JP2002111205A

JP2002111205A - 多層配線板の製造方法および多層配線板

Info

Publication number: JP2002111205A
Application number: JP2001225080A
Authority: JP
Inventors: Hitoshi Aoki; 仁青木; Yoshitaka Okugawa; 良隆奥川; Kensuke Nakamura; 謙介中村; Masaaki Kato; 正明加藤; Hidetaka Hara; 英貴原
Original assignee: Sumitomo Bakelite Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority date: 2000-07-27
Filing date: 2001-07-25
Publication date: 2002-04-12

Abstract

(57)【要約】【課題】微細な配線パターンを形成できて、確実に層
間接続でき、且つ信頼性の高い多層配線板、およびその
製造方法を提供する。【解決手段】（Ａ）配線パターン上に絶縁層を形成す
る工程と、（Ｂ）配線パターンの一部が露出するように
絶縁層にビアを形成する工程と、（Ｃ）ベース基板の金
属層を電解めっき用リードとして、導体ポストを電解め
っきにより形成する工程と、（Ｄ）絶縁層上および導体
ポスト表面に金属膜を形成する工程と、（Ｅ）金属層を
電解めっき用リードとして、金属膜上に配線パターンを
電解めっきにより形成する工程と、（Ｆ）金属膜を部分
的に除去する工程とを含んでなり、前記工程の後に金属
層をエッチングにより、全面または部分的に除去するこ
とを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、多層配線板の製造
方法、およびその製造方法により製造された多層配線板
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年の電子機器の高機能化並びに軽薄短
小化の要求に伴い、電子部品の高密度集積化、更には高
密度実装化が進んできており、これらの電子機器に使用
される半導体パッケージは、従来にも増して、益々、小
型化かつ多ピン化が進んできている。

【０００３】従来の回路基板はプリント配線板と呼ば
れ、ガラス繊維の織布にエポキシ樹脂を含浸させた積層
板からなる、ガラスエポキシ板に貼り付けられた銅箔を
パターニングした後、複数枚重ねて積層接着し、ドリル
で貫通穴を開けて、この穴の壁面に銅めっきを行ってビ
アを形成し、層間の電気接続を行った配線基板の使用が
主流であった。しかし、搭載部品の小型化、高密度化が
進み、上記の配線基板では配線密度が不足して、部品の
搭載に問題が生じるようになってきている。

【０００４】このような背景により、近年、ビルドアッ
プ多層配線板が採用されている。ビルドアップ多層配線
板は、樹脂のみで構成される絶縁層と、導体とを積み重
ねながら成形される。ビア形成方法としては、従来のド
リル加工に代わって、レーザ法、プラズマ法、フォト法
等多岐にわたり、小径のビアホールを自由に配置するこ
とで、高密度化を達成するものである。層間接続部とし
ては、ブライドビア（ＢｌｉｎｄＶｉａ）やバリード
ビア（ＢｕｒｉｅｄＶｉａ：ビアを導電体で充填した
構造）等があり、ビアの上にビアを形成するスタックド
ビアが可能な、バリードビアホールが特に注目されてい
る。バリードビアホールとしては、ビアホールをめっき
で充填する方法と、導電性ペースト等で充填する場合と
に分けられる。一方、配線パターンを形成する方法とし
て、銅箔をエッチングする方法（サブトラクティブ
法）、電解銅めっきによる方法（アディティブ法）等が
あり、配線密度の高密度化に対応可能なアディティブ法
が特に注目され始めている。

【０００５】特開平１０−８４１８６号公報に記載され
た製造方法によると、ビア内を導電体（導電性ペース
ト）で充填する（バリードビア）ため、ビアの上にビア
を形成するスタックドビアが可能なうえ、配線パターン
を電解めっきなどで形成する（アディティブ法）ため、
微細な配線パターンを形成することができ、高密度化は
もちろんのこと配線設計も非常に簡易化することができ
る。しかしながら、この方法では、層間の電気的接続を
導電性ペーストで行っているため、信頼性が十分ではな
い。また、微細なビアに導電性ペーストを埋め込む高度
な技術や、離型性支持板の表面に形成された配線パター
ンと、接着性絶縁体に形成されたビアと、もう一方の配
線パターンとを同時に位置合せ積層する高度な技術も必
要となり、さらなる微細化に対応することが困難であ
る。

【０００６】特開平１１−２５１７０３号公報に記載さ
れた導電性組成物によって充填されたビアを有する絶縁
体層と、導電組成物の一方または両方の面の上に形成さ
れた導電性のバッファー層と、導電性のバッファー層上
に形成された配線パターンとを備え、導電性のバッファ
ー層は、導電性組成物、配線パターンのいずれか一方又
は両方と、合金又は金属間化合物を形成している回路基
板は、導電性ペーストと配線パターンの接続信頼性向上
を狙ったものであるが、この方法においても、金属間化
合物を形成する導電性バッファー層、導電性組成物、配
線パターンの表面が、十分に清浄化されていないと、導
電性バッファー層が濡れ拡がることができず、金属接合
が不十分になり、信頼性の高い電気的接続が得られな
い。

