JPH0922570A - ヘッドアセンブリ及び該ヘッドアセンブリを具備した磁気ディスク装置 - Google Patents

ヘッドアセンブリ及び該ヘッドアセンブリを具備した磁気ディスク装置

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JPH0922570A
JPH0922570A JP7167694A JP16769495A JPH0922570A JP H0922570 A JPH0922570 A JP H0922570A JP 7167694 A JP7167694 A JP 7167694A JP 16769495 A JP16769495 A JP 16769495A JP H0922570 A JPH0922570 A JP H0922570A
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JP
Japan
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suspension
conductor pattern
flexure
shaped slit
transducer
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JP7167694A
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Kazuhide Sone
一秀 曽根
Kaoru Abiko
薫 安孫子
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Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、ヘッドスライダを搭載するフレク
スチャが小さくなった場合にも、複数本の導体パターン
の電気抵抗を従来並に保つことのできるヘッドアセンブ
リを提供することを目的とする。 【構成】 ヘッドアセンブリはサスペンションと、サス
ペンションの先端部にサスペンションと一体的に形成さ
れたフレクスチャと、フレクスチャ上に搭載されたトラ
ンスデューサを有するヘッドスライダを含んでいる。ヘ
ッドアセンブリは更に、サスペンション及びフレクスチ
ャ上に形成された一端がトランスデューサに接続された
第１導体パターンと、絶縁層を介して第１導体パターン
上に積層された一端がトランスデューサに接続された第
２導体パターンを含んでいる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気ディスク装置のヘッ
ドアセンブリに関する。近年、コンピュータ用外部記憶
装置の一種である磁気ディスク装置の小型化、大容量化
及び低消費電力化が求められている。大容量化のため磁
気ディスクの記録密度の向上が要求され、装置に搭載す
るディスクの枚数が増加している。
【０００２】コンピュータ用磁気ディスク装置では、ヘ
ッドとディスクとの関係はコンタクトスタートストップ
（ＣＳＳ）方式が一般的に採用されている。この方式で
は、ディスク回転中においては、高速回転により発生す
る空気流体による浮上力とヘッドをディスクに押し付け
るサスペンションの押し付け力のバランスで、ヘッドが
ディスク上を微小な間隙を保って浮上する。
【０００３】ディスクの回転が停止すると、ヘッドはデ
ィスク上の接触可能領域へ移動し、そこでヘッドとディ
スクが接触する。ディスクが回転停止中は、ヘッドとデ
ィスクは接触したままである。
【０００４】この方式では、ヘッドスライダと磁気ディ
スクとの距離がデータの読み取り及び書き込みの性能に
大きな影響を与える。
【０００５】
【従来の技術】従来、ヘッドスライダに一体的に形成さ
れたトランスデューサに書き込みデータ信号を供給し、
又はトランスデューサで読み取ったデータ信号を磁気デ
ィスク装置のプリント配線板に伝送するために、リード
線でトランスデューサとプリント配線板とが接続されて
いた。
【０００６】しかし、磁気ディスク装置が小型化するに
つれて、サスペンションの構造もリード線を取り付けた
タイプのものから、表面に複数の導体パターンが形成さ
れたサスペンションの採用へと移ってきている。
