JP2008091635A - 配線回路基板 - Google Patents
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Abstract
【課題】信号接続端子とそれに対応する外部端子との接続と、グランド接続端子とそれに対応する外部端子との接続とを、容易かつ確実に達成することのできる配線回路基板を提供すること。
【解決手段】導体層３の信号配線４を、第１絶縁層９の上面の長手方向途中に複数形成し、導体層３の信号接続端子５を、第１絶縁層９の上面において、各信号配線４の長手方向両端部に連続して形成し、グランド層６のグランド配線７を、各信号配線４を囲むように形成し、グランド層６のグランド接続端子８を、第１絶縁層９の上面で、各グランド配線７の長手方向両端部に形成し、この各グランド接続端子８と各グランド配線７の上部グランド配線１５とを、グランド補助配線２３により、接続する。
【選択図】図１
【解決手段】導体層３の信号配線４を、第１絶縁層９の上面の長手方向途中に複数形成し、導体層３の信号接続端子５を、第１絶縁層９の上面において、各信号配線４の長手方向両端部に連続して形成し、グランド層６のグランド配線７を、各信号配線４を囲むように形成し、グランド層６のグランド接続端子８を、第１絶縁層９の上面で、各グランド配線７の長手方向両端部に形成し、この各グランド接続端子８と各グランド配線７の上部グランド配線１５とを、グランド補助配線２３により、接続する。
【選択図】図１
Description
本発明は、配線回路基板、詳しくは、フレキシブル配線回路基板などの配線回路基板に関する。
従来より、各種電子機器には、フレキシブル配線回路基板などの配線回路基板が用いられている。
また、近年、データの高密度化の観点から、このような配線回路基板では、信号の高周波数化が必要になるところ、高周波数化を図ると、伝送損失が大きくなる。
そのため、このような伝送損失を低減させるために、例えば、基材、ベースシールド層、ベース絶縁層、複数の導体からなる導体層、カバー絶縁層およびカバーシールド層が順次積層されたコネクタにおいて、ベースシールド層およびカバーシールド層がベース絶縁層およびカバー絶縁層を介して、導体層を連続して囲み、ベースシールド層の端縁から延びるタブにより、ベースシールド層を接地することが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
米国特許第４９２６００７号明細書（図２、図４、図２０、図２１）
また、近年、データの高密度化の観点から、このような配線回路基板では、信号の高周波数化が必要になるところ、高周波数化を図ると、伝送損失が大きくなる。
そのため、このような伝送損失を低減させるために、例えば、基材、ベースシールド層、ベース絶縁層、複数の導体からなる導体層、カバー絶縁層およびカバーシールド層が順次積層されたコネクタにおいて、ベースシールド層およびカバーシールド層がベース絶縁層およびカバー絶縁層を介して、導体層を連続して囲み、ベースシールド層の端縁から延びるタブにより、ベースシールド層を接地することが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
しかし、特許文献１のコネクタでは、導体層の端子が、ベース絶縁層の上に形成される一方で、ベースシールド層のタブが、基材の上に形成されている。つまり、ベースシールド層のタブと、導体層の端子とは、同一の層の上に形成されておらず、その厚み方向位置が互いに異なっている。そのため、このコネクタを、電子機器などに接続するときには、かかる接続が煩雑となる。
本発明の目的は、信号接続端子とそれに対応する外部端子との接続と、グランド接続端子とそれに対応する外部端子との接続とを、容易かつ確実に達成することのできる配線回路基板を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明の配線回路基板は、複数の絶縁層と、前記絶縁層に被覆され、長手方向に延びる信号配線、および、前記信号配線の長手方向端部に設けられ、前記絶縁層から露出する信号接続端子を有する導体層と、前記絶縁層に被覆され、前記信号配線をその長手方向に直交する方向において囲むように形成されるグランド配線、および、前記グランド配線の長手方向端部に設けられ、前記絶縁層から露出するグランド接続端子を有するグランド層とを備え、前記信号接続端子および前記グランド接続端子が、複数の前記絶縁層のうちの同一の絶縁層の上面に形成されていることを特徴としている。
この配線回路基板では、信号接続端子およびグランド接続端子が、複数の絶縁層のうちの同一の絶縁層の上面に形成されている。つまり、信号接続端子およびグランド接続端子が、厚み方向において実質的に同一の位置に配置されている。そのため、信号接続端子とそれに対応する外部端子との接続と、グランド接続端子とそれに対応する外部端子との接続とを、容易かつ確実に達成することができる。
また、本発明の配線回路基板では、前記信号配線と前記信号接続端子とが、同一の前記絶縁層の上面に形成されているか、または、前記グランド配線と前記グランド接続端子とが、同一の前記絶縁層の上面に形成されていることが好適である。
この配線回路基板では、信号配線および信号接続端子、または、グランド配線およびグランド接続端子を、同時かつ簡単に形成することができながら、信号接続端子とそれに対応する外部端子との接続と、グランド接続端子とそれに対応する外部端子との接続とを、容易かつ確実に達成することができる。
この配線回路基板では、信号配線および信号接続端子、または、グランド配線およびグランド接続端子を、同時かつ簡単に形成することができながら、信号接続端子とそれに対応する外部端子との接続と、グランド接続端子とそれに対応する外部端子との接続とを、容易かつ確実に達成することができる。
また、本発明の配線回路基板では、複数の前記絶縁層は、前記信号配線の下面に形成される第１絶縁層と、前記グランド配線の下面と前記第１絶縁層との間に、前記信号配線を被覆するように形成される第２絶縁層とを少なくとも備え、前記信号接続端子および前記グランド接続端子が、前記第１絶縁層の上面に形成されていることが好適である。
この配線回路基板では、信号接続端子およびグランド接続端子が、ともに第１絶縁層の上面に形成されているので、配線回路基板を簡単に形成することができながら、信号接続端子とそれに対応する外部端子との接続と、グランド接続端子とそれに対応する外部端子との接続とを、容易かつ確実に達成することができる。