【０００７】特開平１１−２０４９３９号公報に記載さ
れた、絶縁シートの少なくとも片面に配線パターンを有
し、絶縁シートの表裏面を貫通して導電性のビアホール
を有し、そのビアホールと電気的に接続された表裏面の
任意の場所に、接続用電極を設けた回路基板どうしを、
絶縁層を介して複数枚積層した構造の多層回路基板であ
って、前記複数の互いに隣接する回路基板どうしを結合
する絶縁層を、１００〜３００℃の温度に加熱すると粘
度が１０００ポアズ以下に低下し、前記温度域に１０分
放置すると少なくとも７０〜８０％が硬化する、熱硬化
性接着剤の硬化層で構成してなる多層回路基板による
と、ビア内を導電体（電解めっき銅）で充填する（バリ
ードビア）ため、ビアの上にビアを形成するスタックド
ビアが可能で、層間接続部の高密度化を図ることができ
る。しかしながら、この方法においても、接続用電極と
して導電性接着剤を用いたり、接続用電極表面にＡｕや
Ｓｎ等を形成しＡｕ−Ｓｎ合金などで接続を試みたりし
ているが、導電性接着剤では前述したように信頼性が低
く、Ａｕ−Ｓｎ合金での接続では、Ｓｎ表面を清浄化し
ていないため金属間の濡れ性が悪く、接合が十分でな
い。

【０００８】実際に、「テープ状フィルムの一括積層方
式による多層配線板の開発」（エレクトロニクス実装学
会誌，ｖｏｌ.１，Ｎｏ.２（１９９８））で示されてい
るように、Ａｕ−Ｓｎ合金が全面にぬれ拡がらないた
め、Ａｕ−Ｓｎの間に熱硬化性接着剤を挟んだ部分的な
接合となり、信頼性が十分ではない。ここで、熱硬化性
接着剤の硬化層をエポキシ系接着剤で設けられている
が、具体的には、エポキシ樹脂としてビスフェノールＡ
型もしくはクレゾールノボラック型であり、硬化剤とし
て、フェノールノボラック樹脂とあるが、その機能は層
間接着のみであり、金属表面の酸化膜の除去や、還元と
いった金属表面の清浄化機能に関する記載はない。

【０００９】また、特開平１１−２０４９３９号公報で
は、「接続用電極として、Ｓｎ−Ｐｂはんだ等、Ｓｎを
主成分とする合金を用いて３００℃以下の温度で、電気
的な接続を行う方法」が記載されているが、接合表面を
清浄化しないと、半田接合することは不可能である。一
方、配線パターンは、銅箔をエッチングにより形成する
サブトラクティブ法であるため、さらなる配線パターン
の微細化に対応することが困難である。

【００１０】特開平８−１９５５６０号公報に記載され
た、両面又は片面に導電体回路層を有する絶縁体層と導
電体回路層を有しない絶縁体層とを所定数積み重ねた積
層体とを、加圧・成形し、同時に所定の少なくとも上下
二つの導電体回路層を電気的に接続させるプリント回路
基板の製造方法において、絶縁体層をいずれもガラス繊
維を含まないシート状の絶縁体樹脂層で形成し、導電体
回路層の所定場所上に導電体回路層間の電気的接続用の
導電体からなる突起（金属塊）を設けておき、積層体を
プレス治具板を用いて、プレスを行うものであり、プレ
ス圧力によって絶縁体樹脂層を突起が突き破り、対向す
る導電体回路層に当接・圧着させる製造方法、また、さ
らに突起の先端部に、絶縁体樹脂層の樹脂硬化温度より
高い溶融温度を有する半田層を設けておき熱および圧力
で絶縁体樹脂層を突起で突き破り半田層を導電体回路層
に接続させた後、この状態で温度を半田の溶融温度まで
上昇し半田層を溶融させて突起を導電体回路層に接続さ
せた後、冷却して半田層を固化させる製造方法による
と、導電体からなる突起（金属塊）により層間接続を行
うため、ビア（突起）の上にビア（突起）を形成するス
タックドビアが可能となり、層間接続部の高密度化を図
ることができる。また、絶縁体樹脂層にビアを形成して
おく必要がないため、生産性が向上するという利点もあ
る。しかしながら、上記の前者の方法では、電気的接続
が物理的接触だけであり、信頼性が低いことが予想され
る。後者の方法では、突起先端の半田層と導電体回路層
の表面が十分に清浄化、すなわち、表面酸化膜の除去や
還元がされていないと、半田が濡れ拡がることができな
いため、半田接合することは不可能である。

【００１１】特開平９−２３０６４号公報に記載された
製造方法によると、ポストにより層間接続を行うため、
ビア（ポスト）の上にビア（ポスト）を形成するスタッ
クドビアが可能となり、層間接続部の高密度化を図るこ
とができる。また、層間接続部に導電性ペースト等が不
要となるため、接続信頼性が高いことが予想される。し
かしながら、配線パターン（導体回路）は、金属膜をエ
ッチングすることにより形成するサブトラクティブ法で
あるため、さらなる配線パターンの微細化に対応するこ
とが困難である。また、硬化された樹脂を研磨してポス
ト表面を露出させるため、層間絶縁膜の厚みが各層によ
りばらつきやすく、近年注目されているインピーダンス
整合に精度良く対応することが困難である。