【０００７】ヘッドスライダを微小な隙間（約５０〜１
００ｎｍ）を保ってディスク上から浮上させるために
は、ヘッドスライダの小型化が有効である。ヘッドスラ
イダを小型化すると、磁気ディスクの有するうねりに対
するヘッドスライダの追従特性を維持するために、ヘッ
ドスライダが搭載されるフレクスチャの剛性を低下させ
るのが有効であり、そのため、フレクスチャのサイズを
小さくする必要がある。
【０００８】また、最近の磁気ディスク装置では、磁気
ディスクに記録されたデータの読み取り性能を向上する
ためにトランスデューサとして磁気抵抗効果素子と磁気
誘導素子とを採用した複合ヘッドが使用されるようにな
ってきている。複合ヘッドは磁気誘導素子用の２つの端
子及び磁気抵抗効果素子用の２つの端子、合計４つの端
子を有している。
【０００９】ヘッドスライダはサスペンションの先端に
一体的に形成したフレクスチャ上に搭載される。フレク
スチャはサスペンションに形成した複数のスリットによ
り画成されており、一対の縦方向ビームを有している。
よって、フレクスチャ上に複合ヘッドスライダを搭載す
る場合、各縦方向ビーム上に２本の導体パターンが平行
に形成される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】このようにフレクスチ
ャ上に複合ヘッドスライダを搭載する場合、２本の導体
パターンの幅と導体パターン間の間隔の合計が、フレク
スチャの縦方向ビームの幅より狭くなければならない。
【００１１】ところが、上述したように磁気ヘッドの小
型化に伴うフレクスチャの小型化に応じて、導体パター
ンの幅も必然的に狭くしなければならず、導体パターン
の電気抵抗が問題となる。即ち、導体パターンの幅を狭
くすると電気抵抗は大きくなり、記録／再生時の磁気ヘ
ッドノイズが大きくなり、電磁変換特性が悪化する。
【００１２】また、フレクスチャの縦方向ビーム上に従
来より更に細い導体パターンを２本以上平行に形成する
と、以下の事柄が問題となる。 （ａ）導体パターンと導体パターンの間隔が狭くなるの
で、磁気ヘッドノイズを発生しやすくなる。
【００１３】（ｂ）導体パターンと導体パターンが接触
し、磁気ヘッドが不良品になる恐れがある。 （ｃ）導体パターン上に形成された保護膜がフレクスチ
ャの縦方向ビーム等からはみ出ることがあり、組み立て
誤差が大きくなる。
【００１４】よって本発明の目的は、フレクスチャが小
型化されてその縦方向ビームが狭くなっても、導体パタ
ーンの電気抵抗を抑制することのできるヘッドアセンブ
リを提供することである。
【００１５】本発明の他の目的は、フレクスチャの剛性
を上げることなくサスペンション上に導体パターンを形
成することによって、磁気ヘッドの小型化に十分対応し
得るヘッドアセンブリを提供することである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明によると、ヘッド
アセンブリであって、サスペンションと；前記サスペン
ションの先端部にサスペンションと一体的に形成された
フレクスチャと；前記フレクスチャ上に搭載されたトラ
ンスデューサを有するヘッドスライダと；前記サスペン
ション及び前記フレクスチャ上に形成された、一端が前
記トランスデューサに接続された第１導体パターンと；
絶縁層を介して前記第１導体パターン上に積層された、
一端が前記トランスデューサに接続された第２導体パタ
ーンとを具備したことを特徴とするヘッドアセンブリが
提供される。
【００１７】トランスデューサが磁気誘導素子と磁気抵
抗効果素子を含んでいる複合ヘッドスライダの場合に
は、一端がトランスデューサに接続された第３導体パタ
ーンがサスペンション及びフレクスチャ上に形成されて
おり、更に第３導体パターン上に一端がトランスデュー
サに接続された第４導体パターンが積層されている。
【００１８】本発明の他の側面によると、磁気ディスク
装置であって、ハウジングと；前記ハウジング内に回転
可能に取り付けられた複数のトラックを有する磁気ディ
スクと；前記磁気ディスクにデータのライト／リードを
行うトランスデューサと；一端部に前記トランスデュー
サが形成されたヘッドスライダと；前記ヘッドスライダ
が接着されたヘッドスライダ搭載部を有するフレクスチ
ャが一端部に一体的に形成された、前記ヘッドスライダ