この配線回路基板では、信号接続端子およびグランド接続端子が、ともに第１絶縁層の上面に形成されているので、配線回路基板を簡単に形成することができながら、信号接続端子とそれに対応する外部端子との接続と、グランド接続端子とそれに対応する外部端子との接続とを、容易かつ確実に達成することができる。
また、本発明の配線回路基板では、複数の前記絶縁層は、前記信号配線の下面に形成される第１絶縁層と、前記グランド配線の下面と前記第１絶縁層との間に、前記信号配線を被覆するように形成される第２絶縁層とを少なくとも備え、前記信号接続端子および前記グランド接続端子が、前記第２絶縁層の上面に形成されていることが好適である。
この配線回路基板では、信号接続端子およびグランド接続端子が、ともに第２絶縁層の上面に形成されているので、配線回路基板を簡単に形成することができながら、信号接続端子とそれに対応する外部端子との接続と、グランド接続端子とそれに対応する外部端子との接続とを、容易かつ確実に達成することができる。
この配線回路基板では、信号接続端子およびグランド接続端子が、ともに第２絶縁層の上面に形成されているので、配線回路基板を簡単に形成することができながら、信号接続端子とそれに対応する外部端子との接続と、グランド接続端子とそれに対応する外部端子との接続とを、容易かつ確実に達成することができる。
この配線回路基板では、信号接続端子およびグランド接続端子が、複数の絶縁層のうちの同一の絶縁層の上面に形成されているので、信号接続端子とそれに対応する外部端子との接続と、グランド接続端子とそれに対応する外部端子との接続とを、容易かつ確実に達成することができる。
図１は、本発明の配線回路基板の一実施形態を示す平面図、図２は、図１に示す配線回路基板の長手方向（以下、単に長手方向という。）途中の、長手方向および厚み方向に直交する方向（以下、単に幅方向という。）に沿う部分断面図、図３は、図２に示す配線回路基板の各導体層および各グランド層の図であって、左側図は、長手方向一端部の部分斜視図、中央図は、長手方向途中の幅方向に沿う部分断面図、右側図は、長手方向一端部の幅方向に沿う部分断面図であり、図４〜図６は、図３に示す配線回路基板の製造方法を示す製造工程図であり、その左側図、中央図および右側図が、図３の左側図、中央図および右側図にそれぞれ対応している。なお、図１および図３の左側図において、後述する第３絶縁層１１は省略し、また、図１、図３および図４〜図６の左側図において、後述する金属薄膜１６は省略している。
図１において、この配線回路基板１は、例えば、長手方向に延びる平面視略矩形状に形成されるフレキシブル配線回路基板であって、例えば、絶縁層２と、導体層３と、グランド層６とを備えている。
絶縁層２は、配線回路基板１の外形形状に対応して、長手方向に延びる平面視略矩形状に形成されている。また、絶縁層２は、図２に示すように、第１絶縁層９、第２絶縁層１０、第３絶縁層１１および第４絶縁層１２を備えている。絶縁層２は、第１絶縁層９の上に、第２絶縁層１０および第３絶縁層１１を順次積層し、第１絶縁層９の下に、第４絶縁層１２を積層することにより、形成されている。
絶縁層２は、配線回路基板１の外形形状に対応して、長手方向に延びる平面視略矩形状に形成されている。また、絶縁層２は、図２に示すように、第１絶縁層９、第２絶縁層１０、第３絶縁層１１および第４絶縁層１２を備えている。絶縁層２は、第１絶縁層９の上に、第２絶縁層１０および第３絶縁層１１を順次積層し、第１絶縁層９の下に、第４絶縁層１２を積層することにより、形成されている。
また、第１絶縁層９、第２絶縁層１０、第３絶縁層１１および第４絶縁層１２の、幅方向両端縁は、平面視において互いに同一位置となるように形成されている。
また、第１絶縁層９および第４絶縁層１２は、図１および図６（ｆ）に示すように、その長手方向両端縁が平面視において同一位置となるように形成され、第２絶縁層１０および第３絶縁層１１は、その長手方向両端縁が平面視において同一位置となるように形成されている。
また、第１絶縁層９および第４絶縁層１２は、図１および図６（ｆ）に示すように、その長手方向両端縁が平面視において同一位置となるように形成され、第２絶縁層１０および第３絶縁層１１は、その長手方向両端縁が平面視において同一位置となるように形成されている。
また、第２絶縁層１０および第３絶縁層１１は、第１絶縁層９および第４絶縁層１２よりも、長手方向にやや短く形成されている。すなわち、第２絶縁層１０および第３絶縁層１１は、第１絶縁層９および第４絶縁層１２の長手方向両端部が第２絶縁層１０および第３絶縁層１１の長手方向両端縁から露出するように、形成されている。
第２絶縁層１０は、第１絶縁層９の上面に、後述する導体層３の信号配線４を被覆するように形成されている。また、第２絶縁層１０は、第１絶縁層９と後述する上部グランド配線１５の下面との間に形成されている。
第２絶縁層１０は、第１絶縁層９の上面に、後述する導体層３の信号配線４を被覆するように形成されている。また、第２絶縁層１０は、第１絶縁層９と後述する上部グランド配線１５の下面との間に形成されている。
また、第１絶縁層９および第２絶縁層１０には、各信号配線４ごとに、各信号配線４を挟んで幅方向に間隔を隔てて配置され、厚み方向に貫通され、長手方向に延びる２つの第１開口部１８が形成されている。また、各第１開口部１８には、後述する側部グランド配線１４が充填されている。
第３絶縁層１１は、第２絶縁層１０の上面に、後述する上部グランド配線１５を被覆するように形成されている。
第３絶縁層１１は、第２絶縁層１０の上面に、後述する上部グランド配線１５を被覆するように形成されている。
第４絶縁層１２は、第１絶縁層９の下面に、後述する下部グランド配線１３を被覆するように形成されている。
第１絶縁層９、第２絶縁層１０、第３絶縁層１１および第４絶縁層１２は、同一または相異なった絶縁材料からなり、例えば、ポリイミド、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニルなどの合成樹脂（後述する製造方法において、第２絶縁層１０、第３絶縁層１１および第４絶縁層１２をパターンとして形成する場合には、例えば、感光性の合成樹脂）からなる。好ましくは、ポリイミドからなる。
第１絶縁層９、第２絶縁層１０、第３絶縁層１１および第４絶縁層１２は、同一または相異なった絶縁材料からなり、例えば、ポリイミド、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニルなどの合成樹脂（後述する製造方法において、第２絶縁層１０、第３絶縁層１１および第４絶縁層１２をパターンとして形成する場合には、例えば、感光性の合成樹脂）からなる。好ましくは、ポリイミドからなる。