【００１２】また、特開平９−２３０６４号公報におい
ては、下層導体回路と上層導体回路との電気的接続をポ
ストにより行なう構造のプリント回路基板を製造するに
当たり、下層導体回路形成用の金属膜上に、該金属膜を
下層導体回路の形状にパターニングする前に、ポストを
形成し、該ポストの形成が済んだ前記金属膜上に、前記
金属膜の下層導体回路として残存させたい部分表面及び
該ポストを覆うためのマスクであって前記金属膜をエッ
チングするための手段に対し耐性を有する材料から成る
マスクを形成し、その後、前記金属膜の前記マスクで覆
われていない部分をエッチングして下層導体回路を形成
するが、金属膜をエッチングすることにより配線パター
ン（導体回路）を形成するサブトラクティブ法であるた
め、さらなる配線パターンの微細化に対応できないとい
った課題や、硬化された樹脂を研磨してポスト表面を露
出させるため、層間絶縁膜の厚みが各層によりばらつき
やすいといった課題を解決するためのものではない。

【００１３】特開昭６２−２２２６９６号公報では、基
板上に導体層と絶縁層とを交互に積層して多層配線基板
の導体配線を形成する多層配線基板の製造方法におい
て、前記導体配線を形成する面に所望の配線パターン形
状と略同形状にパターニングされた下地金属層を形成す
る工程と、少なくとも前記下地金属層以外に絶縁層を形
成する工程と、前記絶縁層をめっきレジストとして前記
下地金属層上に無電解めっきを行って前記導体配線を形
成する工程とからなるが、この発明の最大の特徴は、無
電解めっきにより配線パターンを形成するところにあ
り、これにより導体配線を均一な厚みで形成することが
できるだけでなく、アディティブ法であるため、微細な
導体配線を形成することができる。しかしながら、無電
解めっきによる導体配線形成では、導体配線を所望の厚
みに形成するまでに時間を要するため、生産性の向上が
図れないという重大な課題がある。さらに、下地金属層
を所望の配線パターン形状と略同形状にパターニングす
るが、絶縁層と導体配線との間に隙間が形成されないよ
うにするには下地金属層の寸法（幅）を配線パターン形
状よりも大きくする必要があるため、隣接する導体配線
のスペースを狭くすることができず、回路密度の向上に
障害が生じるという重大な課題もある。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、半導体チッ
プを搭載する多層配線板における、配線パターン形成お
よび層間接続のこのような現状の問題点に鑑み、微細な
配線パターンを形成でき、また確実に層間接続でき、且
つ信頼性の高い多層配線板を提供することを目的とす
る。

【００１５】

【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、次の多
層配線板の製造方法および多層配線板を提供する。（１）（Ａ）配線パターン上に絶縁層を形成する工程
と、（Ｂ）該配線パターンの一部が露出するように該絶
縁層にビアを形成する工程と、（Ｃ）ベース基板の金属
層を電解めっき用リードとして、導体ポストを電解めっ
きにより形成する工程と、（Ｄ）該絶縁層上および該導
体ポスト表面に金属膜を形成する工程と、（Ｅ）該金属
層を電解めっき用リードとして、該金属膜上に配線パタ
ーンを電解めっきにより形成する工程と、（Ｆ）該金属
膜を部分的に除去する工程と、を含んでなり、前記工程
の後に該金属層をエッチングにより、全面または部分的
に除去することを特徴とする多層配線板の製造方法。（２）ベース基板が、金属層上に配線パターンを形成
してなることを特徴とする前記第（１）項記載の多層配
線板の製造方法。（３）配線パターンが、電解めっきにより形成されて
なることを特徴とする前記第（２）項記載の多層配線板
の製造方法。（４）金属層を部分的にエッチングして除去すること
により、多層配線板の半導体チップを搭載する側の最外
層上に金属フレームを形成することを特徴とする、前記
第（１）項〜（３）項のいずれかに記載の多層配線板の
製造方法。（５）ベース基板が、最上面に配線パターンを有し、
最下面に金属層を有するとともに、該配線パターンと該
金属層が導通接続されたものであることを特徴とする、
前記第（１）項記載の多層配線板の製造方法。（６）ベース基板が、最上面に配線パターンを有し、
最下面に金属層を有するとともに、該配線パターンと該
金属層がスルーホールにより導通接続された両面配線板
または３層以上の配線板であることを特徴とする、前記
第（５）項記載の多層配線板の製造方法。（７）金属層を部分的にエッチングして除去すること
により、配線パターンを形成することを特徴とする、前
記第（１）項、（５）項または（６）項記載の多層配線
板の製造方法。（８）絶縁層が、樹脂付導体箔をラミネートし、該導
体箔をエッチングして除去することにより形成されるこ
とを特徴とする、前記第（１）項〜（７）項のいずれか
に記載の多層配線板の製造方法。（９）金属膜が、無電解銅めっき又はスパッタリング
により形成されることを特徴とする前記第（１）項〜
（８）項のいずれかに記載の多層配線板の製造方法。（１０）絶縁層が、補強繊維未充填の樹脂からなるこ
とを特徴とする前記第（１）項〜（９）項のいずれかに
記載の多層配線板の製造方法。