を前記磁気ディスク方向に付勢するサスペンションと；
前記サスペンション上に形成された一端が前記トランス
デューサに接続された第１導体パターンと；絶縁層を介
して前記第１導体パターン上に接着された、一端が前記
トランスデューサに接続された第２導体パターンと；前
記サスペンションに搭載された前記ヘッドスライダを前
記磁気ディスクのトラックを横切って移動させるアクチ
ュエータとを具備したことを特徴とする磁気ディスク装
置が提供される。
【００１９】
【作用】本発明によると、第１導体パターン上に第２導
体パターンを積層形成したので、ヘッドスライダの小型
化につれてヘッドスライダを搭載するフレクスチャの一
部分の幅が狭くなっても、導体パターンの幅を十分広く
取ることができる。
【００２０】これにより、導体パターンの電気抵抗を十
分に小さく抑えることができ、記録／再生時の磁気ヘッ
ドノイズの発生を抑えることができ、良好な電磁変換特
性を維持することができる。
【００２１】また、フレクスチャの剛性を上げることな
くサスペンションに導体パターンを形成することができ
るため、磁気ヘッドの浮上安定性の向上を図ることがで
きる。
【００２２】
【実施例】図１を参照すると、本発明のヘッドアセンブ
リを有する磁気ディスク装置の斜視図が示されている。
符号２はベース４とカバー６とから構成されるハウジン
グ（ディスクエンクロージャ）を示している。ベース４
上にはインナーハブモータによって回転される図示しな
いスピンドルハブが設けられている。
【００２３】スピンドルハブには磁気ディスク１０と図
示しないスペーサが交互に挿入され、ディスククランプ
８をスピンドルハブにネジ締結することにより、複数枚
の磁気ディスク１０が所定間隔離間してスピンドルハブ
に取り付けられる。
【００２４】符号１２はアクチュエータアームアセンブ
リ１４と磁気回路１６とから構成されるロータリーアク
チュエータを示している。アクチュエータアームアセン
ブリ１４はベース４に固定したシャフト１５回りに回転
可能に取り付けられたアクチュエータブロック１８を含
んでいる。
【００２５】アクチュエータブロック１８には複数のア
クチュエータアーム２０が一体的に形成されている。各
アクチュエータアーム２０の先端にはヘッドアセンブリ
２１が取り付けられている。
【００２６】ヘッドアセンブリ２１はアクチュエータア
ーム２０の先端に固定されたサスペンション２２と、サ
スペンション２２の先端部に搭載された磁気ヘッドスラ
イダ２４を含んでいる。
【００２７】ベース４の外周部には環状パッキンアセン
ブリ２６が設けられており、この環状パッキンアセンブ
リ２６を間に挟んでカバー６をベース４にネジ締結する
ことにより、磁気ディスク装置内が密閉される。
【００２８】次に図２を参照して本発明第１実施例のヘ
ッドアセンブリについて説明する。サスペンション２２
はステンレス鋼から形成されており、その両側２２ａ，
２２ｂは剛性を高めるために折り曲げられている。
【００２９】サスペンション２２の先端部にはフレクス
チャ３０が一体的に形成されている。フレクスチャ３０
はＵ形状スリット３２とこのＵ形状スリット３２に対向
する逆Ｕ形状スリット３４とにより画成されたヘッドス
ライダ搭載部３６を有している。
【００３０】Ｕ形状スリット３２及び逆Ｕ形状スリット
３４と、これらのスリットの横方向外側に形成された第
１縦方向（長手方向）スリット３８とにより第１ビーム
４０が画成されている。
【００３１】同様に、Ｕ形状スリット３２及び逆Ｕ形状
スリット３４と、これらのスリットの横方向外側に形成
された第２縦方向スリット４２とにより第２ビーム４４
が画成されている。
【００３２】第１ブリッジ４６がヘッドスライダ搭載部
３６と第１ビーム４０を連結し、第２ブリッジ４８がヘ
ッドスライダ搭載部３６と第２ビーム４４を連結してい
る。ヘッドスライダ２４の一端にはトランスデューサと
しての磁気誘導素子５０と、磁気抵抗効果素子５２とが
一体的に形成されている。磁気誘導素子５０は一対の端
子５４に接続されており、磁気抵抗効果素子５２は一対
の端子５６に接続されている。
【００３３】フレクスチャ３０のヘッドスライダ搭載部
３６には前記端子５４に対応する一対の端子５８と、端
子５６に対応する一対の端子６０が形成されている。ヘ