第１絶縁層９の厚みは、例えば、５〜５０μｍ、好ましくは、１２〜３０μｍであり、第２絶縁層１０の厚みは、例えば、５〜５０μｍ、好ましくは、１２〜３０μｍであり、第３絶縁層１１の厚みは、例えば、５〜５０μｍ、好ましくは、１２〜３０μｍであり、第４絶縁層１２の厚みは、例えば、５〜５０μｍ、好ましくは、１２〜３０μｍである。
導体層３は、図１に示すように、複数の信号配線４と、各信号配線４の長手方向一方側に設けられる一方側信号接続端子５Ａおよび各信号配線４の長手方向他方側に設けられる他方側信号接続端子５Ｂを一体的に有する配線回路パターンとして形成されている。
導体層３は、図１に示すように、複数の信号配線４と、各信号配線４の長手方向一方側に設けられる一方側信号接続端子５Ａおよび各信号配線４の長手方向他方側に設けられる他方側信号接続端子５Ｂを一体的に有する配線回路パターンとして形成されている。
複数の信号配線４は、幅方向において互いに間隔を隔てて並列配置されている。また、各信号配線４は、第１絶縁層９の上面に形成され、長手方向に延び、第２絶縁層１０に被覆されるように形成されている。
一方側信号接続端子５Ａおよび他方側信号接続端子５Ｂは、第１絶縁層９の上面に形成され、配線回路基板１の長手方向両端部に配置されており、第２絶縁層１０および第３絶縁層１１から露出するように形成されている。より具体的には、各一方側信号接続端子５Ａおよび各他方側信号接続端子５Ｂは、第２絶縁層１０および第３絶縁層１１の長手方向両端縁から露出する第１絶縁層９の上面において、互いに間隔を隔てて並列配置されている。また、各一方側信号接続端子５Ａおよび各他方側信号接続端子５Ｂは、その長手方向両端縁が、長手方向において、第１絶縁層９および第４絶縁層１２の長手方向両端縁と、長手方向内方側に、間隔を隔てて配置されている（図６（ｆ）参照）。
一方側信号接続端子５Ａおよび他方側信号接続端子５Ｂは、第１絶縁層９の上面に形成され、配線回路基板１の長手方向両端部に配置されており、第２絶縁層１０および第３絶縁層１１から露出するように形成されている。より具体的には、各一方側信号接続端子５Ａおよび各他方側信号接続端子５Ｂは、第２絶縁層１０および第３絶縁層１１の長手方向両端縁から露出する第１絶縁層９の上面において、互いに間隔を隔てて並列配置されている。また、各一方側信号接続端子５Ａおよび各他方側信号接続端子５Ｂは、その長手方向両端縁が、長手方向において、第１絶縁層９および第４絶縁層１２の長手方向両端縁と、長手方向内方側に、間隔を隔てて配置されている（図６（ｆ）参照）。
また、各一方側信号接続端子５Ａおよび各他方側信号接続端子５Ｂは、各信号配線４の長手方向両端部と連続して接続されている。また、各一方側信号接続端子５Ａおよび各他方側信号接続端子５Ｂには、これらに対応する図示しない電子部品のコネクタ（外部端子）がそれぞれ接続される。
なお、以降の説明では、一方側信号接続端子５Ａおよび他方側信号接続端子５Ｂは、信号接続端子５と総称し、また、図３〜図１０では、一方側信号接続端子５Ａおよび他方側信号接続端子５Ｂのいずれか一方のみを示している。
なお、以降の説明では、一方側信号接続端子５Ａおよび他方側信号接続端子５Ｂは、信号接続端子５と総称し、また、図３〜図１０では、一方側信号接続端子５Ａおよび他方側信号接続端子５Ｂのいずれか一方のみを示している。
導体層３は、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などの導体材料からなる。好ましくは、銅からなる。
導体層３の厚みは、例えば、３〜１８μｍ、好ましくは、５〜１２μｍである。また、各信号配線４の幅（幅方向長さ。以下同じ）は、例えば、２０〜７５μｍ、好ましくは、３５〜５５μｍであり、各信号配線４間の間隔は、例えば、２００〜８００μｍ、好ましくは、４００〜６００μｍである。また、各信号接続端子５の長さ（長手方向長さ。以下同じ。）は、例えば、３〜２００ｍｍ、好ましくは、５０〜１００ｍｍである。
導体層３の厚みは、例えば、３〜１８μｍ、好ましくは、５〜１２μｍである。また、各信号配線４の幅（幅方向長さ。以下同じ）は、例えば、２０〜７５μｍ、好ましくは、３５〜５５μｍであり、各信号配線４間の間隔は、例えば、２００〜８００μｍ、好ましくは、４００〜６００μｍである。また、各信号接続端子５の長さ（長手方向長さ。以下同じ。）は、例えば、３〜２００ｍｍ、好ましくは、５０〜１００ｍｍである。
グランド層６は、図１および図３に示すように、絶縁層２に被覆される、複数のグランド配線７と、各グランド配線７の長手方向両端部に接続され、絶縁層２から露出されるグランド接続端子８とを備えている。
グランド配線７は、各信号配線４に対応して設けられ、長手方向に延びるように形成されている。各グランド配線７は、図２に示すように、下部グランド配線１３と、側部グランド配線１４と、上部グランド配線１５とを備えている。
グランド配線７は、各信号配線４に対応して設けられ、長手方向に延びるように形成されている。各グランド配線７は、図２に示すように、下部グランド配線１３と、側部グランド配線１４と、上部グランド配線１５とを備えている。
下部グランド配線１３は、第１絶縁層９の下面に、第４絶縁層１２に被覆されるように形成されており、平面視略矩形状に形成されている。
また、各下部グランド配線１３は、厚み方向において、各信号配線４およびこれを挟む２つの側部グランド配線１４と、少なくとも対向するように形成されている。より具体的には、各下部グランド配線１３は、各信号配線４の幅方向両外側に延び、２つの側部グランド配線１４の幅方向両外側面（幅方向一方側の側部グランド配線１４の幅方向一方側面および幅方向他方側の側部グランド配線１４の幅方向他方側面）間よりも幅広となるように形成されている。
また、各下部グランド配線１３は、厚み方向において、各信号配線４およびこれを挟む２つの側部グランド配線１４と、少なくとも対向するように形成されている。より具体的には、各下部グランド配線１３は、各信号配線４の幅方向両外側に延び、２つの側部グランド配線１４の幅方向両外側面（幅方向一方側の側部グランド配線１４の幅方向一方側面および幅方向他方側の側部グランド配線１４の幅方向他方側面）間よりも幅広となるように形成されている。
側部グランド配線１４は、第１絶縁層９および第２絶縁層１０の第１開口部１８内に充填されており、側面視略矩形状に形成されている。