【００１６】（１１）前記第（１）項〜（１０）項の
いずれかに記載の多層配線板の製造方法により、得られ
ることを特徴とする多層配線板。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態について説明するが、本発明はこれによって何ら
限定されるものではない。図１〜図３は、本発明の実施
形態である多層配線板の製造方法の第１の例として、金
属層上に配線パターンが形成されたベース基板を用いた
例を説明するための図で、図３（ｑ）は得られる多層配
線板の構造を示す断面図である。

【００１８】本発明の多層配線板の製造方法の第１の例
としては、まず、金属層１０１上にパターニングされた
めっきレジスト１０２ａを形成する（図１（ａ））。こ
のめっきレジスト１０２ａは、例えば、金属層１０１上
に紫外線感光性のドライフィルムレジストをラミネート
し、ネガフィルム等を用いて選択的に感光し、その後現
像することにより形成できる。金属層１０１の材質は、
本発明の製造方法に適するものであればどのようなもの
でも良いが、特に、使用される薬液に対して耐性を有す
るものであって、最終的にエッチングにより除去可能で
あることが必要である。そのような金属層１０１の材質
としては、例えば、銅、銅合金、４２合金、ニッケル等
が挙げられる。また、金属層１０１の厚みは、本発明の
製造方法に適するものであればどのようなものでも良
い。金属層１０１としては、金属板、金属箔等を用いる
ことができる。特に、４２合金板、銅板、銅合金板、銅
箔は、様々な厚みのものが市販されているため、安価で
入手が容易であるだけでなく、取り扱いも容易であるた
め、本発明の製造方法に非常に好適である。

【００１９】次に、金属層１０１を電解めっき用リード
（給電用電極）として、レジスト金属層１０３を電解め
っきにより形成する（図１（ｂ））。この電解めっきに
より、金属層１０１上のめっきレジスト１０２ａが形成
されていない部分に、レジスト金属層１０３が形成され
る。レジスト金属層１０３の材質は、本発明の製造方法
に適するものであればどのようなものでも良いが、特
に、最終的に金属層１０１をエッチングにより除去する
際に使用する薬液に対して耐性を有することが必要であ
る。レジスト金属層１０３の材質としては、例えば、ニ
ッケル、金、錫、銀、半田、パラジウム等が挙げられ
る。なお、レジスト金属層１０３を形成する目的は、金
属層１０１をエッチングする際に使用する薬液により、
図１（ｃ）に示す配線パターン１０４ａが浸食・腐食さ
れるのを防ぐことである。したがって、金属層１０１を
エッチングする際に使用する薬液に対して、図１（ｃ）
に示す配線パターン１０４ａが耐性を有している場合
は、このレジスト金属層１０３は不要である。また、レ
ジスト金属層１０３は配線パターン１０４ａと同一のパ
ターンである必要はなく、金属層１０１上にめっきレジ
スト１０２ａを形成する前に、金属層１０１の全面にレ
ジスト金属層１０３を形成しても良い。

【００２０】次に、金属層１０１を電解めっき用リード
（給電用電極）として、配線パターン１０４ａを電解め
っきにより形成する（図１（ｃ））。この電解めっきに
より、金属層１０１上のめっきレジスト１０２ａが形成
されていない部分に、配線パターン１０４ａが形成され
る。配線パターン１０４ａの材質としては、本発明の製
造方法に適するものであればどのようなものでも良い
が、特に、最終的にレジスト金属層１０３をエッチング
により除去する際に使用する薬液に対して耐性を有する
ことが必要である。実際は、配線パターン１０４ａを浸
食・腐食しない薬液でエッチング可能なレジスト金属層
１０３を選定するのが得策である。配線パターン１０４
ａの材質としては、例えば、銅、ニッケル、金、錫、
銀、パラジウム等が挙げられる。さらには、銅を用いる
ことで、低電気抵抗で安定した配線パターン１０４ａが
得られる。

【００２１】次に、めっきレジスト１０２ａを除去して
ベース基板１１０を得る（図１（ｄ））。なお、図１
（ａ）〜（ｄ）にて、金属層１０１上を電解めっき用リ
ードとして用い、金属層１０１上に電解めっきによりレ
ジスト金属層１０３および配線パターン１０４ａを形成
してベース基板１１０を得る方法について説明したが、
金属層１０１上に配線パターンが形成されたベース基板
１１０であれば、その製造方法はどのようなものでもよ
い。例えば、無電解めっきによりレジスト金属層１０３
および配線パターン１０４ａを形成する方法でもよい
し、スクリーン印刷により配線パターンを直接形成する
方法でも構わない。

