JPH04267586A - 同軸配線パターンおよびその形成方法 - Google Patents
同軸配線パターンおよびその形成方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は同軸配線パターンの形成
方法に関し、特に厚膜多層配線基板における信号配線パ
ターンの形成方法に関する。
方法に関し、特に厚膜多層配線基板における信号配線パ
ターンの形成方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の厚膜多層配線基板の信号
配線パターンの形成方法においては、信号の伝搬特性を
向上させるために、半導体デバイスとの特性インピーダ
ンスの整合とクロストークノイズの低減が行われており
、一般的な方法においてはストリップライン構造が採用
されている。この方法は図5,図6に示すように基板6
上の信号配線パターン1の上層又は下層に電源配線層又
は接地層としての上部導体5又は下部導体4を取り付け
ることにより、特性インピーダンスの整合を図る方法や
、信号の周波数が数百MHz帯に及ぶものについては図
7に示すように信号配線パターン1の上下層を電源層も
しくは接地層としての上部導体5および下部導体4で挾
む方法が用いられている。
配線パターンの形成方法においては、信号の伝搬特性を
向上させるために、半導体デバイスとの特性インピーダ
ンスの整合とクロストークノイズの低減が行われており
、一般的な方法においてはストリップライン構造が採用
されている。この方法は図5,図6に示すように基板6
上の信号配線パターン1の上層又は下層に電源配線層又
は接地層としての上部導体5又は下部導体4を取り付け
ることにより、特性インピーダンスの整合を図る方法や
、信号の周波数が数百MHz帯に及ぶものについては図
7に示すように信号配線パターン1の上下層を電源層も
しくは接地層としての上部導体5および下部導体4で挾
む方法が用いられている。
【0003】またクロストークノイズの低減策において
は、クロストークノイズが信号配線の上下層又は側方の
信号配線との静電容量の影響を受けて発生することより
、信号配線間の間隔を広くしたり、信号配線の配線膜厚
を薄くしたり、配線の線幅を細くしたりして結合容量を
低減している。周波数が数百MHzを超えるものや、近
傍の信号配線の信号電圧が高いものについては、さらに
信号配線の上下層及び側方に接地配線を設置する方法が
広く用いられている。
は、クロストークノイズが信号配線の上下層又は側方の
信号配線との静電容量の影響を受けて発生することより
、信号配線間の間隔を広くしたり、信号配線の配線膜厚
を薄くしたり、配線の線幅を細くしたりして結合容量を
低減している。周波数が数百MHzを超えるものや、近
傍の信号配線の信号電圧が高いものについては、さらに
信号配線の上下層及び側方に接地配線を設置する方法が
広く用いられている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した従来
技術による方法においては信号配線パターンを確実に覆
うことができないことから、数百MHzを超える周波数
帯においては、信号配線パターンより電気信号が漏れた
り、近接配線パターンとの影響によりクロストークノイ
ズの発生や特性インピーダンスの不整合が発生する。
技術による方法においては信号配線パターンを確実に覆
うことができないことから、数百MHzを超える周波数
帯においては、信号配線パターンより電気信号が漏れた
り、近接配線パターンとの影響によりクロストークノイ
ズの発生や特性インピーダンスの不整合が発生する。
【0005】配線パターンの形成はスクリーン印刷法が
一般的であり、例えば配線幅が100μm程度の配線パ
ターンの場合325メッシュのステンレスメッシュスク
リーンが広く使用されているが、この場合配線の印刷膜
厚を10μm以下にすることが困難であり、高密度実装
においては、配線間のピッチが狭くなりクロストークノ
イズが問題となってくる。また数百MHzを超える周波
数帯においては、信号配線パターンの寸法精度の悪さが
特性インピーダンスの不整合につながり伝播異常が発生
する。
一般的であり、例えば配線幅が100μm程度の配線パ
ターンの場合325メッシュのステンレスメッシュスク
リーンが広く使用されているが、この場合配線の印刷膜
厚を10μm以下にすることが困難であり、高密度実装
においては、配線間のピッチが狭くなりクロストークノ
イズが問題となってくる。また数百MHzを超える周波
数帯においては、信号配線パターンの寸法精度の悪さが
特性インピーダンスの不整合につながり伝播異常が発生
する。
【0006】本発明の目的は、特性インピーダンスの整
合性を良くし、かつクロストークを少なくした同軸配線
パターンおよびその形成方法を提供することにある。
合性を良くし、かつクロストークを少なくした同軸配線
パターンおよびその形成方法を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