また、側部グランド配線１４は、各信号配線４の幅方向両外側に、間隔を隔てて配置されており、側部グランド配線１４は、各信号配線４を幅方向に挟んで対向配置されている。
また、側部グランド配線１４は、各信号配線４の幅方向両外側に、間隔を隔てて配置されており、側部グランド配線１４は、各信号配線４を幅方向に挟んで対向配置されている。
上部グランド配線１５は、第２絶縁層１０の上面に、第３絶縁層１１に被覆されるように形成されており、平面視略矩形状に形成されている。
また、各上部グランド配線１５は、各２つの側部グランド配線１４と一体的に連続して形成されている。より具体的には、各上部グランド配線１５は、各信号配線４および下部グランド層１３と厚み方向において対向配置され、各２つの側部グランド配線１４の上端から、厚み方向上側、幅方向両内側および幅方向両外側に膨出するように形成されている。
また、各上部グランド配線１５は、各２つの側部グランド配線１４と一体的に連続して形成されている。より具体的には、各上部グランド配線１５は、各信号配線４および下部グランド層１３と厚み方向において対向配置され、各２つの側部グランド配線１４の上端から、厚み方向上側、幅方向両内側および幅方向両外側に膨出するように形成されている。
また、各上部グランド配線１５には、図３に示すように、後述するグランド補助配線２３が連続して一体的に接続されている。
下部グランド配線１３と、側部グランド配線１４および上部グランド配線１５とは、同一または相異なった金属材料からなり、例えば、導体層３の導体材料と同一の金属材料からなる。好ましくは、銅からなる。
下部グランド配線１３と、側部グランド配線１４および上部グランド配線１５とは、同一または相異なった金属材料からなり、例えば、導体層３の導体材料と同一の金属材料からなる。好ましくは、銅からなる。
各下部グランド配線１３の厚みは、例えば、３〜１８μｍ、好ましくは、５〜１２μｍであり、その幅は、例えば、１５０〜５００μｍ、好ましくは、２２０〜４３０μｍである。また、各下部グランド配線１３間の間隔は、例えば、８０〜３００μｍ、好ましくは、１００〜２００μｍである。
各側部グランド配線１４の幅は、例えば、３〜１８μｍ、好ましくは、５〜１２μｍである。また、各信号配線４を挟む各２つの側部グランド配線１４間の間隔は、例えば、１００〜５００μｍ、好ましくは、１８０〜２５０μｍであり、各側部グランド配線１４およびそれに対応する各信号配線４間の間隔は、例えば、１０〜１００μｍ、好ましくは、３０〜６０μｍである。
各側部グランド配線１４の幅は、例えば、３〜１８μｍ、好ましくは、５〜１２μｍである。また、各信号配線４を挟む各２つの側部グランド配線１４間の間隔は、例えば、１００〜５００μｍ、好ましくは、１８０〜２５０μｍであり、各側部グランド配線１４およびそれに対応する各信号配線４間の間隔は、例えば、１０〜１００μｍ、好ましくは、３０〜６０μｍである。
各上部グランド配線１５の厚みは、例えば、３〜１８μｍ、好ましくは、５〜１２μｍであり、その幅は、例えば、１５０〜５００μｍ、好ましくは、２２０〜４３０μｍである。また、各上部グランド配線１５間の間隔は、例えば、８０〜３００μｍ、好ましくは、１００〜２００μｍである。
そして、このグランド配線７は、各下部グランド配線１３および各上部グランド配線１５が各信号配線４を厚み方向において挟むように形成され、かつ、各２つの側部グランド配線１４が各信号配線４を幅方向において挟むように形成されている。これにより、各グランド配線７は、幅方向および厚み方向において、各信号配線４を囲んでいる。
そして、このグランド配線７は、各下部グランド配線１３および各上部グランド配線１５が各信号配線４を厚み方向において挟むように形成され、かつ、各２つの側部グランド配線１４が各信号配線４を幅方向において挟むように形成されている。これにより、各グランド配線７は、幅方向および厚み方向において、各信号配線４を囲んでいる。
なお、図１に示すように、各グランド配線７は、その長手方向両端部が、第２絶縁層１０および第３絶縁層１１の長手方向両端部よりも、長手方向内側に配置されている。
グランド接続端子８は、図１および図３に示すように、配線回路基板１の長手方向両端部に設けられ、第１絶縁層９の上面に、平面視略矩形状に形成されている。より具体的には、各グランド接続端子８は、第２絶縁層１０および第３絶縁層１１の長手方向両端縁から露出する第１絶縁層９の上面において、互いに間隔を隔てて並列配置されている。また、この各グランド接続端子８は、図示しない電子部品のコネクタ（外部端子）とそれぞれグランド接続（接地）される。また、各グランド接続端子８には、グランド補助配線２３が連続して一体的に設けられている。
グランド接続端子８は、図１および図３に示すように、配線回路基板１の長手方向両端部に設けられ、第１絶縁層９の上面に、平面視略矩形状に形成されている。より具体的には、各グランド接続端子８は、第２絶縁層１０および第３絶縁層１１の長手方向両端縁から露出する第１絶縁層９の上面において、互いに間隔を隔てて並列配置されている。また、この各グランド接続端子８は、図示しない電子部品のコネクタ（外部端子）とそれぞれグランド接続（接地）される。また、各グランド接続端子８には、グランド補助配線２３が連続して一体的に設けられている。
各グランド補助配線２３は、第２絶縁層１０の長手方向両端部に配置され、側面視略Ｌ字形状に形成されている。グランド補助配線２３は、上部グランド配線１５に連続する上部配線２４と、グランド接続端子８に連続する側部配線２５とを一体的に備えている。
各上部配線２４は、第２絶縁層１０の上面に形成され、各上部グランド配線１５の長手方向一端縁の幅方向一端部から、長手方向一方側に向かって延びるように形成されている。なお、各上部配線２４は、第３絶縁層１１によって被覆されている（図６（ｆ）参照）。
各上部配線２４は、第２絶縁層１０の上面に形成され、各上部グランド配線１５の長手方向一端縁の幅方向一端部から、長手方向一方側に向かって延びるように形成されている。なお、各上部配線２４は、第３絶縁層１１によって被覆されている（図６（ｆ）参照）。
各側部配線２５は、第２絶縁層１０の長手方向一側面に形成され、各グランド接続端子８の長手方向他端縁（第２絶縁層１０の長手方向一側面との隣接部分）から、厚み方向上方に向かって延びるように形成され、各上部配線２４と連続している。各下部配線２５は、図６（ｆ）に示すように、第３絶縁層１１から露出している。
そして、グランド補助配線２３は、各上部グランド配線１５と各グランド接続端子８とを、電気的に接続している。
そして、グランド補助配線２３は、各上部グランド配線１５と各グランド接続端子８とを、電気的に接続している。