【００２２】続いて、形成した配線パターン１０４ａ上
に絶縁層１０５ａを形成する（図１（ｅ））。絶縁層１
０５ａを構成する樹脂は、本発明の製造方法に適するも
のであればどのようなものでも使用できる。補強繊維
（例えば、ガラスクロス）未充填の樹脂からなる絶縁層
１０５を形成することが好ましい。また、絶縁層１０５
ａの形成は、使用する樹脂に応じて適した方法で良く、
樹脂ワニスを印刷、カーテンコート、バーコート等の方
法で直接塗布したり、ドライフィルムタイプの樹脂を真
空ラミネート、真空プレス等の方法で積層する方法が挙
げられる。特に、市販されている樹脂付銅箔（樹脂付導
体箔）は入手が容易であり、真空ラミネート等により配
線パターン１０４ａの凹凸を埋め込みながら成形し、最
後に銅箔（導体箔）をエッチングすれば、絶縁層１０５
ａの表面が配線パターン１０４ａの凹凸に影響されるこ
となく、非常に平坦になる。また、絶縁層１０５ａの表
面には銅箔表面の微細な粗化形状が転写されるため、図
３（ｍ）に示す絶縁層１０５ｂとの密着性を確保するこ
とができる。

【００２３】次に、形成した絶縁層１０５ａに、少なく
とも配線パターンの一部が露出するようにビア１０６ａ
を形成する（図１（ｆ））。ビア１０６ａの形成方法
は、本発明の製造方法に適する方法であればどのような
方法でも良く、レーザー、プラズマによるドライエッチ
ング、ケミカルエッチング等が挙げられる。また、絶縁
層１０５ａを感光性樹脂とした場合には、絶縁層１０５
ａを選択的に感光し、現像することでビア１０６ａを形
成することもできる。

【００２４】次に、金属層１０１を電解めっき用リード
（給電用電極）として、導体ポスト１０７ａを電解めっ
きにより形成する（図２（ｇ））。この電解めっきによ
り、絶縁層１０５ａのビア１０６ａが形成されている部
分に、導体ポスト１０７ａが形成される。電解めっきに
より導体ポスト１０７ａを形成すれば、導体ポスト１０
７ａの先端の形状を自由に制御することができる。導体
ポスト１０７ａの材質としては、本発明の製造方法に適
するものであればどのようなものでも良く、例えば、
銅、ニッケル、金、錫、銀、パラジウム等が挙げられ
る。さらには、銅を用いることで、低電気抵抗で安定し
た導体ポスト１０７ａが得られる。

【００２５】次に、絶縁層１０５ａおよび導体ポスト１
０７ａの表面に、金属膜１０８ａを形成する（図２
（ｈ））。金属膜１０８ａの形成方法としては、無電解
銅めっきにより形成する方法、スパッタリングにより形
成する方法が挙げられる。スパッタリングにより形成す
る金属膜１０８ａの材質としては、本発明の製造方法に
適する材質であればどのような材質でも良く、銅、チタ
ン、クロム、亜鉛などが挙げられる。

【００２６】次に、金属膜１０８ａ上にパターニングさ
れためっきレジスト１０２ｂを形成する（図２
（ｉ））。めっきレジスト１０２ｂの形成方法は、上述
と同様な方法で良い（図１（ａ）参照）。

【００２７】次に、金属層１０１を電解めっき用リード
（給電用電極）として、配線パターン１０４ｂを電解め
っきにより形成する（図２（ｊ））。配線パターン１０
４ｂの形成方法は、上述と同様な方法で良い（図１
（ｃ）参照）。

【００２８】次に、めっきレジスト１０２ｂを除去し
（図２（ｋ））、続いて、金属膜１０８ａを部分的に除
去する（図２（ｌ））。金属膜１０８ａをエッチングに
より除去する場合には、配線パターン１０４ｂが浸食さ
れないエッチング液を使用することが好ましい。金属膜
１０８ａと配線パターン１０４ｂの材質が同じである場
合は、その材質をエッチング可能なエッチング液を用い
れば良い。金属膜１０８ａは無電解銅めっきやスパッタ
リングにより形成されており、電解めっきにより形成さ
れた配線パターン１０４ｂよりも十分薄いため、金属膜
１０８ａを除去できる程度にエッチングすれば、配線パ
ターン１０４ｂへの浸食は非常に少なくなる。

【００２９】次に、形成した配線パターン１０４ｂおよ
び既存の絶縁層１０５ａの露出部の上に絶縁層１０５ｂ
を形成する（図３（ｍ））。絶縁層１０５ｂの形成方法
は、上述と同様な方法で良い（図１（ｅ）参照）。

【００３０】次に、形成した絶縁層１０５ｂにビア１０
６ｂを形成する（図３（ｎ））。ビア１０６ｂの形成方
法は、上述と同様な方法で良い（図１（ｆ）参照）。

【００３１】次に、金属層１０１を電解めっき用リード
（給電用電極）として、導体ポスト１０７ｂを電解めっ
きにより形成する（図３（ｏ））。導体ポスト１０７ｂ
の形成方法は、上述と同様な方法で良い（図２（ｇ）参
照）。

【００３２】次に、上述の工程、すなわち図２（ｈ）〜
図３（ｏ）を繰り返して行い、続いてソルダーレジスト
１１５を形成する（図３（ｐ））。さらには、金属層１
０１を電解めっき用リード（給電用電極）として、アウ
ターパッド１１４ｂに電解ニッケル／金めっき（外層め
っき）を形成しても良い。外層めっきとしては、ニッケ
ル／金めっきが一般的であるが、それ以外にも電解／無
電解を問わず、金、銀、パラジウム、ニッケルのいずれ
か２つ以上を含む層構成や、半田などでも良い。