、本発明に係る同軸配線パターンにおいては、厚膜多層
基板の配線実装構造において、誘電体層に形成した信号
配線パターンの上下左右は、接地層で覆われているもの
である。
、本発明に係る同軸配線パターンにおいては、厚膜多層
基板の配線実装構造において、誘電体層に形成した信号
配線パターンの上下左右は、接地層で覆われているもの
である。
【0008】また、本発明に係る同軸配線パターンの形
成方法においては、厚膜多層基板の配線形成方法におい
て、信号配線パターンの左右に形成する接地層を、感光
性を有する誘電体を使用してリソグラフィー技術により
作製するものである。
成方法においては、厚膜多層基板の配線形成方法におい
て、信号配線パターンの左右に形成する接地層を、感光
性を有する誘電体を使用してリソグラフィー技術により
作製するものである。
【0009】
【作用】本発明の同軸配線パターンの構造においては、
厚膜多層基板の誘電体層に形成した信号配線パターンの
上下,左右を接地層で覆うことにより、同軸配線パター
ンを形成し、信号配線の側方に形成する接地層の形成方
法においては、感光性を有する誘電体を使用することに
より、特性インピーダンスの整合性の良い同軸配線パタ
ーンを形成するものである。
厚膜多層基板の誘電体層に形成した信号配線パターンの
上下,左右を接地層で覆うことにより、同軸配線パター
ンを形成し、信号配線の側方に形成する接地層の形成方
法においては、感光性を有する誘電体を使用することに
より、特性インピーダンスの整合性の良い同軸配線パタ
ーンを形成するものである。
【0010】
【実施例】次に図面を参照して本発明について詳細に説
明をする。図1は、本発明の一実施例の構造を説明する
断面図、図2〜図4は本発明の同軸配線パターンの製造
方法を説明する図である。
明をする。図1は、本発明の一実施例の構造を説明する
断面図、図2〜図4は本発明の同軸配線パターンの製造
方法を説明する図である。
【0011】図1において、基板6上に形成される信号
配線パターン1は、下部導体4と側方導体2および上部
導体5により囲まれている。また上部導体5、下部導体
4および側方導体2は接地層に接続されている。この状
態で信号配線パターン1は同軸配線構造となっている。 信号配線パターン1の特性インピーダンスは、誘電体3
の比誘電率と信号配線パターン1の線幅と膜厚および周
囲の接地層との距離により定まる。
配線パターン1は、下部導体4と側方導体2および上部
導体5により囲まれている。また上部導体5、下部導体
4および側方導体2は接地層に接続されている。この状
態で信号配線パターン1は同軸配線構造となっている。 信号配線パターン1の特性インピーダンスは、誘電体3
の比誘電率と信号配線パターン1の線幅と膜厚および周
囲の接地層との距離により定まる。
【0012】次に、同軸配線パターンの製造方法につい
て述べる。図2,図3において基板6は、予め有機溶剤
もしくは塩酸等でパターン形成面を洗浄しておき、下部
導体4を厚膜印刷法又は薄膜法等により形成する。
て述べる。図2,図3において基板6は、予め有機溶剤
もしくは塩酸等でパターン形成面を洗浄しておき、下部
導体4を厚膜印刷法又は薄膜法等により形成する。
【0013】その後、感光性誘電体材料を厚膜印刷法で
形成し、乾燥後ホトリソグラフィー技術により側方導体
2を充填するための溝を形成し厚膜導体ペーストを充填
し焼結し、側方導体2および誘電体3を形成する。
形成し、乾燥後ホトリソグラフィー技術により側方導体
2を充填するための溝を形成し厚膜導体ペーストを充填
し焼結し、側方導体2および誘電体3を形成する。
【0014】さらに誘電体3上に信号配線パターンを厚
膜印刷法および薄膜法により形成する。本発明の実施例
においては、基板6の96%アルミナセラミック基板を
使用し、下部導体4および側方導体2には金の厚膜導体
ペーストを使用し、印刷,乾燥後、約900℃で焼結し
ている。感光性誘電体材料3はネガタイプの感光特性の
ものを使用して紫外線で露光し、トリクロロエタンで現
像を行い、約900℃で焼結している。信号配線パター
ン1は、金を薄膜メッキ法で形成する。この場合薄膜メ
ッキ法は信号配線パターンの寸法精度がよく、このため
インピーダンスの整合性が良好である。
膜印刷法および薄膜法により形成する。本発明の実施例
においては、基板6の96%アルミナセラミック基板を
使用し、下部導体4および側方導体2には金の厚膜導体
ペーストを使用し、印刷,乾燥後、約900℃で焼結し
ている。感光性誘電体材料3はネガタイプの感光特性の
ものを使用して紫外線で露光し、トリクロロエタンで現
像を行い、約900℃で焼結している。信号配線パター
ン1は、金を薄膜メッキ法で形成する。この場合薄膜メ
ッキ法は信号配線パターンの寸法精度がよく、このため
インピーダンスの整合性が良好である。
【0015】さらに図4において上層の誘電体層を感光
性誘電体材料を用いて厚膜印刷法で形成し、前述の下層
の誘電体形成方法と同様に形成し、最後に上部導体5を