ッドスライダ２４をフレクスチャ３０のスライダ搭載部
３６に接着し、ヘッドスライダ２４の端子５４，５６と
スライダ搭載部３６の端子５８，６０とがそれぞれ金ボ
ールでボンディング接続される。
【００３４】図３（Ａ）に示すように、サスペンション
２２及びフレクスチャ３０上にはその一端が端子５８の
一方に接続された導体パターン６２が形成されており、
導体パターン６２上には絶縁層を介してその一端が端子
５８の他方に接続された導体パターン６４が積層されて
いる。
【００３５】同様に、サスペンション２２及びフレクス
チャ３０上にはその一端が端子６０の一方に接続された
導体パターン６６が形成されており、導体パターン６６
上には絶縁層を介してその一端が端子６０の他方に接続
された導体パターン６８が積層されている。
【００３６】即ち、図３（Ａ）の符号７０で示された部
分の拡大図である図３（Ｂ）に示すように、第１ビーム
４０上にまずポリイミドからなる絶縁層６１を形成す
る。絶縁層６１上にＣｕをスパッタリングした後エッチ
ングして導体パターン６２を形成する。
【００３７】次いで、導体パターン６２をポリイミド絶
縁層６３で被覆し、その上にＣｕをスパッタリングした
後、エッチングして導体パターン６４を形成する。導体
パターン６４はポリイミドから形成された保護層６５に
より被覆される。導体パターン６６，６８の積層方法も
導体パターン６２，６４の積層方法と同様である。
【００３８】絶縁層６１，６３及び保護層６５の厚さは
０．５〜２０μｍ、好ましくは１〜１０μｍである。導
体パターン６２，６４，６６，６８はＣｕから形成する
のが好ましいが、Ａｕ，Ａｌ，Ａｇ，Ｗ，Ｔａ等も採用
可能である。これらの導体パターンの厚さは１〜１０μ
ｍ、好ましくは２〜８μｍである。
【００３９】ヘッドスライダ２４が小型になるにつれ
て、ヘッドスライダ２４を搭載するフレクスチャ３０も
小さくなる。よって、フレクスチャ３０のビーム４０，
４４の厚さを薄くするには限界に来ている（ｔ＝２０μ
ｍ）ため、ビーム４０，４４の幅を狭くしなければなら
ない。
【００４０】故に、幅の狭いビーム４０，４４上に十分
な幅の導体パターンを形成するには、上述したように導
体パターン６２上に導体パターン６４を積層し、導体パ
ターン６６上に導体パターン６８を積層すればよい。
【００４１】これにより、導体パターンの電気抵抗を十
分小さく維持しながら、４本の導体パターン６２，６
４，６６，６８をサスペンション２２及びフレクスチャ
３０上に形成することができる。
【００４２】図４は本発明第２実施例の分解斜視図を示
している。上述した第１実施例と実質的に同一構成部分
については同一符号を付し、重複を避けるためその説明
を省略する。
【００４３】本実施例は、フレクスチャ３０上にそれぞ
れ端子５８に接続された細い導体パターン７２，７４
と、それぞれ端子６０に接続された細い導体パターン７
６，７８を形成し、これらの導体パターン７２，７４，
７６，７８をサスペンション２２上に形成した太い導体
パターン７２’，７４’，７６’，７８’にそれぞれ接
続したものである。
【００４４】図４のＢ部分の拡大図である図５に示すよ
うに、細い導体パターン７２，７４と太い導体パターン
７２’，７４’の接続部分はビーム４０からちょうど外
れた部分であるのが望ましい。
【００４５】このようにフレクスチャ３０部分に複数の
細い導体パターンを形成し、これらの導体パターンをサ
スペンション２２上に形成した太い導体パターンに接続
するようにすれば、１本の導体パターン全体の電気抵抗
をそれほど増加することなく、記録／再生時の磁気ヘッ
ドノイズの発生を抑制することができる。
【００４６】図６を参照すると、本実施例第３実施例の
分解斜視図が示されている。ステンレス鋼からなるサス
ペンション８０の先端にフレクスチャ８２が一体的に形
成されている。フレクスチャ８２はＣ形状スリット８４
により画成されたヘッドスライダ搭載部８６を有してい
る。
【００４７】Ｃ形状スリット８４の両側に伸長する一対
の縦方向ビーム８８，９０はその先端で横方向ビーム９
２により連結されている。ブリッジ９４がヘッドスライ
ダ搭載部８６と横方向ビーム９２とを連結する。
【００４８】ヘッドスライダ搭載部８６上にはヘッドス