【００３３】最後に、金属層１０１の半導体チップ２０
２を搭載する部分のみ、エッチングにより除去して金属
フレーム１１６を形成し、多層配線板１１３を得る（図
３（ｑ））。多層配線板１１３が金属フレーム１１６を
有することにより、絶縁層１０５ａ〜１０５ｃが補強繊
維（例えば、ガラスクロス）未充填の樹脂からなる場合
でも、多層配線板１１３としてはリジッド性を有するこ
とになる。また、絶縁層１０５ａは、樹脂ワニスを印
刷、カーテンコート、バーコート等の方法で直接塗布し
たり、ドライフィルムタイプの樹脂を真空ラミネート、
真空プレス等の方法で積層することにより、直接、金属
層１０１上に形成するため、絶縁層１０５ａと金属フレ
ーム１１６との密着性は高い。なお、ここでは金属層１
０１をエッチングにより部分的に除去して金属フレーム
１１６を形成する例を示したが、金属層１０１を全面除
去しても構わない。この場合には、もちろん金属フレー
ム１１６は形成されない。

【００３４】図５〜図７は、本発明の実施形態である多
層配線板の製造方法の第２の例として、第１の製造方法
に用いたベース基板と異なるベース基板を用いた例を説
明するための図で、図７（ｌ）は得られる多層配線板の
構造を示す断面図である。

【００３５】本発明の多層配線板の製造方法の第２の例
が第１の例と異なるのは、金属層１０１の代わりに、ベ
ース基板３１０の金属層３０１を電解めっき用リード
（給電用電極）として使用する点であり、基本的な製造
方法はほとんど同じである。すなわち、製造方法の第１
の例では、配線パターン１０４ａ〜１０４ｄおよび導体
ポスト１０７ａ〜１０７ｃを電解めっきにより形成する
際に、金属層１０１を電解めっき用リード（給電用電
極）として使用するのに対して、第２の製造方法ではベ
ース基板３１０の金属層３０１を全面残しておき、これ
を電解めっき用リード（給電用電極）として使用すると
ころに特徴がある。最終的には、金属層３０１をエッチ
ングにより部分的に除去して配線パターン３０４ｄを形
成するため、金属層３０１を電解めっき用リード（給電
用電極）としてだけでなく、エッチング後に配線パター
ン３０４ｄとしても、有効に使用することができる。

【００３６】以下、製造方法の第２の例について、第１
の例と異なる点について説明する。

【００３７】まず、両面配線板の片面（図では上面）
に、エッチングにより配線パターン３０４ａを形成して
ベース基板３１０を得る（図５（ａ））。もう一方の面
の金属層３０１は全面残しておき、配線パターン３０４
ｂ〜３０４ｃおよび導体ポスト３０７ａ〜３０７ｂを電
解めっきにより形成する際の電解めっき用リード（給電
用電極）として用いる。また、ベース基板３１０にはス
ルーホール等により、金属層３０１と配線パターン３０
４ａとを電気的に導通接続させておくことが必須であ
る。なお、図５（ａ）では、ベース基板３１０として両
面配線板を用いているが、最上面に配線パターン３０４
ａが形成されており、最下層に金属層３０１を有すると
ともに、配線パターン３０４ａと金属層３０１が電気的
に導通接続されているものであれば、両面配線板に限ら
ず、４層配線板や６層配線板など、３層以上の多層配線
板を状況に応じて使い分ければ良い。

【００３８】第２の製造方法の図５（ｂ）〜図７（ｋ）
に示す工程は、第１の製造方法の図１（ｅ）〜図３
（ｐ）に示す工程と同様である。最後に、金属層３０１
をエッチングにより部分的に除去して配線パターン３０
４ｄを形成し、ソルダーレジスト３１５ｂの形成、外層
めっきを経て、多層配線板３１３を得る。

【００３９】本発明による多層配線板の製造方法の最大
の特徴は、次に示す３点である。（１）配線パターンと導体ポストを電解めっきにより形
成することができる。（２）最終的には、全面または部分的に除去する金属層
を電解めっき用リードとして、導体ポストを電解めっき
により形成するため、配線パターンに特別な電解めっき
用リードを設ける必要が無い。（３）絶縁層を研磨する必要が無く、絶縁層を安定した
厚みに形成することができる。

【００４０】なお、上述の工程により得られた多層配線
板１１３のインナーパッド１１４ａ側に半導体チップ２
０２を搭載し、アウターパッド１１４ｂ側に半田ボール
を搭載することにより、半導体装置２０１を得ることが
できる（図４）。多層配線板３１３についても同様にし
て、半導体装置４０１を得ることができる（図８）。

