製造方法は、配線層の一部に配線めっき部を形成する配線めっき部形成工程を有していても良い。配線めっき部を形成する方法としては、具体的には、電解めっき法を挙げることができる。また、第一実施態様のサスペンション用基板の製造方法は、配線層および金属支持基板(金属支持部材)を電気的に接続するビアを形成するビア形成工程を有していても良い。ビアを形成する方法としては、具体的には、電解めっき法を挙げることができる。
第二実施態様のサスペンション用基板の製造方法は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成されたベース絶縁層と、上記ベース絶縁層上に形成された下部配線層と、上記下部配線層上に形成されたミドル絶縁層と、上記ミドル絶縁層上に形成された上部配線層と、上記上部配線層を覆うように形成されたカバー層とを有するサスペンション用基板の製造方法であって、上記下部配線層および上記上部配線層の少なくとも一方が、平面視上、隣り合う第一配線層および第二配線層を有するように、上記下部配線層および上記上部配線層を形成する配線層形成工程と、上記第一配線層および上記第二配線層の間に長手方向に沿って形成されたカバー層切れ込み部を有する上記カバー層形成するカバー層形成工程と、を有することを特徴とするものである。
以下、第二実施態様のサスペンション用基板の製造方法の一例として、サブトラクティブ法による製造方法について、工程ごとに説明する。
積層部材準備工程は、第一実施態様における積層部材準備工程と同様であるので、ここでの記載は省略する。
下部配線層形成工程は、第一実施態様における配線層形成工程と同様であるので、ここでの記載は省略する。
ミドル絶縁層形成工程は、下部配線層を覆うようにミドル絶縁層を形成する工程である。ミドル絶縁層の形成方法は、特に限定されるものではなく、ミドル絶縁層の材料に応じて適宜選択することが好ましい。例えば、ミドル絶縁層の材料が感光性材料である場合には、全面形成したミドル絶縁層に露光現像を行うことによりパターン状のミドル絶縁層を得ることができる。また、ミドル絶縁層の材料が非感光性材料である場合は、全面形成したミドル絶縁層の表面に所定のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出した部分を、ウェットエッチングにより除去することによりパターン状のミドル絶縁層を得ることができる。
上部配線層形成工程は、ミドル絶縁層上に上部配線層を形成する工程である。上部配線層の形成方法としては、例えば電解めっき法等を挙げることができる。また、第二実施態様においては、下部配線層および上部配線層の少なくとも一方が、平面視上、隣り合う第一配線層および第二配線層を有するように、下部配線層および上部配線層を形成する。この具体的な態様については、「A.サスペンション用基板 2.第二実施態様」で説明した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。
カバー層形成工程は、上記上部配線層を覆うようにカバー層を形成する工程である。第二実施態様においては、第一配線層および第二配線層の間に長手方向に沿って形成されたカバー層切れ込み部を有するカバー層を形成する。なお、カバー層の形成方法等については、第一実施態様におけるカバー層形成工程と同様であるので、ここでの記載は省略する。
ベース絶縁層形成工程は、第一実施態様における絶縁層形成工程と同様であるので、ここでの記載は省略する。
金属支持基板形成工程は、第一実施態様における金属支持基板形工程と同様であるので、ここでの記載は省略する。なお、第二実施態様においては、金属支持基板に、金属支持基板切れ込み部を形成しても良い。配線間のノイズをさらに抑制できるからである。また、サスペンション用基板の軽量化や剛性調整が可能になるという利点もある。金属支持基板切れ込み部の形成は、金属支持基板の形成と同時であっても良く、金属支持基板の形成後であっても良いが、金属支持基板の形成と同時であることが好ましい。工程の簡略化を図ることができるからである。
第二実施態様のサスペンション用基板の製造方法は、上述した第一実施態様と同様に、配線めっき部形成工程、ビア形成工程等を有していても良い。
まず、厚さ18μmのSUS304(金属支持部材)、厚さ10μmのポリイミド樹脂層(絶縁部材)、厚さ9μmの電解銅層(導体部材)を有する積層部材を準備した(図17(a))。次に、ドライフィルムレジストを積層部材の両面にラミネートし、レジストパターンを形成した。次に、塩化第二鉄液を用いてエッチングし、エッチング後レジスト剥膜を行った。これにより、導体部材から配線層を形成した(図17(b))。なお、図示しないが、金属支持部材には治具孔を形成した。
まず、厚さ18μmのSUS304(金属支持部材)、厚さ10μmのポリイミド樹脂層(絶縁部材)、厚さ9μmの電解銅層(導体部材)を有する積層部材を準備した(図18(a))。次に、ドライフィルムレジストを積層部材の両面にラミネートし、レジストパターンを形成した。次に、塩化第二鉄液を用いてエッチングし、エッチング後レジスト剥膜を行った。これにより、導体部材から下部配線層を形成した(図18(b))。なお、図示しないが、金属支持部材には治具孔を形成した。
Claims (18)
- 金属支持基板と、前記金属支持基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された配線層と、前記配線層を覆うように形成されたカバー層とを有するサスペンション用基板であって、
前記配線層が、隣り合う第一配線層および第二配線層を有し、
前記カバー層が、前記第一配線層および前記第二配線層の間に長手方向に沿って形成されたカバー層切れ込み部を有し、
前記第一配線層および前記第二配線層の間には、局所的に配線間距離が広い部分が形成され、
前記局所的に配線間距離が広い部分に、前記カバー層切れ込み部が形成され、
前記局所的に配線間距離が広い部分の配線間距離をD2とした場合、D2の値は、130μm〜400μmの範囲内であることを特徴とするサスペンション用基板。 - 前記絶縁層が、前記カバー層切れ込み部に対応した位置に、絶縁層切れ込み部を有することを特徴とする請求項1に記載のサスペンション用基板。