グランド接続端子８およびグランド補助配線２３は、上部グランド配線１５と同一の金属材料からなり、好ましくは、銅からなる。
各グランド接続端子８および各グランド補助配線２３の厚みは、各上部グランド配線１５の厚みと同一であり、好ましくは、５〜１２μｍであり、その幅は、例えば、互いに同一であって、例えば、２００〜１５００μｍ、好ましくは、２５０〜５００μｍである。また、各グランド接続端子８の長さは、例えば、２〜１５ｍｍ、好ましくは、３〜１０ｍｍである。
各グランド接続端子８および各グランド補助配線２３の厚みは、各上部グランド配線１５の厚みと同一であり、好ましくは、５〜１２μｍであり、その幅は、例えば、互いに同一であって、例えば、２００〜１５００μｍ、好ましくは、２５０〜５００μｍである。また、各グランド接続端子８の長さは、例えば、２〜１５ｍｍ、好ましくは、３〜１０ｍｍである。
なお、側部グランド配線１４および上部グランド配線１５と、グランド接続端子８と、グランド補助配線２３とが後述するアディティブ法によって形成される場合には、これらの下面または側面に、金属薄膜１６が形成される。より具体的には、各金属薄膜１６は、各側部グランド配線１４と各下部グランド配線１３の上面および各第１開口部１８の内側面との間、各上部グランド配線１５と第２絶縁層１０の上面との間、各グランド接続端子８と第１絶縁層９の上面との間、各グランド補助配線２３の上部配線２４と第２絶縁層１０の上面との間、ならびに、各グランド補助配線２３の側部配線２５と第２絶縁層１０の長手方向一側端面との間に、それぞれ介在されている。
金属薄膜１６は、例えば、銅、クロム、金、銀、白金、ニッケル、チタン、ケイ素、マンガン、ジルコニウム、およびそれらの合金、またはそれらの酸化物などからなる。好ましくは、銅およびクロムからなる。また、金属薄膜１６の厚みは、例えば、０．０１〜１μｍ、好ましくは、０．０１〜０．１μｍである。
次に、この配線回路基板１の製造方法について、図４〜図６を参照して、説明する。
次に、この配線回路基板１の製造方法について、図４〜図６を参照して、説明する。
まず、この方法では、図４（ａ）に示すように、例えば、第１絶縁層９の上面に、第１金属層２１が予め積層され、第１絶縁層９の下面に、第２金属層２２が予め積層された金属張多層基材（銅張多層基材など）２０を用意する。
次いで、この方法では、図４（ｂ）に示すように、例えば、サブトラクティブ法により、導体層３を、第１絶縁層９の上面に形成するとともに、下部グランド配線１３を、第１絶縁層９の下面に形成する。
次いで、この方法では、図４（ｂ）に示すように、例えば、サブトラクティブ法により、導体層３を、第１絶縁層９の上面に形成するとともに、下部グランド配線１３を、第１絶縁層９の下面に形成する。
サブトラクティブ法では、例えば、第１金属層２１の上に、図示しないドライフィルムレジストを積層した後、露光および現像し、導体層３の配線回路パターンと同一パターンの図示しないエッチングレジストを形成するとともに、第２金属層２２の下に、図示しないドライフィルムレジストを積層した後、露光および現像し、下部グランド配線１３と同一パターンの図示しないエッチングレジストを形成する。次いで、エッチングレジストから露出する第１金属層２１および第２金属層２２をウエットエッチングした後、エッチングレジストを除去する。
次いで、この方法では、図５（ｃ）に示すように、第２絶縁層１０を、第１絶縁層９の上面に、導体層３の信号配線４を被覆し、かつ、導体層３の信号接続端子５が露出するように、形成する。
第２絶縁層１０は、例えば、導体層３を含む第１絶縁層９の上面に、感光性の合成樹脂のワニスを塗布し、乾燥後、フォトマスクを介して露光し、現像後、必要により硬化させることにより、上記したパターンで形成する。
第２絶縁層１０は、例えば、導体層３を含む第１絶縁層９の上面に、感光性の合成樹脂のワニスを塗布し、乾燥後、フォトマスクを介して露光し、現像後、必要により硬化させることにより、上記したパターンで形成する。
次いで、この方法では、図５（ｄ）に示すように、第１開口部１８を、第１絶縁層９および第２絶縁層１０に、上記した形状で形成する。
第１開口部１８の形成は、例えば、プラズマ、レーザによるドライエッチングなど、好ましくは、レーザによるドライエッチングにより、開口する。
次いで、この方法では、図６（ｅ）に示すように、側部グランド配線１４、上部グランド配線１５、グランド接続端子８およびグランド補助配線２３を、同時に形成する。
第１開口部１８の形成は、例えば、プラズマ、レーザによるドライエッチングなど、好ましくは、レーザによるドライエッチングにより、開口する。
次いで、この方法では、図６（ｅ）に示すように、側部グランド配線１４、上部グランド配線１５、グランド接続端子８およびグランド補助配線２３を、同時に形成する。
側部グランド配線１４、上部グランド配線１５、グランド接続端子８およびグランド補助配線２３は、例えば、アディティブ法、または、導電性ペーストを用いた印刷法によって、上記したパターンとして形成する。
アディティブ法では、まず、第２絶縁層１０の上面および長手方向両側面と、第１絶縁層９の上面と、信号接続端子５の上面、幅方向両側面および長手方向両側面と、第１開口部１８の内側面と、第１開口部１８から露出する下部グランド配線１３の上面とに、金属薄膜１６を連続して形成する。金属薄膜１６は、スパッタリング、好ましくは、クロムスパッタリングおよび銅スパッタリングにより、クロム薄膜と銅薄膜とを積層することにより、形成する。
アディティブ法では、まず、第２絶縁層１０の上面および長手方向両側面と、第１絶縁層９の上面と、信号接続端子５の上面、幅方向両側面および長手方向両側面と、第１開口部１８の内側面と、第１開口部１８から露出する下部グランド配線１３の上面とに、金属薄膜１６を連続して形成する。金属薄膜１６は、スパッタリング、好ましくは、クロムスパッタリングおよび銅スパッタリングにより、クロム薄膜と銅薄膜とを積層することにより、形成する。
次いで、この金属薄膜１６の上面および側面に、上記したパターンと逆パターンで図示しないめっきレジストを形成した後、めっきレジストから露出する金属薄膜１６の上面および側面に、電解めっきにより、上記したパターンで、側部グランド配線１４、上部グランド配線１５、グランド接続端子８およびグランド補助配線２３を同時に形成し、その後、めっきレジストおよびそのめっきレジストが積層されていた部分の金属薄膜１６を除去する。