ライダ２４の端子５４とボンディング接続される一対の
端子９６と、端子５６とボンディング接続される一対の
端子９８が形成されている。
【００４９】図６のＣ−Ｃ線断面図である図７に示すよ
うに、サスペンション８０及びフレクスチャ８２上には
一対の浅い溝１０８，１１０がエッチングにより形成さ
れている。溝１０８中にポリイミドからなる絶縁層９９
を形成し、その上に導体パターン１００を形成する。
【００５０】次いで、導体パターン１００をポリイミド
からなる絶縁層で被覆した後、導体パターン１０２を形
成する。導体パターン１０２はポリイミドからなる保護
層で被覆する。溝１１０中の導体パターン１０４，１０
６の積層方法も上述した方法と同様である。
【００５１】その後、サスペンション８０の端部を湾曲
させてスライダをディスクに押し当てる方向にバネ性を
持たせ、サスペンション８０の両側を折り曲げてリブを
設け、サスペンション８０に剛性を持たせる。
【００５２】最後に、アーム２０と嵌合するためのスペ
ーサをサスペンション８０にレーザスポット溶接で結合
し、ヘッドスライダ２４を接着剤でフレクスチャに接着
することでヘッドアセンブリが完成する。
【００５３】このように浅い溝１０８，１１０を形成し
た後、この溝中に導体パターンを積層するようにすれ
ば、導体パターンが端子９６，９８付近で分岐する際、
導体パターンの形成を容易に行うことができる。
【００５４】図７では、導体パターン１０２，１０６が
サスペンション８０の面よりはみ出しているが、サスペ
ンションの厚さや導体パターンの厚みに応じてサスペン
ションの面よりも凹むように、又は同一面となるように
溝１０８，１１０を形成することも可能である。
【００５５】サスペンション８０の基端部側では導体パ
ターンを積層することなく、４本の導体パターン１０
０，１０２，１０４，１０６をサスペンション８０上に
形成する。
【００５６】そして、サスペンション８０とアーム２０
とをかしめ結合した後、アーム２０に取り付けられたフ
レキシブルプリント配線シート（ＦＰＣ）の４つの端子
にこれら４本の導体パターン１００，１０２，１０４，
１０６が直接ボンディング接続されるか、又はリード線
により接続される。
【００５７】
【発明の効果】本発明は以上詳述したように構成したの
で、ヘッドスライダの小型化に応じてそれを搭載するフ
レクスチャが小さくなった場合にも、導体パターンの電
気抵抗を増加することなく、複数本の導体パターンの形
成をサスペンション及びフレクスチャ上に容易に行うこ
とができる。これにより、フレクスチャの剛性の設計も
従来と変わりなく行うことができ、ヘッドスライダの浮
上安定性の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のヘッドアセンブリを具備した磁気ディ
スク装置斜視図である。
【図２】本発明第１実施例分解斜視図である。
【図３】図３（Ａ）は図２のＡ−Ａ線断面図であり、図
３（Ｂ）は図３（Ａ）の符号７０部分の拡大図である。
【図４】本発明第２実施例分解斜視図である。
【図５】図４のＢ部分拡大図である。
【図６】本発明第３実施例分解斜視図である。
【図７】図６のＣ−Ｃ線断面図である。
【符号の説明】
２１ ヘッドアセンブリ ２２ サスペンション ２４ ヘッドスライダ ３０ フレクスチャ ３６ ヘッドスライダ搭載部 ５０ 磁気誘導素子 ５２ 磁気抵抗効果素子 ６２，６４，６６，６８ 導体パターン

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ヘッドアセンブリであって、 サスペンションと；前記サスペンションの先端部にサス
    ペンションと一体的に形成されたフレクスチャと；前記
    フレクスチャ上に搭載された、トランスデューサを有す
    るヘッドスライダと；前記サスペンション及び前記フレ
    クスチャ上に形成された、一端が前記トランスデューサ
    に接続された第１導体パターンと；絶縁層を介して前記
    第１導体パターン上に積層された、一端が前記トランス
    デューサに接続された第２導体パターンとを具備したこ
    とを特徴とするヘッドアセンブリ。
  2. 【請求項２】 前記フレクスチャはＵ形状スリットと該
    Ｕ形状スリットに対向する逆Ｕ形状スリットとにより画