- 前記金属支持基板が、前記カバー層切れ込み部に対応した位置に、金属支持基板切れ込み部を有することを特徴とする請求項1または請求項2に記載のサスペンション用基板。
- 前記第一配線層が書込用配線層および読取用配線層の一方であり、前記第二配線層がその他方であることを特徴とする請求項1から請求項3までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板。
- 金属支持基板と、前記金属支持基板上に形成されたベース絶縁層と、前記ベース絶縁層上に形成された下部配線層と、前記下部配線層上に形成されたミドル絶縁層と、前記ミドル絶縁層上に形成された上部配線層と、前記上部配線層を覆うように形成されたカバー層とを有するサスペンション用基板であって、
前記下部配線層および前記上部配線層の少なくとも一方が、平面視上、隣り合う第一配線層および第二配線層を有し、
前記カバー層が、前記第一配線層および前記第二配線層の間に長手方向に沿って形成されたカバー層切れ込み部を有し、
前記第一配線層および前記第二配線層の間には、局所的に配線間距離が広い部分が形成され、
前記局所的に配線間距離が広い部分に、前記カバー層切れ込み部が形成され、
前記局所的に配線間距離が広い部分の配線間距離をD2とした場合、D2の値は、130μm〜400μmの範囲内であることを特徴とするサスペンション用基板。 - 前記ミドル絶縁層が、前記カバー層切れ込み部に対応した位置に、ミドル絶縁層切れ込み部を有することを特徴とする請求項5に記載のサスペンション用基板。
- 前記ベース絶縁層が、前記カバー層切れ込み部に対応した位置に、ベース絶縁層切れ込み部を有することを特徴とする請求項6に記載のサスペンション用基板。
- 前記ミドル絶縁層切れ込み部および前記ベース絶縁層切れ込み部において、前記ミドル絶縁層および前記ベース絶縁層の端面が一致していることを特徴とする請求項7に記載のサスペンション用基板。
- 前記金属支持基板が、前記カバー層切れ込み部に対応した位置に、金属支持基板切れ込み部を有することを特徴とする請求項5から請求項8までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板。
- 前記第一配線層が、前記下部配線層および前記上部配線層の両方、前記下部配線層のみ、または、前記上部配線層のみから構成されていることを特徴とする請求項5から請求項9までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板。
- 前記第二配線層が、前記下部配線層および前記上部配線層の両方、前記下部配線層のみ、または、前記上部配線層のみから構成されていることを特徴とする請求項5から請求項10までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板。
- 前記第一配線層が書込用配線層および読取用配線層の一方であり、前記第二配線層がその他方であることを特徴とする請求項5から請求項11までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板。
- 請求項1から請求項12までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板と、
前記サスペンション用基板の前記金属支持基板側の表面に設けられたロードビームと、
を有することを特徴とするサスペンション。 - 請求項13に記載のサスペンションと、前記サスペンションに実装された素子と、を有することを特徴とする素子付サスペンション。
- 請求項14に記載の素子付サスペンションを有することを特徴とするハードディスクドライブ。
- 金属支持基板と、前記金属支持基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された配線層と、前記配線層を覆うように形成されたカバー層とを有するサスペンション用基板の製造方法であって、
前記配線層が隣り合う第一配線層および第二配線層を有するように、前記配線層を形成する配線層形成工程と、
前記第一配線層および前記第二配線層の間に長手方向に沿って形成されたカバー層切れ込み部を有する前記カバー層を形成するカバー層形成工程と、
を有し、
前記第一配線層および前記第二配線層の間には、局所的に配線間距離が広い部分が形成され、
前記局所的に配線間距離が広い部分に、前記カバー層切れ込み部が形成され、
前記局所的に配線間距離が広い部分の配線間距離をD2とした場合、D2の値は、130μm〜400μmの範囲内であることを特徴とするサスペンション用基板の製造方法。 - 金属支持基板と、前記金属支持基板上に形成されたベース絶縁層と、前記ベース絶縁層上に形成された下部配線層と、前記下部配線層上に形成されたミドル絶縁層と、前記ミドル絶縁層上に形成された上部配線層と、前記上部配線層を覆うように形成されたカバー層とを有するサスペンション用基板の製造方法であって、
前記下部配線層および前記上部配線層の少なくとも一方が、平面視上、隣り合う第一配線層および第二配線層を有するように、前記下部配線層および前記上部配線層を形成する配線層形成工程と、
前記第一配線層および前記第二配線層の間に長手方向に沿って形成されたカバー層切れ込み部を有する前記カバー層形成するカバー層形成工程と、
を有し、
前記第一配線層および前記第二配線層の間には、局所的に配線間距離が広い部分が形成され、
前記局所的に配線間距離が広い部分に、前記カバー層切れ込み部が形成され、
前記局所的に配線間距離が広い部分の配線間距離をD2とした場合、D2の値は、130μm〜400μmの範囲内であることを特徴とするサスペンション用基板の製造方法。 - 前記ミドル絶縁層が、前記カバー層切れ込み部に対応した位置に、ミドル絶縁層切れ込み部を有し、
前記ミドル絶縁層切れ込み部から露出する前記ベース絶縁層をエッチングすることにより、ベース絶縁層切れ込み部を有する前記ベース絶縁層を形成するベース絶縁層形成工程を有することを特徴とする請求項17に記載のサスペンション用基板の製造方法。
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