また、導電性ペーストを用いた印刷法では、例えば、第１開口部１８を含む第２絶縁層１０の上面および長手方向両側面と、第１絶縁層９の上面とに、導電性ペーストを、上記したパターンでスクリーン印刷した後、焼結することにより、側部グランド配線１４、上部グランド配線１５、グランド接続端子８およびグランド補助配線２３を同時に形成する。導電性ペーストとしては、例えば、上記した金属材料の微粒子を含む導電性ペースト、好ましくは、銅微粒子を含む銅ペーストなどが挙げられる。導電性ペーストを用いた印刷法では、低コストで上記したパターンとして形成することができる。
これにより、側部グランド配線１４、上部グランド配線１５、グランド接続端子８およびグランド補助配線２３を、同時に形成することができる。
次いで、この方法では、図６（ｆ）に示すように、第３絶縁層１１を、第２絶縁層１０の上面に、上部グランド配線１５およびグランド補助配線２３の上部配線２４を被覆するように形成するとともに、第４絶縁層１２を、第１絶縁層９の下面に、下部グランド配線１３を被覆するように形成する。
次いで、この方法では、図６（ｆ）に示すように、第３絶縁層１１を、第２絶縁層１０の上面に、上部グランド配線１５およびグランド補助配線２３の上部配線２４を被覆するように形成するとともに、第４絶縁層１２を、第１絶縁層９の下面に、下部グランド配線１３を被覆するように形成する。
第３絶縁層１１は、例えば、上部グランド配線１５およびグランド補助配線２３を含む、第２絶縁層１０の上面に、感光性の合成樹脂のワニスを塗布し、乾燥後、フォトマスクを介して露光し、現像後、必要により硬化させることにより、上記したパターンで形成する。
第４絶縁層１２は、例えば、下部グランド配線１３を含む第１絶縁層９の下面に、感光性の合成樹脂のワニスを塗布し、乾燥後、フォトマスクを介して露光し、現像後、必要により硬化させることにより、上記したパターンで形成する。
第４絶縁層１２は、例えば、下部グランド配線１３を含む第１絶縁層９の下面に、感光性の合成樹脂のワニスを塗布し、乾燥後、フォトマスクを介して露光し、現像後、必要により硬化させることにより、上記したパターンで形成する。
また、第３絶縁層１１の形成は、上記の方法に制限されず、例えば、合成樹脂を上記したパターンのフィルムに予め形成して、そのフィルムを、上部グランド配線１５およびグランド補助配線２３を含む第２絶縁層１０の上面に、公知の接着剤層を介して貼着することもできる。
また、第４絶縁層１２の形成は、上記の方法に制限されず、例えば、合成樹脂を上記したパターンのフィルムに予め形成して、そのフィルムを、下部グランド配線１３を含む第１絶縁層９の下面に、公知の接着剤層を介して貼着することもできる。
また、第４絶縁層１２の形成は、上記の方法に制限されず、例えば、合成樹脂を上記したパターンのフィルムに予め形成して、そのフィルムを、下部グランド配線１３を含む第１絶縁層９の下面に、公知の接着剤層を介して貼着することもできる。
そして、この配線回路基板１では、信号接続端子５およびグランド接続端子８が、絶縁層２のうちの同一の絶縁層、すなわち、第１絶縁層９の上面に形成されている。
つまり、信号接続端子５およびグランド接続端子８が、厚み方向において実質的に同一の位置に配置されている。そのため、信号接続端子５およびそれに対応する電子部品のコネクタの接続と、グランド接続端子８およびそれに対応する電子部品のコネクタの接続とを、容易かつ確実に達成することができる。
つまり、信号接続端子５およびグランド接続端子８が、厚み方向において実質的に同一の位置に配置されている。そのため、信号接続端子５およびそれに対応する電子部品のコネクタの接続と、グランド接続端子８およびそれに対応する電子部品のコネクタの接続とを、容易かつ確実に達成することができる。
また、この配線回路基板１では、信号配線４と信号接続端子５とが同一の絶縁層、すなわち、第１絶縁層９の上面に形成されている。そのため、信号配線４と信号接続端子５とを、上記した金属張多層基材２０からサブトラクティブ法により、上記したパターンで、同時かつ簡単に形成することができる。
また、信号接続端子５およびグランド接続端子８が、ともに第１絶縁層９の上面に形成されているので、配線回路基板１を簡単に形成することができる。
また、信号接続端子５およびグランド接続端子８が、ともに第１絶縁層９の上面に形成されているので、配線回路基板１を簡単に形成することができる。
なお、上記した説明では、グランド接続端子８を、配線回路基板１の長手方向両端部に設けたが、これに制限されず、例えば、図示しないが、配線回路基板１の長手方向一端部に設けることもできる。
また、上記した説明では、信号接続端子５およびグランド接続端子８を、第１絶縁層９の上面に形成したが、これに制限されず、例えば、第２絶縁層１０の上面に形成することもできる。
また、上記した説明では、信号接続端子５およびグランド接続端子８を、第１絶縁層９の上面に形成したが、これに制限されず、例えば、第２絶縁層１０の上面に形成することもできる。
次に、本発明の配線回路基板の他の実施形態について、図７〜図１０を参照して、説明する。なお、上記した各部に対応する部材については、図７〜図１０の各図面において同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、図７の左側図において、第３絶縁層１１は省略し、さらに、図７〜図１０の左側図において、金属薄膜１６は省略している。
図７において、この配線回路基板１の絶縁層２では、第１絶縁層９、第２絶縁層１０および第４絶縁層１２は、その長手方向両端縁が平面視において同一位置となるように形成されている。
また、第３絶縁層１１は、図１０（ｆ）に示すように、第１絶縁層９、第２絶縁層１０および第４絶縁層１２よりも、長手方向にやや短く形成されている。すなわち、第１絶縁層９、第２絶縁層１０および第４絶縁層１２は、第１絶縁層９、第２絶縁層１０および第４絶縁層１２の長手方向両端部が第３絶縁層１１の長手方向両端縁から露出するように、形成されている。
また、第３絶縁層１１は、図１０（ｆ）に示すように、第１絶縁層９、第２絶縁層１０および第４絶縁層１２よりも、長手方向にやや短く形成されている。すなわち、第１絶縁層９、第２絶縁層１０および第４絶縁層１２は、第１絶縁層９、第２絶縁層１０および第４絶縁層１２の長手方向両端部が第３絶縁層１１の長手方向両端縁から露出するように、形成されている。
また、第２絶縁層１０には、図７に示すように、第３絶縁層１１から露出する第２絶縁層１０の長手方向略中央であって、各信号配線４の幅方向略中央において、厚み方向に貫通する第２開口部１９が形成されている。