    成されたヘッドスライダ搭載部と、前記Ｕ形状スリット
    及び前記逆Ｕ形状スリットの一側の外側に形成された第
    １縦方向スリットと前記Ｕ形状スリット及び前記逆Ｕ形
    状スリットとにより画成された第１ビームと、前記Ｕ形
    状スリット及び前記逆Ｕ形状スリットの他側の外側に形
    成された第２縦方向スリットと前記Ｕ形状スリット及び
    前記逆Ｕ形状スリットとにより画成された第２ビーム
    と、前記ヘッドスライダ搭載部と前記第１ビームを連結
    する第１ブリッジと、前記ヘッドスライダ搭載部と前記
    第２ビームを連結する第２ブリッジとを有している請求
    項１記載のヘッドアセンブリ。
  3. 【請求項３】 前記フレクスチャはＣ形状スリットによ
    り画成されたヘッドスライダ搭載部と、Ｃ形状スリット
    の外側に延在する第１及び第２縦方向ビームと、前記第
    １及び第２の縦方向ビームを連結する横方向ビームと、
    前記ヘッドスライダ搭載部と前記横方向ビームとを連結
    するブリッジとを有している請求項１記載のヘッドアセ
    ンブリ。
  4. 【請求項４】 前記サスペンション及び前記フレクスチ
    ャ上に形成された、一端が前記トランスデューサに接続
    された第３導体パターンと；絶縁層を介して前記第３導
    体パターン上に積層された、一端が前記トランスデュー
    サに接続された第４導体パターンとを更に具備し；前記
    トランスデューサは記録用素子と再生用素子とを含んで
    おり；前記第１及び第２導体パターンは前記第１ブリッ
    ジ及び前記第１ビーム上に形成され、前記第３及び第４
    導体パターンは前記第２ブリッジ及び前記第２ビーム上
    に形成されている請求項２記載のヘッドアセンブリ。
  5. 【請求項５】 前記サスペンション及び前記フレクスチ
    ャ上に形成された、一端が前記トランスデューサに接続
    された第３導体パターンと；絶縁層を介して前記第３導
    体パターン上に積層された、一端が前記トランスデュー
    サに接続された第４導体パターンを更に具備し；前記ト
    ランスデューサは記録用素子と再生用素子とを含んでお
    り；前記第１及び第２導体パターンは前記第１縦方向ビ
    ーム上に形成され、前記第３及び第４導体パターンは前
    記第２縦方向ビーム上に形成されている請求項３記載の
    ヘッドアセンブリ。
  6. 【請求項６】 前記サスペンション及び前記フレクスチ
    ャはエッチングにより形成された第１及び第２の溝を有
    しており、前記第１導体パターンは前記第１の溝中に形
    成され、前記第３導体パターンは前記第２の溝中に形成
    されている請求項４記載のヘッドアセンブリ。
  7. 【請求項７】 前記サスペンション及び前記フレクスチ
    ャはエッチングにより形成された第１及び第２の溝を有
    しており、前記第１導体パターンは前記第１の溝中に形
    成され、前記第３導体パターンは前記第２の溝中に形成
    されている請求項５記載のヘッドアセンブリ。
  8. 【請求項８】 ヘッドアセンブリであって、 サスペンションと；前記サスペンションの先端部にサス
    ペンションと一体的に形成されたフレクスチャと；前記
    フレクスチャ上に搭載された、記録用素子と再生用素子
    とを有するヘッドスライダと；前記サスペンション及び
    前記フレクスチャ上に形成された、一端が前記記録用素
    子に接続された第１及び第２導体パターンと；前記サス
    ペンション及び前記フレクスチャ上に形成された、一端
    が前記再生用素子に接続された第３及び第４導体パター
    ンとを具備し；前記フレクスチャはＵ形状スリットと該
    Ｕ形状スリットに対向する逆Ｕ形状スリットとにより画
    成されたヘッドスライダ搭載部と、前記Ｕ形状スリット
    及び前記逆Ｕ形状スリットの一側の外側に形成された第
    １縦方向スリットと前記Ｕ形状スリット及び前記逆Ｕ形
    状スリットとにより画成された第１ビームと、前記Ｕ形
    状スリット及び前記逆Ｕ形状スリットの他側の外側に形