【００４１】

【実施例】以下、実施例により更に具体的に説明する
が、本発明はこれによって何ら限定されるものではな
い。

【００４２】（実施例１）表面を粗化処理した１５０μ
ｍ厚の圧延銅板（金属層１０１・古川電気工業製、ＥＦ
ＴＥＣ−６４Ｔ）に、ドライフィルムレジスト（旭化成
製、ＡＱ−２０５８）をロールラミネートし、所定のネ
ガフィルムを用いて露光・現像し、配線パターン１０４
ａの形成に必要なめっきレジスト（めっきレジスト１０
２ａ）を形成した。次に、圧延銅板を電解めっき用リー
ドとして、金／ニッケル（レジスト金属１０３）を電解
めっきにより形成し、さらに電解銅めっきすることによ
り配線パターン（配線パターン１０４ａ）を形成した。
配線パターンは、線幅／線間／厚み＝２０μｍ／２０μ
ｍ／１０μｍとした。次に、めっきレジストを剥離し
て、ベース基板（ベース基板１１０）を得た。続いて、
樹脂付銅箔（樹脂付導体箔、住友ベークライト製、ＡＰ
Ｌ）を真空ラミネートにより配線パターンの凹凸を埋め
込みながら成形し、銅箔（導体箔）を全面エッチングし
て、２５μｍ厚の絶縁層（絶縁層１０５ａ）を形成し
た。

【００４３】次に、５０μｍ径のビア（ビア１０６ａ）
を、ＵＶ−ＹＡＧレーザーにより形成した。続いて、圧
延銅板を電解めっき用リードとして、電解銅めっきする
ことによりビアを銅で充填し、銅ポスト（導体ポスト１
０７ａ）を形成した。次に、無電解銅めっきにより銅薄
膜（金属膜１０８ａ）を形成し、めっきレジスト（めっ
きレジスト１０２ｂ）を形成した後、圧延銅板を電解め
っき用リードとして電解銅めっきすることにより、配線
パターン（配線パターン１０４ｂ）を形成した。次に、
めっきレジストを剥離した後、ソフトエッチングにより
銅薄膜を除去した。

【００４４】続いて、上述の工程を繰り返した後、圧延
銅板をエッチングすることにより金属フレーム（金属フ
レーム１１６）を形成し、最後に、ソルダーレジスト
（ソルダーレジスト１１５）を形成することにより、多
層配線板（多層配線板１１３）を得ることができた。

【００４５】（実施例２）１２μｍ厚の銅箔が形成され
たＦＲ−５相当のガラスエポキシ樹脂銅張積層板（住友
ベークライト製・ＥＬＣ−４７８１）の片面の銅箔をエ
ッチングすることにより、配線パターン３０４ａを形成
した。もう一方の面の銅箔（金属層３０１）は全面残し
ておいた。次に、ガラスエポキシ樹脂銅張積層板にはス
ルーホールを形成し、配線パターンと全面銅箔とを電気
的に導通させて、ベース基板（ベース基板３１０）を得
た。続いて、樹脂付銅箔（樹脂付導体箔、住友ベークラ
イト製、ＡＰＬ）を真空ラミネートにより配線パターン
の凹凸を埋め込みながら成形し、銅箔（導体箔）を全面
エッチングして、２５μｍ厚の絶縁層（絶縁層３０５
ａ）を形成した。

【００４６】次に、５０μｍ径のビア（ビア３０６）
を、ＵＶ−ＹＡＧレーザーにより形成した。続いて、ベ
ース基板の全面銅箔を電解めっき用リードとして、電解
銅めっきすることによりビアを銅で充填し、銅ポスト
（導体ポスト３０７ａ）を形成した。次に、無電解銅め
っきにより銅薄膜（金属膜３０８ａ）を形成した。続い
て、銅薄膜上にドライフィルムレジスト（旭化成製、Ａ
Ｑ−２０５８）をロールラミネートし、所定のネガフィ
ルムを用いて露光・現像し、配線パターン３０４ｂの形
成に必要なめっきレジスト（めっきレジスト３０２）を
形成した。次に、全面銅箔を電解めっき用リードとして
電解銅めっきすることにより、配線パターン（配線パタ
ーン３０４ｂ）を形成した。配線パターンは、線幅／線
間／厚み＝２０μｍ／２０μｍ／１０μｍとした。次
に、めっきレジストを剥離した後、ソフトエッチングに
より銅薄膜を除去した。

【００４７】続いて、上述の工程を繰り返した後、ソル
ダーレジスト（ソルダーレジスト３１５ａ）を形成し、
インナーパッド（インナーパッド３１４ａ）に電解ニッ
ケル／金めっきを施した。最後に、全面銅箔をエッチン
グすることにより配線パターン（配線パターン３０４
ｄ）を形成した後、ソルダーレジスト（ソルダーレジス
ト３１５ｂ）を形成し、アウターパッド（アウターパッ
ド３１４ｂ）に無電解ニッケル／金めっきを施すことに
より、多層配線板（多層配線板３１３）を得ることがで
きた。

【００４８】

【発明の効果】本発明の製造方法は、微細な配線パター
ンを形成できるだけでなく、最終的には全面または部分
的に除去する金属層を電解めっきリードとして使用する
ため、配線パターンに電解めっき用リードを設ける必要
がない。また、配線パターン、絶縁層、導体ポストの順
に形成するため、絶縁層を研磨する必要がなくなり、絶
縁層を安定した厚みで形成できるため、得られる多層配
線板は、インピーダンス整合に対応できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態による多層配線板の第１の製
造方法の一例を示す断面図である。