第２開口部１９は、後で詳述する各信号接続端子５と、各信号配線４とを電気的に接続させるためのビアホールであって、信号配線４に対応して複数設けられ、各信号配線４の長手方向両端部の上面の一部が露出するよう、円筒形状に開口されている。また、この各第２開口部１９には、後述する信号接続端子５の下部２６が充填されている。
第２開口部１９は、後で詳述する各信号接続端子５と、各信号配線４とを電気的に接続させるためのビアホールであって、信号配線４に対応して複数設けられ、各信号配線４の長手方向両端部の上面の一部が露出するよう、円筒形状に開口されている。また、この各第２開口部１９には、後述する信号接続端子５の下部２６が充填されている。
各信号配線４は、各第２開口部１９を除く第２絶縁層１０に被覆されるように形成されている。また、信号配線４は、絶縁層２の長手方向両端部まで延び、その長手方向両端縁が、次に延べる信号接続端子５の長手方向両端縁と平面視において略同一位置となるように形成されている。
信号接続端子５は、第２絶縁層１０の上面に形成され、配線回路基板１の長手方向両端部に配置されている。より具体的には、各信号接続端子５は、図１０（ｆ）に示すように、長手方向において、その長手方向他端縁が、第３絶縁層１１の長手方向一端縁と、長手方向一方側に、間隔を隔てて配置されている。
信号接続端子５は、第２絶縁層１０の上面に形成され、配線回路基板１の長手方向両端部に配置されている。より具体的には、各信号接続端子５は、図１０（ｆ）に示すように、長手方向において、その長手方向他端縁が、第３絶縁層１１の長手方向一端縁と、長手方向一方側に、間隔を隔てて配置されている。
また、信号接続端子５は、図７に示すように、第２開口部１９に充填される下部２６と、下部２６の上端から、第２開口部１９の周囲の第２絶縁層１０の上面を被覆するように、厚み方向上側、幅方向両側および長手方向両側に膨出するように、平面視略矩形状に形成される上部２７とを、一体的に備えている。なお、各信号接続端子５の下部２６は、各信号配線４の上面に接触している。
なお、信号接続端子５が後述するアディティブ法によって形成される場合には、下部２６と、第２開口部１９から露出する信号配線４の上面および第２開口部１９の内側面との間、ならびに、上部２７と、それに被覆される第２絶縁層１０の上面との間に、金属薄膜１６が形成されている。
各信号接続端子５の上部２７の幅は、例えば、２００〜１５００μｍ、好ましくは、２５０〜５００μｍであり、その長さは、例えば、２〜１５ｍｍ、好ましくは、３〜１０ｍｍであり、各信号接続端子５の上部２７間の間隔は、例えば、１００〜１０００μｍ、好ましくは、２００〜７００μｍである。また、信号接続端子５の下部２６の厚みは、例えば、２〜２２μｍ、好ましくは、５〜１５μｍであり、その直径は、例えば、５０〜３００μｍ、好ましくは、７５〜１５０μｍである。
各信号接続端子５の上部２７の幅は、例えば、２００〜１５００μｍ、好ましくは、２５０〜５００μｍであり、その長さは、例えば、２〜１５ｍｍ、好ましくは、３〜１０ｍｍであり、各信号接続端子５の上部２７間の間隔は、例えば、１００〜１０００μｍ、好ましくは、２００〜７００μｍである。また、信号接続端子５の下部２６の厚みは、例えば、２〜２２μｍ、好ましくは、５〜１５μｍであり、その直径は、例えば、５０〜３００μｍ、好ましくは、７５〜１５０μｍである。
グランド接続端子８は、図１０（ｆ）に示すように、第２絶縁層１０の上面に設けられ、第３絶縁層１１から露出するように形成されている。また、グランド接続端子８は、図７に示すように、上部グランド配線１５の長手方向一端縁の幅方向一端部と連続して接続されている。すなわち、グランド接続端子８には、上記したグランド補助配線２３が設けられず、グランド接続端子８および上部グランド配線１５は、互いに直接接続されている。
各グランド接続端子８の幅は、例えば、２００〜１５００μｍ、好ましくは、２５０〜５００μｍであり、その長さは、例えば、２〜１５ｍｍ、好ましくは、３〜１０ｍｍであり、各グランド接続端子８間の間隔は、例えば、０．１〜１．０ｍｍ、好ましくは、０．２〜０．７ｍｍである。
次に、この配線回路基板１の製造方法について、図８〜図１０を参照して、説明する。
次に、この配線回路基板１の製造方法について、図８〜図１０を参照して、説明する。
まず、この方法では、図８（ａ）に示すように、例えば、金属張多層基材２０を用意する。
次いで、この方法では、図８（ｂ）に示すように、例えば、サブトラクティブ法により、信号配線４を、第１絶縁層９の上面に形成するとともに、下部グランド配線１３を、第１絶縁層９の下面に形成する。
次いで、この方法では、図８（ｂ）に示すように、例えば、サブトラクティブ法により、信号配線４を、第１絶縁層９の上面に形成するとともに、下部グランド配線１３を、第１絶縁層９の下面に形成する。
次いで、この方法では、図９（ｃ）に示すように、第２絶縁層１０を、第１絶縁層９の上面に、信号配線４を被覆するように、形成する。
第２絶縁層１０は、例えば、信号配線４を含む第１絶縁層９の上面に、感光性の合成樹脂のワニスを塗布し、乾燥後、フォトマスクを介して露光し、現像後、必要により硬化させることにより、上記したパターンで形成する。
第２絶縁層１０は、例えば、信号配線４を含む第１絶縁層９の上面に、感光性の合成樹脂のワニスを塗布し、乾燥後、フォトマスクを介して露光し、現像後、必要により硬化させることにより、上記したパターンで形成する。
次いで、この方法では、図９（ｄ）に示すように、第１開口部１８を、第１絶縁層９および第２絶縁層１０に、上記した形状で形成するとともに、第２開口部１９を、第２絶縁層に、上記した形状で形成する。
第１開口部１８および第２開口部１９の形成は、上記と同様の方法、好ましくは、レーザによるドライエッチングにより、これらを同時に開口する。
第１開口部１８および第２開口部１９の形成は、上記と同様の方法、好ましくは、レーザによるドライエッチングにより、これらを同時に開口する。
次いで、この方法では、図１０（ｅ）に示すように、側部グランド配線１４、上部グランド配線１５、グランド接続端子８および信号接続端子５を、同時に形成する。
側部グランド配線１４、上部グランド配線１５、グランド接続端子８および信号接続端子５は、例えば、アディティブ法、または、導電性ペーストを用いた印刷法によって、上記したパターンとして形成する。
側部グランド配線１４、上部グランド配線１５、グランド接続端子８および信号接続端子５は、例えば、アディティブ法、または、導電性ペーストを用いた印刷法によって、上記したパターンとして形成する。