厚膜金ペーストを用いて厚膜印刷法で形成する。
性誘電体材料を用いて厚膜印刷法で形成し、前述の下層
の誘電体形成方法と同様に形成し、最後に上部導体5を
厚膜金ペーストを用いて厚膜印刷法で形成する。
【0016】本発明は従来例と比較して信号配線パター
ン1の側方導体2の形状を面状にすることにより、隣接
導体との干渉が抑制されクロストークノイズの低減が図
られる。
ン1の側方導体2の形状を面状にすることにより、隣接
導体との干渉が抑制されクロストークノイズの低減が図
られる。
【0017】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、信号配線
パターンの上下,左右を接地層で覆うことにより、同軸
配線形状を形成し特性インピーダンスの整合性がよく、
隣接導体との干渉の少ない配線パターンができるという
効果がある。
パターンの上下,左右を接地層で覆うことにより、同軸
配線形状を形成し特性インピーダンスの整合性がよく、
隣接導体との干渉の少ない配線パターンができるという
効果がある。
【図1】本発明の一実施例を説明する断面図である。
【図2】本発明の同軸配線パターンの製造方法を説明す
る図である。
る図である。
【図3】図2のA−A′線断面図である。
【図4】本発明の同軸配線パターンの製造方法を説明す
る図である。
る図である。
【図5】従来例を示す断面図である。
【図6】従来例を示す断面図である。
【図7】従来例を示す断面図である。
1 信号配線パターン
2 側方導体
3 誘電体
4 下部導体
5 上部導体
6 基板
7 接地配線パターン
Claims (2)
- 【請求項1】 厚膜多層基板の配線実装構造において
、誘電体層に形成した信号配線パターンの上下左右は、
接地層で覆われていることを特徴とする同軸配線パター
ン。 - 【請求項2】 厚膜多層基板の配線形成方法において
、信号配線パターンの左右に形成する接地層を、感光性
を有する誘電体を使用してリソグラフィー技術により作
製することを特徴とする同軸配線パターンの形成方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3050708A JPH04267586A (ja) | 1991-02-22 | 1991-02-22 | 同軸配線パターンおよびその形成方法 |
US07/838,697 US5357138A (en) | 1991-02-22 | 1992-02-21 | Coaxial wiring pattern structure in a multilayered wiring board |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3050708A JPH04267586A (ja) | 1991-02-22 | 1991-02-22 | 同軸配線パターンおよびその形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04267586A true JPH04267586A (ja) | 1992-09-24 |
Family
ID=12866401
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3050708A Pending JPH04267586A (ja) | 1991-02-22 | 1991-02-22 | 同軸配線パターンおよびその形成方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5357138A (ja) |
JP (1) | JPH04267586A (ja) |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5363550A (en) * | 1992-12-23 | 1994-11-15 | International Business Machines Corporation | Method of Fabricating a micro-coaxial wiring structure |
WO1998047331A1 (fr) * | 1997-04-16 | 1998-10-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Tableau de connexions, son procede de fabrication et boitier de semi-conducteur |
US5828555A (en) * | 1996-07-25 | 1998-10-27 | Fujitsu Limited | Multilayer printed circuit board and high-frequency circuit device using the same |
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