【図２】本発明の実施形態による多層配線板の第１の製
造方法の一例を示す断面図である（図１の続き）。

【図３】本発明の実施形態による多層配線板の第１の製
造方法の一例を示す断面図である（図２の続き）。

【図４】本発明の第１の実施形態による多層配線板を使
用して製造した、半導体デバイスの一例を示す断面図で
ある。

【図５】本発明の実施形態による多層配線板の第２の製
造方法の一例を示す断面図である。

【図６】本発明の実施形態による多層配線板の第２の製
造方法の一例を示す断面図である（図５の続き）。

【図７】本発明の実施形態による多層配線板の第２の製
造方法の一例を示す断面図である（図６の続き）。

【図８】本発明の第２の実施形態による多層配線板を使
用して製造した、半導体デバイスの一例を示す断面図で
ある。

【符号の説明】

１０１金属層１０２ａ〜１０２ｂめっきレジスト１０３レジスト金属層１０４ａ〜１０４ｄ配線パターン１０５ａ〜１０５ｃ絶縁層１０６ａ〜１０６ｂビア１０７ａ〜１０７ｃ導体ポスト１０８ａ〜１０８ｃ金属膜１１０ベース基板１１３多層配線板１１４ａインナーパッド１１４ｂアウターパッド１１５ソルダーレジスト１１６金属フレーム２０１半導体デバイス２０２半導体チップ２０３バンプ２０４アンダーフィル２０５半田ボール３０１金属層３０２めっきレジスト３０４ａ〜３０４ｄ配線パターン３０５ａ〜３０５ｂ絶縁層３０６ビア３０７ａ〜３０７ｂ導体ポスト３０８ａ〜３０８ｂ金属膜３１０ベース基板３１３多層配線板３１４ａインナーパッド３１４ｂアウターパッド３１５ａ〜３１５ｂソルダーレジスト４０１半導体デバイス４０２半導体チップ４０３バンプ４０４アンダーフィル４０５半田ボール

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者加藤正明東京都品川区東品川２丁目５番８号住友ベークライト株式会社内 (72)発明者原英貴東京都品川区東品川２丁目５番８号住友ベークライト株式会社内Ｆターム(参考） 5E317 AA24 BB01 BB12 CC33 CC44 CC51 CD15 CD18 CD25 GG11 GG14 5E346 AA03 AA04 AA06 AA12 AA15 AA35 AA43 BB01 CC02 CC08 CC32 CC54 DD24 DD33 DD47 EE33 EE38 FF14 FF35 GG15 GG17 GG22 GG23 GG28 HH07 HH26

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項1】（Ａ）配線パターン上に絶縁層を形成す
る工程と、（Ｂ）該配線パターンの一部が露出するよう
に該絶縁層にビアを形成する工程と、（Ｃ）ベース基板
の金属層を電解めっき用リードとして、導体ポストを電
解めっきにより形成する工程と、（Ｄ）該絶縁層上およ
び該導体ポスト表面に金属膜を形成する工程と、（Ｅ）
該金属層を電解めっき用リードとして、該金属膜上に配
線パターンを電解めっきにより形成する工程と、（Ｆ）
該金属膜を部分的に除去する工程と、を含んでなり、前
記工程の後に該金属層をエッチングにより、全面または
部分的に除去することを特徴とする多層配線板の製造方
法。
【請求項２】ベース基板が、金属層上に配線パターン
を形成してなることを特徴とする請求項１記載の多層配
線板の製造方法。
【請求項３】配線パターンが、電解めっきにより形成
されてなることを特徴とする請求項２記載の多層配線板
の製造方法。
【請求項４】金属層を部分的にエッチングして除去す
ることにより、多層配線板の半導体チップを搭載する側
の最外層上に金属フレームを形成することを特徴とす
る、請求項１〜３のいずれかに記載の多層配線板の製造
方法。
【請求項５】ベース基板が、最上面に配線パターンを
有し、最下面に金属層を有するとともに、該配線パター
ンと該金属層が導通接続されたものであることを特徴と
する、請求項１記載の多層配線板の製造方法。
【請求項６】ベース基板が、最上面に配線パターンを
有し、最下面に金属層を有するとともに、該配線パター
ンと該金属層がスルーホールにより導通接続された両面
配線板または３層以上の配線板であることを特徴とす
る、請求項５記載の多層配線板の製造方法。
【請求項７】金属層を部分的にエッチングして除去す
ることにより、配線パターンを形成することを特徴とす
る、請求項１、５または６記載の多層配線板の製造方
法。
【請求項８】絶縁層が、樹脂付導体箔をラミネート
し、該導体箔をエッチングして除去することにより形成
されることを特徴とする、請求項１〜７のいずれかに記
載の多層配線板の製造方法。
【請求項９】金属膜が、無電解銅めっき又はスパッタ
リングにより形成されることを特徴とする請求項１〜８
のいずれかに記載の多層配線板の製造方法。
【請求項１０】絶縁層が補強繊維未充填の樹脂からな
ることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の多
層配線板の製造方法。
【請求項１１】請求項１〜１０のいずれかに記載の多
層配線板の製造方法により、得られることを特徴とする
多層配線板。