    成された第２縦方向スリットと前記Ｕ形状スリット及び
    前記逆Ｕ形状スリットとにより画成された第２ビーム
    と、前記ヘッドスライダ搭載部と前記第１ビームを連結
    する第１ブリッジと、前記ヘッドスライダ搭載部と前記
    第２ビームを連結する第２ブリッジとを有しており；前
    記第１及び第２導体パターンは前記第１ブリッジ及び前
    記第１ビームを通過するように形成され、少なくとも前
    記第１ブリッジ及び前記第１ビーム上で他の部分に形成
    された第１及び第２導体パターンの幅よりもその幅が狭
    く形成されており；前記第３及び第４導体パターンは前
    記第２ブリッジ及び前記第２ビームを通過するように形
    成され、少なくとも前記第２ブリッジ及び第２ビーム上
    で他の部分に形成された第３及び第４導体パターンの幅
    よりもその幅が狭く形成されていることを特徴とするヘ
    ッドアセンブリ。
  9. 【請求項９】 ヘッドアセンブリであって、 サスペンションと；前記サスペンションの先端部にサス
    ペンションと一体的に形成されたフレクスチャと；前記
    フレクスチャ上に形成された、記録用素子と再生用素子
    とを有するヘッドスライダと；前記サスペンション及び
    前記フレクスチャ上に形成された、一端が前記記録用素
    子に接続された第１及び第２導体パターンと；前記サス
    ペンション及び前記フレクスチャ上に形成された、一端
    が前記再生用素子に接続された第３及び第４導体パター
    ンとを具備し；前記フレクスチャはＣ形状スリットによ
    り画成されたヘッドスライダ搭載部と、Ｃ形状スリット
    の外側に延在する第１及び第２の縦方向ビームと、前記
    第１及び第２の縦方向ビームを連結する横方向ビーム
    と、前記ヘッドスライダ搭載部と前記横方向ビームとを
    連結するブリッジとを有しており；前記第１及び第２導
    体パターンは前記第１縦方向ビーム上を通過するように
    形成され、前記第３及び第４導体パターンは前記第２縦
    方向ビーム上を通過するように形成されており；前記第
    １乃至第４導体パターンは少なくとも前記ブリッジ、前
    記横方向ビーム及び前記第１及び第２縦方向ビーム上に
    おいて他の部分に形成された第１乃至第４導体パターン
    の幅よりもその幅が狭く形成されていることを特徴とす
    るヘッドアセンブリ。
  10. 【請求項１０】 磁気ディスク装置であって、 ハウジングと；前記ハウジング内に回転可能に取り付け
    られた複数のトラックを有する磁気ディスクと；前記磁
    気ディスクにデータのライト／リードを行うトランスデ
    ューサと；一端部に前記トランスデューサが形成された
    ヘッドスライダと；前記ヘッドスライダが接着されるヘ
    ッドスライダ搭載部を有するフレクスチャが一端部に一
    体的に形成された、前記ヘッドスライダを前記磁気ディ
    スク方向に付勢するサスペンションと；前記サスペンシ
    ョン上に形成された一端が前記トランスデューサに接続
    された第１導体パターンと；絶縁層を介して前記第１導
    体パターン上に積層された、一端が前記トランスデュー
    サに接続された第２導体パターンと；前記サスペンショ
    ンに搭載された前記ヘッドスライダを前記磁気ディスク
    のトラックを横切って移動させるアクチュエータとを具
    備したことを特徴とする磁気ディスク装置。
  11. 【請求項１１】 前記サスペンション上に形成された一
    端が前記トランスデューサに接続された第３導体パター
    ンと；絶縁層を介して前記第３導体パターン上に積層さ
    れた、一端が前記トランスデューサに接続された第４導
    体パターンとを更に具備し；前記トランスデューサは記
    録用素子と再生用素子とを含んでおり、前記第１及び第
    ２導体パターンは前記記録用素子に接続され、前記第３
    及び第４導体パターンは前記再生用素子に接続されてい
    る請求項１０記載の磁気ディスク装置。
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