アディティブ法では、まず、第２絶縁層１０の上面と、第１開口部１８の内側面と、第１開口部１８から露出する下部グランド配線１３の上面と、第２開口部１９の内側面と、第２開口部１９の内側面から露出する信号配線４の上面とに、金属薄膜１６を連続して形成する。金属薄膜１６は、スパッタリング、好ましくは、クロムスパッタリングおよび銅スパッタリングにより、クロム薄膜と銅薄膜とを積層することにより、形成する。
次いで、この金属薄膜１６の上面に、上記したパターンと逆パターンで図示しないめっきレジストを形成した後、めっきレジストから露出する金属薄膜１６の上面および側面に、電解めっきにより、上記したパターンで、側部グランド配線１４、上部グランド配線１５、グランド接続端子８および信号接続端子５を形成し、その後、めっきレジストおよびそのめっきレジストが積層されていた部分の金属薄膜１６を除去する。
また、導電性ペーストを用いた印刷法では、例えば、第１開口部１８および第２開口部１９を含む第２絶縁層１０の上面に、導電性ペーストを、上記したパターンでスクリーン印刷した後、焼結することにより形成する。
これにより、側部グランド配線１４、上部グランド配線１５、グランド接続端子８および信号接続端子５を、同時に形成することができる。
これにより、側部グランド配線１４、上部グランド配線１５、グランド接続端子８および信号接続端子５を、同時に形成することができる。
次いで、この方法では、図１０（ｆ）に示すように、第３絶縁層１１を、第２絶縁層１０の上面に、上部グランド配線１５を被覆し、かつ、グランド接続端子８および信号接続端子５が露出するように形成するとともに、第４絶縁層１２を、第１絶縁層９の下面に、下部グランド配線１３を被覆するように形成する。
第３絶縁層１１および第４絶縁層１２は、例えば、上部グランド配線１５、グランド接続端子８および信号接続端子５を含む第２絶縁層１０の上面と、下部グランド配線１３を含む第１絶縁層９の下面とに、感光性の合成樹脂のワニスを塗布し、乾燥後、フォトマスクを介して露光し、現像後、必要により硬化させることにより、上記したパターンで形成する。
第３絶縁層１１および第４絶縁層１２は、例えば、上部グランド配線１５、グランド接続端子８および信号接続端子５を含む第２絶縁層１０の上面と、下部グランド配線１３を含む第１絶縁層９の下面とに、感光性の合成樹脂のワニスを塗布し、乾燥後、フォトマスクを介して露光し、現像後、必要により硬化させることにより、上記したパターンで形成する。
また、第３絶縁層１１および第４絶縁層１２の形成は、上記の方法に制限されず、例えば、合成樹脂を上記したパターンのフィルムに予め形成して、そのフィルムを、上部グランド配線１５を含む第２絶縁層１０の上面と、下部グランド配線１３を含む第１絶縁層９の下面とに、公知の接着剤層を介して貼着することもできる。
そして、この配線回路基板１では、信号接続端子５およびグランド接続端子８が、絶縁層２のうちの同一の絶縁層、すなわち、第２絶縁層１０の上面に形成されている。
そして、この配線回路基板１では、信号接続端子５およびグランド接続端子８が、絶縁層２のうちの同一の絶縁層、すなわち、第２絶縁層１０の上面に形成されている。
つまり、信号接続端子５およびグランド接続端子８が、厚み方向において実質的に同一の位置に配置されている。そのため、信号接続端子５およびそれに対応する電子部品のコネクタの接続と、グランド接続端子８およびそれに対応する電子部品のコネクタの接続とを、容易かつ確実に達成することができる。
また、この配線回路基板１では、グランド配線７の上部グランド配線１５とグランド接続端子８とが同一の絶縁層、すなわち、第２絶縁層１０の上面に形成されている。そのため、グランド配線７の上部グランド配線１５とグランド接続端子８とを、上記したアディティブ法または導電性ペーストを用いた印刷法により、同時かつ簡単に形成することができる。
また、この配線回路基板１では、グランド配線７の上部グランド配線１５とグランド接続端子８とが同一の絶縁層、すなわち、第２絶縁層１０の上面に形成されている。そのため、グランド配線７の上部グランド配線１５とグランド接続端子８とを、上記したアディティブ法または導電性ペーストを用いた印刷法により、同時かつ簡単に形成することができる。
また、信号接続端子５およびグランド接続端子８が、ともに第２絶縁層１０の上面に形成されているので、配線回路基板１を簡単に形成することができる。
１ 配線回路基板
２ 絶縁層
３ 導体層
４ 信号配線
５ 信号接続端子
６ グランド層
７ グランド配線
８ グランド接続端子
９ 第１絶縁層
１０ 第２絶縁層
２ 絶縁層
３ 導体層
４ 信号配線
５ 信号接続端子
６ グランド層
７ グランド配線
８ グランド接続端子
９ 第１絶縁層
１０ 第２絶縁層
Claims (4)
- 複数の絶縁層と、
前記絶縁層に被覆され、長手方向に延びる信号配線、および、前記信号配線の長手方向端部に設けられ、前記絶縁層から露出する信号接続端子を有する導体層と、
前記絶縁層に被覆され、前記信号配線をその長手方向に直交する方向において囲むように形成されるグランド配線、および、前記グランド配線の長手方向端部に設けられ、前記絶縁層から露出するグランド接続端子を有するグランド層とを備え、
前記信号接続端子および前記グランド接続端子が、複数の前記絶縁層のうちの同一の絶縁層の上面に形成されていることを特徴とする、配線回路基板。 - 前記信号配線と前記信号接続端子とが、同一の前記絶縁層の上面に形成されているか、または、
前記グランド配線と前記グランド接続端子とが、同一の前記絶縁層の上面に形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板。 - 複数の前記絶縁層は、
前記信号配線の下面に形成される第１絶縁層と、
前記グランド配線の下面と前記第１絶縁層との間に、前記信号配線を被覆するように形成される第２絶縁層とを少なくとも備え、
前記信号接続端子および前記グランド接続端子が、前記第１絶縁層の上面に形成されていることを特徴とする、請求項１または２に記載の配線回路基板。 - 複数の前記絶縁層は、
前記信号配線の下面に形成される第１絶縁層と、
前記グランド配線の下面と前記第１絶縁層との間に、前記信号配線を被覆するように形成される第２絶縁層とを少なくとも備え、
前記信号接続端子および前記グランド接続端子が、前記第２絶縁層の上面に形成されていることを特徴とする、請求項１または２に記載の配線回路基板。
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